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中西 久幸  HISAYUKI Nakanishi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70084473
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1994年度: 東京理科大学, 理工学部, 教授
1992年度: 東京理科大学, 理工学部, 教授
1991年度: 東京理科大学, 理工学部, 助教授
1990年度: 東京理科大学, 工学部, 助教授
1987年度 – 1989年度: 東京理科大学, 理工学部, 助教授
1987年度: 東京理科大学, 工学部, 助教授
1986年度: 東京理科大学, 理工学部, 講師
審査区分/研究分野
研究代表者以外
応用物性 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者以外
緑色発光 / ヘテロ接合 / 積層構造 / 格子欠陥 / エピタキシャル成長 / Hall移動度 / 結晶成長と評価 / 太陽電池 / 積層物質 / 格子欠陥制御 … もっと見る / I-III-VI_2族化合物半導体 / light emitting device / laminate material / emission center / crystallographic properties / green emission / quaternary layerd compound / 積層欠陥 / 密度 / 状態図 / 新物質 / 赤色発光 / 緑色発光機構 / 積層性 / 混合粉末の熱処理 / 急冷試料 / ロボット用力計測センサ / 発光素子 / 発光センター / 結晶学的性質 / 四元層状化合物 / Energy Conversion Devices / Mixed Crystal Semiconductors / Ternary Chalcopyrite Type Compounds / 材料設計法 / エネルギー変換素子材 / 混晶 / 材料設計 / エネルギー変換素子 / 混晶半導体 / 三元カルコパイライト型化合物 / フォトルミネッセンス / 光吸収端 / カルコパイライト形化合物 / 直接溶融法 / 溶液成長法 / エネルギーギャップ / 結晶成長法 / I-III-VI_2族 / 4元化合物 / Cd_<1-x>Zn_xS系 / CdS / CdInGaS_4 / 層状化合物半導体 / 相転移 / I-III-VI_2族半導体 / ラマン散乱 / IーIIIーVI_z族半導体 / 半導体一金属遷移 / IーIIIーVI_2族半導体 / カルコパイライト構造 / 青色発光ダイオ-ド / 自然超格子 / 強い緑色発光 / フォトルミネッセンススペクトル / 吸収端のすそ 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  積層構造における緑色発光とその応用に関する研究

    • 研究代表者
      入江 泰三
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  I-III-VI_2族半導体における格子欠陥の評価と制御に関する研究

    • 研究代表者
      入江 泰三
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  IーIIIーVI_z族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究

    • 研究代表者
      入江 泰三
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  IーIIIーVI_2族半導体における格子欠陥の評価と制御に関する研究

    • 研究代表者
      入江 泰三
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究

    • 研究代表者
      入江 泰三
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究

    • 研究代表者
      入江 泰三
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究

    • 研究代表者
      入江 泰三
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  四元層状化合物半導体cdx In Ga S'_<3+X>(X=1,2,…)の物性と応用に関する研究

    • 研究代表者
      入江 泰三
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  三元系カルコパイライト型化合物によるエネルギー変換素子用材料開発の基礎研究

    • 研究代表者
      遠藤 三郎
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京理科大学
  • 1.  入江 泰三 (40084363)
    共同の研究課題数: 9件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  遠藤 三郎 (90084392)
    共同の研究課題数: 9件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  野田 泰稔 (10005407)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  渡辺 恒夫 (70110947)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  福田 敏男 (70156785)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  青木 昌治 (80010619)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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