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日比野 浩樹  HIBINO Hiroki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60393740
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 関西学院大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2021年度 – 2024年度: 関西学院大学, 工学部, 教授
2015年度 – 2021年度: 関西学院大学, 理工学部, 教授
2016年度 – 2017年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長
2014年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, その他部局等, その他
2013年度 – 2014年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 … もっと見る
2013年度: 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所機能物質科学研究部, 主幹研究員
2013年度: 日本電信電話株式会社NTT 物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長
2012年度 – 2013年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長
2012年度: 日本電信電話株式会社 NTT 物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長
2011年度 – 2012年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員
2007年度 – 2012年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員
2009年度: 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分28030:ナノ材料科学関連 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 小区分30010:結晶工学関連 / ナノ材料化学 / 大区分D / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 光工学・光量子科学 / 結晶工学 / ナノ材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 薄膜・表面界面物性 / マイクロ・ナノデバイス
キーワード
研究代表者
グラフェン / 結晶成長 / 二次元物質 / 二硫化モリブデン / 第一原理計算 / ヘテロ構造 / 化学気相成長 / 六方晶窒化ホウ素 / トランジスタ / 成長機構 … もっと見る / バンドギャップ / ホール素子 / インターカレーション / キャリア移動度 / 量子ホール効果 / 低エネルギー電子顕微鏡 / 電気伝導特性 / シリコンカーバイド / ナノ構造物性 … もっと見る
研究代表者以外
グラフェン / ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / 人工二次元結晶 / アト秒科学 / 窒化物半導体 / 時間分解ARPES / 結晶成長 / 計測工学 / ナノ構造 / レーザー / シリコン / InAs / 積層欠陥 / 歪緩和 / 半導体 / 発光ダイオード / フォトニック結晶 / レーザ / InP / 歪 / ナノワイヤ / 異種接合 / 化合物半導体 / 時間依存密度行列法 / ファンデルワールス物質 / 光波駆動現象 / ペタヘルツエレクトロニクス / X線回折 / 分子線エピタキシー / 窒化ガリウム / その場X線回折 / 放射光 / 窒化物 / MBE成長 / X線回折 / 放射光利用 / スピントロニクス / アト秒物理 / マイクロ・ナノテバイス / 触媒・化学プロセス / 一原子層状物質 / アト秒光物理 / 固体高次高調波発生 / 量子エレクトロニクス / アト秒時間分解分光 / XPS / BAlN / BGaN / B固体ソース / RFプラズマ / MBE / ダメージ / ホール / ラマン / 窒素プラズマ / BN / AlN / 位相干渉効果 / 八木・宇田アンテナ / 光学的異方性 / テラヘルツ / 指向性 / 吸収率 / 反射率 / プラズモン / 電子デバイス・機器 / ナノコンタクト / 異種機能集積化 / 電子デバイス / 環境制御チャンバー / 表面構造制御 / 赤外線加熱 / 集積化デバイス / 電子エネルギー移動反応 / 表面・界面物性 / バイオセンサ / 電子移動反応 / 光エネルギー移動反応 / 表面・界面科学 / エッジ修飾 / ナノ表面・界面 / 電気化学 / 低速電子顕微鏡 / 鉄シリサイド / 動力学的解析 / 低速電子顕微鏡法 / 低速電子回折法 / 表面構造 / 薄膜 / エピタキシャルグラフェン / 高次高調波 / 電子位相緩和 / 表面増強ラマン散乱 / 時間分解光電子分光 / 超高速ダイナミクス / エッチング / エタノール / 微傾斜基板 / 供給律速 / ホモエピタキシャル成長 / 成長過程 / エチレン / 分子線エピタキシ法 / X線光電子分光 / 表面拡散 / 単結晶領域 / ヘテロエピタキシャル成長 / 界面反応 / 分子線エピタキシャル成長法 / X線光電子分光 / 拡散長 / 相互作用 / ヘテロ成長 / 欠陥 / 六方晶窒化硼素 / 分子線エピタキシャル成長 / ナノ構造形成・制御 / ナノギャップ電極 / 低エネルギー電子顕微鏡 隠す
  • 研究課題

    (18件)
  • 研究成果

    (468件)
  • 共同研究者

    (37人)
  •  結晶成長による2Dヘテロ構造のデザイン研究代表者

    • 研究代表者
      日比野 浩樹
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分28030:ナノ材料科学関連
    • 研究機関
      関西学院大学
  •  自己触媒成長技術によるシリコン基板上新規ナノワイヤ構造・レーザーデバイスの創出

    • 研究代表者
      章 国強
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  ペタヘルツスピントロニクスの創出

    • 研究代表者
      小栗 克弥
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  極限単一アト秒パルス分光法で拓くペタヘルツスケール光物性

    • 研究代表者
      小栗 克弥
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 審査区分
      大区分D
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  グラフェンを利用した窒化物自立基板の開発

    • 研究代表者
      佐々木 拓生
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
  •  アト秒スペクトロスコピー技術によるペタヘルツエンジニアリングの創出

    • 研究代表者
      小栗 克弥
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      光工学・光量子科学
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  AB積層二層グラフェンの成長技術開発とトランジスタへの応用

    • 研究代表者
      吾郷 浩樹
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料化学
    • 研究機関
      九州大学
  •  誘導体グラフェンへのエネルギー移動反応の定量評価

    • 研究代表者
      古川 一暁
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料化学
    • 研究機関
      明星大学
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究

    • 研究代表者
      永瀬 雅夫
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      徳島大学
  •  グラフェン-八木・宇田アンテナ

    • 研究代表者
      鈴木 哲
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      ナノ材料工学
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  RF-MBE法によるグラフェン上へのエピタキシャルBN成長

    • 研究代表者
      牧本 俊樹
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      早稲田大学
  •  高次高調波表面光電子分光法によるグラフェン電子系の超高速ダイナミクスの解明

    • 研究代表者
      小栗 克弥
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  低速電子顕微鏡の動力学的解析による鉄シリサイドナノアイランド構造と発光条件の解明

    • 研究代表者
      松本 益明
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      東京学芸大学
      東京大学
  •  電気化学によるグラフェンエッジの評価と制御

    • 研究代表者
      古川 一暁
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2012
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  分子線エピタキシャル成長によるウエハスケールグラフェン形成

    • 研究代表者
      前田 文彦
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御

    • 研究代表者
      永瀬 雅夫
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      徳島大学
  •  ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製研究代表者

    • 研究代表者
      日比野 浩樹
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  数層グラフェン薄膜のナノスケール伝導特性の解明

    • 研究代表者
      永瀬 雅夫
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] グラフェンが拓く材料の新領域-物性・作製法から実用化まで-2012

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、永瀬雅夫, 他
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Improving optoelectronic properties of InP/InAs nanowire p-i-n devices with telecom-band electroluminescence2024

    • 著者名/発表者名
      Zhang Guoqiang、Tateno Kouta、Sasaki Satoshi、Tawara Takehiko、Hibino Hiroki、Gotoh Hideki、Sanada Haruki
    • 雑誌名

      Optics Continuum

      巻: 3 号: 2 ページ: 176-186

    • DOI

      10.1364/optcon.511645

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01834, KAKENHI-PROJECT-23K26485
  • [雑誌論文] Polarized Raman scattering spectroscopy of array of embedded graphene ribbons grown on 4H-SiC(0001)2023

    • 著者名/発表者名
      Yoshiaki Sekine、Katsuya Oguri、Hiroki Hibino、Hiroyuki Kageshima、Yoshitaka Taniyasu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 16 号: 6 ページ: 065001-065001

    • DOI

      10.35848/1882-0786/acd0f1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [雑誌論文] hBN-グラフェンヘテロ構造のCVD成長機構2023

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Shengnan Wang、日比野 浩樹
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 50 号: 1 ページ: n/a

    • DOI

      10.19009/jjacg.50-1-01

    • ISSN
      0385-6275, 2187-8366
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [雑誌論文] Carbonization-driven motion of Si islands on epitaxial graphene2023

    • 著者名/発表者名
      Hibino Hiroki、Kageshima Hiroyuki
    • 雑誌名

      Physical Review Materials

      巻: 7 号: 5 ページ: 054003-054003

    • DOI

      10.1103/physrevmaterials.7.054003

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [雑誌論文] Theoretical Study on Origin of CVD Growth Direction Difference in Graphene/hBN Heterostructures2023

    • 著者名/発表者名
      Kageshima Hiroyuki、Wang Shengnan、Hibino Hiroki
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

      巻: 21 号: 4 ページ: 251-256

    • DOI

      10.1380/ejssnt.2023-031

    • ISSN
      1348-0391
    • 年月日
      2023-04-15
    • 言語
      英語
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [雑誌論文] Influence of substrate sapphire orientation on direct CVD growth of graphene2023

    • 著者名/発表者名
      Kawai Yoshikazu、Nakao Takuto、Oda Takato、Ohtani Noboru、Hibino Hiroki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: 8 ページ: 085503-085503

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acea0b

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [雑誌論文] Control of rotation angles of multilayer graphene on SiC (000-1) by substrate off-direction and angle2023

    • 著者名/発表者名
      Sakakibara Ryotaro、Bao Jianfeng、Hayashi Naoki、Ito Takahiro、Hibino Hiroki、Norimatsu Wataru
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Condensed Matter

      巻: 35 号: 38 ページ: 385001-385001

    • DOI

      10.1088/1361-648x/acdebf

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22KJ1535, KAKENHI-PUBLICLY-22H04612, KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [雑誌論文] Surface etching and edge control of hexagonal boron nitride assisted by triangular Sn nanoplates,2022

    • 著者名/発表者名
      Y. Hsin, P. Solis-Fernandez, H. Hibino, and H. Ago,
    • 雑誌名

      Nanoscale Advances

      巻: 4 号: 18 ページ: 3786-3792

    • DOI

      10.1039/d2na00479h

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768, KAKENHI-PROJECT-21K18878
  • [雑誌論文] Correlation between structures and vibration properties of germanene grown by Ge segregation2021

    • 著者名/発表者名
      S. Mizuno, A. Ohta, T. Suzuki, H. Kageshima, J. Yuhara, and H. Hibino
    • 雑誌名

      Applied Physic Express

      巻: 14 号: 12 ページ: 125501-125501

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac3185

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768, KAKENHI-PROJECT-21K04879
  • [雑誌論文] Theoretical study on role of edge termination for growth direction selectivity in chemical vapor deposition of hBN/graphene heterostructure on Cu surface2021

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino
    • 雑誌名

      Applied Physic Express

      巻: 14 号: 8 ページ: 085502-085502

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac0ece

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670, KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [雑誌論文] Surface-enhanced Raman scattering from buffer layer under graphene on SiC in a wide energy range from visible to near-infrared2020

    • 著者名/発表者名
      Sekine Yoshiaki、Hibino Hiroki、Oguri Katsuya、Iwamoto Atsushi、Nagase Masao、Kageshima Hiroyuki、Akazaki Tatsushi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 4 ページ: 040902-040902

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab7a48

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [雑誌論文] In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on graphene-covered amorphous substrates2020

    • 著者名/発表者名
      Fuke Seiya、Sasaki Takuo、Takahasi Masamitu、Hibino Hiroki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 7 ページ: 070902-070902

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab9760

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [雑誌論文] Behavior and role of superficial oxygen in Cu for the growth of large single-crystalline graphene2017

    • 著者名/発表者名
      D. Ding, P. Solis Fernandez, R. Mohamad Yunus, H. Hibino, H. Ago
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 408 ページ: 142-149

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2017.02.250

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-16H00917, KAKENHI-PROJECT-15H03530, KAKENHI-PROJECT-15K13304
  • [雑誌論文] Grain Boundaries and Gas Barrier Property of Graphene Revealed by Dark-Field Optical Microscopy2017

    • 著者名/発表者名
      Ding Dong、Hibino Hiroki、Ago Hiroki
    • 雑誌名

      The Journal of Physical Chemistry C

      巻: 122 号: 1 ページ: 902-910

    • DOI

      10.1021/acs.jpcc.7b10210

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19036, KAKENHI-PUBLICLY-16H00917, KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [雑誌論文] Highly uniform bilayer graphene on epitaxial Cu-Ni(111) alloy2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Takesaki, K. Kawahara, H. Hibino, S. Okada, M. Tsuji, H. Ago
    • 雑誌名

      Chemistry of Materials

      巻: 28 号: 13 ページ: 4583-4592

    • DOI

      10.1021/acs.chemmater.6b01137

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-16H00917, KAKENHI-PROJECT-15H03530, KAKENHI-PROJECT-25286003, KAKENHI-PROJECT-15K13304
  • [雑誌論文] Spatially-controlled nucleation of single-crystal graphene on Cu assisted by stacked Ni2016

    • 著者名/発表者名
      D. Ding, P. Solis Fernandez, H. Hibino, H. Ago
    • 雑誌名

      ACS Nano

      巻: 10 号: 12 ページ: 11196-11204

    • DOI

      10.1021/acsnano.6b06265

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-16H00917, KAKENHI-PROJECT-15H03530, KAKENHI-PROJECT-15K13304
  • [雑誌論文] Graphene FRET aptasensor2016

    • 著者名/発表者名
      K. Furukawa, Y. Ueno, M. Takamura, H. Hibino
    • 雑誌名

      ACS Sensors

      巻: 2 号: 6 ページ: 710-716

    • DOI

      10.1021/acssensors.6b00191

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286018
  • [雑誌論文] Large optical anisotropy for terahertz light of stacked graphene ribbons with slight asymmetry2015

    • 著者名/発表者名
      S. Suzuki, H. Hibino
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 117 号: 17

    • DOI

      10.1063/1.4919703

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • [雑誌論文] Growth dynamics of single-layer graphene on epitaxial Cu surfaces2015

    • 著者名/発表者名
      H. Ago, Y. Ohta, H. Hibino D. Yoshimura, R. Takizawa, Y. Uchida, M. Tsuji, T. Okajima, H. Mitani, S. Mizuno
    • 雑誌名

      Chemistry of Materials

      巻: 27 号: 15 ページ: 5377-5385

    • DOI

      10.1021/acs.chemmater.5b01871

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13304, KAKENHI-PROJECT-15H03530, KAKENHI-PROJECT-25286003
  • [雑誌論文] Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene2015

    • 著者名/発表者名
      R. O, M. Takamura, K. Furukawa, M. Nagase and H. Hibino
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 号: 3 ページ: 036502-036502

    • DOI

      10.7567/jjap.54.036502

    • NAID

      120006365859

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26289107
  • [雑誌論文] On-chip FRET Graphene Oxide Aptasensor: Quantitative Evaluation of Enhanced Sensitivity by Aptamer with a Double-stranded DNA Spacer2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueno, K. Furukawa, K. Matsuo, S. Inoue, K. Hayashi, H. Hibino
    • 雑誌名

      Analytical Sciences

      巻: 31 号: 9 ページ: 875-879

    • DOI

      10.2116/analsci.31.875

    • NAID

      130005097923

    • ISSN
      0910-6340, 1348-2246
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286018
  • [雑誌論文] 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2014

    • 著者名/発表者名
      関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 岩本 篤, 永瀬 雅夫, 影島 博之, 佐々木 健一, 赤崎 達志
    • 雑誌名

      レーザー研究

      巻: 42 ページ: 652-657

    • NAID

      130007897554

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26289107
  • [雑誌論文] SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2013

    • 著者名/発表者名
      関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克也, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬雅夫, 佐々木健一, 山口浩司
    • 雑誌名

      NTT技術ジャーナル

      巻: 6 ページ: 22-26

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23310086
  • [雑誌論文] Structural Instability of Transferred Graphene Grown by Chemical Vapor Deposition against Heating2013

    • 著者名/発表者名
      Satoru Suzuki, Carlo Orofeo, Shengnan Wang, Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, and Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      The Journal of Physical Chemistry C

      巻: 117 号: 42 ページ: 22123-22130

    • DOI

      10.1021/jp407734k

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Graphene-Based Nano-Electro-Mechanical Switch with High On/Off Ratio2013

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Expres

      巻: 6 号: 5 ページ: 055101-055101

    • DOI

      10.7567/apex.6.055101

    • NAID

      10031174336

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Core-level photoelectron spectroscopy study of interface structure of hydrogen-intercalated graphene on n-type 4H-SiC(0001)2013

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Shinichi Tanabe, Shingo Isobe and Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: Vol. 88 ページ: 85422-85422

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene2013

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 未定

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Core-level photoelectron spectroscopy study of interface structure of hydrogen-intercalated graphene on n-type 4H-SiC(0001)2013

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Shinichi Tanabe, Shingo Isobe, and Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 88 号: 8 ページ: 85422-85422

    • DOI

      10.1103/physrevb.88.085422

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene ― Advantage over ethanol in growth2013

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials

      巻: 34 ページ: 84-88

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2013.02.007

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Surface-enhanced Raman scattering of graphene on SiC2013

    • 著者名/発表者名
      Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Tatsushi Akazaki, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase, Kenichi Sasaki, and Hiroshi Yamaguchi
    • 雑誌名

      NTT technical review

      巻: 11 ページ: 1-6

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23310086
  • [雑誌論文] Graphene-modified Interdigitated Array Electrode: Fabrication, Characterization, and Electrochemical Immunoassay Application2013

    • 著者名/発表者名
      Yuko Ueno, Kazuaki Furukawa, Katsuyoshi Hayashi, Makoto Takamura, Hiroki Hibino, Emi Tamechika
    • 雑誌名

      Analytical Sciences

      巻: 29 号: 1 ページ: 55-60

    • DOI

      10.2116/analsci.29.55

    • NAID

      10031147326

    • ISSN
      0910-6340, 1348-2246
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [雑誌論文] Graphene-modified Interdigitated Array Electrode: Fabrication, Characterization, and Electrochemical Immunoassay Application2013

    • 著者名/発表者名
      Yuko Ueno, Kazuaki Furukawa, Katsuyoshi Hayashi, Makoto Takamura, Hiroki Hibino, Emi Tamechika
    • 雑誌名

      Anal. Sci

      巻: 29 ページ: 344-347

    • NAID

      10031147326

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene2013

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: Vol. 378 ページ: 404-409

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.12.073

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Formation of Graphene Nanofin Networks on Graphene/SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51(未定)(印刷中)

    • NAID

      210000140732

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Self-Spreading of Supported Lipid Bilayer on SiO2 Surface Bearing Graphene Oxide2012

    • 著者名/発表者名
      Kazuaki Furukawa, Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      Chem. Lett.

      巻: 41 号: 10 ページ: 1259-1261

    • DOI

      10.1246/cl.2012.1259

    • NAID

      130004426361

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [雑誌論文] Growth and electronic transport properties of epitaxial graphene on SiC(0001)2012

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Tanabe, S. Mizuno, and H. Kageshima
    • 雑誌名

      J. Phys. D : Appl. Phys.

      巻: 45 号: 15 ページ: 154008-154008

    • DOI

      10.1088/0022-3727/45/15/154008

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文]2012

    • 著者名/発表者名
      R. O, A. Iwamoto, Y. Nishi, Y. Funase, T. Yuasa, T. Tomita, M. Nagase, H. Hibino, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 51 号: 6S ページ: 06FD06-06FD06

    • DOI

      10.1143/jjap.51.06fd06

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Self- Spreading of Supported Lipid Bilayer on SiO2 Surface Bearing Graphene Oxide2012

    • 著者名/発表者名
      Kazuaki Furukawa, Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      Chem. Lett.

      巻: 41(accepted) ページ: 1259-1261

    • NAID

      130004426361

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [雑誌論文] Physics of epitaxial graphene on SiC(0001)2012

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, and S. Tanabe
    • 雑誌名

      J. Phys. Condens. Matter

      巻: Vol. 24 号: 31 ページ: 314215-314215

    • DOI

      10.1088/0953-8984/24/31/314215

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062, KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Near-Infrared Photoluminescence Spectral Imaging of Chemically Oxidized Graphene Flakes2012

    • 著者名/発表者名
      Yuko Ueno, Emi Tamechika, Kazuaki Furukawa, Satoru Suzuki, Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      e-J. Surf. Sci. Nanotech.

      巻: 10 ページ: 513-517

    • NAID

      130004933754

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [雑誌論文] Electrical characterization of bilayer graphene formed by hydrogen intercalation of monolayer graphene on SiC(0001)2012

    • 著者名/発表者名
      S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, and H. Hibino
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51 号: 2S ページ: 02BN02-02BN02

    • DOI

      10.1143/jjap.51.02bn02

    • NAID

      210000140297

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Theoretical study on epitaxial graphene growth by Si sublimation from SiC(0001) surface2011

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, H. Yamaguchi, and M. Nagase
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 号: 9R ページ: 381-386

    • DOI

      10.1143/jjap.50.095601

    • NAID

      40019010403

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310062, KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistor2011

    • 著者名/発表者名
      S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 号: 4S ページ: 04DN04-04DN04

    • DOI

      10.1143/jjap.50.04dn04

    • NAID

      210000070405

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Evaluation of Few-Layer Graphene Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked Ethanol2011

    • 著者名/発表者名
      F. Maeda and H. Hibino, I. Hirosawa, and Y. Watanabe
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

      巻: 9 ページ: 58-62

    • DOI

      10.1380/ejssnt.2011.58

    • NAID

      130004934129

    • ISSN
      1348-0391
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Theoretical study on magnetoelectric and thermoelectric properties for graphene devices2011

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 号: 7R ページ: 95601-95601

    • DOI

      10.1143/jjap.50.070115

    • NAID

      210000070798

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310062, KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Anisotropic layer-by-layer growth of graphene on vicinal SiC(0001) surfaces2011

    • 著者名/発表者名
      S. Tanaka, K. Morita, and H. Hibino
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 81 号: 4

    • DOI

      10.1103/physrevb.81.041406

    • NAID

      120005227433

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on Si2011

    • 著者名/発表者名
      S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, H. Hibino
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc

      巻: 1283 ページ: 675-680

    • DOI

      10.1557/opl.2011.675

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      S.Tanabe, Y.Sekine, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino
    • 雑誌名

      MRS Proceedings

      巻: 1283

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Study of graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol : Influence of gas flow rate on graphitic material deposition2011

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50(未定(印刷中))

    • NAID

      210000070680

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Carrier transport mechanism in graphene on SiC(0001)2011

    • 著者名/発表者名
      S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 94 号: 11 ページ: 115458-115458

    • DOI

      10.1103/physrevb.84.115458

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] SiC熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 雑誌名

      月刊ディスプレイ

      巻: 17 ページ: 21-26

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of graphene and ridge-structure networks of graphene2011

    • 著者名/発表者名
      F. Maeda and H. Hibino
    • 雑誌名

      J. Phys. D : Appl. Phys.

      巻: 44 号: 43 ページ: 435305-435305

    • DOI

      10.1088/0022-3727/44/43/435305

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Evaluation of few-layer graphene grown by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol2011

    • 著者名/発表者名
      F.Maeda, H.Hibino, I.Hirosawa, Y.Watanabe
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

      巻: 9 ページ: 58-62

    • NAID

      130004934129

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Epitaxial graphene growth studied by low-energy electron microscopy and first-principles2011

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 645-648 ページ: 597-602

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.597

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Evaluation of Few-Layer Graphene Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked Ethanol2011

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Ichiro Hirosawa, Yoshio Watanabe
    • 雑誌名

      e-J.Surf.Sci.Nanotech.

      巻: 9 ページ: 58-62

    • NAID

      130004934129

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [雑誌論文] Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects2011

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine and H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      AIP Conf. Proc.

      巻: 1399 ページ: 755-756

    • DOI

      10.1063/1.3666596

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310062, KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
    • 雑誌名

      MRS Proc.

      巻: 1283

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.675

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Study of graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol : influence of gas flow rate on graphitic material deposition2011

    • 著者名/発表者名
      F. Maeda and H. Hibino
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 号: 6S ページ: 06GE12-06GE12

    • DOI

      10.1143/jjap.50.06ge12

    • NAID

      210000070680

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Contact conductance measurement of locally suspended graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • NAID

      10027014343

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene: toward single crystal growth2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase
    • 雑誌名

      J. Phys. D (in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] SiC 上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 37 ページ: 190-195

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Contact conductance measurement of locally suspended graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 3 号: 4 ページ: 045101-045101

    • DOI

      10.1143/apex.3.045101

    • NAID

      10027014343

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Half-integer quantum Hall effect in gate-controlled epitaxial graphene devices2010

    • 著者名/発表者名
      S.Tanabe, Y.Sekine, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • NAID

      10026495507

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, S.Tanabe, H.Kageshima
    • 雑誌名

      NEW DIAMOND

      巻: 26(4) ページ: 23-27

    • NAID

      40017373901

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Anisotropic layer-by-layer growth of graphene on vicinal SiC(0001)surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      S.Tanaka, K.Morita, H.Hibino
    • 雑誌名

      Physical Review B 81

    • NAID

      120005227433

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene : toward single crystal growth2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
    • 雑誌名

      Journal of Physics D : Applied Physics

      巻: 43

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] シリコンカーバイド上のグラフェン成長2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫
    • 雑誌名

      NTT技術ジャーナル

      巻: 21(6) ページ: 18-21

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、影島博之、田邉真一、永瀬雅夫、水野清義
    • 雑誌名

      固体物理

      巻: 45 ページ: 645-655

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Half-integer quantum Hall effect in gate-controlled epitaxial graphene devices2010

    • 著者名/発表者名
      S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 3 号: 7 ページ: 075102-075102

    • DOI

      10.1143/apex.3.075102

    • NAID

      10026495507

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 37 ページ: 190-195

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Atomic structure and physical properties of epitaxial graphene islands embedded in SiC(0001) surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 3 号: 11 ページ: 115103-115103

    • DOI

      10.1143/apex.3.115103

    • NAID

      10027442141

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [雑誌論文] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹, 他
    • 雑誌名

      固体物理

      巻: 45 ページ: 645-655

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Epitaxial graphene growth studied by low-energy electron microscopy and first-principles2010

    • 著者名/発表者名
      H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 645-648

      ページ: 597-602

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Atomic structure and physical properties of epitaxial graphene islands embedded in SiC(0001)surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • NAID

      10027442141

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 3

      ページ: 45101-45101

    • NAID

      10027014343

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫
    • 雑誌名

      Journal of the Vacuum Society of Japan 53

      ページ: 101-108

    • NAID

      10026292473

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles2010

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Graphene growth on silicon carbide2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
    • 雑誌名

      NTT Technical Review

      巻: 18(8) ページ: 1-6

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Atomic Structure and Physical Properties of Epitaxial Graphene Islands Embedded in SiC(0001) Surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y.Sekine, and H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 3 ページ: 115103-115103

    • NAID

      10027442141

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima, Hiroshi Yamaguchi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express 3

    • NAID

      10027014343

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] SiC 上エピタキシャルグラフェンの成長と評価2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹, 影島博之, 田邉真一, 永瀬雅夫
    • 雑誌名

      固体物理

      巻: 45 ページ: 645-655

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene : toward single crystal growth2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
    • 雑誌名

      J. Phys. D : Appl. Phys.

      巻: 43

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles2010

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Kageshima, Hitoki Hibino, Masao Nagase, Hiroshi Yamaguchi
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 645-648

      ページ: 597-602

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001)2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Mizuno, H. Kageshima, M. Nagase, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 80

      ページ: 85406-85406

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Nanotechnology 20

      ページ: 445704-445704

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Number-of-layers dependence of electronic properties of epitaxial few-layer graphene investigated by photoelectron emission microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, M. Kotsugi, F. Maeda, F. -Z. Guo, Y. Watanabe
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 79

      ページ: 125437-125437

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001)Surfaces2009

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Hiroshi Yamaguchi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express 2

    • NAID

      10025086838

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Local conductance measurements of double-layer graphene on SiC substrate2009

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 雑誌名

      Nanotechnology 20

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Number-of-layers dependence of electronic properties of epitaxial few-layer graphene investigated by photoelectron emission microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, M. Kotsugi, F. Maeda, F.-Z. Guo, Y. Watanabe
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 79

      ページ: 125437-125437

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001)2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, S.Mizuno, H.Kageshima, M.Nagase, H.Yamaguchi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 80

      ページ: 85406-85406

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 雑誌名

      信学技報ED2009-61 SDM2009-56

      ページ: 47-52

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001) Surfaces2009

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 2

      ページ: 65502-65502

    • NAID

      10025086838

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 雑誌名

      Nanotechnology 20

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Local conductance measurements of double-layer graphene on SiC substrate2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Nanotechnology

      巻: 20 号: 44 ページ: 445704-445704

    • DOI

      10.1088/0957-4484/20/44/445704

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [雑誌論文] Thickness Determination of Graphene Layers Formed on SiC Using Low-Energy Electron Microscopy2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      e-J. Surf. Sci. Nanotech. 6

      ページ: 107-110

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogap probe2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Nanotechnology 19

      ページ: 495701-495701

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogapprobe2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Nanotechnology 19

      ページ: 495701-495701

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Local conductance measurement of few-layer graphene on SiC substrate using an integrated nanogap probe2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      J. Phys: Conf. Series 100

      ページ: 52006-52006

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Local conductance measurement of few-layer graphene on SiC substrate using an integrated nanogap probe2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi,
    • 雑誌名

      J. Phys : Conf. Series 100

      ページ: 52006-52006

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [雑誌論文] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      信学技報 SDM2009-56

      ページ: 47-52

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [産業財産権] 光学素子2015

    • 発明者名
      鈴木哲、関根佳明、日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話(株)
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-008318
    • 出願年月日
      2015-01-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • [産業財産権] グラフェンの作製方法2013

    • 発明者名
      前田文彦,田邉 真一,日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-035493
    • 出願年月日
      2013-02-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [産業財産権] グラフェンの作製方法2013

    • 発明者名
      前田文彦,田邉真一,日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-035493
    • 出願年月日
      2013-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [産業財産権] グラファイト薄膜の製造方法2012

    • 発明者名
      前田文彦,日比野浩樹,高村真琴
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-025925
    • 出願年月日
      2012-02-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法2012

    • 発明者名
      前田文彦、日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2012-079785
    • 出願年月日
      2012-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [産業財産権] グラファイト薄膜の製造方法2012

    • 発明者名
      前田文彦、日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2012-025925
    • 出願年月日
      2012-02-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [産業財産権] グラファイト薄膜の製造方法2012

    • 発明者名
      前田文彦, 日比野浩樹, 高村真琴
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2012-025925
    • 出願年月日
      2012-02-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ,製造用基板,およびその製造方法2012

    • 発明者名
      前田文彦, 日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2012-079785
    • 出願年月日
      2012-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [産業財産権] グラフェンpn接合の製造方法2012

    • 発明者名
      田邉真一、日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2012-019839
    • 出願年月日
      2012-02-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法2012

    • 発明者名
      前田文彦,日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-079785
    • 出願年月日
      2012-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法2011

    • 発明者名
      前田文彦、日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2011-085106
    • 出願年月日
      2011-04-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法2011

    • 発明者名
      前田文彦, 日比野浩樹
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2011-085106
    • 出願年月日
      2011-04-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [産業財産権] グラフェントランジスタおよびその製造方法2010

    • 発明者名
      田邉真一、日比野浩樹、永瀬雅夫、関根佳明
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2010-037004
    • 出願年月日
      2010-02-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [産業財産権] グラフェントランジスタおよびその製造方法2010

    • 発明者名
      田邉真一、日比野浩樹、永瀬雅夫、関根佳明
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2010-037004
    • 出願年月日
      2010-02-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [産業財産権] 抵抗可変電子素子2008

    • 発明者名
      永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
    • 権利者名
      日本電信電話株式会社
    • 産業財産権番号
      2008-226923
    • 出願年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [産業財産権] 抵抗可変電子素子2008

    • 発明者名
      永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
    • 権利者名
      日本電信電話(株)
    • 産業財産権番号
      2008-226923
    • 出願年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] エチレンによるサファイア上でのグラフェン直接CVD成長の低温化2024

    • 著者名/発表者名
      小田 昂到、川合 良知、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 時間分解ARPESによる10-fs時間スケールバレー間散乱の観測2024

    • 著者名/発表者名
      吉岡亮, 永井恒平, 岡本拓也, 樋浦健斗, 篠原康, 国橋要司, 加藤景子, 増子拓紀, 関根佳明, 日比野浩樹, 片山郁文, 武田淳, 小栗克弥
    • 学会等名
      第71会応用物理学会春季学術後援会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] グラフェン/hBNヘテロ構造CVD成長における前駆体の理論検討2024

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2024年春季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Cu基板へのAg不純物添加がグラフェンCVD成長に及ぼす影響2024

    • 著者名/発表者名
      奥田 留奈、横澤 翔太、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Cu基板へのAg不純物添加がグラフェンCVD成長に及ぼす影響2024

    • 著者名/発表者名
      奥田 留奈、横澤 翔太、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] アト秒パルス分光で拓くペタヘルツスケール光物性研究2024

    • 著者名/発表者名
      小栗克弥 , 吉岡亮, 岡本拓也, 加藤景子, 増子拓紀, 永井恒平, 篠原康, 国橋要司, 関根佳明, 日比野浩樹, 片山郁文, 武田淳, 眞田治樹
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第44回年次大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 多層h-BNのCVD成長における冷却速度の影響2024

    • 著者名/発表者名
      横澤 翔太、野島 翼、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] エチレンによるサファイア上でのグラフェン直接CVD成長の低温化2024

    • 著者名/発表者名
      小田 昂到、川合 良知、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] グラフェン/hBNヘテロ構造CVD成長における前駆体の理論検討2024

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2024年春季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] 多層h-BNのCVD成長における冷却速度の影響2024

    • 著者名/発表者名
      横澤 翔太、野島 翼、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Growth mechanism and vibrational properties of germanene fabricated through Ge segregation2023

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Hibino, Akio Ohta, Hiroyuki Kageshima, Junji Yuhara
    • 学会等名
      Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 時間分解ARPESによるバルクWSe2表面励起子ダイナミクスの観測2023

    • 著者名/発表者名
      吉岡亮, 永井恒平, 篠原康, 岡本拓也, 国橋要司, 加藤景子, 増子拓紀, 関根佳明, 日比野浩樹, 片山郁文, 武田淳, 小栗克弥
    • 学会等名
      第84会応用物理学会秋季学術後援会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Ag(111)薄膜上でのゲルマネン偏析のその場LEEM観察2023

    • 著者名/発表者名
      日比野 浩樹、大田 晃生、影島 博之、柚原 淳司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Dynamical band imaging of light-dressed Volkov state in WSe2 based on sub-5-fs high harmonic source2023

    • 著者名/発表者名
      Katsuya Oguri, Ryo Yoshioka, Yasushi Shinohara, Takuya Okamoto, Yoji Kunihashi, Yusuke Tanaka, Keiko Kato, Hiroki Mashiko, Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Ikufumi Katayama, and Jun Takeda
    • 学会等名
      Conference on Laser and Synchrotron Radiation Combination Experiment 2023 (LSC2023)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] c、m面サファイア上でのグラフェンCVD成長メカニズムの比較2023

    • 著者名/発表者名
      川合 良知、小田 昂到、中尾 拓登、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Ag(111)薄膜上でのゲルマネン偏析のその場LEEM観察2023

    • 著者名/発表者名
      日比野 浩樹、大田 晃生、影島 博之、柚原 淳司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] グラフェンを直接成長させたサファイア基板上でのGaNリモートエピタキシーのリアルタイムX線回折2023

    • 著者名/発表者名
      小田 昂到、川合 良知、佐々木 拓生、横澤 翔太、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] 表面顕微鏡法を用いた二次元物質のナノスケール構造解析2023

    • 著者名/発表者名
      日比野 浩樹
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Cu表面上グラフェン・hBNヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端起源の理論探求2023

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2023年春季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 表面顕微鏡法を用いた二次元物質のナノスケール構造解析2023

    • 著者名/発表者名
      日比野 浩樹
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] グラフェンを直接成長させたサファイア基板上でのGaNリモートエピタキシーのリアルタイムX線回折2023

    • 著者名/発表者名
      小田 昂到、川合 良知、佐々木 拓生、横澤 翔太、日比野 浩樹
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部 2023年度 第2回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Cu表面上グラフェン・hBNヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端起源の理論探求2023

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2023年春季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] グラフェンを直接成長させたサファイア基板上でのGaNリモートエピタキシーのリアルタイムX線回折2023

    • 著者名/発表者名
      小田 昂到、川合 良知、佐々木 拓生、横澤 翔太、日比野 浩樹
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部 2023年度 第2回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] グラフェンを直接成長させたサファイア基板上でのGaNリモートエピタキシーのリアルタイムX線回折2023

    • 著者名/発表者名
      小田 昂到、川合 良知、佐々木 拓生、横澤 翔太、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端機構2023

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Growth mechanism and vibrational properties of germanene fabricated through Ge segregation2023

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Hibino, Akio Ohta, Hiroyuki Kageshima, Junji Yuhara
    • 学会等名
      Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] c、m面サファイア上でのグラフェンCVD成長メカニズムの比較2023

    • 著者名/発表者名
      川合 良知、小田 昂到、中尾 拓登、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] <111>A方位持つInPナノワイヤの自己触媒法配列成長2023

    • 著者名/発表者名
      Zhang Guoqiang, 舘野 功太, 日比野 浩樹, 後藤 秀樹,眞田 治樹
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会、20p-A311-1
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01834
  • [学会発表] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端機構2023

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 2次元層状物質とヘテロ構造の結晶成長2022

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      日本学術振興会 光電相互変換第125委員 第260回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] c面サファイア上に成長させたグラフェン上におけるGaNリモートエピタキシーのその場XRD解析2022

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] c面サファイア上に成長させたグラフェン上におけるGaNリモートエピタキシーのその場XRD解析2022

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端の起源2022

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] c面とr面サファイア上への常圧CVD法を用いたグラフェンの直接成長2022

    • 著者名/発表者名
      川合良知、福家聖也、原田哲匡、中尾拓登、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Theoretical study on origin of CVD growth direction difference in graphene/hBN heterostructures2022

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino
    • 学会等名
      14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '22 (ALC'22)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD 成長におけるエッジ終端の役割2022

    • 著者名/発表者名
      影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] CVD法を用いたサファイア基板上h-BNの合成制御2022

    • 著者名/発表者名
      原田哲匡、八木龍斗、川合良知、佐々木拓生、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] Cu表面上グラフェンリボン・hBNリボンのエッジH終端とファンデルワールス力補正効果2022

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2022年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Comparison of graphene grown on sapphire with different orientations by atmospheric-pressure CVD2022

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawai, T. Nakao, and H. Hibino
    • 学会等名
      14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '22 (ALC'22)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] CVD法により各種面方位のサファイア上に成長させたグラフェンの比較2022

    • 著者名/発表者名
      川合 良知、中尾 拓登、小田 昂到、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Controlled growth of heterostructures of graphene and hexagonal boron nitride2022

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Wang, and H. Kageshima
    • 学会等名
      14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] 2次元層状物質とヘテロ構造の結晶成長2022

    • 著者名/発表者名
      日比野 浩樹
    • 学会等名
      日本学術振興会 光電相互変換第125委員 第260回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] 炭素源をC2H4としたCVD法によるh-BN/グラフェン縦型ヘテロ構造作製2022

    • 著者名/発表者名
      中尾 拓登、川合 良知、友本 巧朗、横澤 翔太、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 時間分解ARPESによるWSe2光ドレスト状態の超高速バンドイメージング2022

    • 著者名/発表者名
      吉岡亮、篠原康、岡本拓也、国橋要司、加藤景子、増子拓紀、関根佳明、日比野浩樹、片山郁文、武田淳、小栗克弥
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] CVD法を用いたサファイア基板上h-BNの合成制御2022

    • 著者名/発表者名
      原田哲匡、八木龍斗、川合良知、佐々木拓生、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD 成長におけるエッジ終端の役割2022

    • 著者名/発表者名
      影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Controlled growth of heterostructures of graphene and hexagonal boron nitride2022

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Wang, and H. Kageshima
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Comparison of graphene grown on sapphire with different orientations by atmospheric-pressure CVD2022

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawai, T. Nakao, and H. Hibino
    • 学会等名
      14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '22 (ALC'22)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] c面とr面サファイア上への常圧CVD法を用いたグラフェンの直接成長2022

    • 著者名/発表者名
      川合良知、福家聖也、原田哲匡、中尾拓登、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] c面サファイア上に成長させたグラフェン上におけるGaNリモートエピタキシーのその場XRD解析2022

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Theoretical study on origin of CVD growth direction difference in graphene/hBN heterostructures2022

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino
    • 学会等名
      14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '22 (ALC'22)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Dynamical band imaging of simultaneous light-dressed Volkov state and photo-induced carrier state in WSe2 using high-harmonic-based Tr-ARPES2022

    • 著者名/発表者名
      R. Yoshioka, Y. Shinohara, T. Okamoto, Y. Kunihashi, K. Kato, H. Mashiko, Y. Sekine, H. Hibino, I. Katayama, J. Takeda and K. Oguri
    • 学会等名
      8th International Conference on Attosecond Science and Technology (ATTO VIII)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端の起源2022

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] CVD法により各種面方位のサファイア上に成長させたグラフェンの比較2022

    • 著者名/発表者名
      川合 良知、中尾 拓登、小田 昂到、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 自己触媒VLS法InP/InAsヘテロナノワイヤ成長と通信波長帯光デバイス2022

    • 著者名/発表者名
      Zhang Guoqiang,舘野功太, 俵 毅彦, 日比野浩樹, 後藤秀樹, 眞田治樹
    • 学会等名
      日本結晶成長学会第51回結晶成長国内会議、31p-A09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01834
  • [学会発表] Cu表面上グラフェンリボン・hBNリボンのエッジH終端とファンデルワールス力補正効果2022

    • 著者名/発表者名
      影島 博之、Wang Shengnan、日比野 浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2022年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 炭素源をC2H4としたCVD法によるh-BN/グラフェン縦型ヘテロ構造作製2022

    • 著者名/発表者名
      中尾 拓登、川合 良知、友本 巧朗、横澤 翔太、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] CVD法を用いたサファイア基板上h-BNの合成制御2022

    • 著者名/発表者名
      原田哲匡、八木龍斗、川合良知、佐々木拓生、日比野浩樹
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Dynamical band mapping for 2D semiconductor based on sub-5-fs high harmonic source2022

    • 著者名/発表者名
      K. Oguri, R. Yoshioka, Y. Shinohara, T. Okamoto, Y. Kunihashi, Y. Tanaka, K. Kato, H. Mashiko, Y. Sekine, H. Hibino, I. Katayama, and J. Takeda
    • 学会等名
      International Symposium on Ultrafast Intence Laser Science 2022 (ISUILS2022)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on epitaxial graphene with AlN buffer layer2021

    • 著者名/発表者名
      S. Fuke, T. Sasaki, Y. Kawai and H. Hibino
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] Theoretical Study of hBN/Graphene Heterostructure CVD Growth2021

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino
    • 学会等名
      The International Symposium on Novel maTerials and quantum Technologies 2011 (ISNTT2021)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] 高次高調波ベース時間分解ARPESを用いたWSe2の光励起初期過程ダイナミクス2021

    • 著者名/発表者名
      山口大也、加藤景子、増子拓紀、関根佳明、日比野浩樹、片山郁文、武田淳、小栗克弥
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第41回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Controlled Growth of Hexagonal Boron Nitride and Heterostructures with Graphene2021

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Wang, and H. Kageshima
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] グラフェン/SiC基板上GaN成長におけるAlNバッファ層の影響2021

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Growth mechanism and structural control of hexagonal boron nitride and its heterostructures with graphene2021

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Wang, and H. Kageshima
    • 学会等名
      The Global Summit and Expo on Graphene and 2D Materials (2DMAT2021)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 単原子層物質の成長機構と構造制御2021

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、Shengnan Wang、影島博之
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] hBN/グラフェンヘテロ構造のCVDにおける成長方向選択性の起源2021

    • 著者名/発表者名
      影島博之、Wang Shengnan、日比野浩樹
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] グラフェンを用いたGaNリモートエピタキシーのその場XRD解析2021

    • 著者名/発表者名
      福家 聖也、佐々木 拓生、川合 良知、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] CVD におけるhBN/グラフェン積層ヘテロ構造成長の起源2021

    • 著者名/発表者名
      影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Theoretical Study of hBN/Graphene Heterostructure CVD Growth2021

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino
    • 学会等名
      International Symposium on Novel Materials and Quantum Technologies (ISNTT) 2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Theoretical Study on Role of Edge Termination in CVD Growth of hBN/Graphene Heterostructure on Cu Surface2021

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] LEEMによる表面現象のリアルタイム観察2021

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      阪大産研テクノサロン「表面・界面現象の分析技術」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Growth of hexagonal boron nitride/graphene bilayer heterostructure via epitaxial intercalation2021

    • 著者名/発表者名
      Shengnan Wang, Jack Crowther, Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Yoshitaka Taniyasu
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] グラフェンを用いたGaNリモートエピタキシーのその場XRD解析2021

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Controlled Growth of Hexagonal Boron Nitride and Heterostructures with Graphene2021

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Wang, and H. Kageshima
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] AlNバッファ層を用いたグラフェン/SiC基板上におけるGaN成長2021

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部2021年度第2回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] グラフェン/Cu およびhBN/Cu 表面C 吸着におけるファンデルワールス力補正効果2021

    • 著者名/発表者名
      影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2021年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Controlling synthesis of h-BN films on c-plane and r-plane sapphire substrates2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, Y. Kawai, R. Yagi, and H. Hibino
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Growth mechanism and structural control of hexagonal boron nitride and its heterostructures with graphene2021

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Wang, and H. Kageshima
    • 学会等名
      Global Summit and Expo on Graphene and 2D Materials (2DMAT2021)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] AlNバッファ層を用いたグラフェン/SiC基板上におけるGaN成長2021

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部2021年度第2回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] hBN/グラフェンヘテロ構造のCVDにおける成長方向選択性の起源2021

    • 著者名/発表者名
      影島博之、Wang Shengnan、日比野浩樹
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] CVD におけるhBN/グラフェン積層ヘテロ構造成長の起源2021

    • 著者名/発表者名
      影島博之Shengnan Wang、日比野浩樹
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on epitaxial graphene with AlN buffer layer2021

    • 著者名/発表者名
      S. Fuke, T. Sasaki, Y. Kawai, and H. Hibino
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] LEEMによる表面現象のリアルタイム観察2021

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      阪大産研テクノサロン「表面・界面現象の分析技術」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] グラフェン/SiC基板上GaN成長におけるAlNバッファ層の影響2021

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] グラフェン/Cu およびhBN/Cu 表面C 吸着におけるファンデルワールス力補正効果2021

    • 著者名/発表者名
      影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2021年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] N2雰囲気下でのグラフェン成長によるh-BNとのヘテロ構造作製2021

    • 著者名/発表者名
      中尾拓登、福家聖也、川合良和、日比野浩樹
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Controlling synthesis of h-BN films on c-plane and r-plane sapphire substrates2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, Y. Kawai, R. Yagi, and H. Hibino
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] 単原子層物質の成長機構と構造制御2021

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、Shengnan Wang、影島博之
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on epitaxial graphene with AlN buffer layer2021

    • 著者名/発表者名
      S. Fuke, T. Sasaki, Y. Kawai, and H. Hibino
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] ゲルマネンの超高真空ラマン分光2021

    • 著者名/発表者名
      水野将吾、大田晃生、鈴木利明、柚原淳司、日比野浩樹
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] N2雰囲気下でのグラフェン成長によるh-BNとのヘテロ構造作製2021

    • 著者名/発表者名
      中尾拓登、福家聖也、川合良和、日比野浩樹
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] Theoretical Study on Role of Edge Termination in CVD Growth of hBN/Graphene Heterostructure on Cu Surface2021

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01768
  • [学会発表] AlNバッファ層を用いたグラフェン/SiC基板上におけるGaN成長2021

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野 浩樹
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部2021年度第2回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] グラフェン/SiC基板上GaN成長におけるAlNバッファ層の影響2021

    • 著者名/発表者名
      福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
    • 学会等名
      第82回 応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] 二次元物質上でのGaN成長のその場観察2020

    • 著者名/発表者名
      日比野 浩樹、福家 聖也、佐々木 拓生
    • 学会等名
      JAEA物質科学センターシンポジウム2020
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] 時間分解ARPESによるWSe2の超高速バレー間緩和過程の測定2020

    • 著者名/発表者名
      山口大也、加藤景子、増子拓紀、関根佳明、日比野浩樹、片山郁文、武田淳、小栗克弥
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Dynamic electron energy and momentum mapping for ultrafast intervalley relaxation in layered WSe22020

    • 著者名/発表者名
      Hiroya Yamaguchi, Keiko Kato, Hiroki Mashiko, Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Ikufumi Katayama, Jun Takeda, and Katsuya Oguri
    • 学会等名
      The 22nd International Conference on Ultrafast Phenomena (UP 2020)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] グラフェン上GaN成長へのAlNバッファ層の影響2020

    • 著者名/発表者名
      福家 聖也、佐々木 拓生、牧野 竜市、日比野浩樹
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] 二次元物質上でのGaN成長のその場X線回折2020

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      JAEA物質科学研究センターシンポジウム2020
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H05670
  • [学会発表] Ultrafast redistribution snapshots of nonequilibrium photoexcited carrier in graphite probed by sub-5-fs high-harmonic-based time-resolved ARPES2019

    • 著者名/発表者名
      K. Toume, K. Oguri, H. Mashiko, K. Kato, Y. Sekine, H. Hibino, A. Suda, and H. Gotoh
    • 学会等名
      International Conference on Attosecond Science and Technologh (ATTO2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] サファイア上GaN成長に対する単層二硫化モリブデンバッファ層の影響2019

    • 著者名/発表者名
      小松 直人、高橋 正光、佐々木 拓生、高田 匡平、牧野 竜市、日比野 浩樹
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05298
  • [学会発表] ペタヘルツ波エンジニアリングに向けた固体超高速光物性(招待)2019

    • 著者名/発表者名
      小栗克弥、増子拓紀、當銘賢人、加藤景子、関根佳明、日比野浩樹、須田亮、後藤秀樹
    • 学会等名
      レーザー学会第39回年次大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] Time-resolved ARPES observation of nonthermal relaxation process in graphite at extreme time scales2019

    • 著者名/発表者名
      K. Oguri, K. Toume, H. Mashiko, K. Kato, Y. Sekine, H. Hibino, A. Suda, and H. Gotoh
    • 学会等名
      The 10th Shanghai-Tokyo Advanced Research Symposium on Ultrafast Intense Laser Science (STAR10)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] Selective growth of AB-stacked bilayer graphene2018

    • 著者名/発表者名
      寺尾友里,河原憲治, 末永健志朗, 山本圭介, 中島寛, 長汐晃輔, 日比野浩樹, 吾郷浩樹
    • 学会等名
      第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Development of time-resolved ARPES based on 8-fs high-harmonic source in the extreme ultraviolet region2018

    • 著者名/発表者名
      K. Toume, K. Oguri, H. Mashiko, K. Kato, Y. Sekine, H. Hibino, A. Suda, and H. Gotoh
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] Ultrafast relaxation of nonthermal photo-excited carrier in graphite probed by time-resolved ARPES based on sub-5-fs high-harmonic source2018

    • 著者名/発表者名
      K. Toume, K. Oguri, H. Mashiko, K. Kato, Y. Sekine, H. Hibino, A. Suda and H. Gotoh
    • 学会等名
      The 9th Asian Workshop on Generation and Application of Coherent XUV and X-ray Radiation (9th AWCXR)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] サブ10 fs極端紫外領域高次高調波による時間分解ARPESの実現2018

    • 著者名/発表者名
      當銘賢人、小栗克弥、増子拓紀、加藤景子、関根佳明、日比野浩樹、須田亮、後藤秀樹
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] Measurement of carrier dynamics of the graphite by time-resolved ARPES2018

    • 著者名/発表者名
      K. Toume, K. Oguri, H. Mashiko, K. Kato, Y. Sekine, H. Hibino, A. Suda, and H. Gotoh
    • 学会等名
      The 7th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] Nonequilibrium Dirac electron dynamics in SiC graphene probed by sub-10-fs angle-resolved photoemission spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      K. Oguri, K. Toume, H. Mashiko, Y. Sekine, K. Kato, H. Hibino, A. Suda, and H. Gotoh
    • 学会等名
      XXI International Conference on ultrafast Phenomena (UP2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] Dirac electron dynamics of graphene related systems towards petaherz-scale solid state technology2018

    • 著者名/発表者名
      K. Oguri, K. Toume, Y. Hasegawa, H. Mashiko, K. Kato, Y. Sekine, H. Hibino, A. Suda, T. Nishikawa, and H. Goto
    • 学会等名
      The 9th Shanghai-Tokyo Advanced Research Symposium on Ultrafast Intense Laser Science (STAR9)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] n 型単層エピタキシャルグラフェンにおける非平衡キャリア緩和ダイナミクスのサブ 5 fs 時間分解ARPES 計測2018

    • 著者名/発表者名
      當銘賢人、小栗克弥、増子拓紀、加藤景子、関根佳明、日比野浩樹、須田亮、後藤秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] Time-resolved ARPES for petahertz-scale solid state technology (invited)2018

    • 著者名/発表者名
      K. Oguri, K. Toume, H. Mashiko, K. Kato, Y. Sekine, H. Hibino, A. Suda, and H. Gotoh
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Phtonics and Applications (ICPA-10)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] グラフェンにおける非平衡キャリアの緩和ダイナミクスの励起密度依存性2018

    • 著者名/発表者名
      長谷川祐哉,小栗克弥,加藤景子,関根佳明,日比野浩樹,西川正,後藤秀樹
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第38回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] サブ5 fs時間分解ARPESを用いたグラファイトにおける非平衡光励起キャリアの超高速緩和過程の観測2018

    • 著者名/発表者名
      小栗克弥、當銘賢人、増子拓紀、加藤景子、関根佳明、日比野浩樹、須田亮、後藤秀樹
    • 学会等名
      日本物理学会2018年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02120
  • [学会発表] MoS2の配向成長と面内ヘテロ構造体への展開2018

    • 著者名/発表者名
      末永健志朗,白土喜博, Dong Ding, 河原憲治, 日比野浩樹, 吾郷浩樹
    • 学会等名
      2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] CVD成長した二層グラフェンの積層構造の制御2017

    • 著者名/発表者名
      寺尾友里, 河原憲治, 水野清義, 日比野浩樹, 吾郷浩樹
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Controlling the nucleation site of single-crystal graphene on Cu foil sandwiched by Ni2017

    • 著者名/発表者名
      D. Dong, P. Solis Fernandez, 日比野浩樹, 吾郷浩樹
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜、パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] In-plane TMDC-graphene heterostructures2017

    • 著者名/発表者名
      K. Suenaga, Y. Shiratsuchi, D. Ding, H. Hibino, K. Kawahara, H. Ago
    • 学会等名
      CSS-EEST19 (The 19th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] In-plane TMDC-graphene heterostructures2017

    • 著者名/発表者名
      K. Suenaga, Y. Shiratsuchi, D. Ding, H. Hibino, K. Kawahara, H. Ago
    • 学会等名
      8th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Position controlled nucleation of single-crystal graphene on Cu2017

    • 著者名/発表者名
      D. Ding, P. Solis-Fernandez, H. Hibino, H. Ago
    • 学会等名
      The 3rd Edition of European Graphene Forum (EGF 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] 遷移金属カルコゲナイドとグラフェンの面内ヘテロ構造体の創製2017

    • 著者名/発表者名
      末永健志朗,白土喜博, D. Ding, 日比野浩樹, 河原憲治, 吾郷浩樹
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] CVD growth of bilayer graphene with controlled stacking order2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Terao, K. Kawahara, S. Mizuno, H. Hibino, H. Ago
    • 学会等名
      8th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Spatially controlled nucleation of multi-layer-free single-crystalline graphene on Cu foil2016

    • 著者名/発表者名
      D. Dong, P. Solis Fernandez, H. Hibino, H. Ago
    • 学会等名
      7th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment
    • 発表場所
      Korea, Buyeo, Lotte Buyeo Resort
    • 年月日
      2016-10-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Highly uniform bilayer graphene on epitaxial Cu-Ni(111) alloy2016

    • 著者名/発表者名
      H. Ago, Y. Takesaki, K. Kawahara, H. Hibino, S. Okada, M. Tsuji
    • 学会等名
      7th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment
    • 発表場所
      Korea, Buyeo, Lotte Buyeo Resort
    • 年月日
      2016-10-30
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] グラフェン-MoS2の面内ヘテロ構造原子2015

    • 著者名/発表者名
      白土喜博,遠藤寛子, 日比野浩樹, 辻正治,吾郷浩樹
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2015-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Pseudo-Yagi-Uda antenna made of graphene2015

    • 著者名/発表者名
      Satoru Suzuki, Hiroki Hibino
    • 学会等名
      Japan-Italy Joint Symposium at CNR, Pisa
    • 発表場所
      CNR, Pisa
    • 年月日
      2015-02-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • [学会発表] グラフェン-MoS2面内ヘテロ構造原子膜の創製2015

    • 著者名/発表者名
      白土喜博,遠藤寛子,辻正治,日比野浩樹,吾郷浩樹
    • 学会等名
      第51回化学関連支部合同九州大会
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2015-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Growth dynamics of single-layer graphene on epitaxial Cu surfaces2015

    • 著者名/発表者名
      H. Ago, Y. Ohta, H. Hibino, D. Yoshimura, R. Takizawa, K. Kawahara, M. Tsuji, T. Okajima, H. Mitani, S. Mizuno
    • 学会等名
      The 16th International Conference on the Science and Applications of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] 遷移金属ダイカルコゲナイドによる多結晶グラフェンのグレイン構造の可視化2015

    • 著者名/発表者名
      深町悟,R. Mohamad Yunus,遠藤寛子, 日比野浩樹, 辻正治,吾郷浩樹
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2015-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Pseudo-Yagi-Uda antenna made of graphene for terahertz light2015

    • 著者名/発表者名
      S. Suzuki, H. Hibino
    • 学会等名
      Italian Conference on Condensed Matter Physics 2015
    • 発表場所
      パレルモ(イタリア)
    • 年月日
      2015-09-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • [学会発表] In-plane heterostructures of graphene and MoS22015

    • 著者名/発表者名
      Y. Shiratsuchi, H. Endo, M. Tsuji, H. Hibino, H. Ago
    • 学会等名
      The 6th A3 Symposium on Emerging Materials
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2015-11-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] Fabrication of patterned graphene electrode with a transfer process assisted by a parylene thin film2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueno, K. Furulawa. T. Teshima, M. Takamura, H. Hibino
    • 学会等名
      Pacifichem 2015
    • 発表場所
      Honolulu, Hawaii
    • 年月日
      2015-12-15
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286018
  • [学会発表] RF-MBE法によるエピタキシャルグラフェン上へのAlN成長2015

    • 著者名/発表者名
      山崎 隆弘、畑 泰希、山根 悠介、関根 佳明、前田 文彦、日比野 浩樹、藤田 実樹、牧本 俊樹
    • 学会等名
      第76回秋季応用物理学会講演会 14p-PB12-15 (2015年9月).
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600088
  • [学会発表] グラフェンアプタセンサ表面における分子吸着特性のQCM-Dによる評価2015

    • 著者名/発表者名
      上野祐子、古川一暁、高村真琴、日比野浩樹
    • 学会等名
      分析化学討論会
    • 発表場所
      山梨大学
    • 年月日
      2015-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286018
  • [学会発表] Heating-induced disorder of graphene transferred to a substrate2014

    • 著者名/発表者名
      Satoru Suzuki, Carlo M. Orofeo, Shengnan Wang, Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, and Hiroki Hibino
    • 学会等名
      41st Conference on the Physics & Chemistry of Surface & Interface
    • 発表場所
      La Fonda Hotel, Santa Fe, New Mexico, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] SiC(0001) Si 面上第一層目グラフェン成長における [1-100]ステップの役割,2014

    • 著者名/発表者名
      影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26289107
  • [学会発表] SiC 上グラフェンナノリボンの偏光ラマン散乱分光2014

    • 著者名/発表者名
      関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 影島博之, 佐々木健一, 赤崎達志, 村田祐也
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、相模原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23310086
  • [学会発表] Theoretical studies of graphene on SiC2014

    • 著者名/発表者名
      Kageshima Hiroyuki, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase
    • 学会等名
      The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-07-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26289107
  • [学会発表] SiC 上バッファ層の水素雰囲気下でのアニール - グラフェンリッジの生成とエッチング -2014

    • 著者名/発表者名
      高村 真琴, 高木 翔平, 前田 文彦, 日比野 浩樹
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] グラフェン 積層 接合の電気特性2014

    • 著者名/発表者名
      茶谷洋光,奥村俊夫,伊澤輝記,井口宗明,中島健志,小林慶祐,呉龍錫,有月琢哉,松本卓也,永瀬雅夫,前田 文彦,日比野 浩樹
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] SiC (0001)に形成したバッファー層上へのMBEによるグラフェン成長2014

    • 著者名/発表者名
      前田文彦,高村真琴,日比野浩樹
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2014

    • 著者名/発表者名
      関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 岩本 篤, 永瀬 雅夫, 影島 博之, 赤崎 達志
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26289107
  • [学会発表] 基板上に転写された CVD グラフェンの加熱に対する構造不安定性2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木 哲, 前田 文彦, Shengnan Wang, Carlo M. Orofeo, 日比野 浩樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府京田辺市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Current-induced modulation of hydrogenated graphene/SiC(0001): Difference between current applied in vacuum and air2013

    • 著者名/発表者名
      F. Maeda, S. Isobe, and H. Hibino
    • 学会等名
      12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] 大気中通電が誘起するグラフェン/水素終端SiC(0001)における界面酸化反応と移動度の低下2013

    • 著者名/発表者名
      前田文彦,磯部真吾,日比野浩樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府京田辺市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Properties of graphene nanoribbons embedded in SiC2013

    • 著者名/発表者名
      Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Hiroyuki Kageshima,Kenichi Sasaki, and Tatsushi Akazaki
    • 学会等名
      5th International Conferencs on Recent Progress in Graphene Research (PRGR2013)
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23310086
  • [学会発表] Photoelectron spectroscopy study of interface structure of hydrogen intercalated graphene/SiC(0001)2013

    • 著者名/発表者名
      F. Maeda, S. Tanabe, and H. Hibino
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe Convention Center, Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Si(111)表面上における鉄シリサイド薄膜成長過程の光電子・低速電子顕微鏡観察2013

    • 著者名/発表者名
      松本益明,福谷克之,日比野浩樹,小嗣真人
    • 学会等名
      日本物理学会 第68回年次大会
    • 発表場所
      広島県東広島市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560021
  • [学会発表] Si(111)表面上における鉄シリサイド薄膜成長過程の光電子・低速電子顕微鏡観察2013

    • 著者名/発表者名
      松本益明,福谷克之,日比野浩樹,小嗣真人
    • 学会等名
      日本物理学会第68回年次大会
    • 発表場所
      広島県東広島市広島大学東広島キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560021
  • [学会発表] Growth of graphene by molecular beam epitaxy using cracked ethanol and ethylene2013

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino
    • 学会等名
      Paul-Drude-Institut Topical Workshop on MBE-Grown Graphene 2013
    • 発表場所
      Paul-Drude-Institut, Berlin, Germany
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Ru(0001)表面に成長したグラフェンの凹凸構造II2013

    • 著者名/発表者名
      村田 祐也,鈴木 哲,前田 文彦,日比野 浩樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府京田辺市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Current-induced oxidation at the interface of hydrogen-intercalated graphene/SiC(0001) under atmospheric ambient and mobility degradation2013

    • 著者名/発表者名
      F. Maeda, S. Isobe, and H. Hibino
    • 学会等名
      5th International Conference on Research Progress in Graphene Research
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Ar雰囲気での加熱による微傾斜SiC表面上のグラフェン成長2012

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 酸化グラフェンを有するSiO2表面での脂質二分子膜の自発展開挙動2012

    • 著者名/発表者名
      古川一暁,日比野 浩樹
    • 学会等名
      第59回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] 電極表面への酸化グラフェン還元膜修飾による酵素反応生成物の高感度検出2012

    • 著者名/発表者名
      上野祐子, 林勝義, 高村真琴, 古川一暁, 日比野浩樹, 為近恵美
    • 学会等名
      日本分析化学会第72回分析化学討論会
    • 発表場所
      鹿児島
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] グラフェン修飾くし形電極を用いた生体関連物質の高感度検出2012

    • 著者名/発表者名
      上野祐子, 古川一暁, 日比野浩樹, 為近恵美
    • 学会等名
      日本化学会 第92春季年会
    • 発表場所
      慶応大学
    • 年月日
      2012-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] 酸化グラフェンを有するSiO2表面での脂質二分子膜の自発展開挙動2012

    • 著者名/発表者名
      古川一暁, 日比野 浩樹
    • 学会等名
      第59回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] エチレンを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長2012

    • 著者名/発表者名
      前田文彦, 日比野浩樹
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都新宿区)
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] グラフェン修飾くし形電極を用いた生体関連物質の高感度検出2012

    • 著者名/発表者名
      上野祐子,古川一暁,日比野浩樹,為近恵美
    • 学会等名
      日本化学会 第92春季年会
    • 発表場所
      慶応大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] 酸化グラフェン還元体を修飾した金くし形マイクロ電極の電気化学特性2012

    • 著者名/発表者名
      高村真琴, 上野祐子, 林勝義, 古川一暁, 日比野浩樹, 為近恵美
    • 学会等名
      化学とマイクロ・ナノシステム研究会
    • 発表場所
      熊本
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene -Advantage over ethanol in growth-2012

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2012 (ICDCM 2012)
    • 発表場所
      Palacio de Exposiciones y Congresos, Granada, Spain (口頭発表)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Siステップ/酸化グラフェン微小段差表面における自発展開挙動2012

    • 著者名/発表者名
      古川一暁, 日比野 浩樹,
    • 学会等名
      日本化学会 第92春季年会
    • 発表場所
      慶応大学
    • 年月日
      2012-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンの電気伝導特性2012

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「次世代デバイス応用を企図したグラフェン形成機構の解明及び制御の研究」
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)(招待講演)
    • 年月日
      2012-02-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Near-Infrared Photoluminescence Spectral Imaging of Chemically Oxidized Graphene Flakes2012

    • 著者名/発表者名
      Yuko Ueno, Kazuaki Furukawa, Satoru Suzuki, Hiroki Hibino, Emi Tamechika
    • 学会等名
      6th International Symposium on Surface Science
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2012-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] Siステップ/酸化グラフェン微小段差表面における自発展開挙動2012

    • 著者名/発表者名
      古川一暁,日比野 浩樹
    • 学会等名
      日本化学会 第92春季年会
    • 発表場所
      慶応大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン成長の基板面方位依存性2012

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      第4回九大グラフェン研究会
    • 発表場所
      九州大学(福岡県)(招待講演)
    • 年月日
      2012-01-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Self-Spreading of Supported Lipid Bilayer on SiO2 Surface Bearing Graphene Oxide2012

    • 著者名/発表者名
      K. Furukawa, H. Hibino
    • 学会等名
      IACIS2012
    • 発表場所
      仙台
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] 電気化学における作用電極としてのグラフェンの基本特性2011

    • 著者名/発表者名
      古川一暁, 日比野浩樹
    • 学会等名
      第72回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Tanabe, and H. Kageshima
    • 学会等名
      8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices' 11(ALC' 11)[invited]
    • 発表場所
      Seoul, South Korea
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Study of the Iron Silicide Film Growth on Si(111) by Low-Energy Electron Microscopy and Scanning Tunneling Microscopy2011

    • 著者名/発表者名
      M. Matsumoto, K. Fukutani, T. Okano and H. Hibino
    • 学会等名
      ICSPM19
    • 発表場所
      Toya-ko, Hokkaido, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560021
  • [学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino
    • 学会等名
      8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'11 (ALC'11)
    • 発表場所
      Souel, South Korea(招待講演)
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] ラマン分光法による4H-SiC上エピタキシャルグラフェンの膜質評価2011

    • 著者名/発表者名
      呉龍錫、岩本篤、西勇輝、船瀬雄也、湯浅貴浩、富田卓朗、永瀬雅夫、日比野浩樹、山口浩司
    • 学会等名
      第58回応用物理学関連連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン成長とLEEM評価技術2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、田邉真一、影島博之、前田文彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関連連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン成長のSiC基板面方位依存性2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹, 田邉真一, 前田文彦, 影島博之, 鶴田和弘
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • 年月日
      2011-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Growth and characterization of graphene on SiC. Graphene Workshop in Tsukuba[invited]2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Tanabe, and H. Kageshima
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2011-01-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Graphene as an Electrochemical Electrode2011

    • 著者名/発表者名
      Kazuaki Furukawa, Hiroki Hibino
    • 学会等名
      220th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2011-10-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長-成長温度依存性-2011

    • 著者名/発表者名
      前田文彦, 日比野浩樹
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木市)
    • 年月日
      2011-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長-成長温度依存性-2011

    • 著者名/発表者名
      前田文彦、日比野浩樹
    • 学会等名
      第58回応用物理学関連連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      2011-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン成長とLEEM評価技術2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 前田文彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木市)(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェンの成長とLEEMによる評価2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹,田邉真一,影島愽之,前田文彦
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene growth on SiC(0001)surface2011

    • 著者名/発表者名
      H.Kageshima, H.Hibino, H.Yamaguchi, M.Nagase
    • 学会等名
      2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices : Science and Technology(IWDTF-11)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2011-01-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Theoretical study on magnetoelectric effects of embedded graphene nanoribbons on SiC(0001)surface2011

    • 著者名/発表者名
      H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(ISNTT)
    • 発表場所
      Atsugi, Japan
    • 年月日
      2011-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiCからのグラフェン成長2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      ポリマー材料フォーラム
    • 発表場所
      タワーホール船堀(東京都)(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Study of the Iron Silicide Film Growth on Si(111) by Low-Energy Electron Microscopy and Scanning Tunneling Microscopy2011

    • 著者名/発表者名
      M. Matsumoto, K. Fukutani, T. Okano and H. Hibino
    • 学会等名
      19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM19)
    • 発表場所
      Hokkaido, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560021
  • [学会発表] Carrier transport in epitaxial graphene grown on SiC(0001)2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Tanabe, and H. Kageshima
    • 学会等名
      The Third International Symposium on the Surface and Technology of Epitaxial Graphene(STEG3)[invited]
    • 発表場所
      Saint Augustine, USA
    • 年月日
      2011-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] グラフェン修飾金くし形電極チップの作製法および電極特性2011

    • 著者名/発表者名
      上野祐子, 古川一暁, 日比野浩樹, 為近恵美
    • 学会等名
      日本分析化学会第60年会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2011-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] Surface-enhanced Raman scattering of graphene on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Tatsushi Akazaki, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase, Hiroshi. Yamaguchi
    • 学会等名
      6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH6)
    • 発表場所
      島根県立産業交流会館(くにびきメッセ)(島根県)
    • 年月日
      2011-08-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23310086
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェンのHall移動度評価2011

    • 著者名/発表者名
      田邉真一、関根佳明、影島博之、永瀬雅夫、日比野浩樹
    • 学会等名
      第58回応用物理学関連連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2011

    • 著者名/発表者名
      関根佳明、日比野浩樹、小栗克弥、赤崎達志、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      日本物理学会第66回年次大会
    • 発表場所
      新潟
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Formation ot Fin-like Ridge-structures of Graphene on Graphene/SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino
    • 学会等名
      24rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      NA Hotel Kyoto, Kyoto, Japa
    • 年月日
      2011-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電気伝導特性2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      第3回九大グラフェン研究会
    • 発表場所
      春日
    • 年月日
      2011-02-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Growth and transport properties of monolayer and bilayer graphene on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino
    • 学会等名
      XX International Materials Research Congress (IMRC-XX)
    • 発表場所
      Cuncun, Mexico(招待講演)
    • 年月日
      2011-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiCからのグラフェン成長:単結晶グラフェン基板に向けて2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      日本学術振興会分子系の複合電子機能第181委員会第12回研究会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)(招待講演)
    • 年月日
      2011-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(ooo1)面上でのSi脱離とグラフェン形成2011

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫
    • 学会等名
      第58回応用物理学関連連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] ガスソースMBEによるグラフェンの成長-フィン状構造の形成2011

    • 著者名/発表者名
      前田文彦, 日比野浩樹
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究2011

    • 著者名/発表者名
      松本益明,福谷克之,岡野達雄,日比野浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2011年秋季大会
    • 発表場所
      富山県富山市富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560021
  • [学会発表] 電気化学における作用電極としてのグラフェンの基本特性2011

    • 著者名/発表者名
      古川一暁,日比野浩樹
    • 学会等名
      第72回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxy Growth of Graphene and Ridge-Structure Network of Graphene Using Cracked Ethanol2011

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino
    • 学会等名
      Graphene 2011
    • 発表場所
      Bilbao Exhibition Centre, Bilbao, Spain
    • 年月日
      2011-04-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Growth and chracterization of graphene on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, S.Tanabe, H.Kageshima
    • 学会等名
      Graphene Workshop in Tsukuba
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2011-01-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 水素をインターカレートしたエピタキシャルグラフェンのLEEM観察2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、桐生貢、田邉真一、影島博之
    • 学会等名
      第58回応用物理学関連連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱分光2011

    • 著者名/発表者名
      関根佳明、日比野浩樹、小栗克弥、赤崎達志、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23310086
  • [学会発表] Carrier transport in epitaxial graphene grown on SiC (0001)2011

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino
    • 学会等名
      The Third International Symposium on the Surface and Technology of Epitaxial Graphene (STEG3)
    • 発表場所
      Saint Augustine, USA(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェンの成長とLEEMによる評価2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      第72回応用物理学学術講演(招待講演)
    • 発表場所
      山形
    • 年月日
      2011-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェンの成長とLEEMによる評価2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      第72回応用物理学学術講演
    • 発表場所
      山形大学(山形県)(招待講演)
    • 年月日
      2011-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Surface enhanced Raman spectroscopy of graphene grown on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Sekine, H.Hibino, K.Oguri, T.Akazaki, H.Kageshima, M.Nagase, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(ISNTT)
    • 発表場所
      Atsugi, Japan
    • 年月日
      2011-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] グラフェンの成長過程の解析2011

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所第19回シンポジウム「極限表面界面解析技術と層状物質を用いたデバイス開発」
    • 発表場所
      大阪電気通信大学(大阪府)(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究2011

    • 著者名/発表者名
      松本益明、福谷克之、岡野達雄、日比野浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2011年秋季大会
    • 発表場所
      富山大学、富山市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560021
  • [学会発表] Growth and transport properties of monolayer and bilayer graphene on SiC2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Tanabe, and H. Kageshima
    • 学会等名
      XX International Materials Research Congress(IMRC-XX)[invited]
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • 年月日
      2011-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚市
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] 単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測2010

    • 著者名/発表者名
      田邉真一、関根佳明、影島博之、永瀬雅夫、日比野浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      長崎
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 微傾斜SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの異方的成長モード2010

    • 著者名/発表者名
      田中悟、森田康平、上原直也、日比野浩樹
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Surface electron microscopy of epitaxial graphene2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino
    • 学会等名
      2nd International Symposium on the Surface and Technology of Epitaxial Graphene(STEG2)
    • 発表場所
      Amelia Island, USA
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Theoretical study on functions of graphene2010

    • 著者名/発表者名
      H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2010-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] In-situ surface electron microscopy observations of growth and etching of epitaxial few-layer graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
    • 学会等名
      International Workshop on in situ characterization of near surface processes 2010
    • 発表場所
      Eisenerz, Austria
    • 年月日
      2010-05-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学/平塚市
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] エタノールの用いたガスソースMBEによるグラフェン成長-流量の変化が成長に及ぼす影響-2010

    • 著者名/発表者名
      前田文彦、日比野浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      長崎
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Evaluation of Few-Layer Graphene Grown by Gas-source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked Ethanol2010

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Hiroki hibino, Ichiro Hirosawa, Yoshio Watanabe
    • 学会等名
      The 6th International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology(NSS6)
    • 発表場所
      Kobe University, Kobe, JAPAN
    • 年月日
      2010-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] 炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上グラフェントランジスタの電気特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      田邉真一, 関根佳明, 永瀬雅夫, 日比野浩樹
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学/平塚市
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] 表面電子顕微鏡によるグラフェンの構造と電子物性2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      第6回放射光表面科学部会・顕微ナノ材料科学研究会合同シンポジウム
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-12-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(0001)上グラフェン成長のエナージェティクス2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      第2回九州大学応用力学研究所グラフェン研究会「エピタキシャルグラフェンの形成と物性」(招待講演)
    • 発表場所
      九州大学、福岡市
    • 年月日
      2010-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      S.Tanabe, Y.Sekinae, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino
    • 学会等名
      2010 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2010-12-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹・山口浩司、永瀬雅夫
    • 学会等名
      第71回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      長崎
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2010年春第65回年次大会(招待講演)
    • 発表場所
      岡山
    • 年月日
      2010-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Hibino, et al.
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010)
    • 発表場所
      Sendai, Japan(Invited)
    • 年月日
      2010-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [学会発表] Dynamics of Si surface morphology/ Epitaxial graphene growth on SiC surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino
    • 学会等名
      The 14th International Summer School on Crystal Growth(ISSCG-14)
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 年月日
      2010-08-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] In-situ surface electron microscopy observations of growth and etching of epitaxial few-layer graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
    • 学会等名
      International Workshop on in situ characterization of near surface processes 2010[invited]
    • 発表場所
      Eisenerz, Austria
    • 年月日
      2010-05-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン/Tiテープを用いたSiO2/Si基板上への大面積グラフェン転写プロセス2010

    • 著者名/発表者名
      寺崎博満、橋本明弘、森田康平、田中悟、日比野浩樹
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Theoretical study on functions of graphene2010

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)[invited]
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2010-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上数層グラフェンの断面TEM観察2010

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学/平塚市
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上グラフェントランジスタの電気特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      田邉真一、関根佳明、永瀬雅夫、日比野浩樹
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Observation of bandgap in SiC graphene field-effect transistors2010

    • 著者名/発表者名
      S.Tanabe, Y.Sekinae, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Surface electron microscopy of epitaxial graphene2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino
    • 学会等名
      2nd International Symposium on the Surface and Technology of Epitaxial Graphene(STEG2)[invited]
    • 発表場所
      Amelia Island, USA
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Dynamics of Si surface morphology/Epitaxial graphene growth on SiC surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino
    • 学会等名
      The 14th International Summer School on Crystal Growth(ISSCG-14)[invited]
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 年月日
      2010-08-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] siC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学/平塚市
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上数層グラフェンの断面TEM観察2010

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, S.Tanabe, H.Kageshima, M.Nagase
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices: Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2010-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2010年春第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山、日本
    • 年月日
      2010-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Electrical contact properties of few-layer epitaxial on SiC substrate2010

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2010-10-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Study on graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol; Influence of gas flow rate on graphitic material deposition2010

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino
    • 学会等名
      23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC 2010)
    • 発表場所
      Kokura, Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2010-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析"(招待講演)2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      日本物理学会2010年春季第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山大学/岡山市
    • 年月日
      2010-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Surface Electron Microscopy of Epitaxial Graphene2010

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Hibino, et al.
    • 学会等名
      Second International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG2)
    • 発表場所
      Amelia Island, Florida, USA(Invited)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310086
  • [学会発表] LEEM/PEEMによるグラフェンの構造と電子物性2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
    • 発表場所
      平塚
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Evaluation of few-layer graphene grown by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol2010

    • 著者名/発表者名
      F.Maeda, H.Hibino, I.Hirosawa, Y.Watanabe
    • 学会等名
      6th International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology(NSS 6)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 年月日
      2010-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] LEEM/PEEMによるグラフェンの構造と電子物性2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(0001)上グラフェン成長のエナージェティクス(招待講演)2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      第2回九州大学応用力学研究所グラフェン研究会「エピタキシャルグラフェンの形成と物性」
    • 発表場所
      神戸国際会議場/神戸
    • 年月日
      2010-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Electrical contact properties of few-layer epitaxial on SiC substrate2010

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)[invited]
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2010-10-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiCからのグラフェン成長2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      (社)表面技術協会 材料機能ドライプロセス部会 第82会例会
    • 発表場所
      東京、日本
    • 年月日
      2010-01-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と電気磁気効果2010

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、関根佳明、山口浩司
    • 学会等名
      日本物理学会平成22年度秋季大会
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2010-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 微傾斜SiC表面上に形成するエピタキシャルグラフェンの異方性成長モードーオフ方向依存性-2010

    • 著者名/発表者名
      森田康平、上原直也、萩原好人、日比野浩樹、田中悟
    • 学会等名
      第71回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      長崎
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, S. Tanabe, H. Kageshima, and M. Nagase
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)[invited]
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2010-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長-流量の変化が成長に及ぼす影響-2010

    • 著者名/発表者名
      前田文彦, 日比野浩樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎市)
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Study of graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol : influence of gas flow rate on graphitic material deposition2010

    • 著者名/発表者名
      F.Maeda, H.Hibino
    • 学会等名
      23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC 2010)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2010-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiO2/Si基板上大面積転写エピタキシャルグラフェン層のラマン散乱分光法評価2010

    • 著者名/発表者名
      寺崎博満、橋本明弘、森田康平、田中悟、日比野浩樹
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンの構造と電子特性2010

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      伊豆
    • 年月日
      2010-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン形成に関する第一原理計算2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学, つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      Int.Symp.Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN2009)[Invited]
    • 発表場所
      Sheraton Maui Resort and Spa, Kaanapali, Hawaii, USA
    • 年月日
      2009-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層の転写法2009

    • 著者名/発表者名
      寺崎博満、橋本明弘、塩島謙次、森田康平、田中悟、日比野浩樹
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山、日本
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析2009

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹, 前田文彦, 影島博之, 永瀬雅夫, 広沢一郎, 渡辺義夫
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学/富山市
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Surface electron microscopy studies of structure and electronic properties of epitaxial few-layer graphene grown on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino
    • 学会等名
      東北大学・電気通信研究所・共同プロジェクト研究会「次世代デバイス応用を企図したグラフェン形成機構の解明及び制御の研究」
    • 発表場所
      仙台、日本
    • 年月日
      2009-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN2009)
    • 発表場所
      Sheraton Maui Resort and Spa, Kaanapali/Hawaii/USA(Invited)
    • 年月日
      2009-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      Int.Symp.Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN2009)
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 表面電子顕微鏡によるエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性2009

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      プローブ顕微鏡(SPM)による表面分析研究会
    • 発表場所
      名古屋、日本
    • 年月日
      2009-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積転写グラフェン層の顕微ラマン散乱分光測定2009

    • 著者名/発表者名
      寺崎博満、橋本明弘、塩島謙次、森田康平、田中悟、日比野浩樹
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山、日本
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Local Conductance of Deformed Graphene Near Atomic Steps on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      Int. Symp. Nanoscale Transport and Technol. (ISNTT2009)
    • 発表場所
      NTT Atsugi R&D Center/Atsugi/Japan
    • 年月日
      2009-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析2009

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、前田文彦、影島博之、永瀬雅夫、広沢一郎、渡辺義夫
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山、日本
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学/富山市
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009)
    • 発表場所
      Haeundae Grand Hotel/Busan/ Korea(Invited)
    • 年月日
      2009-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの積層ドメイン構造2009

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹, 水野清義, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学/つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles2009

    • 著者名/発表者名
      H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase
    • 学会等名
      13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials,(ICSCRM2009)
    • 発表場所
      Nurnberg, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Structure and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC studied by surface electron microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
    • 学会等名
      22nd International Microproesses and Nanotechnology Conference(MNC2009)[invited]
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2009-11-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Microscopic Evaluations of Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase
    • 学会等名
      7th Int. Symp. Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC'09)
    • 発表場所
      The Westin Maui Resort & Spa/Maui/Hawaii/ USA(Invited)
    • 年月日
      2009-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)2009

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学、富山市
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2009)[Invited]
    • 発表場所
      Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea
    • 年月日
      2009-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山、日本
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Novel microscopies for graphene on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi
    • 学会等名
      2009 RCIQE Int. Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices"
    • 発表場所
      Hokkaido Univ. /Sapporo/ Japan(Invited)
    • 年月日
      2009-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene grown on SiC Studied by Surface Electron Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase
    • 学会等名
      22nd Int. Microproesses and Nanotechnology Conf. (MNC2009)
    • 発表場所
      Sheraton Sapporo Hotel/Sapporo/Japan(Invited)
    • 年月日
      2009-11-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles2009

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase
    • 学会等名
      13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2009)[invited]
    • 発表場所
      Nurnberg, Germany
    • 年月日
      2009-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Microscopic evaluations of structure and electronic properties of epitaxial graphene2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
    • 学会等名
      7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices(ALC' 09)[invited]
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2009-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] sic単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      神戸国際会議場/神戸
    • 年月日
      2009-12-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性2009

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学/つくば市
    • 年月日
      2009-04-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene grown on SiC Studied by Surface Electron Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
    • 学会等名
      22nd Int.Microproesses and Nanotechnology Conf.(MNC2009)[Invited]
    • 発表場所
      Sheraton Sapporo Hotel, Sapporo, Japan
    • 年月日
      2009-11-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] 微傾斜6H-SiC(0001)上に形成するエピタキシャルグラフェンの層数制御と電子状態2009

    • 著者名/発表者名
      森田康平、日比野浩樹、中辻寛、小森文夫、水野清義、田中悟
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山、日本
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN2009)[invited]
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2009-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-」2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学、富山市
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles2009

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase
    • 学会等名
      13th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM2009)
    • 発表場所
      Nurnberg/ Germany(Invited)
    • 年月日
      2009-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析2009

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹、前田文彦、影島博之、永瀬雅夫、広沢一郎、渡辺義夫
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学、富山市
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Local Conductance of Deformed Graphene Near Atomic Steps on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      Int. Symp. Nanoscale Transport and Technol. (ISNTT2009)
    • 発表場所
      NTT Atsugi R&D Center, Atsugi, Japan
    • 年月日
      2009-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)2009

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山、日本
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] A breakthrough toward wafer-size bilayer graphene transfer2009

    • 著者名/発表者名
      A.Hashimoto, H.Tearsaki, K.Morita, S.Tanaka, H.Hibino
    • 学会等名
      13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials,(ICSCRM2009)
    • 発表場所
      Nurnberg, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 微傾斜SiCのin-situ熱分解によるナノリップル構造グラフェン2009

    • 著者名/発表者名
      萩原好人、森田康平、チェンダースレイ、日比野浩樹、水野清義、田中悟
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山、日本
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Novel microscopies for graphene on SiC" : [Invited]2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      2009 RCIQE Int. Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devil
    • 発表場所
      Conference Hall Hokkaido Univ., Sapporo. Japan
    • 年月日
      2009-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      17th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17
    • 発表場所
      Atagawa-Height /Higashi-izu/Japan(Invited)
    • 年月日
      2009-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Surface electron microscopy studies of structure and electronic properties of epitaxial few-layer graphene grown on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino
    • 学会等名
      2009 RIEC Cooperative Research Project on "Control and Elucidation of Growth Mechanism of Graphene for device applications in the next generation"
    • 発表場所
      RIEC/Tohoku Univ. /Sendai/ Japan
    • 年月日
      2009-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン形成に関する第一原理計算2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学/つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性2009

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季 第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学, つくば市
    • 年月日
      2009-04-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Microscopic evaluations of structure and electronic properties of epitaxial graphene2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
    • 学会等名
      7th Int.Symp.Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices(ALC'09)
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Structure and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC studied by surface electron microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
    • 学会等名
      22nd Int.Microproesses and Nanotechnology Conf.(MNC2009)
    • 発表場所
      札幌、日本
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Formation mechanisms of graphene on vicinal SiC(0001)surfaces2009

    • 著者名/発表者名
      K.Morita, S, Chenda, Y.hagihara, S.Mizuno, H.Hibino, S.Tanaka
    • 学会等名
      13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials,(ICSCRM2009)
    • 発表場所
      Nurnberg, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-」2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会(招待講演)
    • 発表場所
      神戸国際会議場、神戸市
    • 年月日
      2009-12-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)2009

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学/富山市
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] A breakthrough toward wafer-size graphene transfer2009

    • 著者名/発表者名
      A.Hashimoto, H.Tearsaki, K.Morita, S.Tanaka, H.Hibino
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe2009

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      17th Int.Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ICSPM17)[Invited]
    • 発表場所
      Atagawa-Height, Higashi-izu, Japan
    • 年月日
      2009-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] sic上グラフェン島の理論検討2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      東京大学物性研究所短期研究会
    • 発表場所
      東大物性研/柏市
    • 年月日
      2009-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態2009

    • 著者名/発表者名
      森田康平、日比野浩樹、中辻寛、小森文夫、水野清義、田中悟
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本、日本
    • 年月日
      2009-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe2009

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
    • 学会等名
      17th Int.Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ICSPM17)
    • 発表場所
      伊豆、日本
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Microscopic Evaluations of Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
    • 学会等名
      7th Int.Symp.Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices(ALC'09)[Invited]
    • 発表場所
      The Westin Maui Resort & Spa, Hawaii, USA
    • 年月日
      2009-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles2009

    • 著者名/発表者名
      H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase
    • 学会等名
      13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials,(ICSCRM2009)[Invited]
    • 発表場所
      Nurnberg, Germany
    • 年月日
      2009-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本、日本
    • 年月日
      2009-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの積層ドメイン構造2009

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹, 水野清義, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季 第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学, つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上グラフェン島の理論検討2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      物性研究所短期研究会"ディラック電子系の物性-グラフェンおよび関連物質の最近の研究"
    • 発表場所
      神戸、日本
    • 年月日
      2009-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上エピタキシャル数層グラフェンの積層ドメイン2009

    • 著者名/発表者名
      日比野浩樹
    • 学会等名
      物性研究所短期研究会"ディラック電子系の物性-グラフェンおよび関連物質の最近の研究"
    • 発表場所
      柏、日本
    • 年月日
      2009-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      神戸、日本
    • 年月日
      2009-12-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] 転写されたSiC上エピタキシャルグラフェン層の層数・表面構造評価2009

    • 著者名/発表者名
      上原直也、寺崎博満、森田康平、塩島謙次、日比野浩樹、水野清義、橋本明弘、田中悟
    • 学会等名
      2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山、日本
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] Surface electron microscopy studies of structure and electronic properties of epitaxial few-layer graphene grown on SiC2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hibino
    • 学会等名
      2009 RIEC Cooperative Research Project on "Control and Elucidation of Growth Mechanism of Graphene for device applications in the next generation"
    • 発表場所
      RIEC, Tohoku Univ., Sendai, Japan
    • 年月日
      2009-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本大学、熊本市
    • 年月日
      2009-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
    • 学会等名
      17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ICSPM17)[invited]
    • 発表場所
      Izu, Japan
    • 年月日
      2009-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246006
  • [学会発表] SiC上グラフェン島の理論検討2009

    • 著者名/発表者名
      影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
    • 学会等名
      東京大学物性研究所短期研究会
    • 発表場所
      東大物性研、柏市
    • 年月日
      2009-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] In-plane conductane images of few-layer graphene on SiC substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      IEEE Nanotechnology Materials and Devices 2008 (NMDC2008)
    • 発表場所
      Kyoto Univ. /Kyoto/Japan
    • 年月日
      2008-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Local conductance measurement of thermally grown graphene on SiC substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
    • 発表場所
      Univ, of Aizu, Aizuwakamatsu, Japan
    • 年月日
      2008-11-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Evaluation of the number of graphene layers grown on SiC : SPM and RAMAN spectroscopy studies2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, M. Nagase, C. Jackson, H. Kageshima, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
    • 発表場所
      Univ. of Aizu, Aizuwakamatsu, Japan
    • 年月日
      2008-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Local conductance measurement of thermally grown graphene on SiC substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      Int. Symp. on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
    • 発表場所
      Univ. of Aizu/ Aizuwakamatsu/ Japan
    • 年月日
      2008-11-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] 二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季 第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学, 春日井市
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] 二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学/春日井市
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Local Conductance of Graphene Near Buried Atomic Steps on SiC Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kagoshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      Int. Conf. Nanoscience and Technol. 2008 (ICN+T2008)
    • 発表場所
      Keystone, CO, USA
    • 年月日
      2008-07-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene formation on SiC(0001) surface2008

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
    • 発表場所
      Univ. of Aizu, Aizuwakamatsu, Japan
    • 年月日
      2008-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] iC上のグラフェン成長と電気特性(招待講演)2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Local conductane measurement of deformed double-layer graphene on atomic step-structures of SiC substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop (AHNW200)
    • 発表場所
      Hapuna Beach Prince Hotel, Big Island of Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Evaluation of the number of graphene layers grown on SiC: SPM and RAMAN spectroscopy studies2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hibino, M. Nagase, C. Jackson, H. Kageshima, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      Int. Symp. on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
    • 発表場所
      Univ. of Aizu/Aizuwakamatsu/ Japan
    • 年月日
      2008-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] SiC上グラフェン 成長と電気特性[Invited]2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司
    • 学会等名
      2008年春季 第55回応用物理学関係連合会講演会 薄膜・表面物理分科会企画シンポジウム
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス,船橋市
    • 年月日
      2008-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] In-plane conductane images of few-layer graphene on SiC substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      IEEE Nanotechnology Materials and Devices 2008 (NMDC2008)
    • 発表場所
      Kyoto Univ., Kyoto, Japan
    • 年月日
      2008-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene formation on SiC(0001) surface2008

    • 著者名/発表者名
      H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      Int. Symp. on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
    • 発表場所
      Univ. of Aizu/Aizuwakamatsu/ Japan
    • 年月日
      2008-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Local Conductance of Graphene Near Buried Atomic Steps on SiC Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      Int. Conf. Nanoscience and Technol. 2008 (ICN+T2008)
    • 発表場所
      Keystone/CO/USA
    • 年月日
      2008-07-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] Local conductane measurement of deformed double-layer graphene on atomic step-structures of SiC substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
    • 学会等名
      13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop (AHNW2008)
    • 発表場所
      Hapuna Beach Prince Hotel/Big Island of Hawaii/USA
    • 年月日
      2008-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19310085
  • [学会発表] エチレンを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長

    • 著者名/発表者名
      前田文彦,日比野浩樹
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学(愛媛県松山市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Protein Recognition on Graphene Surface Modified by DNA Aptamer

    • 著者名/発表者名
      K. Furukawa, Y. Ueno, M. Takamura, H. Hibino
    • 学会等名
      7th International Symposium on Surface Science
    • 発表場所
      Matsue, Shimane
    • 年月日
      2014-11-02 – 2014-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286018
  • [学会発表] Photoelectron spectroscopy study of interface structure of hydrogen intercalated graphene/SiC(0001)

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda, Shinichi Tanabe, and Hiroki Hibino
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe Convention Center, Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Ru(0001)表面に成長したグラフェンの凹凸構造

    • 著者名/発表者名
      村田祐也,鈴木哲,前田文彦,日比野浩樹
    • 学会等名
      第60回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] グラフェン表面に構築したFRETアプタセンサ

    • 著者名/発表者名
      古川一暁、上野祐子、高村真琴、日比野浩樹
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286018
  • [学会発表] Self- Spreading of Supported Lipid Bilayer on SiO2 Surface Bearing Graphene Oxide

    • 著者名/発表者名
      Kazuaki Furukawa, Hiroki Hibino
    • 学会等名
      IACIS2012
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23651125
  • [学会発表] グラフェンによる擬似的八木・宇田アンテナ(1)

    • 著者名/発表者名
      鈴木哲、日比野浩樹
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • [学会発表] グラフェンによる擬似的八木・宇田アンテナ(2)

    • 著者名/発表者名
      鈴木哲、日比野浩樹
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • [学会発表] Pseudo-Yagi-Uda antenna made of graphene for terahertz light

    • 著者名/発表者名
      Satoru Suzuki and Hiroki Hibino
    • 学会等名
      Italian National Conference on Condensed Matter Physics
    • 発表場所
      Palermo, Italy
    • 年月日
      2015-09-28 – 2015-10-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • [学会発表] グラフェン/SiC(0001)の水素処理と真空中加熱過程

    • 著者名/発表者名
      前田文彦,田邉真一,磯部真吾,日比野浩樹
    • 学会等名
      第60回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012)
    • 発表場所
      Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Directivity of Stacked Graphene Patterns for THz Light

    • 著者名/発表者名
      Satoru Suzuki, Hiroki Hibino
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Surface Science
    • 発表場所
      島根県立産業交流会館
    • 年月日
      2014-11-02 – 2014-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene -Advantage over ethanol in growth

    • 著者名/発表者名
      Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2012 (ICDCM 2012)
    • 発表場所
      Palacio de Exposiciones y Congresos , Granada, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] グラフェン-色素間の蛍光共鳴エネルギー移動の距離依存性

    • 著者名/発表者名
      古川一暁、上野祐子、高村真琴、日比野浩樹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286018
  • [学会発表] 僅かな対称性の低下により現れるグラフェンリボン スタック構造の光学的異方性

    • 著者名/発表者名
      鈴木哲、日比野浩樹
    • 学会等名
      表面科学会
    • 発表場所
      島根県立産業交流会館
    • 年月日
      2014-11-06 – 2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600051
  • 1.  関根 佳明 (70393783)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 37件
  • 2.  影島 博之 (70374072)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 174件
  • 3.  永瀬 雅夫 (20393762)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 150件
  • 4.  小栗 克弥 (10374068)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 31件
  • 5.  加藤 景子 (40455267)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 24件
  • 6.  増子 拓紀 (60649664)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 28件
  • 7.  山口 浩司 (60374071)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 68件
  • 8.  岡本 創 (20350465)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  水野 清義 (60229705)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 10件
  • 10.  前田 文彦 (70393741)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 39件
  • 11.  古川 一暁 (40393748)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 24件
  • 12.  国橋 要司 (40728193)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 7件
  • 13.  田中 祐輔 (40787339)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 2件
  • 14.  石川 顕一 (70344025)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  蟹澤 聖 (70393767)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  山口 徹 (30393763)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 34件
  • 17.  田中 悟 (80281640)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 15件
  • 18.  小林 康之 (90393727)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 19.  中野 秀俊 (90393793)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  松本 益明 (40251459)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 21.  岡野 達雄 (60011219)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 22.  福谷 克之 (10228900)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 23.  鈴木 哲 (00393744)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 24.  牧本 俊樹 (50374070)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 25.  吾郷 浩樹 (10356355)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 21件
  • 26.  長汐 晃輔 (20373441)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 27.  佐々木 拓生 (90586190)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 10件
  • 28.  章 国強 (90402247)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 29.  上野 祐子 (30589627)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 30.  大野 恭秀 (90362623)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  堀越 佳治 (60287985)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  藤田 実樹 (60386729)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 33.  石澤 淳 (30393797)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  山口 智広 (50454517)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  俵 毅彦 (40393798)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 36.  徐 学俊 (80593334)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  滝口 雅人 (90728205)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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