川西英雄 KAWANISHI Hideo

研究者番号	70016658
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2005年度 – 2010年度: 工学院大学, 工学部, 教授 2008年度: 工学院大学, 工学部 2000年度 – 2002年度: 工学院大学, 工学部, 教授 1999年度: 工学院大, 工学部, 教授 1995年度 – 1996年度: 工学院大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・機器工学 / 理工系 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 半導体レーザ / 量子井戸 / 超格子 / BAlGaN / GaN / エピタキシャル成長 / ワイドギャップ / 深紫外半導体レーザ / Light Emitting Diode … もっと見る / Multi Buffer Layer Structure / Residual Strain Control / Optical Device / Deep-UV / 多重バッフア / 残留歪制御 / BAlGaN四元混晶 / 発光ダイオード / 多重バッファ / 残留歪み制御 / 発光デバイス / 紫外域 / Multi buffer layer / Strain control / Optical electrical integrated circuit / Hetero epitaxy / マルチ・バッファ層 / 歪制御 / 光・電子集積回路 / ヘテロ・エピタキシ / 6H-SiC substrate / Nitride semiconductor / Lattice matting system / (BAlGa)N quatrnary / UV semiconductor laser diode / Optical memory disk / 混晶半導体 / 6H-SiC基板 / 格子整合系 / (BAlGa)N混晶半導体 / 紫外線半導体レーザ / 光ディスク / エビタキシャル成長 / バッファ層 / バッフア層 / 歪み制御 / エピタキシル成長 / ドーピング材料 / p型半導体 / 交互供給法 / AlGaN / 炭素 / p型不純物 / 発振モード / 光学異方性 / 室化物半導体 / 深紫外 / ワイドギヤツプ / 窒化物半導体' / 量子井戸構造 / 深紫外域隠す

高品質AlGaN結晶の成長と紫外・深紫外発光デバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  工学院大学
205～250nm帯深紫外半導体レーザの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  工学院大学
青・紫外域発光素子用BAlGaInN/GaN系多層膜と量子井戸の形成とデバイス化研究代表者
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  工学院大学
青・紫外域発光素子用BAlGaN系多層膜と量子井戸の形成とデバイス化研究代表者
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  工学院大学
200nm355nmの深紫外波長域BAlGaN/AlN高効率発光デバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  工学院大学
極限環境に適合する光・電子集積回路の基礎検討研究代表者
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  工学院大学
紫外線半導体レーザの開発基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  工学院大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 雑誌名
  
  No.1
  
  ページ: 7-11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 雑誌名
  
  Microoptics News 28
  
  ページ: 7-10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 雑誌名
  
  Micro-optics News 28No1
  
  ページ: 7-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 雑誌名
  
  Microoptics News 28
  
  ページ: 7-10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Investigation on Conductivity at the Gan/ATN/SiC Subsrate interface for Vertical Nitraide Power FETs2008
- 著者名/発表者名
  Yuu Wakamiya, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Physics Status Solidi, (C) No.6
  
  ページ: 1505-1507
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Investigation on Conductivity at the Gan/AIN/SiC Subsrate interface for Vertical2008
- 著者名/発表者名
  Yuu Wakamiya, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi No.6
  
  ページ: 1505-1507
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Structure and properties of Deep-UV ATGaN MQW laser2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  2008 Int.Nano-Optoelectronics Workshop, iNOW 2008 in Cooperation With Int.Global-COE Summer School (Photonics Integration-Core Electronics : PTCE) and 31st Int.Symposium on Optical Communications, art. No.4634427
  
  ページ: 36-37
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys 46,No.6A
  
  ページ: 3301-3304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Improvement of Crystal Quality of n-AlGaN by Alternate-Source-Feeding Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Isono*, Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan J. Appl. Phys. Vol.46
  
  ページ: 5711-5714
- NAID
  40015602574
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Improvement of Crystal Quality of n-AlGaN by Alternate-Source-Feeding Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Isono, Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan J.Appl.Phys. Vol.46, No.9A
  
  ページ: 5711-5714
- NAID
  40015602574
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Tm-mode lasing and anisotropic polarization properties of AlGaN multiple quantum well lasers in deep-ultraviolet spectral region2007
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi*, Masanori Senuma, and Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Proceeding of SPIE Photonics West 2007 Vol.6473
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Koichiro Murakawa, EIichiro Nikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys 46・6A(掲載確定、ページ未定)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Koichiro Murakawa, EIichiro Nikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys 46・6A(掲載確定、ページ未定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN Yuu Wakamiya*, Fumio Hasegawa, /GaN) Multi-buffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa*, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan.J.Appl.Phys. Vol.46
  
  ページ: 3301-3304
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Tm-mode lasing and anisotropic polarization properties of AlGaN multiple quantum well lasers in deep-ultraviolet spectral region2007
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Masanori Senuma, Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Proceeding of SPIE Photonics West 2007 Vol.6473
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Improvement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  Eiichiro Niikura*, Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 345-348
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Improvement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 345-345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan.J.Appl.Phys. Vol.46, No.6A
  
  ページ: 3301-3304
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] I mprovement of crystal quality of AIN and AiGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  E.Niikura, K.Murakawa, F.Hasegawa, H.Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 345-348
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] I mprovement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  E.Niikura, K.Murakawa, F.Hasegawa, H.Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 345-348
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Improvement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  Eiichiro Niikura, Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 345-348
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Kouichiro Murakawa, Eiichiro Nikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Anisotropic polarization characteristics of lasing and spontaneous surface and edge emissions from deep-ultraviolet (λ=240mm) AlGaN multiple-quantum-well lasers2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Masanori Senuma, Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.89, No.4
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Extremely weak surface emission from (0001) c-plane AlGaN multiple quantum well structure in deep-ultraviolet spectral region2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi Masanori Senuma, Mao Yamamoto, Eiichiro Niikura, Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.89, No.8
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Experimental energy difference between heavy- or light-hole valence band and crystal-field split-off-hole valence band in AlxGaN1-xN2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi*, Eiichiro Niikura, Mao Yamamoto, and Shoichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.89
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] 深紫外AlGaN多重量子井戸半導体レーザーの工学的異方特性2006
- 著者名/発表者名
  川西英雄, 瀬沼正憲, 貫井猛晶
- 雑誌名
  
  日本工学会(応用物理学会) 35巻・5号
  
  ページ: 265-267
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Anisotropic polarization characteristics of lasing and spontaneous surface and edge emission from deep-ultra violet (λ≒240nm) AlGaN multiple-quantum-well lasers2006
- 著者名/発表者名
  H.Kawanishi, M.Senuma, T.Nukui
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett (掲載予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Experimental energy difference between heavy- or light-hole valence band and crystal-field split-off-hole valence band in Al_xGaN_<1-x>N2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi Eiichiro Niikura, Mao Yamamoto, Shoichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.89, No.25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Experimental energy difference between heavy- or light-hole valence band and crystal-field split-off-hole valence band in Al_x GaN_<1-x> N2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Eiichiro Niikura, Mao Yamamoto, Shoichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett, 89・25
  
  ページ: 251107-251107
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Extremely weak surface emission from (0001) c-plane AlGaN multiple quantum well structure in deep-ultraviolet spectral region2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Masanori Senuma, Mao Yamamoto, Eiichiro Niikura, Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 89,8
  
  ページ: 81121-81121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Anisotropic polarization characteristics of lasing and spontaneous surface and edge emissions from deep-ultraviolet (λ=240 nm) AlGaN multiple-quantum-well lasers2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Masanori Senuma, Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 89・4
  
  ページ: 41126-41126
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Experimental energy difference between heavy- or light-hole valence band and crystal-field split-off-hole valence band in Al_xGaN_<1-x>N2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Eiichiro Niikura, Mao Yamamoto, Shoichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 89・25
  
  ページ: 251107-251107
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Extremely weak surface emission from (0001) c-plane AlGaN multiple quantum well structure in deep-ultraviolet spectral region2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Eiichiro Niikura, Mao Yamamoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett, 89・8
  
  ページ: 81121-81121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Anisotropic polarization characteristics of lasing and spontaneous surface and edge emissions from deep-ultraviolet ( λ ?240 nm) AlGaN multiple-quantum-well lasers2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi*, Masanori Senuma, and Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.89
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Anisotropic polarization characteristics of lasing and spontaneous surface and edge emissions from deep-ultraviolet ( λ = 240 nm) AlGaN multiple-quantum-well lasers2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Masanori Senuma, Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett, 89・4
  
  ページ: 41126-41126
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] 深紫外AlGaN 多重量子井戸半導体レーザー光の光学的異方特性2006
- 著者名/発表者名
  川西英雄*、瀬沼正憲、貫井猛晶
- 雑誌名
  
  日本光学会(応用物理学会)光学 35巻
  
  ページ: 265-267
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Extremely weak surface emission from (0001) c-plane AlGaN multiple quantum well structure in deep-ultraviolet spectral region2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi*, Masanori Senuma, Mao Yamamoto, Eiichiro Niikura, and Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett Vol.89
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Anisotropic polarization characteristics of lasing and spontaneous surface and edge emissions from deep-ultraviolet (λ〓240 nm) AlGaN multiple-quantum-well lasers2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Masanori Senuma, Takeaki Nukui
- 雑誌名
  
  Appl Phys. Lett 89,4
  
  ページ: 41126-41126
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] 深紫外AlGaN多重量子井戸半導体レーザー光の光学的異方特性2006
- 著者名/発表者名
  川西英雄, 瀬沼正憲, 貫井猛晶
- 雑誌名
  
  日本光学会(応用物理学会) 35巻・5号
  
  ページ: 265-267
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] 深紫外AlGaN多重量子井戸半導体レーザー光の光学的異方特性2006
- 著者名/発表者名
  川西英雄、瀬沼正憲、貫井猛晶
- 雑誌名
  
  日本光学会(応用物理学会)光学 35巻、5号
  
  ページ: 265-267
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Extremely weak surface emission from (0001) c-plane AlGaN multiple quantum well structure in deep-ultraviolet spectral region2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Eiichiro Niikura, Mao Yamamoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 89・8
  
  ページ: 81121-81121
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Experimental energy difference between heavy-or light-hole valence band and crystal-field split-off-hole valence band in AlxGaN1-xN2006
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Eiichiro Niikura, Mao Yamamoto, Shoichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 89,25
  
  ページ: 251107-251107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] 紫外AlGaN多重量子井戸型半導体レーザ光の光学的異方特性2006
- 著者名/発表者名
  川西, 瀬沼, 貫井
- 雑誌名
  
  光学(Japanese J.Optics) 35・5(掲載予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Relationship between Excess Ga and Residual Oxides in Amorphous GaN Films Deposited by Compound Source Molecular Beam Epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  N.Obinata, K.Sugimoto, K.Ijima, M.Ishibashi, S.Egawa, T.Honda, H.Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan.J.Appl.Phys. 44・12
  
  ページ: 8432-8434
- NAID
  10016958670
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] 光励起によるAlGaN多重量子井戸型深紫外レーザーの発振特性-発振波長域240~ 360nm2005
- 著者名/発表者名
  川西英雄、高野隆好、瀬沼正憲、貫井猛晶
- 雑誌名
  
  応用物理第74巻第11号
  
  ページ: 1462-1462
- NAID
  10016763487
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] 光励起によるAlGaN多重量子井戸型深紫外レーザの発振特性-発振波長240〜360nm-2005
- 著者名/発表者名
  川西, 高野, 瀬沼, 貫井
- 雑誌名
  
  応用物理 74・11
  
  ページ: 1458-1462
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Structure and Properties of Deep-UV AIGaN MQW Laser
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Proceedings of Inow2008 (発行中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Structure and Properties of Deep-UV AlGaN MQW Laser
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Proceedings of iNOW2008 発行中
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Structure and Properties of Deep-UV AlGaN MQW Laser
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Proceedings of i-NOW2008 (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Invesigation on Conductivity at the Gan/AIN/SiC Subsrate interface for Vertical Nitraide Power FETs
- 著者名/発表者名
  Yuu Wakamiya*, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (to be published)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[産業財産権] 窒化物半導体結晶の成長法、成長装置、および、プログラム2009
- 発明者名
  橋本英喜、堀内明彦、川西英雄
- 権利者名
  本田技研工業、川西英雄
- 取得年月日
  2009-04-23
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[産業財産権] 窒化物半導体結晶の成長法、成長装置、および、プログラム2009
- 発明者名
  橋本英喜、堀内明彦、川西英雄
- 権利者名
  本田技研工業、川西英雄
- 出願年月日
  2009-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[産業財産権] 窒化物半導体結晶の成長法、成長装置、および、プログラム2005
- 発明者名
  橋本英喜、堀内明彦、川西英雄
- 権利者名
  本田技研工業、川西英雄
- 出願年月日
  2005-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[産業財産権] 窒化物半導体結晶の成長2005
- 発明者名
  橋本英喜, 堀内明彦, 川西英雄
- 権利者名
  本田技研工業, 川西英雄
- 出願年月日
  2005-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[産業財産権] Growth of Nitrade Semiconductor Crystals2004
- 発明者名
  H. Hashimoto, A. Horiuchi, H. Kawanishi
- 権利者名
  HONDA MOTOR CO.LTD, H. Kawanishi
- 出願年月日
  2004-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[産業財産権] Growth of Nitrade Semiconductor Crystals
- 発明者名
  H. Hashimoto, A. Horiuchi, H. Kawanishi
- 権利者名
  HONDA MOTOR CO.LTD, H. Kawanishi
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Achievement of high hole-density by carbone-doped (0001) plane AlGaN epitaxial layerfor optical device applications2011
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tatsuya Tomizawa
- 学会等名
  2011 German-Japanese-Spain Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic material and Devices
- 発表場所
  Granada, Spain.
- 年月日
  2011-05-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Carbon-doped high hole-density (0001)plane AlGaN epitaxial layer grown by LP Metal-Organic Vapor Phase pitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tatsuya Tomizawa
- 学会等名
  APWS-2011
- 発表場所
  Toba, Japan.
- 年月日
  2011-05-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Achievement of High ole-Density by Carbon-Doped (0001) Plane AlGaN Epitaxial Layer for Optical Device Applications2011
- 著者名/発表者名
  H.Kawanishi, T.Tomizawa
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonics and Electronic Material and Devices
- 発表場所
  Spain、Granada
- 年月日
  2011-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Carbon-doped p-type (0001)plane AlGaN (Al=0.06 to 0.50) with high hole density2011
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tatsuya Tomizawa
- 学会等名
  WOCSDTCE-2011
- 発表場所
  Catania, Italia
- 年月日
  2011-05-31
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Acceptor Energy Level of Carbon in p-type AlGaN2011
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tatsuya Tomizawa
- 学会等名
  APWS-2011
- 発表場所
  Toba, Japan.
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 学会等名
  第115回微小光学研究会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 学会等名
  第115回微小光学研究会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Electroconductive control of AlGaN crystal growth on (0001) Al_2O_3 substrate2009
- 著者名/発表者名
  T.Takeda, T.Nakadate, H.Anzai, H.Kawanishi
- 学会等名
  ICNS-8
- 発表場所
  韓国・済州島
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Epitaxial Growth of High Quality AlN on SiC or Al_2O_3 Substrate by Alternate Source-Feeding Low Pressure Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Takeda, H.Kawanishi, H.Anzai, T.Nakadate
- 学会等名
  APWS2009
- 発表場所
  中国・長家界
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Lasing characteristics of deep-UV and UV AlGaN MQW lasers operating from 230nm to 356nm spectr al region2009
- 著者名/発表者名
  H.Kawanishi
- 学会等名
  WOCSDICE 2009
- 発表場所
  Spain Maraga
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] 高温AlNあるいは低温AlNによるAlGaNエピタキシャル層の結晶品質の差違(一般講演)2009
- 著者名/発表者名
  武田, 中館, 川西
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] 高温AlNあるいは低温AlNによるAlGaNエピタキシャル層の結晶品質の差違(一般講演)2009
- 著者名/発表者名
  武田、中館、川西
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Lasing characteristics of deep-UV and UV AlGaN MQW lasers operating from 230nm to 356nm spectral region2009
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 学会等名
  APWS2009
- 発表場所
  中国・長家界
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] 交互供給エピタキシャル成長法と深紫外AlGaN多重量子井戸半導体レーザの真性光学異方特性(シンポジウム)2009
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Epitaxial Growth of High Quality AlN on SiC or Al_2O_3 Substrate by Alternate Source-Feeding Low Pressure Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Takeda, H.Kawanishi, H.Anzai, T.Nakadate
- 学会等名
  APWS2009
- 発表場所
  中国・長家界
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Lasing characteristics of deep-UV and UV AlGaN MQW lasers operating from 230nm to 356nm spectral region2009
- 著者名/発表者名
  H.Kawanishi
- 学会等名
  APWS2009
- 発表場所
  中国・長家界
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] 交互供給エピタキシャル成長法と深紫外AlGaN多重量子井戸半導体レーザの真性光学異方特性(シンポジウム)2009
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Electroconductive control of AlGaN crystal growth on(0001)Al_2O_3 substrate2009
- 著者名/発表者名
  T.Takeda, T.Nakadate, H.Anzai, H.Kawanishi
- 学会等名
  ICNS-8
- 発表場所
  韓国・済州島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Lasing characteristics of deep-UV and UV AlGaN MQW lasers operating from 230nm to 356nm spectral region2009
- 著者名/発表者名
  川西英雄
- 学会等名
  WOCSDICE 2009
- 発表場所
  Spain Maraga
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Crystal Quality Control of AIN Template Grown on SiC Substrate using (AlN/GaN)Multi-Buffer Layer and Alternate Source-Feeding MO-VPE2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  2nd ISGN-2008
- 発表場所
  静岡、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] AlN テンプレートの高品質化2008
- 著者名/発表者名
  武田、蔦川、安斉、川西
- 学会等名
  2008年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Crystal quality control of AlN template grown on SiC substrate using (AlN/GaN) multi-buffer layer and alternate source-Feeding Mo-VPE2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tomohito Takeda, Yusuke Tsutagawa, Fumio Hasegawa
- 学会等名
  2^<nd> International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2), Mo-49
- 発表場所
  Shuzenji, Shizuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Experimental weak surface emission from (0001) c-lane AIGaN multiple quantum well structure in deep-ultaraviolet spectral region2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi,
- 学会等名
  Worksshops on Frontier Optoelectronic Materialsand Devices
- 発表場所
  Hakone,Kanagawa,Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Extremely Small Edge Dislocation Density of AIN Template Grown on 4H-SiC Substrate by ASFE-MOVPE with (AlN/GaN) MBL Structure2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  IC-MOVPE 2008
- 発表場所
  フランス、Metz
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] High Quality AIN Epitaxial Layer Grown on Sic or A12O3Substrate by Alternate Source-Feeding Low Pressure Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  IWN-2008
- 発表場所
  スイス、モントルー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Experimental weak surface emission from (0001) c-lane AlGaN multiple quantum well structure in deep-ultaraviolet spectral region2008
- 著者名/発表者名
  Hideo, Kawanishi,
- 学会等名
  Worksshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  Hakone, Kanagawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Extremely Small Edge Dislocation Density of AlN Template Grown on 4H-SiC Substrate by ASFE-MOVPE with (AlN/GaN) MBL Structure2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  IC-MOVPE2008
- 発表場所
  フランス、Metz
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] High Quality A1N Epitaxial Layer Grown on SiC or Al_2O_3 Substrate by Alternate Source-Feeding Low Pressure Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  IWN-2008
- 発表場所
  スイス、モントルー
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Structure and Properties of Deep-UV AIGaN MQW Laser2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  iNOW2008
- 発表場所
  山梨河口湖
- 年月日
  2008-08-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Crystal Quality Control of AIN Template Grown on SiC Substrate using (AIN/GaN) Multi-Buffer Layer and Alternate Source-Feeding MO-VPE2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  2nd ISGN-2008
- 発表場所
  静岡、修善寺
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Structure and Properties of Deep-UV AlGaN MQW Laser2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  iNOW2008
- 発表場所
  山梨河口湖
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Crystal quality control of AlN template grown on SiC substrate using (AlN/GaN) multi-buffer layer and alternate source-Feeding Mo-VPE2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tomohito Takeda, Yusuke Tsutagawa, Fumio Hasegawa
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
- 発表場所
  Shuzenji, Shizuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Experimental weak surface emission from (0001) c-lane AlGaN multiple quantum well structure in deep-ultaraviolet spectral region2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices, T7
- 発表場所
  Hakone, Kanagawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Extremely Small Edge Dislocation Density of AlN Template Grown on 4H-SiC Substrate by ASFE-MOVPE with (AlN/GaN) MBL Structure2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tomohito Takeda, Yusuke Tsutagawa
- 学会等名
  14th Inernational Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Extremely Small Edge Dislocation Density of A1N Template Grown on 4H?SiC Substrate by ASFE?MOVPE with (A1N/GaN) MBL Structure2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi
- 学会等名
  IC-MOVPE 2008
- 発表場所
  フランス、Metz
- 年月日
  2008-06-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] 7th International Conference of Nitride semiconductors, MP322007
- 著者名/発表者名
  Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Shoichiro Takeda, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride semiconductors
- 発表場所
  MP32, MGM Grand Hotel, Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Reduction of Threading Dislocations in AlGan/AIN/SiC Epitxial Layers by Tensile Strain in a-Axis Induced with the (AIN/GaN) Multi-Buffer-Layer2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride semiconductors
- 発表場所
  MP29, MGM Grand Hotel, Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Dislocation Reduction in AIN Template grown on SiC by Tensile Strain induced by (AIN/GaN) Multi-Buffer-Layer2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 学会等名
  The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  PO-9, Jeoniju Core Riviera hotel, Jeonju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Anisotropic Polarization of Deep-UV Lasing and Spontaneous Surface and Edge Emissions from c- and m-plane AlGaN2007
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Eiichiro Niikura, Masanori Senuma, Shoichiro Takeda
- 学会等名
  The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  MO1-4, Jeonju Core Riviera Hotel, Jeonju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Reduction of Point Defects in N-AlGaN by an Altenate Source Feeding Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Kenichi Isono, Eiichiro Niikura, Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 学会等名
  he 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  PO-13, Jeoniju Core Riviera hotel, Jeonju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] M-mode lasing and anisotropic polarization property of AIGaN multiple quantum well lasers in deep-ultraviolet spectral region2007
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Masanori Senuma, Takeaki Nukui
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  San Jose, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005

1. 本田徹 (20251671)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 1件
2. 長谷川文夫 (70143170)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 22件
3. 坂口孝浩 (70215622)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 坂本哲夫 (20313067)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 吉江治 (50090577)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 中沢叡一郎 (60227767)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

川西 英雄 KAWANISHI Hideo

研究課題

研究成果

共同研究者

高品質AlGaN結晶の成長と紫外・深紫外発光デバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

205～250nm帯深紫外半導体レーザの研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

青・紫外域発光素子用BAlGaInN/GaN系多層膜と量子井戸の形成とデバイス化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

青・紫外域発光素子用BAlGaN系多層膜と量子井戸の形成とデバイス化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

200nm355nmの深紫外波長域BAlGaN/AlN高効率発光デバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極限環境に適合する光・電子集積回路の基礎検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

紫外線半導体レーザの開発基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] AlGaN系深紫外半導体レーザの現状と課題2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Investigation on Conductivity at the Gan/ATN/SiC Subsrate interface for Vertical Nitraide Power FETs2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Investigation on Conductivity at the Gan/AIN/SiC Subsrate interface for Vertical2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Structure and properties of Deep-UV ATGaN MQW laser2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Improvement of Crystal Quality of n-AlGaN by Alternate-Source-Feeding Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2007

著者名/発表者名

川西英雄 KAWANISHI Hideo