下妻光夫 SHIMOZUMA Mitsuo

研究者番号	70041960
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2003年度 – 2004年度: 北海道大学, 医学部, 教授 1998年度 – 2001年度: 北海道大学, 医療技術短期大学部, 教授 1987年度 – 1995年度: 北海道大学, 医療技術短期大学部, 助教授 1994年度: 北海道大学医療技術短期大学部, 助教授 1992年度: 北海道大学, 医療短期大学部, 助教授 … もっと見る 1986年度: 北海道大学, 医療技術短期大学部, 助手 1986年度: 北海道大学, 大学併設短期大学部, 助手 1986年度: 北海道大学, 工学部, 助手 1985年度: 北海道大学, 短大, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電力工学 / 電力工学・電気機器工学 / 電子材料工学 / 材料加工・処理 / 電子・電気材料工学 / 応用物理学一般
キーワード	研究代表者プラズマCVD / 低周波プラズマ / 薄膜堆積 / ドライプロセス / Plasma CVD / TiN / GaAs / プラズマ制御 / 窒化シリコン / 反応性プラズマ … もっと見る / MOVPE / CCD / SiC / TiO_2 / プラズマCVD法 / プラズマプロセス / 拡散バリア材 / 薄膜生成 / 表面保護膜 / Device surface passivation / Interiayer insulation / Thin film deposition / Low temterature process / Low frequency(50Hz) / Silicon nitride / 最終保護膜 / 層間絶縁膜 / シラン窒素混合ガス / 低温プロセス / 絶縁薄膜 / 室温プロセス / シリコン窒化膜 / デポジション / 低周波 / selective doping / heterojunction / MBE / 有機金属気相成長 / 電荷結合素子 / 選択ドープ / ヘテロ接合 / Plasma Processing / Thin Film Radiation Detector / Alumina Structure / Ceramics Structure / Small size Radiation Detector / 生体適用放射線センサー / 紫外線センサー / TiO_2膜 / TiO_2薄膜 / 薄膜センサー / 放射線センサー / 薄膜放射線センサー / アルミナ構造 / セラミクス構造 / 微小放射線センサー / integrated circuit material / thin film low temperature deposition / diffusion barrier material / low frequency plasnra CVD / low frequency plasma / thin film deposition / plasma CVD / 薄膜低温形成 / 集積回路材 / 薄膜低温生成 / 低周波プラズマCVD / Passivation film / H_2+CH_4 mixture / Diamond thin film / Chemical vapor deposition / Low temperature process / Low frequency plasma / Amorphous carbon / アモルファスカ-ボン薄膜 / SiH_4+N_2混合ガス / プラズマ解離 / 13.56MHzRFプラズマCVD法 / RFプラズマCVD法 / 半導体低温プロセス / ダイヤモンド薄膜 / アモルファスカ-ボン膜 / CH_4+H_2混合ガス / 低周波プラズマCVD法 / アモルファスカーボン薄膜 / ドライプロセス技術 / ICTS / C-V特性 / 陽極酸化法 / 局在準位 / 界面準位 / MIS構造 / 非晶質シリコン / 微細加工 / 集積回路 / 集積回路ドライプロセス / SiH_4 / SiOx膜 / ポリマー / 代替ガラス / 表面硬質 / 非加熱薄膜堆積 / 50HzプラズマCVD / SiH_4+N_2O / シリコン酸化膜 / アモルファスカ-ボン / アラモルファスカ-ボン … もっと見る研究代表者以外プラズマCVD / ベーパーミスト誘電体 / MBE / MOVPE / GIS / FTIR / TEOS / Gas Insulation / 混合ガス / SF_6 / 交流破壊電圧 / 絶縁破壊 / ファインパウダ / fine particle measurement / dielectric liquids / dielectric strength / vapor-mist dielectric / 微粒径計測 / パルス波高分布分析 / 微粒子計測 / 誘電液体 / 電気絶縁耐力 / Traveling-wave amplification / Microwave device / Superlattice / Compound semiconductor / MOCVD / 進行波増幅 / マイクロ波素子 / 超格子構造 / 化合物半導体 / <SF_6> / Synergism / Gas Insulated Cubicle / Vapor-Mist Dielectrics / Gas Mixtures / 電子付着係数 / 実効電離係数 / 絶縁破壊特性 / c-GIS / フロロカーボン / 【SF_6】 / 相乗効果 / ガス絶縁キュービクル / ガス絶縁 / solid-state detectors / triode electrode / polymer structure / ceramics structure / TiO_2film / plasma CVD / radiation induced surface activation / electron collision cross section / radiation particle code / 放射線照射効果 / 界面相互作用 / モンテカルロシミュレーション / 固体放射線検出器 / トライオード電極 / ポリマー構造 / セラミクス構造 / TiO_2膜 / 放射線誘起表面活性 / 電子衝突断面積 / 放射線粒子コード / SiC Films / Thin Film Deposition / Plasma Reactor / Organic Silane / Mass Spectrometry / Optical Emission Spectroscopy / Plasma / RF プラズマ / SiC膜 / RFプラズマ / 薄膜堆積 / プラズマリアクタ / 有機シリコン / FT-IR / 質量分析 / 発光分光 / 高密度プラズマ / Unequilibrium plasma / Integrated circuit process / Low temperature process / Thin film deposition / Low frequency plasma / Silicon oxide film / Plasma (CVD) / 表面保護膜 / 層間絶縁膜 / ドライプロセス / TEOS+O_2 / 50HzプラズマCVD法 / 非平衡プラズマ / 集積回路ドライプロセス / 低温プロセス / 薄膜生成 / 低周波プラズマ / シリコン酸化膜 / Fine Powder Dielectrics / Uniform Electric Field / AC Breakdown Voltage / Electrical Insulation / Gaseous Dielectrics / Vapor-mist Dielectrics / 衝突電離 / モンテカルロ法 / 計算機シミュレーション / 液体誘電体 / 気体誘電体 / ガス絶縁材料 / 平等電界 / 絶縁ガス / ファインパウダー / 絶縁材料 / Si_3N_4 / SiO_2 / 雷インパルス / 50Hz交流 / フロン / 高電圧絶縁 / 地球環境問題 / ベーパーミスト絶縁 / ベ-パ-ミスト絶縁 / 微粉体絶縁 / インパルス破壊電圧 / 電気的絶縁破壊 / 破壊電圧 / 散布 / ファン / 粒径 / Si_3N_4パウダ / SiO_2パウダ隠す

プラズマCVD法によるTiO_2膜を使った微小放射線センサーの試作に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
医療用放射性同位元素のプラズマ化による定着と動態解析
- 研究代表者
  
  伊達広行
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  北海道大学
高密度VHFプラズマによる薄膜堆積と質量分析、発光時空分光、赤外分光、同時診断
- 研究代表者
  
  伊藤秀範
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  室蘭工業大学
低周波プラズマCVDによる集積回路配線の拡張バリア材としてのTiN膜低温形成研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
地球環境問題を考慮した高電圧電力機器絶縁に関する基礎的研究
- 研究代表者
  
  田頭博昭
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  北海道大学
プラズマCVD法による微細トレンチ内壁へのTiN膜低温形成基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
50HzプラズマCVDによるSiOx膜のGaAs表面保護膜低温形成基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
高電圧電力機器絶縁に関する基礎的研究
- 研究代表者
  
  田頭博昭
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  北海道大学
微粉体誘電体による気体(SF_6、空気)の絶縁耐力上昇機構に関する研究
- 研究代表者
  
  田頭博昭
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学
- 研究機関
  北海道大学
低周波プラズマCVD法によるポリマー上へのSi0x膜低温堆積に関する基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北海道大学
低周波プラズマCVD(TEOS+O_2)によるシリコン酸化膜の低温形成プロセス開発研究代表者
- 研究代表者
  
  伊達広行, 下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  北海道大学
低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
低周波50HzプラズマCVD法によるカ-ボン薄膜の低温形成プロセスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北海道大学
低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
べーパーミストによる気体誘電体の絶縁耐力上昇機構に関する研究
- 研究代表者
  
  田頭博昭
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電力工学
- 研究機関
  北海道大学
低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
ベーパーミスト誘電体による電力機器絶縁に関する基礎的研究
- 研究代表者
  
  田頭博昭
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電力工学
- 研究機関
  北海道大学
低周波プラズマCVDによるシリコン窒化膜の室温形成プロセスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北海道大学
電気化学的プロセスによる非晶質シリコン太陽電池の高性能化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1985
- 研究種目
  
  エネルギー特別研究(エネルギー)
- 研究機関
  北海道大学
SF6-フロロカーボン混合ガス絶縁キュービクル(C-GIS)の絶縁条件の研究
- 研究代表者
  
  田頭博昭
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電力工学
- 研究機関
  北海道大学
化合物半導体超格子構造を用いた進行波増幅素子の試作に関する研究
- 研究代表者
  
  深井一郎
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北海道大学
選択ドープヘテロ接合を用いた超高速CCDの試作研究代表者
- 研究代表者
  
  下妻光夫, 大野英男
- 研究期間 (年度)
  1984 – 1985
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北海道大学

すべて 2004 2003

すべて雑誌論文産業財産権

[雑誌論文] Development of TiO_2/Ceramics Radiation Detectors by Plasma CVD.2004
- 著者名/発表者名
  Shimozuma M, Yoshino M, Date H, Satoh K, Itoh H.
- 雑誌名
  
  The 2l^<st> Symposium on Plasma Processing. P1-32
  
  ページ: 134-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560614
[雑誌論文] プラズマCVDによる薄膜/セラミクス構造を持つ小型放射線検出器の試作2004
- 著者名/発表者名
  下妻光夫
- 雑誌名
  
  日本放射線安全管理学会第3回学術大会講演集 3
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560267
[雑誌論文] Development of TiO_2/Ceramics Radiation Detectors by Plasma CVD2004
- 著者名/発表者名
  Shimozuma M.
- 雑誌名
  
  Proceedings of 51^<st> JSAP Spring Meeting 51
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560267
[雑誌論文] Monte Carlo Simulation for Designing Radiation Detectors Using Radiation Induced Surface Activation.2004
- 著者名/発表者名
  Date H, Tomozawa H, Takamasa T, Okamoto K, Shimozuma M.
- 雑誌名
  
  11^<th> International Congress of the International Radiaton Protection Association (IRPA11), Madrid, 3g3 ID : 339
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560614
[雑誌論文] Development of Thin Film/ Insulator Radiation Detectors by Plasma CVD2004
- 著者名/発表者名
  Shimozuma M.
- 雑誌名
  
  Proceedings of 3rd JRSM Meeting 3
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560267
[雑誌論文] Development of TiO_2/Ceramics Radiation Detectors by Plasma CVD2004
- 著者名/発表者名
  Shimozuma M
- 雑誌名
  
  The 21^<th> Symposium on Plasma Processing 21
  
  ページ: 134-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560267
[雑誌論文] プラズマCVD法による薄膜/セラミクス構造の放射線センサーの開発2004
- 著者名/発表者名
  下妻光夫
- 雑誌名
  
  第51回応用物理学関係連合講演集 51
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560267
[雑誌論文] プラズマCVD法による薄膜/セラミクス構造の放射線センサーの開発2004
- 著者名/発表者名
  下妻光夫他
- 雑誌名
  
  第51回応用物理学関係連合講演会 28p-S-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560614
[雑誌論文] Development of TiO_2/Ceramics Radiation Detectors by Plasma CVD.2004
- 著者名/発表者名
  Shimozuma M et al.
- 雑誌名
  
  The 21^<st> Symposium on Plasma Processing P1-32
  
  ページ: 134-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560614
[雑誌論文] Development of TiO_2/Ceramics Radiation Detectors by Plasma CVD2004
- 著者名/発表者名
  Shimozuma M.
- 雑誌名
  
  Proceedings of 21^<st> Symposium on Plasma Processing 21
  
  ページ: 134-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560267
[雑誌論文] Electron collision processes in gaseous xenon.2003
- 著者名/発表者名
  H.Date, Y.Ishimaru, M.Shimozuma
- 雑誌名
  
  Nucl.Instr.& Meth.in Phys.Res.B 207
  
  ページ: 373-380
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560614
[雑誌論文] Deposition of TiO_2 Films by Triode Plasma CVD Method Using TiCl_4+O_2.2003
- 著者名/発表者名
  M.Shimozuma, M.Yoshino, H.Date, K.Satoh, H.Itoh
- 雑誌名
  
  The 20^<th> Symposium on Plasma Processing. P2-27
  
  ページ: 279-280
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560614
[雑誌論文] Deposition of TiO_2 Films by Triode Plasma CVD Method Using TiCl_4+O_2.2003
- 著者名/発表者名
  M.Shimozuma et al.
- 雑誌名
  
  The 20^<th> Symposium on Plasma Processing P2-27
  
  ページ: 279-280
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560614
[産業財産権] 放射線の線量測定素子およびこれを用いた放射線の線量測定装置2004
- 発明者名
  伊達広行, 下妻光夫
- 権利者名
  伊達広行, 下妻光夫
- 出願年月日
  2004-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560267
[産業財産権] 放射線の線量測定素子およびこれを用いた放射線の線量測定装置2004
- 発明者名
  伊達広行, 下妻光夫
- 権利者名
  伊達広行, 下妻光夫
- 出願年月日
  2004-05-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560267

1. 田頭博昭 (10001174)

共同の研究課題数: 13件

共同の研究成果数: 0件
2. 伊達広行 (10197600)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 4件
3. 大野英男 (00152215)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
4. 酒井洋輔 (20002199)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
5. 大森義行

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
6. 金子良松 (90001271)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
7. 本間利久 (00091497)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
8. 菅原広剛 (90241356)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
9. 佐藤孝 (90048025)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 佐藤信安 (20001290)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 伊藤秀範 (70136282)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 佐藤孝紀 (50235339)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 深井一郎 (70001740)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 長谷川英機 (60001781)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 飯塚浩一 (30193147)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. ピーターヴェンツェック (80261329)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 山本徹 (80261361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 沢田孝幸 (40113568)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 中神芳武

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

下妻 光夫 SHIMOZUMA Mitsuo

研究課題

研究成果

共同研究者

プラズマCVD法によるTiO_2膜を使った微小放射線センサーの試作に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低周波プラズマCVDによる集積回路配線の拡張バリア材としてのTiN膜低温形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

プラズマCVD法による微細トレンチ内壁へのTiN膜低温形成基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

50HzプラズマCVDによるSiOx膜のGaAs表面保護膜低温形成基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低周波プラズマCVD法によるポリマー上へのSi0x膜低温堆積に関する基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低周波プラズマCVD(TEOS+O_2)によるシリコン酸化膜の低温形成プロセス開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

低周波50HzプラズマCVD法によるカ-ボン薄膜の低温形成プロセスの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

下妻光夫 SHIMOZUMA Mitsuo