斉藤幸喜 Saito Kouki

研究者番号	60225703
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 帝京科学大学, 生命環境学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2002年度 – 2004年度: 帝京科学大学, 理工学部, 助教授 1996年度: 帝京科学大学, 理工学部, 講師 1995年度: 西東京科学大学, 理工学部, 講師
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者 N-doping / Ga-doping / MOCVD / ALE / ZnO / GaN template / Sapphire substrate / Atomic Layer Growth / ZnInSe / InSe / Cdフリーバッファ層 / グレーデッドバンドギャプ構造 / Cu(InGa)Se_2太陽電池 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る ZnO / photo-ALD / ALD / photo-MOCVD / MOCVD / Solar Cell / Transparent conductive Oxide / D_2O / 太陽電子用透明導電膜 / 太陽電池用透明導電膜 / 光ALD法 / ALD法 / 光MOCVD法 / MOCVD法 / 太陽電池 / 透明導電膜隠す

原子層成長法によるZnO薄膜の伝導性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  斉藤幸喜
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  帝京科学大学
高効率Cu(InGa)Se_2太陽電池に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  斉藤幸喜
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  帝京科学大学
光MOCVD法による配向制御ZnO透明導電膜の開発
- 研究代表者
  
  高橋清
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  帝京科学大学
   東京工業大学

すべて 2004 2002

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Effects of GaN template on atomic-layer-epitaxy growth of ZnO2004
- 著者名/発表者名
  K.Saito, K.Nagayama, Y.Hosokai, K.Ishida, K.Takahashi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol.1
  
  ページ: 969-972
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550308
[雑誌論文] MOCVD growth of monomethylhydrazine-doped ZnO layers2004
- 著者名/発表者名
  K.Saito, K.Nagayama, Y.Hosokai, K.Ishida, K.Takahashi, M.Konagai, Bao-Ping Zhang
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.272
  
  ページ: 805-809
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550308
[雑誌論文] Effects of GaN template on atomic-layer-epitaxy growth of ZnO2004
- 著者名/発表者名
  Koki Saito
- 雑誌名
  
  physica status solidi c(1)
  
  ページ: 969-972
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550308
[雑誌論文] MOCVD growth of monomethylhydrazine-doped ZnO layers2004
- 著者名/発表者名
  Koki Saito
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 272
  
  ページ: 805-809
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550308
[雑誌論文] Atomic Layer Growth and Characterization of ZnO Thin Films2002
- 著者名/発表者名
  K.Saito, Y.Yamamoto, A.Matsuda, S.Izumi, T.Uchino, K.Ishida, K.Takahashi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b) Vol.229
  
  ページ: 925-929
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550308
[雑誌論文] Atomic Layer Growth and Characterization of ZnO Thin Films2002
- 著者名/発表者名
  Koki Saito
- 雑誌名
  
  physica status solidi b(229)
  
  ページ: 925-929
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550308

1. 高橋清 (10016313)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 小長井誠 (40111653)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 松澤剛雄 (00229460)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 山田明 (40220363)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 西村啓道

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

斉藤 幸喜 Saito Kouki

研究課題

研究成果

共同研究者

原子層成長法によるZnO薄膜の伝導性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高効率Cu(InGa)Se_2太陽電池に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光MOCVD法による配向制御ZnO透明導電膜の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effects of GaN template on atomic-layer-epitaxy growth of ZnO2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] MOCVD growth of monomethylhydrazine-doped ZnO layers2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Effects of GaN template on atomic-layer-epitaxy growth of ZnO2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] MOCVD growth of monomethylhydrazine-doped ZnO layers2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Atomic Layer Growth and Characterization of ZnO Thin Films2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Atomic Layer Growth and Characterization of ZnO Thin Films2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

斉藤幸喜 Saito Kouki