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大井川 治宏  Oigawa Haruhiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60223715
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 筑波大学, 数理物質系, 講師
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2014年度: 筑波大学, 数理物質系, 講師
2004年度 – 2006年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 講師
2002年度 – 2003年度: 筑波大学, 物理工学系, 講師
1998年度: 筑波大学, 物理工学系, 講師
1997年度 – 1998年度: 筑波大学, 物質工学系, 講師
1994年度: 筑波大学, 物質工学系, 講師
1990年度 – 1993年度: 筑波大学, 物質工学系, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
応用光学・量子光工学
研究代表者以外
表面界面物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 薄膜・表面界面物性
キーワード
研究代表者
フォトルミネッセンス法 / X線光電子分光法 / オージェ電子分光法 / 保護膜 / 硫黄処理 / 端面劣化 / 半導体レーザ
研究代表者以外
GaAs / 表面処理 / 硫化物処理 … もっと見る / 界面欠陥 / carrier dynamics / fast phenomena / laser-combined STM / nanotechnology / STM / X-ray Standing Wave Technique / Photoelectron Spectroscopy / Sulfur Treatment / X線定在波法 / 光電子分光法 / 硫黄処理 / 砒化ガリウム / ポンププローブ法 / フェムト秒 / ナノテクノロジー / 超短パルスレーザー / 走査トンネル顕微鏡 / 走査プローブ顕微鏡 / 水素感応性 / 表面準位 / ショットキ-接合 / 分子レクトロニクス / ナノ構造 / 分子エレクトロニクス / 超短パルス光 / 新機能素子 / ナノサイエンス / トンネル効果 / 新奇機能素子 / フェムト秒時間分解 / 超高速現象 / Temp. Difference LPE / Sulfur treatment / Crystal growth / Limit of low defect density / 温度差液相成長 / いおう表面処理 / 結晶成長 / 超低欠陥 / 低温液相結晶成長 / 温度差法結晶成長 / 液相エピタキシイ / 低結晶成長温度 / 多硫化アンモニウム / LPE / 低欠陥密度 / Reflection High-energy ElectronDiffraction / Scanning Tunneling Microscopy / Interface Structure / Molecular Beam Epitaxy / トンネル顕微鏡 / 光電子分光 / 分子線エピタキシー / 反射型高速電子線回析 / 走査型トンネル顕微鏡 / 界面構造物性 / 分子線エピタキシ- / Positron annihilation Technique / Scanning tunneling Microscopy / Electronic Properties / Surface Defects / IIIーV族化合物半導体 / 表面構造 / 表面物性 / III-V族化合物半導体 / 陽電子消滅法 / トンネル電子顕微鏡 / 電子特性 / 表面欠陥 / スピントロニクス / ポンプブローブ法 / ナノ科学 / 超高速分光 / 時間分解計測 / 可視化 / スピンダイナミックス 隠す
  • 研究課題

    (8件)
  • 研究成果

    (8件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  スピンダイナミックス可視化技術の開拓と新奇機能素子開発への展開

    • 研究代表者
      重川 秀実
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      筑波大学
  •  ナノ構造・超高速現象の解析制御と次世代新機能素子開発への展開

    • 研究代表者
      重川 秀実
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      筑波大学
  •  超低欠陥GaAs結晶成長への挑戦

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      (財)国際科学振興財団
  •  半導体レーザの端面劣化機構とその抑制研究代表者

    • 研究代表者
      大井川 治宏
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      筑波大学
  •  硫黄処理GaAs表面の分子線エピタキシ-とその界面構造物性

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      筑波大学
  •  GaAsショットキ-接合

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  GaAsショットキ-接合

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  砒化ガリウムの表面(界面)物性と硫黄処理効果

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      筑波大学

すべて 2014 2010 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Probing ultrafast spin dynamics with optical pump-probe scanning tunnelling microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Shoji Yoshida, Yuta Aizawa, Zi-han Wang, Ryuji Oshima, Yutaka Mera, Eiji Matsuyama, Haruhiro Oigawa, Osamu Takeuchi, and Hidemi Shigekawa
    • 雑誌名

      Nature Nanotechnology

      巻: 9 号: 8 ページ: 588-593

    • DOI

      10.1038/nnano.2014.125

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22226003, KAKENHI-PROJECT-24710147
  • [雑誌論文] Tip-induced band bending and its effect on local barrier height measurement studied by light modulated scanning tunneling spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      S.Yoshida, J.Kikuchi, Y.Kanitani, O.Takeuchi, H.Oigawa, H.Shigekawa
    • 雑誌名

      surf.sci. & technol. 4(e-journal)

      ページ: 192-196

    • NAID

      130004438990

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14102011
  • [雑誌論文] How to realize ultimate spatial and temporal resolutions by laser combined scanning tunneling microscopy?2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shigekawa, O.Takeuchi, M.Aoyama, Y.Terada H.Kondo, H.Oigawa
    • 雑誌名

      MRS Fall meeting, Symposium R Proceedings (Invited)(MRS Online Library)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14102011
  • [雑誌論文] Development of femtosecond time-resolved scanning tunneling microscopy.2004

    • 著者名/発表者名
      H.Shigekawa, O.Takeuchi, M.Aoyama, H.Oigawa
    • 雑誌名

      Ouyou Butsuri (in Japanese) 73(10)

      ページ: 1318-1323

    • NAID

      10013651922

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14102011
  • [雑誌論文] Characteristic of the Si(100) Surface Low-Temperature Phase with Two Competing Structures Investigated by Rare Gas Adsorption2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, S.Yoshida, O.Takeuchi, E.Matsuyama, H.Oigawa, H.Shigekawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.(Express Letter) Vol.43,No.7B

    • NAID

      10013316568

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14102011
  • [雑誌論文] Nanoscale Dynamics Probed by Laser-Combined Scanning Tunneling Microscopy

    • 著者名/発表者名
      H.Shigekawa, S.Yoshida, O.Takeuchi, M.Aoyama, Y.Terada, H.Kondo, H.Oigawa
    • 雑誌名

      Thin solid film (in print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14102011
  • [学会発表] パルス対励起型STMによる硫黄処理GaAs(001)表面のキャリアダイナミックスと基板依存性2010

    • 著者名/発表者名
      大井川治宏、寺田康彦、大久保淳史、岩田康史、藤田高士、佐々木亮、武内修、重川秀実
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22226003
  • [学会発表] Study on (NH4)2S-treated GaAs(001) Surface by Time-resolved ScanningTunneling Microscopy

    • 著者名/発表者名
      H. Oigawa
    • 学会等名
      20th International Colloquium on Scanning ProbeMicroscopy (ICSPM20)
    • 発表場所
      沖縄かりゆしアーバンリゾート・ナハ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22226003
  • 1.  南日 康夫 (10133026)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  重川 秀実 (20134489)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 7件
  • 3.  徳山 巍 (40197885)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  武内 修 (20361321)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 5.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  保田 諭 (90400639)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  寺田 康彦 (20400640)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件

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