植杉克弘 Uesugi Katsuhiro

研究者番号	70261352
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所属 (現在)	2025年度: 室蘭工業大学, 大学院工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 室蘭工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2012年度: 室蘭工業大学, 工学研究科, 准教授 2010年度 – 2011年度: 室蘭工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2007年度 – 2011年度: 室蘭工業大学, 工学部, 准教授 2006年度: 室蘭工業大学, 工学部, 助教授 1994年度 – 2005年度: 北海道大学, 電子科学研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 電子材料工学
キーワード	研究代表者量子ドット / MOMBE / GaNAs / MgS / 量子井戸箱 / ZnSe / II-VI族半導体 / エピタキシャル / 選択成長 / 自己組織化 … もっと見る / 量子構造 / 薄膜 / ダイオード / 負性抵抗 / 多重量子井戸 / GaInNAs / GaNAsSe / GaAsN / InAs / III-V-N窒化物半導体 / 歪補償 / 光通信 / GaAsNSe / GaAs / 量子井戸 / MBE・エピタキシャル / 結晶成長 / 電子デバイス機器 / 電子・電気材料 / MOVPE / DBR / ナノリソグラフィ / CdSe … もっと見る研究代表者以外量子ドット / 選択成長 / 微小光共振器 / 励起子 / II-VI族半導体 / AFM / 光ドット / selective growth / quantum dots / ピラミッド / 自然放出光 / MOCVD / MOMBE / 光子相関測定 / 荷電励起子 / 発光素子 / 短波長化 / ナノリソグラフィ / MgS / ZnSe / エキシトン / semiconductor pyramid / spontaneous emission / microcavity / photonic quantum confinement / カーボンマスク / 3次元微小光共振器 / nanolithography / blue semiconductor lasers / MOVPE / 原子間力顕微鏡 / 光子アンチバンチング / フォトニック結晶 / 単一光子 / 偏光相関 / 単一量子ドット / 半導体量子ドット / 円偏光 / ZnS / FDTD / 青色発光素子 / X線回折 / 閃亜鉛鉱構造 / 歪み超格子 / フォトン / 超格子 / Purcell effect / 面発光素子 / 面発光電子 / フォトニックドット / carbonaceousfilm / SEM / 光電子集積化 / ナノ構造 / 電子ビームリソグラフィ / blue-shift / ブルーシフト / band offset / Nitrogen plasma / p-type conductivity / ハンド不連続 / バンド不連続 / 窒素プラズマ / p型伝導度制御 / 青色半導体レーザ / x-ray diffraction / zincblende structure / strained superlattice / excitons / II-VI semiconductor / 束縛エネルギー / Atomic Force Microscope / Superlattice / Exciton / II-VI Semiconductor / Blue Laser / II-VI半導体 / ΙΙ-VΙ半導体 / 青色レーザ / オンデマンド / 2次相関関数 / 単一光子光源 / 金属埋め込み / 量子暗号 / 窒化物混晶 / InAs / 光ファイバー通信 / 量子もつれ合い / ひずみ超格子 / ひずみ補償 / III-V-N系 / 量子暗号通信 / 単一光子発生 / 量子リング / InAs量子ドット / 光ファイバー通信波長帯 / 量子鍵配送 / 電子スピン / 量子状態変換 / 単一光子検出器 / 単一光子源 / コヒーレント制御 / ラビ振動 / 円偏光度 / 円偏光励起 / 準共鳴励起 / フォトニックナノ共振器 / 励起子状態 / 微小共振器 / 円偏光状態 / スピン反転時間 / 量子情報処理 / 位相緩和時間 / 光子 / スピン反転 / コヒーレンス / 共振器 / ソリッドイマルジョンレンズ / 量子位相ゲート / 量子位相 / 高速発光素子 / 光集積化 / MaS / H-VI族半導体 / 量子閉じこめ効果 / エキシトン束縛エネルギー / フォノン隠す

量子情報通信用のInGaSb系正孔局在型量子ドット構造の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  植杉克弘
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  室蘭工業大学
金属微小光共振器埋め込み量子ドットにおける電子.光子状態変換に関する研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
光ファイバー通信波長帯量子ドットを用いた高次機能光子源の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
ピラミッド微小光共振器を用いた量子ドット励起子状態のコヒーレント制御に関する研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体3次元微小光共振器を用いた単一光子による量子位相変調の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
新しいGaNAsSe半導体混晶による波長1.5μm帯広帯域光通信用光源の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  植杉克弘
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  北海道大学
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
3次元微小光共振器における巨大プーセル効果の検証
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
選択成長した半導体フォトニックドットによる自然放出光制御の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  北海道大学
ワイドギャップ半導体光強閉じ込め系での励起子-フォトン相互作用の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
ナノ構造光デバイス作製のためのAFM・電子ビーム結合リソグラフィ技術の開発
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
MOVPE法によるZnSe/MgS量子井戸箱の試作研究研究代表者
- 研究代表者
  
  植杉克弘
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北海道大学
可視発光量子細線・量子箱の作製と誘導放出機構の基礎研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
ZnSe量子井戸箱の作製技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  植杉克弘
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北海道大学
室温エキシトンによる青色微小光共振器の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
新しいII-VI族半導体超格子におけるエキシトン光学遷移の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
MOCVD法による青色半導体レーザの試作研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
量子化された場におけるエキシトン・フォノン、エキシトン・フォトン相互作用の研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
局在エキシトンによる高性能青色レーザの研究
- 研究代表者
  
  末宗幾夫
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北海道大学
   広島大学

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すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] "Dilute Nitride Semiconductors" Chapter 4 "MOMBE Growth and Characterization of III-V-N Compounds and Application to InAs Quantum Dots"(edited by M.Henini)2005
- 著者名/発表者名
  I.Suemune, K.Uesugi, S.Ganapathy
- 総ページ数
  630
- 出版者
  Elsevier Ltd.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[図書] Dilute Nitride Semiconductors (edited by M.Henini(4章執筆))2005
- 著者名/発表者名
  I.Suemune, K.Uesugi, S.Ganapathy
- 総ページ数
  630
- 出版者
  Elsevier Ltd.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656077
[図書] Dilute Nitride Semiconductors2005
- 著者名/発表者名
  Ikuo Suemune, Katsuhiro Uesugi, SasikalaGanapathy
- 出版者
  Edited by M. Henini, 2005 Elsevier Ltd. Chapter
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[図書] "Dilute Nitride Semiconductors"Edited by M.Henini, Chapter 4 "MOMBE Growth and Characterization of III-V-N Compounds and Application to InAs Quantum Dots" pp.137-156.2005
- 著者名/発表者名
  I.Suemune, K.Uesugi, S.Ganapathy
- 総ページ数
  630
- 出版者
  Elsevier Science Ltd
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15760232
[図書] "Dilute Nitride Semiconductors" Chapter 4 "MOMBE- Growth and Characterization of III-V-N Compounds and Application to InAs Quantum Dots"(edited by M.Henini)2005
- 著者名/発表者名
  I.Suemune, K.Uesugi, S.Ganapathy
- 総ページ数
  630
- 出版者
  Elsevier Ltd.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[図書] Dilute Nitride Semiconductors(edited by M.Henini)(4章執筆)2004
- 著者名/発表者名
  I.Suemune, K.Uesugi, S.Ganapathy
- 総ページ数
  630
- 出版者
  Elsevier Ltd.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Electron Effective Mass and Mobility in Heavily Dopedn-Ga(AsN) Probed by Raman Scattering2008
- 著者名/発表者名
  J. Ibanez, R. Cusco, E. Alarcon-Llado, L. Artus, A.Patane, D. Fowler, L. Eaves, K. Uesugi, and I. Suemune
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol.103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Electron EffectiveMassandMobilityinHeavilyDopedn-Ga(AsN)Probed by Raman Scattering2008
- 著者名/発表者名
  J.Ibanez,R.Cusco,E.Alarcon-Llado,L.Artus,A.Patane, D. Fowler, L. Eaves, K. Uesugi, and I. Suemune
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[雑誌論文] Role of Cooper Pairs for the Generation of Entangled Photon Pairs from Single Quantum Dots2008
- 著者名/発表者名
  I. Suemune, T. Akazaki, K. Tanaka, M. Jo, K. Uesugi, M. Endo, H. Kumano, E. Hanamura
- 雑誌名
  
  Microelectronics Journal Vol.39
  
  ページ: 344-347
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[雑誌論文] Role of Cooper Pairs for theGenerationofEntangledPhotonPairsfromSingleQuantum Dots2008
- 著者名/発表者名
  I. Suemune, T. Akazaki, K. Tanaka, M. Jo, K. Uesugi, M. Endo, H. Kumano, and E. Hanamura
- 雑誌名
  
  MicroelectronicsJournal Vol.39
  
  ページ: 344-347
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[雑誌論文] Application ofInGaAs/GaAsN Strain-compensated Superlattice to InAsQuantumDots2006
- 著者名/発表者名
  W. Zhang, K. Uesugi, and I. Suemune
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys Vol.99, No.10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Superconductor-based Quantum-dot Light-emitting Diodes (SQ-LED) : Role of Cooper-pairs to Generate Entangled Photon Pairs2006
- 著者名/発表者名
  I.Suemune, T.Akazaki, K.Tanaka, M.Jo, K.Uesugi, M.Endo, H.Kumano, E.Hanamura, H.Takayanagi, M.Yamanishi, H.Kan
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys Vol. 45, No. 12
  
  ページ: 9264-9271
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Superconductor-based Quantum-dot Light-emitting Diodes (SQ-LED) : Role of Cooper-pairs to Generate Entangled Photon Pairs2006
- 著者名/発表者名
  I.Suemune, I.Akazaki, K.Ianaka, M.Jo, K.Uesugi, M.Endo, H.Kumano, E.Hanamura, H.Takayanagi, M.Yamanishi, H.Kan
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. phys Vol. 45, No.12
  
  ページ: 9264-9271
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[雑誌論文] Application of InGaAs/GaAsN Strain-compensated Superlattice to InAs Quantum Dots2006
- 著者名/発表者名
  W.Zhang,K.Uesugi,and I.Suemune
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys Vol. 99, No.10
  
  ページ: 1031031-7
- NAID
  120000954316
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[雑誌論文] Role of a NitrogenPrecursorSuppliedonInAs QuantumDotsSurfacesin TheirEmissionWavelengths2006
- 著者名/発表者名
  I.Suemune,G.Sasikala,H.Kumano,K.Uesugi,Y.Nabetani, T. Matsumoto, J.-T. Maeng, and T.-Y. Seong
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl.Phys Vol. 45,No.21
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[雑誌論文] Role of a NitrogenPrecursorSuppliedonInAs QuantumDotsSurfacesin Their Emission Wavelengths2006
- 著者名/発表者名
  I. Suemune, G. Sasikala, H. Kumano, K. Uesugi, Y. Nabetani, T. Matsumoto, J.-T. Maeng, and T. -Y. Seong
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45, No.21
  
  ページ: 529-532
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Improved structural and luminescence homogeneities of InAs quantum dots with nitrogen-precursor supplies on their surfaces2005
- 著者名/発表者名
  G.Sasikala, I.Suemune, P.Thilakan, H.Kumano, K.Uesugi, N.Shimoyama, H.Machida
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Lett. 44・50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15760232
[雑誌論文] Structural and Luminescence Properties of InAs Quantum Dots: Effect of NitrogenExposureonDotSurfaces2005
- 著者名/発表者名
  G. Sasikala, I. Suemune, P. Thilakan, H. Kumano, and K. Uesugi,Y.Nabetani,T.MatsumotoandH.Machida
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Lett Vol. 44, No. 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[雑誌論文] Improved Structural and Luminescence Homogeneities of InAs Quantum Dots with Nitrogen-precursor Supplies on Their Surfaces2005
- 著者名/発表者名
  S.Sasikala, I.Suemune, P.Thilakan, H.Kumano, K.Uesugi, Y.Nabetani, T.Matsumoto, H.Machida
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Lett. Vol.44, No.50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[雑誌論文] Improved Structural and Luminescence Homogeneities of InAs Quantum Dots with Nitrogen-precursor Supplies on Their Surfaces2005
- 著者名/発表者名
  G.Sasikala, I.Suemune, P.Thilakan, H.Kumano, K.Uesugi, Y.Nabetani, T.Matsumoto, H.Machida
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Lett. Vol.44, No.5
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Formation of ohmic contacts to p-type ZnO2004
- 著者名/発表者名
  M.Kurimoto, A.B.M.A.Ashrafi, M.Ebihara, K.Uesugi, H.Kumano, I.Suemune
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) Vol.241, No.3
  
  ページ: 635-639
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Observation of Clear Negative Differential Resistance Characteristics in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs Multiple Quantum Wells at Room Temperature2004
- 著者名/発表者名
  K.Uesugi, M.Kurimoto, I.Suemune
- 雑誌名
  
  Physica E Vol.21
  
  ページ: 727-731
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Observation of reflection high-energy electron diffraction oscillation during MOMBE growth of AlAs and related modulated semiconductor structures2004
- 著者名/発表者名
  S.Ganapathy, P.Thilakan, M.Kurimoto, K.Uesugi, I.Suemune, N.Shimoyama
- 雑誌名
  
  Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 21・2-4
  
  ページ: 756-760
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15760232
[雑誌論文] Observation of reflection high-energy electron diffraction oscillation during MOMBE growth of AlAs and related modulated semiconductor structures2004
- 著者名/発表者名
  G.Sasikala, P.Thilakan, M.Kurimoto, H.Kumano, K.Uesugi, I.Suemune
- 雑誌名
  
  Physica E Vol.21
  
  ページ: 756-760
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Observation of clear negative diffraction resistance characteristics in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs multiple quantum wells at room temperature2004
- 著者名/発表者名
  K.Uesugi, M.Kurimoto, I.Suemune, M.Yamamoto, T.Uemura, H.Machida, N.Shimoyama
- 雑誌名
  
  Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 21・2-4
  
  ページ: 727-731
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15760232
[雑誌論文] Formation of ohmic contacts to p-type ZnO2004
- 著者名/発表者名
  M.Kurimoto, A.B.M.A.Ashrafi, M.Ebihara, K.Uesugi, H.Kumano, I.Suemune
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.3
  
  ページ: 635-639
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656077
[雑誌論文] Observation of Clear Negative Differential Resistance Characteristics in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs Multiple Quantum Wells at Room Temperature2004
- 著者名/発表者名
  K.Uesugi, M.Kurimoto, I.Suemune
- 雑誌名
  
  Physica E Vol.21
  
  ページ: 727-731
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656077
[雑誌論文] Formation of ohmic contacts to p-type ZnO2004
- 著者名/発表者名
  Makoto Kurimoto, A. B. M. Almamun Ashrafi, Masato Ebihara, Katsuhiro Uesugi, Hidekazu Kumano, Ikuo Suemune
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(b) Vol.241, No.3
  
  ページ: 635-639
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[雑誌論文] Observation of reflection high-energy electron diffraction oscillation during MOMBE growth of AlAs and related modulated semiconductor structures2004
- 著者名/発表者名
  G.Sasikala, P.Thilakan, M.Kurimoto, H.Kumano, K.Uesugi, I.Suemune
- 雑誌名
  
  Physica E Vol.21
  
  ページ: 756-760
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656077
[学会発表] Growth of self-organized GaAsSb submicron dots on GaAs by metal-organic molecular beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Takanari Yumi, Kohei Miyazawa, Masataka Sato, and Katsuhiro Uesugi
- 学会等名
  International Union of Material Research Society-International Conference in Asia 2012
- 発表場所
  BEXCO(韓国,プサン)
- 年月日
  2012-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Growth of self-organized GaAsSb submicron dots on GaAs by metal-organic molecular beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Takanari Yumi, Kohei Miyazawa, Masataka Sato, and Katsuhiro Uesugi
- 学会等名
  International Union of Materials Research Society-International Conference in Asia 2012 (IUMRS-ICA 2012)
- 発表場所
  BEXCO, Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Hetero-epitaxial growth process of type-II GaSb/GaAs quantum dot system by metal-organic molecular beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Uesugi, Masataka Sato, Kohei Miyazawa, Takanari Yumi, and Hisashi Fukuda
- 学会等名
  2012 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Hetero-epitaxial growth process of type-II GaSb/GaAs quantum dot system by metal-organic molecular beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Uesugi, Masataka Sato, Kohei Miyazawa, Takanari Yumi and Hisashi Fukuda
- 学会等名
  2012 Material Research Society Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  ハインズコンベンションセンター(アメリカ,ボストン)
- 年月日
  2012-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Fabrication of GaSb submicron islands on GaAs using trisdimethylamin oantimony2011
- 著者名/発表者名
  植杉克弘
- 学会等名
  International Conference on Materials for Advanced Technologies 2011
- 発表場所
  サンテックシンガポール国際会議場(シンガポール)
- 年月日
  2011-06-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Fabrication of GaSb submicron islands on GaAs using trisdimethylaminoantimony2011
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Uesugi, Tsuyoshi Usui, Takanari Yumi and Afishah Alias
- 学会等名
  International Conference on Materials for Advanced Technologies 2011
- 発表場所
  サンテックシンガポール国際会議場(シンガポール)
- 年月日
  2011-06-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] MOMBE法によるサブミクロンサイズのGaSbメサ構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  植杉克弘
- 学会等名
  第46回応用物理学会北海道支部学術講演会
- 発表場所
  室蘭工業大学(北海道)
- 年月日
  2011-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Selective Growth of GaSb Quantum Dots on GaAs Nano-ring Structures by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Uesugi, Takanari Yumi, Tsuyoshi Usui, and Afishah Alias
- 学会等名
  12th IUMRS International Conference in Asia
- 発表場所
  台北世界貿易中心南港展覧館(台湾)
- 年月日
  2011-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] MOMBE法によるサブミクロンサイズのGaSbメサ構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  臼井強志,弓貴成,植杉克弘
- 学会等名
  第46回応用物理学会北海道支部学術講演会
- 発表場所
  室蘭工業大学 (北海道)
- 年月日
  2011-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Self-limiting growth of submicron-sized GaSb dots on GaAs(001) surface by metalorganic molecular-beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Uesugi, Tsuyoshi Usui and Afishah Alias
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  北京国際会議場 (中国,北京)
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Self-limiting growth of submicron-sized GaSb dots on GaAs(001)surface by metalorganic molecular-beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  植杉克弘
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  北京国際会議場(中国,北京)
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656070
[学会発表] Growth ProcessofGaAsCapLayersonGaSb/GaAsQuantumDotSurfaces2007
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, M. Sato, Y. Idutsu, and I. Suemune
- 学会等名
  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'07)
- 発表場所
  Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[学会発表] Surface Passivation Effect of Electron-beam Resist on InAs Quantum Dots and Their Improved Luminescence Efficiency2007
- 著者名/発表者名
  Y. Idutsu, M. Endo, K. Uesugi, I. Suemune
- 学会等名
  19thInternational Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'07)(PB21, Conference Proceedings)
- 発表場所
  Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[学会発表] Role of Cooper Pairs for theGenerationofEntangledPhotonPairsfromSingleQuantum Dots2007
- 著者名/発表者名
  I. Suemune, T. Akazaki, K. Tanaka, M. Jo, K. Uesugi, M. Endo, H. Kumano, and E. Hanamura
- 学会等名
  Sixth International Conference on Low Dimensional StructuresandDevices(LDSD2007)
- 発表場所
  SanAndres,Columbia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[学会発表] Surface Passivation Effect of Electron-beam Resist on InAs Quantum Dots and Their Improved Luminescence Efficiency2007
- 著者名/発表者名
  Y. Idutsu, M. Endo, K. Uesugi, and I. Suemune
- 学会等名
  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'07)
- 発表場所
  Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[学会発表] LO Photon-Plasmon Coupled Modes and Carrier Mobilities in Heavily Se-doped Ga(As, N) Thin Films2007
- 著者名/発表者名
  J.Ibanez,E.Alarcon-Llado,R.Cusco,L.Artus,D.Fowler, A. Patane, K. Uesugi, and I. Suemune
- 学会等名
  The International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA2007)
- 発表場所
  London
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[学会発表] Growth Process of GaAs Cap Layers on GaSb/GaAs Quantum Dot Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, M. Sato, Y. Idutsu, I. Suemune
- 学会等名
  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'07)(ThA1-4)
- 発表場所
  Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[学会発表] Influence ofStrain Modulations in CappingLayersof InAsQuantum Dots withCompressive-InGaAsandTensile-GaAsNLayerStructures2006
- 著者名/発表者名
  WeiZhang,KatsuhiroUesugi,andIkuoSuemune
- 学会等名
  TMS2006ElectronicMaterialsConference
- 発表場所
  PennsylvaniaState University, PA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[学会発表] Strain-compensation of InAs Quantum Dots: Dot Size Dependence2005
- 著者名/発表者名
  W.Zhang, K.Uesugi, N.Matsumura, and I.Suemune
- 学会等名
  InternationalConferenceonQuantumElectronics 2005 and the Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics2005(IQEC/CLEO-PR2005)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[学会発表] Bright Luminescence from InAs/GaAs Open Quantum Dots at Room Temperature : Dependence on GaAs Surface Reconstructions2005
- 著者名/発表者名
  K. Uesugi, W. Zhang, I. Suemune
- 学会等名
  The 23rd International Conference onDefects in Semiconductors (ICDS-23)
- 発表場所
  Awaji Island, Hyogo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[学会発表] BrightLuminescence from InAs/GaAs Open Quantum Dots at Room Temperature : Dependence on GaAs Surface Reconstructions2005
- 著者名/発表者名
  K.Uesugi,W.Zhang,andI.Suemune
- 学会等名
  The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-23)
- 発表場所
  Awaji Island, Hyogo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068001
[学会発表] Role of Nitrogen onEmission Wavelength of InAs Quantum Dots : InAs/GaAs Interfaces and Strain-compensating GaAsN Burying Layers2005
- 著者名/発表者名
  I. Suemune, G. Sasikala, K. Uesugi, N. Matsumura,Y. Nabetani, T. Matsumoto
- 学会等名
  Symposium on Dilute Nitride Semiconductors : from Atomsto Devices.
- 発表場所
  APS March Meeting(LA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005
[学会発表] Improved Structural Homogeneities and Luminescence Efficiencies of InAs Quantum Dots with Nitridation on Dots Surfaces2005
- 著者名/発表者名
  G. Sasikala, I. Suemune,H. Kumano, K. Uesugi, Y.Nabetani, T. Matsumoto
- 学会等名
  8th International Symposium on Contemporary Photonics Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106005

1. 末宗幾夫 (00112178)

共同の研究課題数: 18件

共同の研究成果数: 37件
2. 熊野英和 (70292042)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 16件
3. 沼居貴陽 (60261351)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 井上修一郎 (30307798)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 笹倉弘理 (90374595)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 田中悟 (80281640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 李英根 (70240405)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 山西正道 (30081441)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 栗原恵

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 町田英明

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

植杉 克弘 Uesugi Katsuhiro

研究課題

研究成果

共同研究者

量子情報通信用のInGaSb系正孔局在型量子ドット構造の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新しいGaNAsSe半導体混晶による波長1.5μm帯広帯域光通信用光源の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

MOVPE法によるZnSe/MgS量子井戸箱の試作研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

植杉克弘 Uesugi Katsuhiro