武内道一 TAKEUCHI Misaichi

… 別表記

竹内道一 TAKEUCHI Masaichi

研究者番号	60284585
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 立命館大学, 立命館グローバル, 准教授 2009年度 – 2011年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 准教授 2010年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション推進機構, 准教授 2007年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 研究員 2007年度: 理化学研究所, ナノサイエンス研究プログラム, 研究員 2000年度 – 2002年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 研究員 1997年度 – 1999年度: 九州工業大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系研究代表者以外応用物理学一般 / 電子・電気材料工学 / 極微細構造工学 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者結晶成長 / 縦型発光素子 / AlGaN / AlN / 量子井戸 / III族窒化物半導体 / 深紫外発光素子 / レーザーリフトオフ / AIGaN / AIN … もっと見る / その場観察 / クリティカルシックネス / アンチサーファクタント / 長波長帯レーザー / 量子ドット / InGaAsN / 格子欠陥 / 長波長発光素子 / 化合物半導体 / 波動関数光学 / 光電流分工法 / 二重量子井戸 / 電気光学効果素子 / アルミニウムヒ素 / ガリウムヒ素 / 波動関数工学 / 光電流分光法 / ワニエ・シュタルク局在現象 / 半導体超格子 … もっと見る研究代表者以外 GaAs / 光電気効果 / 光電流スペクトル / 半導体超格子 / AlGaN / temperature modulation technique / boron oxide material / flax crystal growth technique / anti-surfactant method / hetero nonlinear photonic crystal / vertical type Deep UV LED / two light beam in-situ monitoring system / deep UV LED / ワイドバンドギャップ / LED / ドーピング / p型 / Al N / ナノテクノロジー / 半導体発光デバイス / 深紫外 / 低転位化 / レーザーリフトオフ / 低転移化 / 縦型LED / 結晶成長 / 深紫外線 / Al GaN / MOCVD / p型ZnO / フラックス法 / 高効率深紫外波長変換 / 非線型フォトニック結晶 / 量子ドットAlInGaN / 表面核生成機構 / 良質AlGaN / 縦型深紫外LED / 温度変調結晶成長法 / ボロン酸化物 / フラックス結晶成長法 / アンチサーファクタント / ヘテロ非線形フォトニック結晶 / 縦型深紫外発光素子 / 2光束その場観測システム / 深紫外半導体発光素子 / CARBONNANOTUBE / NITRIDE SEMICONDUCTOR / INFRARED CONTROL / SPIN / SINGLE-ELECTRON / QUANTUM DOTS / 単一電子トランジスタ / AlN / GaN / 赤外光 / 電子スピン / 選択成長法 / MBE / クーロンブロッケード / 単一電子スピン / 半導体量子ドット / 窒化物 / カーボンナノチューブ / 窒化物半導体 / 赤外制御 / スピン / 単一電子 / 量子ドット / photo-excited carrier transport / photo-electric effect / scanning tunneling microscopy (STM) / quantum well / local probe / photocurrent / tuneling / ピエゾ素子 / トンネル電流 / 光生成キャリア / 共鳴励起 / 走査型トンネル電子顕微鏡 / 光励起キャリアー伝導 / 走査型トンネル顕微鏡 / 量子井戸 / 局所プローブ / 光電流 / トンネル効果 / resonant tunneling / photoelectric effect / excitonic effect / Stark effect / optical transition / Photocurrent spectra / quantum structure / semiconductor superlattice / 励起+効果 / 共鳴トンネル効果 / 励起子効果 / シュタルク効果 / 光学遷移 / 量子構造 / 水殺菌 / 高効率 / 水銀灯 / スパッタ装置 / 2光速同時その場観測法 / 高品質GaAlN結晶 / 高出力 / 医療応用 / 水浄化 / 深紫外発光素子 / MIPE / マイクロプラズマ / 深紫外光隠す

新しい高出力深紫外発光素子の開発
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  立命館大学
2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  武内道一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  立命館大学
新機軸基板剥離式縦型深紫外発光素子に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  武内道一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  立命館大学
ナノテクノロジーを用いた深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2007
- 研究種目
  
  学術創成研究費
- 研究機関
  立命館大学
   東京工業大学
窒化物半導体量子ドットにおける単一電子スピンの赤外光制御とその応用
- 研究代表者
  
  川崎宏治, 青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  東京工業大学
長波長帯半導体量子ドットレーザーのための新素材・新形成法に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  武内道一
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  理化学研究所
局所共鳴光励起による微小領域の光電流応答測定装置の試作
- 研究代表者
  
  藤原賢三
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州工業大学
非対称二重周期超格子のワニエ・シュタルク局在現象に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  武内道一
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州工業大学
半導体超格子空間における光学遷移過程の電界制御
- 研究代表者
  
  藤原賢三
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  極微細構造工学
- 研究機関
  九州工業大学

すべて 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Formation of AlGaN and GaN epitxial layer with high p-carrier concentration by pulse supply of source2012
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H. Hirayama
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 2 号: 1 ページ: 0012177-0012183
- DOI
  10.1063/1.3698156
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[雑誌論文] III-Nitride epitaxy on atomically controlled surface of sapphire substrate with slight misorientation2012
- 著者名/発表者名
  H. Aida, S. W. Kim, K. Sunakawa, N. Aota, K. Koyama, M. Takeuchi, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 ページ: 25502-25502
- NAID
  210000140156
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[雑誌論文] High-sensitivity ozone sensing using 280nm deep ultraviolet light-emitting diode for depletion of natural hazard ozone2012
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Sugano, Y. Ahiko, H. Nakamura
- 雑誌名
  
  Journal of Environmental Protection
  
  巻: 3 ページ: 695-699
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[雑誌論文] III-Nitride epitaxy on atomically controlled surface of sapphire substrate with slight misorientation2012
- 著者名/発表者名
  H.Aida, S.W.Kim, K.Sunakawa, N.Aota, K.Koyama, M.Takeuchi, T.Suzuki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 51 号: 2R ページ: 25502-25509
- DOI
  10.1143/jjap.51.025502
- NAID
  210000140156
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[雑誌論文]2012
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H.Hirayama
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  ページ: 12177-12183
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[雑誌論文]2012
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Sugano, Y. Ahiko,H. Nakamura
- 雑誌名
  
  Journal of Environmental Protection
  
  巻: 137 ページ: 1215-1218
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[雑誌論文] High hole carrier concentration realized by alternative co-doping technique in metal organic chemical vapor deposition2011
- 著者名/発表者名
  Y.Aoyagi, M.Takeuchi, S.Iwai, H.Hirayama
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 99 号: 11
- DOI
  10.1063/1.3641476
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013, KAKENHI-PROJECT-22246051
[雑誌論文]2011
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H.Hirayama
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Letters
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[雑誌論文] High hole carrier concentration realized by alternative co-doping technique in metal organic chemical vapor depositioN2011
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, and H. Hirayama
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 99 ページ: 112110-112110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[雑誌論文] Inactivation of Bacterial Viruses in Water Using Deep Ultraviolet Semiconductor Light-Emitting Diode2011
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, N. Yasui, N. Kamiko, T. Araki and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  J. Environ. Eng
  
  巻: 137 ページ: 1215-1215
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[雑誌論文] AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current2009
- 著者名/発表者名
  T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda, Y.Aoyagi.
- 雑誌名
  
  ELECTRONICS LETTERS 45
  
  ページ: 1346-1347
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[雑誌論文] AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current2009
- 著者名/発表者名
  T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda, Y.Aoyagi
- 雑誌名
  
  ELECTRONICS LETTERS 45
  
  ページ: 1346-1347
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[雑誌論文] AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current2009
- 著者名/発表者名
  T. Nanjo, M. Takeuchi, A. Imai, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, E. Yagyu, T. Kurata, Y. Tokuda and Y. Aoyagi
- 雑誌名
  
  ELECTRONICS LETTERS
  
  巻: 94 ページ: 1346-1346
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[雑誌論文] Improvement of Al-Polar AlN Layer Quality by Three-Stage Flow-Modulati on Metalorganic Chemical Vapor Deposition2008
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] 高効率大面積AlGaN深紫外発光素子実現のためのMOCVD成長2008
- 著者名/発表者名
  武内道一、
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会第161委員会第54回研究会資料
  
  ページ: 21-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Improvement of Al-Polar AIN Layer Quality by Three-StageFlow-Modulation Metalorganic Chemical Vapor Deposition2008
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 1
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Improvement of Al-Polar MN Layer Quality by Three-Stage Flow-Modulation Metalorganic Chemical Vapor Deposition2008
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Improvement of crystalline quality of N-polar MN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 雑誌名
  
  J. Crystal. Growth 298
  
  ページ: 336-340
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Al-and N-polar AIN layers grown on c-plane sapphire substrates bymodified flow-modulation MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 305
  
  ページ: 360-365
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Al- and N-polar A1N layers grown on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 雑誌名
  
  Crystal Growth 305
  
  ページ: 360-365
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Al-and N-polar AlN layers grown on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi,
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 305
  
  ページ: 360-365
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, H.Shimizu, R.Kajitani, K.Kawasaki, Y.Kumagai, A.Koukits, Y.Aoyagi
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth, 298
  
  ページ: 336-336
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Improvement of crystalline quality of N-polar AIN layers on c-planesapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 298
  
  ページ: 336-340
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Combinatorial Experimentation and Materials Informatics2006
- 著者名/発表者名
  I.Takeuchi
- 雑誌名
  
  MRS Bulletin 31
  
  ページ: 999-1003
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Combinatorial Experimentation and Materials Informatics2006
- 著者名/発表者名
  I. Takeuchi
- 雑誌名
  
  MRS Bulletin. 31
  
  ページ: 999-1003
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Vertical AlGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting at 322 nm fabricated by the laser lift-off technique2006
- 著者名/発表者名
  K.Kawasaki, C.Koike, Y.Aoyagi, M.Takeuchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89・25
  
  ページ: 261114-261114
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[産業財産権] AlN層の製造方法およびAlN2011
- 発明者名
  青柳克信武内道一
- 権利者名
  立命館大学
- 産業財産権番号
  2011-151137
- 出願年月日
  2011-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[産業財産権] オゾン濃度測定装置2011
- 発明者名
  吉田薫, 武内道一, 青柳克信, 菅野裕靖, 阿彦由美, 菅野勝靖, 中村広隆
- 権利者名
  吉田薫, 武内道一, 青柳克信, 菅野裕靖, 阿彦由美, 菅野勝靖, 中村広隆
- 産業財産権番号
  2011-038925
- 出願年月日
  2011-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[産業財産権] オゾン濃度測定装置2011
- 発明者名
  吉田薫、武内道一、青柳克信、中村広隆、菅野裕晴、阿彦由美、菅野勝靖
- 権利者名
  (有)光電鍍工業、(独)都立産業技術研究センタ-、(学)立命館
- 産業財産権番号
  2011-038925
- 出願年月日
  2011-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2011
- 発明者名
  青柳克信, 武内道一, 上田吉裕, 太田征孝
- 権利者名
  青柳克信, 武内道一, 上田吉裕, 太田征孝
- 産業財産権番号
  2011-042479
- 出願年月日
  2011-02-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[産業財産権] AlN層の製造方法およびAlN層2011
- 発明者名
  武内道一、青柳克信
- 権利者名
  立命館大学
- 産業財産権番号
  2011-151137
- 出願年月日
  2011-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2011
- 発明者名
  青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
- 権利者名
  立命館大学、シャープ
- 産業財産権番号
  2011-042479
- 出願年月日
  2011-02-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[産業財産権] オゾン濃度測定装置2011
- 発明者名
  吉田薫、武内道一、青柳克信、中村広隆、菅野裕晴、阿彦由美、菅野勝靖
- 権利者名
  (有)光電鍍工業、(独)都立産業技術研究センター、(学)立命館
- 産業財産権番号
  2011-038925
- 出願年月日
  2011-02-24
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2010
- 発明者名
  青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
- 権利者名
  (学)立命館、シャープ(株)
- 産業財産権番号
  2010-155388
- 出願年月日
  2010-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2010
- 発明者名
  青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
- 権利者名
  青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
- 産業財産権番号
  2010-155388
- 出願年月日
  2010-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2010
- 発明者名
  青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
- 権利者名
  (学)立命館、シャープ(株)
- 産業財産権番号
  2010-155388
- 出願年月日
  2010-07-08
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[産業財産権] 結晶成長方及び半導体素子2010
- 発明者名
  青柳克信武内道一
- 権利者名
  立命館大学
- 産業財産権番号
  2010-155388
- 出願年月日
  2010-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[産業財産権] 窒化物半導体の製造方法2005
- 発明者名
  武内道一
- 権利者名
  東京工業大学
- 公開番号
  2006-278402
- 出願年月日
  2005-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] ウェハそりを制御した厚膜AlNテンプレート上の265nm帯深紫外LEDの作製2012
- 著者名/発表者名
  黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、新宿区(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 極性混在AlN上へのAlGaN量子ドット状キャリア局在構造2012
- 著者名/発表者名
  武内道一, 黒内正仁, 黄恩淑, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、新宿区(東京都)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] InN overgrowth through in situ AlN nano-mask on sapphire substrate2012
- 著者名/発表者名
  王科, 荒木努, 武内道一, 山口智広, 名西やすし
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、新宿区(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] ウェハそりを制御した厚膜AlNテンプレート上の265nm帯深紫外LEDの作製2012
- 著者名/発表者名
  黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] InN overgrowth through in situ AlN nano-mask on sapphire substrate2012
- 著者名/発表者名
  王科, 荒木努, 武内道一, 山口智広, 名西やすし
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] マイクロプラズマを用いた深紫外発光素子の原理実証研究2012
- 著者名/発表者名
  黒瀬範子, 黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、新宿区(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] マイクロプラズマを用いた深紫外発光素子の原理実証研究2012
- 著者名/発表者名
  黒瀬範子, 黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 極性混在AlN上へのAlGaN量子ドット状キャリア局在構造2012
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 高パワー深紫外半導体発光デバイスの開発2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信、渡辺正幸、荒川彰
- 学会等名
  京都ナノクラスター第二回グループミーティング
- 発表場所
  JSTイノベーションプラザ(京都)(Invited)
- 年月日
  2011-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 市販MOCVD装置によるAlGaN系深紫外LEDとその素子応用2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学、山形市(山形県)
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Development of III-Nitride based deep-UV LEDs2011
- 著者名/発表者名
  Misaichi Takeuchi
- 学会等名
  Lecture ofdeep UV LEDs
- 発表場所
  Seoul Semiconductors安山市・韓国(Invited)
- 年月日
  2011-02-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 成長レート増加によるAlN成長中のウェハそり低減2011
- 著者名/発表者名
  黒内正仁、武内道一、青柳克信
- 学会等名
  第72会応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学、山形市(山形県)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] GaN～AlN窒化物半導体MOCVD結晶成長2011
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  窒化物半導体セミナー
- 発表場所
  東京農工大学(東京)(Invited)
- 年月日
  2011-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Development of III-Nitride based deep-UV LEDs2011
- 著者名/発表者名
  Misaichi Takeuchi
- 学会等名
  Lecture of deep UV LEDs
- 発表場所
  Seoul Semiconductors安山市・韓国(Invited)
- 年月日
  2011-02-17
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Over 1 mW Emission Achieved by Polarity-Inversion MOCVD Growth for AlGaN-Based Deep UV LEDs (λ〓265 nm)2011
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, M.Kurouchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 成長レート増加によるAlN成長中のウェハそり低減2011
- 著者名/発表者名
  黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] GaN～AlN窒化物半導体MOCVD結晶成長2011
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  窒化物半導体セミナー
- 発表場所
  東京農工大学(東京)(Invited)
- 年月日
  2011-02-04
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 高効率・高出力縦型深紫外発光素子の開発とその環境、バイオ・計測への応用2011
- 著者名/発表者名
  武内道一, 黒内正仁, 青柳克信
- 学会等名
  京都ナノクラスター生活資源グループ平成22年度第2回グループミーティング
- 発表場所
  JSTイノベーションプラザ京都(京都府)
- 年月日
  2011-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  武内道、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 発表場所
  長浜・滋賀(Invited)
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Recent progress in our AlGaN deep UV LEDs-over 6 mW operation2011
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, M. Kurouchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 8^<th> SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop on Compound Semiconductors
- 発表場所
  韓国、ソウル(招待講演)
- 年月日
  2011-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 発表場所
  長浜ロイヤルホテル・滋賀(Invited)
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 市販MOCVD装置によるAlGaN系深紫外LEDとその素子応用2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Over 1 mW Emission Achieved by Polarity-Inversion MOCVD Growth for AlGaN-Based Deep UV LEDs(λ265 nm)2011
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, M. Kurouchi, Y. Aoyagi
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-9)
- 発表場所
  グラスゴー(英国)
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Suppression of wafer curvature increment during AlN groth by increasing growth rate2011
- 著者名/発表者名
  黒内正仁、武内道一、青柳克信
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium(EMS30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、守山市(滋賀県)
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 発表場所
  長浜ロイヤルホテル(滋賀)(Invited)
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Recent progress in our AlGaN deep UV LEDs-over 6 mW operation(Invited)2011
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, M. Kurouchi, Y. Aoyagi
- 学会等名
  The 8th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop on Compound Semiconductors
- 発表場所
  ソウル(韓国)
- 年月日
  2011-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 高パワー深紫外半導体発光デバイスの開発2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信、渡辺正幸、荒川彰
- 学会等名
  京都ナノクラスター第二回グループミーティング
- 発表場所
  JSTイノベーションプラザ(京都)(Invited)
- 年月日
  2011-03-11
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  K.Yoshida, M, Kurouchi, M.Takeuchi, N.Yasui, N.Kamiko, Y.Nanishi, T.Araki, Y, Aoyagi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、吉田薫、黒内正仁、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
- 発表場所
  東北大学(宮城)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Formation of three-dimensional AlN structure for initial growth by an nealing AlN buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, M.Takeuchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ、フロリダ州
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Formation of three-dimensional AlN structure for initial growth by annealing AlN buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, M.Takeuchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ、フロリダ州
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測定2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、武内道一、荒木努、名西やすし、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] III-Nitride based deep UV light emitting devices for environmental issues2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 学会等名
  The 7th Scientific Conference of University of Science
- 発表場所
  ホーチミン市、ベトナム(Invited)
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, M, Kurouchi, M. Takeuchi, N. Yasui, N. Kamiko, Y. Nanishi, T. Araki, and Y. Aoyagi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium(EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺、伊豆市(静岡県)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外LEDによる水処理・オゾンセンサー(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第三回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
- 発表場所
  東北大学、仙台市(宮城県)
- 年月日
  2010-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] GaN系結晶成長とその場観察法2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  窒化物半導体セミナー
- 発表場所
  東京大学(東京)(Invited)
- 年月日
  2010-10-27
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信、安井宣仁、神子直之
- 学会等名
  第13回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  京都大学(京都)(Invited)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、林洋平、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚市(神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外LEDによる水処理・オゾンセンサー2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第三回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2010-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、武内道山、荒木努、名西〓之、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010
- 著者名/発表者名
  黒内正仁、武内道一、黄恩淑、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] III-Nitride based deep UV light emitting devices for environmental issues(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 学会等名
  The 7th Scientific Conference of University of Science
- 発表場所
  ホーチミンシティ(ベトナム)
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、吉田薫、黒内正仁、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
- 発表場所
  東北大学(宮城)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2010-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  K.Yoshida, M, Kurouchi, M.Takeuchi, N.Yasui, N.Kamiko, Y.
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] GaN系結晶成長とその場観察法2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  窒化物半導体セミナー
- 発表場所
  東京大学(東京)(Invited)
- 年月日
  2010-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlGaN系深紫外発光素子対応半導体層のMOCVD成長2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第52回CVD研究会
- 発表場所
  京都私学会館(京都)(Invited)
- 年月日
  2010-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正人、青柳克信、安井宣仁、神子直之
- 学会等名
  第13回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  京都大学(京都府)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] III-Nitride based deep UV light emitting devices for environmental issues2010
- 著者名/発表者名
  Misaichi Takeuchi
- 学会等名
  The 7th Scientific Conference of University of Science
- 発表場所
  Ho Chi Minh, Viet Nam
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Formation of Three-dimensional AlN Structure for Initial Growth by Annealing AlN Buffer Layer2010
- 著者名/発表者名
  M. Kurouchi, Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010(IWN2010)
- 発表場所
  タンパ(米国)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlGaN系深紫外発光素子対応半導体層のMOCVD成長2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第52回CVD研究会
- 発表場所
  京都私学会館(京都)(Invited)
- 年月日
  2010-12-13
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] III-Nitride based deep UV light emitting devices for environmental issues2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 学会等名
  The 7th Scientific Conference of University of Science
- 発表場所
  ホーチミン市、ベトナム(Invited)
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs-Water Purification and Ozone Sensing-(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, T. Araki, Y. Nanishi, Y. Aoyagi
- 学会等名
  The 6th SNU-Ritsumeikan Joint Workshop on Compound Semiconductors
- 発表場所
  ソウル(韓国)
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 極性混在AINバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010
- 著者名/発表者名
  黒内正仁、武内道一、黄恩淑、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、吉田薫、黒内正人、荒木努、名西〓之、青柳克信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] AlGaN-based deep UV light emitting devices for environment issues2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  MICINN-JST Joint Workshop on "Nanoscience and New Materials for Environmental Challenges"
- 発表場所
  バルセロナ(スペイン)
- 年月日
  2010-03-11
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010
- 著者名/発表者名
  黒内正仁, 武内道一, 黄恩淑, 青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学、長崎市(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信、安井宣仁、神子直之
- 学会等名
  第13回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  京都大学(京都)(Invited)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Field Plate構造を適用したAlGaN channel HEMTの特性2010
- 著者名/発表者名
  南條拓真、武内道一、今井章文、鈴木洋介、塩沢勝臣、吹田宗義、阿部雄次、柳生栄治、吉新喜市、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs -Water Purification and Ozone Sensing2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
- 発表場所
  Soeul, Korea
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010
- 著者名/発表者名
  黒内正人、武内道一、青柳克信
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Crack-free AlGaN/AlN Templates Grown on Si(111) Substrates by In-situ Void Formation Technique2010
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, Y. Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010(IWN2010)
- 発表場所
  タンパ(米国)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlGaN-based deep UV light emitting devices for environment issues(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 学会等名
  MICINN-JST JointWorkshop on "Nanoscience and New Materials for Environmental Challenges"
- 発表場所
  マドリード(スペイン)
- 年月日
  2010-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Formation of Three-dimensional AlN Structure for Initial Growth by Annealing AlN Buffer Love2010
- 著者名/発表者名
  Masahiro Kurouchi, Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Crack-free AlGaN/AlN Templates Grown on Si(111) Substrates by In-situ Void Formation Technique2010
- 著者名/発表者名
  Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、林洋平、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2010-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Field Plate構造を適用したAlGaN channel HEMTの特性2010
- 著者名/発表者名
  南條拓真、武内道一、今井章文、鈴木洋介、塩沢勝臣、吹田宗義、阿部雄次、柳生栄治、吉新喜市、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学、長崎市(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外LEDによる水処理・オゾンセンサー2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第三回窒化物半導体の高品質結晶とその素子応用
- 発表場所
  東北大学(宮城)(Invited)
- 年月日
  2010-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Crack-free AlGaN/AlN templates grown on Si(III)substrates by in-situ void formation technique2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ、フロリダ州
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs-Water Purification and Ozone Sensing-2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
- 発表場所
  ソウル、韓国(Invited)
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、林洋平、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  K.Yoshida, M, Kurouchi, M.Takeuchi, N.Yasui, N.Kamiko, Y.Nanishi, T.Araki, Y, Aoyagi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] AlGaN-based deep UV light emitting devices for environment issues2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 学会等名
  MICINN-JST Joint Workshop on "Nanoscience and New Materials for Environmental Challenges"
- 発表場所
  バルセロナ(スペイン)
- 年月日
  2010-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、吉田薫、黒内正人、荒木努、名西.之、青柳克信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状
- 発表場所
  東北大学、仙台市(宮城県)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外LEDによる水処理・オゾンセンサー2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第三回窒化物半導体の高品質結晶とその素子応用
- 発表場所
  東北大学(宮城)(Invited)
- 年月日
  2010-10-26
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測定2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、武内道一、荒木努、名西.之、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  発表場所:長崎大学、長崎市(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Crack-free AlGaN/AlN templates grown on Si(III) substrates by in-situ void formation technique2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ、フロリダ州
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正人、青柳克信、安井宣仁、神子直之
- 学会等名
  第13回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  京都大学、京都市(京都府)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測定2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、武内道一、荒木努、名西やすし、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Field Plate構造を適用したAlGaN chamel HEMTの特性2010
- 著者名/発表者名
  南條拓真、武内道一、今井章文、鈴木洋介、塩沢勝臣、吹田宗義、阿部雄次、柳生栄治、吉新喜市、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] AlGaN系深紫外発光素子対応半導体層のMOCVD成長2010
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第52回CVD研究会
- 発表場所
  京都私学会館、京都市(京都府)
- 年月日
  2010-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs-Water Purification and Ozone Sensing-2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
- 発表場所
  ソウル、韓国(Invited)
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、林洋平、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Investigation of AlN MOCVD Growth by Two-light-Beam in-situ Monitoring System2009
- 著者名/発表者名
  武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Drivability Enhancement of AlGaN Channel HEMTs2009
- 著者名/発表者名
  T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda, Y.Aoyagi
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] SiドープAlGaNの反りと結晶成長2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第2回窒化物半導体の高品質結晶成長と素子応用
- 発表場所
  東北大(宮城)
- 年月日
  2009-12-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlN～AlGaN MOCVD成長その場観察-縦型深紫外発光素子実現にむけて-2009
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大(東京)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] SiドープAlGaNの反りと結晶成長2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第2回窒化物半導体の高品質結晶成長と素子応用
- 発表場所
  東北大(宮城)
- 年月日
  2009-12-23
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] EpiCurve R-TTを用いた薄膜光干渉信号の分光学的解釈-成長,再蒸発,3D化,2D化,etc.-2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  レイテックセミナー
- 発表場所
  丸文東京本社(東京)
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 超格子はく離層を用いたAlGaN系レーザリフトオフ法によるダメージの評価2009
- 著者名/発表者名
  高橋聡、武内道一、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山)
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] AlN～AlGaN系窒化物半導体による大面積縦型発光素子のための結晶成長技術の確立2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第1回窒化物半導体の高品質結晶成長と素子応用
- 発表場所
  東北大(宮城)
- 年月日
  2009-07-31
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Wafer bowing control by polarity management of MOCVD AlN growth2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  Laytec Seminar
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-18
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Drivability Enhancement of AlGaN Channel HEMTs2009
- 著者名/発表者名
  T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda, Y.Aoyagi
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Designing of multiple quantum well structures to increase emission intensity from AlGaN LEDs2009
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, Y.Hayashi, M.Takeuchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlN～AlGaN MOCVD成長その場観察-縦型深紫外発光素子実現にむけて-2009
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大(東京)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 高出力深紫外縦型半導体発光素子の開発と水浄化への応用2009
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信
- 学会等名
  第12回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  お茶の水女子大(東京)
- 年月日
  2009-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Discussion about the growth model of AlN flow-modulation MOCVD2009
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi and Y. Aoyagi
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、守山市(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] SiドープAlGaNの反りと結晶成長(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第2回窒化物半導体の高品質結晶成長と素子応用
- 発表場所
  東北大学、仙台市(宮城県)
- 年月日
  2009-12-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Investigation of AlN MOCVD Growth by Two-light-Beam in-situ Monitoring System2009
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, Y. Aoyagi
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlN MOCVD成長の二光束成長その場観察2009
- 著者名/発表者名
  武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山市(富山県)
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] EpiCurve R-TTを用いた薄膜光干渉信号の分光学的解釈-成長,再蒸発,3D化,2D化,etc.-2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  レイテックセミナー
- 発表場所
  丸文大阪支社(大阪)
- 年月日
  2009-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Development of AlGaN-based vertical-type deep UV LEDs2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  Seoul National University Seminar
- 発表場所
  ソウル国立大(韓国)
- 年月日
  2009-10-27
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] AlGaN量子井戸構造に対するIII族元素を用いたポストアニール効果2009
- 著者名/発表者名
  吉田薫, 武内道一, 荒木努, 名西やすし, 青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山市(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Drivability Enhancement of AlGaN Channel HEMTs2009
- 著者名/発表者名
  T. Nanjo, M. Takeuchi, A. Imai, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, E. Yagyu, T. Kurata, Y. Tokuda, Y. Aoyagi
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlN MOCVD成長の二光東成長その場観察2009
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山)
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Designing of multiple quantum well structures to increase emission intensity from AlGaN LEDs2009
- 著者名/発表者名
  M. Kurouchi, Y. Hayashi, M. Takeuchi, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、守山市(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Designing of multiple quantum well structures to increase emission intensity from AlGaN LEDs2009
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, Y.Hayashi, M.Takeuchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] AlN～AlGaN MOCVD成長その場観察-縦型深紫外発光素子実現にむけて-(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学、小金井市(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 超格子はく離層を用いたAlGaN系レーザリフトオフ法によるダメージの評価2009
- 著者名/発表者名
  高橋聡, 武内道一, 荒木努, 名西やすし, 青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山市(富山県)
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 高出力深紫外縦型半導体発光素子の開発と水浄化への応用2009
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信
- 学会等名
  第12回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  お茶の水女子大(東京)
- 年月日
  2009-09-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 高出力深紫外縦型半導体発光素子の開発と水浄化への応用2009
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信
- 学会等名
  第12回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  お茶の水女子大、文京区(東京都)
- 年月日
  2009-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Disussion about the growth model of AlN folw-modulation MOCVD2009
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlN～AlGaN系窒化物半導体による大面積縦型発光素子のための結晶成長技術の確立2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第1回窒化物半導体の高品質結晶成長と素子応用
- 発表場所
  東北大(宮城)
- 年月日
  2009-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlGaN量子井戸構造に対するIII族元素を用いたポストアニール効果2009
- 著者名/発表者名
  吉田薫、武内道一、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] AlN MOCVD成長の二光束成長その場観察2009
- 著者名/発表者名
  武内道一、青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山)
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] EpiCurve R-TTを用いた薄膜光干渉信号の分光学的解釈-成長, 再蒸発, 3D化, 2D化, etc.-2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  レイテックセミナー
- 発表場所
  丸文東京本社(東京)
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Discussion about the growth model of AlN flow-modulation MOCVD2009
- 著者名/発表者名
  武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 超格子はく離層を用いたAlGaN系レーザリフトオフ法によるダメージの評価2009
- 著者名/発表者名
  高橋聡、武内道一、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山)
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] AlGaN量子井戸構造に対するIII族元素を用いたポストアニール効果2009
- 著者名/発表者名
  吉田薫、武内道一、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Wafer bowing control by polarity management of MOCVD AlN growth2009
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 学会等名
  Laytec Seminar
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Development of AlGaN-based vertical-type deep UV LEDs2009
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 学会等名
  Seoul National University Seminar
- 発表場所
  ソウル国立大(韓国)
- 年月日
  2009-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] EpiCurve R-TTを用いた薄膜光干渉信号の分光学的解釈-成長, 再蒸発, 3D化, 2D化, etc.-2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  レイテックセミナー
- 発表場所
  丸文大阪支社(大阪)
- 年月日
  2009-11-27
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] AlN～AlGaN系窒化物半導体による大面積縦型発光素子のための結晶成長技術の確立(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第1回窒化物半導体の高品質結晶成長と素子応用
- 発表場所
  東北大学、仙台市(宮城県)
- 年月日
  2009-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Investigation of AlN MOCVD Growth by Two-light-Beam in-situ Monitoring System2009
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外発光デバイス・超高耐圧電子デバイス対応A1GaN層用A1N/サファイアテンプレート2008
- 著者名/発表者名
  武内道一,
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] 終端バリア層厚制御によるA1GaN系深紫外LEDの注入効率の向上2007
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] MOCVD growth of vertical-type A1GaN deep-UV light emitting diodes2007
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第26回電子材料シンポジウム(EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県守山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] 高品質A1Nと流量変調法短周期超格子層を用いた280nm帯深紫外LED2007
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] N-polar AIN sacrificial layers grown by MOCVD for free-standing AlNsubstrates(Invited Talk2007
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 学会等名
  5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-5)
- 発表場所
  Salvador,Brazil
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] Two-dimensional electron gas formation in AlGaN/AlGaN heterostructures grown by MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi,
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductores (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] N-polar A1N sacrificial layers grown by MOCVD for free-standing A1N substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi,
- 学会等名
  5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-5)
- 発表場所
  Salvador, Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] MOCVD crystal growth for large scalc high efficient A1GaN Deep UV LED(invited talk)2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 学会等名
  Jpn. Society of Crystal growth
- 発表場所
  Tokyo
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] Photoluminescence study of AlGaN/AlGaN quantum well structures for deep UV emitters - barrier height and well width dependence, and growth interruption effect -2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi,
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductores (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] 高効率大面積AlGaN深紫外発光素子実現のためのMOCVD成長(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  武内道一
- 学会等名
  日本結晶成長学会特別講演会、日本学術振興会第161委員会第54会研究会「窒化物半導体の結晶成長の現状と課題
- 発表場所
  東京
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] N-polar AIN sacrificial layers grown by MOCVD for free-standing A1N substrates, (invited talk)2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 学会等名
  Semiconductors(IWBNS-5)
- 発表場所
  Salvador, Brazil
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] Improvement of crystalline quality for Al- and N-polar A1N layers by modified flow-modulation MOCVD growth, (invited talk)2006
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi
- 学会等名
  4th International Workshop on Bulk Nitride. Semiconductors(IWBNS-4)
- 発表場所
  Shiga, Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[学会発表] Improvement of crystalline quality for Al-and N-polar AlN layers bymodified flow-modulation MOCVD growth(Invited Talk)2006
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi
- 学会等名
  4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-4)
- 発表場所
  Shiga,Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207

1. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 41件
2. 黒内正仁 (10452187)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 56件
3. 川崎宏治 (10234056)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
4. 藤原賢三 (90243980)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 川島健児 (50284584)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 佐藤和郎 (30315163)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 石橋幸治 (30211048)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 井上振一郎 (20391865)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 平山秀樹 (70270593)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 松本祐司 (60302981)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 鯉沼秀臣 (70011187)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 前田瑞夫 (10165657)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 荒川泰彦 (30134638)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 黒瀬範子

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

武内 道一 TAKEUCHI Misaichi

竹内 道一 TAKEUCHI Masaichi

研究課題

研究成果

共同研究者

新しい高出力深紫外発光素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新機軸基板剥離式縦型深紫外発光素子に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノテクノロジーを用いた深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

窒化物半導体量子ドットにおける単一電子スピンの赤外光制御とその応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

長波長帯半導体量子ドットレーザーのための新素材・新形成法に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

局所共鳴光励起による微小領域の光電流応答測定装置の試作

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

非対称二重周期超格子のワニエ・シュタルク局在現象に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体超格子空間における光学遷移過程の電界制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Formation of AlGaN and GaN epitxial layer with high p-carrier concentration by pulse supply of source2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] III-Nitride epitaxy on atomically controlled surface of sapphire substrate with slight misorientation2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] High-sensitivity ozone sensing using 280nm deep ultraviolet light-emitting diode for depletion of natural hazard ozone2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] III-Nitride epitaxy on atomically controlled surface of sapphire substrate with slight misorientation2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文]2012

著者名/発表者名

武内道一 TAKEUCHI Misaichi

竹内道一 TAKEUCHI Masaichi