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山口 智広  YAMAGUCHI Tomohiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50454517
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 工学院大学, 先進工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 工学院大学, 先進工学部, 教授
2021年度 – 2022年度: 工学院大学, 先進工学部, 教授
2015年度 – 2020年度: 工学院大学, 先進工学部, 准教授
2015年度 – 2016年度: 工学院大学, 公私立大学の部局等, 准教授
2013年度 – 2014年度: 工学院大学, 工学部, 准教授 … もっと見る
2012年度: 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー
2011年度: 工学院大学, 工学部, 准教授
2010年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, ポストドクトラルフェロー
2010年度: 立命館大学, 総合理工学研究機構, ポストドクトラルフェロー
2009年度: 立命館大学, 総合理工学研究機構, 研究員
2008年度: 立命館大学, 総合理工学・研究機構, 研究員
2007年度: 立命館大学, 総合理工学研究機構, 研究員 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 小区分30010:結晶工学関連 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 結晶工学 / 電子デバイス・電子機器 / 理工系
キーワード
研究代表者
ナノコラム / 薄膜 / 分子線エピタキシー(MBE) / InGaN / 窒化物半導体 / 量子構造 / 赤色発光 / 赤色LED / X線その場観察 / MBE … もっと見る / ヘテロ界面 / ヘテロエピタキシャル成長 / In系窒化物半導体 / MBE、エピタキシャル / 半導体物性 / 電子・電気材料 / エピタキシャル成長 / 結晶成長 / 分子線エピタキシー法 / 作製・評価技術 / 混晶 / 製作・評価技術 / 薄膜・量子構造 / 分子線エピタキシー / 半導体 … もっと見る
研究代表者以外
MBE / InGaN / InN / 分子線エピタキシー / p型ドーピング / 分子線エピタキシー法 / 窒化インジウム / 窒化物半導体 / RF-MBE / 窒化物 / X線回折 / 酸化物 / 窒化ガリウム / MIS構造 / p形ドーピング / ナノコラム / DERI法 / 窒化インジウムガリウム / レーザ / LED / 三原色集積型光デバイス / X線回折 / その場X線回折 / 放射光 / グラフェン / MBE成長 / 放射光利用 / 拡張熱力学解析 / 相整合混晶 / 相混在面 / 反応解析 / 相混在 / バンドエンジニアリング / 格子引き込み / 混晶成長 / 発現相制御 / 非熱平衡 / 熱平衡 / Ⅲ族セスキ酸化物半導体 / ハライド気相成長法 / ミスト化学気相堆積法 / 非熱平衡成長 / 熱平衡成長 / 準安定相 / 安定相 / Ⅲ族セスキ酸化物半導体結晶 / 先端機能デバイス / 半導体物性 / 不活性化 / リーク電流 / 転位 / 極微領域評価 / 混晶組成 / x線回折 / GaN / 透明電極 / リフトオフ / 結晶成長 / 分子線エピタキシャル成長法 / 発光ダイオード / X線光電子分光法 / ケルビン力顕微鏡 / ショットキー電極 / オーミック電極 / KOH / ウェットエッチング / 極性 / ドライエッチング / DERI / ヘテロ構造 / 結晶性 / キャリア濃度 / 窒素ラジカル / オーミックコンタクト / インターミキシング / ヘテロ界面 / エピタキシャル成長 / 無極性 / 多重量子井戸 / 光反射率 / ラジカルビーム / RHEED / その場観察 / 分子線エビタキシー法 / Seebeck係数 / サーモパワー / ナノ構造 隠す
  • 研究課題

    (13件)
  • 研究成果

    (814件)
  • 共同研究者

    (23人)
  •  赤色発光素子応用に資するInGaNマトリクスの構造制御研究代表者

    • 研究代表者
      山口 智広
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      工学院大学
  •  In系窒化物半導体ヘテロエピタキシャル成長におけるヘテロ界面制御技術の構築研究代表者

    • 研究代表者
      山口 智広
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      工学院大学
  •  グラフェンを利用した窒化物自立基板の開発

    • 研究代表者
      佐々木 拓生
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
  •  ナノコラム結晶による三原色集積型発光デバイスの革新

    • 研究代表者
      岸野 克巳
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      上智大学
  •  化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製

    • 研究代表者
      熊谷 義直
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  化学リフトオフ技術を用いたGaN系集積化面発光素子製作検討

    • 研究代表者
      本田 徹
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      工学院大学
  •  In系窒化物混晶半導体材料に関する結晶成長基盤技術の高度化研究代表者

    • 研究代表者
      山口 智広
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      工学院大学
  •  ワイドギャップⅢ族酸化物/窒化物半導体ヘテロ構造作製のための基盤技術開拓

    • 研究代表者
      東脇 正高
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      国立研究開発法人情報通信研究機構
  •  InNおよび関連混晶によるヘテロ・ナノ構造・物性の制御とバンドエンジニアリング

    • 研究代表者
      名西 憓之 (名西 やす之)
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  擬似LPE法によるInN系窒化物混晶半導体MBE結晶成長技術の開拓研究代表者

    • 研究代表者
      山口 智広
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      工学院大学
      立命館大学
  •  RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      立命館大学
  •  InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Chapter 1-Molecular-beam epitaxy of InN, Editors : T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff, CRC Press/Taylor and Francis(in press)2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki and T. Yamaguchi
    • 出版者
      Indium Nitride and Related Alloys
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [図書] Chapter: 1 - Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki and T. Yamaguchi (Editors: T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [図書] Chapter : 1-Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys (Editors : T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
    • 総ページ数
      50
    • 出版者
      CRC
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [図書] "Indium Nitride and Related Alloys" Chapter I Molecular-Beam Epitaxy of InN(edited by T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
    • 出版者
      CRC
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [図書] Chapter: 1 - Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys (Editors: T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff)2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Arakiand T. Yamaguchi
    • 出版者
      CRC
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Photoelectron spectroscopic study on electronic state of corundum In2O3 epitaxial thin film grown by mist-CVD2020

    • 著者名/発表者名
      T. Nagata, T. Yamaguchi, S. Ueda, W. Yi, J. Chen, T. Kobayashi, H. Yokoo, T. Honda, Y. Yamashita, and T. Chikyow
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SI ページ: SIIG12-SIIG12

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab84b2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [雑誌論文] Impact of hydrochloric acid on the epitaxial growth of In2O3 films on (0001)α-Al2O3 substrates by mist CVD2020

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, S. Takahashi, T. Kiguchi, A. Sekiguchi, K. Kaneko, S. Fujita, H. Nagai, M. Sato, T. Onuma, and T. Honda
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 7 ページ: 0755041-4

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab9a90

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PUBLICLY-19H04531
  • [雑誌論文] Epitaxial mist chemical vapor deposition growth and characterization of Cu3N films on (0001) α-Al2O3 substrates2020

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Nagai, T. Kiguchi, N. Wakabayashi, T. Igawa, T. Hitora, T. Onuma, T. Honda, and M. Sato
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 7 ページ: 0755051-5

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab9a8f

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PUBLICLY-19H04531
  • [雑誌論文] In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN2019

    • 著者名/発表者名
      Yamaguchi Tomohiro、Sasaki Takuo、Fujikawa Seiji、Takahasi Masamitu、Araki Tsutomu、Onuma Takeyoshi、Honda Tohru、Nanishi Yasushi
    • 雑誌名

      Crystals

      巻: 9 号: 12 ページ: 631-631

    • DOI

      10.3390/cryst9120631

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298, KAKENHI-PROJECT-19H00874, KAKENHI-PROJECT-17H02778
  • [雑誌論文] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, R. G. Banal, H. Yoshikawa, A. Yang, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 121 号: 9 ページ: 095703-095703

    • DOI

      10.1063/1.4977201

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PROJECT-26600090, KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [雑誌論文] Temperature-dependent exciton resonance energies and their correlation with IR-active optical phonon modes in beta-Ga2O3 single crystals2016

    • 著者名/発表者名
      T.Onuma, S.Saito, K.Sasaki, K.Goto, T.Masui, T.Yamaguchi, T.Honda, A.Kuramata, and M.Higashiwaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 108 号: 10 ページ: 1019041-5

    • DOI

      10.1063/1.4943175

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25390071, KAKENHI-PROJECT-25420341, KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [雑誌論文] Fabrication of Ag dispersed ZnO films by molecular precursor method and application in GaInN blue LED2016

    • 著者名/発表者名
      D. Taka, T. Onuma, T. Shibukawa, H. Nagai, T. Yamaguchi, J.-S. Jang, M. Sato, and T.Honda
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a)

      巻: 214 号: 3 ページ: 16005981-5

    • DOI

      10.1002/pssa.201600598

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [雑誌論文] Spectroscopic ellipsometry studies on β-Ga2O3 films and single crystal2016

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 12 ページ: 1202B2-1202B2

    • DOI

      10.7567/jjap.55.1202b2

    • NAID

      210000147262

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [雑誌論文] Optical properties of Ga<sub>0.82</sub>In<sub>0.18</sub>N <i>p</i>-<i>n</i> homojunction blue-green light-emitting-diode grown by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, K. Narutani, S. Fujioka, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya and T. Honda
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: 40 号: 2 ページ: 149-152

    • DOI

      10.14723/tmrsj.40.149

    • NAID

      130005089534

    • ISSN
      1382-3469, 2188-1650
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090, KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [雑誌論文] Valence band ordering in beta-Ga2O3 studied by polarized transmittance and reflectance spectroscopy2015

    • 著者名/発表者名
      T.Onuma, S.Saito, K.Sasaki, T.Masui, T.Yamaguchi, T.Honda, and M.Higashiwaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 54 号: 11 ページ: 1126011-5

    • DOI

      10.7567/jjap.54.112601

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25390071, KAKENHI-PROJECT-25420341, KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [雑誌論文] InN NanoColumns Grown by Molecular Beam Epitaxy and Their Luminescence Properties2015

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Araki, T. Yamaguchi, Y.T. Chen, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 430 ページ: 93-97

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2015.07.027

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090, KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [雑誌論文] Lattice dynamics of a mist-chemical vapor deposition-grown corundum-like Ga2O3 single crystal2015

    • 著者名/発表者名
      R. Cusco, N. Domenech-Amador, T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, T. Honda and L. Artus
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 117 号: 18 ページ: 185706-185706

    • DOI

      10.1063/1.4921060

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [雑誌論文] Impacts of AlOx formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures2015

    • 著者名/発表者名
      Takeyoshi Onuma, Yohei Sugiura, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda, and Masataka Higashiwaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 5 ページ: 0524011-3

    • DOI

      10.7567/apex.8.052401

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093, KAKENHI-PROJECT-25390071, KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [雑誌論文] Polarized Raman spectra in β-Ga2O3 single crystals2014

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, Y. Itoh, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: in press ページ: 330-333

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2013.12.061

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093, KAKENHI-PROJECT-25390071
  • [雑誌論文] Cathodoluminescence spectra of Ga-In-O Polycrystalline films fabricated by molecular precursor method2014

    • 著者名/発表者名
      尾沼猛儀、山口智広、本田徹他10名
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FF02-05FF02

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05ff02

    • NAID

      210000143831

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25390071, KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [雑誌論文] Effect of (GaN/AlN) alternating-source-feeding buffer layer in GaN growth on Al2O3 and silicon by RF-MBE2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Tajimi, M. Hayashi, T. Igaki, Y. Sugiura and T. Honda
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 11 号: 11 ページ: 1549-1552

    • DOI

      10.1002/pssc.201300399

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341, KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [雑誌論文] Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using droplet elimination by radical-beam irradiation2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, N. Uematsu, T. Araki, T. Honda, E. Yoon and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 377 ページ: 123-126

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [雑誌論文] Electron-beam incident-angle-resolved cathodoluminescence studies on bulk ZnO crystals2013

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 10 ページ: 869-872

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [雑誌論文] Fabrication of red, green and blue pixels using integrated GaN-based Schottky-type light-emitting diodes2013

    • 著者名/発表者名
      T Honda, T. Yamaguchi, N. Sakai, S. Fujioka and Y. Sugiura
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JH12-08JH12

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jh12

    • NAID

      210000142705

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [雑誌論文] Application of DERI Method to InN/InGaN MQW, Thick InGaN and InGaN/InGaN MQW Structure Growth2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, T. Honda, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE "Gallium Nitride Materials and Devices VIII

      巻: 8625巻 ページ: 862502-862502

    • DOI

      10.1117/12.2007258

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Investigation of the Near-Surface Structures of Polar InN Films by Chemicalstate-Discriminated Hard X-Ray Photoelectron Diffraction2013

    • 著者名/発表者名
      A. L. Yang, Y. Yamashita, M. Kobata, T. Matsushita, H. Yoshikawa, I. Pis, M. Imura, T. Yamaguchi, O. Sakata, Y. Nanishi, and K. Kobayashi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Correlation between blue luminescence intensity and resistivity in β-Ga2O3 single crystals2013

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda
    • 雑誌名

      Applied Physcs Letters

      巻: 103 号: 4 ページ: 0419101-3

    • DOI

      10.1063/1.4816759

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093, KAKENHI-PROJECT-25390071
  • [雑誌論文] Fabrication of Nano-structure of A-plane InN on Patterned A-plane GaN Template by ECR-MBE2012

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, S. Yamashita, T. Yamaguchi, E. Yoon, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 209巻 号: 3 ページ: 447-450

    • DOI

      10.1002/pssa.201100520

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Strong Correlation Between Oxygen Donor and Near-Surface Electron Accumulation in Undoped and Mg-Doped In-Polar InN Films2012

    • 著者名/発表者名
      A.Yang, Y.Yamashita, T.Yamaguchi, M.Imura, M.Kaneko, O.Sakata, Y.Nanishi, K.Kobayashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 3 ページ: 031002-031002

    • DOI

      10.1143/apex.5.031002

    • NAID

      10030510922

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004, KAKENHI-PROJECT-23560033
  • [雑誌論文] Surface Acoustic Waves and Elastic Constants of InN Epilayers Determined by Brillouin Scattering2012

    • 著者名/発表者名
      R. J. Jimenez, R. Cusco, N. Domenech-Amador, C. Prieto, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, L. Artus
    • 雑誌名

      physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters

      巻: 6 ページ: 256-258

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] MBE法による配列制御InNナノコラム成長2012

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山口智広、名西〓之
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 38 ページ: 47-53

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Double Resonance Raman Effects in InN Nanowires2012

    • 著者名/発表者名
      N. Domenech-Amador, R. Cusco, R. Calarco, T. Yamaguchi, Y. Nanishi and L. Artus
    • 雑誌名

      physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters

      巻: 6 ページ: 160-162

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Temperature dependence of Mg-H local vibrational modes in heavily doped InN:Mg2012

    • 著者名/発表者名
      R. Cusco, N. Dome`nech-Amador, L. Artus, K. Wang, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 50巻

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Mg doped InN and confirmation of free holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Millar, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.AgerIII
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE photonic West 2011

      巻: 7939 ページ: 793904-793904

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiationto InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Ataki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Plays.

      巻: 50

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical -Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Umeda, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50巻 号: 4S ページ: 04DH08-04DH08

    • DOI

      10.1143/jjap.50.04dh08

    • NAID

      210000070345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004, KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Investigation on InN Mole Fraction Fluctuation in InGaN Films Grown by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c)

      巻: 8 号: 5 ページ: 1499-1502

    • DOI

      10.1002/pssc.201001203

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-09F09272, KAKENHI-PROJECT-21246004, KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000070345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2011

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Yamaguchi, T. Araki, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50巻 号: 1S1 ページ: 01AE02-01AE02

    • DOI

      10.1143/jjap.50.01ae02

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical -Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 50巻

    • NAID

      210000070345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] High-Pressure Raman Scattering in Wurtzite Indium Nitride2011

    • 著者名/発表者名
      J.Iba~nez, F.J.Manjon, A.Segura, R.Oliva, R.Cusco, R.Vilaplana, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 99 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.3609327

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE photonic West 2011

      巻: 7939 ページ: 793904-793904

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kimura, E. Fukumoto, T. Yamaguchi, K. Wang, M. Kaneko, T. Araki, E. Yoon and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Physica status solidi(c)

      巻: Vol.8 ページ: 1499-1502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, N. Miller, R. Iwamoto, T. Yamaguchi, M. A. Mayer, T. Araki, Y. Nanishi, K. M. Yu, E. E. Haller, W. Walukiewicz, J. W. Ager III
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 98巻 号: 4

    • DOI

      10.1063/1.3543625

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Raman Scattering Study of Anharmonic Phonon Decay in InN2011

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B.

      巻: 83 号: 24

    • DOI

      10.1103/physrevb.83.245203

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Unintentional Incorporation of Hydrogen in Wurtzite InN with Different Surface Orientations2011

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, M.-Y.Xie, E.Alves, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, W.J.Schaff, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 110 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.3642969

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 98巻

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] PN junction rectification in electrolyte gated Mg-doped InN2011

    • 著者名/発表者名
      E.Alarcon-Llado, M.A.Mayer, B.W.Boudouris, R.A.Segalman, N.Miller, T.Yamaguchi, K.Wang, Y.Nanishi, E.E.Haller, J.W.Ager
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 99 号: 10

    • DOI

      10.1063/1.3634049

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-09F09272, KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] MBE法による配列制御InNナノコラム成長2011

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山口智広、名西〓之
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 38 ページ: 47-53

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Arakiand Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE photonic West 2011

      巻: 7939巻 ページ: 793904-793904

    • DOI

      10.1117/12.874840

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Application of droplet elimination process by radical-beam irradiation to InGaN growth and fabrication of InN/InGaN periodic structure2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Umeda, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.50

    • NAID

      210000070345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Electronic Structure of Wurtzite and Rocksalt InN Investigated by Optical Absorption under Hydrostatic Pressure2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Structural Anisotropy of Nonpolar and Semipolar InN Epitaxial Layers2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.-Y.Xie, N.Franco, F.Giuliani, B.Nunes, E.Alves, C.L.Hsiao, L.C.Chen, T.Yamaguchi, Y.Takagi, K.Kawashima, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) (印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a)

      巻: 207 ページ: 1356-1360

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2010

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchiand Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat.sol. (a)

      巻: 207巻 号: 1 ページ: 19-23

    • DOI

      10.1002/pssa.200982638

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004, KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Hydrogen in InN : a Ubiquitous Phenomenon in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, B.Monemar, M.Schubert, N.Franco, C.L Hsiao, L.C.Chen, J.Schaff, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207巻

      ページ: 19-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Structural Anisotropy of Nonpolar and Semipolar InN Epitaxial Layers2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.-Y.Xie, N.Franco, F.Giuliani, B.Nunes, E.Alues, C.L.Hsiao, L.C.Chen, T.Yamaguchi, Y.Takagi, K.Kawashima, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Yamaguchi, A. Takeda, T. Kimura, K. Kawashima, T. Arakiand Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (a)

      巻: 207巻 号: 6 ページ: 1356-1360

    • DOI

      10.1002/pssa.200983657

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Electronic Structure of Wurtzite and Rocksalt InN Investigated by Optical Absorption under Hydrostatic Pressure2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Hydrogen in InN : a Ubiquitous Phenomenon in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, B.Monemar, M.Schubert, N.Franco, C.L Hsiao, L.C.Chen, J.Schaff, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)

      ページ: 92-95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a)

      巻: 207 ページ: 1356-1360

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)

      ページ: 92-95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] RF-MBE growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and their characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

      ページ: 92-95

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) (印刷中(掲載決定))

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and high-quality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.2

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate, phys2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol (c)6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE, J2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Cryst. Growth 311

      ページ: 2780-2782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, D.Muto, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 311

      ページ: 2780-2782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Photoexcited Carriers and Surface Recombination Velocity in InN Epilayers : A Raman Scattering Study2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B. 80

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and highquality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 311

      ページ: 2780-2782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2 (100) Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Proc. of SPIE 7216 72160N

      ページ: 1-8

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C 電子・情報・システム部門誌 129

      ページ: 1974-1977

    • NAID

      10025533035

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Photoexcited Carriers and Surface Recombination Velocity in InN Epilayers : A Raman Scattering Study2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B. 80

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2巻

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3 (0001) templates, phys2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol (c)6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216 72160N

      ページ: 1-8

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: Vol.311 ページ: 2780-2782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207

      ページ: 19-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and high-quality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2 051001

      ページ: 1-3

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
    • 雑誌名

      "Indium Nitride and Related Alloys" Chapter 1 Molecular-Beam Epitaxy of InN( edited by T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)(CRC)

      ページ: 1-50

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire 基板上、半極性面InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C電子・情報・システム部門誌 129

      ページ: 1974-1977

    • NAID

      10025533035

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3(0001) templates2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207

      ページ: 19-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth (In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, D.Fukuoka, H.Tamiya, S.Harui, T.Yamaguchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, D.Fukuoka, H.Tamiya, S.Harui, T.Yamaguchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Raman-Scattering Study of the Long-Wavelength Longitudinal-Optical-Phonon-Plasmon Coupled Modes in High-Mobility InN Layers2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 79

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207

      ページ: 19-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE, phys2009

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol (c)6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Raman-Scattering Study of the Long-Wavelength Longitudinal-Optical-Phonon-Plasmon Coupled Modes in High-Mobility InN Layers2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 79

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, D.Muto, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 311

      ページ: 2780-2782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth (In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchiand Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2巻 ページ: 051001-051001

    • DOI

      10.1143/apex.2.051001

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Appl. Phys2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Express 2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Araki, H.Naoi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings 955

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE, Mater. Res2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Soc. Symp. Proc 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Naoi, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Sump.Proc 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広, 名西〓之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広, 名西やす之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広, 名西やす之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広,名西〓之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 産業財産権番号
      2009-119315
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広, 名西〓之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広,名西.之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] 窒素RFパワー変化によるナノコラム結晶のGaInNバッファ層形状均一化の検討2023

    • 著者名/発表者名
      赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長における格子緩和過程観察2023

    • 著者名/発表者名
      竹内丈、佐々木拓生、横山晴香、尾沼猛儀、本田徹、山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] RF-MBEによる多層膜緩衝層を用いた低転位密度GaInNの製作2022

    • 著者名/発表者名
      板橋 大樹、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] RF-MBE成長赤色発光MQWにおけるGaInN下地層挿入の効果2022

    • 著者名/発表者名
      山口智広、山田純平、富樫理恵、田原開悟、赤川広海、佐々木拓生、村上尚、尾沼猛儀、本田徹、名西やすし、岸野克巳
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] 赤色発光MQWsを有するInGaN系ナノコラムにおけるAlGaN小壁装のAl組成非依存性2022

    • 著者名/発表者名
      山田順平、本田達也、水野愛、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] TEM evaluation of in-situ nitrogen plasma irradiated GaInN2022

    • 著者名/発表者名
      A. Tokushige, S. Ohno, Y. Hayakawa, T. Honda, T. Onuma, T. Yamaguchi
    • 学会等名
      The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] THVPE法におけるInGaN薄膜成長の膜厚制御性とヘテロ構造の検討2022

    • 著者名/発表者名
      小林伊織、江間研太郎、山田千帆、山口智広、村上尚
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] その場XRD-RSM を用いたRF-MBE GaInNヘテロエピタキシャル成長における緩和過程観察2022

    • 著者名/発表者名
      竹内丈、佐々木拓生、藤川誠司、横山晴香、尾沼 猛儀、本田徹、山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] Structural analysis in epitaxial growth of GaInN by RF-MBE using XRD-RSM2022

    • 著者名/発表者名
      J. Takeuchi, T. Sasaki, H. Yokoyama, T. Onuma, T. Honda, T. Yamaguchi
    • 学会等名
      The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] RF-MBEによるInN緩衝層を用いたGaInNの格子緩和制御2022

    • 著者名/発表者名
      板橋大樹、吉田 涼介、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] Impact of Ga1-xInxN underlayer for growth of Ga1-yInyN/Ga1-xInxN MQW structure2022

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Tahara, J. Yamada, T. Sasaki, H. Yokoyama, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi, and K. Kishino
    • 学会等名
      The 9th Advanced Functional Materials & Devices (AFMD) and The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] 赤色ナノコラム成長におけるGaInNバッファ層のⅤ/Ⅲ族比依存性2022

    • 著者名/発表者名
      赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] Impact of Ga1-xInxN underlayer for growth of Ga1-yInyN/Ga1-xInxN MQW structure2022

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Tahara, J. Yamada, T. Sasaki, H. Yokoyama, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi, and K. Kishino
    • 学会等名
      The 9th Advanced Functional Materials & Devices (AFMD) & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] RF-MBEによる格子緩和制御層上高In組成GaInN MQWの成長と評価2021

    • 著者名/発表者名
      松田 真樹、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    • 学会等名
      第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] 酸化物半導体結晶Ga2O3およびIn2O3の準安定相発現機構の検討2021

    • 著者名/発表者名
      熊谷義直,後藤健,富樫理恵,山口智広,村上尚
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] Study on DERI growth of InGaN/InN heterostructures using in situ XRD RSM measurements2021

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Goto, H. Tachibana, A. Fukuda, S. Kayamoto, R. Nakamura, K. Matsushima, R. Moriya, S. Yabuta, S. Mouri, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Yamaguchi
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] 緩和制御層上GaInN周期構造のRF-MBE成長と評価2021

    • 著者名/発表者名
      松田 真樹、吉田 涼介、田原 開悟、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] GaN系ナノコラムにおけるn-GaN平坦層がInGaN/AlGaN MQWs発光層に与える影響2021

    • 著者名/発表者名
      山田純平、本田達也、吉田圭吾、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] Growth of GaInN multi quantum well on strain-controlled layer by RF-MBE toward realization of light emitting diodes operating in red spectral region2021

    • 著者名/発表者名
      M. Matsuda, R. Yoshida, K. Tahara, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] In situ XRD RSM measurements in MBE growth of GaInN film with low-temperature GaInN buffer layer2021

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Yamaguchi, Takuo Sasaki, Takanori Kiguchi, Soichiro Ohno, Hiroki Hirukawa, Ryosuke Yoshida, Takeyoshi Onuma, Tohru Honda, Masamitu Takahasi, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化2021

    • 著者名/発表者名
      横山 晴香、山口 智広、佐々木 拓生、大野 颯一朗、木口 賢紀、比留川 大輝、藤川 誠司、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] (0001)および(10-11)面InGaN/GaNナノコラム上InGaN/AlGaN MQWsの発光特性2021

    • 著者名/発表者名
      山田純平、本田達也、水野愛、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] 赤色発光LEDの製作に向けた RF-MBEによる緩和制御層上GaInN周期構造の成長と評価2021

    • 著者名/発表者名
      松田 真樹、吉田 涼介、田原 開悟、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    • 学会等名
      第13回大学コンソーシアム八王子学生発表会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] Well width dependence on residual strain in high In composition GaInN/GaInN MQW by RF-MBE2021

    • 著者名/発表者名
      K. Tahara, J. Yamada, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, T. Onuma, T. Honda, and K. Kishino
    • 学会等名
      The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] Growth of stable and/or metastable phases of Ga2O3 and In2O3 by halide vapor phase epitaxy and mist chemical vapor deposition2021

    • 著者名/発表者名
      Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Rie Togashi, Tomohiro Yamaguchi, Hisashi Murakami
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] In situ XRD RSM measurements in MBE growth of GaInN film with low-temperature GaInN buffer layer2021

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, T. Kiguchi, S. Ohno, H. Hirukawa, R. Yoshida, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化2021

    • 著者名/発表者名
      横山 晴香、山口 智広、佐々木 拓生、大野 颯一朗、木口 賢紀、比留川 大輝、藤川 誠司、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] RF-MBE 法によるGaInN/GaInN 多重量子井戸成長と評価2021

    • 著者名/発表者名
      田原開悟、山田純平、山口智広、名西やすし、尾沼猛儀、本田徹、岸野克巳
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] RF-MBE法によるGaInN/GaInN多重量子井戸成長と評価2021

    • 著者名/発表者名
      田原 開悟、山田 純平、山口 智広、名西やすし、尾沼 猛儀、本田 徹、岸野 克巳
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] Epitaxial mist chemical vapor deposition growth and characterization of α-In2O3 films on α-Al2O3 substrates2021

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Yamaguchi, Takahiro Nagata, Subaru Takahashi, Takanori Kiguchi, Atsushi Sekiguchi, Takeyoshi Onuma, Tohru Honda, Ken Goto, Yoshinao Kumagai, Kentaro Kaneko, Shizuo Fujita
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] Impact on InN buffer layer inserted into GaInN/GaN interfaces by RF-MBE2021

    • 著者名/発表者名
      D. Itabashi, R. Yoshida, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] In situ XRD RSM measurements in MBE growth of GaInN film with low-temperature GaInN buffer layer2021

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, T. Kiguchi, S. Ohno, H. Hirukawa, R. Yoshida, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] ハニカム配列GaInN/GaN ナノコラムLED の製作プロセス2021

    • 著者名/発表者名
      上野 彰大、今村 暁、山田 純平、本田 達也、大音 隆男、山口 智広、冨樫 理恵、野村 一郎、本田 徹、岸野克巳
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] Fabrication process of GaInN/GaN honeycomb array nanocolumn LEDs for integration of surface plasmonic resonance scheme2020

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Ueno, Gyo Imamura, Keigo Yoshida, Keiji Takimoto, Ichirou Nomura, Rie Togashi, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda, Katsumi Kishino
    • 学会等名
      8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] RF-MBE growth and characterization of high-In-content GaInN/GaInN multiple layers2020

    • 著者名/発表者名
      K. Tahara, R. Yoshida, H. Hirukawa, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      The 40th Electronic Materials Symposium (EMS40)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] GaInN/GaN規則配列ナノコラム結晶における活性層の構造と光学特性の関係2020

    • 著者名/発表者名
      吉田圭吾、滝本啓司、富樫理恵、野村一郎、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、岸野克巳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] Structural analyses of α-In2O3 grown on α-Al2O3 substrates by mist CVD2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayakawa, S. Ohno, T. Yamaguchi, T. Kiguchi, H. Yokoo, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] GaInN/GaN成長時の格子緩和に対するSiアンチサーファクタントの効果2020

    • 著者名/発表者名
      横山 晴香、山口 智広、佐々木 拓生、大野 颯一朗、木口 賢紀、比留川 大輝、藤川 誠司、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] Comparison of Microstructures in α-Ga2O3 and α-In2O3 Films Grown on α-Al2O3 Substrates by Mist CVD2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayakawa, S. Ohno, T. Yamaguchi, T. Kiguchi, S. Takahashi, H. Yokoo, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      9th Electronic Materials Symposium (EMS-39)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] GaInN/GaN成長時の格子緩和過程に対するSiアンチサーファクタント効果2020

    • 著者名/発表者名
      横山 晴香、山口 智広、佐々木 拓生、大野 颯一朗、木口 賢紀、比留川 大輝、藤川 誠司、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹
    • 学会等名
      第81回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] RF-MBE成長した高In組成GaInN/ GaInN多重量子井戸における障壁層のIn組成と周期数が発光特性へ及ぼす影響2020

    • 著者名/発表者名
      吉田 涼介、比留川 大輝、大野 颯一朗、田原 開悟、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] Power Supply Effective of Optical Wireless Power Transmission Systems Using Visible LEDs and Silicon Solar Cells2020

    • 著者名/発表者名
      H. Yokoyama, T. Yamaguchi, T. Onuma, R. Yoshida, Y. Ushida, T. Honda
    • 学会等名
      The 2nd Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT2020)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05348
  • [学会発表] InGaN/GaN Honeycomb Lattice Nanocolumun LEDs2019

    • 著者名/発表者名
      G. Imamura, K. Yoshida, A. Ueno, R. Togashi, T. Yamaguchi, T. Honda and K. Kishino
    • 学会等名
      2019 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting & Exhibit (2019MRS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] Red Emitting InGaN-based Ordered Nanocolumns Exhibiting Photonic Crystal Effects at 671 nm2019

    • 著者名/発表者名
      K. Takimoto, K. Narita, K. Yoshida, T. Oto, T. Yamaguchi, T. Honda, T. Onuma, R. Togashi, I. Nomura and K. Kishino
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] Optical characteristics of high In composition GaInN MQWs grown by RF-MBE2019

    • 著者名/発表者名
      R. Yoshida, Y. Nakajima, H. Hirukawa, S. Ohno, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      The 39th Electronic Materials Symposium (EMS-39)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] 規則配列InGaNナノコラムを用いた赤色域発光結晶2019

    • 著者名/発表者名
      滝本啓司、成田一貴、吉田圭吾、大音隆男、山口智広、本田徹、尾沼猛儀、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] 低温GaN層挿入によるSi基板上GaNナノコラム構造への影響2019

    • 著者名/発表者名
      細谷優人, 山口智広, 尾沼猛儀, 本田徹
    • 学会等名
      第2回結晶工学×ISYSE合同研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] Epitaxial relationship in Cu3N layer grown on c-plane sapphire substrate by mist CVD2019

    • 著者名/発表者名
      N. Wakabayashi, M. Takahashi, T. Yamaguchi, H. Nagai, M. Sato, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] RF-MBE 成長した高In 組成GaInN MQWs の光学特性2019

    • 著者名/発表者名
      吉田涼介,中島裕亮,比留川大輝,大野 颯一郎,山口智広,尾沼猛儀,本田徹
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] I nGaN/GaNハニカム構造ナノコラム結晶の成長と評価2019

    • 著者名/発表者名
      吉田圭吾, 今村暁, 滝本啓司, 富樫理恵, 山口智広, 尾沼猛儀, 本田徹, 岸野克巳
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議(JCCG-48)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00874
  • [学会発表] ミストCVD法によるCu3Nエピタキシャル成長2019

    • 著者名/発表者名
      若林那旺,高橋幹夫,山口智広,永井裕己,佐藤光史,尾沼猛儀,本田徹
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] 深紫外光検出器のためのGa2O3薄膜のミストCVD成長2018

    • 著者名/発表者名
      力武健一郎,山口智広, 尾沼猛儀, 本田徹
    • 学会等名
      第41回光通信研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] Effect of α-(AlxGa1-x)2O3 Overgrowth on MSM-Type α-Ga2O3 Ultraviolet Photodetectors Grown by Mist CVD2018

    • 著者名/発表者名
      K. Rikitake, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (Pacsurf2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Cu3N Films on (0001)Al2O3 Substrates by Mist Chemical Vapor Deposition2018

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Itoh, M. Takahashi, H. Nagai, T. Onuma, T. Honda, and M. Sato
    • 学会等名
      The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] Fabrication of double schottky type photodetector using corundum-structured gallium oxide2018

    • 著者名/発表者名
      K. Rikitake, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium (EMS-37)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Cu3N Films on (0001)Al2O3 Substrates by Mist Chemical Vapor Deposition2018

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Itoh, M. Takahashi, H. Nagai, T. Onuma, T. Honda, and M. Sato
    • 学会等名
      2018 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (2018 ISNST)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06417
  • [学会発表] 単斜晶酸化ガリウム結晶における光学遷移過程2017

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀、齋藤 伸吾、佐々木 公平、後藤 健、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、東脇 正高
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会 シンポジウム「金属酸化物の結晶物性に迫る」
    • 発表場所
      神奈川県横浜市 横浜国際平和会議場(パシフィコ横浜)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] β-Ga2O3結晶における光学的異方性の解析2017

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹、佐々木 公平、後藤 健、増井 建和、倉又 朗人、齋藤 伸吾、東脇 正高
    • 学会等名
      日本学術振興会161委員会 第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3結晶成長、結晶評価、デバイス応用」
    • 発表場所
      滋賀県長浜市 長浜ロイヤルホテル
    • 年月日
      2017-01-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Optical properties of Ga2O3 films and crystals2017

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, M. Higashiwaki
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2017 (CSW 2017)
    • 発表場所
      dbb forum berlin, Berlin, Germany
    • 年月日
      2017-05-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Mist CVD growth of In2O3 films on (0001)alfa-Al2O3 substrates and (0001)GaN templates2016

    • 著者名/発表者名
      T. Kobayashi, K. Tanuma, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications '16 (LEDIA '16)
    • 発表場所
      Yokohama, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2016-05-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Observation of exciton-LO-phonon interaction in β-Ga2O3 single crystals2016

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, M. Higashiwaki
    • 学会等名
      German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016
    • 発表場所
      Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
    • 年月日
      2016-09-07
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Beta-Ga2O3結晶における励起子-LOフォノン相互作用2016

    • 著者名/発表者名
      尾沼猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、後藤健、増井建和、山口智広、本田徹、倉又朗人、東脇正高
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京都目黒区東京工業大学大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] (0001)α-Al2O3基板上および(0001)GaNテンプレート上へのIn2O3膜のミストCVD成長2016

    • 著者名/発表者名
      小林 拓也, 田沼 圭亮, 山口 智広, 尾沼 猛儀, 本田 徹
    • 学会等名
      2016年春季応用物理学会
    • 発表場所
      東京工業大学, 東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Valence band structure of monoclinic gallium oxide studied by polarized optical measurements2016

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • 年月日
      2016-02-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Technical issues of GaInN growth with high indium composition for LEDs2016

    • 著者名/発表者名
      T. Honda, T. Yamaguchi, and T. Onuma
    • 学会等名
      The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • 年月日
      2016-02-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-Doped InN Epilayer by Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InGaN Ternary Alloys Using in-situ Monitoring Techniques2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)
    • 発表場所
      Tsukuba, Ibaraki, Japan
    • 年月日
      2016-09-26
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] In-Situ Monitoring in RF-MBE Growth of In-Based Nitrides2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      15th International Symposium on Advanced Technology
    • 発表場所
      Tainan City (Taiwan)
    • 年月日
      2016-11-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Anisotropic optical constants in β-Ga2O3 single crystal2016

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, M. Higashiwaki
    • 学会等名
      58th Electronic Materials Conference (EMC 2016)
    • 発表場所
      University of Delaware, Newark, Delaware, USA
    • 年月日
      2016-06-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] 分子プレカーサー法を用いたIn-Ga-Mg-O薄膜製作検討2016

    • 著者名/発表者名
      高橋 勇貴, 後藤 良介, 安野 泰平, 尾沼 猛儀, 永井 裕己, 山口 智広, 佐藤 光史, 本田 徹
    • 学会等名
      2016年春季応用物理学会
    • 発表場所
      東京工業大学, 東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Study on Mist CVD Growth of IN2O32016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Kobayashi, K. Tanuma, H. Nagai, T. Onuma, M. Sato, T. Honda
    • 学会等名
      2016 international Symposium on Novel and Sustainable Technology (2016ISNST)
    • 発表場所
      Taiwan
    • 年月日
      2016-10-06
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth and characterization of In2O3 on various substrates by mist CVD2016

    • 著者名/発表者名
      T. Kobayashi, K. Tanuma, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      2016 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit(2016 MRS Fall Meeting)
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2016-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] RF-MBE Growth of GaInN Ternary Alloys Using in-situ Monitoring Techniques2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県・つくば市)
    • 年月日
      2016-09-28
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] β-Ga2O3結晶における励起子-LOフォノン相互作用2016

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀, 齋藤 伸吾, 佐々木 公平, 後藤 健, 増井 建和, 山口 智広, 本田 徹, 倉又 朗人, 東脇 正高
    • 学会等名
      2016年春季応用物理学会
    • 発表場所
      東京工業大学, 東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Recent Advancement of Growth of InN and In-rich InGaN by RF-MBE2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      45th International School on the Physics of Semiconducting Compounds
    • 発表場所
      Szczyrk (Poland),
    • 年月日
      2016-06-20
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] 分子プレカーサー法で製作した銀分散ZnO薄膜の光学的特性2016

    • 著者名/発表者名
      高 大地, 尾沼 猛儀, 澁川 貴史, 永井 裕己, 山口 智広, Ja-Soon Jang, 佐藤 光史, 本田 徹
    • 学会等名
      2016年春季応用物理学会
    • 発表場所
      東京工業大学, 東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Recent Advancements and Challenges of Growth of InN and In-rich InGaN by DERI Method2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      EMN Meeting on Epitaxy
    • 発表場所
      Budapest (Hungary)
    • 年月日
      2016-09-07
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Mist-CVD-Grown Crystalline In2O3 Thin-Film Transistors with Low Off-State Current2016

    • 著者名/発表者名
      S. Aikawa, K. Tanuma, T. Kobayashi, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      Nagoya, Aichi, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] In-situ monitoring in RF-MBE growth of In-based nitrides2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15)
    • 発表場所
      Taiwan
    • 年月日
      2016-11-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] β-Ga2O3薄膜と単結晶の光学定数の比較2016

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀、齋藤 伸吾、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、東脇 正高
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟県新潟市 朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      Nagoya, Aichi, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] ミストCVD法により製作したα-(AlGa)2O3の熱的安定性2015

    • 著者名/発表者名
      高橋 幹夫, 畠山 匠, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      2015年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] GaInN系LED製作へ向けた結晶成長とデバイスプロセス2015

    • 著者名/発表者名
      鳴谷建人, 尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      2nd Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      工学院大学, 東京
    • 年月日
      2015-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] "Determination of Direct and Indirect Bandgap-energies of beta-Ga2O3 by polarized transmittance and reflectance spectroscopy2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      57th Electronic Materials Conference (EMC-57)
    • 発表場所
      The Ohio State University, Columbus, Ohio, USA
    • 年月日
      2015-06-24
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Epitaxial growth of GaInN by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Honda, T. Onuma, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      第25回日本MRS年次大会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2015-12-08
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE法によるGaN上GaInN成長におけるその場X線逆格子マッピング測定2015

    • 著者名/発表者名
      澤田 匡崇, 山口 智広, 佐々木 拓生, 鳴谷 建人, 出来 亮太, 尾沼 猛儀, 本田 徹, 高橋 正光, 名西 &#24979;之
    • 学会等名
      2015年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN Growth on GaN by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, K. Narutani, M. Sawada, R. Deki, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera (Mexico)
    • 年月日
      2015-10-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによるInN エッチング2015

    • 著者名/発表者名
      鳴谷建人, 山口智広, 荒木努, 名西&#24979;之, 尾沼猛儀, 本田徹
    • 学会等名
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      仙台、宮城
    • 年月日
      2015-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Correlation between green fluorescence and impurities on pits formed on surface of InGa2015

    • 著者名/発表者名
      N. Toyomitsu, Y. Harada, J. Wang, L. Sang, T. Sekiguchi, T. Yamaguchi, T. Honda, Y. Nakano, M. Sumiya
    • 学会等名
      The 5th Asia-Arab Sustainable Energy Forum & 7th Int. Workshop on SSB (5AASEF)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2015-05-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Comprehensive Study on Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of GaN and InN2015

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera (Mexico)
    • 年月日
      2015-10-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Mist-CVD Growth of In2O32015

    • 著者名/発表者名
      T. Kobayashi, K. Tanuma, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth temperature dependence of Ga2O3 growth rate by mist CVD2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-11-03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Correlation between green fluorescent emission and pits formed on surface of GaInN films2015

    • 著者名/発表者名
      N. Toyomitsu, Y. Harada, J. Wang, L. Sang, T. Yamaguchi, T. Honda, Y. Nakano, and M. Sumiya
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Epitaxial growth of GaInN by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Honda, T. Onuma, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      第25回日本MRS年次大会
    • 発表場所
      横浜、神奈川
    • 年月日
      2015-12-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] 情報化社会の快適化に向けたGaN系デバイス製作に関する研究2015

    • 著者名/発表者名
      磯野大樹, 尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      2nd Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      工学院大学, 東京
    • 年月日
      2015-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Study of nitridation conditions of Al layer for GaN growth by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Hoshikawa, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      Materials Research Society, 2015 Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2015-12-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Progress in GaInN Growth by RF-MBE and Development to Optical Device Fabrication2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 発表場所
      San Fransisco, USA
    • 年月日
      2015-02-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Growth mechanisms of InN and its alloys using droplet elimination by radical beam irradiation2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma,, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      EMN droplet
    • 発表場所
      Phuket, Thailand
    • 年月日
      2015-05-09
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] ミストCVDによるalpha-(AlGa)2O3混晶成長の基礎検討 -alpha-Ga2O3と比較したalpha-Al2O3の成長速度の検討-2015

    • 著者名/発表者名
      高橋 幹夫, 畠山 匠, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2015-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth temperature dependence of Ga2O3 and In2O3 growth rates in Mist CVD2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      Materials Research Society, 2015 Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2015-12-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] α-Ga2O3 and α-(AlGa)2O3 Buffer Layers in Growth of GaN2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, K. Tanuma, T. Hirasaki, H. Murakami, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      11th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-09-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN2015

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      34th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      守山、滋賀
    • 年月日
      2015-07-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Idea to Passivate Dislocations by Positive Usage of Phase Separation in InGaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, and T. Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      京都大学(京都府京都市)
    • 年月日
      2015-07-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Optical Anisotropy in (010) Plane of beta-Ga2O3 Single Crystals2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-11-03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Comprehensive study on GaN and InN etching by inductively coupled plasma reactive ion etching2015

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth of alpha-(AlGa)2O3 by mist CVD and evaluation of its thermal stability2015

    • 著者名/発表者名
      M. Takahashi, T. Hatakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-11-03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN2015

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      34th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      La Forlet Biwako, Shiga
    • 年月日
      2015-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During InGaN Growth by DERI Method2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • 発表場所
      Hong Kong (China)
    • 年月日
      2015-12-15
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Growth Mechanisms of InN and Its Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi,
    • 学会等名
      2015 EMN Meeting on Droplets
    • 発表場所
      Phuket (Thailand)
    • 年月日
      2015-05-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] The Role of Impurities in Raman Scattering of InN: from Thin Films to Nanowires2015

    • 著者名/発表者名
      N. Dom&egrave;nech-Amador, R. Cusc&oacute;, R. Calarco, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, L.Art&uacute;s,
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2015
    • 発表場所
      Santa Barbara(USA)
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] プラズモンによる青色LEDの高輝度化に向けた研究2015

    • 著者名/発表者名
      高大地, 尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      2nd Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      工学院大学, 東京
    • 年月日
      2015-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Fabrication of p-type NiO thin films by molecular precursor method2015

    • 著者名/発表者名
      R. Goto, T. Onuma, T. Yamaguchi, H. Nagai, M. Sato, and T. Honda
    • 学会等名
      1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-11-03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Optical anisotropy in (010) plane of beta-Ga2O3 single crystals2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1)
    • 発表場所
      京都府京都市京都大学桂キャンパス
    • 年月日
      2015-11-03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] α-Ga2O3 and α-(AlGa)2O3 Buffer Layers in Growth of GaN2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, K. Tanuma, T. Hirasaki, H. Murakami, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      11th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth of Group-III Oxides by Mist Chemical Vapor Deposition and Discussion on Thier Growth Mechanisms2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Tanuma, H. Nagai, T. Onuma, T. Honda, and M. Sato
    • 学会等名
      22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22)
    • 発表場所
      Windwook, Namibia
    • 年月日
      2015-08-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Investigation of in-situ X-ray reciprocal space mapping measurements in GaInN growth on GaN by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      M. Sawada, T. Yamaguchi, T. Sasaki, K. Narutani, R. Deki, T. Onuma, T. Honda, M. Takahashi, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Defect characterization in GaInN on compressive and strain-free GaN underlying layer2015

    • 著者名/発表者名
      N. Toyomitsu, Y. Harada, J. Wang, L. Sang, T. Yamaguchi, T. Honda, Y. Nakano, and M. Sumiya
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Optical anisotropy in beta-Ga2O3 crystals grown by melt-growth methods2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’15 (LEDIA ’15)
    • 発表場所
      神奈川県横浜市横浜国際平和会議場(パシフィコ横浜)
    • 年月日
      2015-04-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Aluminum growth on sapphire substrate with surface nitridation by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Hoshikawa, S. Osawa, Y. Matsumoto, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      Conference on LED and its industrial application ’15 (LEDIA’15)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2015-04-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Optical Anisotropy in b-Ga2O3 Crystals Grown by Melt-Growth Methods2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki,
    • 学会等名
      Conference on LED and its industrial application ’15 (LEDIA’15)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2015-04-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Impact of nitridation on GaN growth on sapphire with an Al layer as a sacrifice layer by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Hoshikawa, S. Osawa, Y. Matsumoto, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] ICP-RIEによるGaN,GaInN,InNエッチングとGaInN系LED製作への応用2015

    • 著者名/発表者名
      鳴谷建人, 山口智広, 荒木努, 名西&#24979;之, 尾沼猛儀, 本田徹
    • 学会等名
      第4回結晶工学未来塾
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2015-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Fabrication of copper thin films using the molecular precursor method2015

    • 著者名/発表者名
      H. Nagai, T. Yamaguchi, T. Onuma, I. Takano, T. Honda and M. Sato
    • 学会等名
      22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22)
    • 発表場所
      Windwook, Namibia
    • 年月日
      2015-08-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによるInN エッチング2015

    • 著者名/発表者名
      鳴谷建人, 山口智広, 荒木努, 名西&#24979;之, 尾沼猛儀, 本田徹
    • 学会等名
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東北大学, 宮城
    • 年月日
      2015-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth condition dependence of Ga-In-O films by mist-CVD2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, R. Goto, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      34th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      La Forlet Biwako, Shiga
    • 年月日
      2015-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Fabrication of (Ga, In)2O3-x films on GaN-based LED structures by molecular precursor method for near-UV transparent electrodes2015

    • 著者名/発表者名
      T. Honda, H. Nagai, S. Fujioka, R. Goto, T. Onuma, T. Yamaguchi, and M.Sato
    • 学会等名
      22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22)
    • 発表場所
      Windwook, Namibia
    • 年月日
      2015-08-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Study on spontaneous emission in nitride-based LEDs with Ag-nanocrystallites ZnO films fabricated by molecular precursor method2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, T. Shibukawa, D. Taka, K. Serizawa, E. Adachi, H. Nagai, T. Yamaguchi, J.-S. Jang, M. Sato, and T. Honda
    • 学会等名
      22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22)
    • 発表場所
      Windwook, Namibia
    • 年月日
      2015-08-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Study on the Phase Transition Temperature of α-(AlGa)2O3 Grown by Mist CVD2015

    • 著者名/発表者名
      M. Takahashi, T. Hayakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Progress in InGaN growth by RF-MBE and development to optical device fabrication2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2015
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2015-02-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth mechanisms of InN and its alloys using droplet elimination by radical beam irradiation2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma,, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      Energy Materials Nanotechnology meeting (EMN)
    • 発表場所
      Phuket, Thailand,
    • 年月日
      2015-05-08
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] ICP-RIEによるGaN,GaInN,InNエッチングとGaInN系LED製作への応用2015

    • 著者名/発表者名
      鳴谷建人, 山口智広, 荒木努, 名西&#24979;之, 尾沼猛儀, 本田徹
    • 学会等名
      第4回結晶工学未来塾
    • 発表場所
      東京農工大学, 小金井, 東京
    • 年月日
      2015-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Discussion of ZnO based film by mist CVD method using molecular precursor solution2015

    • 著者名/発表者名
      R. Goto, K. Tanuma, T. Hatakeyama, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Sato, and T. Honda
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] β-Ga2O3結晶の(010)面における光学的異方性2015

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀, 齋藤 伸吾, 佐々木 公平, 増井 建和, 山口 智広, 本田 徹, 東脇正高
    • 学会等名
      2015年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Correlation between Deep-level Optical Spectroscopy and Cathodoluminescence on Pits Formed on Surface of GaInN Films2015

    • 著者名/発表者名
      N. Toyomitsu, Y. Harada, J. Wang, L. Sang, T. Sekiguchi, T. Yamaguchi, T. Honda, Y. Nakano, and M.Sumiya
    • 学会等名
      11th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] AR-XPS measurement of AlOx/AlN/GaN heterostructures2015

    • 著者名/発表者名
      D. Isono, S. Takahashi, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Comprehensive study on inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN2015

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera, Mexico
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Beta-Ga2O3結晶の(010)面における光学的異方性2015

    • 著者名/発表者名
      尾沼猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、増井建和、山口智広、本田徹、東脇正高
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      愛知県名古屋市名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Valence band structure of monoclinic gallium oxide studied by polarized optical measurements2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015)
    • 発表場所
      Eaton Hotel, Kowloon, Hong Kong
    • 年月日
      2015-12-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Growth and doping of In-based nitride semiconductors using DERI method2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 2015 Materials Challenges in Alternative and Renewable Energy Conference (MCARE 2015)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2015-02-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Fundamental study on growth of α-(AlGa)2O3 alloys by mist CVD-A study on growth rate of α-Al2O3 compared with α-Ga2O32015

    • 著者名/発表者名
      M. Takahashi, T. Hatakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda
    • 学会等名
      Conference on LED and its industrial application ’15 (LEDIA’15)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2015-04-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During RF-MBE Growth of InGaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, and T. Araki,
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2015)
    • 発表場所
      Jeju (Korea)
    • 年月日
      2015-11-18
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] RF-MBE法によるGaN上GaInN成長におけるその場X線逆格子マッピング測定2015

    • 著者名/発表者名
      澤田 匡崇, 山口 智広, 佐々木 拓生, 鳴谷 建人, 出来 亮太, 尾沼 猛儀, 本田 徹, 高橋 正光, 名西 &#24979;之
    • 学会等名
      2015年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      名古屋、愛知
    • 年月日
      2015-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Thermal stability of alpha-(AlGa)2O3 grown by mist CVD2015

    • 著者名/発表者名
      M. Takahashi,T. Hatakeyama,T. Onuma,T. Yamaguchi,and T. Honda
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera, Mexico
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Impact of nitridation on GaN growth on (0001)sapphire with an Al layer as a release layer by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Hoshikawa, S. Osawa, Y. Matsumoto, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth of Group-III Oxides by Mist Chemical Vapor Deposition and Discussion on Thier Growth Mechanisms2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Tanuma, H. Nagai, T. Onuma, T. Honda, and M. Sato
    • 学会等名
      22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22)
    • 発表場所
      Namibia
    • 年月日
      2015-08-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Fundamental Study on Local Surface Plasmons in Ag-nanocrystallites ZnO films toward Future Applications in Nitride-based LEDs2015

    • 著者名/発表者名
      D. Taka, T. Onuma, T. Shibukawa, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Sato, and T. Honda
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] MgZnO growth on (0001)sapphire by mist chemical vapor deposition2015

    • 著者名/発表者名
      R. Goto, H. Nagai, T. Yamaguchi, T. Onuma, M. Sato and T. Honda,
    • 学会等名
      17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2015-09-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Determination of Direct and Indirect Bandgap-Energies of beta-Ga2O3 by Polarized Transmittance and Reflectance Spectroscopy2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      57th Electronic Materials Conference (EMC-57)
    • 発表場所
      Ohio, USA
    • 年月日
      2015-06-21
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Comprehensive study on inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN2015

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera, Mexico
    • 年月日
      2015-10-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Photoelectron spectra of AlN/GaN heterostructure observed by AR-XPS2015

    • 著者名/発表者名
      D. Isono, S. Takahashi, Y. Sugiura, T. Yamaguchi, T. Honda
    • 学会等名
      The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2015)
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 年月日
      2015-05-17
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN Growth on GaN by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, K. Narutani, M. Sawada, R. Deki, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera, Mexico
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN Growth on GaN by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, K. Narutani, M. Sawada, R. Deki, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera, Mexico
    • 年月日
      2015-10-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Kelvin force microscopic study on GaN layers grown on (111)Al templates by RF-MBE2014

    • 著者名/発表者名
      T. Honda, T. Yamaguchi, Y. Sugiura, D. Isono, Y. Watanabe, S. Osawa, D. Tajimi, T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
    • 発表場所
      Arizona, USA
    • 年月日
      2014-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Mist Chemical Vapor Deposition Growth of Ga2O3, In2O3 and Their Alloys2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 41st International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS 2014)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2014-05-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth and characterization of Ga-In-O by mist CVD2014

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Hatakeyama, R. Goto, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-13)
    • 発表場所
      Danang, Vietnam
    • 年月日
      2014-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth of InGaN alloys using DERI method and fabrication of LED structures2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      Energy Materials Nanotechnology open access week (EMN open access week)
    • 発表場所
      Chengdu, China
    • 年月日
      2014-09-24
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Mist CVD法を用いて製作したalpha-Al2O3基板上Ga-In-O薄膜の評価2014

    • 著者名/発表者名
      田沼 圭亮, 畠山 匠, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 本田 徹
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] 下地GaN層の歪みの異なるGaInN薄膜表面ピット形成と蛍光特性2014

    • 著者名/発表者名
      豊満 直樹, Liwen Sang, Wang Jianyu, 山口 智広, 本田 徹, 角谷 正友
    • 学会等名
      第3回応用物理学会結晶工学分科会結晶工学未来塾
    • 発表場所
      学習院大学, 豊島区, 東京
    • 年月日
      2014-11-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 分子プリカーサー法で製作したGa-In-O多結晶薄膜の発光特性2014

    • 著者名/発表者名
      尾沼猛儀、安野泰平、高野宗一郎、後藤良介、藤岡秀平、畠山匠、原広樹、望月千尋、永井裕己、山口智広、佐藤光史、本田徹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス、神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] New Approach to Fabricate Green, Red and IR Light Sources Based on Nitride Semiconductors by DERI Method2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi and T. Araki,
    • 学会等名
      31st International Korea-Japan Seminar on Ceramics
    • 発表場所
      Changwon, Korea
    • 年月日
      2014-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaInN films using DERI method and fabrication of p-n homojunction blue-green light-emitting diodes2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Narutani, T. Onuma, T. Araki, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Functional Materials (ISFM 2014)
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2014-08-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth of InGaN alloys using DERI method and fabrication of LED structures2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      Energy Materials Nanotechnology open access week (EMN open access week)
    • 発表場所
      Chengdu, China
    • 年月日
      2014-09-24
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Investigation of Ga-In-O films grown on alpha-Al2O3 substrates by mist CVD2014

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 33rd Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      静岡
    • 年月日
      2014-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaInN ternary alloys using DERI method and fabrication of pn-GaInN LEDs2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Narutani, T. Onuma, T. Honda, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2014 International Workshop on Future Energy Materials and Devices (IWFEMD 2014)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2014-05-02
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaN on alpha-Ga2O3 and mist CVD growth of Ga2O3 on GaN2014

    • 著者名/発表者名
      T. Honda, T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, D. Tajimi and Y. Sugiura
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2014 OPTO conference
    • 発表場所
      The Moscone Center, San Francisco, California, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist chemical vapor deposition growth of group-III oxides and its growth mechanism2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, K. Tanuma, M. Sugimoto, H. Nagai, T. Onuma, M. Sato and T. Honda
    • 学会等名
      The Corroborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • 発表場所
      Phuket, Tailand
    • 年月日
      2014-11-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist CVD growth of Ga-In-O films grown on alpha-Al2O3 substrates2014

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda
    • 学会等名
      International Union of materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2014-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE growth of group-III nitrides and mist CVD growth of group-III oxides2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Onuma, H. Nagai, C. Mochizuki, M. Sato, T. Honda, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      Third International Conference on Materials Energy and Environments (ICMEE 2014)
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2014-07-03
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE growth of InGaN alloys and fabrication of optical device structures2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Corroborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • 発表場所
      Phuket, Tailand
    • 年月日
      2014-11-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth of oxide thin films by mist chemical vapor deposition – Application of corundum-structured oxides for growth of GaN -2014

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, K. Tanuma, S. Osawa, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-13)
    • 発表場所
      Danang, Vietnam
    • 年月日
      2014-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] DERI Method; Possible Approach to Longer Wavelength Light Emitters Based on Nitride Semiconductors2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      6th Forum on New Materials (CIMTEC2014)
    • 発表場所
      Montecatini Terme, Italy
    • 年月日
      2014-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] 六方晶GaN中に挿入した一分子層InNの構造完全性による影響2014

    • 著者名/発表者名
      渡邊 菜月, 多次見 大樹, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹, 橋本 直樹, 草部 一秀, 王 科, 吉川 明彦
    • 学会等名
      第3回応用物理学会結晶工学分科会結晶工学未来塾
    • 発表場所
      学習院大学, 豊島区, 東京
    • 年月日
      2014-11-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaInN films using DERI method and fabrication of p-n homojunction blue-green light-emitting diodes2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Narutani, T. Onuma, T. Araki, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Functional Materials (ISFM 2014)
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2014-08-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist chemical vapor deposition growth of group-III oxides and its growth mechanism2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, K. Tanuma, M. Sugimoto, H. Nagai, T. Onuma, M. Sato and T. Honda
    • 学会等名
      The 21st International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium (SPACC 21)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Optical properties of GaInN p-n homojunction blue-green light-emitting-diodes2014

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, K. Narutani, S. Fujioka, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, T. Honda
    • 学会等名
      International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014)
    • 発表場所
      Fujuoka, Japan
    • 年月日
      2014-08-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Ga2O3基板の光学的特性評価2014

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀、山口 智広、伊藤 雄三、本田 徹、佐々木 公平、増井 建和、東脇 正高
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第91回研究会「酸化物材料の最近の進展」
    • 発表場所
      東京都品川区京都大学東京オフィス
    • 年月日
      2014-09-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Blue-green light emitting diodes using pn-GaInN homojunction type-structure2014

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, S. Fujioka, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 33rd Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      静岡
    • 年月日
      2014-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Fabrication of alpha-(AlGa)2O3 on sapphire substrate by mist CVD2014

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, K. Tanuma, S. Osawa, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Hirasaki, H. Murakami, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE法によるGaInN厚膜成長とpnホモ接合型LEDの製作2014

    • 著者名/発表者名
      鳴谷 建人, 山口 智広, Ke Wang, 荒木 努, 名西やすし, Liwen Sang, 角谷 正友, 藤岡 秀平, 尾沼 猛儀, 本田 徹
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      愛知
    • 年月日
      2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth of alpha-Ga2O3 on alpha-Al2O3 substrate by mist CVD and growth of GaN on alpha-Ga2O3 buffer layer by RF-MBE2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, Y. Sugiura, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
    • 発表場所
      Arizona, USA
    • 年月日
      2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes2014

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, K. Wang, T .Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, S. Fujioka, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
    • 発表場所
      Arizona, USA
    • 年月日
      2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Ga2O3基板の光学特性評価2014

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀, 山口 智広, 伊藤 雄三, 本田 徹, 佐々木 公平, 増井 建和, 東脇 正高
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第91回研究会「酸化物材料の最近の進展」
    • 発表場所
      京都大学東京オフィス, 品川, 東京
    • 年月日
      2014-09-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Plasma Induced Point Defects in InN During RF-MBE Growth and Those Reduction by DERI Method2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, T. Araki, A. Uedono and T. Palacios
    • 学会等名
      Defects in Semiconductors ,Gordon Research Conference,
    • 発表場所
      Walthum, USA
    • 年月日
      2014-08-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Recent Material Studies of III-Nitride Semiconductors for Next Generation Devices2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, T. Araki, A. Uedono and T. Palacios,
    • 学会等名
      The Professor Harry C. Gatos Lecture and Prize
    • 発表場所
      Cambridge, USA
    • 年月日
      2014-07-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた膜厚の異なるAlテンプレート上GaN成長2014

    • 著者名/発表者名
      大澤 真弥, 渡邉 悠斗, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学, 名古屋市, 愛知
    • 年月日
      2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE法によるGaInN厚膜成長とpnホモ接合型LEDの製作2014

    • 著者名/発表者名
      鳴谷 建人, 山口 智広, Ke Wang, 荒木 努, 名西 憓之, Liwen Sang, 角谷 正友, 藤岡 秀平, 尾沼 猛儀, 本田 徹
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学, 名古屋市, 愛知
    • 年月日
      2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Optical properties of GaInN p-n homojunction blue-green light-emitting-diodes2014

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, K. Narutani, S. Fujioka, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, T. Honda
    • 学会等名
      International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2014-08-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Recent Progress on InN and InGaN Growth for Future Optoelectronic Devices2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Arakiand E. Yoon
    • 学会等名
      Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA-13)
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県)
    • 年月日
      2013-04-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] GaInNのRF-MBE成長とpnホモ接合型青緑色LEDの製作2013

    • 著者名/発表者名
      鳴谷健人、山口智広、Ke Wang, 荒木努、名西やすし、Liwen Sang, 角谷正友、藤岡秀平、尾沼猛儀、本田徹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス、神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Influence of native surface oxides on GaN surface band bending2013

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, Y. Sugiura, D. Tajimi, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 32nd Electromaterials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長2013

    • 著者名/発表者名
      多次見大樹、奥秋良隆、畠山匠、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Characterization of fabricated Ga-In-O films by molecular precursor method and their future application of UV transparent electrodes2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yasuno, R. Goto, H. Nagai, H. Hara, Y. SUgiura, T. Yamaguchi, M. Sato and T. Honda
    • 学会等名
      The 20th International SPACC Symposium
    • 発表場所
      Changchun University of Science and Technology, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Effects of surface modification on emission property of GaN Schottky diodes2013

    • 著者名/発表者名
      S. Fujioka, R. Amiya, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 32nd Electromaterials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 表面酸化物のGaN表面フェルミ準位と表面バンド曲がりに及ぼす影響2013

    • 著者名/発表者名
      網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] GaN系ショットキー型発光ダイオードにおける(Al, Ga)Ox/GaN界面準位の影響2013

    • 著者名/発表者名
      藤岡秀平、網谷良介、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 分子プレカーサー法を用いたIn添加ZnO薄膜の発光特性2013

    • 著者名/発表者名
      後藤良介、安野泰平、永井裕己、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス、神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] In-situ RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugiura, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
    • 発表場所
      兵庫県神戸市神戸国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] 蛍光顕微鏡と2次イオン質量分析を用いたGaInN薄膜の不均一評価2013

    • 著者名/発表者名
      豊満直樹、Liwen Sang, 山口智広、本田徹、角谷正友
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス、神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Characterization of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yasuno, T. Oda, H. Nagai, H. Hara, Y. Sugiura, T.Yamaguchi, M. Sato and T. Honda
    • 学会等名
      The 32nd Electromaterials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth of InN and related alloys using DERI method toward fabrication of optoelectronic devices2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Wang, T. Honda, E. Yoon, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials
    • 発表場所
      ICC jeju, Jeju, Korea
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位に及ぼす影響2013

    • 著者名/発表者名
      網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学銀杏会館、吹田市、大阪府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Polarized Raman spectra in β-Ga2O3 crystals2013

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
    • 発表場所
      University of Warsaw, Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] beta-Ga2O3結晶における青色発光強度と抵抗率の相関2013

    • 著者名/発表者名
      尾沼猛儀、藤岡秀平、山口智広、東脇正高、佐々木公平、増井建和、本田徹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaN films on nitridated alpha-Ga2O3 buffer layer2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
    • 発表場所
      University of Warsaw, Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures2013

    • 著者名/発表者名
      杉浦 洋平、山口 智広、本田 徹、東脇 正高
    • 学会等名
      32nd Electronic Materials Syposium
    • 発表場所
      滋賀県守山市ラフォーレ琵琶湖
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Effects of (Al, Ga)Ox/GaN interface states on GaN-based Schottky-type light-emitting diodes2013

    • 著者名/発表者名
      S. Fujioka, R. Amiya, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials
    • 発表場所
      ICC jeju, Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaN films on alpha-Ga2O3/sapphire template2013

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura and T. Honda
    • 学会等名
      The 32nd Electromaterials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] The GaN growth on pseudo Al templates by molecular beam epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. Osawa, T. Hatakeyama, D. Tajimi, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 32nd Electromaterials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaN/Al heterostructures on 4H-SiC2013

    • 著者名/発表者名
      S. Osawa, D. Tajimi, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials
    • 発表場所
      ICC jeju, Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 4H-SiC上の疑似Al基板製作と疑似基板上へのGaN RF-MBE成長2013

    • 著者名/発表者名
      大澤真弥、多次見大樹、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Use of alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 templates in GaN growth2013

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. SUgiura and T. Honda
    • 学会等名
      2013 JSPS-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Ga2O3 and In2O3 growth by mist CVD2013

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 12th International Symposium on Advanced Technology
    • 発表場所
      Southern Taiwan University of Science and Technology, Tainan, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] β-Ga2O3結晶における青色発光強度と抵抗率の相関2013

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀、藤岡 秀平、山口 智広、東脇 正高、佐々木 公平、増井 建和、本田 徹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      京都府京田辺市同志社大学京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] Mist CVD growth of alpha-Ga2O3 on sapphire substrates and RF-MBE growth of GaN on alpha-Ga2O3/sapphire templates2013

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura, R. Amiya, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 12th International Symposium on Advanced Technology
    • 発表場所
      Southern Taiwan University of Science and Technology, Tainan, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth and characterization of GaN films on alpha-Ga2O3/sapphire template2013

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura and T. Honda
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Gaylord Convention Center, Washington DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] ミストCVD法を用いたGa2O3結晶成長における成長速度の温度依存性2013

    • 著者名/発表者名
      田沼圭亮、杉本麻由花、畠山匠、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス、神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Fabrication of Ga-In-O films by molecular precursor method and their future application of transparent electrodes2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yasuno, H. Nagai, H. Hara, Y. Sugiura, T. Yamaguchi, M. Sato and T. Honda
    • 学会等名
      The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials
    • 発表場所
      Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE法による疑似Al基板上へのGaN成長2013

    • 著者名/発表者名
      多次見大樹、大澤真弥、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学銀杏会館、吹田市、大阪府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Polarized Raman spectra in beta-Ga2O3 crystals2013

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Matsui and T. Honda
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
    • 発表場所
      University of Warsaw, Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures2013

    • 著者名/発表者名
      Y. SUgiura, T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, T. Honda and M. Higashiwaki
    • 学会等名
      The 32nd Electromaterials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Impact of the surface modification of the Ga- and N-face n-GaN Schottky diodes with low reverse-bias leakage current2013

    • 著者名/発表者名
      T. Honda, T. Yamaguchi, N. Sakai, S. Fujioka, R. Amiya and Y. Sugiura
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Gaylord Convention Center, Washington DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] ラジカルモニタリング技術を応用したDERI法InGaN成長の検討2012

    • 著者名/発表者名
      阪口順一、上松尚.油谷匡胤、齋藤巧、山口智広、荒木努、名西〓之、T.Fujishima、E.Matioli、T.Palacios
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学、東京
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Toward Longer Wavelength and Higher Speed -Challenge to Utilize Full Span of Nitride Semiconductors-Band gap-2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Arakiand E. Yoon
    • 学会等名
      2012 Fall Meeting of the Korean Ceramic Society
    • 発表場所
      大田(韓国)
    • 年月日
      2012-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Application of DERI Method to thick InGaN and InN/InGaN MQW structure Growth2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      KAUST-UCSB-NSF Workshop on Solid-State Lighting
    • 発表場所
      Thwal(サウジアラビア)(招待講演)
    • 年月日
      2012-02-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Importance of Advanced Plasma for Frontier Nitride Semiconductor Technologies2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2012
    • 発表場所
      中部大学(愛知県)(基調講演)
    • 年月日
      2012-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物半導体新領域開拓にむけての材料技術最近の展開2012

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、E.Yoon
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学、東京(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Application of DERI Method to thick InGaN and InN/InGaN MQW structure Growth2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      KAUST-UCSB-NSF Workshop on Solid-State Lighting
    • 発表場所
      Saudi Arabia(invited)
    • 年月日
      2012-02-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] A Natural PN Junction in Mg-Doped In-Polar InN Film Directly Detected by High Resolution Angle-Resolved Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      A.L.Yang, Y.Yamashita, T.Yamaguchi, M.Imura, M.Kaneko, O.Sakata, Y.Nanishi, K.Kobayashi
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を応用したInGaN/InGaN量子井戸構造の作製2012

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Importance of Advanced Plasma for Frontier Nitride Semiconductor Technologies2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2012
    • 発表場所
      Nagoya, Japan(invited)
    • 年月日
      2012-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Reduction of Threading Dislocation Density by Regrowth on In-Polar InN2012

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, A.Miki, N.Uematsu, Y.Takamatsu, T.Yamaguchi, Y.Eoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2012
    • 発表場所
      サンフランシスコ(アメリカ)
    • 年月日
      2012-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InN Overgrowth Through in Situ A1N Nano-Mask on Sapphire Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      王科、荒木努、武内道一、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Free Holes in Mg Doped InN Confirmed by Thermopower Experiments2012

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2012
    • 発表場所
      中部大学(愛知県)
    • 年月日
      2012-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] ラジカルモニタリング技術を応用したDERI法InGaN成長の検討2012

    • 著者名/発表者名
      阪口順一、上松尚、油谷匡胤、齊藤巧、山口智広、荒木努、名西〓之、T.Fujishima、E.Matioli、T.Palacios
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNおよびInGaN成長の最近の進展-DERI法の結果が示唆すること-2012

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、荒木努
    • 学会等名
      東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    • 発表場所
      東北大学、宮城(招待講演)
    • 年月日
      2012-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] DERI法を応用したInGaN/InGaN量子井戸構造の作製2012

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学、東京
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] InNおよびInGaN成長の最近の進展-DERI法の結果が示唆すること-2012

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、荒木努
    • 学会等名
      東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2012-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Development of Growth and Characterization of InN, In-rich InGaN and Those Nano-structures2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Arakiand E. Yoon
    • 学会等名
      IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology、発表年月日
    • 発表場所
      西安(中国)
    • 年月日
      2012-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物半導体新領域開拓にむけての材料技術最近の展開2012

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、E.Yoon
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      サンフランシスコ(アメリカ)
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and fabrication of InN-based III-nitride structure using droplet elimination process by radical beam irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, USA(招待講演)
    • 年月日
      2011-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] 窒化物光半導体デバイスの新しい可能性を求めて-InNと関連混晶の新しい成長技術の開発と現状-2011

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、荒木努
    • 学会等名
      LED総合フォーラム2011in徳島
    • 発表場所
      徳島グランヴィリオホテル(徳島県)(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Strong Luminescence from Self-Assembled InN Nanocolumns with Few Dislocations Grown by Molecular Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Araki, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal of Thick InGaN Film Growth Using Advanced Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, N.Uematsu, R.Iwamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Fujishima, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya institute of technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 電流-電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2011

    • 著者名/発表者名
      櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智広、城川潤二郎、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wangand T. Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German - Japanese - Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      グラナダ(スペイン)
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      グラナダ(スペイン)(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      Granada Spain
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Thick InGaN Growth Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uematsu, T.Yamaguchi, R.Iwamoto, T.Sakamoto, T.Fujishima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖、滋賀
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Growth and fabrication of InN-based III-nitride structure using droplet elimination process by radical beam irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2011-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Recent Progress of DERI Process for Growth of InN and Related Alloys2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      40th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Krynica-Zdroj(ポーランド)(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Evaluation of P-type InN Using Temperature Dependence of I-V Characteristics2011

    • 著者名/発表者名
      H.Sakurai, J.Kikawa, R.Iwamoto, K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Study on DERI Growth of InN-Role of Indium Droplet-2011

    • 著者名/発表者名
      T.Katsuki, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖、滋賀
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] In極性InN上への再成長による貫通転位密度低減2011

    • 著者名/発表者名
      荒木努、坂本務、三木彰、上松尚、高松祐基、山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス(山形県)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Thick InGaN Growth Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uematsu, T.Yamaguchi, R.Iwamoto, T.Sakamoto, T.Fujishima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA USA
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya institute of technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価2011

    • 著者名/発表者名
      森本健太、三木彰、山口智広、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Fabrication of Nano-structure of A-plane InN on Patterned A-plane GaN Template by ECR-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, S.Yamashita, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたA面GaNテンプレート上A面InNの作成2011

    • 著者名/発表者名
      油谷匡胤、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成23年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      兵庫県立大学書写キャンパス(兵庫県)
    • 年月日
      2011-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of InN Nanocolumns on GaN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2011 (EMC2011)
    • 発表場所
      サンタバーバラ(アメリカ)
    • 年月日
      2011-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] ECR-MBE法を用いたA面InNナノ構造の配列制御選択成長2011

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山下修平、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県)(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation of InN Nanocolumns Grown on GaN Templates by Molecular Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 電流-電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2011

    • 著者名/発表者名
      櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智弘、城川潤二郎、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学 神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of InN Nanocolumns on GaN Templates and Sapphire by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル(三重県)
    • 年月日
      2011-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress of InN and Related Alloys Grown by DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      2011 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      ニース(フランス)(招待講演)
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Anharmonic Phonon Decay in InN Thin Films2011

    • 著者名/発表者名
      N.Domenech-Amador, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] PN Junction Measurement in InN2011

    • 著者名/発表者名
      E.A.Llado, M.Mayer, N.Mayer, T.Yamaguchi, K.Wang, E.Haller, Y.Nanishi, J.Ager
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNおよびGaN成長における原子脱離過程その場観察2011

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、本田徹、名西〓之
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会主催2011年年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館(東京都)
    • 年月日
      2011-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      サンフランシスコ(アメリカ)(招待講演)
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Fujishima, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      Third International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学(愛知県)
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Application of DERI Method to InGaN Growth and Mg Doping2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics' (WOFE 2011)
    • 発表場所
      San Juan, Puerto Rico(invited)
    • 年月日
      2011-12-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Study on DERI Growth of InN-Role of Indium Droplet-2011

    • 著者名/発表者名
      T.Katsuki, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation of InN Nanocolumns Grown on GaN Templates by Molecular Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      Granada Spain
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Unintentional Incorporation of Hydrogen in InN with Different Surface Orientations2011

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, M.-Y.Xie, N.P.Barradas, E.Alves, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2011 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      ニース(フランス)
    • 年月日
      2011-05-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Fujishima, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya Institute of Technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress of InN and Related Alloys Grown by DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      2011 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France(invited)
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] In Situ Monitoring Techniques by DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, T.Honda, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Strong Luminescence from Self-Assembled InN Nanocolumns with Few Dislocations Grown by Molecular Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Araki, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価2011

    • 著者名/発表者名
      森本健太、三木彰、山口智弘、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学 神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of InN Nanocolumns on GaN Templates and Sapphire by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      Mie, Japan
    • 年月日
      2011-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, R.Iwamto, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      Third International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学(愛知県)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Application of DERI Method to InGaN Growth and Mg Doping2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics' (WOFE 2011)
    • 発表場所
      San Juan(プエルトリコ)(招待講演)
    • 年月日
      2011-12-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Temperature Dependence of I-V Characteristics of p-type InN Grown by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      H.Sakurai, J.Kikawa, R.Iwamoto, K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal of Thick InGaN Film Growth Using Advanced Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, N.Uematsu, R.Iwamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal of thick InGaN film growth using advanced droplet elimination process by radical-beam irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, N. Uematsu, R. Iwamoto, T. Araki, E. Yoon and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Growths of InN/InGaN Periodic Structure and Thick InGaN Film Using Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Araki, T.Honda, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011)
    • 発表場所
      サンディエゴ(アメリカ)
    • 年月日
      2011-08-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA USA
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress of DERI Process for Growth of InN and Related Alloys2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      40th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Jaszowiec, Poland(invited)
    • 年月日
      2011-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of InN Nanocolumns on GaN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2011 (EMC2011)
    • 発表場所
      Santa Barbara, USA
    • 年月日
      2011-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya Institute of Technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Evidence of Rectification in InN pn Junctions2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] MBE法を用いたA面GaNテンプレート上A面InN選択成長2010

    • 著者名/発表者名
      山下修平、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成22年 電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      立命館大学キャンパス滋賀県草津市
    • 年月日
      2010-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断2010

    • 著者名/発表者名
      勝木拓郎、福本英太、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学 三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] In組織揺らぎのメカニズム解明に向けたRF-MBE成長InGaNのCL測定評価2010

    • 著者名/発表者名
      木村拓也、福本英太、山口智広、王科、金子昌充、武田彰史、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Free Hole Concentration and Mobility in InN : Mg2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み2010

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、岩本亮輔、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films mown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Morimoto, S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Unintentional incorporation of hydrogen in InN : diffusion kinetics and effect of surface orientation2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, L.Artus, D.Rogala, H.-W.Becker, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 電流・電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2010

    • 著者名/発表者名
      櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智弘、城川潤二郎、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学神奈川県厚本市
    • 年月日
      2010-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用2010

    • 著者名/発表者名
      三木彰、森本健太、前田就彦、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Undoped and Mg-doped InN Grown Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, R.Iwamoto, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconduct or Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu symbol tower, Kagawa Japan
    • 年月日
      2010-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InGaN Growth Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
    • 発表場所
      Berlin Germany
    • 年月日
      2010-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Mg Doped InN and Search For Holes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.AgerIII, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu symbol tower, Kagawa Japan
    • 年月日
      2010-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)
    • 発表場所
      Notre Dame, Indiana, USA
    • 年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] C面、A面、M面InNの表面化学状態の解析2010

    • 著者名/発表者名
      高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      ISPlasma2010
    • 発表場所
      名古屋(日本)
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Unintentional incorporation of hydrogen in InN : diffusion kinetics and effect of surface orientation2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P Barradas, E.Alves, L.Artus, D.Rogala, H.-W.Becker.C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.To, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2010-07-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 窒化物半導体光半導体未踏領域への挑戦-InNと関連混晶の新しい成長技術と評価2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、E.Yoon
    • 学会等名
      応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      九州大学(福岡県)(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Free Hole Concentration and Mobility in InN : Mg2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W_ Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み2010

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、上松尚、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用2010

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-3)
    • 発表場所
      三重大学(三重県)(招待講演)
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Morimoto, S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Evidence of Free Holes in Mg Doped InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断2010

    • 著者名/発表者名
      勝木拓郎、福本英太、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-3)
    • 発表場所
      三重大学(三重県)
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      F.J.Manjon, J.Ibanez, A.Segura, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG)
    • 発表場所
      Uppsala Sweden
    • 年月日
      2010-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Aloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.AgerIII, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg France
    • 年月日
      2010-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 International Coference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)
    • 発表場所
      東京大学(東京都)(招待講演)
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN2010

    • 著者名/発表者名
      N.Domenech-Amador, L.Artus, R.Cusco, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Undoped and Mg-doped InN grown using droplet elimination by radical-beam irradiation method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, R.Iwamoto, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Peking, China
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価2010

    • 著者名/発表者名
      森本健大、三木彰、山口智弘、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学神奈川県厚木市
    • 年月日
      2010-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Hydrogen in InN : Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      CIMTEC2010 (5th Forum on New Materials)
    • 発表場所
      Montecatini Terme, Tuscany Italy
    • 年月日
      2010-06-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用2010

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] A面InN成長のための低温InNバッファ層最適成長条件の検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN2010

    • 著者名/発表者名
      N.Domenech-Amador, L.Artus, R.Cusco, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2010 International Coference on Solid State Devices and Materials(SSDM2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] MBE法を用いたA面GaNテンプレート上A面InN選択成長2010

    • 著者名/発表者名
      山下修平、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成22年電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      立命館大学キャンパス滋賀県草津市
    • 年月日
      2010-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, E.Yoon
    • 学会等名
      The second LED domestic conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-08-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InGaN Growth Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
    • 発表場所
      Berlin Germany
    • 年月日
      2010-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      22th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー(香川県)
    • 年月日
      2010-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      坂本務、山口智広、岩本亮輔、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Growth, Monitoring and InN/InGaN MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth
    • 発表場所
      Gdansk-Sobieszewo Poland
    • 年月日
      2010-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み2010

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、上松尚、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      F.J.Manjon, J.Ibanez, A.Segura, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG)
    • 発表場所
      Uppsala Sweden
    • 年月日
      2010-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In組織揺らぎのメカニズム解明に向けたRF-MBE成長InGaNのCL測定評価2010

    • 著者名/発表者名
      木村拓也、福本英太、山口智広、王科、金子昌充、武田彰史、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E..Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      ISPlasma2010
    • 発表場所
      名古屋(日本)
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      坂本努、山口智広、岩本亮輔、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of InN and related alloys using droplet elimination by radical beam irradiation2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.AgerIII, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Florida, USA(招待講演)
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Mg doped InN and search for holes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J W Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み2010

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、岩本亮輔、坂本務、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-Beam Irradiation2010

    • 著者名/発表者名
      H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      ISPlasma2010
    • 発表場所
      名古屋(日本)
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Evidence of Rectification in InN pn Junctions2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Undoped and Mg-doped InN Grown Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, R.Iwamoto, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, M. Kaneko, E. Yoon, N. Miller, J. W. Ager III, K. M. Yu, W. Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      タンパ(アメリカ)
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用2010

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-3)
    • 発表場所
      三重大学、三重県
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Dry etching of In-and N-polar InN using inductively-coupled plasma2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujishima, S.Takahashi, K.Morimoto, R.Iwamoto, N.Uematsu, M.Yutani, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Free-Charge Carrier Properties and Doping Mechanisms of Thin Films of InN and Related Alloys2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, T.Hofmann, B.Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
    • 発表場所
      Albany, New York USA
    • 年月日
      2010-05-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-Beam Irradiation2010

    • 著者名/発表者名
      H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      ISPlasma2010
    • 発表場所
      名古屋(日本)
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物光半導体未踏領域への挑戦-InNと関連混晶の新しい成長技術と評価2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、Euijoon Yoon
    • 学会等名
      応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      九州大学伊都キャンパス福岡県福岡市
    • 年月日
      2010-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] A面InN成長のための低温InNバッファ層最適成長条件の検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth, monitoring and InN/InGaN MQW structure fabrication by DERI method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth
    • 発表場所
      Gdansk-Sobieszewo, Poland(招待講演)
    • 年月日
      2010-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Mg doped InN and search for holes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J W Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年度 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学中之島センター大阪府大阪市
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Wet Etching Process for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Optical Hall Effect in InN : Bulk Doping Mechanism and Surface Electron Accumulation Properties2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      PLCN10
    • 発表場所
      Cuernavaca Mexico
    • 年月日
      2010-04-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 International Coference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo Univ, Japan
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Characterization of contact resistance of Ti/Al/Ti/Au ohmic metal on N-polar and In-polar InN films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Morimoto, S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] 硬X線光電子分光によるInNバルク評価2010

    • 著者名/発表者名
      金子昌充、山口智広、井村将隆、山下良之、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      坂本努、山口智広、岩本亮輔、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg France
    • 年月日
      2010-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Wet Etching Process for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Wet etching by KOH for InN device fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Evidence of Free Holes in Mg Doped InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2010-07-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] 窒化物光半導体未踏領域への挑戦-InNと関連混晶の新しい成長技術と評価2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、Euijoon Yoon
    • 学会等名
      応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      九州大学伊都キャンパス福岡県福岡市
    • 年月日
      2010-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Free-Charge Carrier Properties and Doping Mechanisms of Thin Films of InN and Related Alloys2010

    • 著者名/発表者名
      V. Darakchieva, M.Schubert, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, T.Hofmann, B.Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.To, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
    • 発表場所
      Albany, New York USA
    • 年月日
      2010-05-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断2010

    • 著者名/発表者名
      勝木拓郎、福本英太、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] LiAlO_2(100)板上M面InN低温バッファ層利用に向けたM面GaN下地層の有効性2010

    • 著者名/発表者名
      香川和明、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Optical Hall Effect in InN : Bulk Doping Mechanism and Surface Electron Accumulation Properties2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      PLCN10
    • 発表場所
      Cuernavaca Mexico
    • 年月日
      2010-04-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Hydrogen in InN : Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.To, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      CIMTEC2010 (5th Forum on New Materials)
    • 発表場所
      Montecatini Terme, Tuscany Italy
    • 年月日
      2010-06-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Dry etching of In-and N-polar InN using inductively-coupled plasma2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujishima, S.Takahashi, K.Morimoto, R.Iwamoto, N.Uematsu, M.Yutani, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み2010

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、上松尚、坂本務、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)
    • 発表場所
      Notre Dame, Indiana, USA
    • 年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth, Monitoring and InN/InGaN MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth
    • 発表場所
      Gdansk-Sobieszewo Poland
    • 年月日
      2010-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み2010

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、岩本亮輔、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用2010

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学 三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Various application of DERI (droplet elimination by radical-beam irradiation) method in growth of RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] InGaN growth using droplet elimination by radical-beam irradiation method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon, N.Yasushi
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2010-08-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo Univ Tokyo Japan
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 硬X線光電子分光によるInNバルク評価2010

    • 著者名/発表者名
      金子昌充、山口智広、井村将隆、山下良之、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] LiA1O_2(100)基板上M面InN低温バッファ層利用に向けたM面GaN下地層の有効性2010

    • 著者名/発表者名
      香川和明、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] C面、A面、M面InNの表面化学状態の解析2010

    • 著者名/発表者名
      高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      タンパ(アメリカ)(基調講演)
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用2010

    • 著者名/発表者名
      三木彰、森本健太、前田就彦、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用2010

    • 著者名/発表者名
      三木彰、森本健太、前田就彦、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, E.Yoon
    • 学会等名
      The second LED domestic conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-08-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface2010

    • 著者名/発表者名
      王科、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Wet Etching Process for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Evidence of Free Holes in Mg Doped InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EM529)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface2010

    • 著者名/発表者名
      王科、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)
    • 年月日
      2009-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Characterization of M-Plane InN on LiAlO2 with C-Plane Phase Inclusion2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, T.Sakamoto, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Polarized Photoluminescence from Nonpolar InN Films2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, K.Kawashima, Y.Takagi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New RF-MBE Method Capable for Reproducible, High-Quality InN Growth2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ACCGE-17)
    • 発表場所
      ウィスコンシン(アメリカ)
    • 年月日
      2009-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] V/III Ratiodependence on M-Plane InN Growth on LiAlO2(100) Substrates by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kagawa, Y.Takagi, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium (EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] LiAlO_2基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努、野沢浩一、高木悠介、武藤大祐、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Characterization of M-Plane InN on LiAIO2 with C-Plane Phase Inclusion2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, T.Sakamoto, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire 基板上InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成21年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長-配列制御InNナノコラム成長について-2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山口智広、金子昌充、名西〓之
    • 学会等名
      2009年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] CTLM法によるIn極性及びN極性の高品質InN薄膜へのコンタクト抵抗評価2009

    • 著者名/発表者名
      森本健太、菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Raman Scattering by LO-Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN Epilayers : Dependence on the Excitation Laser Intensity and Wavelength2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.lbanez, E.Alarcon-Llado, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(アメリカ)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress and Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits(WOCSDICE 2009)
    • 発表場所
      マラガ(スペイン)
    • 年月日
      2009-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 低温InNバッファ層を用いた高品質A面(11-20)InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InNへのMgドーピングにおける成長条件依存性2009

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2009
    • 発表場所
      San Jose Convention Center(San Jose, USA)
    • 年月日
      2009-01-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] 極性及び無極性InNの表面電位評価2009

    • 著者名/発表者名
      金子昌充、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法により作製されたInNの光反射率その場観察2009

    • 著者名/発表者名
      王科、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New RF-MBE Method Capable for Reproducible, High-Quality InN Growth2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ACCGE-17)
    • 発表場所
      ウィスコンシン(アメリカ)
    • 年月日
      2009-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] AlN/InNへテロ構造の作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      奥村昌平、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoexcited Carriers in InN Layers Observed by Raman Scattering2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco.E.Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] New Reproducible MBE Growth method for High Quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics'(WOFE09)
    • 発表場所
      リンコン(プエルトリコ)
    • 年月日
      2009-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] MBE法によるGaN加工基板上配列制御InNナノコラムの作製2009

    • 著者名/発表者名
      片岡佳大、田宮秀敏、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
    • 発表場所
      東京農工大学(小金井市)
    • 年月日
      2009-05-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2009
    • 発表場所
      San Jose Convention Center (San Jose, USA)
    • 年月日
      2009-01-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法により作製されたInNの光反射率その場観察2009

    • 著者名/発表者名
      王科、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi
    • 学会等名
      First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009)
    • 発表場所
      Nagoya University
    • 年月日
      2009-03-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE InN成長におけるDERI法の有用性2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、王科、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] New Reproducible MBE Growth method for High Quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics'(WOFE 09)
    • 発表場所
      リンコン(プエルトリコ)
    • 年月日
      2009-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] New MBE growth method for high quality InN and related alloys using in situ monitoring technology2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2009-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Al簿膜堆積によるC面InNの表面改質効果2009

    • 著者名/発表者名
      高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal and Potential of Simple, Reproducible, Thick and High Quality InN Growth Method by MBE2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] カソードルミネッセンス法によるr面サファイア基板上InN薄膜の光学的評価2009

    • 著者名/発表者名
      武田彰史、川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] CTLM法によるIn極性及びN極性の高品質InN簿膜綴へのコンタクト抵抗評価2009

    • 著者名/発表者名
      森本健太、菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi and T. Yamaguchi
    • 学会等名
      First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009)
    • 発表場所
      Nagoya University
    • 年月日
      2009-03-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Raman Scattering and Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN : a Free-Electron Density Study2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, E..Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、王科、岩本亮輔、名西やすし
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
    • 発表場所
      東京農工大学(小金井市)
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたInN/InGaN量子井戸構造の作製2009

    • 著者名/発表者名
      梅田英知、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE InN成長におけるDERI法の有用性2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、王科、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] KFMによるInN表面電位の直接評価2009

    • 著者名/発表者名
      金子昌充, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年度 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, R.Iwamoto, N.Maeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 段差AlGaN/GaN基板上へのInN再成長構造の作製と電気的特性評価2009

    • 著者名/発表者名
      前田就彦, 山口智広, 菊池将悟, 廣木正伸, 名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Structural Characterization of M-Plane InN Grown on LiAIO2 Substrate with C-Plane Phase Inclusion2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたInN/InGaN量子井戸構造の作製2009

    • 著者名/発表者名
      梅田英知、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Raman Scattering and Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN : a Free-Electron Density Study2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, E., Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Present Status and New Challenges of Nitride Semiconductors for Advanced Electronic Devices2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)(招待講演)
    • 年月日
      2009-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Mg Doping of In-Rich InGaN Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      E.Fukumoto, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Evaluation of Surface Fermi Level of MBE-Grown InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      金子昌充, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Evaluation of Surface Fermi Level of MBE-Grown InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kaneko, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Potential and Challenges of InN and Related Alloys for Advanced Electronic Devices2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, N.Maeda, T.Yamaguchi, M.Kaneko
    • 学会等名
      67th Device Research Conference
    • 発表場所
      ペンシルバニア(アメリカ)
    • 年月日
      2009-06-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたメタルリッチ条件下でのInGaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Characterization of Metal Contact Resistance Using Al, Ti, and Ni on High-Quality InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE InN成長におけるDERI法の有用性2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、王科、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Plarized Photoluminescence from Polar and Nonpolar InN Films2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] カソードルミネッセンス法によるr面サファイア基板上InN薄膜の光学的評価2009

    • 著者名/発表者名
      武田彰史、川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Plarized Photoluminescence from Polar and Nonpolar InN Films2009

    • 著者名/発表者名
      王科, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 低温InNバッファ層を用いた高品質A面(11-20)InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介, 山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Structural Characterization of M-Plane InN Grown on LiAlO2 Substrate with C-Plane Phase Inclusion2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、王科、岩本亮輔、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] InNナノウォールの作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      片岡佳大、岩本亮輔、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Polarized Photoluminescence from Nonpolar InN Films2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, K.Kawashima, Y.Takagi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      2009年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoexcited Carriers in InN Layers Observed by Raman Scattering2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, E.Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for the Growth of InN-based III-nitrides2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      Satellite Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      ソウル(韓国)
    • 年月日
      2009-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Raman Scattering by LO-Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN Epilayers : Dependence on the Excitation Laser Intensity and Wavelength2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon-Llado, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(アメリカ)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] LiAlO_2基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努, 野沢浩一, 高木悠介, 武藤大祐, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire基板上InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成21年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNへのMgドーピングにおける成長条件依存性2009

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 極性及び無極性InNの表面電位評価2009

    • 著者名/発表者名
      金子昌充、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Al, Ti, and Ni in High-Quality InN Films grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟, 前田就彦, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2009(EMC2009)
    • 発表場所
      ペンシルバニア(アメリカ)
    • 年月日
      2009-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長-配列制御InNナノコラム成長について-2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山口智広、金子昌充、名西〓之
    • 学会等名
      2009年度 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, R.Iwamoto, N.Maeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Observation of Surface Potential on Polar and Nonpolar InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kaneko, Y.Takagi, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)
    • 年月日
      2009-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Proposal and Potential of Simple, Reproducible, Thick and High Quality InN Growth Method by MBE2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Characterization of Metal Contact Resistance Using At, Ti, and Ni on High-Quality InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟, 前田就彦, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InNナノウォールの作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      片岡佳大、岩本亮輔、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, R.Iwamoto, N.Maeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Proposal of Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for Reproducible Growth of High-quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, A.Uedono, T.Suski, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [学会発表] Proposal of Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for Reproducible Growth of High-quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, A.Uedono, T.Suski, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Observation of Surface Potential on Polar and Nonpolar InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kaneko, Y.Takagi, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal of Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for Reproducible Growth of High-quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, A.Uedono, T.Suski, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      2009年度 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Mg Doping of In-Rich InGaN Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      福本英太, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 高品質InN上薄膜AIN成長構造の作成と電気的特性の評価2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟、山口智広、前田就彦、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiA1O_2(100)基板上へのInNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      香川和明、高木悠介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成21年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress and Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits(WOCSDICE 2009)
    • 発表場所
      マラガ(スペイン)
    • 年月日
      2009-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiAlO_2(100)基板上へのInNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      香川和明、高木悠介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成21年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] CTLM法によるAl, Ti, Ni, のInNへのコンタクト抵抗評価2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西やす之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Al, Ti, and Ni in High-Quality InN Films grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2009(EMC2009)
    • 発表場所
      ペンシルバニア(アメリカ)
    • 年月日
      2009-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会(POSt-ISGN2)
    • 発表場所
      東京農工大学(小金井市)
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] AlN/InNヘテロ構造の作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      奥村昌平、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)
    • 年月日
      2009-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] A1薄膜堆積によるC面InNの表面改質効果2009

    • 著者名/発表者名
      高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 高品質InN上薄膜AlN成長構造の作成と電気的特性の評価2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟、山口智広、前田就彦、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New RF-MBE Growth Method for Reproducible and High-Quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      15th Semiconducting and Insulating Materials Conference(SIMC-15)
    • 発表場所
      ヴィリニュス(リトアニア)
    • 年月日
      2009-06-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、王科、岩本亮輔、名西やすし
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential and Challenges of InN and Related Alloys for Advanced Electronic Devices2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, N.Maeda, T.Yamaguchi, M.Kaneko
    • 学会等名
      67th Device Research Conference
    • 発表場所
      ペンシルバニア(アメリカ)
    • 年月日
      2009-06-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] V/III Ratiodependence on M-Plane InN Growth on LiAlO2(100)Substrates by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      香川和明, 高木悠介, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] MBE法によるGaN加工基板上配列制御InNナノコラムの作製2009

    • 著者名/発表者名
      片岡佳大、田宮秀敏、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
    • 発表場所
      東京農工大学(小金井市)
    • 年月日
      2009-05-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New RF-MBE Growth Method for Reproducible and High-Quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      15th Semiconducting and Insulating Materials Conference(SIMC-15)
    • 発表場所
      ヴィリニュス(リトアニア)
    • 年月日
      2009-06-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji(静岡県)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] X線光電子分光法によるMgドープInNの表面評価2008

    • 著者名/発表者名
      緩利友晶紀、野田光彦、武藤大祐、山口智広、金子昌充、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited), International Conference on Optical2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
    • 発表場所
      Edmonton, Canada
    • 年月日
      2008-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEMを用いたN極性MgドープInNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢浩一、春井聡、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、野沢浩一、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      名古屋工業大学(名古屋市)
    • 年月日
      2008-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA 08)
    • 発表場所
      University of ALBERTA (EDMONTON, CANADA)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth and structura investigation of high-In-com Position InGaN/GaN Nanostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, A.Pretorius, A.Rosenauer, D.Hommel, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 学会等名
      Workshop on Frontie Photonic and Electronic Materials and Devices-2008 JaPanese-German-SPanishpoint Workshop-
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] CTLM法によるInNオーミックコンタクト抵抗の評価2008

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟, 佐藤丈, 檜木啓宏, 山口智広, 前田就彦, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] LiAIO_2(100)基板上MgドープM面(10-10)lnNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2 (100) Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al2O3(0001) templates2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Pattemed GaN Template2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji(静岡県)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高In組成In GaNに対するMg dopingの検討2008

    • 著者名/発表者名
      福本英太、澤田慎也、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館(仙台市)
    • 年月日
      2008-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD2008

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, T. Yamaguchi, S. Sawada, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2008Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      University of California (Santa Barbara, USA)
    • 年月日
      2008-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] CTLM法によるInNオーミックコンタクト抵抗の評価2008

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟、佐藤丈、檜木啓宏、山口智広、前田就彦、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング2008

    • 著者名/発表者名
      武藤 大祐、山口 智広、澤田 慎也、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
    • 発表場所
      Edmonton, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji (Japan)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] M面(10-10)InN結晶成長および電気的特性の評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] X線光電子分光法によるMgドープInNの表面評価2008

    • 著者名/発表者名
      緩利 友晶紀、野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、金子 昌充、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Recent Progress of InN and In GaN Growth for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] A面(11-20) InNに対するMgドーピングの効果2008

    • 著者名/発表者名
      野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] GaN/InNヘテロ構造の成長と評価2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] LiAlO_2(100)基板上MgドープM面(10-10)InNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] M面(10-10) InN結晶成長および電気的特性の評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木 悠介、野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEMを用いたN極性MgドープInNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢 浩一、春井 聡、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi, D.Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      モントルー(スイス)(招待講演)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法によるR面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      京都工芸繊維大学
    • 年月日
      2008-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介, 野沢浩一, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      名古屋工業大学(名古屋市)
    • 年月日
      2008-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji (Japan)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InNヘテロ構造の成長と評価2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、澤田慎也、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InNヘテロ構造の成長と評価2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高In組成In GaNに対するMg dopingの検討2008

    • 著者名/発表者名
      福本英太、澤田慎也、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館
    • 年月日
      2008-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、澤田慎也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] GaNテンプレート上InN成長におけるRHEEDその場観察法を用いた実効的V/III比制御2008

    • 著者名/発表者名
      山口智広、野沢浩一、武藤大祐、荒木努、前田就彦、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高In組成InGaNに対するMg dopingの検討2008

    • 著者名/発表者名
      福本英太, 澤田慎也, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館(仙台市)
    • 年月日
      2008-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEMを用いたM面(10-10)InNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢浩一, 高木悠介, 春井聡, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEMを用いたM面(10-10)InNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢浩一、高木悠介、春井聡、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] A面 (11-20) InNに対するMgドーピングの効果2008

    • 著者名/発表者名
      野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Patterned GaN Template2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth and structural investigation of high-In-composition InGaN/GaN Nanostructures2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, A. Pretorius, A. Rosenauer, D. Hommel, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2008 Japanese-German-Spanish joint Workshop-
    • 発表場所
      The Prince Hakone (Hakone, Japan)
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
    • 発表場所
      University of ALBERTA (EDMONTON, CANADA)
    • 年月日
      2008-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE法によるR面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦, 川島圭介, 山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      京都工芸繊維大学
    • 年月日
      2008-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE法による(100)LiAIO2基板上M面(10-10)InNの結晶成長2007

    • 著者名/発表者名
      高木 悠介、野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2007-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] MgドープA面(11-20)InNの結晶成長と電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2007-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] MgドープA面 (11-20)InNの結晶成長と電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2007-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Fabrication of patterned InN nano-columns by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Yamaguchi, S.Harui, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] ECV方を用いたA面InNの表面電荷蓄積層の評価2007

    • 著者名/発表者名
      野田 光彦、武藤 大祐、武藤 大祐、K.M.Yu, R.E.Jones, W.Walikiewicz, 山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] 水素・窒素混合プラズマ照射によるInNの表面エッチングに関する検討2007

    • 著者名/発表者名
      和田 伸之、澤田 慎也、山口 智弘、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] ECR-MBE法を用いた加工GaN基板上の配列制御したInNナノコラム成長2007

    • 著者名/発表者名
      田宮 秀敏、春井 聡、山口 泰平、赤木 孝信、三宅 秀人、平松 和政、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] P形MgドープInNの結晶成長とその電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、野田光彦、K. M. Yu, J. W. Ager, W. Walukiewicz, 山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法による(100)LiAIO_2基板上M面(10-10)InNの結晶成長2007

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2007-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Fukuoka, T. Yamaguchi, S. Harui, T. Akagi, K. Hiramatsu, H. Miyake, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
    • 発表場所
      Grand America and Little America hotels(Salt Lake City, USA)
    • 年月日
      2007-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 水素・窒素混合プラズマ照射によるInNの表面エッチングに関する検討2007

    • 著者名/発表者名
      和田伸之、澤田慎也、山口智弘、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Fabrication of patterned InN nano-columns by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, T. Yamaguchi, S. Harui, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growthof InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D.Fukuoka, T.Yamaguchi, S.Harui, T.Akagi, K.Hiramatsu, H.Miyake, H.Naoi, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
    • 発表場所
      Grand America and Little America hotels(SaltLake City,USA)
    • 年月日
      2007-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] P形MgドープInNの結晶成長とその電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      武藤 大祐、野田 光彦、K.M.Yu, J.W.Agerm, W.Walukiewicz, 山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] ECR-MBE法を用いた加工GaN基板上の配列制御したInNナノコラム成長2007

    • 著者名/発表者名
      田宮秀敏、春井聡、山口泰平、赤木孝信、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] ECV方を用いたA面InNの表面電荷蓄積層の評価2007

    • 著者名/発表者名
      野田光彦、武藤大祐、K. M. Yu, R. E. Jones, W. Walikiewicz, 山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Injection-activated defect-governed recombination rate in InN

    • 著者名/発表者名
      S. Nargelas, K. Jarasiunas, M. Vengris, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Angled-resolved XPS measurements of InN films grown by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, T. Yamaguchi, D. Tajimi, M. Hayashi, Y. Sugiura, T. Honda, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Surface acoustic waves and elastic constants of InN epilayers determined by Brillouin scattering

    • 著者名/発表者名
      R. J. Jimenez, N. Domenech-Amador, R. Cusco, C. Prieto, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, and L. Artus,
    • 学会等名
      4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN2012)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Frontier Research of Nitride Semiconductors toward Longer Wavelength and Higher Speed

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki and E. Yoon
    • 学会等名
      2nd Solid-State Systems Symposium; VLSIs and Semiconductor Related Technologies (4S-2012)
    • 発表場所
      Ho Chi Minh City, Vietnam
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and doping of In-based nitride semiconductors using DERI method

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 2015 Materials Challenges in Alternative and Renewable Energy Conference (MCARE 2015)
    • 発表場所
      LOTTE Hotel, Jeju, Korea
    • 年月日
      2015-02-24 – 2015-02-27
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Influence of Surface Oxides for Band Bending of N-Type GaN

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugiura, R. Amiya, D. Isono, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
    • 発表場所
      The Westin, Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, USA
    • 年月日
      2014-05-18 – 2014-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長

    • 著者名/発表者名
      多次見大樹、奥秋良隆、畠山匠、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InGaN Ternally Alloys: Advantage of DERI method

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Wang, T. Honda, E. Yoon, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 16th Canadian Semiconductor Science and Technology Conference (CSSTC2013)
    • 発表場所
      Thunder Bay, Canada
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Characterization of GaN Films on alpha-Ga203/Sapphire Template

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Honda
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013 (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington D.C., U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] β-Ga2O3結晶の透過と反射スペクトルの偏光依存性

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀, 齋藤 伸吾, 佐々木 公平, 増井 建和, 山口 智広, 本田 徹, 東脇 正高
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス, 秦野, 神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist Chemical Vapor Deposition Growth of Ga2O3, In2O3 and Their Alloys

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      he 41st International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS 2014)
    • 発表場所
      Le Column, Montpellier, France
    • 年月日
      2014-05-11 – 2014-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Characterization of Dark Spots on GaInN Films by Using Fluorescence Microscope and Secondary Ion Mass Spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      N. Toyomitsu, L. Sang, T. Yamaguchi, T. Honda and M. Sumiya
    • 学会等名
      Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA’14)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-04-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 疑似Al基板上GaN薄膜のフォトルミネッセンス評価

    • 著者名/発表者名
      渡邉 悠斗, 大澤 真弥, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 札幌, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Progress in InGaN growth by RF-MBE and development to optical device fabrication

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2015
    • 発表場所
      The Moscone Center, San Francisco, CA, USA
    • 年月日
      2015-02-13 – 2015-02-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Impact of perfection on one-monolayer thick InN in hexagonal GaN

    • 著者名/発表者名
      N. Watanabe, D. Tajimi, T. Onuma, N. Hashimoto, K. Kusakabe, K. Wang, A. Yoshikawa, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 33rd Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 分子プレカーサー法によるZnO薄膜製作のための熱処理温度の検討

    • 著者名/発表者名
      後藤 良介, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] T-dependence of local vibrational modes of Mg-H complexes in InN:Mg

    • 著者名/発表者名
      R. Cusco, N. Domenech-Amador, L. Artus, K. Wang, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI Method; Possible Approach to Green, Red and IR Light Emitters Based on Nitride Semiconductors

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, T. Araki and E. Yoon
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2014
    • 発表場所
      San Francisco, U.S.A.
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth of α-Ga2O3 on α-Al2O3 substrate by mist CVD and growth of GaN on α -Ga2O3 buffer layer by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, Y. Sugiura, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
    • 発表場所
      High Country conference center Flagstaff, Arizona, USA
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] In-situ MBE法を用いたAlOx/AlN/GaNヘテロ構造の製作

    • 著者名/発表者名
      杉浦 洋平, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] AlOx/AlNヘテロ構造の発光特性

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀, 杉浦 洋平, 山口 智広, 本田 徹, 東脇 正高
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 札幌, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Effect of Pseudo Aluminum Templates in RF-MBE Growth of GaN on 4H-SiC

    • 著者名/発表者名
      Y. Watanabe, S. Osawa, D. Tajimi, T. Yamaguchi, and T. Honda
    • 学会等名
      Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA’14)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-04-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth and characterization of Ga-In-O by mist CVD

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Hatakeyama, R. Goto, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-13)
    • 発表場所
      Danang, Vietnam
    • 年月日
      2014-11-13 – 2014-11-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] GaInNのRF-MBE成長とpn ホモ接合型青緑色LEDの製作

    • 著者名/発表者名
      鳴谷建人,山口智広,Ke Wang,荒木努,名西やすし,Liwen Sang,角谷正友,藤岡秀平,尾沼猛儀,本田徹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Angled-resolved XPS measurements of In-polar and N-polar InN films

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, T. Yamaguchi, D. Tajimi, M. Hayashi, Y. Sugiura, T. Honda, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium (EMS31)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation of near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction

    • 著者名/発表者名
      A. L. Yang, Y. Yamashita, M. Kobata, T. Matsushita, H. Yoshikawa, I. Pis, M. Imura, T. Yamaguchi, O. Sakata, Y. Nanishi, and K. Kobayashi
    • 学会等名
      The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-6)
    • 発表場所
      メルパルク横浜 神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Ga2O3上GaN成長とGaN上Ga2O3成長

    • 著者名/発表者名
      山口智広、畠山匠、多次見大樹、尾沼猛儀、本田徹
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      長野
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長

    • 著者名/発表者名
      荒木 努、上松 尚、阪口 順一、王 科、山口 智広、Euijoon Yoon、名西やす之
    • 学会等名
      2012年度電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学, 大阪府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] ミストCVDによるα-(AlGa)2O3混晶成長の基礎検討- α-Ga2O3と比較したα-Al2O3の成長速度の検討

    • 著者名/発表者名
      高橋 幹夫, 畠山 匠, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス, 秦野, 神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth of InGaN-based heterostructures using DERI by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Uematsu, J. Sakaguchi, K. Wang, T. Yamaguchi, E. Yoon, Yasushi Nanishi
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InN および In-rich InGaN をベースとした窒化物半導体による長波長発光デバイス開発への挑戦

    • 著者名/発表者名
      名西やすし、山口智広、荒木努
    • 学会等名
      LED総合フォーラム2013in徳島
    • 発表場所
      徳島
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Polarity determination of InN films by hard X-ray photoelectron diffraction

    • 著者名/発表者名
      楊 安麗, 山下良之, 小畠雅明, 松下智裕, 吉川英樹, Pis Igor, 山口智広, 坂田修身, 名西やすし, 小林啓介
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Properties of near-UV transparent Ga-In-O electrode in GaN-ased MOS-LED

    • 著者名/発表者名
      S. Fujioka, T. Yasuno, T. Onuma, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Sato and T. Honda
    • 学会等名
      10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Fabrication of copper thin films using the solution based method

    • 著者名/発表者名
      H. Nagai, T. Nakano, S. Mita, T. Yamaguchi, I. Takano, T. Honda and M. Sato
    • 学会等名
      Third International Conference on Materials Energy and Environments (ICMEE 2014)
    • 発表場所
      Honolulu, Hawaii, USA
    • 年月日
      2014-07-02 – 2014-07-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth of InGaN/InGaN MQW structures using DERI by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Uematsu, K. Wang, T. Yamaguchi, E. Yoon and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Electronic Materials Conference 2012(EMC2012)
    • 発表場所
      State College, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位に及ぼす影響

    • 著者名/発表者名
      網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] X-ray photoelectron spectroscopy of C+, C- and M-GaN surfaces

    • 著者名/発表者名
      D. Isono, Y. Sugiura, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The joint symposiums of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      Kogakuin University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01 – 2014-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Application of DERI method to InN/InGaN MQW, thick InGaN and InGaN/InGaN MQW structure growth

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, T. Honda, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2013
    • 発表場所
      San Francisco, California, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, K. Wang, T Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, S. Fujioka, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
    • 発表場所
      High Country conference center Flagstaff, Arizona, USA
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structure of Mgdoped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, Y. Koide, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, M. Kaneko, T. Yamaguchi, N. Uematsu, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたGaN成長が疑似Al基板に与える影響

    • 著者名/発表者名
      大澤 真弥, 渡邉 悠斗, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 札幌, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist CVD法を用いて製作したα-Al2O3基板上Ga-In-O薄膜の評価

    • 著者名/発表者名
      田沼 圭亮, 畠山 匠, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 本田 徹
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 札幌, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] “Impact of UV transparent Ga-In-O electrode in vertical-type GaN-based metal oxide semiconductor light-emitting diodes

    • 著者名/発表者名
      S. Fujioka, T. Yasuno, A. Sato, T. Onuma, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Sato and T. Honda
    • 学会等名
      The 33rd Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 疑似Al基板上に成長したGaN薄膜の特性評価

    • 著者名/発表者名
      渡邉 悠斗, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaInN ternary alloys using DERI method and fabrication of pn-GaInN LEDs

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Narutani, T. Onuma, T. Honda, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2014 International Workshop on Future Energy Materials and Devices (IWFEMD 2014)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2014-08-04 – 2014-08-06
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Characterization of fluorescence emission of GaInN films

    • 著者名/発表者名
      N. Toyomitsu, L. Sang, T. Yamaguchi, T. Honda and M. Sumiya
    • 学会等名
      The joint symposiums of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      Kogakuin University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01 – 2014-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Interface reaction between Al and N atoms in GaN growth on Al by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      S. Osawa, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The joint symposiums of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      Kogakuin University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01 – 2014-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist CVD growth of Ga-In-O films grown on α-Al2O3 substrates

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda
    • 学会等名
      International Union of materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2014-06-10 – 2014-06-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaN films on alpha-Ga2O3/sapphire template

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Honda
    • 学会等名
      32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32)
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] R. Amiya, T. Yamaguchi, D. Tajimi, M. Hayashi, Y. Sugiura, T. Honda, T. Araki, and Y. Nanishi

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, Y. Koide, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, M. Kaneko, T. Yamaguchi, N. Uematsu, R. Iwamoto, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium (EMS31)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of InN and Related Alloys using DERI Method toward Fabrication of Optoelectronics Devices

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Wang, T. Honda, E. Yoon, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013)
    • 発表場所
      Juju, Korea
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBEによる窒化サファイア基板上アルミニウム薄膜成長

    • 著者名/発表者名
      星川 侑也, 大澤 真弥, 松本 雄大, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス, 秦野, 神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE

    • 著者名/発表者名
      R. Imai, S. Yamamoto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, and A. Koukitu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] GaN層のケミカルリフトオフに向けたAlの膜厚検討

    • 著者名/発表者名
      大澤 真弥, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Influence of native surface oxide on GaN surface band bending

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, Y. Sugiura, D. Tajimi, T. Yamaguchi, T. Honda
    • 学会等名
      32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32)
    • 発表場所
      滋賀
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Impact of Native Surface Oxide on GaN Layers for their Surface Band Bending

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, Y. Sugiura, D. Tajimi, T. Yamaguchi, T. Honda
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013)
    • 発表場所
      Juju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using DERI method

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, N. Uematsu, T. Araki, T. Honda, E. Yoon and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-17)
    • 発表場所
      奈良県新公会堂 奈良県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] AR-XPS spectra of c-, c+ and m-plane n-GaN crystals

    • 著者名/発表者名
      D. Isono, R. Amiya, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 33rd Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Kelvin force microscopic study on GaN layers grown on (111)Al templates by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Honda, T. Yamaguchi, Y. Sugiura, D. Isono, Y. Watanabe, S. Osawa, D. Tajimi, T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
    • 発表場所
      High Country conference center Flagstaff, Arizona, USA
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Influence of surface oxides for band bending of n-type GaN

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugiura, D. Isono, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The joint symposiums of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      Kogakuin University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01 – 2014-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Raman scattering study of α-Ga2O3 single-crystal films grown by mist CVD

    • 著者名/発表者名
      L. Artus, N. Domenech-Amador, R. Cusco, T. Hatakeyama, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      Materials Research Society 2014 Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
    • 年月日
      2014-12-01 – 2014-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Fabrication of Pseudo Aluminum Templates on 4H-SiC and Growth of GaN on Pseudo Aluminum Templates by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      Y. Watanabe, S. Osawa, D. Tajimi, T. Hatakeyama, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
    • 発表場所
      The Westin, Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, USA
    • 年月日
      2014-05-18 – 2014-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] GaN系MOS-LEDを用いたGa-In-O近紫外透明電極の評価

    • 著者名/発表者名
      藤岡 秀平, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Investigation of Ga-In-O films grown on α-Al2O3 substrates by mist CVD

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 33rd Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth of oxide thin films by mist chemical vapor deposition – Application of corundum-structured oxides for growth of GaN -

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, K. Tanuma, S. Osawa, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-13)
    • 発表場所
      Danang, Vietnam
    • 年月日
      2014-11-13 – 2014-11-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 硬X線光電子分光法を用いたInNの表面電子状態評価

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 小出康夫, Yang Anli, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 名西やすし, 山口智広, 金子昌充, 上松 尚, 荒木 努
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Toward Longer Wavelength and Higher Speed -Challenge to Utilize Full Span of Nitride Semiconductors’ Band gap-

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki and E. Yoon
    • 学会等名
      2012 Fall Meeting of the Korean Ceramic Society
    • 発表場所
      Daejoin, Korea
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Blue-green light emitting diodes using pn-GaInN homojunction type-structure

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, S. Fujioka, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 33rd Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist CVDを用いた酸化物薄膜成長

    • 著者名/発表者名
      畠山 匠, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] AlOx/AlN/GaNヘテロ構造の発光特性

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀、杉浦 洋平、山口 智広、本田 徹、東脇 正高
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道札幌市北海道大学札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] RF-MBE growth of GaN films on nitridated alpha-Ga2O3 buffer layer

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Cathode luminescence at 520 nm related on fluorescence green emission from pits formed on surface of GaInN films

    • 著者名/発表者名
      N. Toyomitsu, L. Sang, J. Wang, T. Yamaguchi, T. Honda and M. Sumiya
    • 学会等名
      10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Ga-In-O薄膜のウェットエッチングプロセス検討

    • 著者名/発表者名
      吉田 邦晃, 藤岡 秀平, 後藤 良介, 永井 裕己, 山口 智広, 佐藤 光史, 本田 徹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス, 秦野, 神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] RF-MBE growth of group-III nitrides and mist CVD growth of group-III oxides

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Onuma, H. Nagai, C. Mochizuki, M. Sato, T. Honda, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      Third International Conference on Materials Energy and Environments (ICMEE 2014)
    • 発表場所
      Honolulu, Hawaii, USA
    • 年月日
      2014-07-02 – 2014-07-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Angled-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of c-plane InN grown by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Araki, Y. Nanishi, T. Honda
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Mist CVD法を用いて成長したα-Al2O3基板上Ga-In-O薄膜の製作

    • 著者名/発表者名
      田沼 圭亮, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Characterization of GaN thin film grown on pseudo Al templates by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy

    • 著者名/発表者名
      Y. Watanabe, S. Osawa, D. Tajimi, T. Hatakeyama, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The joint symposiums of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      Kogakuin University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01 – 2014-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Light emission properties of ultra thin InN in the GaN matrix

    • 著者名/発表者名
      T. Honda, T. Yamaguchi, T. Onuma, D. Tajimi, N. Watanabe, N. Hashimoto, K. Kusakabe and A. Yoshikawa
    • 学会等名
      International Conference on Metamaterials and Nanophysics (Metanano2014)
    • 発表場所
      Hotel Melia Varadero, Varadero, Cuba
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-05-01
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Optical Properties of Ga-In-O Polycrystalline Films Fabricated by Molecular Precursor Method

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, T. Yasuno, S. Takano, R. Goto, S. Fujioka, T. Hatakeyama, H. Hara, C. Mochizuki, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Sato, and T. Honda
    • 学会等名
      Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA’14)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-04-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] GaInNからの蛍光発光と結晶性の相関

    • 著者名/発表者名
      豊満 直樹, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Angle-Resolved XPS Measurements of GaN and InN Grown by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, R. Amiya, D. Tajimi, M. Hayashi, Y. Sugiura, T. Honda, N. Uematsu, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      17th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2012)
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] n-GaN結晶のXPSにおける内部電界強度とピーク非対称性の検討

    • 著者名/発表者名
      磯野 大樹, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Growth of InGaN film and InGaN/InGaN periodic structure using DERI method

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, T. Honda, E. Yoon, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium (EMS31)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化ガリウム系発光ダイオードにおける「グリーンギャップ」問題

    • 著者名/発表者名
      本田 徹, 山口 智広
    • 学会等名
      JAEA放射光科学シンポジウム 2015 「環境・エネルギー研究開発における放射光科学」
    • 発表場所
      型放射光施設 SPring-8 放射光普及棟, 佐用町, 兵庫県
    • 年月日
      2015-03-16 – 2015-03-17
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 厚膜GaInN成長とホモ接合型青緑LEDsの製作

    • 著者名/発表者名
      鳴谷 健人, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      37th International Symposium on Optical communications
    • 発表場所
      Fuji Calm, Fuji-Yoshida, Yamanashi, Japan
    • 年月日
      2014-08-09 – 2014-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] β-Ga2O3結晶の透過と反射スペクトルの偏光依存性

    • 著者名/発表者名
      尾沼 猛儀、齋藤 伸吾、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、東脇 正高
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川県平塚市東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289093
  • [学会発表] DERI法を応用したRF-MBEによるInGaN成長と評価

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Growth of InN, InGaN and those Nano-structures by DERI Method

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi, K. Wang, T. Araki and E. Yoon
    • 学会等名
      2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Fabrication of Vertical-Type GaN-Based Metal Oxide Semiconductor Light-Emitting Diodes

    • 著者名/発表者名
      S. Fujioka, T. Yasuno, A. Sato, T. Onuma, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Sato, and T. Honda
    • 学会等名
      Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA’14)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-04-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Fabrication of &#61537;-(AlGa)2O3 on sapphire substrate by mist CVD

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, K. Tanuma, S. Osawa, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Hirasaki, H. Murakami, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist chemical vapor deposition growth of α-(AlGa)2O3

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, K. Tanuma, S. Osawa, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Hirasaki, H. Murakami, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The joint symposiums of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      Kogakuin University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01 – 2014-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Spin-coating fabrication of In-doped ZnO films by molecular precursor method

    • 著者名/発表者名
      R. Goto, T. Yasuno, T. Hatakeyama, H. Hara, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Sato, T. Honda
    • 学会等名
      International Union of materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2014-06-10 – 2014-06-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] AR-XPS spectra and band-bending properties of +c, -c and m-GaN surfaces

    • 著者名/発表者名
      D. Isono, S. Fujioka, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      Materials Research Society 2014 Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
    • 年月日
      2014-12-01 – 2014-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Study on structure perfection of one-monolayer thick InN in hexagonal GaN using XRD techniques

    • 著者名/発表者名
      N. Watanabe, D. Tajimi, N. Hashimoto, K. Kusakabe, K.Wang, T. Yamaguchi, A. Yoshikawa and T. Honda
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Mist chemical vapor deposition of Ga-In-O films

    • 著者名/発表者名
      K. Tanuma, T. Hatakeyama, R. Goto, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The joint symposiums of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      Kogakuin University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01 – 2014-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] Strong correlation between oxygen donor and nearsurface electron accumulation in non-polar mplane (10-10) InN film

    • 著者名/発表者名
      A. Yang, Y. Yamashita, H Yoshikawa, T. Yamaguchi, M. Imura, M. Kaneko, O. Sakata, Y. Nanishi, and K. Kobayashi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Fabrication of ZnO thin film by molecular precursor method

    • 著者名/発表者名
      R. Goto, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Sato and T. Honda
    • 学会等名
      The joint symposiums of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE)
    • 発表場所
      Kogakuin University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2014-11-01 – 2014-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] n-GaN結晶のXPSスペクトルにおける内殻準位ピーク非対称性の検討

    • 著者名/発表者名
      磯野 大樹, 網谷 良介, 杉浦 洋平, 山口 智広, 本田 徹
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 札幌, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] 表面酸化物のGaN表面フェルミ準位と表面バンド曲がりに及ぼす影響

    • 著者名/発表者名
      網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    • 学会等名
      2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] RF-MBE Growth of pn-GaInN Structure and Fabrication of Blue-Green Homojunction-Type Light Emitting Diode

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, S. Fujioka, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA’14)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-04-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] DERI法InGaN成長におけるラジカルモニタリング技術応用

    • 著者名/発表者名
      荒木努、阪口順一、上松尚、油谷匡胤、齋藤巧、山口智広、名西やす之、T. Fujishima, E. Matioli, T. Palacios
    • 学会等名
      第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所, 東京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] MBE Growth of Thick InN and InGaN Films using DERI Method

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, T. Yamaguchi, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 学会等名
      2013 JSPS-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25706020
  • [学会発表] Thickness dependence of pseudo aluminum templates in growth of GaN by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      S. Osawa, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • [学会発表] In-situ monitoring of InGaN growth using DERI method

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Uematsu, M. Yutani, T. Saito, J. Sakaguchi, T. Yamaguchi, T. Fujishima, E. Matioli, T. Palacios, Y. Nanishi
    • 学会等名
      4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN2012)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 分子プレカーサー水溶液を用いたミストCVD法によるZnO薄膜製作

    • 著者名/発表者名
      後藤 良介, 澁木 勇人, 田沼 圭亮, 畠山 匠, 永井 裕己, 山口 智広, 佐藤 光史, 本田 徹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス, 秦野, 神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420341
  • 1.  名西 やす之 (40268157)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 437件
  • 2.  荒木 努 (20312126)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 318件
  • 3.  金子 昌充 (70374709)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 37件
  • 4.  佐々木 拓生 (90586190)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 13件
  • 5.  WANG Ke (60532223)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 96件
  • 6.  富樫 理恵 (50444112)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 11件
  • 7.  HYUNSEOK Na (80411239)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 124件
  • 8.  直井 弘之 (10373101)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 6件
  • 9.  本田 徹 (20251671)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 181件
  • 10.  村上 尚 (90401455)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 4件
  • 11.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  城川 潤二郎 (70469196)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 13.  須田 淳 (00293887)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 14.  赤坂 哲也 (90393735)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  東脇 正高 (70358927)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 23件
  • 16.  熊谷 義直 (20313306)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 17.  岸野 克巳 (90134824)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 12件
  • 18.  尾沼 猛儀 (10375420)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 24件
  • 19.  後藤 健 (50572856)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 20.  小西 敬太 (50805257)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  日比野 浩樹 (60393740)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  野村 一郎 (00266074)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 23.  大音 隆男 (20749931)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件

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