天野浩 AMANO HIROSHI

… 別表記

矢野浩ヤノヒロシ

研究者番号	60202694
その他のID
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所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 2018年度 – 2020年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 2015年度 – 2016年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 2015年度: 名古屋大学, 未来材料システム研究所, 教授 2010年度 – 2015年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授 … もっと見る 2014年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2012年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 2012年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2010年度: 名古屋大学, 理工学部, 教授 2003年度 – 2009年度: 名城大学, 理工学部, 教授 1998年度 – 2001年度: 名城大学, 理工学部, 助教授 1993年度 – 1997年度: 名城大学, 理工学部, 講師 1991年度: 名古屋大学, 工学部, 助手 1988年度 – 1989年度: 名古屋大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 応用物性・結晶工学 / 工学 / 理工系 / 理工系 / 医用システム … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / マイクロ・ナノデバイス / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 応用物性隠す
キーワード	研究代表者 AlN / GaN / InGaN / AlGaN / ナノワイヤ / AIN / nonpolar / MOCVD / solar cells / nanorod … もっと見る / nanowire / Gallium Nitride / Group III nitride semiconductors / 有機金属化合物気相成長法 / ホモエピタキシャル成長 / 太陽電池 / 量子効率 / 紫外発光ダイオード / 内部量子効率 / III族窒化物半導体 / MOVPE / 結晶成長シミュレーション / バルク成長 / アンモノサーマル / Simulation / Ammonothermal / マイクロLEDディスプレイ / トップダウン方式 / ナノロッド / GaN on Si / Pulsed-mode growth / Si substrate / core-shell / アバランシェ / テラヘルツ波 / IMPATT格子 / Hi-Lo型 / ハイパワー電磁波源 / マイクロ波 / 高周波デバイス / IMPATT / Junction hetero FET / High breakdown voltage / High power switching / group III nitride / Normally off FET / p-GaN gate / オフ電流 / オン抵抗 / エンハンスメントモード / FET / SiC / 高耐圧 / ハイパワースイッチング素子 / GaN系FET / ノーマリーオフ / JHFET / p-GaNゲート / High temperature MOVPE / UV photo Diode / Sapphire / Epitaxial Lateral Overgrowth / UV Light Emitting_Diode / UV Laser Diode / 紫外レーザダイオード / 超高温MOVPE / 紫外フォトダイオード / サファイア / ELO / 県外レーザダイオード / Two dimensional electron gas / Microwave FET / UV detector / Bright blue light emitting diode / UV laser diode / Multi quantum well structure / 鏡像転位 / 転位応力 / 貫通転位 / 鏡像効果 / 透過電子顕微鏡 / 応力 / 貫通転位密度 / Bulk GaN / HVPE / MBE / OMVPE / Homoepitaxy / Low dimensional structure / Light Emittting Diode / Laser Diode / 量子井戸構造 / GaN基板 / バルクGaN / ハイドライド気相成長法 / 分子線エピタキシ-法 / 低次元量子構造 / III族窒化物 / 電子線励起電流 / 電子線励起深紫外レーザ / ソーラーブラインド紫外線検出器 / バルクAlN / ナノカーボン電極 / 分極半導体 / グラフェン / カーボンナノチューブ / 低加速電圧SEM / 分極電荷エンジニアリング / 電子線ホログラフィ / バルクAlN基板 / 深紫外発光素子 / 深紫外 / 分極ドーピング / 熱処理 / ナノカーボン / 結晶成長その場観察 / 電気・電子材料 / 超格子 / PA MBE / LED / 窒素ラジカル / PAMBE / 熱力学 / 圧力印加MOVPE / 可視長波長LED / 青色LED / 緑色LED / 加圧MOVPE / 圧力印加有機金属化合物気相成長法 / 可視長波長 LED / 結晶成長 / レーザダイオード / シミュレーション / 転位 / 原子ステップ / 横方向成長 / 高温MOVPE / AIN基板 / 昇華法 / 結晶欠陥 / p型 / 窒化アルミニウム / 紫外線レーザ / 低転位化 / 発光効率 / デバイスシミュレータ / 紫外半導体レーザ / 低転位 / 紫外LD / 紫外LED / LED・LD / UV・DUV / 発光ダイオード / 紫外線 / 光線治療 / MOVPE法 / 表面泳動 / ハイパワーレーザー / SHG / FIB加工 / 混晶 / アップコンバージョン / 二次高調波 / 真空紫外 / レーザーダイオード / 屈折率 / GaInN DH / 光励起室温誘導放出 / 面発光誘導放出 / GaN DH … もっと見る研究代表者以外 III族窒化物半導体 / GaN / MOVPE / Group III nitride semiconductors / 窒化アルミニウム / 結晶成長 / 有機金属化合物気相成長法 / 紫外線検出器 / III族窒化物 / ヘテロエピタキシャル成長 / 高周波パワーデバイス / 電子デバイス・電子機器 / ヘテロ接合 / 電界効果トランジスタ / ダイヤモンド / LED / 半導体物性 / ワイドギャップ半導体 / 窒化物半導体 / 酸化ハフニウム / 酸化ジルコニウム / 酸化アルミニウム / ノーマリオフ型 / スパッタ法 / パワーデバイス / 電子デバイス / 原子層体積成長法 / ゲート絶縁膜 / MOSFET / Low density threading dislocation / Green laser diode / Metalorganic vapor phase epitaxy / Laser diode / Mass transport / 低転位 / 緑色レーザダイオード / レーザダイオード / マストランスポート / Photo-cell / pn-diode / Photodetector / Ultraviolet / Widegap Semiconductor / Group III nitride / 漏れ電流 / 高抵抗 / メサ / pn接合 / 光導電セル / pnダイオード / 光検出器 / 紫外線 / Two dimensional electron gas / Microwave FET / UV detector / Bright blue light emitting diode / UV laser diode / Multi quantum well structure / マイクロ波素子 / UVフォトダイオード / 短波長レーザダイオード / 量子井戸レーザ / 分子線エピタキシ-法 / 量子閉じこめシュタルク効果 / 低次元量子構造 / 紫色レーザーダイオード / 集束イオンビームエッチング / AlInN / 高精度X線回折 / GaInN多重量子井戸 / 二次元電子ガス / マイクロ波電界効果トランジスタ / 多重量子井戸 / 高輝度青色発光ダイオード / 紫外線レーザーダイオード / Exciton / HVPE / Si substrate / heteroepitaxy / Hetero epitaxy / 6H-SiC / Si / AlN Buffer / 大型単結晶 / ヘテロエピタキシ- / 励起子発光 / HVPE法 / シリコン基板 / カソードルミネッセンス / MIS構造 / Zn添加 / バッファ層 / 青色LED / A1GaN / 多層構造 / p形GaN / Mg添加 / カソ-ドルルミネッセンス / pn接合形青色LED / GaAlN / 双晶 / STEM / フォトルミネッセンス / InGaN / ナノワイヤ / 量子細線 / 半導体超微細化 / MBE / エッチング / リソグラフィー / 発光ダイオード / Moth-Eye / moth-eye / ナノ構造 / SiC / 窒化物 / 光制御 / 光取り出し効率 / モスアイ構造 / 電子線露光 / 光取出し効率 / 半導体 / 発光素子 / シリコン / 超高速情報処理 / 電子デバイス・機器 / MBE,エピタキシャル / 選択成長 / 有機金属分子線成長 / マイクロチャンネルエピタキシー / 格子欠陥 / 窒化ガリウム / MBEエピタキシャル / 光・電子集積回路 / 電気・電子材料 / バンドギャップ / 窒化インジウム / 発光デバイス / 赤外 / 紫外 / 光デバイス / コドープ / アクセプタ不純物 / p型 / Potcal Flow Channel / AlN / Intermediote layer / Heteroepitaxy / AlGaN on Si / GaN on Si / AlGaN / InN / ヘテロエピタキシ / 低温成長隠す

GaNのIMPATT格子によるコヒーレントハイパワーTHz源研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
アンモノサーマル法による高品質ＧａＮ基板成長研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  名古屋大学
ＩｎＧａＮナノロッド創・省エネルギーデバイス・システム研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  名古屋大学
無触媒窒化物系ナノワイヤの有機金属化合物気相成長と太陽光発電素子応用研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2016
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
無触媒窒化物系ナノワイヤの有機金属化合物気相成長と太陽光発電素子応用研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  名古屋大学
省電力ノーマリオフ型pチャネルダイヤモンドFETの大電流動作化
- 研究代表者
  
  井村将隆
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
シリコン基板上架橋窒化物半導体ナノワイヤLEDの開発
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  名古屋大学
パルス状窒素ラジカル供給による超高品質InGaN超格子PAMBE成長研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
窒化アルミニウム/ダイヤモンドヘテロ接合を用いた革新的電界効果トランジスタ
- 研究代表者
  
  井村将隆
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
圧力印加MOVPEによる高品質InGaN厚膜成長研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2011
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  立命館大学
光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長
- 研究代表者
  
  成塚重弥
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
光制御のための半導体ナノ構造作製
- 研究代表者
  
  上山智
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名城大学
次世代大電力制御用超高効率デバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
紫外発光ダイオードを用いた皮膚病治療システム研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2005
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  医用システム
- 研究機関
  名城大学
サファイア基板上へのレーザアシスト超高品質AlNエピタキシャル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2003
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
超ワイドギャップAlN系半導体の超高温エピタキシャル成長による低転位化とデバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
光励起及び結合長制御不純物共添加による超低抵抗p型III族窒化物の作製
- 研究代表者
  
  赤崎勇
- 研究期間 (年度)
  2000
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
マストランスポートIII族窒化物秩序化ゼロ次元構造の実現と緑色レーザダイオード
- 研究代表者
  
  赤崎勇
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
III族窒化物半導体気相成長における応力制御による転位低減とその場観察法の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
全固体式真空紫外レーザーの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
超高感度紫外線検出器の試作研究
- 研究代表者
  
  赤崎勇 (赤さき勇)
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
低次元構造のIII族窒化物による極限機能デバイスの試作研究
- 研究代表者
  
  赤さき勇 (赤崎勇)
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
GaN基板上へのIII族窒化物の低次元構造の作製と物性に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
シリコンを基板として用いたIII族窒化物大型バルク単結晶の作製に関する研究
- 研究代表者
  
  赤さき勇 (赤崎勇)
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
シリコン基板上への窒化物半導体結晶成長
- 研究代表者
  
  赤崎勇
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
窒化物半導体極短波長面発光レーザの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
窒化物ワイドギャップ半導体の結晶成長の低温化に関する研究
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  名古屋大学
高性能GaN系青色LEDの試作研究
- 研究代表者
  
  赤崎勇
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1989
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  名古屋大学

[図書] ワイドギャップ半導体　あけぼのから最前線へ2013
- 著者名/発表者名
  天野　浩
- 総ページ数
  396
- 出版者
  培風館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[図書] Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al(Ga, In)N films on lattice-mismatched substrates Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.KGaA(Editor : T.Paskova)2008
- 著者名/発表者名
  H.Amano, T.Kawashima, D.Iida, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
- 出版者
  Nitrides with Nonpolar Surfaces
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[図書] Nitrides with Nonpolar Surfaces, Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar A1(Ga, In)N films on lattice-mismatched substrates Editor(s) : T. Paskova, 108-1182008
- 著者名/発表者名
  H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 総ページ数
  464
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[図書] Nitrides with Nonpolar Surfaces, "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al(Ga,In)N films on lattice-mismatched substrates"2008
- 著者名/発表者名
  H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 総ページ数
  464
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA (Editor(s): T.Paskova)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[図書] LED革新のための最新技術と展望, 第2章第2節第1項, GaNの成長・低転位化・実用状況・基板欠陥とGaN膜欠陥の相関, pp.34-522008
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 総ページ数
  709
- 出版者
  情報機構
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[図書] Advances in Light Emitting Materials, Edited by Bo Monemar, Martin Kittler and Hermann Grimmeisss, AlN and AlGaN by MOVPE for UV Light Emitting Devices pp.175-2102008
- 著者名/発表者名
  H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 総ページ数
  278
- 出版者
  Trans Technical Publications
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[図書] Wide Bandgap Semiconductors 2. 3. 1 Doping Technology, pp. 77-79, 3. 5. 3 Advances in UV Laser Diodes, pp. 206-207, Total 460 pages, Editors Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu2007
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 総ページ数
  460
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[図書] Wide Bandgap Semiconductors 2.3.1 Doping Technology, pp.77-79, 3.5.3 Advances in UV Laser Diodes, pp.206-207, Total 460 pages, Editors Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu2007
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 総ページ数
  460
- 出版者
  Springer
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開、監修 : 佐野芳明、奥村次徳、第2章 III族窒化物半導体のMOVPE技術、pp.80-862006
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 総ページ数
  266
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開、監修:佐野芳明、奥村次徳、第2章 III族窒化物半導体のMOVPE技術、pp.80-862006
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 出版者
  シーエムシー出版
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[図書] "Nitride Semiconductors", Handbook on Materials and Devices, Edited by P.Ruterana,M.Albrecht,J.Neugebauer2003
- 著者名/発表者名
  H.Amano
- 総ページ数
  664
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA, Weinheim
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] 15 GHz GaN Hi-Lo IMPATT Diodes With Pulsed Peak Power of 25.5 W2024
- 著者名/発表者名
  Kawasaki Seiya、Kumabe Takeru、Deki Manato、Watanabe Hirotaka、Tanaka Atsushi、Honda Yoshio、Arai Manabu、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 71 号: 3 ページ: 1408-1415
- DOI
  10.1109/ted.2023.3345822
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1582, KAKENHI-PROJECT-22H00213
[雑誌論文] Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz2023
- 著者名/発表者名
  Kawasaki Seiya、Kumabe Takeru、Ando Yuto、Deki Manato、Watanabe Hirotaka、Tanaka Atsushi、Honda Yoshio、Arai Manabu、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 44 号: 8 ページ: 1328-1331
- DOI
  10.1109/led.2023.3285938
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1582, KAKENHI-PROJECT-22H00213
[雑誌論文] Boundary Conditions for Simulations of Fluid Flow and Temperature Field during Ammonothermal Crystal Growth?A Machine-Learning Assisted Study of Autoclave Wall Temperature Distribution2021
- 著者名/発表者名
  Schimmel Saskia、Tomida Daisuke、Saito Makoto、Bao Quanxi、Ishiguro Toru、Honda Yoshio、Chichibu Shigefusa、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Crystals
  
  巻: 11 号: 3 ページ: 254-254
- DOI
  10.3390/cryst11030254
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19F19752
[雑誌論文] Numerical Simulation of Ammonothermal Crystal Growth of GaN?Current State, Challenges, and Prospects2021
- 著者名/発表者名
  Schimmel Saskia、Tomida Daisuke、Ishiguro Tohru、Honda Yoshio、Chichibu Shigefusa、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Crystals
  
  巻: 11 号: 4 ページ: 356-356
- DOI
  10.3390/cryst11040356
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19F19752
[雑誌論文] Scalable fabrication of GaN on amorphous substrates via MOCVD on highly oriented silicon seed layers2020
- 著者名/発表者名
  Hainey Mel、Robin Yoann、Avit Geoffrey、Amano Hiroshi、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 535 ページ: 125522-125522
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2020.125522
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366, KAKENHI-PROJECT-18F18347
[雑誌論文] Orientation-controlled epitaxial lateral overgrowth of semipolar GaN on Si (001) with a directionally sputtered AlN buffer layer2017
- 著者名/発表者名
  Ho-Jun Lee, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Akira Tamura, Takafumi Suzuki, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 468 ページ: 547-551
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.11.116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[雑誌論文] Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers2017
- 著者名/発表者名
  Ousmane 1 Barry, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Junya Matsushita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 468 ページ: 552-556
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.12.012
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[雑誌論文] III-nitride core-shell nanorod array on quartz substrates2017
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Jung-Wook Min,Hyeong-Yong Hwang, Kaddour Lekhal, Ho-Jun Lee, Young-Dahl Jho, Dong-Seon Lee, Yong-Tak Lee, Nobuyuki Ikarashi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 7 号: 1 ページ: 45345-45345
- DOI
  10.1038/srep45345
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[雑誌論文] Emission Characteristics of InGaN/GaN Core-Shell Nanorods Embedded in a 3D Light-Emitting Diode2016
- 著者名/発表者名
  B. O. Jung, S. Y. Bae, S. Lee, S. Y. Kim, J. Y. Lee, Y. Honda, H. Amano
- 雑誌名
  
  Nanoscale Research Letters
  
  巻: 11(1) 号: 1 ページ: 1-10
- DOI
  10.1186/s11671-016-1441-6
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[雑誌論文] Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Tadashi Mitsunari, Akira Tamura, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146522
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with AlN seed layer by pulsed-mode metalorganic vapor2016
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae , B. O. Jung , K. Lekhal , S. Y. Kim , J. Y. Lee , D. S. Lee , M. Deki , Y. Honda and H. Amano
- 雑誌名
  
  CrysEngComm
  
  巻: 18 号: 9 ページ: 1505-1514
- DOI
  10.1039/c5ce02056e
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Improved crystal quality of semipolar (10-13) GaN on Si(001) substrates using AlN/GaN superlattice interlayer2016
- 著者名/発表者名
  Ho-Jun Lee, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Tadashi Mitsunari, Akira Tamura, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 454 ページ: 114-120
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.09.004
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[雑誌論文] Structural and optical study of core–shell InGaN layers of nanorod arrays2016
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae , B. O. Jung , K. Lekhal , D. S. Lee , M. Deki , Y. Honda and H. Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FG03-05FG03
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fg03
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[雑誌論文] Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering2016
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Tadashi Mitsunari, Kentaro Nagamatsu, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  K. Lekhal, S. Y. Bae, H. J. Lee, T. Mitsunari, A. Tamura, M. Deki, Y. Honda, H. Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146522
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[雑誌論文] Growth of semipolar (1-101) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001)2016
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Controlled morphology of regular GaN microrod arrays by selective area growth with HVPE2016
- 著者名/発表者名
  Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Tadashi Mitsunari, Akira Tamura, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 447 ページ: 55-61
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.05.008
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[雑誌論文] Nobel Lecture : Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiation2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Review of Modern Physics
  
  巻: 87 号: 4 ページ: 1133-1138
- DOI
  10.1103/revmodphys.87.1133
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum2015
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae, B. O. Jung, K. Lekhal, D. S. Lee, M. Deki, Y. Honda and H. Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146528
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Polarization dilution in a Ga-polar UV-LED to reduce the influence of polarization charges2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Syouta Katsuno, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a)
  
  巻: 212 号: 5 ページ: 920-924
- DOI
  10.1002/pssa.201431730
- 説明
  オンラインのみ
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] Highly ordered catalyst-free InGaN/GaN core-shell architecture arrays with expanded active area region2015
- 著者名/発表者名
  Jung Byung Oh, Bae Si-Young, Kim Sang Yun, Lee Seunga, Lee Jeong Yong, Lee Dong-Seon, Kato Yoshikhiro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Nano Energy
  
  巻: 11 ページ: 294-303
- DOI
  10.1016/j.nanoen.2014.11.003
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Development of underfilling and encapsulation for deep-ultraviolet LEDs2015
- 著者名/発表者名
  Kiho Yamada, Yuuta Furusawa, Shoko Nagai, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Ko Aosaki, Naoki Morishima, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki Show affiliations
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 1 ページ: 012101-012101
- DOI
  10.7567/apex.8.012101
- NAID
  210000137346
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells2015
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 2 ページ: 022702-022702
- DOI
  10.7567/apex.8.022702
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J03143, KAKENHI-PROJECT-24686041, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] 分極制御AlGaN : 層設計と結晶成長2014
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 41 ページ: 21-32
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique2014
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Yoshihiro Kato, Masataka Imura, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  CrystEngComm
  
  巻: 16 号: 11 ページ: 2273-2282
- DOI
  10.1039/c3ce42266f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 天野浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 114 ページ: 75-80
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Stacking 10 nm図 4:STEM 観察による InGaN ナノワイヤにおける双晶図 5 :InGaN ナノワイヤにおける双晶密度と積分 PL 強度の関係1011021034 1055 1056 1057 1058 105Integrated PL intensity (a.u.)Density of stacking faults (/cm)図 6:HOPG 基板上 GaN ナノワイヤ1μm faults and luminescence property of In- GaN nanowires2013
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2013
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2013
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Analysis of Broken Symmetry in Convergent-Beam Electron Diffraction along <11-20> and <1-100> Zone-Axes of AlN for Polarity Determination2013
- 著者名/発表者名
  M. Imura, U. Gautam, K. Nakajima, Y. Koide, H. Amano, and K. Tsuda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[雑誌論文] Analysis of Broken Symmetry in Convergent-Beam Electron Diffraction along <11-20> and <1-100> Zone-Axes of AlN for Polarity Determination2013
- 著者名/発表者名
  M. Imura, U. Gautam, K. Nakajima, Y. Koide, H. Amano, and K. Tsuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[雑誌論文] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2013
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Combination of Indium-in Oxide and SiO_2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Yuko Matsubara, Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  physica status solidi C
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 1537-1540
- DOI
  10.1002/pssc.201300265
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Growth of InGaN Nanowires on a (111)Si Substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c)
  
  巻: 9 号: 3-4 ページ: 646-649
- DOI
  10.1002/pssc.201100446
- NAID
  110008726018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Progress and prospect of the growth of wide-band-gap group III nitrides: development of the growth method for single-crystal bulk GaN2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Oyo Butsuri
  
  巻: 81 ページ: 455-463
- NAID
  10030594790
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[雑誌論文] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol
  
  巻: 9 ページ: 646-649
- NAID
  110008726018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Development of AlN/diamond heterojunction field effect transistors2012
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, T. Nagata, M. Y. Liao, Y. Koide, J. Yamamoto, K. Ban, M. Iwaya, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 5 ページ: 206-209
- DOI
  10.1016/j.diamond.2012.01.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[雑誌論文] 窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望-バルク GaN 単結晶成長技術開発の観点から2012
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 81 ページ: 455-463
- NAID
  10030594790
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[雑誌論文] Development of AlN/diamond heterojunction field effect transistors2012
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, T. Nagata, M. Y. Liao, Y. Koide, J. Yamamoto, K. Ban, M. Iwaya, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Diam. Relat. Mat.
  
  巻: 24 ページ: 206-209
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[雑誌論文] Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method2011
- 著者名/発表者名
  Masayasu Yamakawa, Kazuki Murata, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Masanobu Azuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10028209940
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Demonstration of Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2011
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, E. Watanabe, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (RRL)
  
  巻: 5 号: 3 ページ: 125-127
- DOI
  10.1002/pssr.201105024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[雑誌論文] Demonstration of diamond field effect transistors by AlN/diamond heterostructure2011
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, E. Watanabe, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi-Rapid Res. Lett.
  
  巻: 5 ページ: 125-127
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[雑誌論文] Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGa N epilayers grown by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Z.H.Wu, Y.Kawai, Y.-Y.Fang, C.Q.Chen, H.Kondo, M.Hori, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98 号: 14
- DOI
  10.1063/1.3574607
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656015
[雑誌論文] Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method2011
- 著者名/発表者名
  M.Yamakawa, K.Murata, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano, M.Azuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 4
- NAID
  10028209940
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Internal Quantum Efficiency of Whole-Composition-Range AlGaN Multiquantum Wells2011
- 著者名/発表者名
  Kazuhito Ban, Jun-ichi Yamamoto, Kenichiro Takeda, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10028210215
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- URL
  http://dx.doi.org/10.1063/1.3574607
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656015
[雑誌論文] Internal quantum efficiency and internal loss of ultraviolet laser diodes on the low dislocation density AlGaN underlying layer2011
- 著者名/発表者名
  K.Takeda, K.Nagata, T.Ichikawa, K.Nonaka, Y.Ogiso, Y.Oshimura, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano, H.Yoshida, M.Kuwabara, Y.Yamashita, H.Kan
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 8 ページ: 464-466
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  D.Iida, K.Tamura, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 312 ページ: 3131-3135
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Strain Relaxation Mechanisms in AlGaN Epitaxy on AlN Templates2010
- 著者名/発表者名
  Z.Wu, K.Nonaka, Y.Kawai, T.Asai, F.A.Ponce, C.Chen, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027441702
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Defects in highly Mg-doped AlN2010
- 著者名/発表者名
  K.Nonaka, T.Asai, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 207 ページ: 1299-1301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] High-output-power AlGaN/GaN ultraviolet-light-emitting diodes by activation of Mg-doped p-type AlGaN in oxygen ambient2010
- 著者名/発表者名
  K.Nagata, T.Ichikawa, K.Takeda, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 207 ページ: 1393-1396
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Improved Efficiency of 255-280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027014973
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Growth of low-dislocation-density AlGaN using Mg-doped AlN underlying layer2010
- 著者名/発表者名
  T.Asai, K.Nonaka, K.Ban, K.Nagata, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 7 ページ: 2101-2103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Atomic layer epitaxy of AlGaN2010
- 著者名/発表者名
  Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 7 ページ: 2368-2370
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Internal quantum efficiency of GaN/AlGaN-based multi quantum wells on different dislocation densities underlying layers2010
- 著者名/発表者名
  K.Takeda, F.Mori, Y.Ogiso, T.Ichikawa, K.Nonaka, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 7 ページ: 1916-1918
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Evidence for Two Mg Related Acceptors in GaN2009
- 著者名/発表者名
  Monemar, B., Paskov, P.P., Pozina, G., Hemmingsson, C., Bergman, J.P., Kawashima, T., Amano, H., Akasaki, I., Paskova, T., Figge, S., et al.
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Misfit strain relaxation by stacking fault generation in InGaN quantum wells grown on m-plane GaN2009
- 著者名/発表者名
  Fischer, Alec M., Wu, Zhihao, Sun, Kewei, Wei, Qiyuan, Huang, Yu, Senda, Ryota, Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Amano, Hiroshi, Ponce, Fernando A.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10025085540
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Activation energy of Mg in Al_<0.25>Ga_<0.75>N and Al_<0.5>Ga_<0.5>N2009
- 著者名/発表者名
  K.Nagamatsu, K.Takeda, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi C 6
  
  ページ: 437-439
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Optimization of electrode configuration in large GaInN light-emitting diodes2009
- 著者名/発表者名
  落合渉、河合良介、鈴木敦志、岩谷素顕、天野浩、上山智、赤崎勇
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C) Vol.6, Issue 6
  
  ページ: 1416-1419
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[雑誌論文] Electrical properties and deep traps spectra in undoped M-plane GaN films prepared by standard MOCVD and by selective lateral overgrowth2009
- 著者名/発表者名
  Polyakov, A.Y., Smirnov, N.B., Govorkov, A.V., Markov, A.V., Yakimov, E.B., Vergeles, P.S., Amano, H., Kawashima, T.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2923-2925
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Relaxation and recovery processes of Al_xGa_<1-x>N grown on AlN underlying layer2009
- 著者名/発表者名
  Asai, Toshiaki, Nagata, Kensuke, Mori, Toshiaki, Nagamatsu, Kentaro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2850-2852
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer2009
- 著者名/発表者名
  Tsuzuki, Hirotoshi, Mori, Fumiaki, Takeda, Kenichiro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu, Yoshida, Harumasa, Kuwabara, Masakazu, Yamashita, Yoji, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2860-2863
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Activation energy of Mg in a-plane Ga_<1-x>In_xN(0<x<0.17)2009
- 著者名/発表者名
  Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B 246
  
  ページ: 1188-1190
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Experimental and theoretical investigations of optical properties of GaN/AlGaN MQW nanostructures.Impact of built-in polarization fields2009
- 著者名/発表者名
  Esmaeili, M., Gholami, M., Haratizadeh, H., Monemar, B., Holtz, P.O., Kamiyama, S., Amano, H., Akasaki, I.
- 雑誌名
  
  Opto-Electronics Review 17
  
  ページ: 293-299
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] High-reflectivity Ag-based ohmic contacts for blue light-emitting diodes2009
- 著者名/発表者名
  河合良介、森俊晶、落合渉、鈴木敦志、岩谷素顕、天野浩、上山智、赤崎勇
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C) Vol.6, Issue S2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[雑誌論文] Strong emission from GaInN/GaN multiple quantum wells on high-crys talline-quality thick m-plane GaInN underlying layer on grooved GaN2009
- 著者名/発表者名
  Senda, Ryota, Matsubara, Tetsuya, Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Electrical properties and deep traps spectra in undoped and Si-doped m-plane GaN films2009
- 著者名/発表者名
  Polyakov, A.Y., Smirnov, N.B., Govorkov, A.V., Markov, A.V., Yugova, T.G., Petrova, E.A., Amano, H., Kawashima, T., Scherbatchev, K.D., Bublik, V.T.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Growth of thick GaInN on grooved(1011)GaN/(1012)4H-SiC2009
- 著者名/発表者名
  Matsubara, Tetsuya, Senda, Ryota, Iids, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2926-2928
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] One-sidewall-seeded epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by metalorganic vapor-phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Iids, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2887-2890
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 590
  
  ページ: 175-210
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Growth of high-quality thick AlGaN by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  N. Kato, S. Sato, H. Sugimura, T. Sumii, N. Okada, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi and A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Phys, Stat. Sol. (c) 5
  
  ページ: 1559-1561
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of AlN on 6H-SiC substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 2308-2313
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 590
  
  ページ: 175-210
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-18069013
[雑誌論文] Microstructure of threading dislocations caused by grain boundaries in AlN on sapphire substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Phys, Stat. Sol. (c) 5
  
  ページ: 1582-1584
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of AlN on 6H-SiC substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 310
  
  ページ: 2308-2313
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  H.Amano, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 590
  
  ページ: 175-210
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Effect of c-plane sapphire misorientation on the growth of AlN by high-temperature MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  K. Nagamatsu, N. Okada, N. Kato, T. Sumii, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) 5
  
  ページ: 3048-3050
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Control of p-type conduction in a-plane Ga_<1-x>In_xN(0<x<0.10)grown on r-plane sapphire substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4996-4998
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Optimization of underlying layer and the device structure for group-III-nitride-based UV emitters on sapphire2008
- 著者名/発表者名
  K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, F. Mori, H. Tsuzuki, Y. Yamashita, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi and A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Phys, Stat. Sol. (c) 5
  
  ページ: 2142-2144
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of A1N on 6H-SiC substrates2008
- 著者名/発表者名
  M.Imura, H.Sugimura, N.Okada, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 2308-2313
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown AlN2008
- 著者名/発表者名
  K. Nagamatsu, N. Okada, H. Sugimura, H. Tsuzuki, F. Mori, K. Iida, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 310
  
  ページ: 2326-2329
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode Al_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, and I.Akasaki
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol. (c)4
  
  ページ: 2708-2711
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  N.Okada, N.Kato, S.Sato, T.Sumii, N.Fujimoto, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Takagi, T.Noro, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 141-144
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 136-140
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada, . K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 257-260
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of A1N on trench-patterned AlN layers2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada,. K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro T. Takagi, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 257-260
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 136-140
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers2007
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, G.Narita, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 257-260
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 1458-1462
- NAID
  10018900504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AIN on trench-patterned AIN layers2007
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, G.Narita, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 257-260
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 115-118
- NAID
  10018704414
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode Al_XGa_(1-X) N/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c)4
  
  ページ: 2708-2711
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate2007
- 著者名/発表者名
  K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, K. Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (a) 204
  
  ページ: 1848-1852
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification2007
- 著者名/発表者名
  N.Okada, N.Kato, S.Sato, T.Sumii, T.Nagai, N.Fujimoto, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, H.Maruyama, T.Takagi, T.Noro, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 349-353
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Void assisted dislocation reduction in AlN and AlGaN by high temperature MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  K. Balakrishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c) 4
  
  ページ: 2272-2276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode A1_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effecttransistors with p-type GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c)4
  
  ページ: 2708-2711
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Microstructure of a-plane AlN grown on r-plane sapphire and on patterned AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  N. Okada, M. Imura, T. Nagai, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c) 4
  
  ページ: 2528-2531
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balak rishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 400
  
  ページ: 141-144
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Epitaxial lateral growth of m-plane GaN and Al_<0.18>Ga_<0.82>N on m-plane 4H-SiC and 6H-SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima, T.Nagai, D.Iida, A.Miura, Y.Okadome, Y.Tsuchiya, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 261-264
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Influence of High Temperature in the Growth of Low Dislocation Content AIN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1458-1462
- NAID
  10018900504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_XGa_(1-X) N/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 115-118
- NAID
  10018704414
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
- 著者名/発表者名
  M.Imura, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 136-140
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_xGa_1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 115-118
- NAID
  10018704414
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of Al_xGa_<1-x>N (x>0.2) on sapphire and its application to UV-B-light-emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  K.Iida, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 265-267
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Microstructure in nonpolar m-plane GaN and AlGaN films2007
- 著者名/発表者名
  T.Nagai, T.Kawashima, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 288-292
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] High-speed growth of AlGaN having high-crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  N.Kato, S.Sato, T.Sumii, N.Fujimoto, N.Okada, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, H.Maruyama, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 215-218
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Photoluminescence study of MOCVD-grown GaN/AlGaN MQW nanostructures : influence of Al composition and Si doping2007
- 著者名/発表者名
  M.Esmaeili, H.Haratizadeh, B.Monemar, P.P.Paskov, P.O.Holtz, P.Bergman, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 18
  
  ページ: 25401-25401
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Mg-doped high-quality Al_xGa_<1-x>N(x=0-1)grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, N. Kato, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c) 4
  
  ページ: 2502-2505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate2007
- 著者名/発表者名
  K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, K. Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  physica status solidi(a) 204
  
  ページ: 1848-1852
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Annihiation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bando
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 400
  
  ページ: 136-140
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
- 著者名/発表者名
  M.Imura, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 136-140
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Growth of High-Quality AlN with High Growth Rate by High Temperature MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (To be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17650155
[雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AIN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio2006
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
  
  ページ: 8639-8643
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Growth of High-Quality AlN with High Growth Rate by High Temperature MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (To be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN layers on patterned sapphire substrates2006
- 著者名/発表者名
  K.Nakano, M.Imura, G.Narita, T.Kitano, Y.Hirose, N.Fujimoto, N.Okada, T.Kawashima, K.Iida, K.Balakrishnan, M.Tsuda, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a) 203
  
  ページ: 1632-1635
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode2006
- 著者名/発表者名
  I.Akasaki, H.Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
  
  ページ: 9001-9010
- NAID
  40015182096
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a) 203
  
  ページ: 1626-1631
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006
- 著者名/発表者名
  Yoshikazu Hirose, Akira Honshio, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Michinobu Tsuda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron. E89-C
  
  ページ: 1064-1067
- NAID
  110007538789
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (To be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Microstructure of epitaxial lateral overgrown AlN on trench-patterned AlN template by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
  
  ページ: 21901-21901
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Optical signatures of dopants in GaN2006
- 著者名/発表者名
  B.Monemar, P.P.Paskov, J.P.Bergman, A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.Figge, T.Paskova, D.Hommel, A.Usui, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 9
  
  ページ: 168-174
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006
- 著者名/発表者名
  N.Tsuyukuchi, K.Nagamatsu, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018158654
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Anisotropically biaxial strain in a-plane AlGaN on GaN grown on r-plane sapphire2006
- 著者名/発表者名
  M.Tsuda, H.Furukawa, A.Honshio, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
  
  ページ: 2509-2513
- NAID
  40007227459
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Thermodynamic Aspects of Growth of AlGaN by High-Temperature Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  N.Okada, N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45,No.4a(未定)
- NAID
  40007227457
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio2006
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
  
  ページ: 8639-8643
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrate2006
- 著者名/発表者名
  M.Imura, A.Honshio, Y.Miyake, K.Nakano, N.Tsuchiya, M.Tsuda, Y.Okadome, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica B : Condensed Matter 376-377
  
  ページ: 491-495
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Thermodynamic Aspects of Growth of AlGaN by High-Temperature Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  N.Okada, N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45, No.4a(未定)
- NAID
  40007227457
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17650155
[雑誌論文] Radiative recombination mechanism in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells2006
- 著者名/発表者名
  B.Arnaudov, P.P.Paskov, H.Haratizadeh, P.O.Holtz, B.Monemar, S.Kamiyama, M.Iwaya, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3
  
  ページ: 523-1526
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Microstructure of thick AIN grown on sapphire by high-temperature MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide (a) 233
  
  ページ: 1626-1631
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer2006
- 著者名/発表者名
  Tsuzuki, Hirotoshi, Mori, Fumiaki, Takeda, Kenichiro, Ichikawa, Tomoki, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu, Yoshida, Harumasa, Kuwabara, Masakazu, et al.
- 雑誌名
  
  Physics Status Solidi A 206
  
  ページ: 1199-1204
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006
- 著者名/発表者名
  Y.Hirose, A.Honshio, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, M.Tsuda, H.Amano and I.Akasaki
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron. E89-C
  
  ページ: 1064-1067
- NAID
  110007538789
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Physica.Status Solidi (a) 233
  
  ページ: 1626-1631
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006
- 著者名/発表者名
  N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018158654
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al,In,Ga)N alloy semiconductors2006
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, T.Onuma, B.A.Haskell, A.Chakraborty, T.Koyama, P.T.Fini, S.Keller, S.P.DenBaars, J.S.Speck, U.K.Mishra, S.Nakamura, S.Yamaguchi, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, J.Han, T.Sota
- 雑誌名
  
  Nature Materials 5
  
  ページ: 810-816
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_xGa_<1-x>N/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, N.Tsuyukuchi, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018340710
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio2006
- 著者名/発表者名
  M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
  
  ページ: 8639-8643
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Growth of high-quality AlN at high growth rate by high-temperature MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3
  
  ページ: 1617-1619
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Effects of Si doping position on the emission energy and recombination dynamics of GaN/AlGaN multiple quantum wells2006
- 著者名/発表者名
  H.Haratizadeh, B.Monemar, H.Amano
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a) 203
  
  ページ: 149-153
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_XGa_(1-X) N/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006
- 著者名/発表者名
  T. Fujii. N. Tsuyukuchi, M. Iwava. S. Kamivama. H. Amano, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018340710
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006
- 著者名/発表者名
  Yoshikazu Hirose, Akira Honshio, takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Michinobu Tsuda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron. E89-C
  
  ページ: 64-1067
- NAID
  110007538789
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] A hydrogen-related shallow donor in GaN?2006
- 著者名/発表者名
  B.Monemar, P.P.Paskov, J.P.Bergman, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica B : Condensed Matter 376-377
  
  ページ: 460-463
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Thermodynamic aspects of growth of AlGaN by high-temperature metal organic vapor phase epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  N.Okada, N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
  
  ページ: 2502-2504
- NAID
  40007227457
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Thermodynamic Aspects of Growth of AlGaN by High-Temperature Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  N.Okada, N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45, No.4a
  
  ページ: 2502-2504
- NAID
  40007227457
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AIGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006
- 著者名/発表者名
  N.Tsuyukuchi, K.Nagamatsu, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC substrates2006
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, N.Fujimoto, T.Kitano, A.Bandoh, M.Imura, K.Nakano, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Takagi, T.Noro, K.Shimono, T.Riemann, J.Christen
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3
  
  ページ: 1392-1395
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN2006
- 著者名/発表者名
  M.Tsuda, H.Furukawa, A.Honshio, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b) 243
  
  ページ: 1524-1528
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_xGa_1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, N.tsuyukuchi, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018340710
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[雑誌論文] Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN2006
- 著者名/発表者名
  B.Monemar, P.P.Paskov, F.Tuomisto, K.Saarinen, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, S.Kimura
- 雑誌名
  
  Physica B : Condensed Matter 376-377
  
  ページ: 440-443
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[雑誌論文] Thermodynamic Aspects of Growth of AlGaN by High-Temperature Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  N.Okada, N.Fujimoto, T.Kiano, G.Narita, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied physics 45、No.4a
  
  ページ: 2502-2504
- NAID
  40007227457
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Growth of high-quality AlN with high growth rate by high-temperature MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
- 雑誌名
  
  Physica.Status Solidi (c) 3
  
  ページ: 1617-1619
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] High-Efficiency Nitride-Based Light-Emitting Diodes with Moth-Eye Structure2005
- 著者名/発表者名
  H.Kasugai, Y.Miyake, A.Honshio, S.Mishima, T.Kawashima, K.Iida, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, H.Kinoshita, H.Shiomi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44,No.10
  
  ページ: 7414-7417
- NAID
  130004766017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] High-quality Al_<0.12>Ga_<0.88>N with low dislocation density grown on facet-controlled Al_<0.12>Ga_<0.88>N by MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima, K.Iida, Y.Miyake, A.Honshio, H.Kasugai, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 272
  
  ページ: 377-380
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Study on the Seeded Growth of AlN Bulk Crystals by Sublimation2004
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Takagi, T.Noro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
  
  ページ: 7448-7453
- NAID
  10014029896
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Study on the Seeded Growth of AIN Bulk Crystals by Sublimation2004
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Takagi, T.Noro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
  
  ページ: 7448-7453
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Defect and stress control of AIGaN for fabrication of high performance UV light emitters2004
- 著者名/発表者名
  H.Amano, A.Miyazaki, K.Iida, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki, R.Liu, A.Bell, F.A.Ponce
- 雑誌名
  
  Physica.Status solidi (a) (a)201
  
  ページ: 2679-2685
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Laser Diode of 350.9nm wavelength grown on sapphire substrate by MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  K.Iida, T.Kawashima, A.Miyazaki, H.Kasugai, S.Mishima, A.Honshio, Y.Miyake, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 272
  
  ページ: 270-273
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Spatial variation of luminescence from AlGaN grown by facet controlled epitaxial lateral overgrowth2004
- 著者名/発表者名
  A.Bell, R.Liu, U.K.Parasuraman, F.A.Ponce, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  ページ: 3417-3419
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Laser Diode of 350.9nm wavelength Grown on Sapphire substrate by MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  K.Iida, T.Kawashima, A.Miyazaki, H.Kasugai, S.Mishima, A.Honshio, Y.Miyake, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 272
  
  ページ: 270-273
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Platelet Inversion Domains Induced by Mg-Doping in ELOG AlGaN Films2004
- 著者名/発表者名
  R.Liu, F.A.Ponce, D.Cherns, H.Amano, I.Akasaki
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings 798
  
  ページ: 765-770
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Defect and stress control of AlGaN for fabrication of high performance UV light emitters2004
- 著者名/発表者名
  H.Amano, A.Miyazaki, K.Iida, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki, R.Liu, A.Bell, F.A.Ponce
- 雑誌名
  
  Physica.Status Solidi (a)201
  
  ページ: 2679-2685
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[雑誌論文] Defect and stress control of AlGaN for fabrication of high performance UV light emitters2004
- 著者名/発表者名
  H.Amano, A.Miyazaki, K.Iida, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki, R.Liu, A.Bell, F.A.Ponce
- 雑誌名
  
  Physica.Status Solidi (a) 201
  
  ページ: 2679-2685
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[産業財産権] 分極を有する半導体を用いた半導体光素子2013
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[産業財産権] 自立基板の製造方法、AlN自立基板及びIII族窒化物半導体デバイス2011
- 発明者名
  天野浩、岩谷素顕
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権番号
  2011-060889
- 出願年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[産業財産権] 発光素子、発光素子用サファイア基板、および発光素子用サファイア基板の製造方法2008
- 発明者名
  上山智、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇、鈴木敦志、金子由基夫
- 権利者名
  エルシード(株)
- 産業財産権番号
  2008-242943
- 出願年月日
  2008-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[産業財産権] 発光素子及びその製造方法2008
- 発明者名
  上山智, 岩谷素顕, 天野浩, 赤崎勇, 鈴木敦志, 寺前文晴, 北野司, 近藤俊行
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権番号
  2008-283595
- 出願年月日
  2008-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[産業財産権] 発光素子、発光素子用サファイア基板及び発光素子用サファイア基板の製造方法2008
- 発明者名
  上山智, 岩谷素顕, 天野浩, 赤崎勇, 鈴木敦志, 金子由基夫
- 権利者名
  エルシード(株)
- 産業財産権番号
  2008-242943
- 出願年月日
  2008-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[産業財産権] 発光素子及びその製造方法2008
- 発明者名
  上山智、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇、鈴木敦志、寺前文晴、北野司、近藤俊行
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権番号
  2008-283595
- 出願年月日
  2008-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[産業財産権] 板状の窒化アルミニウム単結晶の製造方法2007
- 発明者名
  天野浩、金近幸博、東正信
- 権利者名
  (株)トクヤマ
- 産業財産権番号
  2007-303312
- 出願年月日
  2007-11-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[産業財産権] 窒化アルミニウム単結晶多角柱状体及びその製造方法2007
- 発明者名
  天野浩、金近幸博、東正信
- 権利者名
  (株)トクヤマ
- 産業財産権番号
  2007-303311
- 出願年月日
  2007-11-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[産業財産権] 窒化物系半導体の気相成長方法とそれを用いた窒化物系半導体エピタキシャル基板並びに自立基板、及び半導体装置2006
- 発明者名
  津田道信, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 権利者名
  京セラ株式会社、学校法人名城大学
- 出願年月日
  2006-02-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[産業財産権] 窒化化合物半導体基板及び半導体デバイス2006
- 発明者名
  天野浩、吉田冶正、高木康文、桑原正和
- 権利者名
  浜松ホトニクス(株)
- 産業財産権番号
  2006-032950
- 出願年月日
  2006-02-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[産業財産権] 窒化物系半導体の気相成長方法、及び、エピタキシャル基板とそれを用いた半導体装置2006
- 発明者名
  津田道信, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 権利者名
  京セラ株式会社、学校法人名城大学
- 出願年月日
  2006-03-10
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[産業財産権] 窒化物系化合物半導体の製造方法2005
- 発明者名
  天野浩
- 権利者名
  名城大学
- 出願年月日
  2005-11-14
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206003
[学会発表] マイクロ波帯Hi Lo型GaN IMPATTダイオードの設計および作製2023
- 著者名/発表者名
  川崎晟也, 隈部岳瑠, 出来真斗, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 新井学, 天野浩
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] p型分極ドープAlGaN層中における正孔移動度の制限要因2023
- 著者名/発表者名
  隈部岳瑠, 川崎晟也, 渡邉浩崇, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] 15 GHz GaN Hi-Lo IMPATT diodes with pulsed peak power of 25.5 W2023
- 著者名/発表者名
  Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] Fabrication of GaN Hi-Lo IMPATT diode2023
- 著者名/発表者名
  Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano
- 学会等名
  WOCSDICE-EXMATEC 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] Tribute to our predecessor, the late Professor Isamu Akasaki, and the role of nitrides in establishing an earth-friendly, comfortable, convenient and people-friendly society2023
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] HVPE growth for vertical GaN p-n junction diodes with high breakdown voltage2022
- 著者名/発表者名
  大西　一生、新田　州吾、本田　善央、天野　浩
- 学会等名
  IWN2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] Mobility Limiting Factors in p-type Distributed-Polarization Doped AlGaN2022
- 著者名/発表者名
  隈部　岳瑠、渡邉　浩崇、本田　善央、天野　浩
- 学会等名
  APWS2022（The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] GaN (0001)自立基板上GaNのHVPE成長における表面カイネティクス2022
- 著者名/発表者名
  大西一生, 藤元直樹, 新田州吾, 渡邉浩崇, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第83回　応用物理学会　秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] p型分極ドープAlGaN層中のShockley-Read-Hall寿命2022
- 著者名/発表者名
  隈部岳瑠, 川崎晟也, 渡邉浩崇, 出来真斗, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第83回　応用物理学会　秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] Mg熱拡散法を用いた縦型GaNp-n接合ダイオードの作製2022
- 著者名/発表者名
  伊藤佑太, 川崎晟也, 権熊, 島村健矢, 成田周平, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 田中敦之, 天野浩
- 学会等名
  第83回　応用物理学会　秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00213
[学会発表] Synthesis of InGaN nanowires and nanostructures to achieve high indium content and high crystal quality for optoelectronic devices2019
- 著者名/発表者名
  Geoffrey Avit, Yoann Robin, Mohammed Zeghouane, Léo Mostéfa, Boris Michalska, Yamina Andre, Dominique Castelluci, Agnès Trassoudaine, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ICMaSS2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18F18347
[学会発表] Growth and properties of InGaN based nanorods for LEDs: comparison between core/shell and axial MQWs structures2019
- 著者名/発表者名
  Geoffrey Avit, Yoann Robin, Yaqiang Liao, Léo Mostépha, Boris Michalska, Agnès Trassoudaine, Shuggo Nitta and Hiroshi Amano
- 学会等名
  SSDM2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18F18347
[学会発表] Control of the growth plane of semipolar GaN on Si (001) by adjusting the direction of sputtered AlN buffer layer2016
- 著者名/発表者名
  H. J. Lee, S. Y. Bae, K. Lekhal, T. Suzuki, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE 18)
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2016-08-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[学会発表] Controlling the growth orientation, position, and composition of III-nitride nanowires with hydride vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  K. Lekhal, S. Y. Bae, K. Nishi, K. Saitoh, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE 18)
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2016-08-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[学会発表] Study of AlN Nucleation by Directional Sputtering for Growth of Orientation-Controlled GaN on Si(001) Substrates2016
- 著者名/発表者名
  H. J. Lee, S. Y. Bae, K. Lekhal, A. Tamura, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[学会発表] In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method2016
- 著者名/発表者名
  Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano
- 学会等名
  SPIE. PHOTONICS WEST
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer on Si substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae, K. Lekhal, H. J. Lee, T. Mitsunari, J. W. Min, D. S. Lee, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE 18)
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2016-08-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[学会発表] The growth of self-organized GaN nanowires on Si substrate by Molecular Beamepitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Yoshio Honda, Yuri Tsutsumi, Tatsuya Hattori, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISPlasma 2016
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2016-02-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 光電流測定によるLED内部量子効率評価2016
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Controlled morphology of regular GaN microrod and nanowire arrays by selective area growth with HVPE2016
- 著者名/発表者名
  K. Lekhal, S. Y. Bae, H. J. Lee, K. Nishi, K. Saitoh, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  The 4th international conference on light-emitting devices and their industrial applications (LEDIA) 2016
- 発表場所
  横浜市
- 年月日
  2016-04-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[学会発表] High hole accumulation and low p-contact resistande with graded-AlGaN layers2016
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  Nagoya/Japan
- 年月日
  2016-03-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Reduction of leakage current density in homoepitaxial m-plane GaN by controlling V/III ratios for high-power device applications2016
- 著者名/発表者名
  O. 1 Barry, A. Tanaka , K. Nagamatsu, S. Y. Bae, K. Lekhal, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE 18)
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2016-08-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[学会発表] レーザ散乱を用いたInGaN結晶成長表面粗さ回復の観察2016
- 著者名/発表者名
  山本哲也、田村彰、永松謙太郎、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Controlled growth of GaN nanorod arrays with an orientation-induced buffer layer2016
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae, K. Lekhal, H. J. Lee, J. W. Min, D. S. Lee, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  The 16th international meeting on information and displays (IMID) 2016
- 発表場所
  Jeju, South Korea
- 年月日
  2016-08-26
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[学会発表] Controlled growth of highly elongated GaN nanorod arrays on AlN/Si templates by pulsed-mode metalorganic vapor deposition2016
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae, K. Lekhal, B. O. Jung, D. S. Lee, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  The 4th international conference on light-emitting devices and their industrial applications (LEDIA) 2016
- 発表場所
  横浜市
- 年月日
  2016-04-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16F14366
[学会発表] Group III nitride semiconductors as future key materials for energy savings and energy harvesting2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  ICSI-9
- 発表場所
  Montreal, Quebec, Canada
- 年月日
  2015-05-17
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Selective Area Growth of GaN Nanorods on Si (111) Grown by Pulsed-Mode MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byuong Oh Jung, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  EーMRS学会
- 発表場所
  France
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Si基板上(1-101)InGaNストライプレーザー作製に向けた共振器構造2015
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] HVPE and VLS-HVPE Synthesis of GaN Nanowires2015
- 著者名/発表者名
  K. Lekhal, T. Mitsunari, R. Kizu, S. Y. Bae, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA国際会議
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[学会発表] Lighting the Earth with LEDs, -Past, Present and Future Prospects of GaN-Based Blue LEDs-2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  CS MANTECH
- 発表場所
  Scottsdale, Arizona, USA
- 年月日
  2015-05-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of high-quality AlN on sapphire using annealing technique2015
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Tamaki, D. Yasui, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  韓国
- 年月日
  2015-11-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Reduction of Residual Carbon on Un-doped GaN Grown using Metal Organic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Zheng Ye, Zheng Sun, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Junction Technology in GaN LEDs2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  15th International Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2015-06-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] RF加熱式HVPE法を用いたAlN成長2015
- 著者名/発表者名
  安井, 三宅, 平松, 岩谷, 赤崎, 天野
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Beyond blue LED2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  SSDM
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2015-09-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた(0001)面GaN上InGaN/GaN多重量子井戸の成長Ⅱ2015
- 著者名/発表者名
  田村彰、山本哲也、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Present and future prospects of nitride-based light emitting devices2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  ILY2015
- 発表場所
  釜山、韓国
- 年月日
  2015-08-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Compatibility of hydride vapor phase epitaxy process with synthesis of horizontal and vertical GaN nanowires2015
- 著者名/発表者名
  Kaddour Lekhall, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Zheng Sun, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of InGaN well layer with an in-situ monitoring system2015
- 著者名/発表者名
  山本哲也、田村彰、宇佐美茂佳、永松謙太郎、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 半極性(1-101)GaNストライプ結晶上高In組成InGaN成長2015
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Selective Area Growth of GaN Nanorods on Si (111) Grown by Pulsed-Mode MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byuong Oh Jung, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  E-MRS学会
- 発表場所
  Cites-Unies EURALILLE、France
- 年月日
  2015-05-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[学会発表] MOHVPE法により成長したGaN膜中の光容量測定2015
- 著者名/発表者名
  出来真斗、叶正、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Structural and optical study of core-shell InGaN layers of GaN nanorods on Si substrates via pulsed-mode MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal Dong-Seon Lee, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  アクトシティ浜松
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[学会発表] Progress of GaN LED2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  Joint Conference : EP2DS-21&MSS-17
- 発表場所
  仙台国際センター
- 年月日
  2015-07-27
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Epitaxial Growth of AlN Templates with Smooth Surfaces on Sapphire2015
- 著者名/発表者名
  S. Katsuno, K. Hagiwara, T. Yasuda, N. Koide, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  2015 Material Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Boston/USA
- 年月日
  2015-12-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Current and Future of Solid State Lighting2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  CLE02015
- 発表場所
  San Jose、CA、USA
- 年月日
  2015-05-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of AlN layer on sputtered AlN template substrate by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  S. Tamaki, D. Yasui, H. Miyake, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  APWS2015
- 発表場所
  ソウル韓国
- 年月日
  2015-05-17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構2015
- 著者名/発表者名
  本田善央、田村彰、山本哲也、久志本真希、天野浩
- 学会等名
  第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解」
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2015-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Compatibility of hydride vapor phase epitaxy process with synthesis of horizontal and vertical GaN nanowires2015
- 著者名/発表者名
  K. Lekhal, S. Y. Bae, H. J. Lee, Z. Sun, M. Deki, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  アクトシティ浜松
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[学会発表] 紫外LEDの開発と医療応用2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  第66回日本皮膚科学会中部支部学術大会
- 発表場所
  神戸国際会議場
- 年月日
  2015-10-31
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of Highly Ordered GaN Nanorod Light-Emitting Didoes on Si-Based AlN Template for Epitaxial Transfer2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byuong Oh Jung, Ho-Jun Lee, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Development of GaN based devices and future prospects.2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  Jaszowiec International School and Congerence
- 発表場所
  ポーランド
- 年月日
  2015-06-22
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Low Temperature Volumetric Acceptor Activation of Bulk Mg-Doped GaN by Micro wave Irradiation2015
- 著者名/発表者名
  Marc L Olsson, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  MRS-Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長2015
- 著者名/発表者名
  安井, 三宅, 平松, 岩谷, 赤崎, 天野
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告ED2015-70
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2015-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 窒化物半導体レーザ開発の歴史と今後の展開2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Seeking Future Electronics for Better Human Life2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  ICAE2015
- 発表場所
  済州島、韓国
- 年月日
  2015-11-17
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Challenge for short and long wavelength solid state light emitting devices2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  WUPP
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク
- 年月日
  2015-08-21
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Structural and optical study of core-shell InGaN layers of GaN nanorods on Si substrates via pulsed-mode MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal Dong-Seon Lee, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 高Al組成のn-AlGaNにおけるV系電極のコンタクト特性2015
- 著者名/発表者名
  森一喜、武田邦宏、草深敏匡、岩谷素顕、上山智、竹内哲也、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Lighting the earth by LEDs2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  ICNS-11
- 発表場所
  北京、中国
- 年月日
  2015-08-31
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] LED Lighting for Energy Savings and Future Prospects of LED Applications2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  2015IEEE Photonics Conference
- 発表場所
  Reston, Virginia USA
- 年月日
  2015-10-07
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 指向性スパッタリングAlN中間層を用いたSi(001)基板上単結晶(10-13)GaN成長2015
- 著者名/発表者名
  光成正, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] サファイア上AlNテンプレートの表面平坦性の検討2015
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 萩原康大, 安田俊輝, 小出典克, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlN Epitaxial Growth on Sapphire with an Intermediate Layer2015
- 著者名/発表者名
  S. Katsuno, T. Yasuda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications'15
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Low Ohmic contact resistance to high AlN molar fraction n-type AlGaN by V-based electrode2015
- 著者名/発表者名
  Kazuki Mori, Kunihiro Takeda, Toshiki Kusafuka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu/Japan
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] SELECTIVE GaN GROWTH ON AMORPHOUS LAYER BY COMBINED EPITAXY WITH MBE AND MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Jung-Wook Min, Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yong-Tak Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ICNS-11
- 発表場所
  Beijing, China
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Group III nitride semiconductors as future key materials for energy saving and energy harvesting2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  ALC'15
- 発表場所
  松江市くにびきメッセ
- 年月日
  2015-10-29
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Lighting the World by LEDs and Future Prospects2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  World Science Forum
- 発表場所
  ハンガリー
- 年月日
  2015-11-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Lasing Properties of (1-101) InGaN/GaN Stripe Cavity Structure on Patterned (001) Si Substrate2015
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Progress in III-Nitride Nanophotonics.2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  International Nano Optoelectronics Workshop
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2015-08-03
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] InGaN 系光デバイスの成長と特性評価2015
- 著者名/発表者名
  本田善央、田村彰、山本哲也、李昇我、久志本真希、天野浩
- 学会等名
  STR 結晶成長結晶成長とデバイス解析
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2015-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Contact Characteristics of V-Based Electrode for High AlN Molar Fraction n-AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  K. Mori, K. Takeda, T. Kusafuka, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications'15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Characterization of light-emitting diode efficiency by biased photocurrent and photoluminescence measurement2015
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、光成正、本田善央、天野浩
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Fabrication of High Indium Content InGaN Quantum Wells on Semipolar (1-101) Micro Stripe Crystals/Si2015
- 著者名/発表者名
  M. Kushimoto, Y. Honda and H. Amano
- 学会等名
  第34回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  滋賀県
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 真空技術とLED開発の歴史および未来の照明について2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本真空工業会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2015-09-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Revolution of display and lighting by LEDs2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  ICAI
- 発表場所
  一橋大学
- 年月日
  2015-06-18
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] HVPE and VLS-HVPE Synthesis of GaN Nanowires2015
- 著者名/発表者名
  Kaddour LEKHAL, Tadashi Mitsunari, R. Kizu, Si-Young Bae, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 研究の継続性とイノベーション2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本学術会議
- 発表場所
  日本学術会議講堂
- 年月日
  2015-04-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた(0001)面GaN上lnGaN/GaN多重量子井戸の成長2015
- 著者名/発表者名
  田村彰、山本哲也、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Effect of Increasing Pressure on the Growth of High-Indium-Content InGaN by MOVPE2015
- 著者名/発表者名
  A. Tamura, T. Yamamoto, K. Yamashita, Y. Honda, H. Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性2015
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス (神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Nitride-Based Tunnel Junctions towards Deep UV-LEDs2015
- 著者名/発表者名
  D. Takasuka, D. Minamikawa, M. Ino, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications' 15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN-based UV-LEDs with polarization engineering2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  14th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya/japan
- 年月日
  2015-11-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] バイアス印加光電流およびバイアス印加PL測定によるLED評価2015
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳, 本田善央、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学 (神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Challenge for energy savings and energy harvesting by new materials2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  ハイレベルフォーラムinつくば
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2015-10-27
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] バナジウム系電極による高AlNモル分率n型AlGaNのとの低接触比抵抗の検討2015
- 著者名/発表者名
  森一喜、草深敏匡、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Lighting the Earth by LEDs2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  GLOBEアジア・パシフィック議員フォーラム
- 発表場所
  衆議院第一議員会館
- 年月日
  2015-09-30
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Challenge for Solving Global Issues by Nitride-Based Devices2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 年月日
  2015-11-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] レーザその場観察を用いたInGaN結晶成長2015
- 著者名/発表者名
  山本哲也、田村彰、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Development and future applications of GaN-based LEDs.2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  Nanostructure conference
- 発表場所
  ロシア
- 年月日
  2015-06-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optical Characterization and Structural Investigation of GaN Nanorod Arrays and its Based InGaN/GaN MQWs Core-Shell Nanoarchitecture Arrays2015
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Seunga Lee, Sang Yun Kim, Masataka Imura, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2015-04-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS2015
- 著者名/発表者名
  Yoshio Honda, Akira Tamura, Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
- 発表場所
  京都大学
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Correlation between crystal qualities and electrical properties in Si-doped AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications'15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on AlN/Sapphire2015
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Tamaki, D. Yasui, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors
- 発表場所
  福岡
- 年月日
  2015-08-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth and Characterization of Semipolar (1-101) High-Indium-Content InGaN Quantum Wells on Si (001)2015
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlN Epitaxial Growth on Sapphire with an Intermediate Layer2015
- 著者名/発表者名
  S. Katsuno, T. Yasude, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications'15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of Highly Ordered GaN Nanorod Light-Emitting Didoes on Si-Based AlN Template for Epitaxial Transfer2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byuong Oh Jung, Ho-Jun Lee, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA国際会議
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[学会発表] Optimal Growth Condition in Pulsed-Mode MOVPE Process for Selective Area Growth of GaN Nanorod Arrays and Its Based 3D-LED Structure2015
- 著者名/発表者名
  Byung Oh JUNG, Si-Young BAE, Masataka IMURA, Yoshio HONDA, Hiroshi AMANO
- 学会等名
  ICMAT2015 & IUMRS-ICA2015
- 発表場所
  Suntec City, Singapore
- 年月日
  2015-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 深紫外LEDに向けた窒化物半導体トンネル接合の検討2015
- 著者名/発表者名
  高須賀大貴, 南川大智, 井野匡貴, 竹内哲也, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Lighting the Earth by LEDs2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  IDW'15
- 発表場所
  滋賀県
- 年月日
  2015-12-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 地球規模問題解決へのチャレンジ2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  学振ノーベル賞受賞記念講演会
- 発表場所
  東京医科歯科大
- 年月日
  2015-04-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaN-Based Devices for Future Electronics.2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Material and Devices
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2015-07-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlN growth on sputtering AlN template substrate by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  D. Yasui, S. Tamaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optimization of growth condition of conductive AlGaN layer with high Al content2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Seoul/Korea
- 年月日
  2015-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 紫外LEDの開発と医療応用2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本乾癬学会学術大会
- 発表場所
  ウェスティンナゴヤキャッスル
- 年月日
  2015-09-04
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 世界を照らすLED2015
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本表面科学会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2015-05-23
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Investigation of hole injection in UV-LEDs utilizing polarization effect2014
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Tsubasa Nakashima, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  LEDIA'14
- 発表場所
  yokohama/japan
- 年月日
  2014-04-23
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 走査型電子顕微鏡による半導体ポテンシャル分布の観察2014
- 著者名/発表者名
  軽海貴博, 田中成泰, 丹司敬義, 天野浩
- 学会等名
  電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2014-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (001)Si基板上半極性面工nGaN光共振器の誘導放出特性2014
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の成長2014
- 著者名/発表者名
  田村彰、本田善央、天野浩
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋市)
- 年月日
  2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (001) Si基板上(1-101)ストライプInGaN共振器構造の誘導放出2014
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Study of Ga-polar GaN nanowire arrays formation mechanism using pulsed-mode MOVPE growth technique2014
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Dong-Seon Lee. Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-5
- 発表場所
  The Westin Hotel Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, USA
- 年月日
  2014-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Improvement of the light extraction efficiency in 350-nm-emission UV light-emitting diodes by novel distributed bragg reflector p-type electrode2014
- 著者名/発表者名
  T. Nakashima, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
- 発表場所
  Meijo Univ., Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
- 学会等名
  電子情報通信学会2014 電子デバイス研究会(ED)
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2014-05-29
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN/GaN超格子分極によるp型伝導の温度依存性2014
- 著者名/発表者名
  石井貴大, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] LEDにおける光電流を考慮した内部量子効率測定2014
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、本田善央、天野浩
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋市)
- 年月日
  2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth optimization of green InGaN multi-quantum well by in situ monitoring system2014
- 著者名/発表者名
  光成正、本田善央、天野浩
- 学会等名
  LEDIA'14
- 発表場所
  横浜市
- 年月日
  2014-04-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Recent Development of Atomic-Level in Situ Growth Monitoring Tools for the Fabrication of Nitride-Based Light Emitting Devices2014
- 著者名/発表者名
  H. Amano, G. Ju, A. Tamura, S. Usami, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, S. Fuchi
- 学会等名
  WLED-5
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2014-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Two types of buffer layer for the growth of GaN on highly lattice mismatched substrates and their impact on the development of sustainable systems2014
- 著者名/発表者名
  Tadashi Mitsunari, Koji Okuno, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  Deutsche Physikalische Gesellschaft e. V.
- 発表場所
  Dresden, Germany
- 年月日
  2014-04-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 電子線ホログラフィ法による窒化物半導体超格子内のピエゾ電界の解析2014
- 著者名/発表者名
  長尾俊介, 田中成泰, 丹司敬義, 天野浩
- 学会等名
  電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2014-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Detail study on AlN bulk crystal grown by sublimation2014
- 著者名/発表者名
  袴田涼馬, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  IUMRS-ICA2014
- 発表場所
  福岡大学(福岡県福岡市)
- 年月日
  2014-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Diffuse laser based in situ monitoring of the growth of green InGaN multi quantum well2014
- 著者名/発表者名
  光成正, 本田善央, 天野浩, 他
- 学会等名
  第33回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺 (静岡県伊豆市)
- 年月日
  2014-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 逆方向バイアス下光電流測定によるSRHモデル修正2014
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 分極半導体としてのInAlGaNとデバイス応用2014
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  第2回エレクトロニクス薄膜材料研究会「最先端電子・情報素子と機能材料研究の動向」
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス全学教育棟4階
- 年月日
  2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Orientation improvement of AlN with thin Ti pre-deposition on the Si (001) substrate2014
- 著者名/発表者名
  光成正, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  IWN2014
- 発表場所
  Wroclaw Centennial Hall conference center
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 窒化物半導体による生活の変遷(基調講演)2014
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  CREST第2回公開シンポジウム
- 発表場所
  豊田工業大学8号館
- 年月日
  2014-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Band Enginnering Considering Negative and Positive polarization Charges in UV-LEDs2014
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Syouta Katsuno, Tsubasa Nakashima, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  IWN2014
- 発表場所
  wroclaw/poland
- 年月日
  2014-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおける正孔伝導に対する分極電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  安田俊輝、勝野翔太、林健人、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会2014春季講演会第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optical gain spectra of (1-101) InGaN stripe cavity structures on a patterned (001) Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  IWN2014
- 発表場所
  Wroclaw Centennial Hall conference center
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] X線反射、CTR散乱及びレーザ吸収散乱法を用いた窒化物半導体結晶成長の原子レベルその場観察2014
- 著者名/発表者名
  田村彰、山下康平、光成正、鞠光旭、本田善央、田渕雅夫、竹田美和、渕真悟、天野浩
- 学会等名
  平成26年度文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業微細構造解析プラットフォーム放射光利用研究セミナー
- 発表場所
  大阪大学大学院基礎工学研究科国際棟セミナー室
- 年月日
  2014-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Pre-sputter Technology for GaN Acceptor Doping by Mg-ion Implantation2014
- 著者名/発表者名
  孫政, 永山勉, 渡邊哲也, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaNを用いた新しいエレクトロニクスと省・創エネルギーへの貢献2014
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日中省エネルギー・環境総合フォーラム
- 発表場所
  遼寧大厦遼寧庁(北京)
- 年月日
  2014-12-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 分極制御による紫外発光素子のホール注入の検討2014
- 著者名/発表者名
  安田俊樹、林健人、竹田健一郎、中島翼、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of (1-101)InGaN stripes on patterned (001)Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  曾根康和、久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  IUMRS-ICA2014
- 発表場所
  福岡大学(福岡県福岡市)
- 年月日
  2014-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおける分極電荷の補償2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2014-07-25
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の成長2014
- 著者名/発表者名
  田村彰、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Ultraprecision surface monitoring during growth of InGaN on GaN2014
- 著者名/発表者名
  H. Amano, G. Ju, A. Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, and S. Fuchi
- 学会等名
  WUPP for Wide-gap Semiconductors, 2014
- 発表場所
  Bath, UK
- 年月日
  2014-08-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Realization of vertically well-aligned GaN nanowire based core-shell array growth by MOVPE : Morphology evolution and luminescent properties2014
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Masataka Imura, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の成長2014
- 著者名/発表者名
  田村彰、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 環境貢献と経済発展の両立…進化を続けるLED技術(基調講演)2014
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本フォトニクス協議会関西支部設立記念講演会
- 発表場所
  大阪商工会議所
- 年月日
  2014-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] TiN層を導入した昇華法AlN成長2014
- 著者名/発表者名
  袴田涼馬, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋市)
- 年月日
  2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN系材料・発光デバイスの現状と今後の課題2014
- 著者名/発表者名
  石井貴大、袴田涼馬、若杉侑也、本田善央、天野造、山川雅康、伴和仁、永松謙太郎、岡田成仁、井村将隆、岩谷素顕
- 学会等名
  (独)日本学術振興会第145委員会
- 発表場所
  明治大学駿河台キャンパス
- 年月日
  2014-01-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Laser-based in situ monitoring of high In-content InGaN growth on GaN (0001)2014
- 著者名/発表者名
  光成正, 本田善央, 天野浩, 他
- 学会等名
  ISSLED 2014
- 発表場所
  台湾国立中山大学
- 年月日
  2014-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (1-101) InGaNマイクロキャビティの誘導放出2014
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第34回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Selective area grown GaN nanowire based InGaN/GaN MQWs coaxial array : structural characterization and luminescent properties2014
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Sang Yun Kim, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center、Sheraton Boston Hotel (Boston, Massachesetts, USA)
- 年月日
  2014-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 金属マスクを用いた昇華法AlN選択成長2014
- 著者名/発表者名
  袴田涼馬, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Atomic-Level In-Situ InGaN Growth Process Monitoring for Nitride-Based Visible Long Wavelength Light Emitting Device Fabrication2014
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 学会等名
  THU-CAS-JSPS Joint Symposium, “Emerging Photonics”
- 発表場所
  Tsinghua University, Beijing
- 年月日
  2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Reduction of the threshold power density in AlGaN/AlN multiquntum wells DUV (288 nm) optical pumped lasers2013
- 著者名/発表者名
  Tomoaki Yamada, Yuko Matsubara, Hiroshi Shinzato, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Doshisha Univ., Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] VSL法を用いたAlGaN/AlN多重量子井戸の光学利得測定2013
- 著者名/発表者名
  山田知明, 松原由布子, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Electrical characterization of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode by low-voltage cross-sectional SEM-EBIC2013
- 著者名/発表者名
  T. Karumi, S. Tanaka, T. Tanji, H. Amano, Y. Furusawa
- 学会等名
  International Symposium on Ecotopia Science '13
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2013-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究2013
- 著者名/発表者名
  中嶋翼, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤崎勇, 天野浩
- 学会等名
  電子情報通信学会(ED, CPM, LQE合同研究会)
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] RF-MBE法による各種基板上GaN系ナノワイヤ成長2013
- 著者名/発表者名
  水谷駿介，田畑拓也，中川慎太，山口雅史，天野浩，井村将隆，中山佳子，竹口雅樹
- 学会等名
  第60回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Dislocation density dependence of stimulated emission characteristics in AlGaN/AlN multi-quantum wells2013
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Yuko Matsubara, Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasak, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductor
- 発表場所
  Kloster Seeon, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 低加速電圧SEM-EBIC法によるAlGaN系深紫外発光素子断面の電気的特性の解析2013
- 著者名/発表者名
  軽海貴博, 田中成泰, 丹司敬義, 天野浩, 古澤優太
- 学会等名
  平成25年電気関係学会東海支部連合大会
- 発表場所
  浜松
- 年月日
  2013-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency in 350-nm Emission UV Light-Emitting Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Tsubasa Nakashima, Kenitirou Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  10th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 低加速SEM-EBIC法によるAlGaN系深紫外発光素子断面の電気的特性の解析2013
- 著者名/発表者名
  軽梅貫博, 田中成泰, 丹司敬義, 天野浩, 古澤優太
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第57回シンポジウム
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2013-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Challenge for the growth of high-In-content InGaN2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 学会等名
  III-V and III-N-based High Efficiency Solar Cells for Future Energy Harvesting
- 発表場所
  Chiba, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 窒化物を用いたLED及び太陽電池の現状と将来性2012
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  電子情報通信学会・次世代ナノ技術に関する時限研究専門委員会主催研究会「グリーン&ライフイノベーションに向けた次世代ナノ材料・デバイス」
- 発表場所
  産業技術総合研究所・臨海副都心センター、東京(招待講演)
- 年月日
  2012-01-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 高 In 組成 InGaN 実用化にむけて2012
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会(指定)第59回応用物理学関係連合講演会(指定)
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Al2O3/Diamond Field Effect Transistors using Surface p-Channel Prepared by Thermal Treatment with Hydrogen and Ammonia Atmosphere2012
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano:
- 学会等名
  IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure - past & future -2012
- 著者名/発表者名
  M.Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 学会等名
  Hasselt Diamond Workshop 2012 SBDD XVII
- 発表場所
  The cultuurcentrum Hasselt ,Hasselt,Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] Understanding the relationship between IQE and defects in nitride-based LEDs2012
- 著者名/発表者名
  M.Iwaya, H.Amano
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2012
- 発表場所
  San Francisco, USA(招待講演)
- 年月日
  2012-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2012-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE 法による各種基板上 GaN系ナノワイヤ成長2012
- 著者名/発表者名
  水谷駿介,田畑拓也,中川慎太,山口雅史,天野浩,井村将隆,中山佳子,竹口雅樹
- 学会等名
  第60回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2012-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Fabrication of High-Internal-Quantum-Efficiency Light Emitting Diodes on High Quality Bulk GaN Substrate2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop-
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] In and Impurity Incorporation in InGaN2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano
- 学会等名
  16th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-16)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] RF-MBE法によるガラス基板上InGaNナノ構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 渕真悟, 竹田美和
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第4回　窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] LED開発の過去・現状及び将来2012
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  JSPS光エレクトロニクス第130委員会
- 発表場所
  森戸記念館、東京
- 年月日
  2012-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Si基板上InGaNナノワイヤの積層欠陥と発光特性2012
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Challenge for the growth of high-In-content InGaN2012
- 著者名/発表者名
  T. DOI:, T. Ohata, T. Tabata, S. Nakagawa, Y. Kawai, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  III-V and III-N-based High Efficiency Solar Cells for Future Energy Harvesting(Invited)
- 発表場所
  Chiba, Japan
- 年月日
  2012-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Electrical Transport Mechanism of Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2012
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 学会等名
  International Conference on Diamond and Carbon Materials (Diamond2012)
- 発表場所
  The Granada Congress and Exhibitions Centre, Granada, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] Electrical Transport Mechanism of Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2012
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 学会等名
  International Conference on Diamond and Carbon Materials (Diamond2012)
- 発表場所
  the Granada Congress and Exhibitions Centre, Granada, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2012-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure - past & future -.2012
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 学会等名
  Hasselt Diamond Workshop 2012 SBDD XVII(招待講演)
- 発表場所
  The cultuurcentrum Hasselt ,Hasselt,Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] RF-MBE 法によるガラス基板上 InGaN ナノ構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太,田畑拓也,本田善央,山口雅史, 天野浩, 渕真悟 , 竹田美和
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Si 基板上 InGaN ナノワイヤの積層欠陥と発光特性2012
- 著者名/発表者名
  田畑拓也,白知鉉,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] pチャネルAlN/Diamondヘテロ接合電界効果トランジスタ2012
- 著者名/発表者名
  井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、MeiyongLiao、小出康夫、天野浩、松本翼、山崎聡
- 学会等名
  第31回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] In and Impurity Incorporation in InGaN2012
- 著者名/発表者名
  H. Amano
- 学会等名
  16th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-16) (Invited)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2012-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] RF-MBE法によるグラファイト基板上GaNナノワイヤの成長2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太，田畑拓也，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE 法によるグラファイト基板上 GaN ナノワイヤの成長2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太,田畑拓也,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 高In組成InGaN実用化にむけて2012
- 著者名/発表者名
  天野浩、山口雅史、本田善央、谷川智之、坂倉誠也、大畑俊也、田畑拓也
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、東京
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 窒化物半導体エピタキシャル成長の新展開2012
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  第137回結晶工学分科会研究会「窒化物半導体光デバイスの最前線～基板・エピ成長と評価技術～」 (指定)
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2012-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] TEM-CBED法を用いたAlNの極性決定評価2012
- 著者名/発表者名
  井村将隆、中島清美、小出康夫、天野浩、津田健治
- 学会等名
  第31回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] Si 基板上 III-V族化合物半導体ナノワイヤの成長と応用2012
- 著者名/発表者名
  山口雅史,白知鉉,田畑拓也,中川慎太, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 加圧MOVPE法によるInGaN結晶成長2012
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也、土井友博、大畑俊也、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 原子層堆積法により成膜したアルミナゲート表面チャネルダイヤモンドFETの特性評価2012
- 著者名/発表者名
  井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、MeiyongLiao、小出康夫、天野浩、松本翼、山崎聡
- 学会等名
  第26回ダイヤモンドシンポジウム
- 発表場所
  青山学院大学青山キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Polarity determination of AlN by convergent beam electron diffraction method based on transmission electron microscopy2012
- 著者名/発表者名
  M. Imura, K. Nakajima, Y. Koide, H. Amano, and K. Tsuda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN 2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center,Sapporo,Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] 加圧MOVPE法によるInGaN/GaN MQW構造のIn組成揺らぎの改善2011
- 著者名/発表者名
  大畑俊也, 坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  春日、福岡
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] AlGaN量子井戸構造の光学的特性2011
- 著者名/発表者名
  山本準一、伴和仁、竹田健一郎、井手公康、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow (U.K.)
- 年月日
  2011-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  信学会電子デバイス(ED)研究会
- 発表場所
  名古屋ベンチャービジネスラボラトリー（愛知県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタの開発2011
- 著者名/発表者名
  井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、廖梅勇、小出康夫、天野浩
- 学会等名
  第25回ダイヤモンドシンポジウム
- 発表場所
  産業技術総合研究所共用講堂
- 年月日
  2011-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] 紫外発光素子用反射電極の検討2011
- 著者名/発表者名
  竹原孝祐、竹田健一郎、永田賢吾、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Development of Diamond Field Effect Transistors by AlN / Diamond Heterostructure2011
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 学会等名
  22nd European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides (Diamond2011)
- 発表場所
  Garmisch - Partenkirchen,Bavaria,German
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル（三重県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2011
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 学会等名
  International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011 (NDNC2011)
- 発表場所
  Kunibiki Messe, Matsue, Japan
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] High In Content InGaN for Solar Cell Applications2011
- 著者名/発表者名
  H.Amano
- 学会等名
  ICNS9
- 発表場所
  Glasgow, UK(基調(招待)講演)(招待講演)
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] MBE 法による Si 基板上化合物半導体ナノワイヤ成長と評価2011
- 著者名/発表者名
  山口雅史,白知鉉,田畑拓也,本田善央,天野浩
- 学会等名
  第15回名古屋大学 VBL シンポジウム
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] AlN/ダイヤモンドヘテロ構造トランジスタ2011
- 著者名/発表者名
  井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、廖梅勇、小出康夫、天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ2011
- 著者名/発表者名
  井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、廖梅勇、小出康夫、天野浩
- 学会等名
  第72回応用応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] Growth of InGaN Nanowires on a (111)Si Substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow, U.K.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE 法による(111)Si 基板上へのInGaN ナノワイヤの成長II2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学（山形県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] AlGaN UV-LEDの光取り出し効率の改善2011
- 著者名/発表者名
  稲津哲彦、深堀真也、シリルペルノ、金明姫、藤田武彦、長澤陽祐、平野光、一本松正道、岩谷素顕、天野浩、竹内哲也、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長2011
- 著者名/発表者名
  伊藤駿、竹田健一郎、永田賢吾、青島宏樹、竹原孝祐、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] High In content InGaN for solar cell applications2011
- 著者名/発表者名
  H. Amano
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) (Plenary)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 石英基板上InGaN ナノワイヤの成長2011
- 著者名/発表者名
  山口雅史，田畑拓也，白　知鉉，本田善央，天野　浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学（山形県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] AlN/Diamondヘテロ接合型電界効果トランジスタの開発2011
- 著者名/発表者名
  井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、廖梅勇、小出康夫、天野浩
- 学会等名
  日本金属学会2011年秋
- 発表場所
  沖縄コンベンセンションセンター
- 年月日
  2011-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] 350nm帯紫外LED及びLD構造の注入効率向上2011
- 著者名/発表者名
  竹田健一郎、永田賢吾、竹原孝祐、青島宏樹、野中健太朗、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] レーザリフトオフ法による薄膜紫外LED2011
- 著者名/発表者名
  青島宏樹、竹田健一郎、永田賢吾、竹原孝祐、伊藤駿、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] RF-MBE 法による(111)Si 基板上への InGaN ナノワイヤの成長 II2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也,白知鉉,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 組成および井戸層厚を変調させたInGaN擬周期構造に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Demonstration of AlN/Diamond Heterostructure Field Effect Transistors2011
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Oosato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 学会等名
  MANA International Symposium 2011 (MANA Sympo. 2011)
- 発表場所
  Epochal Tsukuba, Tsukuba, Japan
- 年月日
  2011-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] Second- and third-generation nitride-based LEDs and challenge for future photovoltaic applications2011
- 著者名/発表者名
  T.Sano, T.Ohata, S.Sakakura, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano, M.Mori, M.Iwaya, M.Imade, Y.Mori
- 学会等名
  EDIS2011
- 発表場所
  生命ホール、大阪(招待講演)
- 年月日
  2011-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Development of Diamond Field Effect Transistors by AlN / Diamond Heterostructure2011
- 著者名/発表者名
  M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
- 学会等名
  22nd European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides(Diamond2011)
- 発表場所
  Garmisch - Partenkirchen,Bavaria,German
- 年月日
  2011-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760319
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いたAlInNの結晶成長2011
- 著者名/発表者名
  三嶋晃, 牧野貴文, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 坂倉誠也, 谷川智之, 天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  学会中止により要旨集のみ
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Effect of high-quality GaN substrates on the improvement of performance of group-III-nitride-based devices2011
- 著者名/発表者名
  H.Amano, T.Sugiyama, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, Y.Isobe, A.Mishima, T.Makino, M.Iwaya, M.Imade, Y.Kitaoka, Y.Mori
- 学会等名
  ECO-MATES2011
- 発表場所
  阪急ホテルエクスポパーク、大阪(招待講演)
- 年月日
  2011-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 紫外～赤色LED究極効率を目指した窒化物半導体結晶成長技術2010
- 著者名/発表者名
  天野浩, 本田善央, 山口雅史
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Development of High Efficiency 255-350 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] MgドープAlN下地層を用いた低転位AlGaNの転位挙動2010
- 著者名/発表者名
  野中健太朗, 浅井俊晶, 伴和仁, 山本準一, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩, Z.H.Wu
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Reduction in threshold current density of UV laser diode2010
- 著者名/発表者名
  Kengo Nagata, Kentaro Nonaka, Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, Hirofumi Kan
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Montpellier, France
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Microstructure of Thick AlGaN Epilayers Using Mg-doped AlN Underlying Layer2010
- 著者名/発表者名
  K.Nonaka, T.Asai, K.Ban, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, Z.H.Wu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Montpellier, France
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 紫外発光素子用透明電極の検討2010
- 著者名/発表者名
  深堀真也, シリルペルノ, 金明姫, 藤田武彦, 稲津哲彦, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 岩谷素顕, 上山智, 赤崎勇, 天野浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Transparent Electrode for UV Light-Emitting-Diodes2010
- 著者名/発表者名
  Kosuke Takehara, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hisashi Sakurai, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] MgドープAlN下地層を用いた高品質厚膜AlGaNの微細構造観察2010
- 著者名/発表者名
  野中健太朗、浅井俊晶、伴和仁、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇、Zhihao Wu
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] ELO AlGaN下地層上に作製した紫外レーザダイオードの特性評価2010
- 著者名/発表者名
  竹田健一郎, 永田賢吾, 竹原孝祐, 青島宏樹, 伊藤駿, 押村吉徳, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 吉田治正, 桑原正和, 山下陽滋, 菅博文
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Injection Efficiency in AlGaN-based UV Laser Diode2010
- 著者名/発表者名
  Kengo Nagata, Kenichiro Takeda, Yoshinori Oshimura, Kosuke Takehara, Hiroki Aoshima, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, Hirofumi Kan
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 酸化ジルコニウムを用いたサファイア基板上LEDの作製2010
- 著者名/発表者名
  田村健太, 飯田大輔, 山口修司, 近藤俊行, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] UVレーザダイオードの閾値電流密度の低減2010
- 著者名/発表者名
  永田賢吾、野中健太朗、市川友紀、竹田健一郎、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇、吉田治正、桑原正和、山下陽滋、菅博文
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Atomic Layer Epitaxy of AlN and AlGaN and Raised Pressure MOVPE for the Growth of High In-content GaInN2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Amano, Masahito Yamaguchi, Yoshio Honda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing, China(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Optical waveguide layers in UV laser diodes on the low dislocation density AlGaN underlying layer2010
- 著者名/発表者名
  Kenichiro Takeda, Tomoki Ichikawa, Kengo Nagata, Daisuke Sawato, Yuji Ogiso, Yoshinori Oshimura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, Hirofumi Kan
- 学会等名
  The 37th International Conference of Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Strain relaxation of AlGaN grown on AlN templates by misfit dislocation generation2010
- 著者名/発表者名
  Z.H.Wu, K.Nonaka, Y.Kawai, T.Asai, F.A.Ponce, C.Q.Chen, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Recent Developments and Future Prospects of LED Technologies for Displays and General Lighting2010
- 著者名/発表者名
  H.Amano
- 学会等名
  The 17th International Display Workshop
- 発表場所
  福岡市・福岡国際会議場
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Transmission-electron-microscope characterization of AlGaN/GaN heterostructure on miscut GaN substrate grown by Na flux method2010
- 著者名/発表者名
  Tatsuyuki Sakakibara, Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imada, Yasuo Kitaoka, Yusuke Mori
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 高組成AlGaN量子井戸構造の光学的特性2010
- 著者名/発表者名
  伴和仁、竹田健一郎、山本準一、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 昇華法による単結晶AlNの高速成長2010
- 著者名/発表者名
  山川雅康, 村田一喜, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤崎勇, 天野浩, 東正信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Atomic Layer Epitaxy of AlN and AlGaN and Raised Pressure MOVPE for the Growth of High In-content GaInN2010
- 著者名/発表者名
  H.Amano, M.Yamaguchi, Y.Honda, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) 招待講演
- 発表場所
  Beijing, China.
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いたInGaN結晶成長2010
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～&若手ポスター発表会」
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 世界を変えるGaN発光デバイス～低炭素社会実現の救世主となるために～2009
- 著者名/発表者名
  天野浩, 7月24日(金)
- 学会等名
  【大阪大学光科学センター】光科学フォーラムサミット
- 発表場所
  千里阪急ホテルクリスタルホール
- 年月日
  2009-07-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] p-AlGaNの活性化アニール特性2009
- 著者名/発表者名
  永田賢吾, 竹田健一郎, 市川友紀, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」
- 発表場所
  東京農工大小金井キャンパス1号館1階ホール
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] モスアイ構造の作製と半導体発光素子への応用2009
- 著者名/発表者名
  上山智、瀬古知世、馬渕翔、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇、寺前文晴、近藤俊行
- 学会等名
  第161委員会、第162委員会合同研究会
- 発表場所
  鳥羽
- 年月日
  2009-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] 斜めファセット面を用いたAlGaNの全面低転位化2009
- 著者名/発表者名
  竹田健一郎, 森史明, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会予稿集, SAT-18, (2009-5)
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」
- 発表場所
  東京農工大小金井キャンパス1号館1階ホール
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Defects in Highly Mg-Doped AlN2009
- 著者名/発表者名
  K.Nonaka, T.Asai, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島、韓国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 持続可能な社会システム構築のための窒化物半導体の役割2009
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大小金井キャンパス1号館1階ホール
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Mg-doped AIN下地層を用いたAlGaN成長2009
- 著者名/発表者名
  浅井俊晶, 野中健太郎, 伴和仁, 永田賢昌, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, SAT-2, pp.85, (2009-5)
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大小金井キャンパス1号館1階ホール
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Growth of Low-Dislocation-Density AlGaN using Mg-Doped AlN Underlying Layer2009
- 著者名/発表者名
  T.Asai, K.Nonaka, K.Ban, K.Nagata, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  済州島、韓国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Internal Quantum Efficiency of GaN/AlGaN Multi Quantum Wells on Different Dislocation Density Underlying Layer2009
- 著者名/発表者名
  Kenichiro Takeda, Fumiaki Mori, Yuji Ogiso, Tomoki Ichikawa, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
- 学会等名
  ICNS 8
- 発表場所
  済州島、韓国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Past, present and future prospects of group III nitride based light emitting devices2009
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  2nd International Conference on Microelectronics and Plasma Technology(ICMAP 2009)
- 発表場所
  BEXCO Convention Center, Busan, Korea
- 年月日
  2009-09-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Fabrication technique for moth-eye structure using low-energy electron-beam projection lithography for high-performance blue-light-emitting diode on SiC substrate2009
- 著者名/発表者名
  T. Seko, S. Mabuchi, F. Teramae, A. Suzuki, Y. Kaneko, R. Kawai, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West. 2009
- 発表場所
  サンノゼ(米国)
- 年月日
  2009-01-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] Fabrication technique for moth-eye structure using low-energy electron-beam projection lithography for high-performance blue-light-emitting diode on SiC substrate2009
- 著者名/発表者名
  瀬古知世、馬渕翔、寺前文晴、鈴木敦志、金子由基夫、河合良介、上山智、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2009
- 発表場所
  San Jose, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes2009
- 著者名/発表者名
  H.Amano, S.A.Inada, K.Nagamatsu, K.Takeda, T.Asai, K.Nagata, K.Nonaka, T.Mori, H.Tsuzuki, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
- 学会等名
  SIMC-XV 招待講演
- 発表場所
  Vilnius, Lithuania.
- 年月日
  2009-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Growth and Conductivity Control of High-Quality GaInN for the Realization of High Efficiency Photovoltaic Devices2009
- 著者名/発表者名
  H.Amano, Y.Kuwahara, Y.Fujiyama, Y.Morita, D.Iida, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
- 学会等名
  POEM2009
- 発表場所
  Wuhan, China
- 年月日
  2009-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 窒化物半導体応用の波長範囲の拡大, -赤外から紫外まで-2009
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  赤崎先生京都賞受賞記念ワークショップ
- 発表場所
  京都国際会館
- 年月日
  2009-11-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Challenge for short wavelength semiconductor UV laser diodes2009
- 著者名/発表者名
  H.Amano, H.Tsuzuki, T.Mori, K.Takeda, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
- 学会等名
  Proceedings of SPIE Volume 7216
- 発表場所
  San Jose Convention Center, USA
- 年月日
  2009-01-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] High Output Power AlGaN/GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes by Activation of Mg-Doped P-Type AlGaN in Oxygen Ambient2009
- 著者名/発表者名
  Kengo Nagata, Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
- 学会等名
  ICNS 8
- 発表場所
  済州島、韓国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 酸素雰囲気中でのp型AlGaNの活性化による高出力AlGaN/GaN紫外LED2009
- 著者名/発表者名
  永田賢吾, 竹田健一郎, 市川友紀, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  応用物理学会第70回応用物理学関連連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 活性化アニールによるp型Al_<0.17>Ga_<0.83>Nの正孔濃度と接触比抵抗の評価2009
- 著者名/発表者名
  永田賢吾, 竹田健一郎, 永松謙太郎, 都築宏俊, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  応用物理学会第56回応用物理学関連連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Revolutions in Solid State Lighting Technology2009
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  International Workshop on EEWS
- 発表場所
  Daejeon Convention Center, Korea
- 年月日
  2009-09-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 文部科学省科研費特定領域研究窒化物光半導体のフロンティア企画「紫外発光素子の進展」2009
- 著者名/発表者名
  名西〓之、吉田治正、川上養一、平松和政、船戸充、川西英雄、平山秀樹、天野浩
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-18069013
[学会発表] Mg-doped AIN下地層によるAlGaNの低転位化の機構2009
- 著者名/発表者名
  浅井俊晶, 野中健太朗, 伴和仁, 永田賢昌, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 非極性a面p-GaNのMg濃度の最適化2009
- 著者名/発表者名
  田村健太、飯田大輔、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  第70回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes2009
- 著者名/発表者名
  H.Amano, S.A.Inada, K.Nagamatsu, K.Takeda, T.Asai, K.Nagata, K.Nonaka, T.Mori, H.Tsuzuki, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
- 学会等名
  SIMC-XV
- 発表場所
  Vilnius, Lithuania
- 年月日
  2009-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Mg-doped AIN下地層を用いた低転位AlGaNの微細構造観察2009
- 著者名/発表者名
  野中健太朗, 浅井俊晶, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 9-a-X-2高品質GaN基板への期待2009
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本学術振興会第161委員会企画「GaN基板ウエハ実現の鍵を握る結晶育成・加工技術～その現状と課題、及び将来展望～」
- 発表場所
  黒田講堂ホール、富山
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] AlGaN中のMgの活性化エネルギー(II)2009
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎, 浅井俊晶, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 高温MOVPEを用いたAlN周期溝上AlGaN中の転位密度のAlNモル分率依存性2008
- 著者名/発表者名
  浅井俊晶、住井隆文、加藤尚文、佐藤周夜、森俊晶、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学(船橋校舎)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Activation energy of Mg in AlGaN2008
- 著者名/発表者名
  K. Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. and Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Swiss
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] NおよびAlをドープした6H-SiCの光学特性評価2008
- 著者名/発表者名
  三好晃平、上山智、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] Growth of Group III Nitrides For UV and Green Light Emitting Devices2008
- 著者名/発表者名
  H. Amano
- 学会等名
  The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] High efficiency UV LEDs and LDs2008
- 著者名/発表者名
  H. Amano
- 学会等名
  5^<th> China International Forum on Solid State Lighting
- 発表場所
  Shenzhen, China
- 年月日
  2008-07-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Short wavelength semiconductor laser diodes2008
- 著者名/発表者名
  H. Amano, H. Tsuzuki, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  Japan- Brazil Memorial Symposium on Science and Technology for the Celebration of 100 Years of Japanese Immigration in Brazil
- 発表場所
  Universidade de Sao Paulo, Brazil
- 年月日
  2008-06-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Relaxation process of Al_xGa_<1-x>N grown on high-crystalline-quality A1N2008
- 著者名/発表者名
  T. Asai, K. Nagata, T. Mori, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
- 学会等名
  Technical Digest ISGN-2
- 発表場所
  伊豆
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] AlN上AlGaNの結晶回復過程と溝加工テンプレートによる低転位化2008
- 著者名/発表者名
  竹田健一郎, 浅井俊晶, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  文部科学省科学研究費補助金特定領域研究公開シンポジウム「窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-」
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-08-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Novel UV devices on high quality AlGaN using grooved template2008
- 著者名/発表者名
  H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, H. Kan
- 学会等名
  Abstracts of the Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  伊豆
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer2008
- 著者名/発表者名
  H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Twaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, H. Kan
- 学会等名
  Abstracts of the International Workshop on Nitride semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Swiss
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 高正孔濃度p型AlGaN2008
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-」公開シンポジウム
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-08-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Microstructure in Al_xGai_<1-x>N grown on AlN2008
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Mori, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Swiss
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Optimization of electrode configuration in large GaInN light-emitting2008
- 著者名/発表者名
  落合渉、河合良介、鈴木敦志、岩谷素顕、天野浩、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  diodes
- 発表場所
  Rust Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] ELOを用いた高温MOVPE成長AlN/Sapphire基板上のUV-LD特性評価2008
- 著者名/発表者名
  都築宏俊, 森史明, 市川友紀, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 吉田治正, 桑原正和, 山下陽滋, 菅博文
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集
- 発表場所
  中部大
- 年月日
  2008-09-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] High-reflectivity Ag-based ohmic contacts for blue light-emitting diodes2008
- 著者名/発表者名
  河合良介、森俊晶、落合渉、鈴木敦志、岩谷素顕、天野浩、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Monteux, Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] 周期溝下地結晶を用いたAl_<0.5>Ga_<0.5>Nの低転位化2008
- 著者名/発表者名
  竹田健一郎, 森史明, 小木曽裕二, 森俊晶, 浅井俊晶, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] ELOを用いた高温MOVPE成長AlN/サファイア基板上の高効率UV LED2008
- 著者名/発表者名
  都築宏俊、森史明、市川友紀、竹田健一郎、渡邊浩崇、飯田一喜、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇、坂東章
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学(船橋校舎)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Growth of Group III Nitrides For UV and Green Light Emitting Devices2008
- 著者名/発表者名
  H. Amano
- 学会等名
  The 4^<th> Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2008-05-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] AlGaN中のMgの活性化エネルギー2008
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎、岡田成仁、井村将隆、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学(船橋校舎)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Microstructure of AlN grown on SiC by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy and epitaxial lateral overgrowth2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, N. Okada, B. Krishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
- 学会等名
  The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Extremely Low Dislocation Content AlN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by High Temperature MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  B. Krishnan, H. Sugimura, A. Band oh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference of Nitride Semi conductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Stimulated Emission from Nonpolar and Polar AlN2007
- 著者名/発表者名
  N. Okada, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bando, H. Murotani, Y. Yamada
- 学会等名
  The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Nitride-Based UV Lasers2007
- 著者名/発表者名
  H. Amano, N. Kato, N. Okada, T. K awashima, K. Iida, K. Nagamatsu, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 学会等名
  The 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS 2007)
- 発表場所
  Florida, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] p型GaNゲートを用いた低オン抵抗ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETs2007
- 著者名/発表者名
  根賀亮平、藤井隆弘、中村彰吾、露口士夫、川島毅士、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  春季第54回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2007-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] p型GaNゲートを用いた高出力低損失normally-off型AlGaN/GaNHFETs2007
- 著者名/発表者名
  藤井隆弘、露口士夫、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  春季第54回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2007-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] p型GaNゲートを用いたnormally-off型A1GaN/GaN HFETsの構造最適化2007
- 著者名/発表者名
  水野克俊、藤井隆弘、中村彰吾、根賀亮平、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] UV Emitters Grown on High Crystalline Quality AlGaN on Sapphire2007
- 著者名/発表者名
  K. Iida, F. Mori, H. Watanabe, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama. T. Takagi. A. Bandoh
- 学会等名
  The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] High drain current and low loss normally-off-mode AIGaN/GaN junction HFETs with p-type GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T. Fujii, S. Nakamura, K. Mizuno, R. Nega, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
- 学会等名
  Group 45 Japan Society for Promotion of Science No. 110 Meeting
- 年月日
  2007-04-06
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] Internal Quantum Efficiency of Al_xGa_<1-x>N (0<x<1) on AlN Template2007
- 著者名/発表者名
  N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bando, H. Murotani, Y. Yamada
- 学会等名
  The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 窒素およびホウ素をドープした6H-SiCにおけるDAP発光の温度特性評価2007
- 著者名/発表者名
  村田諭是、柴田陽子、生田美奈、杉浦正明、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] Critical Issue in Growing High Quality Thick AlGaN by High-Temperature MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  N. Kato, T. Sumii, S. Sato, H. Sugimura, N. Okada, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. B andoh
- 学会等名
  The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 「窒化物の新展開」特定領域研究企画「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-2007
- 著者名/発表者名
  名西〓之、藤岡洋、纐纈明伯、吉川明彦、川上養一、上殿明良、天野浩、平山秀樹、岸野克巳
- 学会等名
  2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-18069013
[学会発表] 窒素およびホウ素をドープした6H-SiCにおけるDAP発光の温度特性評価2007
- 著者名/発表者名
  村田諭是, 柴田陽子, 生田美奈, 杉浦正明, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] High temperature metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlN and AlGaN for fabrication of high performance UV/DUV emitters2007
- 著者名/発表者名
  K. Balakrishnan, Kazuyoshi Iida, H. Watanabe, H. Amano, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  17th International Vacuum Congress(IVC-17),
- 発表場所
  Stockholm, Sweden
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 窒素およびホウ素をドープした6H-SiCのアニール効果2007
- 著者名/発表者名
  柴田陽子, 村田諭是, 生田美奈, 杉浦正明, 林啓二, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 新田州吾, 木下博之
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] Effect of sapphire mis-orientation on the growth of AlN by high temperature MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  K. Nagamatsu, N. Okada, N. Kato, T. Sumii, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 紫外発光素子への期待とIII族窒化物半導体を用いた紫外発光素子の高性能化2007
- 著者名/発表者名
  天野浩, 岩谷素顕, 上山智, 赤崎勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 窒化物系半導体の最近の動向と課題2007
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本学術振興会結晶加工と評価技術第45委員会 110回研究会
- 発表場所
  四ツ谷、東京
- 年月日
  2007-06-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] High drain current and low loss normally-off-mode AlGaN/GaN junction HFETs with p-type GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, S.Nakamura, K.Mizuno, R.Nega, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas,U.S.A
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] Epitaxial lateral overgrowth of low dislocation density AlN by high temperature MOVPE and fabrication of UV optoelectronics devices2007
- 著者名/発表者名
  K. Nagamatsu, N. Okada, F. Mori, K. Iida, M. Imura, K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
- 学会等名
  The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] High drain current and low loss normally-off-mode AlGaN/GaN junction HFETs with p-type GaN gate contact2007
- 著者名/発表者名
  T. Fujii, S. Nakamura, K. Mizuno, R. Nega, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, U. S. A
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] Technical issues for the realization of new functional nitride-based optical and electron devices2007
- 著者名/発表者名
  H. Amano
- 学会等名
  No. 68 Japan Society for Applied Physics Annual Meeting
- 年月日
  2007-09-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] <デバイスの立場から> 窒化物半導体光・電子デバイス極限機能創出のための結晶成長の技術課題2007
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会第161委員会第54回研究会
- 発表場所
  千駄ヶ谷、東京
- 年月日
  2007-04-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] High temperature MOVPE growth-a novel approach to grow high quality AlN layers2007
- 著者名/発表者名
  B. Krishnan, M. Imura, S. Satoh, H. Sugimura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
- 学会等名
  The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] Microstructure of Threading Dislocations Caused by Grain Boundaries in AlN on Sapphire Substrate2007
- 著者名/発表者名
  M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
- 学会等名
  The 7th International Conference of Nitride Semi conductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069011
[学会発表] 窒素およびホウ素をドープした6H-SiCのアニール効果2007
- 著者名/発表者名
  柴田陽子、村田諭是、生田美奈、杉浦正明、林啓二、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇、新田州後、木下博之
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560353
[学会発表] <デバイスの立場から>窒化物半導体光・電子デバイス極限機能創出のための結晶成長の技術課題2007
- 著者名/発表者名
  天野浩
- 学会等名
  日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会第161委員会第54回研究会
- 発表場所
  千駄ケ谷、東京
- 年月日
  2007-04-13
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] p型GaNゲートを用いたnormally-off型AlGaN/GaN HFETsの構造最適化2007
- 著者名/発表者名
  水野克俊、藤井隆弘、中村彰吾、根賀亮平、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] Recent development of nitride semiconductors2006
- 著者名/発表者名
  H. Amano
- 学会等名
  THE 55th JAPAN NATIONAL CONGRESS ON THEORETICAL AND APPLIED MECHANICS
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2006-01-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206036
[学会発表] Demonstration of GaInN-based laser pumped by an electron beam
- 著者名/発表者名
  M. Iwaya, K. Kozaki, T. Yamada, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, Y. Honda, H. Amano, S. Iwayama, J. Matsuda, N. Matsubara, and T. Matsumoto
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 発表場所
  ヴロツワフ/ポーランド
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Morphology Control of GaN-based Nano-LEDs Grown by Pulsed-mode MOCVD Epitaxy and its Material/Optical Chracterization
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byung Oh Jung, Jun-Yeob Lee, Jung-Hong Min, Dong-Seon Lee, Yoshihiro Kato, Masataka Imura, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ENGE2014
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2014-11-17 – 2014-11-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[学会発表] Dislocation Density Dependence of Modal Gain in AlGaN/AlN Multiquantum Wells
- 著者名/発表者名
  Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  アトランタ/アメリカ
- 年月日
  2014-05-18 – 2014-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of Highly Ordered GaN Nanorod Light-Emitting Didoes on Si-Based AlN Template for Epitaxial Transfer
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byung Oh Jung, Ho-Jun Lee, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  LEDIA15
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366
[学会発表] スパッタ法AlNテンプレート基板を用いたAlNのHVPE成長
- 著者名/発表者名
  安井大貴、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011

1. 赤崎勇 (20144115)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 1件
2. 岩谷素顕 (40367735)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 218件
3. 上山智 (10340291)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 166件
4. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 100件
5. 山口雅史 (20273261)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 38件
6. BAE SI-YOUNG

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 39件
7. 成塚重弥 (80282680)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 井村将隆 (80465971)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
9. 小出康夫 (70195650)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
10. 平松和政 (50165205)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 名西やす之 (40268157)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 吉川明彦 (20016603)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
13. 岸野克巳 (90134824)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
14. 川上養一 (30214604)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
15. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 船戸充 (70240827)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
17. 丸山隆浩 (30282338)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 出来真斗 (80757386)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
19. 大野雄高 (10324451)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
21. 竹内哲也 (10583817)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 32件
22. 福山博之 (40252259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 森田明理 (30264732)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 澤木宣彦 (70023330)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 田中成泰 (70217032)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
26. 佐々木昭夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 高橋清

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 西永頌

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 橋本雅文

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. AVIT GEOFFREY

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
31. SCHIMMEL SASKIA

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
32. 宇佐美徳隆

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

天野 浩 AMANO HIROSHI

矢野 浩 ヤノ ヒロシ

研究課題

研究成果

共同研究者

GaNのIMPATT格子によるコヒーレントハイパワーTHz源研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

アンモノサーマル法による高品質ＧａＮ基板成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ＩｎＧａＮナノロッド創・省エネルギーデバイス・システム研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

無触媒窒化物系ナノワイヤの有機金属化合物気相成長と太陽光発電素子応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

無触媒窒化物系ナノワイヤの有機金属化合物気相成長と太陽光発電素子応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

パルス状窒素ラジカル供給による超高品質InGaN超格子PAMBE成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

圧力印加MOVPEによる高品質InGaN厚膜成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

天野浩 AMANO HIROSHI

矢野浩ヤノヒロシ