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茂庭 昌弘  モニワ マサヒロ

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50704623
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2017年度 – 2021年度: 東京工科大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者以外
無機材料・物性
キーワード
研究代表者以外
誘電体物性 / 表面・界面物性 / 省エネルギー / 電子・電気材料 / セラミックス / 低温創製 / 発光素子 / 価電子制御 / 抵抗変化型メモリ / 絶縁体薄膜 / 低温薄膜創製 / 電気化学的酸化 / 複合アニオン化合物薄膜
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (2件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  電気化学的酸化法による次世代電子デバイスに応用可能な絶縁体薄膜低温創製法の開発

    • 研究代表者
      高橋 昌男
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工科大学

すべて 2022 2021

すべて 学会発表

  • [学会発表] 電気化学的酸化法で作製した窒素含有酸化タンタル/Ta構造:反応溶液中の水分濃度が生成層の化学状態に与える影響2022

    • 著者名/発表者名
      髙橋昌男,末木学,宮田直仁,茂庭昌弘
    • 学会等名
      日本材料学会第71期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06804
  • [学会発表] 電気化学的酸化法で作製したオキシ窒化タンタル/Ta構造とその電気的特性2021

    • 著者名/発表者名
      髙橋昌男,笹嶋一輝,小山恭平,茂庭昌弘
    • 学会等名
      日本材料学会第70期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06804
  • 1.  高橋 昌男 (00188054)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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