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堀口 誠二  HORIGUCHI Seiji

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60375219
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2011年度: 工学資源学研究科, 教授
2010年度 – 2011年度: 秋田大学, 工学資源学研究科, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者以外
マイクロ・ナノデバイス
キーワード
研究代表者以外
ナノ物性制御 / マイクロ・ナノデバイス / ナノ・マイクロ科学 / 単一電子制御 / シングルドーパント
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (7件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス

    • 研究代表者
      小野 行徳
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Appl. Sur. Sci

      巻: Vol.254, No.19 ページ: 6252-6256

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20241036
  • [雑誌論文] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Appl. Sur. Science Vol.254

      ページ: 6252-6256

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20241036
  • [学会発表] Effect of δ-function-like boron charge sheet on p-channel ultra-thin SOI MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kawachi, Y.Ono, A.Fujiwara, S.Horiguchi
    • 学会等名
      2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20241036
  • [学会発表] Identification of single dopants in nanowire MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, S.Horiguchi, K.Nishiguchi, A.Fujiwara :
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20241036
  • [学会発表] Identification of single dopants in nanowire MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, S.Horiguchi, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20241036
  • [学会発表] Single-dopant effect in Si MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. Khalafalla, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20241036
  • [学会発表] Single-dopant effect in Si MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, K.Takashina, S.Horiguchi, Y.Takahashi, H.Inokawa
    • 学会等名
      IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008
    • 発表場所
      Kyoto(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20241036
  • 1.  小野 行徳 (80374073)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 2.  土屋 敏章 (20304248)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  西口 克彦 (00393760)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 4.  山口 徹 (30393763)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  モハメッド カラファラ (70463627)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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