黒瀬範子 KUROSE Noriko

研究者番号	50520540
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2018年度: 立命館大学, 総合科学技術研究機構, プロジェクト研究員 2015年度: 立命館大学, 総合科学技術研究機構, 専門研究員 2014年度 – 2015年度: 立命館大学, 総合科学技術研究機構, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器研究代表者以外電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者 Si基板 / 縦型FET / パワーFET / AlGaN / ビアホール / Si基板上縦型FET / Si基板上エピ反り低減法 / Si基板上FET / ｐ－化 / レーザー … もっと見る / ＭＯＣＶＤ / ＡｌＮバッファ / Ｓｉ基板 / 縦型電子デバイス / 導電性ＡｌＮバッファー層 / 縦型ＦＥＴ / ＡｌＧａＮ / Si基板上縦型デバイス / レーザーによるオーミックコンタクト形成 / 自然形成ビアホール / 縦型AlGaNショットキーデバイス / オーミックコンタクト / レーザによるｐ型化 / 導電性AlNバッファーレイヤー / AlGaN縦型 / 縦型パワーFET … もっと見る研究代表者以外保護膜 / オーミック電極 / 先端機能デバイス / エピタキシャル / デバイス / 格子欠陥 / トランジスタ / ダイオード / センサー / 深紫外 / 結晶欠陥 / 結晶成長 / 窒化物半導体 / 紫外線分解 / 紫外線殺菌 / 波長可変 / 大面積 / 深紫外光源 / プラズマ励起 / AlGaN / マイクロプラズマ / LED / Si基板 / 高出力発光素子 / 大面積発光素子 / MIPE / 深紫外発光素子隠す

自然形成ビアホールを用いたSi基板上縦型AlGaNパワーFETの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  黒瀬範子
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  立命館大学
Si基板上モノリシックAlGaN深紫外センシングシステムの開発
- 研究代表者
  
  岩田直高
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学
ダイナミックマイクロプラズマ励起ＡｌＧａＮ１０Ｗクラス高出力深紫外発光素子の開発
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  立命館大学

すべて 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, and Yoshinobu Aoyagi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 8 号: 1 ページ: 015329-015329
- DOI
  10.1063/1.5009970
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, and Yoshinobu Aoyagi
- 雑誌名
  
  AIP ADVANCES
  
  巻: ８
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[雑誌論文] マイクロプラズマ励起深紫外発光素子の開発と深紫外線の医療応用2015
- 著者名/発表者名
  黒瀬範子、青柳克信
- 雑誌名
  
  レーザー学会誌
  
  巻: ４3 ページ: 677-682
- NAID
  130007957139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[雑誌論文] Formation of conductive spontaneous via holes in AlN buffer layer on n+Si substrate by filling the vias with n-AlGaN by metal organic chemical vapor deposition and application to vertical deep ultraviolet photo-sensor2014
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi
- 雑誌名
  
  AIP ADVANCES
  
  巻: 4 号: 12 ページ: 1230071-1230077
- DOI
  10.1063/1.4905135
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[雑誌論文] Development of substrate-removal-free vertical ultraviolet light-emitting diode (RefV-LED)2014
- 著者名/発表者名
  N. Kurose, K. Shibano, T. Araki, Y. Aoyagi
- 雑誌名
  
  AIP advances
  
  巻: 4 号: 2 ページ: 02712211-6
- DOI
  10.1063/1.4867090
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[雑誌論文] ダイナミックマイクロプラズマ励起AlGaN多重量子井戸高出力大面積深紫外発光素子（MIPE）の開発2014
- 著者名/発表者名
  黒瀬範子、青柳克信
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌．　Ａ
  
  巻: 134 号: 5 ページ: 307-314
- DOI
  10.1541/ieejfms.134.307
- NAID
  130004869362
- ISSN
  0385-4205, 1347-5533
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[産業財産権] ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法および装置、並びに、半導体素子を製造する装置2017
- 発明者名
  黒瀬範子、青柳克信
- 権利者名
  立命館大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[産業財産権] 導電性を有する絶縁体層およびその製造方法並びに窒化物半導体素子およびその製造方法2014
- 発明者名
  青柳克信、黒瀬範子
- 権利者名
  学校法人立命館
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-051186
- 出願年月日
  2014-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[産業財産権] 深紫外発光素子2013
- 発明者名
  青柳克信、黒瀬範子
- 権利者名
  学校法人立命館
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-241850
- 出願年月日
  2013-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[産業財産権] 縦型発光ダイオードおよび結晶成長法2013
- 発明者名
  青柳克信、黒瀬範子、柴野謙太朗、荒木努
- 権利者名
  学校法人立命館
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-128015
- 出願年月日
  2013-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN and AlGaN for high power vertical devices2019
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Naotaka Iwata, and Itaru Kamiya
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN and AlGaN for high power vertical devices2019
- 著者名/発表者名
  N.Kurose and Y. Aoyagi
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2019
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] Realization of conductive aluminum nitride epitaxial layer on silicon substrate by forming spontaneous nano size via-holes2018
- 著者名/発表者名
  N.Kurose　and Y. Aoyagi
- 学会等名
  International Conference on Advanced Materials & Nanotechnology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] レーザを用いた局所p-GaNオーミック電極形成法の開発2018
- 著者名/発表者名
  川﨑輝尚、黒瀬範子、松本晃太、岩田直高、青柳克信
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会2018 シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御2017
- 著者名/発表者名
  松本滉太，黒瀬範子，岩田直高，山田郁彦，神谷格，青柳克信
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御2017
- 著者名/発表者名
  松本滉大、黒瀬範子、下野貴史、岩田直高、山田郁彦、神谷格、青柳克信
- 学会等名
  第78回秋季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] MgドープGaNへのレーザー照射による局所活性化と結晶性のその場観測2017
- 著者名/発表者名
  松本滉太、黒瀬範子、山田郁彦、神谷格、青柳克信、岩田直高
- 学会等名
  IEEE Metro Area Workshop in Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Realization of conductive AlN buffer layer using spontaneous nano-size via-holes and its application to vertical AlGaN devices on Si substrate2016
- 著者名/発表者名
  N. Kurose
- 学会等名
  Energy Materials and Nanotechnology Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  San Sebastian, Spain
- 年月日
  2016-09-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET2016
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, and Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  the 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Toyama International Conference Center(Toyama, Toyama),Japan
- 年月日
  2016-06-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] Realization of Conductive AlN Epitaxial layer on Si substrate Using Spontaneous Nano Via Holes for Vertical AlGaN High Power FET2016
- 著者名/発表者名
  N. Kurose
- 学会等名
  Compound Semiconductor Workshop
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県　富山市）
- 年月日
  2016-07-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] Si基板上縦型高出力AlGaN FET実現を目指した導電性AlNバッファ層（v-AlN層）の形成2016
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, and Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会2016 シンポジウム
- 発表場所
  新潟コンベンションセンター (新潟県、新潟市）
- 年月日
  2016-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET2016
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, and Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center (富山県富山市)
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Formation of spontaneous nano-size via-holes to grow conductive AlN buffer layer on Si substrate for vertical AlGaN high power FET2016
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose and Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  San Diego, California, USA
- 年月日
  2016-07-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] Fabrication of nonlinear photonic crystal and its application to UV laser2015
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, N. Kurose and S. Inoue
- 学会等名
  International Display Workshop 2015
- 発表場所
  大津プリンスホテル（滋賀県　大津市）
- 年月日
  2015-12-10
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] A new technique to make an insulating AlN thin film to be conductive by spontaneous via holes formed by MOCVD and its application to realize vertical UVLED on N+Si substrate2015
- 著者名/発表者名
  N. Kurose, Y. Aoyagi
- 学会等名
  AVS international conference
- 発表場所
  SanJose, USA
- 年月日
  2015-10-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] A New Technique to Make an Insulating AlN Thin Film to be Conductive by Spontaneous Via Holes formed by MOCVD and its Application to realize Vertical UV LED on n+Si Substrate2015
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose and Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  AVS 62nd International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  San Jose Convention Center, San Jose, California, USA
- 年月日
  2015-10-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Formation of High Conductive n-AlN using Spontaneous Via Holes and Development of Substrate-removal-free Vertical DUV LED (RefV-LED)2014
- 著者名/発表者名
  N.Kurose, Y.Aoyagi
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta, U.S.A
- 年月日
  2014-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] Novel Vertical AlGaN Deep Ultra Violet Photo-detector on n+Si Substrate using Spontaneous Via Holes Growth Technique2014
- 著者名/発表者名
  Kota Ozeki, Noriko Kurose, Naotaka Iwata*, Kentaro Shibano, Tsutomu Araki, Itaru Kamiya* and Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  Solid State Device and Materials
- 発表場所
  筑波国際会議場　（茨城県、つくば市）
- 年月日
  2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] Development of new type vertical deep ultra-violet light emitting Device（RefV-LED）2014
- 著者名/発表者名
  N.Kurose, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 21th International Display Workshops
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟コンベンションセンター（新潟県、新潟市）
- 年月日
  2014-12-04
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] Development of substrate-removal-free vertical deep ultraviolet light emitting diode using AlGaN semiconductors on Si(111) substrate (Ref-V-DUVLED)
- 著者名/発表者名
  N. Kurose, Y. Aoyagi, K. Shibano, T. Araki, Y. Aoyagi
- 学会等名
  Material Research Society
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] n-Si基板上縦型深紫外LED　（Ref-V DUV LED)の開発（２）
- 著者名/発表者名
  柴野謙太朗、黒瀬範子、荒木努、青柳克信
- 学会等名
  第61回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス、神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] Deep UV Light Emitter by Nonlinear Photonic Crystal and AlGaN Semiconductors
- 著者名/発表者名
  N. Kurose, Y. Aoyagi
- 学会等名
  Laserion 2013,
- 発表場所
  Munich, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] マイクロプラズマ励起深紫外発光素子(MIPE)の開発と応用
- 著者名/発表者名
  黒瀬範子、青柳克信
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053
[学会発表] Si上縦型深紫外LEDの開発と応用
- 著者名/発表者名
  柴野謙太朗、黒瀬範子、荒木努、青柳克信
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249053

1. 神谷格 (10374018)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 15件
2. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 26件
3. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 8件
4. 岩田直高 (40708939)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
5. 神子直之 (70251345)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

黒瀬 範子 KUROSE Noriko

研究課題

研究成果

共同研究者

自然形成ビアホールを用いたSi基板上縦型AlGaNパワーFETの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si基板上モノリシックAlGaN深紫外センシングシステムの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ダイナミックマイクロプラズマ励起ＡｌＧａＮ１０Ｗクラス高出力深紫外発光素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] マイクロプラズマ励起深紫外発光素子の開発と深紫外線の医療応用2015

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Formation of conductive spontaneous via holes in AlN buffer layer on n+Si substrate by filling the vias with n-AlGaN by metal organic chemical vapor deposition and application to vertical deep ultraviolet photo-sensor2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Development of substrate-removal-free vertical ultraviolet light-emitting diode (RefV-LED)2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] ダイナミックマイクロプラズマ励起AlGaN多重量子井戸高出力大面積深紫外発光素子（MIPE）の開発2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

ISSN

言語

データソース

[産業財産権] ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法および装置、並びに、半導体素子を製造する装置2017

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] 導電性を有する絶縁体層およびその製造方法並びに窒化物半導体素子およびその製造方法2014

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 深紫外発光素子2013

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 縦型発光ダイオードおよび結晶成長法2013

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

黒瀬範子 KUROSE Noriko