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石谷 善博  Ishitani Yoshihiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60291481
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 千葉大学, 大学院工学研究院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 千葉大学, 大学院工学研究院, 教授
2017年度 – 2020年度: 千葉大学, 大学院工学研究院, 教授
2016年度: 千葉大学, 大学院工学研究科, 教授
2011年度 – 2016年度: 千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2014年度: 千葉大学, 大学院工学研究科, 教授 … もっと見る
2008年度 – 2011年度: 千葉大学, 大学院・工学研究科, 教授
2007年度 – 2008年度: 千葉大学, 大学院・工学研究科, 准教授
2006年度: 千葉大学, 工学部, 助教授
2001年度 – 2004年度: 千葉大学, 工学部, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 理工系 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
窒化物半導体 / フォノン / 励起子 / フォノン制御 / LOフォノン / キャリアダイナミクス / GaN / ラマン分光 / エネルギー局在 / 表面マイクロ構造 … もっと見る / 2波長ラマン分光 / 深い準位 / 励起子ダイナミクス / フォノン輸送 / 縦光学モード / THz輻射 / 顕微ラマン分光 / 励起子ダイダイナミクス / 格子欠陥 / 半導体物性 / フォノンダイナミクス / 光物性 / フォノンポラリトン / テラヘルツ波 / 量子干渉 / THz / 赤外分光 / 量子井戸 / 縦光学フォノン制御 / 電子散乱 / 発光効率 / PXRモデル / フォノン系量子干渉 / 局所フォノン場 / 励起子輻射 / フォノン輸送制御 / THz波 / 欠陥評価 / 欠陥構造 / 複合材料 / ミスフィット転位 / 共焦点ラマン散乱 / ラマン散乱 / 特異構造 / 中赤外発光 / 縦光学フォノン / 電気双極子 / 金属半導体複合構造 / ファノ効果 / 電磁誘起透明化 / LOフォノン共鳴 / 輻射 / 中赤外 / THz吸収 / 界面フォノンポラリトン / THz発光 / フォノン局在制御 / 時間分解計測 / 時間分解PL / 発光デバイス / 太陽電池 / 結晶工学 / 結晶欠陥 / フォノンエンジニアリング / プラズモン / LOフォノン / 電気双極子モーメント / テラヘルツ / 半導体薄膜 / 界面モード / 半導体 / 界面分極 / 赤外光 / 正孔移動度 / カソードルミネッセンス / 正孔物性 / プラズモン・LOフォノン結合モード / 2次元電子ガス / 散乱異方性 / 電子移動度 / 高周波電子デバイス / 電子素子 / 赤外光物性 / 窒化インジウム / 結晶評価 / 時間分解フォトカレント / 時間分解フォトルミネッセンス / 輻射再結合 / 非輻射再結合 / 励起子・電子・正孔 / 衝突・輻射モデル / 内部電場 / SiC基板 / AlN … もっと見る
研究代表者以外
窒化インジウム / 窒化物半導体 / ZnO / InN / AlN / GaN / Wide bandgap semiconductors / Crystal Polarity / Epitaxy / III-V nitrides / -族窒化物 / 分子線エピタキシー / 窒化カリウム / 酸化亜鉛 / 窒化アルミニュウム / 窒化ガリウム / ワイドギャップ化合物半導体 / 結晶極性 / エピタキシー / III-V族窒化物 / 太陽電池 / 薄膜・量子構造 / 貫通転位 / 分光エリプソメトリ / バンドパラメータ / 超格子・量子井戸 / 窒化インジウム(InN) / p型窒化インジウム / エピタキシ制御 / 空間・時間分解ルミネッセンス測定 / 光電子物性の赤外分光評価 / 超格子・量子構造 / 光物性・分光計測 / 短周期超格子 / MBE、エピタキシャル / ナノ構造光デバイス / 極広域分光計測 / 擬似混晶 / 超格子 / MBEエピタキシャル / ナノ構造デバイス / 表面・界面物性 / キャリアダイナミクス / 極広域分光 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (459件)
  • 共同研究者

    (17人)
  •  光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御研究代表者

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      千葉大学
  •  フォノン機能制御による窒化物半導体光素子の基盤科学技術開拓研究代表者

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  フォノン科学による特異構造3次元分光評価と応用欠陥物性研究代表者

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      千葉大学
  •  量子干渉を用いたフォノン系テラヘルツ光源の開拓研究代表者

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開研究代表者

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  窒化物半導体超薄膜“1分子層”量子井戸構造光素子の基盤科学技術開拓

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  窒化物縦光学フォノン・プラズモン結合モードによるテラヘルツ光源科学の新展開研究代表者

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  赤外光を用いた電子正孔移動度深さ分解法開発による窒化インジウムの輸送特性解明研究代表者

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  極広域分光による窒化物半導体ナノデバイス構造の精密評価

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      千葉大学
  •  III族窒化物結晶の分光計測における衝突・輻射モデルによる解析研究代表者

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  六方晶系ワイドギャップ化合物半導体の極性制御による光電子物性の飛躍的改善の研究

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      千葉大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 2020年度版 薄膜作製応用ハンドブック2020

    • 著者名/発表者名
      分担執筆 石谷善博
    • 出版者
      NTS
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [図書] 2020年度版 薄膜作製応用ハンドブック2020

    • 著者名/発表者名
      分担執筆 石谷善博
    • 総ページ数
      13
    • 出版者
      NTS
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [図書] Wide bandgap semiconductors2007

    • 著者名/発表者名
      K.Takahashi, A.Yoshikawa, and A.Sandhu, 編集著者 : A.Yoshikawa Y.Ishitani, 他66名
    • 出版者
      Springer Berlin
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [図書] Wide bandgap semiconductors(K.Takahashi, A.Yoshikawa, A.Sandhu編集)2007

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, 他66名
    • 総ページ数
      460
    • 出版者
      Springer Berlin
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation2020

    • 著者名/発表者名
      D. Uehara, M. Kikuchi, B. Ma, H. Miyake, Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 6 ページ: 061003-061003

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab8c1c

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [雑誌論文] Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation2020

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Uehara, Moe Kikuchi, Bei Ma, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Undecided

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [雑誌論文] Local heat energy transport analysis in GaInN/GaN heterostructures by microscopic Raman imaging exploiting simultaneous irradiation of two laser beams2020

    • 著者名/発表者名
      Shungo Okamoto, Naomichi Saito, Kotaro Ito, Bei Ma, Ken Morita, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      IPACK2020-2570

      巻: V001T06A002

    • DOI

      10.1115/ipack2020-2570

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [雑誌論文] Combined infrared reflectance and Raman spectroscopy analysis of Si-doping limit of GaN2020

    • 著者名/発表者名
      Ma Bei、Tang Mingchuan、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Morita Ken、Fujioka Hiroshi、Ishitani Yoshihiro
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 117 号: 19 ページ: 192103-192103

    • DOI

      10.1063/5.0023112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414, KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [雑誌論文] Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation2020

    • 著者名/発表者名
      Uehara Daisuke, Kikuchi Moe, Ma Bei, MIYAKE Hideto, Ishitani Yoshihiro
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Undecided

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [雑誌論文] Energy transport analysis in a Ga0.84In0.16N/GaN heterostructure using microscopic Raman images employing simultaneous coaxial irradiation of two lasers2020

    • 著者名/発表者名
      Shungo Okamoto, Naomichi Saito, Kotaro Ito, Bei Ma, Ken Morita , Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, and Yoshihiro Ishitani,
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters,

      巻: 116 号: 14 ページ: 142107-142107

    • DOI

      10.1063/5.0003491

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772, KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [雑誌論文] Statistics of excitonic energy states based on phononic-excitonic-radiative model2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, kensuke Oki, and Hideto Miyake
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 未定 号: SC ページ: SCCB34-SCCB34

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab09e2

    • NAID

      210000156204

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-17H02772, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Influence of LO and LA phonon processes on thermal-nonequilibrium excitation and deexcitation dynamics of excitons in GaN, AlN, and ZnO2019

    • 著者名/発表者名
      Kensuke Oki and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 125 号: 20 ページ: 205705-205705

    • DOI

      10.1063/1.5092620

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [雑誌論文] Temperature and laser energy dependence of the electron g-factor in intrinsic InGaAs/InAlAs multiple quantum wells2019

    • 著者名/発表者名
      K. Morita, A. Okumura, H. Takaiwa, I. Takazawa, T. Oda, T. Kitada, M. Kohda, and Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters,

      巻: 115 号: 1 ページ: 012404-012404

    • DOI

      10.1063/1.5100343

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-15H05854, KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-15H02099, KAKENHI-PROJECT-17H02772, KAKENHI-PROJECT-15H05699
  • [雑誌論文] Terahertz pulse generation by the tilted pulse front technique using an M-shaped optical system2018

    • 著者名/発表者名
      Ken Morita, Kento Shiozawa, Koji Suizu, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 5 ページ: 050304-050304

    • DOI

      10.7567/jjap.57.050304

    • NAID

      210000149033

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-17H02795
  • [雑誌論文] Selective thermal radiation at the longitudinal optical phonon energy under geometric condition of metal-semiconductor mesa stripe structures2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Tomoyuki Aoki, Hidenori Funabashi, and Ken Morita
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 113 号: 19 ページ: 192105-192105

    • DOI

      10.1063/1.5047458

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-17H02772, KAKENHI-PROJECT-17H02795
  • [雑誌論文] Population decay and distribution of exciton states analyzed by rate equations based on theoretical phononic and electron-collisional rate coefficients2017

    • 著者名/発表者名
      Kensuke Oki, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 96 号: 20

    • DOI

      10.1103/physrevb.96.205204

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17511, KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [雑誌論文] Electric-dipole absorption resonating with longitudinal optical phonon;-plasmon system and its effect on dispersion relations of interface phonon polariton modes in metal/semiconductor-stripe structures2017

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Kouki Yoshida, Ken Morita, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 51

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [雑誌論文] Electric-dipole absorption resonating with longitudinal optical phonon-plasmon system and its effect on dispersion relations of interface phonon polariton modes in metal/semiconductor-stripe structures2017

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Kouki Yoshida, Ken Morita, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 51

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [雑誌論文] Electric-dipole absorption resonating with longitudinal optical phonon-plasmon system and its effect on dispersion relations of interface phonon polariton modes in metal/semiconductor-stripe structures2017

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Kouki Yoshida, Ken Morita, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 51

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [雑誌論文] Raman study of the quantum interference of multiple discrete states and a continuum of states in the phonon energy region of semiconductors: examples of p-type Ga0.5In0.5P films2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 49 号: 37 ページ: 375107-375107

    • DOI

      10.1088/0022-3727/49/37/375107

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-16K17511
  • [雑誌論文] Raman study of the quantum interference of multiple discrete states and a continuum of states in the phonon energy region of semiconductors: examples of p-type Ga0.5In0.5P films2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 49

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [雑誌論文] Excitation and de-excitation dynamics of excitons in a GaN film based on the analysis of radiation from high-order states2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Kazuma Takeuchi, Naoyuki Oizumi, Hironori Sakamoto, Bei Ma, and Ken Morita, Hideto Miyake, and Kazumasa Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 49 号: 24 ページ: 245102-245102

    • DOI

      10.1088/0022-3727/49/24/245102

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-16K17511, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2016

    • 著者名/発表者名
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FH02-05FH02

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fh02

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-15K13345, KAKENHI-PROJECT-16K17511
  • [雑誌論文] Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics in GaN based on hydrogen plasma model2016

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FM06-05FM06

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fm06

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-16K17511
  • [雑誌論文] Dielectric absorption of s-polarized infrared light resonant to longitudinal optical phonon energy incident on lateral (0001)GaN/Ti stripe structures2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, K. Hatta, K. Morita, and B. Ma
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 48

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [雑誌論文] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53

    • NAID

      210000144514

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [雑誌論文] Analysis of nouradiative carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwra, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 42 号: 5 ページ: 875-881

    • DOI

      10.1007/s11664-013-2550-y

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13J04851, KAKENHI-PROJECT-23246056, KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [雑誌論文] Theoretical and experimental study of the optical absorption at longitudinal phonon or phonon-plasmon coupling mode ener gy : An example of GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: 112 ページ: 1-8

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [雑誌論文] Theoretical and experimental study of the optical absorption at longitudinal phonon or phonon-plasmon coupling mode energy: An example of GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 112 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.4754555

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [雑誌論文] Carrierr ecombinat ion processes in Mg-doped N-polar InN films2012

    • 著者名/発表者名
      D. Imai, Y . Ishitani, M. Fujiwara, X. Q. Wang, K. Kusakabe, and A. Yoshikawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi

      巻: B249 ページ: 472-475

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [雑誌論文] Electron and hole scattering in InN films investigated by infrared measurements2012

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, et al.
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 207 号: 1 ページ: 56-64

    • DOI

      10.1002/pssa.201100152

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [雑誌論文] Electron and hole scattering in InN films investigated by infrared measurements2012

    • 著者名/発表者名
      Y . Ishitani, M. Fujiwara, D. Imai, K. Kusakabe, and A. Y oshikawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 207 ページ: 56-64

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films2011

    • 著者名/発表者名
      D.Imai, Y.Ishitani,\, M.Fujiwara, X.Q.Wang, K.Kusakabe, A.Yoshikawa,
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films2011

    • 著者名/発表者名
      D.Imai, Y.Ishitani, M.Fujiwara, X.Q.Wang, K.Kusakabe, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 98

      ページ: 181901-181901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Anomalous Hall mobility kink observed in Mg-doped InN : Demonstration of p-type conduction2010

    • 著者名/発表者名
      N.Ma, X.Q.Wang, F.J.Xu, N.Tang, B.Shen, Y.Ishitani, Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 97

      ページ: 222114-222114

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Recent advances and challenges for successful p-type control of InN films with Mg acceptor doping by molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, X.Wang, Y.Ishitani, A.Uedono
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207(5)

      ページ: 1011-1023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Advances in InN epitaxy and its material control by MBE towards novel InN-based QWs2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, S.B.Che, Y.Ishitani, X.Wang
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 311(7)

      ページ: 2073-2073

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect2009

    • 著者名/発表者名
      Q.Zhang, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他6名
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 95

      ページ: 31902-31902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] InNの結晶欠陥とキャリアダイナミクス2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,藤原昌幸,吉川明彦
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 36

      ページ: 45-53

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect2009

    • 著者名/発表者名
      Q.Zhang, X.Wang, X.W.He, C.M.Yin, F.J.Xu, B.Shen, Y.H.Chen, Z.G.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] InNの結晶欠陥とトキャリアダイナミクス2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 36

      ページ: 45-53

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in Mg-doped InN probed by means of positron annihilation2009

    • 著者名/発表者名
      A.Uedono, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他5名
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 105

      ページ: 54507-54507

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 106

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Kato, H.Ogiwara, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      106

      ページ: 113515-113515

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 106

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LO phonon-hole plasmon properties2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Fabrication of Asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN Quantum-Well Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum-Confined Stark Effect in the Blue-Green Region2009

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, A.Yuki, H.Watanabe, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

      ページ: 21001-21001

    • NAID

      10025084321

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LO phonon-hole plasmon properties2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 104

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] InNの結晶欠陥とキャリアダイナミクス2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 36

      ページ: 45-53

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LO phonon-hole plasmon properties2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Kato, H.Ogiwara, S.B.Che, A.Yoshikawa, X.Wang
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 106

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 106

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LO phonon-hole plasmon properties2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.Fujiwara, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 6

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] InNの結晶欠陥とキャリアダイナミクス2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博, 藤原昌幸, 吉川明彦
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 36

      ページ: 45-45

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Infrared analysis of hole properties of Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, and A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 93

      ページ: 231903-231903

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 92

      ページ: 132108-132108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Bowing of the band gap pressure coefficient in In_xGa_<1-x>N alloys2008

    • 著者名/発表者名
      G.Franssen, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他10名
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 103

      ページ: 33514-33514

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 103

      ページ: 53515-53515

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 103

      ページ: 53515-53515

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 103

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of novel monolayer InN quantum wells in a GaN matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, X.Wang, 他3名
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Tech. B26

      ページ: 1551-1551

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Anisotropic damping of longitudinal optical phonon-plasmon coupling modes of InN films2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Infrared analysis of Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 93

      ページ: 231903-231903

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Anisotropic damping of longitudinal optical phonon-plasmon coupling modes of InN films2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Conduction band filling in In-rich InGaN and InN under hydrostatic pressure2008

    • 著者名/発表者名
      G.Franssen, A.Kaminska, T.Suski, I.G.Franssen, A.Kaminska, T.Suski, I.Gorczyca, A.Svane, H.Lu, W.J.Schaff, E.Dimakis, A.Georgakilas, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 1488-1490

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

      ページ: 132108-132108

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spect rum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Infrared analysis of hole properties of Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 93

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Anisotropic damping of longitudinal optical phonon-plasmon coupling modes of InN films2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.Fujiwara, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 92

      ページ: 251901-251901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Anisotropic damping of longitudinal optical phonon-plasmon coupling modes of InN films2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.Fujiwara, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [雑誌論文] Systematic study on p-type doping control of InN with different Mg concentrations in both In and N polarities2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

      ページ: 242111-242111

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Threading dislocations in In-polar InN films and their effects on surface morphology and electrical properties2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 90

      ページ: 151901-151901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Growth and properties of Mg-doped In-polar InN films2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 90

      ページ: 201913-201913

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Alloy composition fluctuation and band edge energy structure of In-rich InxGal-xN layers investigated by systematic spectroscy2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 4

      ページ: 2428-2432

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Polarity inversion in high Mg-doped In-polar InN epitaxial layers2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, H.Sasaki, T.Shinagawa, S.Yoshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

      ページ: 81912-81912

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Fabrication and properties of coherent-structure In-polarity InN /In_<0.7>Ga_<0.3>N multi-quantum wells emitting at around 1.55μm2007

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, T.Mizuno, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 102

      ページ: 83539-83539

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Proposal and achievement of novel structure InN/GaN multiple quantum wells consisting of one monolayer and fractional monolayer InN wells inserted in GaN matrix2007

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, S.B.Che, W.Yamaguchi, H.Saito, X.Wang, Y.Ishitani, E.S.Hwang
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 90

      ページ: 73101-73101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Broadening factors of E1(LO) phonon-plasmon coupled modes of hexagonal InN investigated by infrared reflectance measurements2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, T.Ohira, X.Q.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Physical Review B 76

      ページ: 45206-45206

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] In situ spectroscopic ellipsometry and RHEED monitored growth of InN nanocolumns by molecular beam epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 301/302

      ページ: 496-496

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Broadening factors of E1(LO)phonon-plasmon coupled modes of hexagonal InN investigated by infrared reflectance measurements2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Physical Review B 76

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of precise control of V/III ratio on In-rich InGaN epitaxial growth2006

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, T.Shinada, T.Mizuno, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018460978

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of epitaxial temperature on N-polar InN films grown by molecular beam epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 90

      ページ: 73512-73512

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Step-flow growth of In-polar InN by molecular beam epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10017653670

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Conduction and valence band edge properties of hexagonal InN characterized by optical measurements2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) Vol. 3, (6)

      ページ: 1850-1853

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Bandgap energy of InN and its temperature dependence2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.2, No.7

      ページ: 2276-2280

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Influence of Al-preflow in MOVPE-grown GaN films analysed by X-ray reciprocal space map2005

    • 著者名/発表者名
      B.W.Seo, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.2, No.2

      ページ: 2353-2356

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown on nitrided c-sapphire by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-Hwan Roh, Masayuki Ohsugi, Song-Bek Che, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.86

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Bandgap energy of InN and its temperature dependence2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) (未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Influence of Al-preflow in MOVPE-grown GaN films analysed by X-ray reciprocal space map2005

    • 著者名/発表者名
      B.W.Seo, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.2,No.2

      ページ: 2353-2356

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Bandgap energy of InN and its temperature dependence2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.2,No.7

      ページ: 2276-2280

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE2005

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, W.Terashima, T.Ohkubo, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.2, No.7

      ページ: 2258-2262

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers ; Comparison between N-polarity and In-polarity Growth Processes2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, K.Xu, X.Wang, M.Yoshitani, W.Terashima, N.Hashimoto
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831, E4.1

      ページ: 1-13

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers ; Comparison between N-polarity and In-polarity Growth Processes2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, K.Xu, X.Wang, M.Yoshitani, W.Terashima, N.Hashimoto
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown on nitrided c-sapphire by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-Hwan Roh, Masayuki Ohsugi, Song-Bek Che, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.86, 01192

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Fine-structure N-polarity InN/InGaN multiple quantum wells grown on GaN underlayer by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Song-Bek Che, Wataru Terashima, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE2005

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, W.Terashima, T.Ohkubo, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.2,No.7

      ページ: 2258-2262

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN Dots on N-polar GaN Grown on Vicinal c-plane Sapphire2005

    • 著者名/発表者名
      N.Hashimoto, N.Kikuwaka, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831, E4.4

      ページ: 1-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN Dots on N-polar GaN Grown on Vicinal c-plane Sapphire2005

    • 著者名/発表者名
      N.Hashimoto, N.Kikuwaka, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, N.Hashimoto, N.Kikukawa, S.B.Che, Y.Ishitani
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.86

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE-grown ZnO films on sapphire substrate with double buffer layers2004

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1 No.4

      ページ: 1022-1025

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE growth and characterization of hexagonal ZnCdMgSe layers and ZnCdSe/ZnCdMgSe QW structures on GaAs (111) substrates2004

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, Y.Kaifuchi, H.Kumada, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.3

      ページ: 475-478

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Optical characterization of hexagonal CdS layers grown on GaAs (111) by MBE : application of phase-shift-difference spectroscopy2004

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, Y.Takazawa, H.Kumada, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1,No.4

      ページ: 657-661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Properties of fundamental absorption edge of InN crystal investigated by optical reflection and transmission spectra2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, Che Song-Bek, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, T.Okubo, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241

      ページ: 2849-2853

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE-grown ZnO films on sapphire substrate with double buffer layers2004

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1, No.4

      ページ: 1022-1025

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE growth and characterization of hexagonal ZnCdMgSe layers and ZnCdSe/ZnCdMgSe QW structures on GaAs (111) substrates2004

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, Y.Kaifuchi, H.Kumada, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241, No.3

      ページ: 475-478

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Rotation-domains suppression and polarity control of ZnO epilayers grown on skillfully treated C-Al_2O_3 surfaces2004

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, X.Wang, Y.Tomita, Ok-Hwan Roh, H.Iwaki, Y.Ishitani
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.3

      ページ: 620-623

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effect of Low Temperature Thin GaN Layer on ZnO Film Grown on Nitridated c-Sapphire by Molecular Beam Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-hwan Roh, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43,No.6A

    • NAID

      10013097096

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown with high temperature N-polar GaN intermediate layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      O.H.Roh, Y.Tomita, M.Ohsugi, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241, no.12

      ページ: 2835-2838

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effect of Low Temperature Thin GaN Layer on ZnO Film Grown on Nitridated c-Sapphire by Molecular Beam Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-hwan Roh, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43, No.6A

    • NAID

      10013097096

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Temperature dependence of the optical properties of InN films grown by RF-MBE2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, H.Masuyama, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, Che Song-Bek, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.798

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Temperature dependence of the optical properties of InN films grown by RF-MBE2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, H.Masuyama, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, Che Song-Bek, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.798, Y12.5

      ページ: 1-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Optical characterization of hexagonal CdS layers grown on GaAs (111) by MBE : application of phase-shift-difference spectroscopy2004

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, Y.Takazawa, H.Kumada, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1, No.4

      ページ: 657-661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown with high temperature N-polar GaN intermediate layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      O.H.Roh, Y.Tomita, M.Ohsugi, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.12

      ページ: 2835-2838

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] In-situ spectroscopic ellipsometry investigation and control of GaN growth mode in metalorganic vapor phase epitaxy at low pressures of 20 Torr2004

    • 著者名/発表者名
      B.Cao, K.Xu, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.455-456

      ページ: 661-664

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Rotation-domains suppression and polarity control of ZnO epilayers grown on skillfully treated C-Al_2O_3 surfaces2004

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, X.Wang, Y.Tomita, Ok-Hwan Roh, H.Iwaki, Y.Ishitani
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241, No.3

      ページ: 620-623

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Comparative Study of InN Growth on Ga- and N-polarity GaN Template by Molecular-beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, W.Terashima, T.Hara, N.Hashimoto, M.Yoshitani, B.Cao, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.sata.sol.(c) vol.0,No.7

      ページ: 2814-2817

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Improved crystallinity and polarity manipulation of MOVPE-grown GaN epilayers with deep sapphire-nitridation followed by Al-preflow at high temperatures2003

    • 著者名/発表者名
      B.W.Seo, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7

      ページ: 2570-2574

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Improved crystallinity and polarity manipulation of MOVPE-grown GaN epilayers with deep sapphire-nitridation followed by Al-preflow at high temperatures2003

    • 著者名/発表者名
      B.W.Seo, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7

      ページ: 2570-2574

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxy Growth of Single-Domain and High-Quality ZnO Layers on Nitrided (0001) Sapphire Surface2003

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, M.Murakami, XiaolongDu, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42,Part2 No.2A

    • NAID

      80015838068

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Dependences of GaN polarity on the growth temperatures of migration-enhanced-epitaxy-grown Al1N in MOVPE2003

    • 著者名/発表者名
      B.Cao, K.Xu, B.W.Seo, S.Arita, S.Nishida, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7

      ページ: 2553-2556

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] InN Project as CREST Program of JST : New evolution in Nano-processes/Nano-devices Focused on MBE-grown InN-based □-Nitrides2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Xu
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 31-31

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxy Growth of Single-Domain and High-Quality ZnO Layers on Nitrided (0001) Sapphire Surface2003

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, M.Murakami, Xiaolong Du, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, Part2 No.2A

    • NAID

      80015838068

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE-grown ZnO films on sapphire with GaN buffer layer2003

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 304-304

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Optical Properties of Hexagonal CdS Layers Grown on GaAs (111)B2003

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, H.Kumada, Y.Kaifuchi, Y.Takazawa, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 314-317

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Growth and Properties of InN Epilayers by RF-MBE with In-situ Monitoring by RHEED, Spectroscopic Ellipsometry, and CAICISS2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 33-33

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Infrared measurements of InN films at low temperatures2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, T.Hata, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7

      ページ: 2838-2841

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Dependences of GaN polarity on the growth temperatures of migration-enhanced-epitaxy-grown AIN in MOVPE2003

    • 著者名/発表者名
      B.Cao, K.Xu, B.W.Seo, S.Aria, S.Nishida, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7

      ページ: 2553-2556

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] High-quality and thick InN films grown on 2-inch sapphire substrate by molecular-beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, N.Hashimoto, B.Cao, T.Hata, W.Terashima, M.Yoshitani, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No7

      ページ: 2790-2793

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Step flow growth procedure for AIN layer on 6H-SiC substrate by MOVPE2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, Y.Arita, N.Yoshida, H.Masuyama, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 284-287

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] High-quality and thick InN films grown on 2-inch sapphire substrate by molecular-beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, N.Hashimoto, B.Cao, T.Hata, W.Terashima, M.Yoshitani, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7

      ページ: 2790-2793

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] InN Project as CREST Program of JST : New evolution in Nano-processes/Nano-devices Focused on MBE-grown InN-based III-Nitrides2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Xu
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 31-31

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Infrared measurements of InN films at low temperatures2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, T.Hata, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7

      ページ: 2838-2841

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth of Hexagonal CdS on GaAs (111)B Substrate2003

    • 著者名/発表者名
      H.Kumada, S.Suzuki, Y.Kaifuchi, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 312-313

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Comparative Study of InN Growth on Ga-and N-polarity GaN Templates by Molecular-Beam Epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, W.Terashima, T.Hata, N.Hashimoto, M.Yoshitani, B.Cao, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7

      ページ: 2814-2817

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effects of Sapphire (0001) Surface Modification by Gallium Pre-Exposure on the Growth of High-Quality Epitaxial ZnO Film2002

    • 著者名/発表者名
      Xiaolong Du, M.Murakami, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41, Part2 No.10A

    • NAID

      110006350818

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Hexagonal ZnCdSe Layers on GaAs(111)-A and -B Substrates2002

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, T.Nemoto, Y.Kaifuchi, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.192,No.1

      ページ: 195-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Step-Flow Growth of InN on N-Polarity GaN Template by Molecular Beam Epitaxy with Growth Rate of 1.3μm/h2002

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, W.Terashima, T.Hata, N.Hashimoto, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.1

      ページ: 377-381

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Step-Flow Growth of InN on N-Polarity GaN Template by Molecular Beam Epitaxy with Growth Rate of 1.3 μm/h2002

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, W.Terashima, T.Hata, N.Hashimoto, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.1

      ページ: 377-381

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Hexagonal ZnCdSe Layers on GaAs(111)-A and -B Substrates2002

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, T.Nemoto, Y.Kaifuchi, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.192, No.1

      ページ: 195-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effects of Sapphire (0001) Surface Modification by Gallium Pre-Exposure on the Growth of High-Quality Epitaxial ZnO Film2002

    • 著者名/発表者名
      Xiaolong Du, M.Murakami, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41,Part2 No.10A

    • NAID

      110006350818

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Bowing of the band gap pressure coefficient in InxGa1-xN alloys ournal of Applied Physics 103 2008 033514-(1-6)

    • 著者名/発表者名
      G.Franssen, I.Gorczyca, T.Suski, A.Kaminska, J.Pereiro, E.Munoz, E.Illiopoulos, A.Georgakilas, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, N.E.Christensen
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [産業財産権] 赤外光素子2016

    • 発明者名
      石谷善博
    • 権利者名
      石谷善博
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-144974
    • 出願年月日
      2016-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [産業財産権] 赤外光素子2016

    • 発明者名
      石谷善博
    • 権利者名
      石谷善博
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2016-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [産業財産権] 光電変換装置2013

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-238746
    • 出願年月日
      2013-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 光電変換装置2013

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-238747
    • 出願年月日
      2013-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 半導体光素子2012

    • 発明者名
      崔 成伯、石谷 善博、吉川 明彦
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2012-12-30
    • 取得年月日
      2014-06-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND CHARACTERISTIC INSPECTION METHOD FOR SAME2012

    • 発明者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Kusakabe
    • 権利者名
      千葉大学
    • 出願年月日
      2012-03-02
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE2012

    • 発明者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Kusakabe
    • 権利者名
      千葉大学
    • 出願年月日
      2012-03-02
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 半導体光素子2012

    • 発明者名
      崔成伯,石谷善博,吉川明彦
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-289267
    • 出願年月日
      2012-12-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 光電変換装置2011

    • 発明者名
      吉川明彦、草部一秀、石谷善博
    • 権利者名
      吉川明彦、草部一秀、石谷善博
    • 出願年月日
      2011-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2011

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2011-03-14
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2011

    • 発明者名
      吉川明彦、草部一秀、石谷善博
    • 権利者名
      千葉大学
    • 出願年月日
      2011-06-17
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 光電変換装置2011

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2011-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-08-05
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-08-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-08-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-08-05
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2009

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 産業財産権番号
      2009-183263
    • 出願年月日
      2009-08-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置及びその特性検査方法2009

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 産業財産権番号
      2010-055388
    • 出願年月日
      2009-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2009

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 産業財産権番号
      2009-185425
    • 出願年月日
      2009-08-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 半導体素子、光スイッチング素子及び量子カスケードレーザ素子2006

    • 発明者名
      崔成伯, 吉川明彦, 石谷善博
    • 権利者名
      千葉大学学長
    • 出願年月日
      2006-06-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 半導体光素子2006

    • 発明者名
      崔成伯, 石谷善博, 吉川明彦
    • 権利者名
      千葉大学学長
    • 出願年月日
      2006-05-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Characterization of heavily sillion doped GaN using infrared reflectance and Raman spectroscopy2021

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Mingchuan Tang, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Ken Morita, Hiroshi Fujioka, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Mechanism of Exciton Radiative LifetimeReduction by Background ElectronsAnalyzed by Phononic-Excitonic-Radiative Model2021

    • 著者名/発表者名
      M. Chizaki, K. Oki, and Y. Ishitani
    • 学会等名
      8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Longitudinal Optical Phonon Resonant THz- Mid Infrared Radiation from Surface Metal-Semiconductor Microstructures2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, Bei Ma, Kensuke Oki, Ken Morita
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Requirement of phonon control in electronic and photonic devices and mode-separated phonon transport analysis in heterostructures using microscopic Raman scattering measurement using double lasers2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, S. Okamoto, M. Chizaki, K. Oki, B. Ma, B.-J. Lin, K. Morita, D. Iida, and K. Ohkawa
    • 学会等名
      8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Analysis of LO phonon properties in III-nitrides: interaction with carriers and microscopic analysis2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, K. Oki, M. Chizaki, S. Okamoto, T. Nakayama, B. Lin, B. Ma, K. Morita, H. Miyake , D. Iida , and K. Ohkawa
    • 学会等名
      SPIE, Photonic West
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Raman scattering of Si-doped GaN film at cross-section2021

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Mingchuan Tang, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Ken Morita, Hiroshi Fujioka, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] n型間接遷移半導体GaP表面マイクロストライプ構造による中赤外輻射2020

    • 著者名/発表者名
      林鴻太朗, 田中大智, 海老澤啓介, 相原 望, 米本拓郎,Hnin Lai Lai Aye, 森田 健, 馬 ベイ, 石谷善博
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Longitudinal Optical Phonon Resonant THz -Mid Infrared Radiation From Surface Metal-Semiconductor Microstructures2020

    • 著者名/発表者名
      K. Hayashi, D. Tanaka, K. Ebisawa, N. Aihara, T. Yonemoto, H. L. L. Aye, B. Lin, B. Ma, K. Morita, and Y. Ishitani
    • 学会等名
      IRMMW-THz
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] n型間接遷移半導体GaP表面マイクロストライプ構造による中赤外輻射2020

    • 著者名/発表者名
      林鴻太朗, 田中大智, 海老澤啓介, 相原 望, 米本拓郎,Hnin Lai Lai Aye, 森田 健, 馬 ベイ, 石谷善博
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] フォノン輸送のミクロ評価と発光効率への影響2020

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] n型間接遷移半導体GaP表面マイクロストライプ構造における中赤外吸収・輻射スペクトル解析2020

    • 著者名/発表者名
      林 鴻太朗, 相原 望, 森田 健, 馬ベイ, 石谷善博
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Local heat energy transport analysis in GaInN/GaN heterostructure by microscopic imaging exploiting simultaneous irradiation of two laser beams2020

    • 著者名/発表者名
      S. Okamoto, N. Saito, K. Ito, B. Ma, K. Morita, D. Iida, K. Ohkawa, Y. Ishitani
    • 学会等名
      InterPack2020
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Structure dependence of LO phonon radiation using GaAs/metal microstructure stripe structures2020

    • 著者名/発表者名
      Hnin Lai Lai Aye, K. Hayashi, B. Ma, K. Morita, and Y. Ishitani
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 間接遷移半導体GaP表面マイクロメサストライプ構造 における中赤外吸収・輻射スペクトル解析2020

    • 著者名/発表者名
      林鴻太朗, 関川康太, 折戸春樹, 相原望, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 電子‐フォノン相互作用およびフォノン輸送のミクロ評価2020

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 高SiドープGaN薄膜の断面ラマン測定2020

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ,湯 明川,森田 健,上野 耕平,小林 篤,藤岡 洋,石谷 善博
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] フォノン・励起子・輻射モデルによる励起子輻射寿命の制御の提案2020

    • 著者名/発表者名
      地﨑匡哉,大木 健輔,石谷善博
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 電子‐フォノン相互作用およびフォノン輸送のミクロ評価2020

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 輻射性励起子減衰寿命の温度依存性への非輻射再結合の影響2020

    • 著者名/発表者名
      地﨑 匡哉,大木 健輔,馬ベイ,森田 健,石谷 善博
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 輻射性励起子減衰寿命の温度依存性への非輻射再結合の影響2020

    • 著者名/発表者名
      地﨑 匡哉,大木 健輔,馬ベイ,森田 健,石谷 善博
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] LO phonon resonant mid-IR emission from surface-metal structures on indirect electronic transition type semiconductors2020

    • 著者名/発表者名
      K. Hayashi, N. Orito, K. Sekigawa, N. Aihara, M. Bei, K. Morita, Y. Ishitani
    • 学会等名
      フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaInN薄膜における膜内フォノン輸送過程の2波長同時照射ラマン分光法による解析2020

    • 著者名/発表者名
      中山朋哉,伊藤航太郎,岡本駿吾,馬ベイ, 森田 健,飯田大輔,大川和宏,石谷善博
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] フォノン・励起子・輻射モデルによる励起子発光速度の決定機構の解析2020

    • 著者名/発表者名
      地﨑 匡哉,大木 健輔,石谷 善博
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Analysis of phonon transport at GaInN/GaN heterointerfaces by Raman spectroscopy using simultaneous irradiation of two lasers2020

    • 著者名/発表者名
      S. Okamoto, K. Ito, D. Iizasa, B. Ma, K. Morita, Y. Ishitani
    • 学会等名
      フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaNの深い準位の直接光励起による発光特性の考察2019

    • 著者名/発表者名
      菊地 萌,上原大輔,馬 ベイ, 森田 健,三宅秀人,石谷善博
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaAs-金属ストライプ構造からのLOフォノン共鳴赤外輻射特性の構造依存性2019

    • 著者名/発表者名
      海老澤 啓介,馬 ベイ,森田 健,大木 健輔,石谷 善博
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Local phonon analysis in InGaN film by mapping of Raman spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      Shungo Okamoto, Naomichi Saito, Bei Ma, Kensuke Oki, and Ken Morita, Kazuhiro Ohkawa, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 2波長ラマン分光を用いたフォノン輸送評価における測定モード依存性2019

    • 著者名/発表者名
      岡本 駿吾,伊藤航太郎, 馬 ベイ,森田 健, 飯田 大輔,大川 和宏,石谷 善博
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Microscopic analysis of heat transport at GaInN/GaN heterointerface with misfit dislocations by two-wavelength Raman measurements2019

    • 著者名/発表者名
      Shungo Okamoto, Bei Ma, Ken Morita, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaAs-金属ストライプ構造からのLOフォノン共鳴赤外輻射特性の構造依存性2019

    • 著者名/発表者名
      海老澤 啓介,田中 大智,森田 健,馬 ベイ,石谷善博
    • 学会等名
      第3回フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Longitudinal Optical Phonon Resonating Dipole Radiation from Metal- Semiconductor Composite Structures and Quantum Interference2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Keisuke Ebisawa, Daichi Tanaka, Nozomi Aihara, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 高濃度SiドープGaNの深さ方向結晶性の赤外およびラマン分光評価2019

    • 著者名/発表者名
      湯 明川,馬 ベイ, 森田 健,上野耕平,小林 篤,藤岡洋,石谷善博
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 小型フーリエ変換赤外分光装置の製作と測定法の確立2019

    • 著者名/発表者名
      中山政裕,菅野裕吾,石谷善博,北田貴弘,森田健
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaN,AlN,ZnOにおける励起子の非熱平衡解析2019

    • 著者名/発表者名
      大木 健輔,野町 健太郎,西川 智秀,馬 ベイ,森田 健,石谷 善博
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Deep level luminescence of HVPE grown GaN by below-bandgap photo-excitation2019

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Uehara, Moe Kikuchi, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, and Yoshihiro Ishitan
    • 学会等名
      ICNS-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 赤外及びラマン分光法による高密度SiドープGaN薄膜の評価2019

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 湯明川, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋, 石谷善博
    • 学会等名
      第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 価電子帯間遷移-2種LOフォノン系における量子干渉の理論解析2019

    • 著者名/発表者名
      相原望,田中大智,森田健,馬ベイ,石谷善博
    • 学会等名
      第3回フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Local phonon analysis in InGaN film by mapping of Raman spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      Shungo Okamoto, Naomichi Saito, Bei Ma, Kensuke Oki, and Ken Morita, Kazuhiro Ohkawa, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Analysis of emission characteristics of deep levels in GaN by direct photo excitation2019

    • 著者名/発表者名
      Moe Kikuchi, Daisuke Uehara, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 2LOフォノン-価電子帯間電子遷移系量子干渉の理論解析2019

    • 著者名/発表者名
      相原 望,田中大智,馬 ベイ,森田 健,石谷善博
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaNの深い準位の直接光励起による発光特性の考察2019

    • 著者名/発表者名
      菊地 萌,上原大輔,馬 ベイ, 森田 健,三宅秀人,石谷善博
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 2波長ラマン分光を用いたフォノン輸送評価における測定モード依存性2019

    • 著者名/発表者名
      岡本 駿吾,伊藤航太郎,馬 ベイ, 森田 健,飯田 大輔, 大川 和宏,石谷 善博
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 赤外及びラマン分光法による高密度SiドープGaN薄膜の評価2019

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 湯明川, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋, 石谷善博
    • 学会等名
      第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Analysis of highly Si-doped GaN using various lattice vibration modes observed by infrared and Raman spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Ming Chuan Tang, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka,
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] LOフォノン-価電子帯間遷移の量子干渉による結晶評価2019

    • 著者名/発表者名
      相原望, 田中大智, 森田健, 馬ベイ, 石谷善博
    • 学会等名
      第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 小型フーリエ変換赤外分光装置の製作と測定法の確立2019

    • 著者名/発表者名
      中山政裕,菅野裕吾,石谷善博,北田貴弘,森田健
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] LOフォノン-価電子帯間遷移の量子干渉による結晶評価2019

    • 著者名/発表者名
      相原望, 田中大智, 森田健, 馬ベイ, 石谷善博
    • 学会等名
      第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] GaN,AlN,ZnOにおける励起子の非熱平衡解析2019

    • 著者名/発表者名
      大木 健輔,野町 健太郎,西川 智秀,馬ベイ, 森田 健,石谷 善博
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Longitudinal Optical Phonon Resonating Dipole Radiation from Metal- Semiconductor Composite Structures and Quantum Interference2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Keisuke Ebisawa, Daichi Tanaka, Nozomi Aihara, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Analysis of emission characteristics of deep levels in GaN by direct photo excitation2019

    • 著者名/発表者名
      Moe Kikuchi, Daisuke Uehara, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] aAs-金属ストライプ構造からのLOフォノン共鳴赤外輻射特性の構造依存性2019

    • 著者名/発表者名
      海老澤啓介,田中大智,森田健,馬ベイ,石谷善博
    • 学会等名
      第3回フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Microscopic analysis of heat transport at GaInN/GaN heterointerface with misfit dislocations by two-wavelength Raman measurements2019

    • 著者名/発表者名
      Shungo Okamoto, Bei Ma, Ken Morita, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 2LOフォノン-価電子帯間電子遷移系量子干渉の理論解析2019

    • 著者名/発表者名
      相原 望,田中大智,馬 ベイ,森田 健,石谷善博
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 価電子帯間遷移-2種LOフォノン系における量子干渉の理論解析2019

    • 著者名/発表者名
      原 望,田中大智,森田 健,馬 ベイ,石谷善博
    • 学会等名
      第3回フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Deep level luminescence of HVPE grown GaN by below-bandgap photo-excitation2019

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Uehara, Moe Kikuchi, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 濃度SiドープGaNの深さ方向結晶性の赤外およびラマン分光評価2019

    • 著者名/発表者名
      湯 明川,馬 ベイ, 森田 健,上野耕平,小林 篤,藤岡洋,石谷善博
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Analysis of highly Si-doped GaN using various lattice vibration modes observed by infrared and Raman spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Ming Chuan Tang, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      ICNS-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] GaAs-金属ストライプ構造からのLOフォノン共鳴赤外輻射特性の構造依存性2019

    • 著者名/発表者名
      海老澤啓介,馬 ベイ,森田 健,大木 健輔,石谷 善博
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaAs/Auストライプ構造を用いたLOフォノン共鳴の赤外光輻射2018

    • 著者名/発表者名
      青木伴晋,花田昂樹,坂本裕則,馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 赤外分光法によるGaNの高電子密度層の空間分布評価2018

    • 著者名/発表者名
      湯明川, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      テラヘルツ科学の最先端V
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Optical absorption and emission in THz-mid infrared region of metal-semiconductor composites2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Nano ST
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] GaN,AlN,ZnOにおける励起子の非熱平衡解析2018

    • 著者名/発表者名
      大木健輔、野町健太郎、西川智秀、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Interactions of phonon, electron, and photon in nitride semiconductors2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Kensuke Oki, Naomichi Saito, Tsubasa Yamakawa, Daisuke Uehara, Shungo Okamoto, Moe Kikuchi, Keisuke Ebisawa, Bojin Lin, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] フォノンプロセスを考慮した励起子ダイナミクス解析(PXRモデル)2018

    • 著者名/発表者名
      石谷 善博、大木 健輔、野町 健太郎、馬 ベイ、森田 健
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体における 励起子-フォノン系の非熱平衡解析2018

    • 著者名/発表者名
      大木 健輔, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第2回フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Statistics of excitonic energy states based on phonon-exciton-radiation model2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] フォノンプロセスを考慮した励起子ダイナミクス解析(PXRモデル)2018

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,大木健輔,野町健太郎,馬ベイ,森田健
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Statistics of excitonic energy states based on phonon-exciton-radiation model2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Kensuke Oki, Tsubasa Yamakawa, Bojin Lin, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Control of THz emission and absorption resonating with LO phonon energy by meal/semiconductor-composite materials2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Conference on Physics of Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Optical properties of metal-semiconductor composites in THz-mid infrared region2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Tomoyoki Aoki, Hidenori Funabashi, and Ken Morita
    • 学会等名
      International Conference on Nanomaterials and Nanotechnology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Control of THz emission and absorption resonating with LO phonon energy by meal/semiconductor-composite materials2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Symposium on Semiconductor Physics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 半導体/金属ストライプ構造における電気双極子形成に伴う誘電関数変化2018

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体キャリア・フォノンダイナミクス2018

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,大木健輔,野町健太郎,馬ベイ,森田健
    • 学会等名
      第13回励起ナノプロセス研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Optical absorption and emission in THz-mid infrared region of metal-semiconductor composites2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Nano Science and Technology 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Statistics of excitonic energy states based on phonon-exciton-radiation model2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Kensuke Oki, Tsubasa Yamakawa, Bojin Lin, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体キャリア・フォノンダイナミクス2018

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,大木健輔,野町健太郎,馬ベイ,森田健
    • 学会等名
      第13回励起ナノプロセス研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Optical absorption and emission in THz-mid infrared region of metal-semiconductor composites2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Nano ST 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaN,AlN,ZnOにおける励起子の非熱平衡解析2018

    • 著者名/発表者名
      大木 健輔、野町 健太郎、西川 智秀、馬 ベイ、森田 健、石谷 善博
    • 学会等名
      65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Phonon modes Analysis of AlN/InN Superlattice2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ihira and Masato Oda
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 半導体/金属ストライプ構造における電気双極子形成に伴う誘電関数変化2018

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ,森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] GaAs/Auストライプ構造を用いたLOフォノン共鳴の赤外光輻射2018

    • 著者名/発表者名
      青木 伴晋、花田 昂樹、坂本 裕則、馬ベイ、森田 健、石谷 善博
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 赤外分光法によるGaNの高電子密度層の空間分布評価2018

    • 著者名/発表者名
      湯明川, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      テラヘルツ科学の最先端V
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] ラマン散乱マッピングによるInGaNの局所フォノン場評価2018

    • 著者名/発表者名
      齋藤 直道, 瀧口 佳祐, 馬 ベイ, 森田 健, 飯田 大輔, 大川 和宏, 石谷 善博
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会名古屋国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 半導体/金属ストライプ構造における電気双極子形成に伴う誘電関数変化2018

    • 著者名/発表者名
      坂本 裕則、馬 ベイ、森田 健、石谷 善博
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Optical properties of metal-semiconductor composites in THz-mid infrared region2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Tomoyoki Aoki, Hidenori Funabashi, and Ken Morita
    • 学会等名
      International Conference on Nanomaterials and Nanotechnology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体における 励起子-フォノン系の非熱平衡解析2018

    • 著者名/発表者名
      大木 健輔, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第2回フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Monte-Carlo simulation of time- and spatial-dynamics for electron spins in GaAs under the high-power THz pulse2018

    • 著者名/発表者名
      Ichirota Takazawa、Yoshihiro Ishitani、Ken Morita
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Optical absorption and emission in THz-mid infrared region of metal-semiconductor composites2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Nano Science and Technolohy 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] ラマン散乱マッピングによるInGaNの局所フォノン場評価2018

    • 著者名/発表者名
      齋藤 直道, 瀧口 佳祐, 馬 ベイ, 森田 健, 飯田 大輔, 大川 和宏, 石谷 善博
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Optical absorption and emission inTHz-mid infrared region of metal-semiconductor composites2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Nano ST 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Interactions of phonon, electron, and photon in nitride semiconductors2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Kensuke Oki, Naomichi Saito, Tsubasa Yamakawa, Daisuke Uehara, Shungo Okamoto, Moe Kikuchi, Keisuke Ebisawa, Bojin Lin, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Statistics of excitonic energy states based on phonon-exciton-radiation model2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] GaNにおける励起子及び自由キャリアの密度とレート係数の理論計算2017

    • 著者名/発表者名
      大木 健輔, 野町健太郎, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Simulation of carrier-exciton-phonon energy transportation in GaN2017

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      12th International conference on nitride semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Theoretical calculation of rate coefficients, densities, and decay time of excitons and free carriers in GaN2017

    • 著者名/発表者名
      Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] フォノンによるGaN励起子ダイナミクス過程への影響2017

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 石谷善博
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaNにおける励起子及び自由キャリアの密度とレート係数の理論計算2017

    • 著者名/発表者名
      大木 健輔,野町健太郎, 馬ベイ,森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] AlN/金属ストライプ構造のラマン散乱スペクトルにおけるA1-E1選択則の崩れに関する検討2017

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜. 横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] p型GaNにおける深い準位を介した発光特性の解析2017

    • 著者名/発表者名
      庄司凌,上原大侑, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博 , 塩島謙次
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 磁場下赤外反射分光によるInN電子有効質量の解析2017

    • 著者名/発表者名
      松本大,馬ベイ,森田健,福井一俊,木村真一,飯塚拓也,石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] AlN/金属ストライプ構造における表面、界面ポラリトンモード観測2017

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 窒化物半導体における電子‐フォノン相互作用と結晶性2017

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,坂本裕則,馬ベイ,森田健
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Photonic function based on longitudinal optical phonon modes of semiconductors: infrared absorption control of composite materials and destructive quantum interferences2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, H. Sakamoto, B. Ma, and K. Morita
    • 学会等名
      EMN Optoelectronics
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Theoretical calculation of rate coefficients, densities, and decay time of excitons and free carriers in GaN2017

    • 著者名/発表者名
      Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      12th International conference on nitride semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算2017

    • 著者名/発表者名
      野町健太郎, 大木健輔, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 金属/半導体複合構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モード共鳴赤外光吸収とポラリトン損失2017

    • 著者名/発表者名
      竹内映人,坂本裕則,馬ベイ, 森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜. 横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算2017

    • 著者名/発表者名
      野町健太郎,大木健輔, 馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] AlN 薄膜を用いたLO フォノン共鳴電気双極子形成および表面ポラリトン伝搬2017

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,森田健, 馬ベイ,石谷善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] 窒化物半導体における電子‐フォノン相互作用と結晶性2017

    • 著者名/発表者名
      石谷 善博、馬 ベイ、大木 健輔、坂本 裕則、森田 健
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] lN/金属ストライプ構造における表面、界面ポラリトンモード観測2017

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ,森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第9 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] AlN/金属ストライプ構造における表面、界面ポラリトンモード観測2017

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第9 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Photonic function based on longitudinal optical phonon modes of semiconductors: infrared absorption control of composite materials and destructive quantum interferences2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, H. Sakamoto, B. Ma, and K. Morita
    • 学会等名
      EMN Optoelectronics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] AlN 薄膜を用いたLOフォノン共鳴電気双極子形成および表面ポラリトン伝搬2017

    • 著者名/発表者名
      坂本 裕則、馬 ベイ、森田 健、石谷 善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Interface phonon polariton propagation and LO phonon-resonant absorption of infrared light in AlN/metal-composites2017

    • 著者名/発表者名
      H. Sakamoto Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Simulation of carrier-exciton-phonon energy transportation in GaN2017

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Phononic phenomenon in carrier dynamics and interaction with radiation in III-nitride materials2017

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Kensuke Okim Hironori Sakamoto, and Ken Morita
    • 学会等名
      Third Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2017-01-16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Interface phonon polariton propagation and LO phonon-resonant absorption of infrared light in AlN/metal-composites2017

    • 著者名/発表者名
      H. Sakamoto Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      12th International conference on nitride semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] FDTD法を用いたテラへルツパルス発生のシミュレーション2017

    • 著者名/発表者名
      大隅 勇汰、森田 健、石谷 善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] p型GaNにおける深い準位を介した発光特性の解析2017

    • 著者名/発表者名
      庄司凌,上原大侑, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博 , 塩島謙次
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Introduction of biexciton processes into exciton dynamics simulation for GaN based on the phononic-excitonic-radiative model2017

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Nomachi, Ma Bei, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on UV materials and devices (IWUMD) 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] Phononic phenomenon in carrier dynamics and interaction with radiation in III-nitride materials2017

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Kensuke Okim Hironori Sakamoto, and Ken Morita
    • 学会等名
      Third Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Tohoku University
    • 年月日
      2017-01-16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 窒化物半導体における電子‐フォノン相互作用と結晶性2017

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,坂本裕則,馬ベイ,森田健
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Dielectric interaction of infrared light and electron-phonon coupling system in metal/semiconductor composites2017

    • 著者名/発表者名
      E. Takeuchi, H. Sakamoto, B. Ma, K. Morita, and Y. Ishitani
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] フォノンによるGaN励起子ダイナミクス過程への影響2017

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 石谷善博
    • 学会等名
      第9 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02772
  • [学会発表] AlN薄膜を用いたLOフォノン共鳴電気双極子形成および表面ポラリトン伝搬2017

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] AlN/金属ストライプ構造のラマン散乱スペクトルにおけるA1-E1選択則の崩れに関する検討2017

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Dielectric interaction of infrared light and electron-phonon coupling system in metal/semiconductor composites2017

    • 著者名/発表者名
      E. Takeuchi, H. Sakamoto, B. Ma, K. Morita, and Y. Ishitani
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Interface phonon polariton propagation and LO phonon-resonant absorption of infrared light in AlN/metal-composites2017

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International conference on nitride semiconductors
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Introduction of biexciton processes into exciton dynamics simulation for GaN based on the phononic-excitonic-radiative model2017

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Nomachi, Ma Bei, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on UV materials and devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Phonon Engineering of Semiconductors in THz frequency region2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      International Conference on Science and Engineering
    • 発表場所
      Yangon, Myanmar
    • 年月日
      2016-12-10
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 赤外反射分光によるGaN薄膜の電子特性深さ分解評価手法2016

    • 著者名/発表者名
      上條隆明、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Simulation of carrier-exciton-phonon dynamics in GaN in non-equilibrium state2016

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016
    • 発表場所
      Orland, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] フォノンの吸放出による電子・励起子系エネルギーの励起過程2016

    • 著者名/発表者名
      馬 ベイ,三宅 秀人,平松 和政,石谷 善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Quantum interference of three LO modes in p-type Ga0.5In0.5P: Contribution of a trigonal phonon mode2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] 非熱平衡状態におけるGaN励起子ダイナミクスの実験解析及び数値計算2016

    • 著者名/発表者名
      馬 ベイ,竹内和真,石谷 善博,三宅 秀人,平松 和政
    • 学会等名
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] ラマン散乱スペクトルにおけるファノ干渉を用いた窒化物半導体の正孔濃度評価モデルの検討2016

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス,京都市
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程のフォノン・衝突・輻射モデルに基づく解析2016

    • 著者名/発表者名
      岩堀友洋、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] 赤外反射分光によるGaN薄膜の電子特性深さ分解評価手法2016

    • 著者名/発表者名
      上條隆明、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] p 型Ga0.5In0.5P における高濃度p型ドープ試料におけるフォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算2016

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ,新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films2016

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第77回秋季応用物理学会学術講演会優秀論文賞受賞記念講演
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] フォノンの吸放出による電子・励起子系エネルギーの励起過程2016

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ,三宅 秀人,平松 和政,石谷 善博
    • 学会等名
      第77回秋季応用物理学会学術講演会優秀論文賞受賞記念講演
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Introducing of Biexciton Processes into Exciton Dynamics Simulation for GaN Based on Collisional Phononic and Radiative Model2016

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Nomachi, Tomohiro Iwahori, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 発表場所
      Toyama
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] p-Ga0.5In0.5Pにおける複数種LOフォノン系量子干渉効果および、フォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算2016

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第5回結晶成長未来塾
    • 発表場所
      東京農工大学小金井キャンパス,小金井市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] GaNにおける励起子・励起子分子準位間遷移過程の理論計算2016

    • 著者名/発表者名
      野町健太郎, 岩堀友洋,大木健輔,馬ベイ, 森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Introducing of Biexciton Processes into Exciton Dynamics Simulation for GaN Based on Collisional Phononic and Radiative Model2016

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Nomachi, Tomohiro Iwahori, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films2016

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] GaNにおける起子分子準位間遷移過程理論計算2016

    • 著者名/発表者名
      野町健太郎,岩堀友洋,大木健輔,馬ベイ, 森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Exciton dynamics and stability of GaN in non-thermal equilibrium state by the analysis taking into account the higher-order exciton states2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, K. Takeuchi, T. Iwahori, K. Oki, K. Nomachi, B. Ma, K. Morita, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016
    • 発表場所
      Orland, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films2016

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ,新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Simulation of carrier-exciton-phonon dynamics in GaN in non-equilibrium state2016

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando, U.S.A.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] 高次励起準位を用いたGaNにおける励起子の励起・脱励起ダイナミクス解析2016

    • 著者名/発表者名
      竹内和真、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] P型Ga0.5In0.5Pにおける複数種LO準位と電子遷移系の量子干渉効果2016

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則、馬 ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Exciton dynamics and stability of GaN in non-thermal equilibrium state by the analysis taking into account the higher-order exciton states2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, K. Takeuchi, T. Iwahori, K. Oki, K. Nomachi, B. Ma, K. Morita, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando, U.S.A.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] GaNにおける励起子・励起子分子準位間遷移過程の理論計算2016

    • 著者名/発表者名
      野町健太郎, 岩堀友洋, 大木健輔, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06425
  • [学会発表] Phonon Engineering of Semiconductors in THz frequency region2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      International Conference on Science and Engineering
    • 発表場所
      Yangon, Myanmar
    • 年月日
      2016-12-10
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] LO フォノン-価電子帯間遷移の量子干渉におけるキャリア分布の影響2015

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則、馬 ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Interference of 2LO phonon and continuum inter-valence band transition in p-GaInP film2015

    • 著者名/発表者名
      H. Sakamoto,Y.Ishitani, K. Morita, B. Ma
    • 学会等名
      40th International Conference on Infrared and Millimeter and Terahertz Waves
    • 発表場所
      Hong-Kong, China
    • 年月日
      2015-08-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] GaNにおける定常状態励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算2015

    • 著者名/発表者名
      岩堀 友洋,竹内 和真, 馬ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2015-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] 赤外反射分光によるGaNの電子密度深さ不均一性評価手法2015

    • 著者名/発表者名
      上條 隆明, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      2015年 第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2015-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Infrared absorption at the LO phonon energy of metal/semiconductor/metal composite materials2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, E. Takeuchi, B. Ma, and K. Morita
    • 学会等名
      40th International Conference on Infrared and Millimeter and Terahertz Waves
    • 発表場所
      Hong-Kong, China
    • 年月日
      2015-08-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2015

    • 著者名/発表者名
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6),
    • 発表場所
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2015

    • 著者名/発表者名
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Mid-infrared absorption at the LO phonon energy of metal/GaN-composite structure2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, K. Hatta, E. Takeuchi, B. Ma, and K. Morita
    • 学会等名
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijin, China,
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] 赤外反射分光による GaN の電子深さ特性評価手法2015

    • 著者名/発表者名
      上條隆明、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算2015

    • 著者名/発表者名
      岩堀 友洋,竹内 和真, 馬ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] 赤外反射分光によるGaNの電子密度深さ不均一性評価手法2015

    • 著者名/発表者名
      上條 隆明, 馬 &#34003;, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2015-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] GaNにおけるフォノン-キャリアダイナミクス解析2015

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 竹内 和真、岩堀 友洋、三宅 秀人、平松 和政、石谷 善博
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Effect of impurity on the exciton dynamics of GaN in non-thermal equilibrium state2015

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Kazuma Takeuchi, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics based on hydrogen plasma model in GaN2015

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Numerical analysis of ion impurity effect on energy relaxation processes of carriers and excitons in GaN2015

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, K. Morita, and Y. Ishitani
    • 学会等名
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijin, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] 赤外反射分光による GaN の電子深さ特性評価手法2015

    • 著者名/発表者名
      條 隆明、馬 ベイ、森田 健、石谷 善博
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13345
  • [学会発表] InNの非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 森田健, 塚原捷生, 馬 蓓, 石谷善博, 王 新強, 草部一秀, 吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Carrier recombination dynamics of III-nitrides based on infrared spectroscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani and D.Imai
    • 学会等名
      AnalytiX2014
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] 縮退型ポンプ-プローブ法によるInN の超高速ダイナミクス観測2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 森田健, 塚原捷生, 馬 蓓, 石谷善博, 王 新強, 草部一秀, 吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] “縮退型ポンプ-プローブ法によるInNの超高速ダイナミクス観測2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地、森田健、塚原捷生、石谷善博、馬ベイ、王新強、草部一秀、吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春期学術講演
    • 発表場所
      青山学院大相模原キャンパス、相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] p 型 GaInP を用いた 2 種フォノンと連続準位の量子干渉効果2014

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則, 石原一行, 馬蓓, 森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] InN の非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 森田健, 塚原捷生, 馬 蓓, 石谷善博, 王 新強, 草部一秀, 吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] p 型GaInP を用いた2 種フォノンと連続準位の量子干渉効果2014

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,石原一行,馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Carrierr ecombination dynamics of III-nitrides based on infrared spectroscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Y . Ishitani
    • 学会等名
      AnalytiX
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] InNの非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、王新強、草部一秀、吉川明彦、森田健、馬ベイ
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春期学術講演
    • 発表場所
      青山学院大相模原キャンパス、相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] GaN励起子発光のフォノンレプリカに着目した励起子運動量および再結合過程の解析2014

    • 著者名/発表者名
      高橋賢治,後藤圭,今井大地,森田健,馬蓓, 石谷善博,三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Effects of Carrier Transport and Local Lattice Temperature on Nonradiative Recombination processes in InN Films2013

    • 著者名/発表者名
      Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Xinqiang Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      10th International conference on nitride semiconductors (ICNS-2013)
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] III 族窒化物半導体における光子-フォノン相互作用2013

    • 著者名/発表者名
      八田佳祐, 石谷善博
    • 学会等名
      日本分光学会テラヘルツ分光部会シンポジウムテラヘルツ分光法の最先端 VII~どこへ行くテラヘルツ分光~
    • 発表場所
      京都大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] InN のバンド端発光効率低減過程におけるフォノン輸送特性の影響2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 石谷善博, 王新強, 吉川明彦
    • 学会等名
      第74回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] 窒化物半導体における光子-フォノン相互作用2013

    • 著者名/発表者名
      八田佳祐, 石谷善博
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Effects of Carrier Transport and Local Lattice Temperature on Nonradiative Recombination processes in InN Films2013

    • 著者名/発表者名
      Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, X inqiang Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      10th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Washington, U.S.A
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Phonon polariton and infrared absorption effects in III-nitride thin films2013

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Hatta and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves
    • 発表場所
      Mainz, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] 窒化インジウムにおけるフォノン放出を伴う非輻射再結合2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、王新強、吉川明彦
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      徳島大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] 窒化インジウムにおけるフォノン放出による非輻射再結合過程2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、王新強、吉川明彦
    • 学会等名
      2013年度秋季物理学会
    • 発表場所
      徳島大、徳島市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] InNのバンド端発光効率低減過程におけるフォノン輸送特性の影響,今井大地,石谷善博, 王新強, 吉川明彦2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、森田健、馬王新強、吉川明彦
    • 学会等名
      第74回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] フォノンレプリカを用いた励起子解離ダイナミクス解析の可能性2013

    • 著者名/発表者名
      後藤圭,今井大地,高橋賢治,森田健,石谷善博,三宅秀人
    • 学会等名
      第74回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Phonon polariton and infrared absorption effect s in III-nitride thin films2013

    • 著者名/発表者名
      K. Hatta and Y . Ishitani
    • 学会等名
      The 38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves
    • 発表場所
      Mainz, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] 窒化インジウムにおけるフォノン放出を伴う非輻射再結合2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 石谷善博, 王新強, 吉川明彦
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      徳島大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] III族窒化物半導体における光子-フォノン相互作用2013

    • 著者名/発表者名
      八田佳祐,石谷善博
    • 学会等名
      日本分光学会テラヘルツ分光部会シンポジウム
    • 発表場所
      京都大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] InNの非輻射再結合過程におけるフォノン輸送特性の影響2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、王新強、吉川明彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋期学術講演会
    • 発表場所
      同志社大、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] InN のキャリア再結合における局所的電子 ・ 格子ダイナミクスの影響2012

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 石谷善博, 王 新強, 草部一秀, 吉川明彦
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] 近・中赤外域分光による InN の輻射・非輻射再結合過程解析2012

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 石谷善博, 王 新強, 草部一秀, 吉川明彦
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Infrared measurement s in the study of III-nitrides2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 学会等名
      Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Effect s of Carrier Transport and Local Lattice Temperature on Nonr adiat ive Recombination processes in InN Films2012

    • 著者名/発表者名
      D. Imai, Y . Ishitani, X . Wang, K. Kusakabe, and A. Yoshikawa
    • 学会等名
      10th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Washington, USA, oral
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Mid and Far -Infrared analysis of the local electron-lattice dynamics on carrier recombinat ion processes of InN films2012

    • 著者名/発表者名
      D. Imai, Y . Ishitani, M. Fujiwara, X. Wang, K. Kusakabe, and A. Y oshikawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      Sapporo, Japan, oral
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Analysis of non-radiative carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      D. Imai, Y . Ishitani, M. Fujiwara, X. Wang, K. Kusakabe, and A. Y oshikawa
    • 学会等名
      Electronic Material Symposium
    • 発表場所
      State College, P A, USA, oral
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Carrier scattering processes in p and n type InN fims by infrared spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y .Ishitani, X.Q.Wang, D.Imai, K.Kusakabe, and A.Y oshikawa
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] 窒化物エピタキシャル層評価における中赤外域表面・界面モードの利用2012

    • 著者名/発表者名
      増田祥太郎, 石谷善博, 草部一秀, 吉川明彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Characteristics of carrier recombination processes in n-type and p-type InN films analyzed by infrared spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      D.Imai, Y .Ishitani, X.Q. Wang, K.Kusakabe, and A.Yoshikawa
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] InN のバンド端発光の低減におけるフォノン放出による非輻射性再結合過程2012

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第22回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会・理研シンポジウム合同シンポジウム
    • 発表場所
      マホロバマインズ三浦
    • 年月日
      2012-09-22
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Interface phonon polariton and infrared optical absorption in nitride thin films2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan, oral
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Electron and hole scattering dynamics in InN films investigated by infrared measurements2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他4名
    • 学会等名
      European Material Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] p型InNにおけるMgアクセプタの活性化エネルギー2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
    • 発表場所
      東北大学金属材料研究所
    • 年月日
      2011-01-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Characterization of Mg-doped InN by infrared spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Granada, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] 赤外分光法によるInNおよびその他窒化物半導体評価2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,藤原昌幸,今井大地,王新強,草部一秀,吉川明彦
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第76回研究会(招待講演)
    • 発表場所
      キャンパスイノベーションセンター東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] p型InNにおけるMgアクセプタの活性化エネルギー2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博、藤原昌幸、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
    • 発表場所
      年東北大学金属材料研究所
    • 年月日
      2011-01-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Electron and hole scattering dynamics in-InN films investigated by infrared measurements.2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.Fujiwara, D.Imai, X.Wang, K.Kusakabe, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      European Material Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France (Invited Talk)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] p型InNにおけるMgアクセプタの活性化エネルギー2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
    • 発表場所
      東北大学金属材料研究所
    • 年月日
      2011-01-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Characterization of Mg-doped InN by infrared spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.fujiwara, X.Wang, K.Kusakebe, A.Yoshiakwa
    • 学会等名
      Wo rkshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Granada, Spain (Invited Talk)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] 赤外分光法によるInNおよびその他窒化物半導体評価2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博, 他
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第76回研究会
    • 発表場所
      キャンパス・イノベーションセンター東京
    • 年月日
      2011-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] InNの正孔散乱過程2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,今井大地,王新強,草部一秀,吉川明彦
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
    • 発表場所
      東北大学金属材料研究所
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] InNの正孔散乱過程2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博, 他
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
    • 発表場所
      東北大学金属材料研究所,仙台市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Hole properties of Mg-doped InN films investigated by infrared measurements2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, et al.
    • 学会等名
      5^<th> Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      Toba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Characterization of Mg-doped InN by infrared spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Granada, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Electron and hole scattering dynamics in InN films investigated by infrared measurements2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, et al.
    • 学会等名
      European Material Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] 赤外分光によるGaNのフォノン・電子物性深さ分解評価における重要点2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博, 他
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス,山形市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] 赤外分光によるGaNのフォノン・電子物性深さ分解評価における重要点2011

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,増田祥太郎,草部一秀,吉川明彦
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Mg impurity level in highly doped p-type InN studied by temperature dependence of infrared spectra2010

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors, L1.2
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] N-極性MgドープInNにおけるフォトルミネッセンス特性の解析2010

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Carrier scattering and non-radiative recombination properties of n-type and p-type InN films2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他5名
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors, L1.9
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] p型n型InNの非輻射電子・正孔再結合過程2010

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
    • 発表場所
      東北大学金属材料研究所
    • 年月日
      2010-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Carrier Scattering and Nonradiative Recombination Properties of n-type and p-type InN Films2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Mgドープp型InNの極低温におけるアクセプタ活性化エネルギー評価2010

    • 著者名/発表者名
      藤原昌幸、石谷善博、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館、東京
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] p型n型InNの非輻射電子・正孔再結合過程2010

    • 著者名/発表者名
      石谷善博、今井大地、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
    • 発表場所
      東北大学金属材料研究所
    • 年月日
      2010-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] N極性MgドープInNにおけるフォトルミネッセンス温度依存特性解析2010

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Carrier scattering and non-radiative recombination properties of n-type and p-type InN films2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Quasi-ternary multi-junction solar cells with magic numbers (n,m)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Kusakabe, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors, J2.8
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Mg impurity level in highly doped p-type InN studied by temp erature dependence of infrared spectra2010

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, K.Kusaka be, A.Yoshiakawa
    • 学会等名
      Inte rnational Workshop on Nitride Semiconducto rs
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Carrier scattering an d non-radiative recombination properties of n-type and p-type InN films2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.Fujiwara, X.Wang, K.Kusakebe, A.Yoshiakwa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Demonstration of p-type InN by temperat ure -dependent Hall effect measurements2010

    • 著者名/発表者名
      X.Q.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      I nternational Workshop on Nitride Semicondu ctors
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] 赤外分光法によるInN/InGaN界面における二次元電子ガスの観測2010

    • 著者名/発表者名
      田中宏和、石谷善博、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] フォトルミネッセンス法によるN極性MgドープInNのキャリア再結合過程評価2010

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館、東京
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Characterization of electron and hole mobility of InN by infrared spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2009
    • 発表場所
      Zhangjiajie, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Effects of threading dislocatio ns and other defectson reduction of band-edge photoluminescence in n-InN films2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, X.Wang, K.Kusakebe, A.Yoshiakawa
    • 学会等名
      Eur opean Materials Research Society 2009 Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Characterization of electron and hole mobility of InN by infra red spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.Fujiawa, X.Wang, K.Kusak abe, A.Yoshiakawa
    • 学会等名
      Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2009
    • 発表場所
      Zhangjiajie, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Effects of threading dislocations and other defects on reduction of bandedge photoluminescence in n-InN films2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2009 Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Deterioration of electronic and radiative properties in n- and p-type InN films by edge-type dislocations2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      8^<th> International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] 赤外分光法によるp型InNの正孔濃度及び移動度評価2009

    • 著者名/発表者名
      藤原昌幸、石谷善博、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Radiative and non-radiative carrier recombination properties of InN2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      Asia Core Workshop on Wide Bangap Semiconductors
    • 発表場所
      Gyeonju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Radiative and non-radiative carrier recombination properties of InN2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Kato, X.Wang, A.Yoshiakwa
    • 学会等名
      Asia Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors
    • 発表場所
      Gyeonju, Korea (Invited Talk)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] In極性InN/InGaNヘテロ界面における電子蓄積の観測2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] ガードリングを用いたInN pn接合のダイオード特性評価2009

    • 著者名/発表者名
      海口翔平、石谷善博、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Polarity dete rmination of InN by using circular photogal vanic effect2009

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, Q.Zhang, B.Shen, Y.Chen, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2009 Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Characterization of electron and hole mobility of InN by infrared spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2009
    • 発表場所
      Zhangjiajie, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Effects of threading dislocations and other defects on reduction of band-edge photoluminescence in n-InN films2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2009 Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Deterioration of electronic and radiative properties in n- and p-type InN films by edge-type dislocations2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      8^<th> International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Polarity detection of wurtzite s emiconductors based on circular photogalvani c effect2009

    • 著者名/発表者名
      Q.Zhang, X.Wang, X.W.He, C.M.Y in, B.Shen, Y.H.Chen, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2009
    • 発表場所
      Zhangjiajie, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Deterioration of electronic and radiative properties in n- and p-type InN films by edge-type dislocations2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.Fujigawa, X.Wang, K.Kusakebe, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      8^<th> International Symposium on Nitride Semi conductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Optical characteriza tion of hole scattering processes in-InN2009

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, K.Kusakebe, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Ja pan-Korea Asia Core Program General Meeting
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2009-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Deterioration of electronic and radiative properties in n- and p-type InN films by edge-type dislocations2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他3名
    • 学会等名
      8^<th> International Symposium on Nitride Semiconductors, FF3
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 六方晶n型InNにおける非輻射キャリア再結合過程の残留電子濃度・転位密度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      加藤健太、石谷善博、吉川明彦
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] 高濃度Mgドープp型InNにおけるアクセプタ活性化エネルギーと不純物バンド2009

    • 著者名/発表者名
      藤原昌幸、石谷善博、草部秀一、吉川明彦
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] In極性InN/InGaNヘテロ界面における電子蓄積の観測2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博、田中宏和、吉川明彦
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Radiative and non-radiative carrier recombination properties of InN2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      Asia Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors
    • 発表場所
      Gyeonju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] System atic Study on P-Type Doping of InN Layers with Both In- and N-Polarities for Wide R ange Mg Doping Levels2009

    • 著者名/発表者名
      X.Q. Wang, G.Zhao, B.Shen, Y.Ishitani, H.Harima, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      8th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Present status of electron and hole properties of InN2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      Asia Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors
    • 発表場所
      Gwangju, Korea
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 赤外分光法によるn型およびp型InN薄膜のキャリア密度および移動度評価2008

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      電子情報通信 学会サマーセミナー
    • 発表場所
      機械振興会館、東京
    • 年月日
      2008-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] imultaneous extraction of p-type carrier density and mobility in InN layers by infrared reflectance measurements2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      California, USA
    • 年月日
      2008-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Present status of electron and hole properties of InN2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Asian core workshop on wide bandgap semiconductors
    • 発表場所
      Gwangju, Korea, (Invited Talk)
    • 年月日
      2008-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] 赤外分光エリプソメトリによるp-InNの正孔移動度の異方性解析2008

    • 著者名/発表者名
      藤原昌幸、石谷善博、崔成伯、吉川明彦
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LO phonon-hole plasmon properties2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux, Suiss
    • 年月日
      2008-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LO phonon-hole plasmon coupling properties2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 低電子濃度InN薄膜における貫通刃状転位の電子散乱への影響2008

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] FTIR/SE characterization of Mg-doped InN2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 学会等名
      Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Hakone, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2008-03-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 赤外分光法によるn型およびp型InN薄膜のキャリア密度および移動度評価2008

    • 著者名/発表者名
      石谷善博、藤原昌幸、崔成伯、吉川明彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会サマーセミナー
    • 発表場所
      機械振興会館(招待講演)
    • 年月日
      2008-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] InN:state of the art- advances in epitaxy control, p-type doping, and novel nanostructures2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, X.Wang
    • 学会等名
      Plenary talk in International workshop on nitride semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux Switzerland
    • 年月日
      2008-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LOphonon-hole plasmon properties2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux, Suiss
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] 赤外分光法によるn型およびp型InN薄膜のキャリア密度および移動度評価2008

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      電子情報通信学会サマーセミナー
    • 発表場所
      機械振興会館
    • 年月日
      2008-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LO phonon - hole plasmon coupling properties2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他3名
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Radiative lifetime analysis on ultra thin InN/GaN-quantum well structures by transient photoluminescence measurements2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Omori, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Nanotechnology materials and devices conference
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2008-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] P-type conductivity control and hole conduction properties of Mg-doped InN2008

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, A.Uedono, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Present status of electron and hole properties of InN2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 学会等名
      Asian core workshop on wide bandgap semiconductors
    • 発表場所
      Gwangju, Korea
    • 年月日
      2008-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560005
  • [学会発表] Study on p-type dopability and polarity inversion in Mg-doped In-polar InN2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      7^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Far-infrared reflectance method for investigation on carrier density and scattering processes on-nitrides2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Photonic, Electronic, and Energy-Related Materials and Devices
    • 発表場所
      Jeonju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Electron density and electron scattering processes of inside bulk region in InN films2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] InN薄膜のキャリア散乱機構の赤外偏光反射分光測定による研究2007

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal of a new fine structure of InN/GaN MQWs : One monolayer and fractional monolayer InN wells in GaN barriers2006

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, 他3名
    • 学会等名
      Physics of Light Matter Coupling in Nanostructures
    • 発表場所
      Magdeburg, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 1.55μm emission from In-polarity InN/In_<0.7>Ga_<0.3>N multi-quantum wells at room temperature2006

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Exciton-phonon interaction of GaN in non-thermal equilibrium state

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K. Takahashi, K. Goto, B. Ma, K. Morita, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Carrier scattering processes in p and n type InN fims by infrared spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Q.Wang, D.Imai, K.Kusakabe, and A.Yoshikawa
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] Optical characterization of III-nitride semiconductors for ultraviolet to infrared light emitting devices

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      International Conference on Science and Engineering
    • 発表場所
      Yangon, Myanmar
    • 年月日
      2014-12-28 – 2014-12-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] 赤外分光によるキャリアダイナミクスおよび結晶特異構造評価

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,森田健,馬 ベイ
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Interface phonon polariton and infrared optical absorption in nitride thin films

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] 励起子励起準位を用いたGaNの励起子ダイナミクスの解析

    • 著者名/発表者名
      竹内 和真 ,大泉 尚之 ,馬 ベイ ,森田 健 ,石谷 善博 ,三宅 秀人 ,平松 和政
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] InNのバンド端発光の低減におけるフォノン放出による非輻射性再結合過程

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第22回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会・理研シンポジウム 合同シンポジウム
    • 発表場所
      マホロバマインズ三浦
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656010
  • [学会発表] GaNにおけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程の励起条件依存に関する数値解析

    • 著者名/発表者名
      馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Simulation of exciton and carrier energy excitation and relaxation dynamics in GaN

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Kenji Takahashi, K. Takeuchi, T. Iwahori, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Nanoenergy and Nanosystems 2014
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2014-12-08 – 2014-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] 赤外反射分光による 赤外反射分光による GaN のキャリヤ密度深さ分布解析

    • 著者名/発表者名
      上條 隆明 , 馬ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] Carrier recombination dynamics of III-nitrides based on infrared spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      AnalytiX 2014
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-04-28
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [学会発表] GaN におけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程

    • 著者名/発表者名
      馬 ベイ,山口裕暉,高橋賢治,後藤圭,竹内和真,岩堀友洋,森田健,石谷善博,三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048
  • 1.  馬 ベイ (90718420)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 133件
  • 2.  吉川 明彦 (20016603)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 100件
  • 3.  崔 成伯 (00361410)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 39件
  • 4.  森田 健 (30448344)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 60件
  • 5.  草部 一秀 (40339106)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 5件
  • 6.  篠塚 雄三 (30144918)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  三宅 秀人 (70209881)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 5件
  • 8.  糸井 貴臣 (50333670)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  賈 岸偉 (90280916)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  岡本 保 (80233378)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  矢口 裕之 (50239737)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  渡邉 聡 (00292772)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  秋山 亨 (40362363)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  岩谷 素顕 (40367735)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  大木 健輔
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 16.  好田 誠
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 17.  上野 耕平
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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