村上正紀 MURAKAMI Masanori

研究者番号	70229970
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2000年度 – 2006年度: 京都大学, 工学研究科, 教授 1999年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 1995年度 – 1998年度: 京都大学, 工学研究科, 教授 1995年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 1991年度 – 1994年度: 京都大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者構造・機能材料 / 複合材料・物性 / 金属物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 金属材料研究代表者以外構造・機能材料 / 表面界面物性 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者 Ohmic contact / ZnSe / オーム性電極 / SiC / CdTe / 微細構造 / InGaAs / NiInGe / GaAs / コンタクト抵抗 … もっと見る / GaN / 半導体界面 / 金属 / オーミック・コンタクト / 低障壁中間層 / 薄膜 / In / Ohmic Contacts / Self-formation / Cu Interconnects / Thin Films / 表皮効果 / オーミックコンタクト / 自己組織化 / Cu配線 / Interfacial microstructure / Current transport / Potentiometry / Wide-gap semiconductor / STP解析 / 炭化シリコン / ポテンショメトリー / 走査トンネル顕微鏡 / オーム性電極材料 / 電流輸送 / STP解析法 / ワイドギャップ半導体 / contact materials / radiation detectors / ショットキー電極材 / 半導体放射線検出器 / Microstructure / Electrode / Contact resistance / Interface / FET / 拡散バリア材 / 電極 / 接触抵抗 / 界面 / Schottky Barrier / Coutact Resistance / Ohmic Contact / 窒化ガリウム / GuN / ショットキー障壁 / ZuSe / metal interface / Cd-based contact / annealing / deposition / Schottky barrier height / p-ZnSe / トンネル電流 / Au / 分子線エピタキシー / 窒素ラジカルドーピング / Cd基およびTe基 / Au,Nb,Cu,Ag,Ni / 仕事関数 / 自然酸化膜 / アニール / CdZnSe / 高濃度ドープ層 / Cd / Ni / 界面反応 / P型ZnSe / ELECTRONIC MATERIALS / FUMCTIONAL MATERIALS / THIN FILMS / INTERMETALLIC COMPOUNDS / 電子材料 / 機能材料 / 金属間化合物 / thermal strain / thin film / X線回析 / X線回折 / 薄膜応力 / 薄膜歪 … もっと見る研究代表者以外界面 / 電極 / Impurity / Microvoid / Reliability / Copper Interconnect / ULSI / 水素脆性 / Si半導体デバイス / 不純物 / マイクロボイド / 配線信頼性 / Cu配線材 / ULSIデバイス / Tunnel current / Electron source / Display / Surface damage / Field emission / Diamond / 電子放出 / ダイヤモンド状カーボン / 安定性 / スパッタリング / 電気伝導 / 気相成長 / 電界電子放出 / トンネル電流 / 電子源 / ディスプレイ / 表面損傷 / 電解電子放出 / ダイヤモンド / 接触抵抗 / TaTi / オーミック・コンタクト / GaN / 電子材料 / 機能材料 / 薄膜 / 金属間化合物隠す

薄膜合金材料の表皮効果を用いた新複合材料の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤和博, 村上正紀
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  複合材料・物性
- 研究機関
  京都大学
STP解析法を用いたワイドギャップ化合物半導体用のオーム性電極材料の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  京都大学
生体医療用の高感度半導体放射線検出器の電極材料の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
ULSIデバイス用Cu機能性配線材料における特異なボイド形成機構の解明
- 研究代表者
  
  守山実希
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
水素吸蔵金属とGaN半導体の接合界面における水素の挙動
- 研究代表者
  
  小出康夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
ガリウム・ヒ素化合物半導体用の超新機能電極材料の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
ディプレイ用電子放出素子の電極界面物性
- 研究代表者
  
  小出康夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  京都大学
フルカラー発光素子の高機能電極材料の発掘研究代表者
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
金属／化合物半導体界面における電気特性及び微細構造に関する研究
- 研究代表者
  
  奥健夫
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
金属間化合物薄膜の機能性電子材料への適用研究代表者
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
ZnSe系半導体青色発光素子のオーム性電極材料開発研究代表者
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
電子材料用の金属薄膜の熱歪による形状変化研究代表者
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  金属材料
- 研究機関
  京都大学

すべて 2008 2007 2006 2005 2004

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Self-formation of Ti-rich interfacial layers at Cu(Ti)/low-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K. Kohama, K. Ito, S. Tsukimoto, K. Mori, K. Maekawa and M. Murakami
- 雑誌名
  
  MRS Proceedings (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Self-formation of Ti-rich interfacial layers at Cu(Ti)/low-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K., Kohama, K., Ito, S., Tsukimoto, K., Mori, K., Maekawa, M., Murakami
- 雑誌名
  
  MRS Proceedings (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Simultaneous formation of n-and p-type ohmic contacts to 4H-SiC using the binary Ni/Al system2008
- 著者名/発表者名
  K. Ito, T. Onishi, H. Takeda, S. Tsukimoto, M. Konno, Y. Suzuki and M. Murakami
- 雑誌名
  
  MRS Proceedings (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Resistivity reduction of Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  K., Ito, S., Tsukimoto, M., Moriyama, M., Murakami
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings 945
  
  ページ: 1-10
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Effect of annealing ambient on self-formation mechanism of diffusion barrier layers used in Cu(Ti)interconnects2007
- 著者名/発表者名
  S. Tsukimoto, T. Kabe, K. Ito and M. Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 258-265
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Fabrication of Cu(Ti)alloy interconnects with self-formation of thin barrier metal layers using a high-pressure annealing process2007
- 著者名/発表者名
  S. Tsukimoto, T. Onishi, K. Ito, M. Konno, T. Yaguchi, T. Kamino and M. Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 1658-1661
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Effect of annealing ambient on self-formation mechanism of diffusion barrier layers used in Cu(Ti) interconnects2007
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, T.Kabe, K.Ito, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Self-formation of Ti-rich Interfacial Layers in Cu(Ti) Alloy Film2007
- 著者名/発表者名
  K.Ito, S.Tsukimoto, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- NAID
  10022547534
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Effects of substrate materials on self-formation of Ti-rich interface layers in Cu(Ti) alloy films2007
- 著者名/発表者名
  K., Ito, S., Tsukimoto, T., Kabe, K., Tada, M., Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 606-613
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Effects of substrate materials on self-formation of Ti-rich interface layers in Cu(Ti)alloy films2007
- 著者名/発表者名
  K. Ito, S. Tsukimoto, T. Kabe, K. Tada and M. Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 606-613
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Self-formation of Ti-rich interface layers in Cu(Ti) alloy films on various substrates2007
- 著者名/発表者名
  K.Ito, S.Tsukimoto, T.Kabe, K.Tada, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Reduction of Electrical Resistivity of Cu Interconnects2007
- 著者名/発表者名
  M.Murakami, M.Moriyama, S.Tsukimoto, K.Ito, T.Onichi
- 雑誌名
  
  Extraction, Processing, Structure and Properties Proceedings on Electronic. Maenetic and Photonic Materials Division Symposium
  
  ページ: 1-9
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Effect of annealing ambient on self-formation mechanism of diffusion barrier layers used in Cu(Ti) interconnects2007
- 著者名/発表者名
  S., Tsukimoto, T., Kabe, K., Ito, M., Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 258-265
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Resistivity reduction of Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  K., Ito, S. Tsukimoto, M. Moriyama and M. Murakami
- 雑誌名
  
  Stress-Induced Phenomena in Metallization, AIP Conference Proceedings 945
  
  ページ: 1-10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Resistivity reduction of Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  K. Ito, S. Tsukimoto, M. Moriyama and M. Murakami
- 雑誌名
  
  Stress-Induced Phenomena in Metallization, AIP Conference Proceedings 945
  
  ページ: 1-10
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Cu(Ti)合金微細配線における極薄バリア層の自己組織形成2006
- 著者名/発表者名
  着本享、大西隆、伊藤和博、村上正紀、今野充、矢口紀恵、上野武志
- 雑誌名
  
  日本金属学会会報(まてりあ) 45
  
  ページ: 879-879
- NAID
  10018421961
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] Cu(Ti)合金微細配線における極薄バリア層の自己組織形成2006
- 著者名/発表者名
  着本享, 大西隆, 伊藤和博, 村上正紀, 今野充, 矢口紀恵, 上野
- 雑誌名
  
  日本金属学会会報(まてりあ) 45
  
  ページ: 879-879
- NAID
  10018421961
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[雑誌論文] ナノ制御による電子デバイス材料の開発2005
- 著者名/発表者名
  村上正紀
- 雑誌名
  
  M & E 10
  
  ページ: 136-142
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Simultaneous formation of p- and n-type ohmic contacts to 4H-SiC using the ternary Ni/Ti/Al system2005
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, T.Sakai, T.Onishi, Kazuhiro Ito, Masanori Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 34
  
  ページ: 1310-1312
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2005
- 著者名/発表者名
  Masanori Murakami, Y.Koide, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 475-479巻
  
  ページ: 1705-1714
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices.2005
- 著者名/発表者名
  Masanori Murakami, Y.Koide, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 475-479
  
  ページ: 1705-1714
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Simultaneous formation of p- and n-type ohmic contacts to 4H-SiC using the ternary Ni/Ti/Al system2005
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, T.Sakai, T.Onishi, K.Ito, Masanori Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 34巻
  
  ページ: 1310-1312
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Simultaneous formation of p- and n-type ohmic contacts to 4H-SiC using the ternary Ni/Ti/Al system.2005
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, T.Sakai, T.Onishi, K.Ito, Masanori Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials, 34
  
  ページ: 1310-1312
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2005
- 著者名/発表者名
  Masanori Murakami, Y.Koide, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 475-479
  
  ページ: 1705-1714
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Ternary TiAlGe ohmic contacts for p-type 4H-SiC2004
- 著者名/発表者名
  T.Sakai, K.Nitta, S.Tsukimono, M.Moriyama, Masanori Murakami
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 95巻5号
  
  ページ: 2187-2189
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Correlation between the electrical properties and the interfacial microstructures of TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC2004
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, K.Nitta, T.Sakai, M.Moriyama, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 33巻
  
  ページ: 460-466
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices.2004
- 著者名/発表者名
  Masanori Murakami, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan 29
  
  ページ: 45-50
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Electrical properties and microstructure of ternary Ge/Ti/Al ohmic contacts to p-type 4H-SiC2004
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, T.Sakai, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 96巻
  
  ページ: 4976-4981
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Correlation between the electrical properties and the interfacial microstructures of TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC.2004
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, K.Nitta, T.Sakai, M.Moriyama, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials, 33
  
  ページ: 460-466
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Electrical properties and microstructure of ternary Ge/Ti/Al ohmic contacts to p-type 4H-SiC.2004
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, T.Sakai, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 96巻
  
  ページ: 4976-4981
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Ternary TiAlGe ohmic contacts for p-type 4H-SiC.2004
- 著者名/発表者名
  T.Sakai, K.Nitta, S.Tsukimoto, M.Moriyama, Masanori Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 95
  
  ページ: 2187-2189
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2004
- 著者名/発表者名
  M.Murakami, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan 29巻
  
  ページ: 45-50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Electrical properties and microstructure of ternary Ge/Ti/Al ohmic contacts to p-type 4H-SiC.2004
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, T.Sakai, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 96
  
  ページ: 4976-4981
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] p型SiC半導体/TiAl系オーミック・コンタクト材の界面構造2004
- 著者名/発表者名
  着本享, 伊藤和博, 村上正紀
- 雑誌名
  
  日本金属学会会報"まてりあ" 43巻
  
  ページ: 992-992
- NAID
  10014238911
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2004
- 著者名/発表者名
  M.Murakami, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Trans. the Materials Research Society of Japan 29巻
  
  ページ: 45-50
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[産業財産権] 半導体配線の製造方法2006
- 発明者名
  大西隆、武田実佳子、水野雅夫、着本享、可部達也、森田敏文、守山実希、伊藤和博、村上正紀
- 権利者名
  神戸製鋼所・京都大学
- 産業財産権番号
  2006-192153
- 出願年月日
  2006-07-12
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Self-formation of Ti-rich layers at Cu (Ti)/low-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K. Kohama, K. Ito, S. Tsukimoto, K. Mori. K. Maekawa and M. Murakami
- 学会等名
  Materials Science Society
- 発表場所
  Moscone West and San Francisco Marriott
- 年月日
  2008-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Simultaneous formation of n-and p-type ohmic contacts to 4H-SiC using the binary Ni/Al system2008
- 著者名/発表者名
  K. Ito, T. Onishi, H. Takeda, S. Tsukimoto, M. Konno, Y. Suzuki and M. Murakami
- 学会等名
  2008 Materials Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West and San Francisco Marriott
- 年月日
  2008-03-26
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Self-formation of Ti-rich layers at Cu(TO/low-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K., Kohama, K., Ito, S., Thukimoto, K., Mori, K., Maekawa, M., Murakami
- 学会等名
  2008 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West and San Francisco Marriott
- 年月日
  2008-03-26
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Self-formation of Ti-rich layers at Cu(Ti)/low-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K. Kohama, K. Ito, S. Tsukimoto, K. Mori, K. Maekawa and M. Murakami
- 学会等名
  2008 Materials Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West and San Francisco Marriott
- 年月日
  2008-03-26
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Reduction of electrical resistivity of Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  M. Murakami, M. Moriyama, S. Tsukimoto, K. Ito, and T. Onichi
- 学会等名
  Advanced Metallizations and Interconnect Technologies, in Honor of Prof. K. N. Tu's 70th Birthday(TMS 2007)
- 発表場所
  オーランド(アメリカ)
- 年月日
  2007-02-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Resistivity reduction of Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  K., Ito, S., Tsukimoto, M., Moriyama, M., Murakami
- 学会等名
  9th International Workshop on Stress -Induced Phenomena in Metallization
- 発表場所
  PaRuRu Plaza Kyoto
- 年月日
  2007-04-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Simultaneous formation of n- and p-type Ni-Al ohmic contacts to 4H-SiC2007
- 著者名/発表者名
  H., Takeda, T., Onishi, K., Ito, S., Tsukimoto, M., Murakami
- 学会等名
  Japan Institute of Metals 2007 Anneal, Meeting
- 発表場所
  Gifu Univ
- 年月日
  2007-09-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Resistivity reduction of Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  K. Ito, S. Tsukimoto, M. Moriyama and M. Murakami
- 学会等名
  9th International Workshop on Stress-Induced Phenomena in Metallization
- 発表場所
  ぱるるプラザ京都
- 年月日
  2007-04-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Resistivity reduction of Cuinterconnects2007
- 著者名/発表者名
  K. Ito, S. Tsukimoto, M. Moriyama and M. Murakami
- 学会等名
  9th International Workshop on Stress-Induced Phenomena in Metallization
- 発表場所
  ぱるるプラザ京都
- 年月日
  2007-04-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] p,n-SiC両伝導型にオーミック性を示すNi-A1コンタクト材の伝導機構2007
- 著者名/発表者名
  武田英久, 大西利武, 伊藤和博, 着本享, 村上正紀
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  岐阜大学
- 年月日
  2007-09-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] p,n-SiC両伝導型にオーミック性を示すNi-Alコンタクト材の伝導機構2007
- 著者名/発表者名
  武田英久, 大西利武, 伊藤和博, 着本享, 村上正紀
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  岐阜大学
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] Fabrication of Cu(Ti) alloy interconnects with self-formation of thin barrier metal layers using a high-pressure annealing process2006
- 著者名/発表者名
  S., Tsukimoto, T., Onishi, K., Ito, M., Murakami
- 学会等名
  Japan Institute of Metals 2006 Anneal Meeting
- 発表場所
  Niigata Univ
- 年月日
  2006-09-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324
[学会発表] 高圧アニールによるスパッタCu(Ti)合金薄膜材の微細配線化2006
- 著者名/発表者名
  着本享, 大西隆, 伊藤和博, 村上正紀
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  新潟大学五十嵐キャンパス
- 年月日
  2006-09-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360324

1. 小出康夫 (70195650)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
2. 守山実希 (70303857)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 10件
3. 奥健夫 (30221849)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
4. 大槻徴 (10026148)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 森英嗣 (60283644)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
6. 伊藤和博 (60303856)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 34件
7. 着本享 (50346087)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 45件
8. 松原英一郎 (90173864)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 酒井明 (80143543)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
10. 黒川修 (90303859)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 鈴木彰

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 桜井武

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

村上 正紀 MURAKAMI Masanori

研究課題

研究成果

共同研究者

薄膜合金材料の表皮効果を用いた新複合材料の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

STP解析法を用いたワイドギャップ化合物半導体用のオーム性電極材料の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

生体医療用の高感度半導体放射線検出器の電極材料の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ULSIデバイス用Cu機能性配線材料における特異なボイド形成機構の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水素吸蔵金属とGaN半導体の接合界面における水素の挙動

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ガリウム・ヒ素化合物半導体用の超新機能電極材料の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ディプレイ用電子放出素子の電極界面物性

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

フルカラー発光素子の高機能電極材料の発掘研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属／化合物半導体界面における電気特性及び微細構造に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属間化合物薄膜の機能性電子材料への適用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ZnSe系半導体青色発光素子のオーム性電極材料開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電子材料用の金属薄膜の熱歪による形状変化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Self-formation of Ti-rich interfacial layers at Cu(Ti)/low-k interfaces2008

著者名/発表者名

雑誌名

説明

村上正紀 MURAKAMI Masanori