山口敦史 Yamaguchi Atsushi

研究者番号	60449428
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 金沢工業大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 金沢工業大学, 工学部, 教授 2023年度: 金沢工業大学, 工学部, 教授 2011年度 – 2020年度: 金沢工業大学, 工学部, 教授 2009年度 – 2010年度: 金沢工業大学, ものづくり研究所, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者理工系 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / 理工系研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 光物性 / 価電子帯 / 内部量子効率 / 光音響 / GaN / 半導体レーザ / 偏光特性 / 物性物理 / デバイスシミュレーション … もっと見る / ワイドキャップ半導体 / キャリア拡散 / シミュレータ / 混晶 / キャリアダイナミクス / 組成揺らぎ / InGaN量子井戸 / 量子井戸 / 物性実験 / 半導体物性 / 理論モデル / ポテンシャル揺らぎ / 電子状態 / 光学測定 / へき開共振器ミラー / 光学利得 / AlGaN / InGaN / 緑色レーザ / 深紫外LED … もっと見る研究代表者以外混晶半導体 / 時間分解PL発光 / スペクトルイメージング / ベイズ推定 / 発光・非発光再結合割合 / キャリア・フォノンマルチモーダル解析 / 半導体熱マネージメント / ミストＣＶＤ / LED / ミストCVD / 酸化亜鉛 / 発光ダイオード / ミスト化学気相成長法 / 酸化物半導体 / 長寿命化 / 電子顕微鏡 / 転位 / 格子欠陥 / 結晶成長 / 劣化 / 信頼性 / 量子ドット / 発光デバイス隠す

デバイス設計に革新をもたらすキャリア・フォノンマルチモーダル解析技術の開発
- 研究代表者
  
  福山敦彦
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  宮崎大学
ベイズ推定を用いた混晶半導体の時間分解スペクトルイメージング解析法の革新
- 研究代表者
  
  岩満一功
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学
ワイドギャップ半導体デバイスシミュレーションのための物性物理モデル構築研究代表者
- 研究代表者
  
  山口敦史
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  金沢工業大学
輻射・非輻射再結合の同時観測とそれに基づく特異構造の電子状態の理論モデル構築研究代表者
- 研究代表者
  
  山口敦史
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  金沢工業大学
輻射・非輻射再結合の同時観測とそれに基づく特異構造の電子状態の理論モデル構築研究代表者
- 研究代表者
  
  山口敦史
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  金沢工業大学
大気圧成膜法による希少・有害元素不要の低コスト酸化物LEDの作製
- 研究代表者
  
  中村有水
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  熊本大学
へき開共振器ミラーを有する非極性ＧａＮ基板上緑色半導体レーザに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山口敦史
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  金沢工業大学
次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
窒化物半導体の電子状態・光学特性の理論解析とデバイス構造提案研究代表者
- 研究代表者
  
  山口敦史
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  金沢工業大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Absolute evaluation of internal and external quantum efficiencies and light extraction efficiency in InGaN single quantum wells by simultaneous photoacoustic and photoluminescence measurements combined with integrating-sphere method2024
- 著者名/発表者名
  Mori-Tamamura Keito、Takahashi Yuchi、Sakai Shigeta、Morimoto Yuya、Hirama Junji、Yamaguchi Atsushi A.、Kusanagi Susumu、Kanitani Yuya、Kudo Yoshihiro、Tomiya Shigetaka
- 雑誌名
  
  Science and Technology of Advanced Materials: Methods
  
  巻: 4 号: 1 ページ: 2315027-2315027
- DOI
  10.1080/27660400.2024.2315027
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[雑誌論文] Improvement of S/N ratio in simultaneous photoacoustic and photoluminescence measurements by utilizing Helmholtz resonance2024
- 著者名/発表者名
  Tosa Hiroki、Mori-Tamamura Keito、Yamaguchi Atsushi A.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 2 ページ: 02SP81-02SP81
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad1d83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[雑誌論文] ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定2023
- 著者名/発表者名
  神野翔綺・森　恵人・山口敦史・草薙　進・蟹谷裕也・富谷茂隆・工藤喜弘
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 123 ページ: 52-55
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[雑誌論文] 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定2023
- 著者名/発表者名
  森　恵人・山口敦史・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 123 ページ: 56-59
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[雑誌論文] ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善2023
- 著者名/発表者名
  土佐宏樹・森　恵人・山口敦史
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 123 ページ: 48-51
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[雑誌論文] Evaluation of radiative and nonradiative recombination lifetimes in c-plane InGaN quantum wells with emission colors ranging from blue to red2023
- 著者名/発表者名
  Mori-Tamamura Keito、Morimoto Yuya、Yamaguchi Atsushi A.、Kusanagi Susumu、Kanitani Yuya、Kudo Yoshihiro、Tomiya Shigetaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 10 ページ: 105501-105501
- DOI
  10.35848/1347-4065/acf79f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[雑誌論文] Evaluation of radiative and non-radiative recombination lifetimes in InGaN quantum wells with different ion-implantation damage2023
- 著者名/発表者名
  Mori-Tamamura Keito、Morimoto Yuya、Yamaguchi Atsushi A.、Kusanagi Susumu、Kanitani Yuya、Kudo Yoshihiro、Tomiya Shigetaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 1 ページ: 01SP19-01SP19
- DOI
  10.35848/1347-4065/acfb18
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[雑誌論文] Experimental studies and model analysis on potential fluctuation in InGaN quantum-well layers2020
- 著者名/発表者名
  Fujita Takashi、Sakai Shigeta、Ikeda Yuma、Yamaguchi Atsushi A.、Kusanagi Susumu、Kanitani Yuya、Kudo Yoshihiro、Tomiya Shigetaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 9 ページ: 091003-091003
- DOI
  10.35848/1347-4065/abaebc
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[雑誌論文] A Novel Method to Measure Absolute Internal Quantum Efficiency in III-Nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. YAMAGUCHI, Kohei KAWAKAMI, Naoto SHIMIZU, Yuchi TAKAHASHI, Genki KOBAYASHI, Takashi NAKANO, Shigeta SAKAI, Yuya KANITANI, and Shigetaka TOMIYA
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E101.C 号: 7 ページ: 527-531
- DOI
  10.1587/transele.E101.C.527
- NAID
  130007386834
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 年月日
  2018-07-01
- 言語
  英語
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[雑誌論文] Theoretical Analysis of Optical Polar-ization Properties in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells for Precise Determination of Valence-Band Parameters in InGaN Alloy Material2015
- 著者名/発表者名
  Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 252 号: 5 ページ: 885-889
- DOI
  10.1002/pssb.201451594
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[雑誌論文] 非極性InGaN量子井戸の偏光特性2014
- 著者名/発表者名
  坂井繁太、山口敦史、栗原香、長尾哲
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 114 ページ: 23-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[雑誌論文] 窒化物半導体LEDの偏光特性2011
- 著者名/発表者名
  山口敦史
- 雑誌名
  
  月刊ディスプレイ
  
  巻: 17-5 ページ: 43-49
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[雑誌論文] A simple theoretical approach to analyze polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells2011
- 著者名/発表者名
  A.A.Yamaguchi, K.Kojima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98 ページ: 101905-101905
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[雑誌論文] A simple theoretical approach to analyze polarization properties insemipolar and nonpolar InGaN quantum wells2011
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi and K. Kojima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress : Definite breakdown of the quasi-cubic approximation2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.A.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Physical Review B 81
  
  ページ: 155202-155202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[雑誌論文] 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈2010
- 著者名/発表者名
  山口敦史、小島一信
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 110-271 ページ: 29-32
- NAID
  110008152398
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[雑誌論文] Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, A.A.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49 ページ: 81001-81001
- NAID
  40017253764
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[雑誌論文] Theoretical Investigation of Polarization Properties in Al-rich AlGaN Quantum Wells with Various Substrate Orientations2010
- 著者名/発表者名
  A.Atsushi Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 96
  
  ページ: 151911-151911
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[雑誌論文] Polarization Properties in Deep-Ultraviolet AlGaN Quantum Wells with Various Substrate Orientations2010
- 著者名/発表者名
  A.Atsushi Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(b) (未定(採択済))
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[産業財産権] 半導体発光素子2009
- 発明者名
  山口敦史
- 権利者名
  金沢工業大学
- 産業財産権番号
  2009-201593
- 出願年月日
  2009-09-01
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Simultaneous microscopic PA/PL line-scan measurements in InGaN-QWs on a stripe-core GaN Substrate2024
- 著者名/発表者名
  Shoki Jinno, Keito Mori-Tamamura, Atushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Shigetaka Tomiya
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] 時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定2024
- 著者名/発表者名
  伊藤央祐, 森恵人, 山口敦史, 伊藤まいこ, 幸田倫太郎, 濱口達史
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] Determination of deformation potentials of InGaN alloy materials based on photoluminescence polarization measurements under uniaxial stress application2024
- 著者名/発表者名
  Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Maho Ohara, Tomohiro Makino, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定2023
- 著者名/発表者名
  神野翔綺・森　恵人・山口敦史・草薙　進・蟹谷裕也・富谷茂隆・工藤喜弘
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] p型GaNのドナー・アクセプターペア発光の時間減衰曲線の理論解析2023
- 著者名/発表者名
  渡邊龍一、鷹合圭祐、大森雅登、山口敦史
- 学会等名
  応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] Evaluation of radiative and non-radiative recombination lifetimes in c-plane InGaN quantum wells with different In composition2023
- 著者名/発表者名
  Keito Mori-Tamamura1, Yuya Morimoto1, Atsushi A. Yamaguchi1, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] データ駆動によるInGaN量子井戸の発光減衰曲線の特徴抽出2023
- 著者名/発表者名
  山肥田涼、山口敦史
- 学会等名
  応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定2023
- 著者名/発表者名
  森　恵人・山口敦史・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善2023
- 著者名/発表者名
  土佐宏樹・森　恵人・山口敦史
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] Optical Recombination Processes in Nitride Semiconductors2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi, K. Mori-Tamamura
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03944
[学会発表] Theoretical modeling of electronic structures in III-nitride materials with singular structures based on photo-acoustic and photoluminescence simultaneous measurements2021
- 著者名/発表者名
  A. A. Yamaguchi1, K. Mori, T. Fujita, S. Kusanagi, Y. Kanitani, Y. Kudo, and S. Tomiya
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), online (2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性2020
- 著者名/発表者名
  山口拓海 , 有賀恭介 , 森恵人 , 山口敦史
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, online, (2020)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN 量子井戸の内部・外部量子効率推定2020
- 著者名/発表者名
  森恵人，高橋祐知，坂井繁太，森本悠也，山口敦史，草薙進，蟹谷裕也，工藤喜弘，冨谷茂隆
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定2020
- 著者名/発表者名
  森恵人、高橋佑知、坂井繁太、森本悠也、山口敦史、草薙進、蟹谷裕也、工藤喜弘、冨谷茂隆
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] Experimental Studies and Model Analysis on Potential Fluctuation n InGaN Quantum-Well Layers2019
- 著者名/発表者名
  T. Fujita, S. Sakai, Y. Ikeda, A. A. Yamaguchi, Y. Kanitani, and S. Tomiya
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019), Nagoya, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] 光音響・発光同時計測法による内部量子効率測定2019
- 著者名/発表者名
  山口敦史
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催第２４回結晶工学セミナー「ワイドギャップ半導体結晶の評価とプロセス技術－評価／プロセスからマテリアルの本質に迫る－」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] Measurements of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  K. Mori, Y. Takahashi, A. A. Yamaguchi, S. Kusanagi, Y. Kanitani, Y. Kudo and S. Tomiya
- 学会等名
  The 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38), Kashihara, Japan (2019)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] Measurements of IQE in Various InGaN SQWs with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  K. Mori, Y. Takahashi, A. A. Yamaguchi, Y. Kanitani, Y. Kudo, S. Tomiya
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), Bellevue, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定2019
- 著者名/発表者名
  森恵人，高橋佑知，森本悠也，山口敦史, 草薙進，蟹谷裕也，工藤喜弘，冨谷茂隆
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会・電子材料若手交流会(ISYSE) 共催第2回結晶工学×ISYSE合同研究会、東京
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] 音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定2019
- 著者名/発表者名
  森恵人、高橋佑知、森本悠也、山口敦史、草薙進、蟹谷裕也、工藤喜弘、冨谷茂隆
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, 浜松
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] Experimental Studies and Model Analysis on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Layers2019
- 著者名/発表者名
  T. Fujita, S. Sakai, Y. Ikeda, A. A. Yamaguchi, S. Kusanagi, Y. Kanitani, Y. Kudo and S. Tomiya
- 学会等名
  The 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38), Kashihara, Japan (2019)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] InGaN量子井戸における Mobility edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討2019
- 著者名/発表者名
  藤田貴志、坂井繁太、池田優真、山口敦史、草薙進、蟹谷裕也、工藤喜弘、冨谷茂隆
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, 浜松
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] InGaN量子井戸のMobility edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討2019
- 著者名/発表者名
  藤田貴志、坂井繁太、池田優真、山口敦史、草薙進、蟹谷裕也、工藤喜弘、冨谷茂隆
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会・電子材料若手交流会(ISYSE) 共催第2回結晶工学×ISYSE合同研究会、東京
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04553
[学会発表] InGaN quantum wells with improved photoluminescence properties through strain-controlled modification of InGaN underlayer2018
- 著者名/発表者名
  S. Kusanagi, Y. Kanitani, Y. Kudo, K. Tasai, H. Narui, A. A. Yamaguchi, and S. Tomiya
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Layers2018
- 著者名/発表者名
  T. Fujita, S. Sakai, Y. Ikeda, A. A. Yamaguchi, Y. Kanitani, and S. Tomiya
- 学会等名
  26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] Estimation of internal quantum efficiency in III-nitride materials using simultaneous photo-acoustic and photoluminescence measurements2018
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi, N. Shimizu, S. Sakai, T. Nakano, H. Fukada, Y. Kanitani, and S. Tomiya
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] A New Method to Evaluate the Degree of Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Laser Diodes by Optical-Pump Stimulated-Emission Measurements2018
- 著者名/発表者名
  I. Oshima, Y. Ikeda, S. Sakai, A. A. Yamaguchi, Y. Kanitani, and S. Tomiya
- 学会等名
  26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] Determination of Deformation Potentials in InGaN Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes2018
- 著者名/発表者名
  Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichib and Atsushi A. Yamaguchi
- 学会等名
  26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定2017
- 著者名/発表者名
  清水奈緒人,　高橋佑知, 小林玄季,　中納隆,　坂井繁太, 山口敦史, 蟹谷裕也,　冨谷茂隆
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] Carrier Dynamics Studies of III-Nitride Materials Using Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Measurements2017
- 著者名/発表者名
  A. A.Yamaguchi, N. Shimizu, S. Sakai, T. Nakano, H. Fukada, Y. Kanitani, and S. Tomiya
- 学会等名
  The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] 発光・光音響同時計測による窒化物半導体の内部量子効率測定2017
- 著者名/発表者名
  山口敦史、清水奈緒人、高橋佑知、小林玄季、中納隆、坂井繁太、蟹谷裕也、冨谷茂隆
- 学会等名
  応用物理学会第13 回励起ナノプロセス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析2017
- 著者名/発表者名
  池田優真, 坂井繁太, 大島一輝, 山口敦史, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] Electronic structures and optical properties of AlGaN materials and their quantum-well systems2017
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] Quantum-Wire-Like Density of States in c-plane AlGaN Quantum Wells in Polarization-Crossover Composition Region2017
- 著者名/発表者名
  S. Sakai, T. Minami, K. Kojima, S. F. Chichibu, and A. A. Yamaguchi
- 学会等名
  the 12th international conference on nitride semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性/発光特性のモデル解析2017
- 著者名/発表者名
  太田　有亮、　坂井　繁太、　山口　敦史
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] Carrier dynamics studies of III-nitride materials using photo-acoustic and photoluminescence measurements2017
- 著者名/発表者名
  A. A.Yamaguchi, N. Shimizu, S. Sakai, T. Nakano, H. Fukada, Y. Kanitani, and S. Tomiya
- 学会等名
  the 12th international conference on nitride semiconductors (ICNS-12)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05341
[学会発表] Optical Polarization Properties in Nonpolar InGaN Quantum Wells2015
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi, Shigeta Sakai, Kaori Kurihara, and Satoru Nagao
- 学会等名
  Energy Materials Nanothechnology East Meeting 2015
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2015-04-22
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] Effects of Alloy Compositional Fluctu-ation on Optical Polarization Properties in Nonpolar InGaN Quantum Wells2014
- 著者名/発表者名
  Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Kaori Kurihara, and Satoru Nagao
- 学会等名
  the 10th International Symposium on Semi-conductor Light Emitting Devices
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] Theoretical Study of Optical Gain Characteristics in InGaN Pure-Green Laser Diodes on Semipolar GaN Substrates2014
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi, Shigeta Sakai
- 学会等名
  Energy Material Nan-otechnology Open Ac-cess Week Meeting
- 発表場所
  Chengdu, China
- 年月日
  2014-09-23
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] 非極性InGaN量子井戸の偏光特性2014
- 著者名/発表者名
  坂井繁太、山口敦史、栗原香、長尾哲
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2014-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in InGaN Green Laser Diodes Fabricated on Low-Angle Semipolar GaN Substrates2014
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi and Shigeta Sakai
- 学会等名
  2014 Asia-Pacific Workshop on Funda-mentals and Applica-tions of Advanced Semiconductor Devic-es
- 発表場所
  Kanazawa, Japan
- 年月日
  2014-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] In組成の空間的ゆらぎが非極性InGaN量子井戸の偏光特性へ及ぼす影響2014
- 著者名/発表者名
  坂井繁太, 山口敦史, 栗原香, 長尾哲
- 学会等名
  2014年秋季　第75 回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in InGaN Green Laser Diodes Fabricated on Low-Angle Semipolar GaN Substrates2014
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi and Shigeta Sakai
- 学会等名
  2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] Theoretical Studies on Anisotropic Op-tical Gain Characteristics in Semipo-lar-Oriented InGaN Quantum-Well Laser Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Shigeta Sakai and Atsushi A. Yamaguchi
- 学会等名
  6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor 2013
- 発表場所
  New Taipei City, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] Theoretical Studies on Anisotropic Optical Gain Characteristics in Semipolar-Oriented InGaN Quantum-Well Laser Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Shigeta Sakai and Atsushi A. Yamaguchi
- 学会等名
  6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor 2013
- 発表場所
  New Taipei City, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] Optical polarization and anisotropic gain characteristics in semipolar and nonpolar InGaN quantum well lasers2012
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi
- 学会等名
  Photonics Global Conference 2012
- 発表場所
  Singapore
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560385
[学会発表] 非極性面窒化物半導体の光学特性に関する理論的検討2011
- 著者名/発表者名
  小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学(福岡県春日市)(招待講演予定)
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] A new simple theoretical approach to analyze optical polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells2011
- 著者名/発表者名
  A.A.Yamaguchi, K.Kojima
- 学会等名
  5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル(三重県鳥羽市)(招待講演予定)
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] A Comprehensive Understanding of Previously-Reported Polarization Properties in Nonpolar and Semipolar InGaN Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  A.A.Yamaguchi, K.Kojima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ(米国)
- 年月日
  2010-09-19
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 窒化物半導体のバンド構造の歪み依存性の理論的研究2010
- 著者名/発表者名
  海老原康裕, 白石賢二, 山口敦史
- 学会等名
  2010年春期第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Breakdown of the quasicubic approximation in GaN and InN-A Theoretical Approach-2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ebihara, K.Shiraishi, A.A.Yamaguchi
- 学会等名
  The 29th Electronic Material Symposium (EMS・29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈2010
- 著者名/発表者名
  山口敦史、小島一信
- 学会等名
  応用物理学会(2010年秋季)
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 無極性AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討2010
- 著者名/発表者名
  小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  応用物理学会(2010年秋季)
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Impact of Nonpolar Plane for Deep Ultraviolet Laser Diodes Based on AlGaN/AlN Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, A.A.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 学会等名
  The 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2010)
- 発表場所
  ANAホテル(京都市)
- 年月日
  2010-09-26
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係2010
- 著者名/発表者名
  小島一信、山口敦史、船戸充、川上養一、野田進
- 学会等名
  2010年春期第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈2010
- 著者名/発表者名
  山口敦史、小島一信
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学(大阪市)
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Influence of inhomogeneous broadening for gain polarization switching in green semipolar InGaN quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, A.A.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ(米国)
- 年月日
  2010-09-19
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Intrinsic Origin of the Breakdown of Quasi-Cubic Approximation in Nitride Semiconductors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ebihara, K.Shiraishi, A.A.Yamaguchi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ(米国)
- 年月日
  2010-09-19
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈2010
- 著者名/発表者名
  山口敦史、小島一信
- 学会等名
  東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
- 発表場所
  東北大学(仙台市)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Theoretical Studies on Deformation Potentials of Strained Nitride Semiconductor Films2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ebihara, K.Shiraishi, A.A.Yamaguchi
- 学会等名
  4th AEARU Advanced Materials Science Workshop on Artificial and Self-Organized Nanostructure Sciences and Nano-Technologies for the Sustainable World
- 発表場所
  筑波大学(つくば市)
- 年月日
  2010-08-29
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 擬立方晶近似の妥当性についての理論的考察2010
- 著者名/発表者名
  海老原康裕、白石賢二、山口敦史
- 学会等名
  応用物理学会(2010年秋季)
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 非極性InGaN量子井戸における偏光特性(擬立方晶近似が成立しない場合)2010
- 著者名/発表者名
  山口敦史、小島一信
- 学会等名
  2010年春期第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Theoretical Investigation on Polarization Control of Deep-Ultraviolet AlGaN Quantum-Well Emission2009
- 著者名/発表者名
  山口敦史
- 学会等名
  2009 Asian Core Workshop on Wide Band Gap Semiconductors
- 発表場所
  大観荘松島(宮城県)
- 年月日
  2009-09-04
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Polarization Properties in Deep-Ultraviolet AlGaN Quantum Wells with Various Substrate Orientations2009
- 著者名/発表者名
  山口敦史
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  チェジュ(韓国)
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] Theoretical Investigation on Polarization Control of Deep-Ultraviolet AlGaN Quantum-Well Emission2009
- 著者名/発表者名
  山口敦史
- 学会等名
  2009 MRS fall meeting
- 発表場所
  ボストン(米国)
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006
[学会発表] 深紫外AlN/AlGaN量子井戸の偏光特性の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  山口敦史
- 学会等名
  2009年秋期第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016006

1. 冨谷茂隆 (40867016)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 5件
2. 上田修 (50418076)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 佐久間芳樹 (60354346)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 五神真 (70161809)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 吉本昌広 (20210776)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 矢口裕之 (50239737)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
7. 池永訓昭 (30512371)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 中村有水 (00381004)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 永岡昭二 (10227994)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 土屋昌弘 (50183869)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 小島一信 (30534250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 14件
12. 境健太郎 (20336291)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 浪平隆男 (40315289)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 福山敦彦 (10264368)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 岩満一功 (00768236)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

山口 敦史 Yamaguchi Atsushi

研究課題

研究成果

共同研究者

デバイス設計に革新をもたらすキャリア・フォノンマルチモーダル解析技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ベイズ推定を用いた混晶半導体の時間分解スペクトルイメージング解析法の革新

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドギャップ半導体デバイスシミュレーションのための物性物理モデル構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

輻射・非輻射再結合の同時観測とそれに基づく特異構造の電子状態の理論モデル構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

輻射・非輻射再結合の同時観測とそれに基づく特異構造の電子状態の理論モデル構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

大気圧成膜法による希少・有害元素不要の低コスト酸化物LEDの作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

へき開共振器ミラーを有する非極性ＧａＮ基板上緑色半導体レーザに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体の電子状態・光学特性の理論解析とデバイス構造提案研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Absolute evaluation of internal and external quantum efficiencies and light extraction efficiency in InGaN single quantum wells by simultaneous photoacoustic and photoluminescence measurements combined with integrating-sphere method2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Improvement of S/N ratio in simultaneous photoacoustic and photoluminescence measurements by utilizing Helmholtz resonance2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

山口敦史 Yamaguchi Atsushi