三宅秀人 Miyake Hideto

研究者番号	70209881
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-1054-666X
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 三重大学, 工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2025年度: 三重大学, 工学研究科, 教授 2015年度 – 2023年度: 三重大学, 地域イノベーション学研究科, 教授 2014年度: 三重大学, 大学院工学研究科, 准教授 2013年度 – 2014年度: 三重大学, 工学研究科, 准教授 2012年度 – 2014年度: 三重大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 … もっと見る 2007年度 – 2012年度: 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2007年度: 三重大学, 大学工研究科, 准教授 2006年度: 三重大学, 大学院工学研究科, 助教授 2006年度: 三重大学, 大学院工学碗究科, 助教授 1997年度 – 2005年度: 三重大学, 工学部, 助教授 2001年度: 三重大学, 工学部・電気電子工学科, 助教授 1993年度 – 1995年度: 三重大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 理工系研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 結晶工学 / 理工系 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 … もっと見る / 小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 工学 / 理工系 / 理工系 / 電子・電気材料工学隠す
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / AlGaN / AlN / 深紫外LED / MOVPE / GaN / 貫通転位 / AIN / 窒化アルミニウム / 非極性面 … もっと見る / アニール / 高温アニール / ファセット / 選択成長 / 選択横方向成長 / 原子間力顕微鏡 / エピタキシャル成長 / カルコパイライト型半導体 / far-UVC / 結晶工学 / LED / AｌNテンプレート / AlNテンプレート / フェムト秒レーザー / 分子線エピタキシー / ヘテロ成長 / ヘテロ接合 / Face-to-Face / MOVPE法 / 熱処理 / ＡｌＧａＮ / 界面制御 / DUV-LED / スパッタ法 / 光誘起加工 / MBE / ナノ構造 / 高速トランジスタ / In-site / selective area growth / metal-organic vapor phase epitaxy / Nitride Semiconductor / TEM観察 / その場観察 / 深紫外光源 / 多重量子井戸 / 組成変調 / 紫外光源 / 電子線励起 / ELO / 横方向成長 / 触媒作用 / ハイドライド気相エピタキシャル成長 / 紫外線発光 / ファセット制御 / EPD法 / エッチピット / 加工基板 / HVPE / ハイドライド気相成長法 / CuGaS_2 / THM法 / X線回折空間マッピング / ハロゲン輸送法 / ヨウ素輸送法 / I-III-VI_2族半導体 / 単結晶成長 / 太陽電池 / ニセレン化銅インジウム / 溶液成長 / 移動ヒ-タ法 … もっと見る研究代表者以外窒化物半導体 / GaN / 選択成長 / 窒化アルミニウム / 窒化ガリウム / AlN / 半導体物性 / 結晶工学 / AlGaN / 量子井戸 / MOVPE / エピタキシャル成長 / フォノン制御 / 励起子工学 / 励起子 / 先端機能デバイス / 格子欠陥 / 電子・電気材料 / 特異構造 / 光物性 / 回折格子 / AgGaS_2 / selective area growth / 金属 / 表面プラズモン / 結晶成長 / 紫外線発光素子 / 非極性 / 光取り出し効率 / 電子線リソグラフィ / 回折レンズ / 配光制御 / フォトニック結晶 / ナノ構造 / 発光ダイオード / 反射光モニタリング / HVPE / a面 / 転位密度 / 紫外線発光 / 電子線励起 / ヨウ素輸送法 / 二硫化銅ガリウム / カルコパイライト型半導体 / 深紫外レーザダイオード / 光学利得 / レーザ分光 / 極性制御 / CMOS / ワイドギャップ半導体 / 極性反転 / 2次元正孔ガス / 2次元電子ガス / ラマン分光 / 縦光学フォノン制御 / 電子散乱 / 発光効率 / エネルギー局在 / 深い準位 / PXRモデル / フォノン系量子干渉 / 局所フォノン場 / 励起子輻射 / フォノン輸送制御 / THz波 / 励起子ダイナミクス / 表面マイクロ構造 / ２波長ラマン分光 / フォノン輸送 / 縦光学モード / THz輻射 / 顕微ラマン分光 / 励起子ダイダイナミクス / フォノン / 局在 / 量子閉じ込め効果 / 2光子共鳴 / 誘導放出 / 非局在化 / 高温物性 / 非弾性散乱 / 低次元化 / 局在化 / 混晶半導体 / 励起子分子 / 応用光学・量子光工学 / プラズモン誘導光透過 / 極性 / プラズモン誘導透過現象 / 紫外線発光デバイス / AlGaN epitaxial growth / reactive ion etching / electron beam lithography / gratings / ultraviolet light / nano antenna / photonic crystals / III-nitride semiconductors / 電子ビームリソグラフィ / 自然形成 / 電子ビームリソグタフィ / 反射防止構造 / AlGaNエピタキシャル成長 / 反応性イオンエッチング / 紫外線 / ナノアンテナ / phosphor / photoluminescence / Rane-earth impurity / フォルトミネッセンス / 蛍光体 / 螢光体 / フォトルミネッセンス / 希土類不純物 / dry etching / AIN super lattice / epitaxial lateral overgrowth / electronic emitter / metalorganic vapor phase epitaxy / pyramid structure / gallium nitride / 有機金属気相成長法 / GaN超格子 / ドライエッチング / AlN超格子 / 横方向成長 / 電子エミッター / 有機金属帰気相成長法 / ピラミッド構造 / air-bridge structure / metal mask buried structure / Schottky junction / tungsten nitride / tungsten / 橋脚構造 / 金属埋込み構造 / ショットキー電極 / 窒化タングステン / タングステン / etching solution / THM / iodine transport method / CuGaS_2 / CuAlS_2 / epitaxial growth / I-III-VI_2 semiconductors / chalcopyrite compounds / CuAlSe_2 / X線回折空間マッピング / ハロゲン輸送法 / I-III-VI_2族半導体 / 回折空間マッピング / I‐III‐VI_2族半導体 / 鏡面エッチャント / THM法 / 二硫化銅アルミニウム / 1-III-VI_2族半導体 / 電子線励起電流 / 電子線励起深紫外レーザ / ソーラーブラインド紫外線検出器 / バルクAlN / ナノカーボン電極 / 分極半導体 / グラフェン / カーボンナノチューブ / 低加速電圧SEM / 分極電荷エンジニアリング / 電子線ホログラフィ / バルクAlN基板 / 深紫外発光素子 / ナノワイヤ / 深紫外 / 分極ドーピング / 熱処理 / ナノカーボン / 結晶成長その場観察 / 電気・電子材料 / センサー / ワイヤーグリッド偏光子 / 金属薄膜 / 化合物半導体 / 2層型ワイヤーグリッド偏光子 / 表面プラズモンセンサー / 深紫外領域 / AIN / カソードルミネッセンス / 導電性 / 選択横方向成長 / ナノボイド / 量子井戸構造 / ナノボイドエピタキシー / ファセット変調構造 / 歪み / 転位 / ファセット制御 / m面 / 渋紙 / A1GaN / InGaN / 光学フィルム / バルク単結晶 / LED照明 / 成長圧力 / a面AlGaN / a面GaN / 減圧MOVPE / 電子線照射 / 深紫外光源 / 無極性 / 反り / クラック / 貫通転位密度 / 相平衡 / 気相エピタキシャル成長隠す

AlGaN系深紫外半導体レーザの発振機構解明と励起子利得による超低しきい値化
- 研究代表者
  
  山田陽一
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  山口大学
窒化物半導体の非極性面成長における結晶学マップ作成と遠紫外LED応用研究代表者
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  三重大学
光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御
- 研究代表者
  
  石谷善博
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  千葉大学
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用研究代表者
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  三重大学
結晶のヘテロ極性制御を利用したGaN CMOSモノリシック集積回路化技術の開発
- 研究代表者
  
  林侑介
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2025
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
フォノン機能制御による窒化物半導体光素子の基盤科学技術開拓
- 研究代表者
  
  石谷善博
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  千葉大学
総括班
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
深紫外域混晶量子井戸構造における励起子分子の基礎物性解明とレーザ動作への応用
- 研究代表者
  
  山田陽一
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  山口大学
平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  三重大学
国際活動支援班
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2023
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
窒化物半導体におけるプラズモン誘導光透過現象と紫外発光デバイス光制御への応用
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  三重大学
深紫外領域における窒化物半導体上の局在表面プラズモン共鳴現象に関する研究
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  三重大学
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  名古屋大学
窒化物半導体のナノボイドエピタキシーと深紫外光の発光制御
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
窒化物半導体の変調エピタキシャル成長と深紫外発光制御研究代表者
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色LEDの開発
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
アンモニア触媒分解式ハイドライド気相成長法を用いた窒化アルミニウムの高速成長研究代表者
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
高Al組成AlGaNのエピタキシャル成長と欠陥制御技術
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  三重大学
ナノフォトニクス構造により配光制御した照明用発光ダイオードに関する研究
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
ファセット制御技術を用いたAlGaNのエピタキシャル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
III族窒化物系ナノアンテナ・フォトニック結晶を用いた紫外光制御
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
希土類添加窒化ガリウム及び二硫化銀ガリウムのルミネッセンスと素子応用に関する研究
- 研究代表者
  
  白方祥
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  愛媛大学
窒化物半導体の選択成長法による金属埋込みと結晶欠陥の低減
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
負性電子親和力・GaN/AlN超格子による次世代電子エミッターの開発
- 研究代表者
  
  平松和政
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  三重大学
カルコパイライト型半導体単結晶を基板に用いた同族半導体のエピタキシャル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
移動ヒ-タ法によるカルコパイライト型半導体混晶のバルク単結晶成長と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
Al系カルコパイライト型半導体の気相エピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  杉山耕一
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
カルコパイライト型半導体のヨウ素輸送法気相エピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  杉山耕一
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  三重大学

[図書] III-nitride semiconductors and their modern devices2013
- 著者名/発表者名
  Hideto Miyake
- 総ページ数
  619
- 出版者
  Oxford University Press
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[図書] 窒化物基板および講師整合基板の成長とデバイス特性2009
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、宮川鈴衣奈
- 出版者
  (株)シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[図書] 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性2009
- 著者名/発表者名
  三宅秀人,宮川鈴衣奈
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[図書] 窒化物基板および講師整合基板の成長とデバイス特性2009
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、宮川鈴衣奈, 他35名
- 出版者
  (株)シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[図書] 窒化物基板および講師整合基板の成長とデバイス特性2009
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、宮川鈴衣奈, 他35名
- 出版者
  (株)シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Micro-and Nanostructure Analysis of Vapor-Phase-Grown AlN on Face-to-Face Annealed Sputtered AlN/Nanopatterned Sapphire Substrate Templates2023
- 著者名/発表者名
  Nakanishi Yudai、Hayashi Yusuke、Hamachi Takeaki、Tohei Tetsuya、Nakajima Yoshikata、Xiao Shiyu、Shojiki Kanako、Miyake Hideto、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: - 号: 8 ページ: 5099-5108
- DOI
  10.1007/s11664-023-10348-3
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14612, KAKENHI-PROJECT-22KK0055, KAKENHI-PROJECT-21K04194, KAKENHI-PROJECT-23K23238
[雑誌論文] Centimeter-scale laser lift-off of an AlGaN UVB laser diode structure grown on nano-patterned AlN2022
- 著者名/発表者名
  Shojiki Kanako、Shimokawa Moe、Iwayama Sho、Omori Tomoya、Teramura Shohei、Yamaguchi Akihiro、Iwaya Motoaki、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 5 ページ: 051004-051004
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac6567
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14612, KAKENHI-PROJECT-23K23238
[雑誌論文] Thermal radiation resonating with longitudinal optical phonon from surface micro-stripe structures on metal-gallium nitride and sapphire2022
- 著者名/発表者名
  Lin Bojin、Aye Hnin Lai Lai、Imae Yuto、Hayashi Kotaro、Orito Haruki、Ma Bei、Kuboya Shigeyuki、Miyake Hideto、Ishitani Yoshihiro
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 147 ページ: 106726-106726
- DOI
  10.1016/j.mssp.2022.106726
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[雑誌論文] 263 nm wavelength UV-C LED on face-to-face annealed sputter-deposited AlN with low screw- and mixed-type dislocation densities2022
- 著者名/発表者名
  Kenjiro Uesugi, Shigeyuki Kuboya, Kanako Shojiki, Shiyu Xiao, Takao Nakamura, Masataka Kubo, Hideto Miyake
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 5 ページ: 055501-055501
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac66c2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903, KAKENHI-PROJECT-21K14545, KAKENHI-PROJECT-22K14612, KAKENHI-PROJECT-23K23238
[雑誌論文] Molecular beam homoepitaxy of N-polar AlN: Enabling role of aluminum-assisted surface cleaning2022
- 著者名/発表者名
  Zhang Zexuan、Hayashi Yusuke、Tohei Tetsuya、Sakai Akira、Protasenko Vladimir、Singhal Jashan、Miyake Hideto、Xing Huili Grace、Jena Debdeep、Cho YongJin
- 雑誌名
  
  Science Advances
  
  巻: 8 号: 36
- DOI
  10.1126/sciadv.abo6408
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[雑誌論文] High-quality AlN/sapphire templates prepared by thermal cycle annealing for high-performance ultraviolet light‐emitting diodes2021
- 著者名/発表者名
  D Wang, K Uesugi, S Xiao, K Norimatsu, H Miyake
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 3 ページ: 035505-035505
- DOI
  10.35848/1882-0786/abe522
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation2020
- 著者名/発表者名
  D. Uehara, M. Kikuchi, B. Ma, H. Miyake, Y. Ishitani
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 6 ページ: 061003-061003
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab8c1c
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06425
[雑誌論文] Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation2020
- 著者名/発表者名
  Daisuke Uehara, Moe Kikuchi, Bei Ma, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Undecided
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[雑誌論文] Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire2020
- 著者名/発表者名
  K. Sato, S. Yasue, K. Yamada, S. Tanaka, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura, Y. Ogino, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 3 ページ: 031004-031004
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab7711
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells2020
- 著者名/発表者名
  Bowen Sheng, Gordon Schmidt, Frank Bertram, Peter Veit, Yixin Wang, Tao Wang, Xin Rong, Zhaoying Chen, Ping Wang, Jurgen Blasing, Hideto Miyake, Hongwei Li, Shiping Guo, Zhixin Qin, Andre Strittmatter, Bo Shen, Jurgen Christen, Xinqiang Wang
- 雑誌名
  
  Photonics Research
  
  巻: 8 号: 4 ページ: 610-615
- DOI
  10.1364/prj.384508
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Suppression of dislocation-induced spiral hillocks in MOVPE-grown AlGaN on face-to-face annealed sputter-deposited AlN template2020
- 著者名/発表者名
  Uesugi Kenjiro、Shojiki Kanako、Tezen Yuta、Hayashi Yusuke、Miyake Hideto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 116 号: 6 ページ: 062101-062101
- DOI
  10.1063/1.5141825
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15045, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PROJECT-19K15025
[雑誌論文] MOVPE growth of AlN films on nano-patterned sapphire substrates with annealed sputtered AlN2020
- 著者名/発表者名
  Y. Iba, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 532 ページ: 125397-125397
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.125397
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Effect of dislocation density on optical gain and internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band lasers2020
- 著者名/発表者名
  S. Tanaka, Y. Kawase, S. Teramura, S. Iwayama, K. Sato, S. Yasue, T. Omori, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 4 ページ: 045504-045504
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab7caf
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] High Crystallinity and Highly Relaxed Al0.60Ga0.40N Films Using Growth Mode Control Fabricated on a Sputtered AlN Template with High‐Temperature Annealing2020
- 著者名/発表者名
  S. Teramura, Y. Kawase, Y. Sakuragi, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 217 号: 14 ページ: 1900868-1900868
- DOI
  10.1002/pssa.201900868
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams2020
- 著者名/発表者名
  Akira Uedono, Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigefusa F Chichibu, Shoji Ishibashi, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, Hideto Miyake
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 128 号: 8 ページ: 085704-085704
- DOI
  10.1063/5.0015225
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15025, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Crystalline quality improvement of face-to-face annealed MOVPE-grown AlN on vicinal sapphire substrate with sputtered nucleation layer2020
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Tezen, N. Norimatsu, and H. Miyake
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 545 ページ: 125722-125722
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2020.125722
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15025, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] High‐Quality AlN Template Prepared by Face‐to‐Face Annealing of Sputtered AlN on Sapphire2020
- 著者名/発表者名
  Kanako Shojiki , Kenjiro Uesugi , Shigeyuki Kuboya , Takafumi Inamori , Shin Kawabata , Hideto Miyake
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 2020 号: 2 ページ: 2000352-2000352
- DOI
  10.1002/pssb.202000352
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15025, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band lasr diodes with p-type AlGaN cladding layer using polarization doping2020
- 著者名/発表者名
  T. Omori, S. Ishizuka, S. Tanaka, S. Yasue, K. Sato, Y. Ogino, S. Teramura, K. Yamada, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 7 ページ: 071008-071008
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab9e4a
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] AlN nanostructures and flat, void-less AlN templates formed by hydride vapor phase epitaxy on patterned sapphire substrates2020
- 著者名/発表者名
  H. Fujikura, T. Konno, T. Kimura, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 2 ページ: 025506-025506
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab65a0
- NAID
  210000157939
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Low dislocation density AlN on sapphire prepared by double sputtering and annealing2020
- 著者名/発表者名
  D. Wang, K. Uesugi, S. Xiao, K. Norimatsu, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 9 ページ: 095501-095501
- DOI
  10.35848/1882-0786/ababec
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Remarkable Breakdown Voltage on AlN/AlGaN/AlN double heterostructure2020
- 著者名/発表者名
  I Abid, R Kabouche, F Medjdoub, S Besendorfer, E Meissner, J Derluyn, S Degroote, M Germain, H Miyake
- 雑誌名
  
  2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
  
  巻: - ページ: 310-312
- DOI
  10.1109/ispsd46842.2020.9170170
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Photoluminescence efficiency of Al-rich AlGaN heterostructures in a wide range of photoexcitation densities over temperatures up to 550 K2020
- 著者名/発表者名
  S. Miasojedovas, P. Scajev, K. Jarasiunas, B. Gil, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 102 号: 3 ページ: 035201-035201
- DOI
  10.1103/physrevb.102.035201
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Impact of face-to-face annealed sputtered AlN on the optical properties of AlGaN multiple quantum wells2019
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, H. Miyake
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 12 ページ: 125342-125342
- DOI
  10.1063/1.5125799
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Ultraviolet-B band lasers fabricated on highly relaxed thick Al0. 55Ga0. 45N films grown on various types of AlN wafers2019
- 著者名/発表者名
  Y. Kawase, S. Ikeda, Y. Sakuragi, S. Yasue, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC1052-SC1052
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0d04
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Improvements in structural and optical properties of wafer-scale hexagonal boron nitride film by post-growth annealing2019
- 著者名/発表者名
  SH. Lee, H. Jeong, OF. NgomeOkello, S. Xiao, S. Moon, D. Kim, GY. Kim, JL. Lo, YC. Peng, BM. Cheng, H. Miyake, SY. Choi, JK. Kim
- 雑誌名
  
  Scientific reports
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 1-8
- DOI
  10.1038/s41598-019-47093-9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Deep Ultraviolet Light Source from Ultrathin GaN/AlN MQW Structures with Output Power Over 2 Watt2019
- 著者名/発表者名
  Y. Wang, X. Rong, S. Ivanov, V. Jmerik, Z. Chen, H. Wang, T. Wang, P. Wang, P. Jin, Y. Chen, V. Kozlovsky, D. Sviridov, M. Zverev, E. Zhdanova, N. Gamov, V. Studenov, H. Miyake, H. Li, S. Guo, X. Yang, F. Xu, T. Yu, Z. Qin, W. Ge, B. Shen, X. Wang
- 雑誌名
  
  Advanced Optical Materials
  
  巻: 7 号: 10 ページ: 1801763-1801763
- DOI
  10.1002/adom.201801763
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Enzymatic and molecular characterization of an endoglucanase E from Clostridium cellulovorans 743B2019
- 著者名/発表者名
  R. Kozaki, H. Miyake
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF BIOSCIENCE AND BIOENGINEERING
  
  巻: 128 号: 4 ページ: 398-404
- DOI
  10.1016/j.jbiosc.2019.03.013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Improved emission intensity of UVC-LEDs from using strain relaxation layer on sputter-annealed AlN2019
- 著者名/発表者名
  K. Nagamatsu, X. Liu, K. Uesugi, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCC07-SCCC07
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab07a1
- NAID
  210000155885
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Statistics of excitonic energy states based on phononic-excitonic-radiative model2019
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ishitani, kensuke Oki, and Hideto Miyake
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 未定号: SC ページ: SCCB34-SCCB34
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab09e2
- NAID
  210000156204
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-17H02772, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Curvature-controllable and crack-free AlN/sapphire templates fabricated by sputtering and high-temperature annealing2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, K. Tanigawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 512 ページ: 131-135
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[雑誌論文] Quantitative evaluation of strain relaxation in annealed sputter-deposited AlN film2019
- 著者名/発表者名
  S. Tanaka, K. Shojiki, K. Uesugi, Y. Hayashi, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 512 ページ: 16-19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[雑誌論文] Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing2019
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 510 ページ: 13-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[雑誌論文] Reduction of threading dislocation density and suppression of cracking in sputter-deposited AlN templates annealed at high temperatures2019
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 6 ページ: 065501-065501
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab1ab8
- NAID
  210000155786
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] A Simple Analysis Method for 4-Deoxy-l-erythro-5-hexoseulose Uronic Acid by HPLC-ELSD with Column for Anion Analysis2019
- 著者名/発表者名
  T. Shibata, R. Fujii, Y. Nishioka, H. Miyake, T. Mori, R. Tanaka
- 雑誌名
  
  NATURAL PRODUCT COMMUNICATIONS
  
  巻: 14 号: 5
- DOI
  10.1177/1934578x19850990
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PROJECT-17K00852
[雑誌論文] Preparation of high-quality thick AlN layer on nanopatterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN film by hydride vapor-phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC1003-SC1003
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0ad4
- NAID
  210000155762
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] High‐Temperature Annealing of Sputter‐Deposited AlN on (001) Diamond Substrate2019
- 著者名/発表者名
  Shirato Tatsuya、Hayashi Yusuke、Uesugi Kenjiro、Shojiki Kanako、Miyake Hideto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 257 号: 2 ページ: 1900447-1900447
- DOI
  10.1002/pssb.201900447
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15045, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PROJECT-19K15025
[雑誌論文] Local and anisotropic strain in AlN film on sapphire observed by Raman scattering spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, Y. Hayashi, K. Uesugi, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCB17-SCCB17
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0d07
- NAID
  210000155954
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing2019
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 510 ページ: 13-17
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.01.011
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Structural analysis of polarity inversion boundary in sputtered AlN films annealed under high temperatures2019
- 著者名/発表者名
  T. Akiyma, M. Uchino, K. Nakamura, T. Ito, S. Xiao, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCB30-SCCB30
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0d01
- NAID
  210000156121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PROJECT-17K05056
[雑誌論文] Quantitative evaluation of strain relaxation in annealed sputter-deposited AlN film2019
- 著者名/発表者名
  S. Tanaka, K. Shojiki, K. Uesugi, Y. Hayashi, H. Miyake
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 512 ページ: 16-19
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.02.001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] AlGaN-based deep UV LEDs grown on sputtered and high temperature annealed AlN/sapphire2018
- 著者名/発表者名
  Susilo, N; Hagedorn, S; Jaeger, D; Miyake, H; Zeimer, U; Reich, C; Neuschulz, B; Sulmoni, L; Guttmann, M; Mehnke, F; Kuhn, C; Wernicke, T; Weyers, M; Kneissl, M
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS
  
  巻: 112 号: 4 ページ: 41110-41110
- DOI
  10.1063/1.5010265
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Microstructural analysis in the depth direction of a heteroepitaxial AlN thick film grown on a trench-patterned template by nanobeam X-ray diffraction2018
- 著者名/発表者名
  Shida K.、Takeuchi S.、Tohei T.、Miyake H.、Hiramatsu K.、Sumitani K.、Imai Y.、Kimura S.、Sakai A.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 16 ページ: 161563-161563
- DOI
  10.1063/1.5011291
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423, KAKENHI-PLANNED-25106003, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Yoshizawa, R; Miyake, H; Hiramatsu, K
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 57 号: 1S ページ: 01AD05-01AD05
- DOI
  10.7567/jjap.57.01ad05
- NAID
  210000148548
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-15H03556
[雑誌論文] Cathodoluminescence study on local high-energy emissions at dark spots in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 6 ページ: 60311-60311
- DOI
  10.7567/jjap.57.060311
- NAID
  210000149104
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335, KAKENHI-PROJECT-16K06264
[雑誌論文] Temperature dependence of excitonic transitions in Al0. 60Ga0. 40N/Al0. 70Ga0. 30N multiple quantum wells from 4 to 750 K2018
- 著者名/発表者名
  H. Murotani, Y. Hayakawa, K. Ikeda, H. Miyake, K. Hiramtsu, Y. Yamada
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 20 ページ: 205705-205705
- DOI
  10.1063/1.5023996
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335
[雑誌論文] Growth of High-Quality AlN and AlGaN Films on Sputtered AlN/Sapphire Templates via High-Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Junya Hakamata, Yuta Kawase, Lin Dong, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya,
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  巻: 1700506 号: 5 ページ: 1700506-1700506
- DOI
  10.1002/pssb.201700506
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Polarity inversion of aluminum nitride by direct wafer bonding2018
- 著者名/発表者名
  Hayashi, Y; Katayama, R; Akiyama, T; Ito, T; Miyake, H
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS EXPRESS
  
  巻: 11 号: 3 ページ: 31003-31003
- DOI
  10.7567/apex.11.031003
- NAID
  210000136117
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PROJECT-17H01063, KAKENHI-PROJECT-17K19078, KAKENHI-PUBLICLY-17H05335, KAKENHI-PROJECT-17H06762
[雑誌論文] Temperature dependence of Stokes shifts of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layer2018
- 著者名/発表者名
  H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: - 号: 5 ページ: 1700374-1700374
- DOI
  10.1002/pssb.201700374
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing2018
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, R. Suzuki, H. Miyake, S. Harada, T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 502 ページ: 41-44
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.09.002
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] High-temperature photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of Al0.60Ga0.40N/Al0.70Ga0.30N multiple quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  H. Murotani, K. Nakamura, T. Fukuno, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 2 ページ: 21002-21002
- DOI
  10.7567/apex.10.021002
- NAID
  210000135746
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] A design strategy for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 0158021-4
- DOI
  10.7567/apex.10.015802
- NAID
  210000135740
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-26706003, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] High-quality and highly-transparent AlN template on annealed sputter-deposited AlN buffer layer for deep ultra-violet light-emitting diodes2017
- 著者名/発表者名
  Huang, CY; Wu, PY; Chang, KS; Lin, YH; Peng, WC; Chang, YY; Li, JP; Yen, HW; Wu, YS; Miyake, H; Kuo, HC
- 雑誌名
  
  AIP ADVANCES
  
  巻: 7 号: 5 ページ: 55110-55110
- DOI
  10.1063/1.4983708
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Excitation mechanism of surface plasmon polaritons in a double-layer wire grid structure2017
- 著者名/発表者名
  Atsushi Motogaito, Tomoyasu Nakajima, Hideto Miyake and Hiramatsu Kazumasa
- 雑誌名
  
  Applied Physics A
  
  巻: 123 号: 12 ページ: 729-729
- DOI
  10.1007/s00339-017-1367-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[雑誌論文] Structural study of GaN grown on nonpolar bulk GaN substrates with trench patterns2017
- 著者名/発表者名
  Okada, S; Iwai, H; Miyake, H; Hiramatsu, K
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 56 号: 12 ページ: 125504-125504
- DOI
  10.7567/jjap.56.125504
- NAID
  210000148460
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-15H03556
[雑誌論文] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  Nakamura, K; Fukuno, T; Miyake, H; Hiramatsu, K; Yamada, Y
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS EXPRESS
  
  巻: 10 号: 5 ページ: 51003-51003
- DOI
  10.7567/apex.10.051003
- NAID
  210000135831
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335
[雑誌論文] Selective area growth of GaN on trench-patterned nonpolar bulk GaN substrates2017
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Iwai, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中ページ: 851-855
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.12.011
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PROJECT-15H03556
[雑誌論文] Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AIN epitaxial films by X-ray microdiffraction2017
- 著者名/発表者名
  Khan, DT; Takeuchi, S; Nakamura, Y; Nakamura, K; Arauchi, T; Miyake, H; Hiramatsu, K; Imai, Y; Kimura, S; Sakai, A
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 56 号: 2 ページ: 25502-25502
- DOI
  10.7567/jjap.56.025502
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Surface thermal stability of free-standing GaN substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O Eryu and T. Hasegawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics
  
  巻: 55 号: 1S ページ: 01AC08-01AC08
- DOI
  10.7567/jjap.55.01ac08
- NAID
  210000145956
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Microstructural analysis of an epitaxial AlN thick film/trench-patterned template by three-dimensional reciprocal lattice space mapping technique2016
- 著者名/発表者名
  S. Kamada, S. Takeuchi, D. T. Khan, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 11 ページ: 111001-111001
- DOI
  10.7567/apex.9.111001
- NAID
  210000138078
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Detecting High-Refractive-Index Media Using Surface Plasmon Sensor with One-Dimensional Metal Diffraction Grating2016
- 著者名/発表者名
  Atsushi Motogaito, Shinya Mito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Optics and Photonics Journal
  
  巻: 6 号: 07 ページ: 164-170
- DOI
  10.4236/opj.2016.67018
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PROJECT-26390082
[雑誌論文] Fabrication of high-crystallinity a-plane AlN films grown on r-plane sapphire substrates by modulating buffer-layer growth temperature and thermal annealing conditions2016
- 著者名/発表者名
  Chia-Hung Lin, Yasuhiro Yamashita, Hideto Miyakea, Kazumasa Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中ページ: 845-850
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.09.076
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Annealing of an AlN buffer layer in N-2-CO for growth of a high-quality AlN film on sapphire2016
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, G. Nisho, S. Suzuki, K. Hiramatsu, H. Fukuyama, J. Kuar and N. Kuwano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 025501-025501
- DOI
  10.7567/apex.9.025501
- NAID
  210000137795
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Electron microscopy analysis of microstructure of postannealed aluminum nitride template2016
- 著者名/発表者名
  Kaur, J; Kuwano, N; Jamaludin, KR; Mitsuhara, M; Saito, H; Hata, S; Suzuki, S; Miyake, H; Hiramatsu, K; Fukuyama, H
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS EXPRESS
  
  巻: 9 号: 6 ページ: 65502-65502
- DOI
  10.7567/apex.9.065502
- NAID
  210000137952
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Effect of surface pretreatment of r-plane sapphire substrates on the crystal quality of a-plane AlN2016
- 著者名/発表者名
  Chia-Hung Lin, Daiki Yasui, Shinya Tamaki, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FA12-05FA12
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa12
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Impact of high-temperature annealing of AlN layer onsapphire and its thremodynamic principle2016
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Fukuyama, Hideto Miyake, Gou Nishio, Shuhei Suzuki and Kazumasa Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FL02-05FL02
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fl02
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Effects of AlN buffer layer thickness on the crystallinity and surface morphology of 10-μm-thick a-plane AlN films grown on r-plane sapphire substrates2016
- 著者名/発表者名
  Chia-Hung Lin, Shinya Tamaki, Yasuhiro Yamashita, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 8 ページ: 081001-081001
- DOI
  10.7567/apex.9.081001
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Microscopic potential fluctuations in Si-doped AlGaN epitaxial layers with various AlN molar fractions and Si concentrations2016
- 著者名/発表者名
  Satoshi Kurai, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, and Yoichi Yamada
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 119 号: 2 ページ: 25-707
- DOI
  10.1063/1.4939864
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420288, KAKENHI-PROJECT-25420289, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Excitation and de-excitation dynamics of excitons in a GaN film based on the analysis of radiation from high-order states2016
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ishitani, Kazuma Takeuchi, Naoyuki Oizumi, Hironori Sakamoto, Bei Ma, and Ken Morita, Hideto Miyake, and Kazumasa Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D
  
  巻: 49 号: 24 ページ: 245102-245102
- DOI
  10.1088/0022-3727/49/24/245102
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-16K17511, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Preparation of high-quality AlN on sapphire by high-temperature face-to-face annealing2016
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, C.-H. Lin, K. Tokoro, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 456 ページ: 155-159
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.08.028
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Excitation-dependent carrier dynamics in Al-rich AlGaN layers and multiple quantum wells2015
- 著者名/発表者名
  P. Scajev, S. Miasojedovas, K. Jarasiunas, K. Hiramatsu, H. Miyake, B. Gil
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
  
  巻: 252 号: 5 ページ: 1043-1049
- DOI
  10.1002/pssb.201451479
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Extraordinary Optical Transmission Exhibited by Surface Plasmon Polaritons in a Double-Layer Wire Grid Polarizer2015
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, Y. Morishita, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Plasmonics
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 1657-1662
- DOI
  10.1007/s11468-015-9980-8
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390082, KAKENHI-PROJECT-15H03556
[雑誌論文] Fabrication and optical characterization of a 2D metal periodic grating structure for cold filter application2015
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, M. Kito, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Proc.of SPIE Micro+Nano Materials, Devices, and Systems
  
  巻: 9668 ページ: 96681Q-96681Q
- DOI
  10.1117/12.2201116
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390082, KAKENHI-PROJECT-15H03556
[雑誌論文] Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template2015
- 著者名/発表者名
  D.Khan, S.Takeuchi, Y.Nakamura, K.Nakamura, T.Arauchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: 411 ページ: 38-41
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2014.10.052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Reduction in the concentration of cation vacancies by proper Si-doping in the well layers of high AlN mole fraction Al_xGa_<1-x>N multiple quantum wells2015
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, K. Furusawa, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS
  
  巻: 107 号: 12 ページ: 121-602
- DOI
  10.1063/1.4931754
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Using surface-plasmon polariton at the GaP-Au interface in order to detect chemical species in high-refractive-index media2015
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, S. Nakamura, J. Miyazaki, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Optics Communications
  
  巻: 341 ページ: 64-68
- DOI
  10.1016/j.optcom.2014.12.006
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090, KAKENHI-PROJECT-26390082
[雑誌論文] MOVPE growth of GaN on Si substrate with 3C-SiC buffer layer2014
- 著者名/発表者名
  M. Katagiri, H. Fang, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku, H. Asanuma and K. Kawamura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL09-05FL09
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl09
- NAID
  210000143869
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-25600090
[雑誌論文] Transient photoluminescence of aluminum-rich (Al, Ga) N low-dimensional structures2014
- 著者名/発表者名
  P.Lefebvre, C. Brimont, P.Valvin, B. Gil, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
  
  巻: 211 号: 4 ページ: 765-768
- DOI
  10.1002/pssa.201300505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] High quality GaN grown by using maskless epitaxial lateral overgrowthon Si substrate with thin SiC intermediate layer2014
- 著者名/発表者名
  H Fang, M Katagiri, H Miyake, K Hiramatsu, H Oku, H Asamura, and K Kawamura
- 雑誌名
  
  Pbysica status solidi (a)
  
  巻: (印刷中) 号: 4 ページ: 744-747
- DOI
  10.1002/pssa.201300443
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11F01357, KAKENHI-PROJECT-24360008
[雑誌論文] Selective-area growth of GaN on non- and semi-polar bulk GaN substrates2014
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Enatsu and S. Nagao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL04-05FL04
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl04
- NAID
  210000143864
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency2014
- 著者名/発表者名
  S.Kurai, K.Anai, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Yamada
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 116 号: 23 ページ: 235703-235703
- DOI
  10.1063/1.4904847
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420288, KAKENHI-PROJECT-25420289
[雑誌論文] High-quality AlN growth on 6H-SiC substrate using three dimensional nucleation by low-pressure hydride vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  S. Kitagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL03-05FL03
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl03
- NAID
  210000143863
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25600090
[雑誌論文] Vacuum ultraviolet ellipsometer using inclined detector as analyzer to measure stokes parameters and optical constants ― With results for AlN optical constants2014
- 著者名/発表者名
  T.Saito, K.Ozaki, K.Fukui,H.Iwai,K.Yamamoto,H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 559 ページ: 517-521
- DOI
  10.1016/j.tsf.2014.02.099
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560006, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25410006
[雑誌論文] Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template2014
- 著者名/発表者名
  T.Arauchi, S.Takeuchi, K.Nakamura, K.Dinh, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, A. Sakai
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
  
  巻: 211 号: 4 ページ: 731-735
- DOI
  10.1002/pssa.201300461
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Effect of SiC Intermediate Layer Properties in Epitaxy of GaN on 3C-SiC/Si Substrates2014
- 著者名/発表者名
  H Fang, M Katagiri, H Miyake, K Hiramatsu, H Oku, H Asamura, and K Kawamura
- 雑誌名
  
  Joumal of Applied Physics
  
  巻: 115 号: 6
- DOI
  10.1063/1.4864780
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11F01357, KAKENHI-PROJECT-24360008
[雑誌論文] Binding energy of localized biexcitons in AlGaN-based quantum wells2014
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, T.Fukuno, K.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Yamada
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS EXPRESS
  
  巻: 7 号: 12 ページ: 122101-122101
- DOI
  10.7567/apex.7.122101
- NAID
  210000137325
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420289
[雑誌論文] Selective Area Growth of Semipolar (20-21) and (20-2-1) GaN substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Daiki Jinno, Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yuuki Enatsu, and Satoru Nagao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JC06-08JC06
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jc06
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[雑誌論文] Study on the Chemical Sensor Using Excitation of the Surface Plasmon Polariton with the GaP-Au Contact2013
- 著者名/発表者名
  Shohei Nakamura,Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Proc. JSAP-OSA Symposia 2013
  
  巻: なし
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[雑誌論文] Effects of Si doping in high-quality AIN grown by MOVPE on trench-patterned template2013
- 著者名/発表者名
  G. Nishio, Y. Shibo, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 370 ページ: 74-77
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.10.038
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Growth and Characterization of AlGaN Multiple Quantum Wells for Electron-Beam Target for Deep-Ultraviolet Light Sources2013
- 著者名/発表者名
  F. Fukuyo, S. Ochiai, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida and Y. Kobayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 1S ページ: 01AF03-01AF03
- DOI
  10.7567/jjap.52.01af03
- NAID
  210000141776
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu,K. Hiramatsu, A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 113 号: 21 ページ: 2135061-6
- DOI
  10.1063/1.4807906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-24560010
[雑誌論文] The Excitation of the Surface Plasmon Polariton with the GaP-Au Contact and Application to Chemical Sensors2013
- 著者名/発表者名
  S. Nakamura, A. Motogaito, H. Miyake, and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Technical digest on 2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR)
  
  巻: なし
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[雑誌論文] Cathodoluminescence Study of Optical Inhomogeneity in Si-Doped AlGaN Epitaxial Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. Kurai, F. Ushijima, Y. Yamada, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JL07-08JL07
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jl07
- NAID
  210000142732
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420288
[雑誌論文] Inhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AlGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration2013
- 著者名/発表者名
  S. Kurai, F. Ushijima, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 115 号: 5 ページ: 53509-53509
- DOI
  10.1063/1.4864020
- NAID
  120006364143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420288, KAKENHI-PROJECT-25420289
[雑誌論文] Growth and Characterization of AlGaN Multiple Quantum Wells for Electron-Beam Target for Deep-Ultraviolet Light Sources2013
- 著者名/発表者名
  Fumitsugu Fukuyo, Shunsuke Ochiai, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, and Yuji Kobayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- NAID
  210000141776
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[雑誌論文] AlN Grown on a- and n-Plane Sapphire Substrates:by Low-Pressure Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Naoki Goriki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Toru Akiyama, Tomonori Ito, and Osamu Eryu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JB31-08JB31
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jb31
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25600090
[雑誌論文] Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template2013
- 著者名/発表者名
  D.T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 381 ページ: 37-42
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.07.012
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[雑誌論文] AIN homoepitaxial growth on sublimation-AIN substrate by low-pressure HVPE2012
- 著者名/発表者名
  T. Nomura, K. Okumura, H. Miyake, K. Hiramatsu, O. Eryu and Y. Yamada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 350 号: 1 ページ: 69-71
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.12.025
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[雑誌論文] Orientation dependence of polarized Raman spectroscopy for nonpolar, semi-polar, and polar bulk GaN substratesr2012
- 著者名/発表者名
  B. Ma, D. Jinno, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Harima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 100
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE2012
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi
  
  巻: vol.9 号: 3-4 ページ: 576-579
- DOI
  10.1002/pssc.201100797
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J10845, KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Effects of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN2012
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, H.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi
  
  巻: vol.9 号: 3-4 ページ: 499-502
- DOI
  10.1002/pssc.201100712
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J10845, KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Orientation dependence of polarized Raman spectroscopy for nonpolar, semi-polar, and polar bulk GaN substrates2012
- 著者名/発表者名
  Bei Ma, Daiki Jinno, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hiroshi Harima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 100 号: 1
- DOI
  10.1063/1.3674983
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J08374, KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Microstructure of AlN Grown on a Nucleation Layer on a Sapphire Substrate2012
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Kuwahara, M. Mitsuhara and N. Kuwano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5
- NAID
  10030155844
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Microstructure of AlN grown on a nucleation layer on sapphire substrate2012
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Kuwahara, M.Mitsuhara, N.Kuwano
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: Volime 5 No.2 号: 2 ページ: 025501-025501
- DOI
  10.1143/apex.5.025501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J10845, KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014, KAKENHI-PROJECT-21651054
[雑誌論文] Effects of Si doping in high-quality AlN grown by MOVPE on trench-patterned template2012
- 著者名/発表者名
  G. Nishio, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 370 ページ: 74-77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[雑誌論文] Interaction of the dual effects triggered by A1N interlayers in thick GaN grown on 3C-SiC/Si substrates2012
- 著者名/発表者名
  H Fang, Y Takaya, H Miyake, K Hiramatsu, H Asamura, K Kawamura
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D : Applied Physics
  
  巻: 45 号: 38 ページ: 385101-385101
- DOI
  10.1088/0022-3727/45/38/385101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11F01357, KAKENHI-PROJECT-24360008
[雑誌論文] Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN2011
- 著者名/発表者名
  Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, H. Yoshida
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4 ページ: 421031-3
- NAID
  10028209557
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] HVPE growth of thick AlN on trench-patterned substrate2011
- 著者名/発表者名
  K. Fujita, K. Okuura, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Hirayama
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi
  
  巻: 8 ページ: 1483-1486
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Stress analysis of a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate2011
- 著者名/発表者名
  B. Ma, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Harima
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: 8 ページ: 2066-2068
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and Y. Shimahara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50
- NAID
  40019010401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN2011
- 著者名/発表者名
  Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and Y. Shimahara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10028209557
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth2011
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 8 号: 7-8 ページ: 2069-2071
- DOI
  10.1002/pssc.201001186
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Strain control of GaN grown on 3C-SiC/Si substrate using AlGaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  H.Fang, Y.Takaya, S.Ohuchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Asamura, K.Kawamura
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 9 号: 3-4 ページ: 550-553
- DOI
  10.1002/pssc.201100332
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11F01357, KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] aman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN2011
- 著者名/発表者名
  Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, Y.Shimahara
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS EXPRESS
  
  巻: 4 号: 4 ページ: 042103-042103
- DOI
  10.1143/apex.4.042103
- NAID
  10028209557
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Stress analysis of a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrates2011
- 著者名/発表者名
  Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hiroshi Harima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 8 号: 7-8 ページ: 2066-2068
- DOI
  10.1002/pssc.201001166
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J08374, KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich Al_xGa_<1-x>N2011
- 著者名/発表者名
  R.Kittaka, H.Muto, H.Murotani, Y.Yamada, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] HVPE grown thick ALN on trench-patterned substrate2011
- 著者名/発表者名
  K. Fujita, K. Okuura, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Hirayama
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: 8 ページ: 1483-1486
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10028155120
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10028155120
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2011
- 著者名/発表者名
  K. Okumura, T. Nomura, H. Miyake, K. Hiramatsu and O. Eryuu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi
  
  巻: 8 ページ: 467-469
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich Al_xGa_<1-x>N2011
- 著者名/発表者名
  R.Kittaka, H.Muto, H.Murotani, Y.Yamada, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011
- 著者名/発表者名
  S. Yang, R. Miyagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Harima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10028155120
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10028155120
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] HVPE grown thick ALN on trench-patterned substrate2011
- 著者名/発表者名
  K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Hirayama
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 8 号: 5 ページ: 1483-1486
- DOI
  10.1002/pssc.201001130
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, Y.Shimahara
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 50 号: 9R ページ: 095502-095502
- DOI
  10.1143/jjap.50.095502
- NAID
  40019010401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth2011
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: 8 ページ: 2069-2071
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped Al_xGa_<1-x>N/AlN MQWs2010
- 著者名/発表者名
  D.Li, W.Hu, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Song
- 雑誌名
  
  Chinese Physics B
  
  巻: 19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Fabrication and characterization of binary diffractive lens with the 100μm-order-focal length2010
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, K. Arakawa, Y. Nakayama, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Technical Digest of the 16th Microoptics Conference
  
  ページ: 207-208
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Facet control in selective area growth(SAG) of a-plane GaN by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  B. Ma, R. Miyagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Facet control in selective area growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  B.Ma, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Facet control in selective area growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  B.Ma, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions2010
- 著者名/発表者名
  W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 49
- NAID
  40017033737
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Facet control in selective area growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  .Ma, R.Miyagawa, H.Miyake , K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, J. Wu, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010
- 著者名/発表者名
  M.Narukawa, H.Asamura, K.Kawamura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010
- 著者名/発表者名
  M. Narukawa, H. Asamura, K. Kawamura, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions2010
- 著者名/発表者名
  W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 49
- NAID
  40017033737
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010
- 著者名/発表者名
  M. Narukawa, H. Asamura, K. Kawamura, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010
- 著者名/発表者名
  M.Narukawa, H.Asamura, K.Kawamura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions2010
- 著者名/発表者名
  W. Hu, B. Ma, D. Li, R. Miyagawa, H. Miyake, and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  40017033737
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010
- 著者名/発表者名
  M.Narukawa, H.Asamura, K.Kawamura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, J. Wu, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Deep Electronic Levels of Al_xGa_<1-x>N with a Wide Range of Al Composition Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Ooyama, K.Sugawara, S.Okuzaki, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 3801-3805
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009
- 著者名/発表者名
  Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2831-2833
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Influence ofoff-cutangleof r-plane sapphireonthecrystalqualityof nonpolar a-plane AlNbyLP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okuura, K.Fujita, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 4473-4477
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3801-3805
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10027011951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  B.Ma, R.Miyagawa, W.Hu, D.Li, H.Miyake,K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2899-2902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Influence of off-cutangle of r-plane sapphire on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN by LP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J. Wu, K. Okuura, K. Fujita, K. Okumura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 4473-4477
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on rplane sapphire by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  B.Ma, R.Miyagawa, W.Hu, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2899-2902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires2009
- 著者名/発表者名
  M.Narukawa, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2970-2972
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltalic effect in a-plane GaN2009
- 著者名/発表者名
  W. Hu, B. Ma, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3801-3805
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 2899-2902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 3801-3805
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Nitridating r-plane sapphire to improve crystal qualities and surface morphologies of a-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  B. Ma, W. Hu, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltalic effect in a-plane GaN2009
- 著者名/発表者名
  W.Hu, B.Ma, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 宮川鈴衣奈, 他35名
- 雑誌名
  
  窒化物基板および講師整合基板の成長とデバイス特性((株) シーエムシー出版)
  
  ページ: 119-127
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  J. Wu, K. Okuura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 2
- NAID
  10027011951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Influence ofoff-cutangleof r-plane sapphireonthecrystalqualityof nonpolar a-plane AlNbyLP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okuura, K.Fujita, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 4473-4477
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  J. Wu, K. Okuura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 2
- NAID
  10027011951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires2009
- 著者名/発表者名
  M.Narukawa, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2970-2972
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10027011951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltalic effect in a-plane GaN2009
- 著者名/発表者名
  W.Hu, B.Ma, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Influence of off-cut angle of r-plane sapphire on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN by LP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J. Wu, K. Okuura, K. Fujita, K. Okumura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 4473-4477
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Photoluminesence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  D.Li, B.Ma, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2906-2909
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  B.Ma, R.Miyagawa, W.Hu, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2899-2902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Nitridating r-plane sapphire to improve crystal qualities and surface morphologies of a-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  B.Ma, W.Hu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 宮川鈴衣奈, 他35名
- 雑誌名
  
  窒化物基板および講師整合基板の成長とデバイス特性((株) シーエムシー出版)
  
  ページ: 119-127
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Optical properties of MOVPE-grown a-plane GaN and AlGaN2009
- 著者名/発表者名
  M. Narukawa, R. Miyagawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 2903-2905
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009
- 著者名/発表者名
  Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2831-2833
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009
- 著者名/発表者名
  Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 巻
  311
- ページ
  2831-2833
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[雑誌論文] Photoluminesence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  D. Li, B. Ma, R. Miyagawa, M. Narukawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 2906-2909
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Photoluminesence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  D.Li, B.Ma, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2906-2909
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009
- 著者名/発表者名
  Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 2831-2833
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 6
  
  ページ: 5478-5481
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10027011951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Optical properties of MOVPE-grown a-plane GaN and AlGaN2009
- 著者名/発表者名
  M.Narukawa, R.Miyagawa, B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2903-2905
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires2009
- 著者名/発表者名
  M. Narukawa, S. Koide, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 2970-2972
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Nitridating r-plane sapphire to improve crystal qualities and surface morphologies of a-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  B.Ma, W.Hu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Optical properties of MOVPE-grown a-plane GaN and AlGaN2009
- 著者名/発表者名
  M.Narukawa, R.Miyagawa, B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2903-2905
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[雑誌論文] Reactor-pres sure dependence of growthof a-plane Ga N on r-plane sapphire2008
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4979-4982
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Gro wth of crack-free AlGaN ons elective-area-growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu et.al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4885-4887
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperature AlN buffer layer2008
- 著者名/発表者名
  D.Li, M.Aoki, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 5
  
  ページ: 1818-1821
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Selective Area Growth of III-Nitride and Their Application for Emitting Devices2008
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake, D. Li
- 雑誌名
  
  Journal of Light & Visual Environment 32
  
  ページ: 177-182
- NAID
  110006663908
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Improved optical properties of AlGaN using periodic structures2008
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, T. Ishii, A. Motogaito and K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi c 5
  
  ページ: 1822-1824
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Reactor-pressure dependence of growth of a-plane GaN on r-plane sapphire2008
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4979-4982
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Gro wth of crack-free AlGaN ons elective-are a-growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4885-4887
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Growth of crack-free AlGaN ons elective-area-growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4885-4887
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Selective Area Growth of III-Nitride and Their Application for Emitting Devices2008
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
- 雑誌名
  
  Journal of Light & Visual Environment 32
  
  ページ: 177-182
- NAID
  110006663908
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Improved optical properties of AlGaN using periodic structures2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, T. Ishii, A. Motogaito, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1822-1824
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperature AlN buffer layer2008
- 著者名/発表者名
  D. Li, M. Aoki, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 5
  
  ページ: 1818-1821
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  K.Hiramatsu, H.Miyake, D.Li
- 雑誌名
  
  Journal of Light & Visual Environment 32
  
  ページ: 177-182
- NAID
  110006663908
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperaturl A1N buffer layer2008
- 著者名/発表者名
  D. Li, M. Aoki, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi c 5
  
  ページ: 1818-1821
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Optical Characterization of Japanese Papers for Application in the LED Lighting System with Human Sensitivity2008
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, K. Manabe, Y. Yamanaka, N. Machida, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Light & Visual Environment 32
  
  ページ: 218-221
- NAID
  110006663916
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Selective area growth of III -nitride and their application for emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
- 雑誌名
  
  Journal of Light & Visual Environment 32
  
  ページ: 177-182
- NAID
  110006663908
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Thermal analysis of GaN powder formation via reaction of gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes with ammonia2008
- 著者名/発表者名
  Y. Liu, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu, et.al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi c 5
  
  ページ: 1522-1524
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Reactor-pressure dependence of growthof a-plane GaN on r-plane sapphire2008
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4979-4982
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Growth of crack-free AlGaN ons elective-area-growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, N.Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K.Hiramatsu, et.al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4885-4887
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperature AlN buffer layer2008
- 著者名/発表者名
  D. Li, M. Aoki, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1818-1821
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Thermal analys is of GaN powder formation via reaction of gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes with ammonia2008
- 著者名/発表者名
  Y. Liu, S. Koide, H. Miyake, K. Hiramatsu, et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1522-1524
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Growth of crack-free AlGaN ons elective-area-growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, N.Masuda, Y.Ogawahara, M.Narukawa, K.Hiramatsu, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4885-4887
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Improved optical properties of AlGaN using periodic structures2008
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, T.Ishii, A.Motogaito and K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1822-1824
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Reactor-pressure dependence of growthof a-plane GaN on r-plane sapphire2008
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, M.Narukawa, B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4979-4982
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Reactor-pres sure dependence of growthof a-plane Ga N on r-plane sapphire2008
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu.
- 雑誌名
  
  Journal of Cryst al Growth 310
  
  ページ: 4979-4982
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Optical characterization of Japanese papers for application in the LED lighting system with human sensitivity2008
- 著者名/発表者名
  A.Motogaito, K.Manabe, Y.Yamanaka, N.Machida, H.Miyake and K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Light & Visual Environment 32
  
  ページ: 218-221
- NAID
  110006663916
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperature AlN buffer layer2008
- 著者名/発表者名
  D. Li, M. Aoki, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1818-1821
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
- 雑誌名
  
  Journal of Light & Visual Environment 32
  
  ページ: 177-182
- NAID
  110006663908
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Thermal analysis of GaN powder formation via reaction of gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes with ammonia2008
- 著者名/発表者名
  Y. Liu, S. Koide, H. Miyake, K. Hiramatsu, et.al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] High temperature growth of AIN film by LP-HVPE2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsujisawa, S. Kishino, Y.H. Liu, H.Miyake, K. Hiramatsu, T. shibata, M. tanaka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)4,(7)
  
  ページ: 2252-2255
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Nakao and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 41
  
  ページ: 341-346
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] High temperature growth of AIN film by LP-HVPE2007
- 著者名/発表者名
  K.Tsujisawa, S.Kishino, Y.H.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu, et. al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 4
  
  ページ: 2252-2255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Nakao and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 41
  
  ページ: 341-346
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets2007
- 著者名/発表者名
  K. Nakao, D. Li, Y. Liu, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 4
  
  ページ: 2383-2386
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Selective area growth of HI-nitride and their application for emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake, D. Li
- 雑誌名
  
  Proc. 1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting
  
  ページ: 72-77
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressivestrain AIN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AIN film2007
- 著者名/発表者名
  K.Tsujisawa, S.Kishino, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Supression of crack generation using high・compressive-strain AIN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AIN film2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Optical characterization of Japanese papers for application to theLEDlightning system wit hhuman sensitivity2007
- 著者名/発表者名
  A.Motogaito, K.Manabe, Y.Yamanaka, N.Machida, H.Miyake and K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Proc.1st International Confernce on White LEDsand Solid State Lighting
  
  ページ: 440-443
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Nakao and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 41
  
  ページ: 341-346
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Nakao, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 41
  
  ページ: 341-346
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures" Superlattices and Microstructures2007
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Nakao, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 41
  
  ページ: 341-346
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-strain AIN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick MN film2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Shibata, M. Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46,(23)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-strain AlN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AlN film2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Influence of growth conditions on Al incorporation to Al_xGa_<1-x>N (x>0.4) grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  D.Li, M.Aoki, T.Katsuno, H.Miyake, K.Hiramatsu, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 372-374
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emittingdevices2007
- 著者名/発表者名
  K. Huamatsu, H. Miyake and D. Li
- 雑誌名
  
  Proc.1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting
  
  ページ: 72-77
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  K.Hiramatsu, H.Miyake and D.Li
- 雑誌名
  
  Proc.1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting
  
  ページ: 72-77
- NAID
  110006663908
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Influence of growth interruption and Si doping on the structural and optical properties of AlGaN/AlN multiple quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  D.Li, M.Aoki, T.Katsuno, H.Miyake, K.Hiramatsu, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 500-503
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-strain AIN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AIN film2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] High temperaturegrowth of AlN film by LP-HVPE2007
- 著者名/発表者名
  K.Tsujisawa, S.Kishino, Y.Liu, H.Miyake,K.Hiramatsu et.al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 4
  
  ページ: 2252-2255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
- 雑誌名
  
  Proc. 1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting
  
  ページ: 72-77
- NAID
  110006663908
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Nakao andK.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 41
  
  ページ: 341-346
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Synthesis of IIInitride microcrystals using metal-EDTA complexes2007
- 著者名/発表者名
  Y.H.Liu, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu, et. al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 4
  
  ページ: 2346-2349
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AIGaN/AIN multiple quantum wells grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  D.Li, T.Katsuno, M.Aoko, H.Miyake, K.Hiramatsu, et. al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 4
  
  ページ: 2494-2497
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AIGaN/AIN multiple quantum wells grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  D. Li, T. Katsuno, M. Aoki, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Shibata
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)4,(7)
  
  ページ: 2494-2497
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Influence of growth interruption and Si doping on the structural and optical properties of AlGaN/AlN multiple quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  D. Li, M. Aoki, T. Katsuno, H. Miyake, K.Hiramatsu and M. Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 500-503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
- 雑誌名
  
  Proc. 1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting
  
  ページ: 72-77
- NAID
  110006663908
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Influence of growth conditions on Al incorporation to Al_xGa_<1-x>N (x>0.4) grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  D.Li, M.Aoki, T.Katsuno, H.Miyake, K.Hiramatsu, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 372-374
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  D. Li, T. Katsuno, M. Aoki, H. Miyake, K. Hiramatsu et.al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 4
  
  ページ: 2494-2497
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Influence of growth interruption and Si doping on the structural and optical properties of AlGaN/AlN multiple quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  D.Li, M.Aoki, T.Katsuno, H.Miyake, K.Hiramatsu, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 500-503
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets2007
- 著者名/発表者名
  K. Nakao, D. Li, Y.H. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)4,(7)
  
  ページ: 2383-2386
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-strain AlN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AlN film2007
- 著者名/発表者名
  K.Tsujisawa, S.Kishino, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu, et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Fabrication of high-quality nitride semiconductors by facet control technique2006
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  OYO BUTURI (in Japanese) Vol.75, No.48
  
  ページ: 467-472
- NAID
  10017541097
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製2006
- 著者名/発表者名
  三宅秀人
- 雑誌名
  
  応用物理第75巻第4号
  
  ページ: 467-472
- NAID
  10017541097
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] Fabrication and characterization of UV Schottky detectors by using a freestanding GaN substrate2005
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, A.Motogaito, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Ohuchi, H.Okagawa, K.Tadatomo, T.Nomura, Y.Hamamura, K.Fukui
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 831
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] Reduction of dislocation density in AlGaN with high AlN molar fraction by using a rugged AlN epilayer2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishiga, T.Onishi, Y.LIU, M.Haraguchi, N.Kuwano, T.Shibata, M.Tanaka, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 831
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] Freestanding GaN substrate by Advanced FACELO Technique with Masking Side-facets2005
- 著者名/発表者名
  Shinya Bohyama, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yoshihiko Tsuchida, Takayoshi Maeda
- 雑誌名
  
  Japan Journal of Applied Physics 44
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] Characterization of III-nitride Based Schottky UV Detectors with Wide Detectable Wavelength Range (360-10nm) using Synchrotron Radiation2004
- 著者名/発表者名
  A.Motogaito, K.Hiramatsu, Y.Shibata, H.Watanabe, H.Miyake, K.Fukui, Y.Ohuchi, K.Tadatomo, Y.Hamamura
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 798
  
  ページ: 53-58
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] High performance of Schottky detectors (265-100 nm) using n-Al_<0.5>Ga_<0.5>N on AlN epitaxial layer2003
- 著者名/発表者名
  Hideto Miyake
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a) Vol.200, No.1
  
  ページ: 151-154
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] High performance of Schottky detectors (265-100 nm) using n-Al_<0.5>Ga_<0.5>N on AlN epitaxial layer2003
- 著者名/発表者名
  H.Miyake et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a) Vol.200, No1
  
  ページ: 151-154
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] High temperature growth of AlN film by LP-HVPE
- 著者名/発表者名
  K.Tsujisawa, S.Kishino, Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Blue Emission from InGaN/GaN Hexagonal Pyramid Structures
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Nakao, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[雑誌論文] Synthesis of III-nitride microcrystals using Metal-EDTA complexes
- 著者名/発表者名
  Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu, K.Nakamura, N.Nambu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-pl ane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE
- 著者名/発表者名
  B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (掲載決定、印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets
- 著者名/発表者名
  K.Nakao, D.Li, Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Low-Pressur e HVPE growth of crack free thick AlN on trench patterened AlN template
- 著者名/発表者名
  Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (掲載決定、印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Optical pro perties of MOVPE-grown a-plane GaN a nd AlGaN
- 著者名/発表者名
  M. Narukawa, R. Miyagawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (掲載決定、印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE
- 著者名/発表者名
  D. Li, B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, M. Narukawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (掲載決定、印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets
- 著者名/発表者名
  K.Nakao, D.Li, Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE
- 著者名/発表者名
  D.Li, T.Katsuno, M.Aoki, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] High temperature growth of AlN film by LP-HVPE
- 著者名/発表者名
  K.Tsujisawa, S.Kishino, Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] High Quality AlGaN/AlN Superlattices grown on AlN/Sapphire Template by MOVPE
- 著者名/発表者名
  Y.H.Liu, A.Ishiga, T.Ohnishi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Compound Semiconductors (In press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360008
[雑誌論文] Blue Emission from InGaN/GaN Hexagonal Pyramid Structures
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Nakao, K.Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE
- 著者名/発表者名
  D.Li, T.Katsuno, M.Aoki, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires
- 著者名/発表者名
  M. Narukawa, S. Koide, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Journal of C rystal Growth (掲載決定、印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[雑誌論文] Fabrication of a Binary Diffractive Lens for Controlling the Luminous Intensity Distribution of LED Light
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, N. Machida, T. Morikawa, K. Manabe, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 雑誌名
  
  Optical Review (掲載決定、印刷中)
- NAID
  10025305178
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[産業財産権] 窒化物半導体基板2021
- 発明者名
  三宅　秀人
- 権利者名
  三宅　秀人
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体基板、半導体素子及び窒化物半導体基板の製造方法2021
- 発明者名
  三宅　秀人, 王丁, 上杉謙次郎
- 権利者名
  三宅　秀人, 王丁, 上杉謙次郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体デバイス2020
- 発明者名
  三宅　秀人, 藤倉　序章, 今野　泰一郎
- 権利者名
  三宅　秀人, 藤倉　序章, 今野　泰一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2020
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体基板、半導体素子及び窒化物半導体基板の製造方法2020
- 発明者名
  三宅秀人、王丁、上杉謙次郎
- 権利者名
  三宅秀人、王丁、上杉謙次郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2020
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 半導体基板および半導体基板の製造方法2018
- 発明者名
  永松謙太郎, 吉田治正, 三宅　秀人
- 権利者名
  三重大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板2018
- 発明者名
  上杉謙次郎, 三宅　秀人
- 権利者名
  三重大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体2018
- 発明者名
  三宅秀人,岩谷素顕,川瀬雄太,岩山章,竹内哲也,上山智,赤崎勇
- 権利者名
  三重大学,名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板及び光半導体デバイス2018
- 発明者名
  林侑介, 三宅秀人, 上杉謙次郎
- 権利者名
  三重大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板2018
- 発明者名
  林　侑介, 三宅　秀人
- 権利者名
  三重大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び発光素子2018
- 発明者名
  上杉謙次郎, 三宅　秀人
- 権利者名
  三重大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法2016
- 発明者名
  三宅秀人
- 権利者名
  三宅秀人
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2016
- 取得年月日
  2019
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[産業財産権] 窒化アルミニウム(AlN)膜を有する基板および窒化アルミニウム(AlN)膜の製造方法2013
- 発明者名
  福山博之、三宅秀人
- 権利者名
  東北大学、三重大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[産業財産権] 窒化アルミニウム(AlN)膜を有する基板および窒化アルミニウム(AlN)膜の製造方法2013
- 発明者名
  福山博之、三宅秀人
- 権利者名
  福山博之、三宅秀人
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-174057
- 出願年月日
  2013-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[産業財産権] 半導体素子用エピタキシャル基板,半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法,およびALN単結晶自立基板2012
- 発明者名
  三宅秀人,平松和政
- 権利者名
  国立大学法人三重大学
- 産業財産権番号
  2012-129102
- 出願年月日
  2012-06-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] TEM Analysis of MBE-Grown AlN on N-polar Sputtered and Annealed AlN templates2022
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, T. Tohei, Z. Zhang, H. G. Xing, D. Jena, Y. Cho, H. Miyake, and A. Sakai
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KK0055
[学会発表] スパッタアニール AlN を用いた波長 2 30 n m 帯 U V LED の開発2022
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, 市川修平, 肖世玉, 正直花奈子, 中村孝夫, 土谷正彦, 小一信, 三宅秀人
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] スパッタアニールAlNの極性制御2022
- 著者名/発表者名
  正直花奈子、上杉謙次郎、肖世玉、三宅秀人
- 学会等名
  第一回極性制御研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] Polarity Control of Sputter-Deposited AlN with High-Temperature Face-to-Face Annealing2022
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake
- 学会等名
  The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] サファイア上への MOVPE法による BN成長と高温アニール2022
- 著者名/発表者名
  井谷彩花, 窪谷茂幸, 肖世玉, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 三宅秀人
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] Fabrication of high-quality AlN templates by Face-to-face annealing of sputter-deposited films2022
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Uesugi, S. Xiao, K. Shojiki, T. Nakamura
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] スパッタアニール法によるAlN垂直方向極性反転構造の作製2022
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 上杉謙次郎, 肖世玉, 三宅秀人
- 学会等名
  第41回電子材料シンポジウム（EMS41）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] スパッタアニール法作製 a 面 AlN における結晶性のスパッタ温度依存性2022
- 著者名/発表者名
  小川優輝, 渋谷康太, 上杉謙次郎, 肖世玉, 正直花奈子, 三宅秀人
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] スパッタアニール法作製a面AlNのc軸配向方向の基板微傾斜角度依存性2022
- 著者名/発表者名
  小川優輝, 渋谷康太, 上杉謙次郎, 肖世玉, 正直花奈子, 秋山亨, 三宅秀人
- 学会等名
  第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] Polarity Control of Face-to-Face Annealed Sputtered AlN2022
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake
- 学会等名
  The 22nd International Vacuum Congress(IVC-22)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] ゲート絶縁膜を有するAlGaNチャネルHEMTの作製と評価2022
- 著者名/発表者名
  中岡樹, 上杉謙次郎, 漆山真, 正直花奈子, 三宅秀人
- 学会等名
  第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] ピラー形成 AlN テンプレート上への HVPE法による AlN厚膜成長2022
- 著者名/発表者名
  肖世玉, 岩山章, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 岩谷素顕, 三宅秀人
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] 窒化物半導体結晶成長技術を駆使した量子光源の開発2022
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 本田啓人, 上杉謙次郎, 肖世玉, 谷川智之, 片山竜二, 三宅秀人
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] 低転位密度N極性AlNテンプレート上MOVPEホモエピタキシャル成長のサファイア基板オフ角度依存性2022
- 著者名/発表者名
  並河楽空, 正直花奈子, 吉田莉久, 上杉謙次郎, 三宅秀人
- 学会等名
  第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] Fabrication of Face-to-Face Annealed Sputter-Deposited AlN for High EQE 265 nm LEDs2022
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, S. Kuboya, T. Nakamura, K. Shojiki, S. Xiao, M. Kubo, H. Miyake
- 学会等名
  The 5th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD 2022)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] 高品質AlNテンプレートの歪制御と電子デバイス応用2022
- 著者名/発表者名
  林侑介, 藤平哲也, Yongjin Cho, Huili Grace Xing, Debdeep Jena, 三宅秀人, 酒井朗
- 学会等名
  電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用調査専門委員会(第2期)」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KK0055
[学会発表] Crack Formation Mechanism of Sputtered and Annealed AlN on c- and a-Plane Sapphire2022
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, T. Tohei, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, and A. Sakai
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KK0055
[学会発表] マルチ・スパッタアニール法による多層極性反転 AlN構造の作製2022
- 著者名/発表者名
  玉野智大, 正直花奈子, 本田啓人, 上杉謙次郎, 肖世玉, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二, 三宅秀人
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] ステップ端密度が制御された AlN 表面への GaN AlN 量子井戸の MOVPE 成長2022
- 著者名/発表者名
  山中祐人, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 肖世玉, 三宅秀人
- 学会等名
  第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] m面サファイア基板上スパッタアニールAlN の面方位制御2022
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, 張芸賢, 正直花奈子, 肖世玉, 三宅秀人
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] High-Power UV-C LEDs on Face-toFace Annealed Sputter-Deposited AlN2022
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, S. Kuboya, T. Nakamura, K. Shojiki, S. Xiao, M. Kubo, H. Miyake
- 学会等名
  The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] MOVPE Homoepitaxial Growth on N-polar Annealed Sputter-Deposited AlN Films2022
- 著者名/発表者名
  G. Namikawa, K. Shojiki, R. Yoshida, K. Uesugi, H. Miyake
- 学会等名
  The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23238
[学会発表] Reduction of threading dislocation densities of N-polar face-to-face annealed sputtered AlN on sapphire2021
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, K. Uesugi, S. Kuboya, and H. Miyake
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ・アニール法によるAlGaN薄膜の作製2021
- 著者名/発表者名
  窪谷茂幸, 岩山章, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 則松研二, 三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Thick AlN layers grown on macro-scale patterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN films by hydride vapor-phase epitaxy2021
- 著者名/発表者名
  Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake
- 学会等名
  The Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールしたAlNテンプレート上のAlGaN成長における異常成長の起源2021
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, 手銭雄太, 肖世玉, 則松研二, 岡村実奈, 荒木努, 三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法アニール処理AlN上AlGaNチャネルHEMTのMOVPE成長2021
- 著者名/発表者名
  森隆一, 上杉謙次郎, 白土達也, 窪谷茂幸, 正直花奈子, 三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Fabrication of high crystalline AlN/sapphire for deep UV-LED2021
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Uesugi, S. Xiao, K. Shojiki, S. Kuboya
- 学会等名
  Photonics West 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Development of DUV-LED grown on high-temperature annealed AlN template2021
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, D. Wang, K. Shojiki, S. Kuboya, and H. Miyake
- 学会等名
  Photonics West 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールによる転位密度107cm-2のAlNテンプレート作製2021
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 正直花奈子, 肖世玉, 上杉謙次郎, 窪谷茂幸
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] High-quality AlN template prepared by face-to-face annealing of sputtered AlN on sapphire2021
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Uesugi, K. Shojiki, S. Xiao, D. Wang, S. Kuboya
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Fabrication of UV-C LED on face-to-face annealed sputter-deposited AlN template2021
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, D. Wang, K. Shojiki, S. Kuboya, and H. Miyake
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] サファイア基板上AlGaN材料UVBレーザダイオードの構造検討2020
- 著者名/発表者名
  佐藤恒輔, 山田和輝, 石塚彩花, 田中隼也, 大森智也, 手良村昌平, 岩山章, 三宅秀人, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールしたスパッタ成膜 AlN テンプレート上への DUV LED 作製2020
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, 手銭雄太，正直花奈子, 窪谷茂幸，三宅秀人
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020
- 著者名/発表者名
  嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温熱処理したスパッタAlN膜の熱歪解析2020
- 著者名/発表者名
  林侑介, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 藤平哲也, 酒井朗
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタAlN上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンス評価2020
- 著者名/発表者名
  粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英
- 学会等名
  第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価（1）2020
- 著者名/発表者名
  嶋紘平、中須大蔵、正直花奈子、上杉謙次郎、小島一信、上殿明良、三宅秀人、秩父重英
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法アニール処理AlN上GaN薄膜のMOVPE成長2020
- 著者名/発表者名
  白土達也, 上杉謙次郎, 窪谷茂幸, 正直花奈子, 三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020
- 著者名/発表者名
  粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価（２）2020
- 著者名/発表者名
  中須大蔵、嶋紘平、正直花奈子、上杉謙次郎、小島一信、上殿明良、三宅秀人、秩父重英
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上2020
- 著者名/発表者名
  形岡遼志, 小泉晴比古, 岩山章, 三宅秀人
- 学会等名
  電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティレーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入2020
- 著者名/発表者名
  稲森　崇文,　窪谷　茂幸,　石原　頌也,　白土　達也, 正直　花奈子,　上杉　謙次郎,　三宅　秀人
- 学会等名
  電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティレーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] N-PSS上スパッタ堆積アニールAlNテンプレートに成長させたAlN厚膜の微細構造解析2020
- 著者名/発表者名
  山本望, 濱地威明, 林侑介, 藤平哲也, 三宅秀人, 酒井朗
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 選択MOVPE成長による原子層レベルのAlN表面形態制御2020
- 著者名/発表者名
  川端心, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 三宅秀人
- 学会等名
  第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] AlNの結晶性向上に向けたサファイア基板表面の大気雰囲気アニールによる平坦化2020
- 著者名/発表者名
  土堀泰征, 上杉謙次郎, 三宅秀人
- 学会等名
  第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高品質AlN 上 RF MBE 成長 InN の極微構造評価 (II)2020
- 著者名/発表者名
  橘秀紀、高林佑介、中村亮介、毛利真一郎、名西ヤスシ、荒木努、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレート上へのDUV-LED作製(2)2020
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, 王丁, 手銭雄太, 肖世玉, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Effect of MOVPE Growth Conditions on Crystallinity of AlN films on Nano-Patterned Annealed Sputtered AlN Templates2020
- 著者名/発表者名
  Yukino Iba, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao and Hideto Miyake
- 学会等名
  The 12th International Workshop on Regional Innovation Studies 2020 (IWRIS2020)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法と高温アニールで作製した－c/+c AlN薄膜の電子線回折による極性判定2020
- 著者名/発表者名
  林侑介, 野本健斗, 濱地威明, 藤平哲也, 三宅秀人, 五十嵐信行, 酒井朗
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] GRIN-SCH構造を用いたAlGaN系UV-Bレーザダイオードの最適化2020
- 著者名/発表者名
  田中隼也, 佐藤恒輔, 安江信次, 荻野雄矢, 山田和輝, 石塚彩花, 手良村昌平, 岩山章, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 低転位密度AlN膜の作製とそのテンプレート上AlGaN成長2020
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, Ding Wang, 三宅秀人
- 学会等名
  日本学術振興会「結晶成長の科学と技術」第161委員会第114回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] ナノパターン加工したスパッタ・アニール法AlNテンプレート上のMOVPE成長AlN膜の結晶性評価2020
- 著者名/発表者名
  伊庭由季乃, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 肖世玉, 三宅秀人
- 学会等名
  第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] サファイア基板上へのスパッタ法を用いたh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上2020
- 著者名/発表者名
  形岡遼志, 小泉晴比古, 岩山章, 三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 低転位密度AlNテンプレートを用いた深紫外LEDの開発2020
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, Ding Wang, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 三宅秀人
- 学会等名
  第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールに伴うSiC基板上スパッタAlNの結晶性と歪み評価2020
- 著者名/発表者名
  杉浦雅紀, 上杉謙次郎, 三宅秀人
- 学会等名
  第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長2020
- 著者名/発表者名
  白土達也, 上杉謙次郎, 窪谷茂幸, 正直花奈子, 三宅秀人
- 学会等名
  電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティレーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] AlGaN系 UV-B LDにおける低損失を実現した構造の特性評価2020
- 著者名/発表者名
  大森智也, 石塚彩花, 田中隼也, 佐藤恒輔, 安江信次, 荻野雄矢, 山田和輝, 手良村昌平, 岩山章, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高品質AlGaN結晶の結晶成長とその上に作製したUV-B半導体レーザ2020
- 著者名/発表者名
  岩谷素顕, 佐藤恒輔, 田中隼也, 手良村昌平, 大森智也, 山田和輝, 石塚彩花, 下川萌葉, 荻野雄矢, 岩山章, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Control of strain in AlGaN films on AlN templates by AlN/GaN superlattices2020
- 著者名/発表者名
  Takafumi Inamori, Shigeyuki Kuboya, Shoya Ishihara, Tatsuya Shirato, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki and Hideto Miyake
- 学会等名
  The 12th International Workshop on Regional Innovation Studies 2020 (IWRIS2020)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高品質AlN結晶の作製とその紫外線デバイス応用2020
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 正直花奈子, 肖世玉, 上杉謙次郎, 小泉晴比古, 窪谷茂幸
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] ナノパターンを有するスパッタ・アニール法AlNテンプレート上へのAlNのMOVPE成長2020
- 著者名/発表者名
  伊庭由季乃, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 肖世玉, 三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールAlNテンプレートを用いた分極ドープ深紫外LED作製2020
- 著者名/発表者名
  河端一輝, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人
- 学会等名
  第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] High quality AlN film on sapphire prepared by two step sputtering-annealing2020
- 著者名/発表者名
  Ding Wang, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Yuta Tezen, Kenji Norimatsu, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Hideto Miyake
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 低転位密度AlNテンプレート上SiドープAlGaNの電気的・光学的特性評価2020
- 著者名/発表者名
  森隆一, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 白土達也, 三宅秀人
- 学会等名
  第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] ナノストイプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価2020
- 著者名/発表者名
  伊庭由季乃, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 肖世玉, 三宅秀人
- 学会等名
  電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティレーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] UV-B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性2020
- 著者名/発表者名
  山田和輝, 佐藤恒輔, 安江信次, 田中隼也, 手良村昌平, 荻野雄矢, 大森智也, 石塚彩花, 岩山章, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 三宅秀人, 寒川義裕, Sakowski Konrad
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Preparation of high-quality AlN templates for deep UV devices2019
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Koizumi, S. Kuboya
- 学会等名
  4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Threading Dislocation Reduction of Sputter-Deposited AlN Templates for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Device Applications2019
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, H. Miyake
- 学会等名
  The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 窒化物半導体MOVPE成長における欠陥低減技術2019
- 著者名/発表者名
  三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会東海支部基礎セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 窒化物半導体MOVPE成長における欠陥低減技術2019
- 著者名/発表者名
  三宅秀人
- 学会等名
  応用物理学会東海支部基礎セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] ナノPSS上スパッタ堆積アニールAlN膜を基板に用いたホモエピ成長2019
- 著者名/発表者名
  伊庭由季乃、正直花奈子、上杉謙次郎、肖世玉、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] ナノPSS上スパッタ堆積アニールAlN膜を基板に用いたホモエピ成長2019
- 著者名/発表者名
  庭由季乃、正直花奈子、上杉謙次郎、肖世玉、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] ダイヤモンド基板上へのスパッタAlN成膜と高温アニール2019
- 著者名/発表者名
  白土達也、林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] MOVPE Growth of AlGaN on High-Temperature Annealed Sputter Deposited AlN Templates2019
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake
- 学会等名
  Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法と高温アニールによるa面サファイア上c面AlNの作製2019
- 著者名/発表者名
  林侑介、藤川海人、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製2019
- 著者名/発表者名
  林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、片山竜二、酒井朗、三宅秀人
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Growth of Si-doped AlGaN on High-Temperature-Annealed MOVPE-Grown AlN Films on Vicinal Sapphire with Sputtered AlN Seed Layers2019
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Y. Tezen, K. Uesugi, K. Norimatsu, K. Shojiki, H. Miyake
- 学会等名
  4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] ストライプ溝サファイア基板上スパッタAlN膜のアニールとHVPEホモ成長2019
- 著者名/発表者名
  西森大智、吉村一輝、肖世玉、正直花奈子, 三宅秀人
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] HVPE法による加工サファイア基板上のAlN成長2019
- 著者名/発表者名
  藤倉序章、今野泰一郎、木村健司、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Design of deep ultraviolet second harmonic generation device with double-layer polarity-inverted AlN waveguide2019
- 著者名/発表者名
  A. Yamaguchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama
- 学会等名
  38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Internal quantum efficiency improvement by using annealed sputtered AlN template2019
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, and H. Miyake
- 学会等名
  Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 深紫外LED社会実装に向けた基板作製技術2019
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、正直花奈子、林侑介、肖世玉、上杉謙次郎、永松謙太郎
- 学会等名
  結晶成長の科学と技術第161委員会第109回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Fabrication of c-AlN/a-Sapphire Templates by Sputtering and High-Temperature Annealing2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, K. Fujikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019(CSW2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] MOVPE Growth on Sputtered Annealed AlN Film / Nano PSS2019
- 著者名/発表者名
  Y. Iba, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake
- 学会等名
  The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Raman scattering evaluation of strain evolution during surface-activated bonding of GaN and removal of Si substrate2019
- 著者名/発表者名
  R. Tanabe, N. Yokokawa, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. J. Cheong, Y. Honda, H. Amano, and R. Katayama
- 学会等名
  38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Input grating coupler for AlN channel waveguide wavelength conversion device2019
- 著者名/発表者名
  Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama
- 学会等名
  38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールAlN/サファイア上へのAlGaN成長での歪み制御2019
- 著者名/発表者名
  稲森崇文、鈴木涼矢、劉小桐、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] RF-MBE法を用いた高品質AlN上へのInN成長2019
- 著者名/発表者名
  橘秀紀，F.B.Abas，高林祐介，毛利真一郎，名西ヤスシ，荒木努，正直花奈子，三宅秀人
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Optical properties of AlGaN multiple quantum wells grown on n-AlGaN using sputter-deposited AlN templates2019
- 著者名/発表者名
  K. Kawabata, S. Kuboya, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
- 学会等名
  38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Deep level luminescence of HVPE grown GaN by below-bandgap photo-excitation2019
- 著者名/発表者名
  Daisuke Uehara, Moe Kikuchi, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, and Yoshihiro Ishitan
- 学会等名
  ICNS-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Functional metal-GaN micro-stripe structures for infrared and ultraviolet regions2019
- 著者名/発表者名
  Tsubasa Yamakawa, Bojin Lin, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, Yusuke Hayashi, Hideto Miyake, Kazuhiro Ohkawa
- 学会等名
  ICNS-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] RF-MBE InN Growth on High-Quality AlN Template2019
- 著者名/発表者名
  Y. Takabayashi, H. Tachibana, F. B. Abs, S. Mouri, T. Araki, H. Miyake, K. Uesugi, K. Shojiki
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] GaNの深い準位の直接光励起による発光特性の考察2019
- 著者名/発表者名
  菊地萌、上原大輔、馬ベイ、森田健、三宅秀人、石谷善博
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] GaNの深い準位の直接光励起による発光特性の考察2019
- 著者名/発表者名
  菊地　萌，上原大輔，馬ベイ,　森田健,三宅秀人，石谷善博
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Threading Dislocation Reduction of Sputter-deposited AlN/sapphire by High-Temperature Annealing2019
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Koizumi, S. Kuboya
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APSW2019)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] アニール処理スパッタAlN膜とn型AlGaN下地層がAlGaN多重量子井戸構造の光学特性に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養分一, 三宅秀人
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] ラマン散乱による表面活性化接合前後のGaN薄膜中の歪変化の評価2019
- 著者名/発表者名
  田辺凌、小野寺卓也、上向井正裕、彦坂年輝、布上真也、正直花奈子、三宅秀人、久志本真希、鄭惠貞、本田善央、天野浩、片山竜二
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールAlNテンプレート上AlGaN多重量子井戸のMOVPE成長2019
- 著者名/発表者名
  河端一輝、窪谷茂幸、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールAlN/サファイア上へのAlGaN成長での歪み制御2019
- 著者名/発表者名
  稲森崇文、鈴木涼矢、劉小桐、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Crack-Free thick AlN Grown on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates with Sputter-Deposited Annealed AlN film by Hydride Vapor-Phase Epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, K. Shojiki, K. Uesugi, and H. Miyake
- 学会等名
  4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 成長モード制御によるAlGaN下地層の高品質化とUV-Bレーザへの応用2019
- 著者名/発表者名
  川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、安江信次、手良村昌平、田中隼也、荻野雄矢、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、岩山章、赤﨑勇、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Fabrication of high-quality AlN on sapphire by high-temperature annealing2019
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Uesugi, S. Xiao, K. Shojiki, H. Koizumi, S. Kuboya
- 学会等名
  1st International Workshop on AlGaN based UV-Laser diodes, Berlin, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計2019
- 著者名/発表者名
  山内あさひ、小松天太、池田和久、上杉謙二郎、正直花奈子、三宅秀人、彦坂年輝、布上真也、森川隆哉、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] ダイヤモンド基板上へのスパッタAlN成膜と高温アニール2019
- 著者名/発表者名
  白土達也、林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発2019
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 正直花奈子, 肖世玉,　劉小桐, 岩山章, 上杉謙次郎, 窪谷茂幸, 小泉晴比古, 手銭雄太, 則松研二
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレート上のAlGaN成長2019
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎、正直花奈子、林侑介、三宅秀人, “
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] MOVPE成長AlN膜をアニールしたテンプレート上へのAlGaN成長2019
- 著者名/発表者名
  窪谷茂幸、手銭雄太、上杉謙次郎、則松研二、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレート上のAlGaN成長2019
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎、正直花奈子、林侑介、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Raman Scattering Investigation of Strain Evolution?during Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si substrate2019
- 著者名/発表者名
  R. Tanabe, T. Onodera, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano, R. Katayama
- 学会等名
  The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 様々なAlNテンプレート上に形成した緩和AlGaN層に作製したUV-Bレーザー2019
- 著者名/発表者名
  手良村昌平、川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、安江信次、田中隼也、荻野雄矢、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、岩山章、赤﨑勇、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 波長変換デバイスに向けたスパッタ成膜AlNの極性制御2019
- 著者名/発表者名
  林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、片山竜二、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Analysis of emission characteristics of deep levels in GaN by direct photo excitation2019
- 著者名/発表者名
  Moe Kikuchi, Daisuke Uehara, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, and Yoshihiro Ishitani
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device2019
- 著者名/発表者名
  Y. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] High-Temperature Annealing of Sputter-Deposited AlN on Diamond Substrate2019
- 著者名/発表者名
  T. Shirato, Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019(CSW2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 深紫外発光素子応用に向けたスパッタ成膜AlNテンプレートの転位密度低2019
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎、林侑介、正直花奈子、永松謙太郎、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] スパッタ法と高温アニールによるa面サファイア上c面AlNの作製2019
- 著者名/発表者名
  林侑介、藤川海人、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 深紫外発光素子応用に向けたスパッタ成膜AlNテンプレートの転位密度低減2019
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎、林侑介、正直花奈子、永松謙太郎、三宅秀人
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] RF-MBE成長InNに対する熱処理の効果2019
- 著者名/発表者名
  福田安莉，橘秀紀，高林祐介，後藤直樹, 毛利真一郎，名西?之，荒木努，正直花奈子，三宅秀人
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器2019
- 著者名/発表者名
  森岡佳紀、上向井正裕、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人、森川隆哉、藤原康文、谷川智之、片山竜二
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ堆積AlNの高温固相成長とその基板上へのAlGaN成長2019
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 上杉謙次郎, Shiyu Xiao, 正直花奈子
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法により形成したサファイア上SiドープAlNの電気特性2019
- 著者名/発表者名
  櫻井悠也、上野耕平、小林篤、上杉謙次郎、三宅秀人、藤岡洋
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ堆積アニールAlNテンプレート上へのMOVPE法ホモ成長2019
- 著者名/発表者名
  川端心、正直花奈子, 上杉謙次郎,　Xiaotong Liu, 三宅秀人
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] ラマン散乱分光法を用いたサファイア基板上AlN薄膜の局所的・異方的歪みの観測2019
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 林侑介, 上杉謙次郎, 三宅秀人
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] “AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器2019
- 著者名/発表者名
  森岡佳紀、山口修平、正直花奈子、林侑介、三宅秀人、塩見圭史、藤原康文、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] MOVPE成長中の極性面AlN表面における吸着原子の安定性解析2019
- 著者名/発表者名
  稲富悠也, 寒川義裕, 岩谷素顕, 三宅秀人
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] アニール処理スパッタAlN膜上AlGaN多重量子井戸構造の光学特性2019
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養分一, 三宅秀人
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 深紫外LED社会実装に向けた基板作製技術2019
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、正直花奈子、林侑介、肖世玉、上杉謙次郎、永松謙太郎
- 学会等名
  結晶成長の科学と技術第161委員会第109回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 高品質AlN上RF-MBE成長InNの極微構造評価2019
- 著者名/発表者名
  荒木努、橘秀紀、高林佑介、福田安莉、毛利真一郎、名西ヤスシ、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Reduction of Threading Dislocation Density in High-temperature Annealed AlN on Sapphire Templates2019
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao
- 学会等名
  19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), 19th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-19)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] MOVPE Growth of AlGaN on High-Temperature Annealed Sputter Deposited AlN Templates2019
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Comparative Study of AlGaN Multiple Quantum Wells on Annealed Sputtered-AlN and MOVPE-Grown-AlN on Sapphire Substrates2019
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, H. Miyake
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Preparation of high-quality thick AlN layer on nano-patterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN film by hydride vapor-phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
- 学会等名
  The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発2019
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、正直花奈子、肖世玉、上杉謙次郎、小泉晴比古、窪谷茂幸
- 学会等名
  徳島大学ポストＬＥＤフォトニクス公開シンポジウム2019～深紫外LEDの可能性と生み出す未来～
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基盤上へのAlGaN深紫外LED作製2018
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎・上杉謙次郎・正直花奈子・吉田治正・三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 二層型ワイヤーグリッド構造における伝搬型表面プラズモンの伝搬特性に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  渡邊直也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会　光エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Preparation of high-quality thick AlN layer on sputtered and annealed nano-patterned sapphire substrates by hydride vapor-phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  . Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 6H-SiC基板上におけるAlN周期構造の作製と評価2018
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, 正直花奈子, 林侑介, 肖世玉, 永松謙太郎, 吉田治正, 三宅秀人
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Polarity Inversion of AlN by Sputtering Condition Control for DUV-SHG Devices2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
- 学会等名
  IWN2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Fabrication of High-Quality AlN Template on Sapphire Using High-Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, X. Liu, S. Kawai, H. Miyake
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Thermal Stress Analysis of AlN/sapphire Templates Fabricated by Sputtering and High Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Tanigawa, S. Tanaka, K. Shojiki, and H. Miyake
- 学会等名
  MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 焦点制御型回折レンズの作製と集光特性評2018
- 著者名/発表者名
  加藤　亮、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  平成30年度照明学会東海支部若手セミナー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Agワイヤーグリッド構造を用いたプラズモニック波長板の作製に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  渡邊陽生、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  平成30年度照明学会東海支部若手セミナー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計2018
- 著者名/発表者名
  山口修平、山内あさひ、上向井正裕、林侑介、三宅秀人、塩見圭史、藤原康文、片山竜二
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] カソードルミネッセンス法によるAlGaN多重量子井戸構造の転位近傍の局所発光2018
- 著者名/発表者名
  倉井聡　井村暢杜　Li Jin　三宅秀人　平松和政　山田陽一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] Homoepitaxy of AlN on annealed AlN/sapphire template2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, X. Liu, Y. Hayashi, X. Shiyu, K. Uesugi
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-7)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Spatially resolved cathodoluminescence on dot-like high-energy emissions near threading dislocations in AlGaN multiple quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] スパッタ条件制御による-c/+c 極性反転AlN 構造の作製2018
- 著者名/発表者名
  林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Polarity Inversion of AlN by Sputtering Condition Control for DUV-SHG Devices2018
- 著者名/発表者名
  Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
- 学会等名
  IWUMD2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] High-temperature annealing of sputter-deposited AlN films on sapphire2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, Y. Hayashi, S. Xiao, K. Uesugi, K. Nagamatsu
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Fabrication of high-quality AlN template by high-temperature annealing2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, Y. Hayashi, X. Shiyu, K. Uesugi, K. Nagamatsu
- 学会等名
  Japanese-Polish Workshop on Crystal Science
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] スパッタ条件制御による-c/+c 極性反転AlN 構造の作製2018
- 著者名/発表者名
  林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Bowing Control of Sputtered AlN Caused by High Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, K. Tanigawa, K. Shojiki, H. Miyake
- 学会等名
  ICMOVPE-XIX
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基板上へのAlGaN深紫外LED作製2018
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎、上杉謙次郎、正直花奈子、吉田治正、三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 歪緩和による深紫外LEDの発光効率改善2018
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎、上杉謙次郎、三宅秀人、吉田治正
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Preparation of high-quality thick AlN layer on sputtered and annealed nano-patterned sapphire substrates by hydride vapor-phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
- 学会等名
  IWUMD2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] AlGaN/アニール処理スパッタAlNテンプレート上に作製した紫外レーザ2018
- 著者名/発表者名
  川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、安江信次、岩山章、金明姫、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] カソードルミネッセンスマッピング法によるAlGaN量子井戸構造の局所発光評価2018
- 著者名/発表者名
  LI JIN　井村暢杜　倉井聡　三宅秀人　平松和政　山田陽一
- 学会等名
  2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] Characterization of strain relaxation behavior of annealed sputter deposited AlN films on SiC substrates2018
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, H. Yoshida, H. Miyake
- 学会等名
  ICMOVPE-XIX
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの作製及び感度評価2018
- 著者名/発表者名
  伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会　光エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 深紫外LED実用化の鍵となる基板作製技術2018
- 著者名/発表者名
  三宅秀人・正直花奈子・林侑介・肖世玉・上杉謙次郎・永松謙太郎
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基板上へのAlGaN深紫外LED作製2018
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎、上杉謙次郎、正直花奈子、吉田治正、三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 『AlNテンプレート高品質化の進展』～深紫外LED実用化の鍵となる基板作製技術～2018
- 著者名/発表者名
  三宅秀人・正直花奈子・林侑介・肖世玉・上杉謙次郎・永松謙太郎
- 学会等名
  学振第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Anisotropic strain in AlN film on sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, K. Uesugi, K. Fujikawa, Y. Hayashi, S. Xiao, H. Miyake
- 学会等名
  IWN2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Crystal quality improvement of sputter-deposited AlN films on SiC substrates by high temperature annealing2018
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake,
- 学会等名
  he 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-7)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Fabrication of High-Quality AlN on Sapphire for Deep UV LED2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Xiao, Y. Hayashi, K. Shojiki
- 学会等名
  Taiwan Solid State Lighting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化2018
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎、林侑介、正直花奈子、永松謙太郎、吉田治正、三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] High-temperature annealing of sputter-deposited AlN films on sapphire2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, Y. Hayashi, S. Xiao, K. Uesugi, K. Nagamatsu
- 学会等名
  IWUMD2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Reduction of threading dislocation density and suppression of cracking for sputter-deposited high-temperature annealed AlN films2018
- 著者名/発表者名
  . Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Fabrication of High-quality AlN Template by High Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake
- 学会等名
  InRel-NPower
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Bowing Control of Sputtered AlN Caused by High Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, K. Tanigawa, K. Shojiki, H. Miyake
- 学会等名
  ICMOVPE-XIX
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] haracterization of strain relaxation behavior of annealed sputter deposited AlN films on SiC substrates2018
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, H. Yoshida, H. Miyake
- 学会等名
  ICMOVPE-XIX
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化2018
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎、林侑介、正直花奈子、永松謙太郎、吉田治正、三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] “Anisotropic strain in AlN film on sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, K. Uesugi, K. Fujikawa, Y. Hayashi, S. Xiao, H. Miyake
- 学会等名
  IWUMD2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Preparation of high-quality thick AlN on sputtered and annealed nano-patterned sapphire substrates by hydride vapor-phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
- 学会等名
  IWN2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Plasma activated bonding of 2-inch sputtered AlN wafers2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, H. Miyake
- 学会等名
  MRS Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Plasma activated bonding of 2-inch sputtered AlN wafers2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, H. Miyake
- 学会等名
  MRS Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 歪緩和による深紫外LEDの発光効率改善2018
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎、上杉謙次郎、三宅秀人、吉田治正
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Crystalline quality improvement and suppression of cracking for sputter-deposited high-temperature annealed AlN films by stress control2018
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi1, Y. Hayashi, K. Shojiki, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
- 学会等名
  IWN2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Fabrication of High-quality AlN Template by High Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake
- 学会等名
  InRel-NPower
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 深紫外LED実用化の鍵となる基板作製技術2018
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、正直花奈子、林侑介、肖世玉、上杉謙次郎、永松謙太郎
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] 表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製2018
- 著者名/発表者名
  小野寺卓也、上向井正裕、髙橋一矢、岩谷素顕、赤﨑勇、林侑介、三宅秀人、久志本真希、鄭惠貞、本田善央、天野浩、片山竜二
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 6H-SiC基板上におけるAlN周期構造の作製と評価2018
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎, 正直花奈子, 林侑介, 肖世玉, 永松謙太郎, 吉田治正, 三宅秀人
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Agワイヤーグリッド構造を用いたプラズモニック波長板の設計と作製に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  渡邊陽生、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基盤上へのAlGaN深紫外LED作製2018
- 著者名/発表者名
  永松謙太郎・上杉謙次郎・正直花奈子・吉田治正・三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Crystal quality improvement of sputter-deposited AlN films on SiC substrates by high temperature annealing2018
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
- 学会等名
  ISGN-7
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] 焦点制御型回折レンズの位相シフトと集光特性の関係2018
- 著者名/発表者名
  加藤亮、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Homoepitaxy of AlN on annealed AlN/sapphire template2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, X. Liu, Y. Hayashi, X. Shiyu, K. Uesugi
- 学会等名
  ISGN-7
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] AlGaN量子井戸構造の高温領域における発光特性2018
- 著者名/発表者名
  赤松勇紀　池田和貴　藤原涼太　久永桂典　田邉凌平　室谷英彰　倉井聡　三宅秀人　平松和政　山田陽一
- 学会等名
  2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] Crystalline quality improvement and suppression of cracking for sputter-deposited high-temperature annealed AlN films by stress control2018
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi1, Y. Hayashi, K. Shojiki, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
- 学会等名
  IWUMD2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Fabrication of high-quality AlN template by high-temperature annealing2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Shojiki, Y. Hayashi, X. Shiyu, K. Uesugi, K. Nagamatsu
- 学会等名
  Japanese-Polish Workshop on Crystal Science
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Fabrication of High-Quality AlN Template on Sapphire Using High-Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, X. Liu, S. Kawai, H. Miyake
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Preparation of high-quality thick AlN on sputtered and annealed nano-patterned sapphire substrates by hydride vapor-phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
- 学会等名
  IWUMD2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02772
[学会発表] Fabrication of High-Quality AlN on Sapphire for Deep UV LED2018
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Xiao, Y. Hayashi, K. Shojiki
- 学会等名
  Taiwan Solid State Lighting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415
[学会発表] Temperature dependence of Stokes shift of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layers2017
- 著者名/発表者名
  H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] Au 2次元回折格子構造による光学素子の作製と光学特性評価2017
- 著者名/発表者名
  山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  伊勢市民観光文化会館（三重県・伊勢市）
- 年月日
  2017-01-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] nvestigation of the sputtered AlN films qualitative improvement process by high- temperature annealing2017
- 著者名/発表者名
  Shi-yu Xiao, Yi-kang Liu, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shunta Harada, Toru Ujihara
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] サファイア基板上AlNテンプレートの高温アニール2017
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、林侑介、Shiyu Xiao
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Temperature dependence of excitonic transitions in deep ultraviolet emitting AlGaN multiple quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  H. Murotani, Y. Hayakawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] 溝加工(10-10)GaN基板上へのGaN選択横方向成長2017
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、岩生浩季、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長2017
- 著者名/発表者名
  吉澤　涼、林　侑介、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会　電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとHVPE法によるホモエピ成長2017
- 著者名/発表者名
  劉怡康、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの光学特性及び感度評価2017
- 著者名/発表者名
  伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子系発光特性の温度依存性2017
- 著者名/発表者名
  早川裕也　室谷英彰　三宅秀人　平松和政　山田陽一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] バイナリ構造を用いた焦点制御型回折レンズの作製と特性評価2017
- 著者名/発表者名
  元垣内敦司、井口陽介、加藤秀治、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Study of curvature during thermal annealing of AlN on sapphire2017
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Fabrication and characterization of a binary diffractive lens for controlling the focal length and depth of focus2017
- 著者名/発表者名
  Atsushi Motogaito, Yousuke Iguchi, Shuji Kato, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 22nd Microoptics Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Agを用いた二層型ワイヤーグリッド構造の周期と波長の依存性2017
- 著者名/発表者名
  渡邊直也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] The Sensor Characteristics of Surface Plasmon Sensor using the 1D Metal Diffraction Grating2017
- 著者名/発表者名
  Yusuke Ito, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 11th Asia-Pacific Conference on Near Field Optics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Effect of Thermal Annealing on AlN Films Grown on Sputtered AlN Templates2017
- 著者名/発表者名
  Ryo Yoshizawa, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  中部大学（愛知県・春日井市）
- 年月日
  2017-03-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] スパッタ法で成膜したr面サファイア基板上a面AlNの高品質化2017
- 著者名/発表者名
  福田涼、山木佑太、林侑介、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Face to Face 高温アニールで生じるAlN膜内歪の定量的評価2017
- 著者名/発表者名
  谷川健太朗、鈴木涼矢、岩山章、林侑介、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] The study of high-temperature annealing process of sputtered AlN films2017
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, Y. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada, and T. Ujihara
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] MOVPE法によるAlN膜のface-to-faceアニール2017
- 著者名/発表者名
  田中襲一、岡田俊祐、林侑介、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Agを用いた二層型ワイヤーグリッド構造の入射角度依存性2017
- 著者名/発表者名
  渡邊直也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用2017
- 著者名/発表者名
  林　侑介、三宅秀人、平松和政、秋山　亨、伊藤智徳、片山竜二
- 学会等名
  電子情報通信学会　電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製2017
- 著者名/発表者名
  林侑介、三宅秀人、平松和政、片山竜二
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] スパッタ法を用いたサファイア基板上へのAlN堆積2017
- 著者名/発表者名
  山木佑太、岩山章、三宅秀人、平松和政、小松永治、寺山暢之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長における窒化温度の影響2017
- 著者名/発表者名
  河合祥也、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 表面プラズモンを用いたワイヤーグリッド偏光子の偏光特性評価に関する研究2017
- 著者名/発表者名
  中嶋智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  伊勢市民観光文化会館（三重県・伊勢市）
- 年月日
  2017-01-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性と感度特性2017
- 著者名/発表者名
  伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  伊勢市民観光文化会館（三重県・伊勢市）
- 年月日
  2017-01-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Excitation Mechanism of Surface Plasmon Polaritons in a Double-Layer Wire Grid Structure2017
- 著者名/発表者名
  Atsushi Motogaito, Tomoyasu Nakajima, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 11th Asia-Pacific Conference on Near Field Optics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの感度評価2017
- 著者名/発表者名
  伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Face to Face アニールによる AlN 分極反転構造の作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  林侑介、三宅秀人、平松和政、片山竜二
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] The controlling of transmittance and reflectance of a 2D metal periodic grating structure for cold filter application2016
- 著者名/発表者名
  Atsushi Motogaito, Masanori Kito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Al0.61Ga0.39N混晶薄膜における励起子および励起子分子のストークスシフトの温度依存性2016
- 著者名/発表者名
  池田和貴　室谷英彰　鶴丸拓斗　藤原涼太　倉井聡　三宅秀人　平松和政　山田陽一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性2016
- 著者名/発表者名
  袴田淳哉、草深敏匡、千賀崇史、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、三宅秀人、赤崎勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京/日本
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Effect of AlN Buffer Layer Thickness on Crystallinity and Surface Morphology of 10-μm-Thick A-Plane AlN Films Grown on R-Plane Sapphire Substrates2016
- 著者名/発表者名
  Chia-Hung Lin, Shinya Tamaki, Yasuhiro Yamashita, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando (USA)
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Agを用いた二層型ワイヤーグリッド構造の光学特性評価2016
- 著者名/発表者名
  渡邊直也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本光学会ナノオプティクス研究グループ第23回研究討論会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス（大阪府・吹田市）
- 年月日
  2016-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Relationship between Space Control and Optical Properties of a Double-layer Surface Plasmon Wire Grid Polariser2016
- 著者名/発表者名
  T. Nakajima, A. Motogaito, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  The 14th International Conference on Near-field Optics, Nanophotonics, and Related Techniques
- 発表場所
  アクトシティ浜松コングレスセンター（静岡県・浜松市）
- 年月日
  2016-09-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] r面サファイア上へのa面AlN成長におけるバッファ層厚さ依存性2016
- 著者名/発表者名
  林家弘、玉置真哉、山下泰弘、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Effect of buffer-layer growth temperature and thermal annealing conditions on a-plane AlN films grown on r-plane sapphire2016
- 著者名/発表者名
  C.-H. Lin, Y. Yamashita, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] サブ波長構造を有するAu2次元回折格子の作製と光学特性評価2016
- 著者名/発表者名
  山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] r 面サファイア上への a 面 AlN 成長におけるバッファ層の成長温度およびバッファ層アニール条件依存性2016
- 著者名/発表者名
  林家弘、山下泰弘、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパスローム記念館（京都府・京都市）
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー―混晶障壁層の組成比依存性(2)―2016
- 著者名/発表者名
  和泉平　福地駿平　井村暢杜　倉井聡　室谷英彰　三宅秀人　平松和政　山田陽一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] Growth of GaN on trench patterned non-polar bulk GaN substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Iwai, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Au2次元回折格子による光学ミラーの作製と光学特性評価2016
- 著者名/発表者名
  山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス（東京都・文京区）
- 年月日
  2016-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] AlGaN多重量子井戸成長におけるAlNバッファ層の効果2016
- 著者名/発表者名
  藤田直宏、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] AlN成長のための空気中アニールによるc面ｻﾌｧｲｱの原子ステップ形成2016
- 著者名/発表者名
  玉置真哉、鈴木周平、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] RF加熱式HVPE法を用いたｻﾌｧｲｱ基板上へのAlN成長2016
- 著者名/発表者名
  山下泰弘、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性2016
- 著者名/発表者名
  伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの光学特性評価2016
- 著者名/発表者名
  伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本光学会ナノオプティクス研究グループ第23回研究討論会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス（大阪府・吹田市）
- 年月日
  2016-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] ワイヤーグリッド構造における表面プラズモン分散曲線と透過率マッピング2016
- 著者名/発表者名
  中嶋智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス（東京都・文京区）
- 年月日
  2016-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Fabrication of High-Quality AlN Template on Sapphire by HighTemperature Annealing2016
- 著者名/発表者名
  Hideto Miyake, Chia-Hung Lin, Yikang Liu and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando (USA)
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  T. Izumi, S. Fukuchi, N. Imura, H. Murotani, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
- 発表場所
  Orlando (USA)
- 年月日
  2016-10-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04335
[学会発表] 2層型ワイヤーグリッド偏光子の空間制御と光学特性評価2016
- 著者名/発表者名
  中嶋智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Detecting High-refractive-index (n>1.5) Media using Surface Plasmon Sensor with One-dimensional Au Diffraction Grating on Glass Substrate2016
- 著者名/発表者名
  Atsushi Motogaito, Shinya Mito, HidetoMiyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  Light, Energy and the Environment Congress
- 発表場所
  Leipzig (Germany)
- 年月日
  2016-11-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Structural Study of GaN Grown on Nonpolar Bulk GaN Substrates with Trench Patterns2016
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Hiroki Iwai, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando (USA)
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] ｒ面ｻﾌｧｲｱ上へのa面AlN成長におけるバッファ層成長温度依存性2016
- 著者名/発表者名
  林家弘、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 一次元金属回折格子を用いた伝搬型表面プラズモンセンサーによる高屈折率媒質の検出（Ⅱ）2015
- 著者名/発表者名
  水戸慎也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Fabrication and optical characterization of a 2D metal periodic grating structure for cold filter application2015
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, M. Kito, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  SPIE Micro+Nano Materials, Devices, and Systems
- 発表場所
  Sydney（Australia）
- 年月日
  2015-12-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Growth of high-quality AlN on sapphire using annealing technique2015
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Tamaki, D. Yasui, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  韓国
- 年月日
  2015-11-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] RF加熱式HVPE法を用いたAlN成長2015
- 著者名/発表者名
  安井, 三宅, 平松, 岩谷, 赤崎, 天野
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE法によるサファイア上AlN成長における界面制御2015
- 著者名/発表者名
  鈴木, 林, 三宅, 平松, 福山
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 2層型2次元金属回折格子の作製とフィルター特性評価2015
- 著者名/発表者名
  元垣内敦司、鬼頭壮宜、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] ±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究2015
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、逢坂崇、谷川智之、松岡隆志
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Influence of Thermal Cleaning on the Surface of Free-Standing GaN Substrates2015
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West Convention Center, San Francisco, California
- 年月日
  2015-04-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール2015
- 著者名/発表者名
  鈴木周平、林家弘、三宅秀人、平松和政、福山博之
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪市立大学（大阪府・大阪市）
- 年月日
  2015-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] r面サファイア上へのa面AlN成長における基板の前処理効果2015
- 著者名/発表者名
  林, 安井, 玉置, 三宅, 平松
- 学会等名
  第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2015-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] ｒ面サファイア上へのa面ＡｌＮ成長におけるバッファ層アニール効果2015
- 著者名/発表者名
  林家弘、安井大貴、玉置真哉、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Transmission of the Double-layer Wire Grid Polarizer and its Dependence on the Incident Angle and the Periodical Structures2015
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, Y. Morishita, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Fabrication of high-quality AlN on sapphire using annealing in a carbon-saturated N2-CO mixture2015
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Suzuki, G. Nishio, K. Hiramatsu, H. Fukuyama
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2015-07-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of AlN layer on sputtered AlN template substrate by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  S. Tamaki, D. Yasui, H. Miyake, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  APWS2015
- 発表場所
  ソウル韓国
- 年月日
  2015-05-17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 一次元金属回折格子を用いた伝搬型表面プラズモンセンサーによる高屈折率媒質の検出2015
- 著者名/発表者名
  水戸慎也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Temperature dependence on AlN buffer layer in N2-CO ambient2015
- 著者名/発表者名
  S. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Fukuyama
- 学会等名
  2015 MRS Spring meeting & exhibit
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2015-04-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール2015
- 著者名/発表者名
  鈴木, 林, 三宅, 平松, 福山
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告ED2015-69
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2015-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア微傾斜角度の影響2015
- 著者名/発表者名
  鈴木周平、林家弘、三宅秀人、平松和政、福山博之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長2015
- 著者名/発表者名
  安井, 三宅, 平松, 岩谷, 赤崎, 天野
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告ED2015-70
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2015-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Influences of NH3 nitridation on the crystal quality of a-plane AlN grown onr-plane sapphire substrates2015
- 著者名/発表者名
  Chia-Hung Lin, D. Yasui, S. Tamaki, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア表面の影響2015
- 著者名/発表者名
  林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] スパッタ法AlNテンプレート基板を用いたAlNのHVPE成長2015
- 著者名/発表者名
  安井大貴、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] r面サファイア上へのa面AlIN成長におけるバッファ層アニール効果2015
- 著者名/発表者名
  林, 安井, 玉置, 三宅, 平松
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Detecion of high-refractive index media by a surface plasmon sensor using a one dimensional metal diffraction grating2015
- 著者名/発表者名
  S.Mito, A.Motogaito, H.Miyake and K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 20th MICROOPTICS CONFERENCE
- 発表場所
  福岡国際会議場（福岡県・福岡市）
- 年月日
  2015-10-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] サファイア上への窒化物半導体エピタキシーにおける界面制御2015
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Stady on surface thermal stability of free-standing GaN substrates2015
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
- 学会等名
  ISPlasma2015
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] CO-N2熱処理法を用いたサファイア基板上への高品質AlN薄膜作製と応用展開2015
- 著者名/発表者名
  三宅, 鈴木, 林, 平松, 福山
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第143回研究会
- 発表場所
  東京都市大学
- 年月日
  2015-06-05
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Annealing Effects on the Microstructure of Aluminum Nitride Buffer Layer MOVPE-Grown on Sapphire Substrate2015
- 著者名/発表者名
  Jesbains Kaur, N. Kuwano, J. Fukuda, Y. Soejima, M. Mitsuhara, S. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Fukuyama
- 学会等名
  The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optimization of Growth Conditions for A-Plane AlN on R-Plane Sapphire2015
- 著者名/発表者名
  C.-H. Lin,S. Suzuki,H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West Convention Center, San Francisco, California
- 年月日
  2015-04-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア表面の影響2015
- 著者名/発表者名
  林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] 高品質AlN結晶成長技術と深紫外デバイスへの応用展開2015
- 著者名/発表者名
  三宅, 鈴木, 林, 平松, 福山
- 学会等名
  日本フォトニクス協議会産業用LED 応用研究会&JPC 紫外線研究会
- 発表場所
  東京理科大学
- 年月日
  2015-06-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア微傾斜角度の影響2015
- 著者名/発表者名
  鈴木周平、林家弘、三宅秀人、平松和政、福山博之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長2015
- 著者名/発表者名
  安井大貴、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪市立大学（大阪府・大阪市）
- 年月日
  2015-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on AlN/Sapphire2015
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Tamaki, D. Yasui, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors
- 発表場所
  福岡
- 年月日
  2015-08-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Temperature Dependence on AlN Buffer Layer in N2-CO Ambient2015
- 著者名/発表者名
  S. Suzuki,H. Miyake,K. Hiramatsu and H. Fukuyama
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West Convention Center, San Francisco, California
- 年月日
  2015-04-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Stady on surface thermal stability of free-standing GaN substrates2015
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
- 学会等名
  ISPlasma 2015
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] AlN growth on sputtering AlN template substrate by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  D. Yasui, S. Tamaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Ag細線構造を用いた二層型ワイヤーグリッド偏光子の光学特性2015
- 著者名/発表者名
  辻村一希、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス（東京都・文京区）
- 年月日
  2015-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03556
[学会発表] Impact of high-temperature annealing of AlN layer on sapphire and itsthermodynamic principle2015
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Fukuyama, Hideto Miyake, Gou Nishio, Shuhei Suzuki, Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-6)
- 発表場所
  アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
- 年月日
  2015-11-08
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] HVPE法AlN成長条件のシミュレーションによる検討2014
- 著者名/発表者名
  安井大貴、三宅秀人、平松和政、河村貴宏
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Study of AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  D. Yasui, H. Miyake, K. Hiramatsu and T. Kawamura
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] GaN growth on carbonized-Si substrate by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  K. Izumi, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku, H. Asamura and K. Kawamura
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Influence of thermal cleaning on free-standing GaN surface2014
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
- 学会等名
  第33回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] 光学フィルタへの応用に向けた金属２次元回折格子構造の作製と光学特性評価2014
- 著者名/発表者名
  鬼頭壮宜、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  機械振興会館
- 年月日
  2014-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] HVPE Homoepitaxy on Freestanding AlN Substrate with Trench Pattern2014
- 著者名/発表者名
  Y. Watanabe、H. Miyake、K. Hiramatsu, Y. Iwasaki and S. Nagata
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta, USA
- 年月日
  2014-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] MOVPE growth of AlN and AlGaN multiple-quantum wells on sapphire for electron-beam-excitation UV light source2014
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, G. Nishio, S. Suzuki, F. Fukuyo*, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi, H. Fukuyama, Y. Tokumoto
- 学会等名
  International Conference on Metamaterials and Nanophysics
- 発表場所
  Varadero(Cuba)
- 年月日
  2014-04-23
- 説明
  【発表確定】
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] バイナリ型回折レンズによるベッセルビーム生成に関する研究2014
- 著者名/発表者名
  丸谷太一、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス
- 年月日
  2014-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Surface treatment of GaN substrates by thermal cleaning2014
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率Al_x. Ga_<1-x>N多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価2014
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 石川陽一, 古澤健太郎, 田代公則, 大友友美, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果2014
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザー量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- 年月日
  2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Influence of thermal annealing in N2-CO ambient on AlN buffer layer2014
- 著者名/発表者名
  S. Suzuki , H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Fukuyama
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア基板のサーマルリング2014
- 著者名/発表者名
  林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Polarization Property of a Double-layer Wire Grid Polarizer and the Mechanism of Transmission2014
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, Y. Morishita, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  17th European Conference on Integrated Optics and 20th Microoptics Conference
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2014-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] サファイア上AlN 緩衝層のN2-CO アニールとMOVPE 法による高温成長2014
- 著者名/発表者名
  鈴木周平、三宅秀人、平松和政、福山博之
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Surface treatment of GaN substrates by thermal cleaning2014
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] サファイア上AlN 緩衝層のN2-CO アニールとMOVPE 法による高温成長2014
- 著者名/発表者名
  鈴木周平、三宅秀人、平松和政、福山博之
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] エピタキシャル成長のためのGaN 自立基板サーマルクリーニング2014
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果2014
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Influence of thermal annealing in N2-CO ambient on AlN buffer layer2014
- 著者名/発表者名
  S. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Fukuyama
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] 2層型ワイヤーグリッド偏光子の偏光特性と表面プラズモン共鳴2014
- 著者名/発表者名
  元垣内敦司、森下雄太、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] 光学フィルタへの応用に向けた金属2次元回折格子構造の作製と可視光及び赤外光の透過・反射制御2014
- 著者名/発表者名
  鬼頭壮宜、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長2014
- 著者名/発表者名
  渡邉祥順、三宅秀人、平松和政、岩崎洋介
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長2014
- 著者名/発表者名
  渡邉祥順、三宅秀人、平松和政、岩崎洋介
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] MOVPE法によるAlGaN成長とその深紫外光源への応用(依頼講演)2014
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会
- 発表場所
  明治大学
- 年月日
  2014-01-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] サファイア上AlGaN多重量子井戸構造における格子緩和層の影響2014
- 著者名/発表者名
  中濵和大, 福世文嗣、三宅秀人, 平松和政, 吉田治正, 小林祐二
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果2014
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Fabrication of AlGaN　Multiple Quantum Wells on Sapphire with Lattice-Relaxation Layer2014
- 著者名/発表者名
  K. Nakahama, F. Fukuyo, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida and Y. Kobayashi
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta, USA
- 年月日
  2014-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] AlGaN系量子井戸構造の高温PL測定2014
- 著者名/発表者名
  早川裕也, 福野智規, 中村豪仁, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] The study for the controlling luminous intensity of white light emitting diode by binary diffractive concave lens2014
- 著者名/発表者名
  N. Hashimoto, K. Manabe, A. Motogaito, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Influence of thermal cleaning on free-standing GaN surface2014
- 著者名/発表者名
  S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
- 学会等名
  第33回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] HVPE　Homoepitaxy on Freestanding AlN Substrate with Trench Pattern2014
- 著者名/発表者名
  Y. Watanabe、H. Miyake、K. Hiramatsu, Y. Iwasaki and S. Nagata
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta, USA
- 年月日
  2014-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] GaN growth on carbonized-Si substrate by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  K. Izumi, H. Miyake, K. Hiramatsu,　H. Oku, H. Asamura, and K. Kawamura
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア基板のサーマルリング2014
- 著者名/発表者名
  林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] The effect of the lattice-relaxation layer of Si-doped AlGaN multiple quantum2014
- 著者名/発表者名
  K. Nakahama, F. Fukuyo, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida, and Y. Kobayashi
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Excitation of Surface Plasmon Polariton at the GaP-Au Interface in a High-Refractive-Index Medium2014
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, S. Nakamura, J. Miyazaki, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  17th European Conference on Integrated Optics and 20th Microoptics Conference
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2014-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果2014
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザー量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- 年月日
  2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] サファイア上AlN緩衝層のN_2-COアニールとMOVPE法によるAlN成長2014
- 著者名/発表者名
  西尾剛, 鈴木周平, 三宅秀人, 平松和政, 福山博之, 徳本有紀, 山田陽一
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] HVPE法による周期溝加工AlN自立基板へのホモエピタキシャル成長2014
- 著者名/発表者名
  渡邉祥順, 三宅秀人, 平松和政, 岩崎洋介, 永田俊郎
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency with Periodic Light-extraction Structures on Sapphire Substrate for Electron-beam-pumped Deep-ultraviolet Light Sources2014
- 著者名/発表者名
  F. Fukuyo, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi
- 学会等名
  ISPlasma 2014
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-03-03
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Studies on surface plasmon sensor using one-dimensional metal diffraction grating2014
- 著者名/発表者名
  S. Mito, A. Motogaito, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] エピタキシャル成長のためのGaN 自立基板サーマルクリーニング2014
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 減圧ＭＯＶＰＥ法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果2014
- 著者名/発表者名
  中濵和大、福世文嗣、三宅秀人、平松和政、吉田治正、小林祐二
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザー量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- 年月日
  2014-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] HVPE 法AlN 成長条件のシミュレーションによる検討2014
- 著者名/発表者名
  安井大貴、三宅秀人、平松和政、河村貴宏
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Study of AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  D. Yasui, H. Miyake, K. Hiramatsu and T. Kawamura
- 学会等名
  The 4th International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] GaP-Au接触界面における伝搬型表面プラズモンポラリトンの励起を用いた化学センサーの製作と評価2013
- 著者名/発表者名
  中村将平、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 非極性GaN基板上への選択成長とInGaN/GaN多重量子井戸構造の作製2013
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、江夏悠貴、長尾哲
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学　銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] GaN growth on off-angle trench patterned GaN/sapphire templates by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  Z. Cai, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  ISPlasma2013
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2013-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Growth of thick AIN on 6H-SiC substrate by low-pressure HVPE2013
- 著者名/発表者名
  S. Kitagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  ISPlasma2013
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2013-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 窒化物半導体AlGaNの成長と電子線励起紫外光源への応用2013
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、平松和政、福世文嗣、吉田治正、小林祐二
- 学会等名
  日本機械学会2013年度年次大会
- 発表場所
  岡山大学
- 年月日
  2013-09-11
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 減圧HVPE法を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御2013
- 著者名/発表者名
  北川慎, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会(ED, CPM, LQE合同研究会)
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth and characterization of Si-doped AlN films on sapphire2013
- 著者名/発表者名
  G. Nishio. H. Miyake and K.
- 学会等名
  MRS-JSAP joint sympojium
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] SiドープAINのMOVPE成長における転位密度の影響2013
- 著者名/発表者名
  西尾剛、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア上AlN成長におけるN2-COアニールによるAlN緩衝層制御2013
- 著者名/発表者名
  西尾剛, 三宅秀人, 平松和政, 福山博之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE growth of Si doped AIN on trench patterned template2013
- 著者名/発表者名
  Gou Nishio, Mitsuhisa Narukawa, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, California, USA
- 年月日
  2013-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア上AlN緩衝層のN_2-rCOアニールとMOVPE法による高温成長2013
- 著者名/発表者名
  西尾剛, 鈴木周平, 三宅秀人, 平松和政, 福山博之
- 学会等名
  電子情報通信学会(ED, CPM, LQE合同研究会)
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Microscopic structure analysis of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/sapphire template by X-ray microdiffraction2013
- 著者名/発表者名
  K. T. Dinh, S. Takeuchi, K. Nakamura, T. Arauchi, Y. Nakamura., H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura and Akira Sakai
- 学会等名
  MRS-JSAP joint sympojium
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] X線回折による断各周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャル成長AlN厚膜の結晶構造解析2013
- 著者名/発表者名
  荒内琢士, 竹内正太郎, 中村邦彦, KhanDhin, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 酒井朗
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 6H-SiC基板上へのAINのHVPE成長における核形成制御2013
- 著者名/発表者名
  北川慎、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] AlNのMOVPE成長におけるSi取り込み量の転位密度依存性2013
- 著者名/発表者名
  西尾剛、三宅秀人、平松和政、徳本有紀、米永一郎
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学　銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Selective-area growth of GaN on nonpolar substrates2013
- 著者名/発表者名
  S. Okada, D. Jinno, M. Narukawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Enatsu, S. Nagao
- 学会等名
  ISPlasma2013
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2013-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] LP-MOVPE法で成長したSi添加Al_xGa_<1-x>N/Al_yGa_<1-y>N多重量子井戸構造(x～0.6)のカソードルミネッセンスマッピング評価2013
- 著者名/発表者名
  倉井聡, 穴井恒二, 若松歩, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlNのMOVPE成長におけるSi取り込み量の転位密度依存性2013
- 著者名/発表者名
  西尾剛、三宅秀人、平松和政、徳本有紀、米永一郎
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学　銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] High-quality AlN growth on 6H-SiC substrate using three dimensional nucleation by low-pressure HVPE2013
- 著者名/発表者名
  S. Kitagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  MRS-JSAP joint sympojium
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN混晶薄膜における励起子分子の熱的安定性2013
- 著者名/発表者名
  古谷佑二郎, 中尾文哉, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Si doped AIN growth on trench patterned template by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G. Nishio, M. Narukawa, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  ISPlasma2013
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2013-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] AlGaN系量子井戸構造における局在励起子分子の結合エネルギー2013
- 著者名/発表者名
  早川裕也, 福野智規, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Epitaxy of AlGaN Multiple-Quantum Wells by MOVPE and Its Application of Ultraviolet Light Source2013
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, F. Fukuyo, S. Ochiai, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  サンフランシスコ（米国）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] AlGaN多重量子井戸層からの電子線励起による発光における障壁層の影響2013
- 著者名/発表者名
  中濱和大、福世文嗣、三宅秀人、平松和政、吉田治正、小林祐二
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学　銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Fabrication of high Al content AlGaN MQWs on AlN/sapphire by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, F. Fukuyo, S. Ochiai, M. Takagi, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y.Kobayashi
- 学会等名
  European Materials Research Society
- 発表場所
  ストラスブール
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] 昇華法AlN基板の表面処理とHVPE法によるホモエピタキシャル成長2013
- 著者名/発表者名
  渡邉祥順、三宅秀人、平松和政、永田俊郎
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学　銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Reflectance Characteristics at the Interface of GaP and Au Contact and the Exciting of the Surface Plasmon Polariton2012
- 著者名/発表者名
  Shohei Nakamura, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 2nd International Symposium for Sustainability By Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2012-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 溝加工AlN基板上へのAlNのMOVPE成長におけるSiドーピング効果2012
- 著者名/発表者名
  西尾剛, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Homoepitaxial growth of nonpolar Si-doped GaN by metal-organic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Bei Ma, Daiki Jinno, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術2012
- 著者名/発表者名
  三宅秀人,平松和政
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] サファイアナノ構造を用いた深紫外光取り出し効率の向上2012
- 著者名/発表者名
  高木麻有奈, 落合俊介, 福世文嗣, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 減圧HVPE法を用いた6H-SiC基板上へのAIN厚膜成長2012
- 著者名/発表者名
  北川慎, 強力尚紀, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Effect of dislocation blocking on HVPE-grown AIN using the grooved seed in triangle-shaped stripe2012
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, T. Nomura, and K. Hiramatsu
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hotel≪Saint-Petersburg≫, St. Petersburg, Russia
- 年月日
  2012-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Investigation of the surface plasmon polariton excitation conditions at a metal-semiconductor contact interface by simulation of reflectance characteristics2012
- 著者名/発表者名
  Atsushi Motogaito, Shohei Nakamura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symosia
- 発表場所
  愛媛大学
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるサファイア界面制御とTEM観察2012
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政, 桑原崇彰, 光原昌寿, 桑野範之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Selective area growth of semipolar(20-21) and (20-2-1) GaN by MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  Daiki Jinno, Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] a面・n面サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2012
- 著者名/発表者名
  強力尚紀, 高木雄太, 三宅秀人, 平松和政,江龍修
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] AIN grown on a-plane and n-plane Sapphire by Low-pressure HVPE2012
- 著者名/発表者名
  Naoki Goriki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Optical analysis of indium incorporation of micro-facets grown on nonpolar GaN bulk substrate2012
- 著者名/発表者名
  B. Ma, D. Jinno, H. Miyake, and K. Hiramatsu
- 学会等名
  第31回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2012-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 溝加工AlN基板上へのAlNのMOVPE成長におけるSiドーピング効果2012
- 著者名/発表者名
  西尾剛, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Si-doped AlGaN量子井戸構造の減圧MOVPE法による成長と発光特性2012
- 著者名/発表者名
  落合俊介, 福世文嗣, 三宅秀人, 平松和政, 吉田治正, 小林祐二
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] a面・n面サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2012
- 著者名/発表者名
  強力尚紀, 高木雄太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] MOVPE Growth of GaN on Off-Angle Trench-Patterned GaN/Sapphire Templates2012
- 著者名/発表者名
  Zhi Cai, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 2nd International Symposium for Sustainability By Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2012-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Thick AIN Growth on 6H-SiC Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Shin Kitagawa, Naoki Gouriki, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 2nd International Symposium for Sustainability By Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2012-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Epitaxy of AlGaN Multiple-Quantum Wells by MOVPE and Its Application of Ultraviolet Light Source2012
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, S.Ochiai1,Y.Shimahara, K. Hiramatsu, F.Fukuyo, H.Yoshida, Y.Kobayashi
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  フロリダ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術2012
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス(招待講演)
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 3C-SiC/Si基板上GaN成長におけるAlN中間層の効果2012
- 著者名/発表者名
  高谷佳史, 方浩, 三宅秀人, 平松和政, 浅村英俊, 川村啓介, 奥秀彦
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] MOVPE法によるm面GaN自立基板上へのGaN選択成長2012
- 著者名/発表者名
  神野大樹, Bei Ma, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 金属 -半導体接触の界面における反射特性と伝搬型表面プラズモンポラリトンの励起2012
- 著者名/発表者名
  中村将平, 元垣内敦司, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会
- 発表場所
  タワーホール船堀
- 年月日
  2012-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるサファイア界面制御とTEM観察2012
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政, 桑原崇彰, 光原昌寿, 桑野範之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用2012
- 著者名/発表者名
  落合俊介、高木麻有奈、福世文嗣、三宅秀人、平松和政、小林祐二、吉田治正
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究会
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2012-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術2012
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス(招待講演)
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Improvement of GaN Quality by Maskless Epitaxy of Lateral Overgrowth on 3C-SiC/Si substrates2012
- 著者名/発表者名
  Hao Fang, Yoshifumi Takaya, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hidetoshi Asamura, Keisuke Kawamura and Hidehiko Oku
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長2012
- 著者名/発表者名
  神野大樹、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、江夏悠貴、長尾哲
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究会
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2012-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Facet Structures of Selective-Area-Grown GaN on Semipolar(20-21) and (20-2-1) Substrates2012
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Daiki Jinno, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 2nd International Symposium for Sustainability By Engineering at MIU
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2012-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 半極性(20-21), (20-2-1)GaN基板上へのMOVPE法による選択成長2012
- 著者名/発表者名
  神野大樹, Bei Ma,三宅秀人, 平松和政, 江夏悠貴, 長尾哲
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 非極性自立GaN結晶のラマン散乱分光による評価2012
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 神野大樹, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE2011
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 高Al組成AlGaN混晶薄膜の励起子分子結合エネルギー2011
- 著者名/発表者名
  橘高亮, 武藤弘貴, 室谷英彰, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
- 発表場所
  名古屋工業大学
- 年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Homo-epitaxial growth of thick AlN film by HVPE2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII 2011)
- 発表場所
  高野山大学
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Raman analysis of HVPE-grown free-standing gallium nitride with various orientations2011
- 著者名/発表者名
  Ma, B; Jinno, D; Miyake, H; Hiramatsu, K; Harima, H
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] エッチピット法によるAlNエビタキシャル膜中の貫通転位の評価2011
- 著者名/発表者名
  野村拓也、三宅秀人、平松和政、龍祐樹、桑原崇彰、桑野範之
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス桂ホール
- 年月日
  2011-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Homo-epitaxial growth of thick AlN film by HVPE2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII 2011)
- 発表場所
  高野山大学(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Al_xGa_<1-x>N混晶の組成決定2011
- 著者名/発表者名
  金廷坤, 木村篤人, 亀井靖人, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 250 nm emission from Si-doped AlGaN and its quantum wells upon excitation by electron beam2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida, T.Fujita, T.Kuwahara, N.Kuwano
- 学会等名
  The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル
- 年月日
  2011-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Influence of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN2011
- 著者名/発表者名
  Miyagawa, R; Yang, S; Miyake, H; Hiramatsu, K
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlNのMOVPE成長におけるキャリアガスの影響2011
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Influence of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN2011
- 著者名/発表者名
  Miyagawa, R; Yang, S; Miyake, H; Hiramatsu, K
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  アメリカサンフランシスコ
- 年月日
  2011-01-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  アメリカサンフランシスコ
- 年月日
  2011-01-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2011
- 著者名/発表者名
  野村拓也, 奥村健太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 福山博之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2011
- 著者名/発表者名
  楊士波、宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政、播磨弘
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 減圧HVPE法を用いたAlN成長における転位密度の低減2011
- 著者名/発表者名
  野村拓也, 藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Study on interface for AlN growth on sapphire substrate2011
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル
- 年月日
  2011-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 深い溝加工の6H-SiC基板を用いた減圧HVPE法によるAlN成長2011
- 著者名/発表者名
  強力尚紀、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE2011
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Raman scattering spectroscopy of residual stresses in epitaxial AlN films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 学会等名
  The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル
- 年月日
  2011-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlNのMOVPE成長におけるキャリアガスの影響2011
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 3C-SiC/Si基板上AlGaN-buffer層を用いたGaN成長の歪み制御2011
- 著者名/発表者名
  高谷佳史、大内澄人、方浩、三宅秀人、平松和政、浅村英俊、川村啓介
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 溝加工AlN上でのMOVPE法におけるAlN成長速度の異方性2011
- 著者名/発表者名
  楊士波, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by lowpressure HVPE2011
- 著者名/発表者名
  Takagi, Y Miyagawa, R Miyake, H Hiramatsu, K
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
- 年月日
  2011-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by lowpressure HVPE2011
- 著者名/発表者名
  Takagi, Y Miyagawa, R Miyake, H Hiramatsu, K
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
- 年月日
  2011-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Ultraviolet light source using MOVPE grown Si-doped AlGaN on AlN/sapphire2011
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Shimahara, S. Ochiai, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, H. Yoshida
- 学会等名
  E-MRS Spring Meeting(招待講演)
- 発表場所
  ニース(フランス)
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlN homo-epitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE2011
- 著者名/発表者名
  T.Nomura, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu, Y.Yamada
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  アメリカサンフランシスコ
- 年月日
  2011-01-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価2011
- 著者名/発表者名
  野村拓也、三宅秀人、平松和政、龍祐樹、桑原崇彰、桑野範之
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス桂ホール
- 年月日
  2011-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率に対するSi添加効果2011
- 著者名/発表者名
  赤瀬大貴, 室谷英彰, 穴井恒二, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
- 発表場所
  名古屋工業大学
- 年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Raman scattering spectroscopy of residual stresses in epitaxial AlN films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 学会等名
  The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル
- 年月日
  2011-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Shimahara, S. Ochiai, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
- 学会等名
  3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma 2011)
- 発表場所
  名古屋工業大学
- 年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Si-doped AlGaN多重量子井戸の作製と発光特性2011
- 著者名/発表者名
  落合俊介, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlN/サファイア上の低?中Al組成AlGaN層の成長過程と転位の挙動2011
- 著者名/発表者名
  桑野範之, 藤田智彰, 桑原崇彰, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Homo-epitaxial growth of thick AlN film by HVPE2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII 2011)
- 発表場所
  高野山大学
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication and emission properties of Si-doped AlGaN multiple quantum wells2011
- 著者名/発表者名
  S.Ochiai, Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada
- 学会等名
  第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Al_xGa_<1-x>N膜におけるLOフォノン-プラズモン結合モードの観測2011
- 著者名/発表者名
  木村篤人, 金廷坤, 亀井靖人, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] MOVPE法による選択成長を用いたGaN基板の反り制御2011
- 著者名/発表者名
  大内澄人, 直井弘之, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価(2)2011
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御2011
- 著者名/発表者名
  大内澄人、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 非極性自立基板を用いたGaNホモエピタキシャル成長2011
- 著者名/発表者名
  神野大樹, Bei Ma, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Effects of carrier gas and temperature on MOVPE growth of AlN2011
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] AlN homo-epitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE2011
- 著者名/発表者名
  T.Nomura, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu, Y.Yamada
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  アメリカサンフランシスコ
- 年月日
  2011-01-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Study on interface for AlN growth on sapphire substrate2011
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル
- 年月日
  2011-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Si-doped AlGaN超格子の作製と発光評価2011
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 島原佑樹, 落合俊介, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正, 桑野範之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いたHVPE法によるAlN厚膜成長2011
- 著者名/発表者名
  高木雄太、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Distribution of three-dimensional local strain in thick AlN film grown on a trenchpatterned AlN/α-Al_2O_3 template2011
- 著者名/発表者名
  原田進司, 渡邉翔太, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 坂田修
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 周期溝加工c面AlN/a面Sapphire上への減圧HVPE法によるAlN成長2011
- 著者名/発表者名
  高木雄太, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/a面Sapphire上への厚膜AIN成長2011
- 著者名/発表者名
  高木雄太, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2011
- 著者名/発表者名
  野村拓也, 奥村健太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 福山博之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] MOVPE法による選択成長を用いたGaN基板の反り制御2011
- 著者名/発表者名
  大内澄人, 直井弘之, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御2011
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈、楊士波、三宅秀人、平松和政、桑原崇彰、桑野範之、光原昌寿
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス桂ホール
- 年月日
  2011-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] AlN/サファイア上の低?中Al組成AlGaN層の成長過程と転位の挙動2011
- 著者名/発表者名
  桑野範之, 藤田智彰, 桑原崇彰, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価(2)2011
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] AlN homo-epitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE2011
- 著者名/発表者名
  T.Nomura, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu, Y.Yamada
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  アメリカサンフランシスコ
- 年月日
  2011-01-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Si-doped AlGaN超格子の作製と発光評価2011
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 島原佑樹, 落合俊介, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正, 桑野範之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2011
- 著者名/発表者名
  楊士波、宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政、播磨弘
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
- 発表場所
  名古屋工業大学
- 年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 学会等名
  SPIE Photonic West 2011
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 年月日
  2011-01-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth2011
- 著者名/発表者名
  R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake, and K. Hiramatsu, H. Miyake, K. Okumura, T. Nomura, K. Hiramatsu and Y. Yamada
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Wakayama, Japan
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Ultraviolet light source using MOVPE grown Si-doped AlGaN on AlN/sapphire2011
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  E-MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Congress Center(ニース、フランス)(招待講演)
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 無極性・半極性自立基板を用いたGaNホモエピタキシャル成長2011
- 著者名/発表者名
  神野大樹、馬ベイ、方浩、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] X線マイクロ回折を用いたGaN自立基板の格子面傾斜ゆらぎの解析2011
- 著者名/発表者名
  渡邉翔大, 原田進司, Thanh Khan Dinh, 吉川純, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身, 酒井朗
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いたHVPE法によるAlN厚膜成長2011
- 著者名/発表者名
  高木雄太、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2011
- 著者名/発表者名
  野村拓也, 奥村健太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 福山博之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 周期溝加工c面AlN/a面Sapphire上への減圧HVPE法によるAlN成長2011
- 著者名/発表者名
  高木雄太, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 深い溝加工の6H-SiC基板を用いた減圧HVPE法によるAlN成長2011
- 著者名/発表者名
  強力尚紀、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Ultraviolet Light Source using MOVPE grown Si-doped AlGaN on AlN/Sapphire2011
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, H. Yoshida
- 学会等名
  E-MRS 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 溝加工AlN上でのMOVPE法におけるAlN成長速度の異方性2011
- 著者名/発表者名
  楊士波,宮川鈴衣奈,三宅秀人,平松和政
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 周期溝加工c面AlN/a面Sapphire上への減圧HVPE法によるAlN成長2011
- 著者名/発表者名
  高木雄太, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Effects of carrier gas and temperature on MOVPE growth of AlN2011
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011
- 著者名/発表者名
  S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  アメリカサンフランシスコ
- 年月日
  2011-01-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] PETフィルム上バイナリ型回折凸レンズにおける緑色光の配光制御2011
- 著者名/発表者名
  元垣内敦司, 荒川和哉, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/a面Sapphire上への厚膜AlN成長2011
- 著者名/発表者名
  高木雄太, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価(2)2011
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(予稿集DVD)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 自立GaN結晶を用いたラマン散乱分光の面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  馬ベイ、神野大樹、三宅秀人、平松和政、播磨弘
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御2011
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈、楊士波、三宅秀人、平松和政、桑原崇彰、桑野範之、光原昌寿
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス桂ホール
- 年月日
  2011-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Strain control of GaN grown on 3C-SiC/Si substrate using AlGaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  Fang, H; Takaya, Y; Ohuchi, S; Miyake, H; Hiramatsu, K; Asamura, H; Kawamura, K
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] r面サファイア上a面GaN成長における反りのその場観察2010
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  Montpellier,France
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconduct or Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京(招待講演)
- 年月日
  2010-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2010
- 著者名/発表者名
  楊士波, 宮川鈴衣奈, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
- 発表場所
  韓国ソウル(招待講演)
- 年月日
  2010-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京(招待講演)
- 年月日
  2010-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Evidence for Movement of Threading Dislocations in GaN Thin Layers during the VPE Growth2010
- 著者名/発表者名
  N.Kuwano, T.Fujita, T.Ezaki, R.Miyagawa, S.Ohuchi, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  フランスモンペリエ
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 短焦点距離バイナリ型回折レンズにおける回折効率の周期内凸部占有率依存性2010
- 著者名/発表者名
  荒川和哉, 元垣内敦司, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会
- 発表場所
  中央大学駿河台記念館
- 年月日
  2010-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価2010
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 陽電子消滅によるAlGaN中の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 三宅秀人, 平松和政, 石橋章司
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(招待講演)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 電子線励起による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製2010
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長2010
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 野村拓也, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] MOVPE growth of Si-doped AlGaN and its application for ultra-violet light source2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu
- 学会等名
  10th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  ルブラ王山(名古屋市)(招待講演)
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlN Growth on Trench-Patterned AlN/Sapphire by Low-Pressure HVPE2010
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film on trench-patterned AlN template2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconduct or Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京
- 年月日
  2010-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Structural study of selective-area grown a-plane GaN2010
- 著者名/発表者名
  B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2010-07-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  フランスモンペリエ
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における界面制御2010
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚市)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, H. Taketomi, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED2010)(招待講演)
- 発表場所
  北京(中国)
- 年月日
  2010-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication and characterization of binary diffractive lens with the 100μm-order-focal length2010
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, K. Arakawa, Y. Nakayama, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  16th Microoptics Conference(MOC2010)
- 発表場所
  新竹(台湾)
- 年月日
  2010-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] HVPE growth of c-plane AlN on a-plane sapphire using high-temperature buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] サファイア基板上AlN成長における界面層評価2010
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのAlN横方向成長2010
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Low Pressure HVPE Growth of AlN on 6H-SiC2010
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価2010
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Growth of High-Quality AlN on a-Plane Sapphire by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Si-doped AlGaNのMOVPE成長と光学特性評価2010
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学 (平塚市)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication of ultraviolet-C light source using MOVPE grown AlGaN layer on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2010
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA(招待講演)
- 年月日
  2010-01-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violer Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京(招待講演)
- 年月日
  2010-05-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 溝加工6H-SiC基板上への減圧HVPE法によるAlN成長2010
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学 (平塚市)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN2010
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Interface Control of AlN Buffer and Sapphire Substrate for AlN Growth2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
- 発表場所
  アメリカタンパ
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AIN Growth on Trench-Patterned AlN/Sapphire by Low-Pressure HVPE2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Study on AlN buffer layer for AlN growth on sapphire substrate by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryu
- 学会等名
  The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー
- 年月日
  2010-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Low Pressure HVPE Growth of AIN on 6H-SiC2010
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, H. Taketomi, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  Beijing, China(招待講演)
- 年月日
  2010-05-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2010
- 著者名/発表者名
  楊士波, 宮川鈴衣奈, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Stress Analysis of a-plane GaN Grown on r-plane Sapphire Substrates2010
- 著者名/発表者名
  B.Ma, J.Zhang, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
- 発表場所
  アメリカタンパ
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
- 学会等名
  Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
- 発表場所
  Seoul Korea
- 年月日
  2010-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 高Al組成を有するAl_xGa_<1-x>Nの深い電子準位の評価2010
- 著者名/発表者名
  奥崎慎也, 菅原克也, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 橋詰保
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] MOVPE growth of Si-doped AlGaN and its application for ultra-violet light source2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu
- 学会等名
  10th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  ルブラ王山(名古屋市)(招待講演)
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 昇華法AlN基板上への減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2010
- 著者名/発表者名
  野村拓也, 奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 山田陽一
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  フランスモンペリエ
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Growth of High-Quality AlN on a-Plane Sapphire by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] AlN Growth on Trench-Patterned AlN/Sapphire by Low-Pressure HVPE2010
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Al_xGa_<1-x>N膜組成とバンドギャップ変化の分光評価2010
- 著者名/発表者名
  木村篤人, 金廷坤, 亀井靖人, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Optical Polarization Properties of Si-doped AlGaN Ternary Alloy Epitaxial Layers2010
- 著者名/発表者名
  H.Murotani, R.Kittaka, S.Kurai, Y.Yamada, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
- 発表場所
  アメリカタンパ
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] r面サファイア上a面GaNの反り異方性2010
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] AlGaN混晶の広領域での複素屈折率2010
- 著者名/発表者名
  岩井浩紀, 小田哲, 福井一俊, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2010
- 著者名/発表者名
  楊士波, 宮川鈴衣奈, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 電子線励起法による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製と特性評価2010
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における界面制御2010
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学 (平塚市)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Growth of High-Quality AlN on a-Plane Sapphire by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Low Pressure HVPE Growth of AlN on 6H-SiC2010
- 著者名/発表者名
  K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN2010
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] AlN/サファイア上AlGaN層の成長過程と貫通転位の挙動2010
- 著者名/発表者名
  桑野範之, 藤田智彰, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(招待講演)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film on trench-patterned AlN template2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京
- 年月日
  2010-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Deep-ultraviolet luminescence from Si-doped AlGaN grown by low-pressure MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京
- 年月日
  2010-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長2010
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 野村拓也, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長2010
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 野村拓也, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of ultraviolet-C light source using MOVPE grown AlGaN layer on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  三宅秀人
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2010
- 発表場所
  サンフランシスコ (米国)
- 年月日
  2010-01-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] HVPE growth of c-plane AlN on a-plane sapphire using high-temperature buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Recombination Dynamics of Localized Excitons in Al_xGa_<1-x>N (0.37<x<0.81) Ternary Alloys2010
- 著者名/発表者名
  H.Murotani, R.Kittaka, S.Kurai, Y.Yamada, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
- 発表場所
  アメリカタンパ
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 昇華法AlN基板上への減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2010
- 著者名/発表者名
  野村拓也, 奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 山田陽一
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Fabrication and characterization of binary diffractive lens with the 100μm-order-focal length2010
- 著者名/発表者名
  A.Motogaito, K.Arakawa, Y.Nakayama, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  16^<th> Microoptics Conference (MOC2010)
- 発表場所
  台湾新竹
- 年月日
  2010-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 電子線励起による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製2010
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryu
- 学会等名
  The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー
- 年月日
  2010-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 選択成長により形成されたボイドを利用したGaN膜の反り制御2010
- 著者名/発表者名
  大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Stress Analysis of a-plane GaN Grown on r-plane Sapphire Substrates2010
- 著者名/発表者名
  B.Ma, J.Zhang, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
- 発表場所
  アメリカタンパ
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] サファイア基板上AlN成長における界面層評価2010
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Si-doped AlGaNのMOVPE成長と光学特性評価2010
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚市)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] AlNのサファイア上AlGaN層の成長過程と貫通転位の挙動2010
- 著者名/発表者名
  桑野範之, 藤田智彰, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
- 学会等名
  Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting(招待講演)
- 発表場所
  ソウル(韓国)
- 年月日
  2010-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  フランスモンペリエ
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlGaN混晶薄膜における偏光特性のSi濃度依存性2010
- 著者名/発表者名
  室谷英彰, 橘高亮, 武藤弘貴, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 短焦点距離バイナリ型回折レンズの構造最適化2010
- 著者名/発表者名
  荒川和哉、中山裕次、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第35回光学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所
- 年月日
  2010-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
- 発表場所
  韓国ソウル(招待講演)
- 年月日
  2010-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Interface Control of AlN Buffer and Sapphire Substrate for AlN Growth2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
- 発表場所
  アメリカタンパ
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Deep-ultraviolet luminescence from Si-doped AlGaN grown by low-pressure MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconduct or Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京
- 年月日
  2010-05-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 選択成長により形成されたボイドを利用したGaN膜の反り制御2010
- 著者名/発表者名
  大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 選択成長を用いて形成したボイドによるGaN膜の反り制御2010
- 著者名/発表者名
  大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価2010
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 選択成長を用いて形成したボイドによるGaN膜の反り制御2010
- 著者名/発表者名
  大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Interface Control of AlN Buffer and Sapphire Substrate for AlN Growth2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
- 発表場所
  アメリカタンパ
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Fabrication of 247nm Light-Source Using AlGaN on AlN/Sapphire2010
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, et al.
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlGaN混晶薄膜の励起スペクトル2010
- 著者名/発表者名
  橘高亮, 室谷英彰, 武藤弘貴, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film on trench-patterned AlN template2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京
- 年月日
  2010-05-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 昇華法AlN基板上への減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2010
- 著者名/発表者名
  野村拓也, 奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 山田陽一
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] サファイア基板上AlN成長における界面層評価2010
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Fabrication of ultraviolet-C light source using MOVPE grown AlGaN layer on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  三宅秀人
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2010
- 発表場所
  サンフランシスコ (米国)
- 年月日
  2010-01-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 電子線励起による深紫外光源の開発2010
- 著者名/発表者名
  福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正, 島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(招待講演)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 電子線励起法による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製と特性評価2010
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
- 発表場所
  韓国ソウル(招待講演)
- 年月日
  2010-10-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 溝加工6H-SiC基板上への減圧HVPE法によるAlN成長2010
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚市)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of ultraviolet-C light source using MOVPE grown AlGaN layer on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  Hideto Miyake
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2010(招待講演)
- 発表場所
  サンフランシスコ(米国)
- 年月日
  2010-01-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのAlN横方向成長2010
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] HVPE growth of c-plane AlN on a-plane sapphire using high-temperature buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] r面サファイア上a面GaNの反り異方性2010
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのAlN横方向成長2010
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Study on AlN buffer layer for AlN growth on sapphire substrate by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] r面サファイア上a面GaN成長における反りのその場観察2010
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryu
- 学会等名
  The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー
- 年月日
  2010-06-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN2010
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Study on AlN buffer layer for AlN growth on sapphire substrate by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 溝加工6H-SiC基板上への減圧HVPE法によるAlN成長2010
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学 (平塚市)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] Structural study of selective-area grown a-plane GaN2010
- 著者名/発表者名
  B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2010-07-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Deep-ultraviolet luminescence from Si-doped AlGaN grown by low-pressure MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  中国北京
- 年月日
  2010-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Fabrication of 247 nm Light-Source Using AlGaN on AlN/Sapphire2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, et al.
- 学会等名
  IS Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of ultraviolet-C light source using MOVPE grown AIGaN layer on AlN/sapphire2010
- 著者名/発表者名
  Hideto Miyake
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2010
- 発表場所
  サンフランシスコ(米国)
- 年月日
  2010-01-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Effects of r-plane sapphire nitridation on a-plane GaN grown by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
- 発表場所
  張家界(中国)
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 減圧HVPE法による溝加工基板上へのAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  奥浦一輝、藤田浩平、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 周期溝加工基板を用いた減圧HVPE法によるAlN厚膜成長2009
- 著者名/発表者名
  平松和政, 三宅秀人, 奥浦一輝, 桑野範之
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] HVPE growth of AlN on trench patterned sapphire2009
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Katagiri, K. Okuura and K.Hiramatsu
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  San Jose, USA
- 年月日
  2009-01-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長2009
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 宮川鈴衣奈, 胡衛国, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  豊橋技術科学大学
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Influence of off-cut angle of sapphire on the crystal quality of nonpolara-plane AlN by LP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
- 発表場所
  張家界 (中国)
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] MOVPE法による高温AlN成長2009
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] HVPE growth of AlN on trench patterned sapphire2009
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Katagiri, K.Okuura, K.Hiramatsu
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  San Jose, CA, USA(招待講演)
- 年月日
  2009-01-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] MOVPE法を用いたa面GaNの選択成長2009
- 著者名/発表者名
  馬ベイ、胡衛国、宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AlN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島 (韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 高Al組成AlGaNのAlN/sapphire上へのMOVPE成長と発光特性2009
- 著者名/発表者名
  島原佑樹、武富浩幸、三宅秀人、平松和政, 他4名
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] MOVPE法を用いたa面GaNの選択成長2009
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 胡衛国, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAIN成長2009
- 著者名/発表者名
  藤田浩平、奥浦一一輝、三宅秀人、平松和政、乗松潤、平山秀樹
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  徳島大学
- 年月日
  2009-11-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 窒化物半導体のMOVPE成長におけるその場観察2009
- 著者名/発表者名
  生川満久, 西村将太, 小川原悠哉, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] HVPE growth of AlN on trench patterned sapphire(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Katagiri, K. Okuura and K. Hiramatsu
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 年月日
  2009-01-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] In situ monitoring on MOVPE growth of nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  生川満久, 西村将太, 小川原悠哉, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖 (滋賀県守山市)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Mobility enhancement in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structures2009
- 著者名/発表者名
  W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
- 発表場所
  張家界 (中国)
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] r面サファイア上へのMOVPE法によるa面AlN, AlGaN成長2009
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlN/sapphhle上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性2009
- 著者名/発表者名
  島原佑樹、武富浩幸、三宅秀人、平松和政, 他4名
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  徳島大学
- 年月日
  2009-11-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 減圧HVPE法による溝加工基板上へのAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  奥浦一輝, 藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AIN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semi conductors
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, H. Taketomi, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, et al.
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(招待講演)
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] A-Plane AlN and AlGaN Growth on R-Plane Sapphire by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 減圧HVPE法による溝加工基板上へのAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  奥浦一輝, 藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 武富浩幸, 島原佑樹, 平松和政, et al.
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島 (韓国)
- 年月日
  2009-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法による6H-SiC上へのAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] MOVPE法による高温AlN成長2009
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 加工サファイア基板上へのMOVPE法によるGaN成長における反射・反りのその場観察2009
- 著者名/発表者名
  西村将太、生川光久、三宅秀人、平松和政、深野敦之、谷口豊
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Low-Pressure HVPE growth of thick AlN on trench patterned Sapphire substrate2009
- 著者名/発表者名
  K. Okuura, Y. Katagiri, H. Miyake and K.Hiramatsu
- 学会等名
  First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2009-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] 高Al組成AlGaNのAlN/sapphire 上へのMOVPE成長と発光特性2009
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 減圧HVPE法による6H-SiC上へのAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 窒化物半導体のMOVPE成長におけるその場観察2009
- 著者名/発表者名
  生川満久、西村将太、小川原悠哉、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AlN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semi conductors
- 発表場所
  済州島 (韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長2009
- 著者名/発表者名
  馬ベイ、宮川鈴衣奈、胡衛国、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  豊橋技術科学大学
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  藤田浩平、奥浦一輝、三宅秀人、平松和政、乗松潤、平山秀樹
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE growth of AlN on trench pat terned sapphire(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Katagiri, K. Okuura, K. Hiramatsu
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  San Jose, CA, USA
- 年月日
  2009-01-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] 電子線励起によるAlGaNを用いた深紫外光源2009
- 著者名/発表者名
  武富浩幸, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AlN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] r面サファイア上へのMOVPE法によるa面AlN、 AlGaN成長2009
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 減圧HVPE法による6H-SiC上へのAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  奥村建太、三宅秀人、平松和政、江龍修
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, et al.
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semi conductors
- 発表場所
  済州島(韓国)
- 年月日
  2009-10-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560014
[学会発表] 電子線励起によるAlGaNを用いた深紫外光源2009
- 著者名/発表者名
  武富浩幸、島原佑樹、三宅秀人、平松和政, 他4名
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009
- 著者名/発表者名
  藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  徳島大学
- 年月日
  2009-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Mobility enhancement in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structures2009
- 著者名/発表者名
  W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake K.Hiramatsu
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
- 発表場所
  張家界(中国)
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] In situ monitoring on MOVPE growth of nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  M. Narukawa, Y. Ogawahara, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2009-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] Influence of off-cut angle of sapphire on the crystal quality of nonpolara-plane AIN by LP-HVPE2009
- 著者名/発表者名
  J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
- 発表場所
  張家界(中国)
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Control of Facet Structures in Selective Area Growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  B.Ma, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  MRS Fall Meeting
- 発表場所
  ボストン(米国)
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光2009
- 著者名/発表者名
  武富浩幸、三宅秀人、平松和政, 他4名
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  豊橋技術科学大学(豊橋市)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Growth of High Quality c-plane AlN on a-plane Sapphire2009
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  MRS Fall Meeting
- 発表場所
  ボストン (米国)
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 周期溝加工基板を用いた減圧HVPE法によるAlN厚膜成長2009
- 著者名/発表者名
  平松和政、三宅秀人、奥浦一輝、桑野範之
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] A-Plane AlN and AlGaN Growth on R-Plane Sapphire by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州島 (韓国)
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Control of Facet Structures in Selective Area Growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  MRS Fall Meeting
- 発表場所
  ボストン (米国)
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlN/sapphire 上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光2009
- 著者名/発表者名
  武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  豊橋技術科学大学 (豊橋市)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] 加工サファイア基板上へのMOVPE法によるGaN成長における反射・反りのその場観察2009
- 著者名/発表者名
  西村将太, 生川光久, 三宅秀人, 平松和政, 深野敦之, 谷口豊
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] Effects of r-plane sapphire nitridation on a-plane GaN grown by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
- 発表場所
  張家界 (中国)
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] AlN/sapphire 上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性2009
- 著者名/発表者名
  島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  徳島大学
- 年月日
  2009-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360007
[学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, et al.
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] In situ monitoring on MOVPE growth of nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  M.Narukawa, S.Nishimura, Y.Ogawahara, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Growth of High Quality c-plane AlN on a-plane Sapphire2009
- 著者名/発表者名
  R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
- 学会等名
  MRS Fall Meeting
- 発表場所
  ボストン(米国)
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] ファセット制御ELO法による窒化物半導体のエピタキシャル成長2008
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  日本学術振興会マイクロビームアナリシス第141委員会
- 発表場所
  三重大学(招待講演)
- 年月日
  2008-05-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu et al.
- 学会等名
  14th International Conference on Metalorganic vapor phase epitaxy
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE Growth of Crack-free Thick AlN Using Strain-Contrkl Technique2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, K. Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Swiss
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] The effects of growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN by LP-HVPE2008
- 著者名/発表者名
  J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] Fabrication of the binary blazed diffractive lens for controlling the luminous intensity distribution of LED light2008
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, N. Machida, T. Morikawa, K. Manabe, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  6th International Conference on Optics-photonics Design & Fabrication
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2008-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] HVPE Growth of Crack-free Thick AlN Using Strain-Control Technique2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, and K. Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of the binary blazeddiffractiveeens for controling the luminous intensity distribution of LED light2008
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, N. Machida, T. Morikawa, K. Manabe, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  6th Internat ional Conference on Optics-photonics Design and Fabrication
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2008-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu et.al.
- 学会等名
  14th International Conference on Metalorganic vapor phase epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M.Narukawa, K.Hiramatsu, et.al.
- 学会等名
  14th International Conference on Metal organic vapor phase epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] HVPE Growth of Crack-free Thick AlN Using Strain-Control Technique2008
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, K.Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux,Switzerland
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Fabrication of the binary blazed diffractive lens for controlling the luminous intensity distribution of LED light2008
- 著者名/発表者名
  A. Motogaito, N. Machida, T. Morikawa, K. Manabe, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  International Conference on Optics-photonics Design & Fabrication
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2008-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, N.Masuda, Y.Ogawahara, M.Narukawa, K.Hiramatsu, et al.
- 学会等名
  14th International Conference on Metalorganic vapor phase epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] ファセット制御ELO法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  日本学術振興会マイクロビームアナリシス第141委員会
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2008-05-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hirama tsu, et al.
- 学会等名
  14th International Conference on Metal organic vapor phase epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] HVPE Growth of Crack-free Thick AlN Using Strain-Control Technique2008
- 著者名/発表者名
  H.Miyake, Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, and K. Hiramatsu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Swiss
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] R面サファイア上へのA面GaN成長における成長圧力依存性(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 宮川鈴衣奈, 生川満久、平松和政
- 学会等名
  プレ・ISGN-2シンポジウム
- 発表場所
  東京・田町
- 年月日
  2007-12-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[学会発表] R面サファイア上へのA面GaN成長における成長圧力依存性(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 宮川鈴衣奈, 生川満久、平松和政
- 学会等名
  プレ・ISGN・2シンポジウム
- 発表場所
  東京・田町
- 年月日
  2007-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[学会発表] Optical characterization of Japanese papers for application to the LED lighting system with human sensitivity2007
- 著者名/発表者名
  A.Motogaito, K.Manabe, Y.Yamanaka, N.Machida, H.Miyake and K.Hiramatsu
- 学会等名
  1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting Devices2007
- 著者名/発表者名
  K.Hiramatsu, H.Miyake, D.Li
- 学会等名
  1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
- 発表場所
  Tokyo, Japan(招待講演)
- 年月日
  2007-11-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting Devices(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  K.Hiramatsu, H.Miyake and D.Li
- 学会等名
  1st International Conference on White LEDs andSolid State Lighting
- 発表場所
  東京都港区
- 年月日
  2007-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] HVPE法によるGaN・AIN成長の現状と課題2007
- 著者名/発表者名
  平松和政, 劉玉懐, 三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学(招待講演)
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Growth of High AIN Molar Fraction AlGaN on Selective-Area-Growth GaN2007
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, N. Masuda, K. Hiramatsu
- 学会等名
  The Seventh International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7), P2
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[学会発表] HVPE法によるGaN・AIN成長の現状と課題(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  平松和政, 劉玉懐, 三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道札幌市手稲区
- 年月日
  2007-09-06
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[学会発表] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting Devices2007
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
- 学会等名
  1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
- 発表場所
  東京(招待講演)
- 年月日
  2007-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] HVPE法によるGaN・AIN成長の現状と課題(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  平松和政, 劉玉懐, 三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道札幌市手稲区
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360008
[学会発表] HVPE法によるGaN・AIN成長の現状と課題(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  平松和政, 劉玉懐, 三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting Devices(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
- 学会等名
  1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
- 年月日
  2007-11-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069006
[学会発表] Optical Characterization of AIGaN grown on incline-grooved AIN epilayer2006
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, A. Ishiga, N. Umeda, T. Shibata, M. Tanaka, K. Hiramatsu
- 学会等名
  1st International Symposium on Nitride Growth
- 発表場所
  LinkoSping, Sweden
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[学会発表] Blue Emission from InGaN/GaN Hexagonal Pyramid Structures2006
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, K. Nakao, K. Hiramatsu
- 学会等名
  6th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanos-tructures
- 発表場所
  Magdeburg, Germany
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560010
[学会発表] MOVPE growth of AlN and AlGaN multiple-quantum wells on sapphire for electron-beam-excitation UV light source
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, G. Nishio, S. Suzuki, F. Fukuyo, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi, H. Fukuyama, Y. Tokumoto
- 学会等名
  International Conference on Metamaterials and Nanophysics
- 発表場所
  Varadera(Cuba)
- 年月日
  2014-04-22 – 2014-05-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] Fabrication of high quality AlN on sapphire for deep-UV-LED substrate
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Suzuki, G. Nishio, K. Hiramatsu
- 学会等名
  ISSLED2014
- 発表場所
  Kaohsiung(Taiwan)
- 年月日
  2014-12-14 – 2014-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] Fabrication of AlN molar fraction in Si-doped AlGaN MQWs
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Nakahama, Fumitsugu Fukuyo, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, and Yuji Kobayashi
- 学会等名
  The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
- 発表場所
  三重大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] AlGaN Growth for Electron-Beam-Excitation Ultraviolet Light Source
- 著者名/発表者名
  H. MIYAKE, F. Fukuyo, K. Hiramatsu, Y. Kobayashi
- 学会等名
  CIMTEC2014
- 発表場所
  Montecatini Terme (Italy)
- 年月日
  2014-06-15 – 2014-06-19
- 説明
  【発表確定】
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Controlling reflectance and transmittance in visible and infrared light region by using periodical metallic nano-structures
- 著者名/発表者名
  Masanori Kito, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
- 発表場所
  三重大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] GaPとAuの接触を用いた伝搬型表面プラズモンセンサーによる高屈折率液体媒質の検出
- 著者名/発表者名
  元垣内敦司、中村将平、宮崎　潤、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学淵野辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長
- 著者名/発表者名
  片桐正義、泉　健太、三宅秀人、平松和政、奥　秀彦、浅村英俊・川村啓介
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] High-quality AlN growth on 6H-SiC substrate using three dimensional nucleation by Low-pressure HVPE
- 著者名/発表者名
  Shin Kitagawa, Hideto Miyake and Kazumasa HIramatsu
- 学会等名
  JSAP-MRS Joint Symosia
- 発表場所
  同志社大学　京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア上AlN 緩衝層のN2-CO アニールとMOVPE 法によるAlN 成長
- 著者名/発表者名
  西尾　剛、鈴木周平、三宅秀人、平松和政、福山博之、徳本有紀、山田陽一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  名城大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価-マルチスケール評価へのアプローチー
- 著者名/発表者名
  酒井朗, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optimazation of barrier hight in AlGaN multiple quantum wells
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Nakahama, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  ISPlasma 2014
- 発表場所
  名城大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア上AlGaN 多重量子井戸構造における格子緩和層の影響
- 著者名/発表者名
  中濵和大，福世文嗣，三宅秀人，平松和政，吉田治正，小林祐二
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] AlGaN Growth for Electron-Beam-Excitation Ultraviolet Light Source
- 著者名/発表者名
  H. MIYAKE, F. Fukuyo, K. Hiramatsu, Y. Kobayashi
- 学会等名
  CIMTEC2014
- 発表場所
  Montecatini Terme (Italy)
- 年月日
  2014-06-15 – 2014-06-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] Impact of 3C-SiC intermediate-layer thickness on growth of GaN on Si substrate
- 著者名/発表者名
  M. Katagiri, H. Fang, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Asamura, K. Kawamura and H. Oku
- 学会等名
  The 6th　Asia－Pacific workshop on Widegap Semiconductors (APWS2013)
- 発表場所
  Fullon Hotel　(台湾　台北)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Thermal treatment of HVPE-grown GaN substrate surface
- 著者名/発表者名
  Hideto Miyake, Shunsuke Okada, Kazumasa HIramatsu, Reina Miyagawa, Osamu Eryu
- 学会等名
  WUPP 2014
- 発表場所
  Bath(UK)
- 年月日
  2014-08-20 – 2014-08-22
- 説明
  【発表確定】
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE growth of high-quality AlGaN for Deep-ultraviolet Light Source
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, F. Fukuyo, Y. Kobayashi, K. Hiramatsu
- 学会等名
  2014 Asia Communications and Photonics Conference(ACP)
- 発表場所
  Shanghai(China)
- 年月日
  2014-11-09 – 2014-11-13
- 説明
  【発表確定】
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Fabrication of high quality AlN on sapphire for deep-UV-LED substrate
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Suzuki, G. Nishio, K. Hiramatsu, H. Fukuyama
- 学会等名
  2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor
- 発表場所
  東北大学　（仙台）
- 年月日
  2014-10-30 – 2014-10-31
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] Effects of thermal cleaning on surface of free-standing GaN substrates
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa HIramatsu, Reina Miyagawa, Osamu Eryu, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  The 15th IUMRS-ICA(International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
- 発表場所
  福岡
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Effects of threading dislocation on MOVPE growth of Si-doped AlN
- 著者名/発表者名
  G. Nishio, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  第32回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Surface treatment of sublimation-grown AlN substrate for homo-epitaxial growth by HVPE
- 著者名/発表者名
  Yoshinobu Watanabe, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  ISPlasma 2014
- 発表場所
  名城大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Si濃度の異なるAl0.61Ga0.39N混晶薄膜のカソードルミネッセンス法による局所スペクトル評価
- 著者名/発表者名
  倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア表面の影響
- 著者名/発表者名
  林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of high-quality AlN on sapphire with thermally annealed AlN buffer layer in N2-CO
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, G. Nishio, S. Suzuki, K. Hiramatsu, and H. Fukuyama
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wroclaw(Poland)
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Study on Surface Thermal Stability of Free-Standing GaN Substrates
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Reina Miyagawa, Osamu Eryu, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  ISPlasma/IC-PLANTS
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] サファイア上AlN成長におけるN2-COアニールによるAlN緩衝層制御
- 著者名/発表者名
  西尾　剛、三宅秀人、平松和政、福山博之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学　京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] スパッタ法AlNテンプレート基板を用いたAlNのHVPE成長
- 著者名/発表者名
  安井大貴、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] AlN growth on 6H-SiC substrate by low-pressure HVPE
- 著者名/発表者名
  Shin Kitagawa, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
- 発表場所
  三重大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Fabrication of high quality AlN on sapphire for deep-UV-LED substrate
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Suzuki, G. Nishio, K. Hiramatsu, H. Fukuyama
- 学会等名
  2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2014-10-30 – 2014-10-31
- 説明
  【発表確定】
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] ±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、逢坂崇、谷川智之、松岡隆志
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Formation of atomic steps on sapphiresubstrates for AlN epitaxy
- 著者名/発表者名
  C.-H. Lin, S. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  ISSLED2014
- 発表場所
  Kaohsiung(Taiwan)
- 年月日
  2014-12-14 – 2014-12-19
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaN自立基板のサーマルクリーニング
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍　修
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学淵野辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 二層型ワイヤーグリッド偏光子の特性周期及び高さ依存性
- 著者名/発表者名
  森下雄太、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会（OPJ2013）
- 発表場所
  奈良県新公会堂
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] サファイア上AlGaN 多重量子井戸構造における格子緩和層の影響
- 著者名/発表者名
  中濱和大、福世文嗣、三宅秀人、平松和政、吉田治正、小林祐二
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学淵野辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Growth of high-quality AlN on sapphire with thermally annealed AlN buffer layer in N2-CO
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, G. Nishio, S. Suzuki, K. Hiramatsu, and H. Fukuyama
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wroclaw (Poland)
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] HVPE Homoepitaxy on Freestanding AlN Substrate with Trench Pattern
- 著者名/発表者名
  Yoshinobu Watanabe, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yosuke Iwasaki, Shunro Nagata
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta (USA)
- 年月日
  2014-05-19 – 2014-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] Selective-area growth of GaN on non- and semi-polar bulk GaN substrates
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada , Hideto Miyake, kazumasa Hiramatsu , Yuuki Enatsu and Satoru Nagao
- 学会等名
  JSAP-MRS Joint Symosia
- 発表場所
  同志社大学　京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency　with Periodic Light-extraction Structures on　Sapphire Substrate for Electron-beam-pumped　Deep-ultraviolet Light Sources
- 著者名/発表者名
  F. Fukuyo, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi
- 学会等名
  ISPlasma 2014
- 発表場所
  名城大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] CO-N2熱処理法を用いたサファイア基板上への高品質AlN成長
- 著者名/発表者名
  三宅秀人, 鈴木周平, 林家弘, 平松和政, 福山博之
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第92回研究会
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2014-12-12 – 2014-12-13
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Studies on InGaN multiple-quantum wells grown on non- and semi-polar bulk GaN substrates
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa iramatsu, Yuuki Enatsu, and Satoru Nagao
- 学会等名
  The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
- 発表場所
  三重大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Formation of atomic steps on sapphiresubstrates for AlN epitaxy
- 著者名/発表者名
  C.-H. Lin, S. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu
- 学会等名
  ISSLED2014
- 発表場所
  Kaohsiung(Taiwan)
- 年月日
  2014-12-14 – 2014-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価
- 著者名/発表者名
  片桐正義、方　　浩、三宅秀人、平松和政、奥　秀彦、浅村英俊，川村啓介
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学　京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] HVPE Homoepitaxy on Freestanding AlN Substrate with Trench Pattern
- 著者名/発表者名
  Yoshinobu Watanabe, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yosuke Iwasaki, Shunro Nagata
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta(USA)
- 年月日
  2014-05-19 – 2014-05-22
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] エピタキシャル成長のためのGaN自立基板サーマルクリーニング
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐, 三宅秀人, 平松和政, 宮川鈴衣奈, 江龍修, 橋詰保
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-25 – 2014-07-26
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE法による高品質AlGaNの成長
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  CRESTパワー・先端素子半導体に関するシンポジウム
- 発表場所
  北海道大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] Study on AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  Daiki YASUI, Hideto MIYAKE, Kazumasa HIRAMATSU
- 学会等名
  The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
- 発表場所
  福岡大学　(福岡)
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] The Excitation of the Surface Plasmon Polariton with the GaP-Au Contact and Application to Chemical Sensors
- 著者名/発表者名
  S. Nakamura, A. Motogaito, H. Miyake, and K. Hiramatsu
- 学会等名
  2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR)
- 発表場所
  国立京都国際会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Study on the Chemical Sensor Using Excitation of the Surface Plasmon Polariton with the GaP-Au Contact
- 著者名/発表者名
  Shohei Nakamura, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  JSAP-OSA Symposia 2013
- 発表場所
  同志社大学　京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600090
[学会発表] Fabrication of InGaN MQWs on non-polar GaN substrates
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  ISPlasma 2014
- 発表場所
  名城大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御
- 著者名/発表者名
  北川　慎、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア基板のサーマルクーリング
- 著者名/発表者名
  林家弘, 鈴木周平, 岡田俊祐, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN混晶薄膜の高温PLE測定
- 著者名/発表者名
  中尾文哉, 長坂智幸, 鶴丸拓斗, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] HVPE growth of high quality AlN film on 6H-SiC substrate using three dimensional nucleation
- 著者名/発表者名
  Shin Kitagawa, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
- 学会等名
  The 6th　Asia－Pacific workshop on Widegap Semiconductors (APWS2013)
- 発表場所
  Fullon Hotel　(台湾　台北)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] MOVPE法によるAlGaN成長とその深紫外光源への応用
- 著者名/発表者名
  三宅秀人、平松和政、福世文嗣、吉田治正、小林祐二
- 学会等名
  日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会
- 発表場所
  明治大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] 減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果
- 著者名/発表者名
  中濵和大, 福世文嗣, 三宅秀人, 平松和政, 吉田治正, 小林祐二
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED), 電子部品・材料研究会(CPM), レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
- 発表場所
  吹田市
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth and characterization of Si-doped AlN films on sapphire
- 著者名/発表者名
  Gou Nishio, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yuki Tokumoto and Ichiro Yonenaga
- 学会等名
  JSAP-MRS Joint Symosia
- 発表場所
  同志社大学　京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Thermal treatment of HVPE-grown GaN substrate surface
- 著者名/発表者名
  Hideto Miyake, Shunsuke Okada, Kazumasa HIramatsu,
- 学会等名
  WUPP 2014
- 発表場所
  Bath (UK)
- 年月日
  2014-08-20 – 2014-08-22
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] スパッタ法AlNテンプレート基板を用いたAlNのHVPE成長
- 著者名/発表者名
  安井大貴、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Effects of threading dislocation on MOVPE growth of Si-doped AlN
- 著者名/発表者名
  G. Nishio, H. Miyake and K. Hiramatsu
- 学会等名
  第32回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Study on Surface Thermal Stability of Free-Standing GaN Substrates
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Reina Miyagawa, Osamu Eryu, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  ISPlasma/IC-PLANTS
- 発表場所
  名古屋大学　(名古屋)
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] HVPE法AlN成長条件のシミュレーションによる検討
- 著者名/発表者名
  安井大貴, 三宅秀人, 平松和政, 河村貴宏
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-25 – 2014-07-26
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Study on facet structures of selective-area grown GaN on non- and semi-polar substrates
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, D. Jinno, S. Okada, K. Hiramatsu, Y. Enatsu and S. Nagao
- 学会等名
  The 6th　Asia－Pacific workshop on Widegap Semiconductors (APWS2013)
- 発表場所
  Fullon Hotel　(台湾　台北)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] GaNにおけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程
- 著者名/発表者名
  馬〓, 山口裕暉, 高橋賢治, 後藤圭, 竹内和真, 岩堀友洋, 森田健, 石谷善博, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Fabrication of high Al content AlGaN MQWs on AlN/sapphire by MOVPE
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, F. Fukuyo, S. Ochiai, M. Takagi, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y.Kobayashi
- 学会等名
  E-MRS
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] Effects of thermal cleaning on surface of free-standing GaN substrates
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa HIramatsu,
- 学会等名
  The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
- 発表場所
  福岡大学　(福岡)
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア微傾斜角度の影響
- 著者名/発表者名
  鈴木周平、林家弘、三宅秀人、平松和政、福山博之
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果
- 著者名/発表者名
  岡田俊祐, 三宅秀人, 平松和政, 宮川鈴衣奈, 江龍修, 橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED), 電子部品・材料研究会(CPM), レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
- 発表場所
  吹田市
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN系量子井戸構造の高温PLE測定
- 著者名/発表者名
  福野智規, 中村豪仁, 和泉平, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of thick GaN on Si substrate with 3C-SiC intermediate layer
- 著者名/発表者名
  M. Katagiri, H. Fang, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku and H. Asamura
- 学会等名
  第32回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] 混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上
- 著者名/発表者名
  山崎芳樹, 古澤健太郎, 小島一信, 中濵和大, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Study on AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  Daiki YASUI, Hideto MIYAKE, Kazumasa HIRAMATSU
- 学会等名
  The 15th IUMRS-ICA(International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
- 発表場所
  福岡
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 励起子励起準位を用いたGaNの励起子ダイナミクスの解析
- 著者名/発表者名
  竹内和真、大泉尚之、馬〓、森田健、石谷善博、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Nakahama, Fumitsugu Fukuyo, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, Yuji Kobayashi
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta (USA)
- 年月日
  2014-05-19 – 2014-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] AlGaN量子井戸における励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性
- 著者名/発表者名
  福野智規、中村豪仁、和泉平、倉井聡、三宅秀人、平松和政、山田陽一
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Thermal cleaning of sublimation-grown AlN substrate for homo-epitaxial growth by HVPE
- 著者名/発表者名
  Yoshinobu Watanabe, Gou Nishio, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu and Shunro Nagata
- 学会等名
  The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
- 発表場所
  三重大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長
- 著者名/発表者名
  西尾　剛、鈴木周平、三宅秀人、平松和政、福山博之
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長
- 著者名/発表者名
  鈴木周平, 三宅秀人, 平松和政, 福山博之
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-25 – 2014-07-26
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] N極性(0001)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減
- 著者名/発表者名
  逢坂崇、谷川智之、木村健司、正直花奈子、窪谷茂幸、片山竜二、松岡隆志、三宅秀人
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] HVPE法による周期溝加工AlN自立基板へのホモエピタキシャル成長
- 著者名/発表者名
  渡邉祥順、三宅秀人、平松和政、岩崎洋介、永田俊郎
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学淵野辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008
[学会発表] Fabrication of high quality AlN on sapphire for deep-UV-LED substrate
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, S. Suzuki, G. Nishio, K. Hiramatsu
- 学会等名
  ISSLED2014
- 発表場所
  Kaohsiung(Taiwan)
- 年月日
  2014-12-14 – 2014-12-19
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Nakahama, Fumitsugu Fukuyo, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, Yuji Kobayashi
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta(USA)
- 年月日
  2014-05-19 – 2014-05-22
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE growth of high-quality AlGaN for Deep-ultraviolet　Light Source
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, F. Fukuyo， Y. Kobayashi, K. Hiramatsu
- 学会等名
  2014 Asia Communications and Photonics Conference
- 発表場所
  Shanghai(China)
- 年月日
  2014-11-09 – 2014-11-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010
[学会発表] Studies on growth of GaN on Si substrate with 3C-SiC buffer layer
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Katagiri, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hidehiko Oku, Hidetoshi Asamura, and Keisuke Kawamura
- 学会等名
  The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
- 発表場所
  三重大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360008

1. 平松和政 (50165205)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 670件
2. 元垣内敦司 (00303751)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 74件
3. 山田陽一 (00251033)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 12件
4. 杉山耕一 (20179170)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 直井弘之 (10373101)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 岩谷素顕 (40367735)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
7. 藤岡洋 (50282570)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 石谷善博 (60291481)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
9. 宮川鈴衣奈 (10635197)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 35件
10. 秋山亨 (40362363)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. MA BEI (90718420)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 96件
12. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 上杉謙次郎 (40867305)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
14. 林侑介 (00800484)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 18件
15. 天野浩 (60202694)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
16. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 出来真斗 (80757386)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 大野雄高 (10324451)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 成塚重弥 (80282680)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 竹内哲也 (10583817)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
21. 福山博之 (40252259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 18件
22. 白方祥 (10196610)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 寺迫智昭 (70294783)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 田中成泰 (70217032)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
26. 川上養一 (30214604)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 小出康夫 (70195650)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
30. 上山智 (10340291)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 渡邉聡 (00292772)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 佐々木拓生 (90586190)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 安永弘樹 (00976855)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 赤池良太 (10984297)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 小島一信 (30534250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
37. 市川修平 (50803673)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 伊藤優佑

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
39. 劉玉懐

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
40. 黎大兵

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 21件
41. 呉潔君

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
42. 胡衛国

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
43. 只友一行

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
44. 林家弘

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
45. XIAO SHIYU

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
46. 吉澤涼

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
47. 岡田俊祐

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
48. 渡邊直也

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
49. 河合祥也

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
50. 福田涼

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
51. 田中襲一

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
52. 中嶋智康

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
53. 鈴木周平

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
54. 水戸慎也

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
55. 今井康彦

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
56. 森下雄太

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
57. 鬼頭壮宣

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
58. 羽豆耕治

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
59. 福井一俊

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
60. 窪谷茂幸

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
61. 森田健

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
62. 正直花奈子

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 5件
63. FANG H.

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 12件
64. 秩父重英

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
65. 古澤健太郎

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
66. 上殿明良

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
67. 倉井聡

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

三宅 秀人 Miyake Hideto

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体の非極性面成長における結晶学マップ作成と遠紫外LED応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体の変調エピタキシャル成長と深紫外発光制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

三宅秀人 Miyake Hideto