岡本大 Okamoto Dai

研究者番号	50612181
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 富山県立大学, 工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2023年度: 富山県立大学, 工学部, 准教授 2015年度 – 2020年度: 筑波大学, 数理物質系, 助教 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者 MOSFET / シリコンカーバイド / チャネル移動度 / 炭化ケイ素 / 界面準位 / ＭＯＳＦＥＴ / 炭化珪素 / 熱酸化 / ゲート酸化膜 / 界面準位密度 … もっと見る / SiC / しきい値変動 / SiC MOSFET / 酸化膜信頼性 / 信頼性 / MOS界面 / チャージポンピング / NBTI / しきい値電圧変動 / ＭＯＳ界面 / パワーデバイス / パッシベーション / ボロン … もっと見る研究代表者以外 MOS界面 / 電子・電気材料 / pMOS / ｐ型ＭＯＳ / 超接合 / パワーデバイス / 炭化ケイ素隠す

フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  岡本大
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  富山県立大学
SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたNBTI現象の理解と抑制指針の提示研究代表者
- 研究代表者
  
  岡本大
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  富山県立大学
   筑波大学
新規前駆体熱酸化手法によるSiC絶縁膜界面制御技術の開発とトランジスタ応用研究代表者
- 研究代表者
  
  岡本大
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
低損失ｐ型ＳｉＣ超接合パワーＭＯＳＦＥＴの基盤技術開発
- 研究代表者
  
  矢野裕司
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
新規界面原子導入による高移動度SiC MOSFET作製技術の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  岡本大
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  筑波大学
   独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2014 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method2021
- 著者名/発表者名
  Sakata Hiroki、Okamoto Dai、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Hirai Hirohisa、Harada Shinsuke、Hatakeyama Tetsuo、Yano Hiroshi、Iwamuro Noriyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 6 ページ: 060901-060901
- DOI
  10.35848/1347-4065/abff38
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04574
[雑誌論文] Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs2020
- 著者名/発表者名
  Nemoto Hiroki、Okamoto Dai、Zhang Xufang、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Hatakeyama Tetsuo、Harada Shinsuke、Iwamuro Noriyuki、Yano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 4 ページ: 044003-044003
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab7ddb
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[雑誌論文] Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors2018
- 著者名/発表者名
  X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57
- NAID
  210000149219
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[雑誌論文] Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors2018
- 著者名/発表者名
  Y. Karamoto, X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57
- NAID
  210000149221
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[雑誌論文] Characterization of Near-Interface Traps at 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces Using a Modified Distributed Circuit Model2017
- 著者名/発表者名
  X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, N. Iwamuro, and H. Yano
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 064101-064101
- DOI
  10.7567/apex.10.064101
- NAID
  210000135889
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[雑誌論文] Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation2014
- 著者名/発表者名
  D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 35 号: 12 ページ: 1176-1178
- DOI
  10.1109/led.2014.2362768
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820136
[学会発表] SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減2023
- 著者名/発表者名
  高林知輝, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03974
[学会発表] pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性2023
- 著者名/発表者名
  田口雄大, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03974
[学会発表] SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討2023
- 著者名/発表者名
  酒井彰人, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03974
[学会発表] pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価2023
- 著者名/発表者名
  小橋明希斗, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03974
[学会発表] Understanding Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs by Fast Threshold Voltage Measurements2022
- 著者名/発表者名
  Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04574
[学会発表] SiC MOSFETにおけるCharge pumping電流の素子形状依存性2022
- 著者名/発表者名
  石塚巧真、岡本大、染谷満、平井悠久、岡本光央、畠山哲夫
- 学会等名
  令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04574
[学会発表] On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定によるSiC MOSFETのNBTI特性の解析2021
- 著者名/発表者名
  岡野夏樹, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04574
[学会発表] 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価2021
- 著者名/発表者名
  坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 矢野裕司, 岩室憲幸
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第８回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04574
[学会発表] On-the-fly Charge Pumping法によるSiC MOSFET NBTI劣化メカニズムの解析2021
- 著者名/発表者名
  岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫
- 学会等名
  第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04574
[学会発表] Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs Investigated by On-the-fly Methods2021
- 著者名/発表者名
  Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
- 学会等名
  IEEE International Meting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04574
[学会発表] SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析2020
- 著者名/発表者名
  岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価2020
- 著者名/発表者名
  坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 矢野裕司, 岩室憲幸
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第７回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04574
[学会発表] SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析2020
- 著者名/発表者名
  岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs2020
- 著者名/発表者名
  Gyozen Sai, Dai Okamoto, Noriyuki Iwamoro, and Hiroshi Yano
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析2020
- 著者名/発表者名
  岡本大, 染谷満, 坂田大輝, 張旭芳, 松谷優汰, 畠山哲夫, 岡本光央, 原田信介, 矢野裕司, 岩室憲幸
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides2019
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method2019
- 著者名/発表者名
  D. Okamoto, H. Nemoto, X. Zhang, X. Zhou, M. Somenati, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama, N. Iwamuro, H, Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明2019
- 著者名/発表者名
  周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Mode2019
- 著者名/発表者名
  X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第24回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method2019
- 著者名/発表者名
  Dai Okamoto, Hiroki Nemoto, Xufang Zhang, Xingyan Zhou, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  Xingyan Zhou, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hirosi Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps2019
- 著者名/発表者名
  Yuta Matsuya, Xufang Zhang, Dai Okamoto, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias2019
- 著者名/発表者名
  Hiroki Nemoto, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  X. Zhou, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析2019
- 著者名/発表者名
  根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明2019
- 著者名/発表者名
  周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価2019
- 著者名/発表者名
  坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析2019
- 著者名/発表者名
  根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価2019
- 著者名/発表者名
  坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析2019
- 著者名/発表者名
  松谷優汰, 張旭芳, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析2019
- 著者名/発表者名
  松谷優汰，張旭芳，岡本大，岩室憲幸，矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides2019
- 著者名/発表者名
  X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements2018
- 著者名/発表者名
  X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, H. Yano
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] Difference of NIT Density Distribution in 4H-SiC MOS Interfaces for Si- and C-faces2018
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－　第23回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  H. Nemoto, D. Okamoto, M. Sometani, Y. Kiuchi, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano,
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明2018
- 著者名/発表者名
  周星炎，岡本大，畠山哲夫，染谷満，原田信介，岡本光央，張旭芳，岩室憲幸，矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明2018
- 著者名/発表者名
  周星炎，岡本大，畠山哲夫，染谷満，原田信介，岡本光央，張旭芳，岩室憲幸，矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14653
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析2018
- 著者名/発表者名
  根本宏樹，岡本大，染谷満，木内祐治，岡本光央，畠山哲夫，原田信介，岩室憲幸，矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析2018
- 著者名/発表者名
  根本宏樹, 岡本大, 染谷満, 木内祐治, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements2018
- 著者名/発表者名
  X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, and H. Yano
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, Y. Karamoto, X. Zhang, N. Iwamuro, and H. Yano
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析2017
- 著者名/発表者名
  唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Impact of Oxide Thickness on the Density Distribution of Near-interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors2017
- 著者名/発表者名
  X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
- 学会等名
  2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 4H-SiC MOS 界面におけるNIT 密度分布の膜厚依存性2017
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析2017
- 著者名/発表者名
  唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface2017
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－　第22回研究会
- 発表場所
  東レ研修センター（静岡県・三島市）
- 年月日
  2017-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Analysis of Fast and Slow Responses of Interface Traps in p-type SiC MOS Capacitors by Conductance Method2017
- 著者名/発表者名
  Y. Karamoto, X.Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
- 学会等名
  2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses2017
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成2016
- 著者名/発表者名
  唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県・つくば市）
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors2016
- 著者名/発表者名
  X. F. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, N. Iwamuro, and H. Yano
- 学会等名
  47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016)
- 発表場所
  San Diego (USA)
- 年月日
  2016-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors2016
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成2016
- 著者名/発表者名
  唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors2016
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県・つくば市）
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析2016
- 著者名/発表者名
  岡本大, 張旭芳, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] B導入による高移動度4H-SiC MOSFETの作製と界面トラップ評価
- 著者名/発表者名
  岡本大，染谷満，原田信介，小杉亮治，米澤喜幸，矢野裕司
- 学会等名
  第20回ゲートスタック研究会ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  東レ研修センター（静岡県三島市）
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820136
[学会発表] Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Boron-Doped Gate Oxide
- 著者名/発表者名
  D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano
- 学会等名
  45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  San Diego (CA, USA)
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820136

1. 矢野裕司 (40335485)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 38件
2. 岩室憲幸 (50581203)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 37件

岡本 大 Okamoto Dai

研究課題

研究成果

共同研究者

フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたNBTI現象の理解と抑制指針の提示研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新規前駆体熱酸化手法によるSiC絶縁膜界面制御技術の開発とトランジスタ応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低損失ｐ型ＳｉＣ超接合パワーＭＯＳＦＥＴの基盤技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新規界面原子導入による高移動度SiC MOSFET作製技術の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors2018

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors2018

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Characterization of Near-Interface Traps at 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces Using a Modified Distributed Circuit Model2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価2023

著者名/発表者名

学会等名

岡本大 Okamoto Dai