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平山 秀樹  HIRAYAMA Hideki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70270593
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究所, 主任研究員
2025年度: 国立研究開発法人理化学研究所, 光量子工学研究センター, チームディレクター
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 主任研究員
2018年度 – 2020年度: 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 主任研究員
2015年度 – 2017年度: 国立研究開発法人理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 主任研究員
2014年度: 理研, 平山量子光素子研究室, 主任研究員
2012年度 – 2014年度: 独立行政法人理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 主任研究員 … もっと見る
2012年度: 埼玉大学, 理化学研究所・平山量子光素子研究室, 主任研究員
2011年度: 理化学研究所
2011年度: 理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 主任研究員
2006年度 – 2011年度: 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー
2010年度: 埼玉大学, 理化学研究折・テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー
2009年度: 理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー
2007年度: 理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー
2006年度: 東京工業大学, 理化学研究所・高効率LED研究開発チーム, 副主任研究員
2005年度: 理化学研究所, 極微テバイス工学研究室, 研究員
2004年度: 東京工業大学, 理化学研究所・極微デバイス工学研究室, 研究員
2003年度 – 2004年度: 独立行政法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 先任研究員
2003年度: 東京工業大学, 理化学研究所・極微デバイス研究室, 研究員
2003年度: 独立行政法人理化学研究所, 極微デバイス工学研究室, 先任研究員
2002年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 先任研究員
1998年度 – 2002年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 研究員 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 大区分D / 結晶工学 / 理工系 / 理工系 / 応用光学・量子光工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
窒化物半導体 / 深紫外LED / MOCVD / テラヘルツ / 貫通転位密度 / AlGaN / 超格子 / MBE結晶成長 / 電流注入 / サブバンド間遷移 … もっと見る / 量子カスケードレーザ / 紫外LED / 結晶成長 / 内部量子効率 / 量子カスケードレーザー / Wide bandgap / 紫外半導体レーザ / 交互供給成長法 / Mgドーピング / 交互供給法 / MOCVD法 / ワイドバンドギャップ / 自然放出光 / 分子線エピタキシー / 金属プラズモン導波路 / In組成変調 / InAlGaN4元混晶 / 有機金属気相成長法 / III族窒化物半導体 / サブバンド間遷移発光 / バンド内遷移 / バンド内遷位発光 / バンド内遷位 / 未開拓波長 / 量子エレクトロニクス / 深紫外LD / THz-QCL / テラヘルツQCL / THz-QCL / テラヘルツ量子カスケードレーザ / 特異構造結晶 / Photoluminescence / Optical properties / Threading dislocation density / UV-LEDs / In segregation / Quaternary InAlGaN / MOCVD成長 / GaN基板 / 貫通転移密度 / 紫外高効率発光 / フォトルミネッセンス / Hall-effect measurement / Co-doping / Mg-doping / Alternating supply method / Deep UV-LED / パルス供給法 / ホール濃度 / サファイヤ / GaN / p型 / 不純物対 / 第一原理計算 / MBE / 高濃度P型 / 交互供給コドーピング / コドーピング / 光取り出し効率 / 光取りだし効率 / 縦型LED / Si基板 / AlN / p型半導体 / 高輝度LED / InAlGN4元混晶 / 貫通転位 / AINテンプレート / InAIGaN / AIGaN / 深外LED / AlNテンプレート / InAlGaN / 注入効率 / 外部量子効率 / アンチサーファクタント / 量子ドットレーザー / 紫外レーザー / 量子ドット … もっと見る
研究代表者以外
AlGaN / フォトルミネッセンス / 欠陥準位 / 高効率化 / 動作時の欠陥検出 / 紫外LED / 緑色LED / 青色LED / 禁制帯内励起光 / 非発光再結合 / 青~緑色LED / UV-LED / AlGaAs / GaAs / GaN / Level broadening / Roughness-induced charge / Interface roughness / Random electric field / Self-energy / Dipole scattering / Radom field / Alloy disorder / NEGF / QCL / temperature modulation technique / boron oxide material / flax crystal growth technique / anti-surfactant method / hetero nonlinear photonic crystal / vertical type Deep UV LED / two light beam in-situ monitoring system / deep UV LED / ワイドバンドギャップ / LED / ドーピング / p型 / Al N / ナノテクノロジー / 半導体発光デバイス / 深紫外 / 低転位化 / レーザーリフトオフ / 低転移化 / 縦型LED / 結晶成長 / 深紫外線 / Al GaN / MOCVD / p型ZnO / フラックス法 / 高効率深紫外波長変換 / 非線型フォトニック結晶 / 量子ドットAlInGaN / 表面核生成機構 / 良質AlGaN / 縦型深紫外LED / 温度変調結晶成長法 / ボロン酸化物 / フラックス結晶成長法 / アンチサーファクタント / ヘテロ非線形フォトニック結晶 / 縦型深紫外発光素子 / 2光束その場観測システム / 深紫外半導体発光素子 / Activation energy / Hole concentration / P-type conduction / Impurity doping / Alternative source supply / Aluminum Gallium Nitride / Gallium Nitride / MOVPE / 有機金属気相成長 / 原子層成長法 / 原子位置制御 / 紫外レーザー / 有機金属気相成長法 / スーパーラティス / Mg-ドーピング / III族窒化物半導体 / 活性化エネルギー / 正孔密度 / p型伝導 / 不純物ドーピング / 原料交互供給 / 窒化アルミニウムガリウム / 窒化ガリウム / 有機金属化合物気相成長 / Micromanipulation Technogoly / Spatial Phase Control Regions / Spontaneous Emission Life Time / Spontaneous Emission Control / Photonic Crystals / 選択結晶成長 / リングレーザー / 無しきい値レーザー / マイクロマニピュレーション法 / マイクロマニピュレイション法 / 位相制御領域 / 自然放出寿命 / 自然放出光制御 / フォトニック結晶 / 非発光再結合準位 / 半導体 / 非接触測定 / 2波長励起 隠す
  • 研究課題

    (17件)
  • 研究成果

    (1,032件)
  • 共同研究者

    (28人)
  •  サブバンド間遷移機構の革新による未踏周波数・室温動作THz-QCL実現に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2028
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 審査区分
      大区分D
    • 研究機関
      国立研究開発法人理化学研究所
  •  Searching new operation area for QCL by Gain Mapping using NEGF

    • 研究代表者
      Yun Joosun
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人理化学研究所
  •  紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  特異構造結晶の特性を生かした新機能発光デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      国立研究開発法人理化学研究所
  •  窒化物半導体を用いた未開拓波長量子カスケードレーザの研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      国立研究開発法人理化学研究所
  •  Si基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外LEDの研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      独立行政法人理化学研究所
  •  電極が不要な禁制帯内の包括的マルチレベル分光手法の開拓

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  窒化物半導体を用いたテラヘルツ量子カスケードレーザの研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      独立行政法人理化学研究所
  •  ディープレベル顕微鏡による欠陥準位のエネルギー及び空間分布解析手法の確立

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  窒化物半導体を用いた遠赤外-テラヘルツ量子カスケードレーザの研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      独立行政法人理化学研究所
  •  InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高効率発光デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      独立行政法人理化学研究所
  •  ナノテクノロジーを用いた深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2007
    • 研究種目
      学術創成研究費
    • 研究機関
      立命館大学
      東京工業大学
  •  InAlGaN4元混晶を用いた紫外域高輝度発光ダイオードの開発研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      独立行政法人理化学研究所
  •  交互供給コドーピング法による高濃度P型窒化物半導体薄膜結晶の製作とその応用研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹, 青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      独立行政法人理化学研究所
      東京工業大学
  •  原子位置制御不純物コドーピングに関する研究

    • 研究代表者
      岩井 荘八
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      特殊法人理化学研究所
  •  紫外半導体レーザーの為の高輝度紫外発光III族窒素化物量子ドットに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  位相制御領域を有するフォトニック結晶の作製とその光デバイスへの応用

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2001
    • 研究種目
      特定領域研究(B)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京工業大学
      理化学研究所

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] O plus E2021

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 出版者
      アドコム・メディア株式会社
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] 特別WEBコラム2020

    • 著者名/発表者名
      永松謙太郎、安井武史、平山秀樹
    • 出版者
      応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] 月刊OPTRONICS2020

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 出版者
      オプトロニクス社
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] クリーンテクノロジー2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      日本工業出版
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] Photonics Division2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      6
    • 出版者
      応用物理学会フォトニクス分科会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] Recent Progress in AlGaN Deep-UV LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      Hideki Hirayama
    • 出版者
      IntechOpen
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS [III-Nitride Semiconductor Optoelectronics]2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 総ページ数
      474
    • 出版者
      Elsevier
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS [III-Nitride Semiconductor Optoelectronics]2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 総ページ数
      474
    • 出版者
      Elsevier
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [図書] オプトロニクス2017

    • 著者名/発表者名
      美濃卓哉、高野隆好、後藤浩嗣、植田充彦、椿健治、平山秀樹
    • 総ページ数
      180
    • 出版者
      オプトロニクス社
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] 学術報告2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      34
    • 出版者
      太陽紫外線防御研究委員会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] 信学技報2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟、定昌史、前田哲利、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 総ページ数
      111
    • 出版者
      電子情報通信学会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] 信学技報2016

    • 著者名/発表者名
      美濃卓哉,平山秀樹、高野隆好、後藤浩嗣、植田充彦、椿健治
    • 総ページ数
      111
    • 出版者
      電子情報通信学会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] III-Nitride Ultraviolet Emitters -Technology and Applications-2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 出版者
      Springer Series in Material Science
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [図書] 深紫外LED高効率化への新たな進展2014

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、前田哲利、藤川紗知恵、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 総ページ数
      9
    • 出版者
      オプトロニクス(OPTRONICS)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [図書] 深紫外LED高効率化への新たな進展2014

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      2
    • 出版者
      オプトロニクス(OPTRONICS)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [図書] InterLab特集2014

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、前田哲利、藤川紗知恵、豊田史郎、金澤裕也、鎌田憲彦、椿健治、阪井淳、高野隆好、美濃卓哉、野口憲路
    • 総ページ数
      7
    • 出版者
      株式会社オプトロニクス社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [図書] AlGaN系深紫外LEDの進展と今後の展望2013

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      6
    • 出版者
      光産業技術振興協会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [図書] ワイドギャップ半導体2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      8
    • 出版者
      近未来光エコデバイスへの展開―中赤外、テラヘルツへの広がり―
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [図書] LED-UV硬化技術と硬化材料の現状と展望「220-350nm帯AlGaN系紫外LEDの進展と今後の展望2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 出版者
      CMC出版(In press)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] グリーンフォトニクス技術資料集-環境ビジネスと光技術-「230-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの進展と応用」2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      9
    • 出版者
      オプトロニクス社
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] 「近接場光のセンシング・イメージ技術への応用」第21章「殺菌・医療用途を目指した深紫外LED光源の開発」2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      CMC出版
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] 光技術コンタクト 48巻8号 特集「紫外光学系の動向」「AlGaN系深紫外LEDの進展と展望」2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      日本オプトメカトロニクス協会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] ファインセラミックスレポート Vol.28, No.4「AlGaN系深紫外LEDの進展」2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      日本ファインセラミックス協会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] 理研環境報告書「深紫外光が導きだす新たなエコ・マーケット」-高品質の結晶を作る数多くのブレークスルーを実現-2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      1
    • 出版者
      独立行政法理化学研究所
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] Display「220-280nm帯AlGaN系深紫外LEDの進展」2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      10
    • 出版者
      (株)技術情報
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] 光技術コンタクト vol.47, 通巻551, 10月号「最短波長領域・高効率深紫外LEDの開発」2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 総ページ数
      1
    • 出版者
      (社)日本オプトメカトロニクス協会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] Modern Wide Bandgap Semiconductores and Related Optoelectronic Devices2007

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama et al.
    • 出版者
      Springer(印刷中)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] 平成18年度光技術動向調査(量子カスケードレーザによる中赤外、テラヘルツ波の発生)2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [図書] 平成18年度光技術動向調査2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹 他
    • 出版者
      光産業技術振興協会(印刷中)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] 科学立国日本を築く極限に挑む気鋭の研究者たち2006

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹 他
    • 総ページ数
      325
    • 出版者
      日刊工業新聞社
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] ワイドギャップ半導体光・電子デバイス2006

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹 他
    • 総ページ数
      421
    • 出版者
      森北出版(株)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [図書] LED最新技術動向〜性能向上・課題解決集〜、第5章、紫外LEDの短波長化と高効率化の課題と展望2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 出版者
      情報機構
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [図書] LED最新技術動向〜性能向上・課題解決集〜、第5章、紫外LEDの短波長化と高効率化の課題と展望2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 出版者
      情報機構
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [図書] LED最新技術動向〜性能向上、課題解決集〜、第5章、紫外LEDの短波長化と高効率化の課題と展望2005

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹
    • 出版者
      情報機構
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [図書] Opt0elelectronic Devices : III-Nitrides, Chapter 11, Quaternary InAlGaN-based UV LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 出版者
      Elsevier
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [図書] Optoelectric Devices : III-V Nitrides, Chapter 11, Quaternary InAlGaN-based UV-LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 総ページ数
      575
    • 出版者
      Elsevier
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [図書] Quaternary InAlGaN-based UV LEDs, Optoelectronic Devices:III-V Nitres Chaper112004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 出版者
      Elsevier
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [図書] Opt0electronic Devices : III-Nitrides, Chapter 11, Quaternary InAlGaN-based UV LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 出版者
      Elsevier
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Demonstration of High Light-Extraction Efficiency of Double-Metal Surface-Emitting Terahertz Quantum Cascade Laser with High Active Region Occupancy by Adopting Uniform Triangular Prism Photonic Crystal2021

    • 著者名/発表者名
      Joosun Yun, Tsung-Tse Lin, and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      Journal of Lightwave Technology

      巻: submitted

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04251
  • [雑誌論文] Impact of Mg level on lattice relaxation in a p-AlGaN hole source layer and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters2020

    • 著者名/発表者名
      Khan M Ajmal、Bermundo Juan Paolo、Ishikawa Yasuaki、Ikenoue Hiroshi、Fujikawa Sachie、Matsuura Eriko、Kashima Yukio、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Nanotechnology

      巻: 32 号: 5 ページ: 055702-055702

    • DOI

      10.1088/1361-6528/abbddb

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] External Quantum Efficiency of 6.5% at 300 nm Emission and 4.7% at 310 nm Emission on Bare Wafer of AlGaN-Based UVB LEDs2020

    • 著者名/発表者名
      Khan M. Ajmal、Itokazu Yuri、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Yamada Yoichi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      ACS Applied Electronic Materials

      巻: 2 号: 7 ページ: 1892-1907

    • DOI

      10.1021/acsaelm.0c00172

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Beyond 53% internal quantum efficiency in a AlGaN quantum well at 326 nm UVA emission and single-peak operation of UVA LED2020

    • 著者名/発表者名
      Khan M. Ajmal、Takeda Ryohei、Yamada Yoichi、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Optics Letters

      巻: 45 号: 2 ページ: 495-498

    • DOI

      10.1364/ol.376894

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Correlation between excitons recombination dynamics and internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-A multiple quantum wells2020

    • 著者名/発表者名
      Murotani Hideaki、Miyoshi Hiroyuki、Takeda Ryohei、Nakao Hiroki、Ajmal Khan M.、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki、Yamada Yoichi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 128 号: 10 ページ: 105704-105704

    • DOI

      10.1063/5.0015554

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04585, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Temperature dependence of nonradiative recombination processes in UV-B AlGaN quantum well revealed by below-gap excitation light2020

    • 著者名/発表者名
      M. Ismail Hossain, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      Optical Materials

      巻: 105 ページ: 109878-109878

    • DOI

      10.1016/j.optmat.2020.109878

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [雑誌論文] High internal quantum efficiency and optically pumped stimulated emission in AlGaN-based UV-C multiple quantum wells2020

    • 著者名/発表者名
      Murotani Hideaki、Tanabe Ryohei、Hisanaga Keisuke、Hamada Akira、Beppu Kanta、Maeda Noritoshi、Khan M. Ajmal、Jo Masafumi、Hirayama Hideki、Yamada Yoichi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 117 号: 16 ページ: 162106-162106

    • DOI

      10.1063/5.0027697

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04585, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Superlattice period dependence on nonradiative recombination centers in the n-AlGaN layer of UV-B region revealed by below-gap excitation light2020

    • 著者名/発表者名
      M. Ismail Hossain, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Norihiko Kamata, Noritoshi Maeda, and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 10 号: 3

    • DOI

      10.1063/1.5134698

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [雑誌論文] Nonradiative recombination centers in deep UV-wavelength AlGaN quantum wells detected by below-gap excitation light2019

    • 著者名/発表者名
      Hossain M. Ismail、Itokazu Yuri、Kuwaba Shunsuke、Kamata Norihiko、Maeda Noritoshi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SCCB37-SCCB37

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1069

    • NAID

      210000156272

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [雑誌論文] Parasitic transport paths in two-well scattering-assisted terahertz quantum cascade lasers2019

    • 著者名/発表者名
      Li Wang, Tsung-Tse Lin, Ke Wang, and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 8 ページ: 082003-082003

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab2b56

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04296, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Influence of the nucleation conditions on the quality of AlN layers with high-temperature annealing and regrowth processes2019

    • 著者名/発表者名
      Itokazu Yuri、Kuwaba Shunsuke、Jo Masafumi、Kamata Norihiko、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SC1056-SC1056

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1126

    • NAID

      210000156252

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Influence of Undoped‐AlGaN Final Barrier of MQWs on the Performance of Lateral‐Type UVB LEDs2019

    • 著者名/発表者名
      Ajmal Khan Muhammad、Matsuura Eriko、Kashima Yukio、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 216 号: 18 ページ: 1970059-1970059

    • DOI

      10.1002/pssa.201970059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Controlled crystal orientations of semipolar AlN grown on an m-plane sapphire by MOCVD2019

    • 著者名/発表者名
      Jo Masafumi、Itokazu Yuri、Kuwaba Shunsuke、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SC1031-SC1031

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab0f1c

    • NAID

      210000156090

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Short-period scattering-assisted terahertz quantum cascade lasers operating at high temperatures2019

    • 著者名/発表者名
      Li Wang, Tsung-Tse Lin, Ke Wang, Thomas Grange, Stefan Birner, and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      Scientific reports

      巻: 9 号: 1 ページ: 9446-9446

    • DOI

      10.1038/s41598-019-45957-8

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04296, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] 13 mW operation of a 295?310 nm AlGaN UV-B LED with a p-AlGaN transparent contact layer for real world applications2019

    • 著者名/発表者名
      Khan M. Ajmal、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Akamatsu Yuki、Tanabe Ryohei、Yamada Yoichi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Journal of Materials Chemistry C

      巻: 7 号: 1 ページ: 143-152

    • DOI

      10.1039/c8tc03825b

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Random electric field induced by interface roughness in GaN/AlGaN multiple quantum wells2019

    • 著者名/発表者名
      Joosun Yun, Dong-Pyo Han, and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 12 ページ: 124005-124005

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab548a

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04251, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Evolution of morphology and crystalline quality of DC-sputtered AlN films with high-temperature annealing2019

    • 著者名/発表者名
      Mogami Yosuke、Motegi Shogo、Osawa Atsushi、Osaki Kazuto、Tanioka Yukitake、Maeoka Atsushi、Jo Masafumi、Maeda Noritoshi、Yaguchi Hiroyuki、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SC1029-SC1029

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1066

    • NAID

      210000156092

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Overcoming the current injection issue in the 310 nm band AlGaN UVB light-emitting diode2019

    • 著者名/発表者名
      Khan M. Ajmal、Matsuura Eriko、Kashima Yukio、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SA ページ: SAAD01-SAAD01

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab460b

    • NAID

      210000157156

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Evaluation of GaN/AlGaN THz quantum-cascade laser epi-layers grown on AlGaN/Si templates by MOCVD2019

    • 著者名/発表者名
      Fujikawa Sachie、Ishiguro Toshiya、Wang Ke、Terashima Wataru、Fujishiro Hiroki、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 510 ページ: 47-49

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.12.027

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14113, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Milliwatt power UV-A LEDs developed by using n-AlGaN superlattice buffer layers grown on AlN templates2019

    • 著者名/発表者名
      Matsumoto Takuma、Ajmal Khan M、Maeda Noritoshi、Fujikawa Sachie、Kamata Norihiko、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 52 号: 11 ページ: 115102-115102

    • DOI

      10.1088/1361-6463/aaf60a

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] AlGaN深紫外LDの実現へ向けた最近の進展2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、前田哲利、M. Ajmal Khan、只友一行、岡田成仁、山田陽一
    • 雑誌名

      レーザー研究

      巻: 47 ページ: 196-203

    • NAID

      130008074017

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] High output power THz quantum cascade lasers and their temperature dependent performance2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang, and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Journal of Infrared and Millimeter Waves

      巻: 37 ページ: 513-522

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Optimization of terahertz quantum cascade lasers by suppressing carrier leakage channel via high-energy state2018

    • 著者名/発表者名
      Lin Tsung-Tse、Wang Li、Wang Ke、Grange Thomas、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 11 号: 11 ページ: 112702-112702

    • DOI

      10.7567/apex.11.112702

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04296, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733, KAKENHI-PROJECT-17K14113
  • [雑誌論文] Improving the Light-Extraction Efficiency of AlGaN DUV-LEDs by Using a Superlattice Hole Spreading Layer and an Al Reflector2018

    • 著者名/発表者名
      Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 215 号: 8 ページ: 1700436-1700436

    • DOI

      10.1002/pssa.201700436

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Effects of Ga Supply on the Growth of (11-22) AlN on m-Plane (10-10) Sapphire Substrates2018

    • 著者名/発表者名
      Jo Masafumi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 255 号: 5 ページ: 1700418-1700418

    • DOI

      10.1002/pssb.201700418

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Enhancing the light-extraction efficiency of AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes using highly reflective Ni/Mg and Rh as p-type electrodes2018

    • 著者名/発表者名
      Maeda Noritoshi、Yun Joosun、Jo Masafumi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FH08-04FH08

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fh08

    • NAID

      210000148946

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Broadening mechanisms and self-consistent gain calculations for GaN quantum cascade laser structures2018

    • 著者名/発表者名
      Wang Ke、Grange Thomas、Lin Tsung-Tse、Wang Li、Jehn Zoltan、Birner Stefan、Yun Joosun、Terashima Wataru、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 113 号: 6 ページ: 061109-061109

    • DOI

      10.1063/1.5029520

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04251, KAKENHI-PROJECT-18K04296, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733, KAKENHI-PROJECT-17K14113, KAKENHI-PROJECT-15K13982
  • [雑誌論文] Controlling loss of waveguides for potential GaN terahertz quantum cascade lasers by tuning the plasma frequency of doped layers2018

    • 著者名/発表者名
      Wang Ke、Lin Tsung-Tse、Wang Li、Terashima Wataru、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 8 ページ: 081001-081001

    • DOI

      10.7567/jjap.57.081001

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04296, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-17K14113, KAKENHI-PROJECT-15K13982
  • [雑誌論文] Impact of thermal treatment on the growth of semipolar AlN on m-plane sapphire2018

    • 著者名/発表者名
      Jo Masafumi、Morishita Naoki、Okada Narihito、Itokazu Yuri、Kamata Norihiko、Tadatomo Kazuyuki、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 8 号: 10 ページ: 105312-105312

    • DOI

      10.1063/1.5052294

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] 殺菌用・深紫外LEDの進展2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      月刊バイオインダストリー

      巻: 35 ページ: 63-70

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Improving the Efficiency of AlGaN Deep-UV LEDs by Using Highly Reflective Ni/Al p-Type Electrodes2018

    • 著者名/発表者名
      Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 215 号: 8 ページ: 1700435-1700435

    • DOI

      10.1002/pssa.201700435

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] 殺菌用・深紫外LEDの進展2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      ファインセラミックスレポート

      巻: 36 ページ: 118-121

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Reflectance of a reflective photonic crystal p-contact layer for improving the light-extraction efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes2018

    • 著者名/発表者名
      Yun Joosun、Kashima Yukio、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 8 号: 12 ページ: 125126-125126

    • DOI

      10.1063/1.5062603

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Deep-ultraviolet light-emitting diodes with external quantum efficiency higher than 20% at 275 nm achieved by improving light-extraction efficiency2017

    • 著者名/発表者名
      T. Takano, T. Mino, J. Sakai, N. Noguchi, K. Tsubaki and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 号: 3 ページ: 031002-031002

    • DOI

      10.7567/apex.10.031002

    • NAID

      210000135778

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of High External Quantum Efficiency AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode Grown on Pattern Si Substrate2017

    • 著者名/発表者名
      Tran Binh Tinh、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 7 号: 1 ページ: 12176-12176

    • DOI

      10.1038/s41598-017-11757-1

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Variable Barrier Height AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Laser Operating at 3.7?THz2017

    • 著者名/発表者名
      Lin Tsung-Tse、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 215 号: 8 ページ: 1700424-1700424

    • DOI

      10.1002/pssa.201700424

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733, KAKENHI-PROJECT-15K13982
  • [雑誌論文] Design for Stable Lasing of an Indirect Injection THz Quantum Cascade Laser Operating at Less Than 2 THz2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 雑誌名

      International Journal of Materials Science and Applications

      巻: 6 号: 5 ページ: 230-230

    • DOI

      10.11648/j.ijmsa.20170605.11

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] High external quantum efficiency (10%) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes achieved by using highly reflective photonic crystal on p-AlGaN contact layer2017

    • 著者名/発表者名
      Kashima Yukio、Maeda Noritoshi、Matsuura Eriko、Jo Masafumi、Iwai Takeshi、Morita Toshiro、Kokubo Mitsunori、Tashiro Takaharu、Kamimura Ryuichiro、Osada Yamato、Takagi Hideki、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 11 号: 1 ページ: 012101-012101

    • DOI

      10.7567/apex.11.012101

    • NAID

      210000136062

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes2017

    • 著者名/発表者名
      Hirayama Hideki、Kamata Norihiko、Tsubaki Kenji
    • 雑誌名

      III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications

      巻: 133 ページ: 267-299

    • DOI

      10.1007/978-981-10-3755-9_10

    • ISBN
      9789811037542, 9789811037559
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN contact layer2017

    • 著者名/発表者名
      J. Yun and H. Hirayama
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 121 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.4973493

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Structural and electrical properties of semipolar (11-22) AlGaN grown on m -plane (1-100) sapphire substrates2017

    • 著者名/発表者名
      Masafumi Jo, Issei Oshima, Takuma Matsumoto, Noritoshi Maeda, Norihiko Kamata and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi (c)

      巻: - 号: 8

    • DOI

      10.1002/pssc.201600248

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Growth of High-Quality AlN on Sapphire and Development of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes2017

    • 著者名/発表者名
      Hirayama H.
    • 雑誌名

      Semiconductors and Semimetals

      巻: 96 ページ: 85-120

    • DOI

      10.1016/bs.semsem.2016.11.002

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] AlGaN紫外LEDの進展と展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      照明学会誌

      巻: 100 ページ: 115-118

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Performance improvement of AlN crystal quanlity grown on patterned Si (111) substrate for deep UV LED applications2016

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, N. Maeda, N. Jo, D. Inoue, T. Kikitsu and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Scientific Report

      巻: 6 号: 1 ページ: 35681-35681

    • DOI

      10.1038/srep35681

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] High-Quality AlN Template Grown on a Patterned Si (111) Substrate2016

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda, D. Inoue, T. Kikitsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: - ページ: 225-229

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.12.100

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      レーザー研究

      巻: 44 ページ: 520-526

    • NAID

      130007957296

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      レーザー研究

      巻: 44 ページ: 520-526

    • NAID

      130007957296

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Enhanced light extraction in 260 nm light-emitting diode with a highly transparent p-AlGaN layer2016

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, N. Maeda and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 1 ページ: 012102-012102

    • DOI

      10.7567/apex.9.012102

    • NAID

      210000137743

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in deep-UV AlGaN-based quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence2015

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. Touhidul Islam, M. Julkarnain, N. Murakoshi, T. Fukuda, and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi B

      巻: 252 号: 5 ページ: 936-939

    • DOI

      10.1002/pssb.201451582

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005, KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Growth of non-polar a-plane AlN on r-plane sapphire2015

    • 著者名/発表者名
      M. Jo and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FA02-05FA02

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fa02

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Analysis of efficiency droop in 280-nm AlGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes based on carrier rate equation2015

    • 著者名/発表者名
      J. Yun, J. I. Shim, H. Hirayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 2 ページ: 022104-022104

    • DOI

      10.7567/apex.8.022104

    • NAID

      210000137382

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展と今後の展望2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹,寺嶋亘,林宗澤,佐々木美穂
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 84 ページ: 918-923

    • NAID

      10031104445

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Direct growth and controlled coalescence of thick AlN template on micro-circle patterned Si substrate2015

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, S. Toyoda and N. Kamata
    • 雑誌名

      Scientific Report

      巻: 5 号: 1 ページ: 14734-14734

    • DOI

      10.1038/srep14734

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733, KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Optical detection of nonradiative recombination centers in AlGaN quantum wells for deep-UV region2014

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama and N. Kamata
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 11 号: 3-4 ページ: 832-835

    • DOI

      10.1002/pssc.201300405

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] Optical detection of nonradiative recombination centers in AlGaN quantum wells for deep UV region2014

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, Naoki Murakoshi, Takeshi Fukuda, Hideki Hirayama, and Norihiko Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Status Soldi C

      巻: 11 ページ: 832-835

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] 化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術2014

    • 著者名/発表者名
      鹿嶋行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、藤川紗千恵、平山秀樹
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 114 ページ: 27-32

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] Optical detection of nonradiative recombination centers in AlGaN quantum wells for deep UV region2014

    • 著者名/発表者名
      59) A.Z.M.Touhidul Islam,N.Murakoshi,T.Fukuda, H.Hirayama,and N.Kamata
    • 雑誌名

      Phys.Status.Solidi C

      巻: C 11 ページ: 832-835

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] Recent progress and future prospects of AlGaN-based high-efficiency deep-ultraviolet light-emitting diodes2014

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, N. Maeda, S. Fujikawa, S. Toyota and N. Kamata
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 10 ページ: 100209-100209

    • DOI

      10.7567/jjap.53.100209

    • NAID

      210000144519

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED2014

    • 著者名/発表者名
      定昌史、前田哲利、平山秀樹
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 114 ページ: 77-80

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] 素子透明化によるAlGaN深紫外LEDの光取出し効率の高効率化2014

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、前田哲利、藤川紗知恵、豊田史郎、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      OPTRONICS

      巻: 386 ページ: 58-66

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] MOCVDを用いたGaN/ALGaNテラヘルツ量子カスケードレーザー(THz-QCL)の作製と7THz発振動作2014

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗, 寺嶋亘, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 雑誌名

      電子情報通信学会, 信学技報

      巻: ED2014-84 ページ: 1-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] 超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作2014

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、定昌史、平山秀樹
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 114 ページ: 73-76

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] ウェットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製2014

    • 著者名/発表者名
      金沢裕也、豊田史朗、大島一晟、鎌田憲彦、鹿島行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、平山秀樹
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 114 ページ: 39-44

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] Realization of high-efficiency deep-UV LEDs using transparent p-AlGaN contact layer2014

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: No. 11 ページ: 1521-1524

    • NAID

      110009887994

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] AlGaN系率紫外LEDの進展2013

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗知恵、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C

      巻: Vol. 133 ページ: 1443-1448

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] AlGaN系率紫外LEDの進展2013

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗知恵、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電気学会論文誌 C

      巻: 133 ページ: 1-3

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] AlGaN深紫外LEDの高効率化への取り組み2012

    • 著者名/発表者名
      富田優志、藤川紗千恵、水澤克哉、豊田史朗、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 112 ページ: 87-92

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] High-efficiency AlGaN deep-UV LEDs fabricated on a- and m-axis oriented c-plane sapphire substrates2012

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, H. Hirayama and N. Maeda
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 ページ: 790-793

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] Characteristics of AlN crystal growth depending on m- and a-axis oriented off-angle of c-sapphire substrate2012

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, H. Hirayama and S. Fujikawa
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 ページ: 810-813

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] Characteristics of epitaxial lateral overgrowth AlN templates on (111) Si substrates for AlGaN deep-UV LEDs fabricated on different direction stripe patterns2012

    • 著者名/発表者名
      T. Mino, H. Hirayama, T. Takano, K. Tsubaki and M. Sugiyama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 ページ: 802-805

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] Growth of flat p-GaN contact layer by pulse flow method for high light-extraction AlGaN deep-UV LEDs with Al-based electrode2012

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, H. Hirayama, Y. Tomita, Y. Tsukada, N. Maeda, and A. Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 ページ: 806-809

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] Highly-uniform 260 nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes developed by 2-inch×3 MOVPE system2012

    • 著者名/発表者名
      T. Mino, H. Hirayama, T. Takano, N. Noguchi and K. Tsubaki
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 ページ: 749-752

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] Growth of flat p-GaN contact layer by pulse flow method for high light-extraction AlGaN deep-UV LEDs with Al-based electrode2012

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, H. Hirayama, Y. Tomita, Y. Tsukada, N. Maeda and A. Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 ページ: 806-809

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [雑誌論文] Spontaneous emission from GaN/AlGaN terahertz quantum cascade laser grown on GaN substrate2011

    • 著者名/発表者名
      Wataru Terashima, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi

      巻: (In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Spontaneous emission from GaN/AlGaN terahertz quantum cascade laser grown on GaN substrate2011

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: Vol.8 ページ: 2302-2304

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] Threshold current density reduction by utilizing high-Al-composition barriers in 3.7 THz GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers2011

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, L. Ying and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: Vol.5 ページ: 12101-12101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] Threshold current density reduction by utilizing high-Al-composition barriers in 3.7 THz GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers2011

    • 著者名/発表者名
      T.T.Lin, L.Ying, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express

      巻: Vol.5 ページ: 12101-12101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] Development of terahertz quantum cascade laser based on III-nitride semiconductors2011

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 雑誌名

      The Review of Laser Engineering

      巻: Vol.39, No.10 ページ: 769-774

    • NAID

      10029790290

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] Molwcular beam epitaxy growth of GaN/AlGaN quantum cascade structure using droplets elimination by thermal annealing technique2011

    • 著者名/発表者名
      Wataru Terashima, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Status, Solidi A

      巻: (In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望2011

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗千恵、塚田悠介、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 80(Invited Review) ページ: 319-324

    • NAID

      10027969857

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy growth of GaN/AlGaN quantum cascade structure using droplets elimination by thermal annealing technique2011

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi A

      巻: Vol.1 ページ: 1-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望(Invited Review)2011

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 藤川紗千恵, 塚田悠介, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: Vol.80, No.4 ページ: 319-324

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy growth of GaN/AlGaN quantum cascade structure using droplets elimination by thermal annealing technique2011

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi A

      巻: 1 ページ: 1-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] 222nm Deep-Ultraviolet AlGaN Quantum WelLight-Emitting Diode with Vertical Emission Properties2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, N.Noguchi, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. 3

      ページ: 32102-32102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN LEDs by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, T. Maeda, N. Kamata
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, T.Maeda, N.Kamata
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express 3

      ページ: 31002-31002

    • NAID

      10027013818

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 深紫外域AlGaN-LEDの高品質化2010

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦, 乗松潤, 塚田悠介, 秋葉雅弘, 福田武司, 平山秀樹
    • 雑誌名

      Proc.Human Photonics Forum

      ページ: 22-27

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222nm Deep-Ultraviolet AlGaN QW Light-Emitting Diode with Vertical Emission Properties2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, N. Noguchi, N. Kamata
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価2010

    • 著者名/発表者名
      五十嵐航平、石岡亮、塚田悠介、福田武司、本多善太郎、平山秀樹、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告(EID2010-31)

      巻: Vol.110,No.404 ページ: 41-44

    • NAID

      10027800136

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 塚田悠介, T.Maeda, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. 3

      ページ: 31002-31002

    • NAID

      10027013818

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Marked Enhancement in the efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquatum-Barrier Electron Blocking Layer2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express.3,031002 3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] The Utility of Droplet Elimination by Thermal Annealing Technique for Fabrication of GaN/AlGaN Terahertz Quantum Cascade Structure by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: Vol.3

    • NAID

      10027618617

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] 222nm Deep-Ultraviolet AlGaN Quantum Well Light-Emitting Diode with Vertical Emission Properties2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, N.Noguchi, N.Kamata
    • 雑誌名

      Appl.Phys Express (in press)

    • NAID

      10027013951

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Fabrication of a low threading dislocation density ELO-AlN template for application to deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, S.Fujikawa, 乗松潤, T.Takano, K.Tsubaki, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) (in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] The Utility of Droplet Elimination by Thermal Annealing Technique for Fabrication of GaN/AlGaN Terahertz Quantum Cascade Structure by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express

      巻: 3

    • NAID

      10027618617

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] AlGaN系殺菌用途紫外LEDの進展と今後の展望2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      表面技術、特集「LED照明と表面技術」

      巻: 61巻9号 ページ: 637-640

    • NAID

      10026629249

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] The utility of droplet elimination by thermal annealing technique for fabrication of GaN/AlGaN Terahertz quatum cascade structure by radio frequency molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Wataru Terashima, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express

      巻: 3 ページ: 125501-125501

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Fabrication of Low Threading Dislocation Density ELO-AlN Template for Application to Deep-UV LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, S. Fujikawa, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, N. Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(c)

      巻: 6, Issue S2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222nm single-peaked deep-UV LED with thin AlGaN quantum well layer2009

    • 著者名/発表者名
      N.Noguchi, 平山秀樹, T.Yatabe, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Design and fabrication of terahertz quantum cascade structure based on III-Nitride semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, S.Fujikawa, N.Noguchi, 乗松潤, T.Takano, K.Tsubaki, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A 206

      ページ: 1176-1182

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Design and fabrication of terahertz quantum cascade structure based on III-Nitride semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima, H. Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 6(S2)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [雑誌論文] Fabrication of low threading dislocation density ELO-AIN template for the application to deep-UV LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, S.Fujikawa, J.Norimatsu, T.Takano, K.Tsubaki, N.kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Design and fabrication of terahertz quantum cascade structure based on III-Nitride semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: Vol.6 ページ: 614-617

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] 222nm single-peaked deep-UV LEDE with thin AlGaN quantum well layers2009

    • 著者名/発表者名
      N.Noguchi, H.Hirayama, T.Yatabe, N.Kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, N.Noguchi, S.Fujikawa, J.Norimatsu, T.Takano, K.Tsubaki, N.kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(a) 206

      ページ: 1176-1182

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Design and fabrication of terahertz quantum cascade structure based on III-Nitride semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima, H. Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [雑誌論文] 222-282 nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, S. Fujikawa, N. Noguchi, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, N. Kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a)

      巻: 206 ページ: 1176-1182

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AIN template2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE 7216

      ページ: 7216-58

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Realization of 280nm band AlGaN based UV-LED on large area AlN template with high crystalline quality2009

    • 著者名/発表者名
      T.Takano, S.Fujikawa, K.Tsubaki, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, N.Noguchi, S.Fujikawa, J.Norimatsu, T.Takano, K.Tsubaki, N.Kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a) 206

      ページ: 1176-1182

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN template2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, N.Noguchi, S.Fujikawa, J.Norimatsu K.Kamata, T.Takano, K.Tsubaki
    • 雑誌名

      SPIE

      ページ: 7216-58

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Extremely high efficiency 280nm-band emission from quaternary InAlGaN QWs realized by controlling Si-doped layers2009

    • 著者名/発表者名
      S.Fujikawa, H.Hirayama, T.Takano, K.Tsubaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Fabrication of low threading dislocation density ELO-AlN template for application to deep-UV LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, S. Fujikawa, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, N. Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(c)

      巻: Vol.6, Issue S2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Milliwatt power 270nm-band AlGaN deep-UV LEDs fabricated on ELO-AlN template2009

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, J.Norimatsu, N.Noguchi, S.Fujikawa, T.Takano, K.Tsubaki, N.Kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 280nm帯高出力紫外LED2009

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹
    • 雑誌名

      月刊ディスプレー 2月号

      ページ: 33-42

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] ELO-AlN テンプレート上に作製した270nm帯 AlGaN 紫外LED2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他6名
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術報告 168

      ページ: 77-82

    • NAID

      110007127194

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Remarkable enhancement of 254-280nm deep ultraviolet emission from AlGaN quantum wells by using high-quality AIN buffer on sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2283-2285

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Recent progresses of 220-270nm AlGaN-based deep-UV LEDs2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 雑誌名

      J. Illum. Engng. Inst. Jpn. 92

      ページ: 311-315

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Realization of 340nm-band high-power InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by the suppression of electron overflow2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2260-2262

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 226-273 nm AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on multilayer AlN buffers on sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi and N. Kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2969-2969

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN quantum-dot ultraviolet light-emitting diode emitting at 335 nm fabricated by an anti-surfactant method2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Solidi QDQ0760

      ページ: 1-10

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Quaternary InAIGaN quantum-dot ultraviolet light-emitting diode emitting at 335 nm fabricated by an anti-surfactant method2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(a) (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Ag-metal bonding condition for low-loss double-metal waveguide (DMW) of THz-quantum cascade laser2008

    • 著者名/発表者名
      L Ying, N. Horiuchi, H. Hirayama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 7926-7928

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [雑誌論文] Realization of 340-nm-band high-output-power (7mW) InAlGaN quantum well ultraviolet light-emitting diode with p-type InAlGaN2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Jap. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2941-2944

    • NAID

      210000064629

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN quantum-dot ultraviolet light-emitting diode emitting at 335nm fabricated by an anti-surfactant method2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2312-2314

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Realization of 340nm-band high-power UV-LED using p-type InAlGaN2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Journal of light and Visual Environment 32

      ページ: 83-37

    • NAID

      110006663890

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 27-261nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AlN buffers on sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Journal of Light and Visual Environment 32

      ページ: 79-82

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他3名
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術報告 167

      ページ: 71-76

    • NAID

      110007127195

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 227nm AlGaN light-emitting diode with 0.15mW output power realized using thin quantum well and AlN buffer with reduced threading dislocation density2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 1

    • NAID

      10025080177

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Improvement of surface roughness and reduction of threading-dislocation density in AlN/AlGaN templates on sapphire by employing trimethylaluminum pulsed supply growth2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 1968-1970

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Remarkable improvement of output power for InAlGaN based ultraviolet LED by improving the crystal quality of AlN/AlGaN templates2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2102-2104

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Remarkable enhancement of 254-280 nm deep ultraviolet emission from AlGaN quantum wells by using high-quality AlN buffer on sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, T. Ohashi and N. Kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2283-2283

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 226-273nm AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on multilayer AlN buffers on sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2969-2971

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Quaternary InAIGaN quantum-dot ultraviolet light-emitting diode emitting at 335 nm fabricated by an anti-surfactant method2008

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 5

      ページ: 2312-2315

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] 230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他3名
    • 雑誌名

      電気学会論文誌 C 128

      ページ: 748-756

    • NAID

      10021132357

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Development of 220-270nm AlGaN-based deep UV-LEDs2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Electrical Engineering of Japan 128

      ページ: 748-757

    • NAID

      110006684469

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 227 nm AlGaN light-emitting diode with 0.15 mW output power realized using thin quantum well and AlN buffer with reduced threading dislocation density2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, N. Noguchi, T. Yatabe and N. Kamata
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 1

      ページ: 51101-51101

    • NAID

      10025080177

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 340nm-band high-power InAlGaN quantum well ultraviolet light-emitting diode using p-type InAlGaN layers2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2280-2282

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 227 nm AlGaN light-emitting diode with 0.15 mW output power realized using thin quantum well and AlN buffer with reduced threading dislocation density2008

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, N.Noguchi, T.Yatabe, N.Kamata
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express 1

      ページ: 51101-51101

    • NAID

      10025080177

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 280nm帯 InAlGaN 高出力紫外 LED2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他3名
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術報告 169

      ページ: 83-88

    • NAID

      110007127193

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Ag-metal bonding condition for low-loss double-metal waveguide of terahertz quantum cascade laser2008

    • 著者名/発表者名
      L Ying, N. Horiuchi, H. Hirayama
    • 雑誌名

      Jap. J. Appl. Phys 47(10)

      ページ: 7926-7928

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [雑誌論文] 「p-InALGaNと高品質AINを用いた340nm帯高出力LED」2007

    • 著者名/発表者名
      藤川 紗千恵、高野隆好、近藤行廣、平山秀樹
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告 107

      ページ: 29-34

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 231-261nm AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on AlN multilayer buffers grown by ammonia pulse-flow method on sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Yatabe, N.Noguchi, T.Ohashi, N.Kamata
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

      ページ: 71901-71901

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] "231-261nm AIGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabri cated on AIN multilayer buffers grown by ammonia pulse-flow method on sapphire"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

      ページ: 0719011-3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 「深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発」2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      電気学会、光・量子デバイス研究会資料 OQD-07-60

      ページ: 1-10

    • NAID

      10025660536

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] 231-261nm AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on AlN multilayer buffers grown by ammonia pulse-flow method on sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi and N. Kamata
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 91

      ページ: 71901-71901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 「深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発」2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      電気学会、光・量子デバイス研究会資料 OQD-07-60

      ページ: 1-10

    • NAID

      10025660536

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] "250-350nm帯AlGaN系深紫外高輝度LEDの開発"2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、高野隆義、藤川紗千恵、大橋智昭、谷田部透、鎌田憲彦、近藤行廣、
    • 雑誌名

      O plus E Vol.29

      ページ: 572-581

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 深紫外半導体発光素子及びTHz量子カスケードレーザの開発2007

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹
    • 雑誌名

      電気学会、光・量子デバイス研究会資料 OQD-07-60

      ページ: 1-10

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [雑誌論文] "230-350nm帯AIGaN系深紫外高輝度LEDの進展と応用"2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      オプトロニクス(OPTROMICS) 200710月号

      ページ: 110-119

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] Influence of residual oxygen impurity in quaternary InAlGaN multiple quantum well active layers on emission efficiency of ultraviolet light-emitting diodes on GaN substrates2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kyono, H.Hirayama et al.
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys 99・11

      ページ: 1145091-7

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] High-efficiency UV-LEDs using quaternary InAlGaN2006

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama et al.
    • 雑誌名

      Electrical Engineering in Japan 157・3

      ページ: 225-232

    • NAID

      210000174185

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [雑誌論文] 'LED最新技術動向〜性能向上、課題解決集〜、第5章、紫外LEDの短波長化と高効率化の課題と展望2005

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹
    • 雑誌名

      情報機構

      ページ: 91-104

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] 窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C 125

      ページ: 160-168

    • NAID

      10014301981

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Significant improvements of quantum efficiencies of quaternary InAlGaN UV-LEDs on GaN substrates2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kyono, H.Hirayama, K.Akita, T.Nakamura, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(c) 2, 7

      ページ: 2912-2915

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] High-efficiency 350 nm-band quaternary InAlGaN- based UV-LED on GaN/sapphire template2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 2

      ページ: 2899-2902

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] High-efficiency 350 nm-band quaternary InAlGaN- based UV-LED on GaN/sapphire template2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Kyono, K.Akita, T.Nakamura, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 2, 7

      ページ: 2899-2902

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] High-efficiency 350 nm-band quaternary InAlGaN- based UV-LED on GaN/sapphire template2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 2

      ページ: 2899-2902

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Significant improvements of quantum efficiencies of quaternary InAlGaN UV-LEDs on GaN substrates2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kyono, H.Hirayama, K.Akita, T.Nakamura, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 2, 7

      ページ: 2912-2915

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] High-efficiency 350 rm-band quaternary InAIGaN- based UV LED on GaN/sapphire template2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Kyono, K.Akita, T.Nakamura, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(c) 2, 7

      ページ: 2899-2902

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emittingdiodes2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] High-Efficiency UV-LEDs using Quaternary InAlGaN2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Kyono, K.Akita, T.Nakamura, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      IEEJ, Trans.EIS vol.125, no.2

      ページ: 160-168

    • NAID

      210000174185

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] 窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C 125

      ページ: 160-168

    • NAID

      10014301981

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      J. App1. Phys. 97

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] High- Efficiency UV-LEDs using Quaternary InAlGaN2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Kyono, K.Akita, T.Nakamura, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      IEEJ, Trans. EIS vol.125, no.2

      ページ: 160-168

    • NAID

      210000174185

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Short Wavelength and High- Efficiency Operation of Deep UV LED Using Quaternary InAlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Kyono, T.Nakamura, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      The Review of Laser Engineering, Special Issue on Present Status and Future Prospect of Ultraviolet LEDs and LDs Based on Nitride Semiconductors Vol.32, no.6

      ページ: 402-409

    • NAID

      10013161084

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化2004

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹
    • 雑誌名

      レーザー研究(「短波長LED・LD、紫外のLED」特集号) 32

      ページ: 402-409

    • NAID

      10013161084

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Advantage of GaN substrates in InAlGaN quaternary ultraviolet-light-emitting diodes2004

    • 著者名/発表者名
      K.Akita, T.Nakamura, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43, 12

      ページ: 8030-8031

    • NAID

      10014215834

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] High-efficiency 352 nm quaternary InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grwon on GaN substrates2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 43

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化2004

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      レーザー研究 32

      ページ: 402-409

    • NAID

      10013161084

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] 'Quaternary InAlGaN-based UV LEDs, Optoelectronic Devices:III-V Nitres Chaper112004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Elsevier

      ページ: 285-322

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Milliwatt Power 350-nm-band Quaternary InAlGaN UV-LEDs over GaN Substrate2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Kyono, T.Nakamura
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2639-2643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Effects of GaN Substrate in Ultraviolet Light-Emitting Diodes2004

    • 著者名/発表者名
      K.Akita, T.Nakamura, H.Hirayama
    • 雑誌名

      SEI Technical Review Vol.165

      ページ: 75-80

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN based deep UV LED with high-Al-content P-type AlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng. 5359

      ページ: 422-433

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Milliwatt Power 350-nm-band Quaternary InAlGaNUV-LEDs over GaN Substrate2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama et al.
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2639-2643

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Effects of GaN Substrates on InA1GaN Quaternary UV LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      K.Akita, T.Nakamura, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2624-2627

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] High-efficiency 352nm Quaternary InAlGaN-based High-efficiency Ultraviolet Light-emitting Diodes Grown on GaN Substrates2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43, 10A

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN based Deep UV LED with High-Al-content p-type AlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng. 5539

      ページ: 422-433

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN based Deep UV LED with High-Al-content p-type AlGAN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama et al.
    • 雑誌名

      Proc.SPIE.Int.Soc.Opt.Eng. 5359

      ページ: 422-433

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Short Wavelength and High- Efficiency Operation of Deep UV LED Using Quaternary InAlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Kyono, T.Nakamura, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      The Review of Laser Engineering, Special Issue on Present Status and Future Prospect of Ultraviolet LEDs and LDs Based on Nitride Semiconductors Vol.32, no.6

      ページ: 402-409

    • NAID

      10013161084

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Milliwatt Power 350-nm-band Quaternary InAlGaN UV-LEDs over GaN Substrate2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(a) 201

      ページ: 2639-2643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Milliwatt Power 350-nm-band Quaternary InAlGaN UV-LEDs over GaN Substrate2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Kyono, T.Nakamura
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2639-2643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Growth and Annealing Condition of high Al content p-type AlGaN for deep UV-LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      T.Obata, H.Hirayama et al.
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2803-2807

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Advantage of GaN substrates in InAlGaN quaternary ultraviolet- light- emitting diodes2004

    • 著者名/発表者名
      K.Akita, T.Nakamura, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 43, 12

      ページ: 8030-8031

    • NAID

      10014215834

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] High-efficiency 352 nm quaternary InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on GaN substrates2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 43

    • NAID

      10013611337

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Surprisingly low built-in electric fields in quaternary AlInGaN heterostructures2004

    • 著者名/発表者名
      S.Anceau, P.Lefebvre, T.Suski, S.P.Lepkowski, H.Teisseyre, L.H.Dmowski, L.Konczewicz, A.Kaminska, A.Suchocki, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(a) vol.201, no.2

      ページ: 190-194

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] High-efficiency 352 nm quaternary InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on GaN substrates2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K Akita, T.Kyono, T.Nakamura, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 43, 10A

    • NAID

      10013611337

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Milliwatt Power 350-nm-band Quaternary InAlGaN UV-LEDs over GaN Substrate2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 201

      ページ: 2639-2643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] High-efficiency 352 nm quaternary InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on GaN substrates2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Kyono, T.Nakamura, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43, 10A

    • NAID

      10013611337

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Effects of GaN Substrates on InAlGaN Quaternary UV LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      K.Akita, T.Nakamura, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2624-2627

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Effects of GaN Substrate in Ultraviolet Light-Emitting Diodes2004

    • 著者名/発表者名
      K.Akita, T.Nakamura, H.Hirayama
    • 雑誌名

      SEI Technical Review Vol.165

      ページ: 75-80

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Surprisingly low built-in electric fields in quaternary AlInGar heterostructures2004

    • 著者名/発表者名
      S.Anceau, P.Lefebvre, T.Suski, S.P.Lepkowski, H.Teisseyre, L.H.Dmowski, L.Konczewicz, A.Kaminska, A.Suchocki, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(a) vol.201 no.2

      ページ: 190-194

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN based Deep UV LED with High-Al-content p-type AlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng. 5359

      ページ: 422-433

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化2004

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      レーザー研究 32

      ページ: 402-409

    • NAID

      10013161084

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Growth and Annealing Condition of high Al Content p-type AlGaN for deep UV-LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      T.Obata, H.Hirayama, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2803-2807

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Advantage of GaN Substrates in InAlGaN Quaternary Ultraviolet Light-emitting Diodes2004

    • 著者名/発表者名
      K.Akita, H.Hirayama et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43, 12

      ページ: 8030-8031

    • NAID

      10014215834

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Growth and Annealing Condition of high Al Content p-type AlGaN for deep UV-LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      T.Obata, H.Hirayama, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2803-2807

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN based Deep UV LED with High-Al-content p-type AlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng. 5359

      ページ: 422-433

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN based Deep UV LED with High-Al-content p-type AlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5359

      ページ: 422-433

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Effects of GaN Substrates in InAlGaN Quaternary UV-LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      K.Akita, T.Nakamura, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2624-2627

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Determination of Built-in Electric Fields in Quaternary InAlGaN Heterostructures2003

    • 著者名/発表者名
      H.Teisseyre, T.Suski, S.P.Lepkowski, S.Anceau, P.Perlin, P.Lefebvre, L.Konczewicz, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Letters vol.82, no.10

      ページ: 1541-1543

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化2003

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告 103

      ページ: 13-18

    • NAID

      10013161084

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Determination of Built-in Electric Fields in Quaternary InAlGaN Heterostructures2003

    • 著者名/発表者名
      H.Teisseyre, T.Suski, S.P.Lepkowski, S.Anceau, P.Perlin, P.Lefebvre, L.Konczewicz, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Letters vol.82, no.10

      ページ: 1541-1543

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Recent Progress of UV-LEDs using Quaternary InAlGaN-Toward Shorter Wavelength and High-Efficiency Operation-2003

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Nakamura, M.Kiyama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE ED2003-134

    • NAID

      110003174988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Recent Progress of UV LEDs-using Quaternary InAlGaN-Toward Shorter Wavelength and High-Efficiency Operation--2003

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Nakamura, M.Kiyama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE. ED2003-134

    • NAID

      110003174988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化2003

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告 103

      ページ: 13-18

    • NAID

      10013161084

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] High-efficiency UV-emission at 345nm from InAlGaN light-emitting diodes2002

    • 著者名/発表者名
      A.Kinoshita, H.Hirayama, T.Yamabi, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      GaN and Related Alloys-2001, Mater. Res. Soc. 693

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Small Built-in Electric Fields in Quaternary InAlGaN Heterostructures2002

    • 著者名/発表者名
      H.Teisseyre, T.Suski, S.P.Lepkowski, S.Anceau, P.Perlin, P.Lefebvre, L.Konczewicz, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(b) vol.234, no.3

      ページ: 764-768

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] High Doped p-Type GaN Grown by Alternative Co-Doping Technique2002

    • 著者名/発表者名
      S.Iwai, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceeding Vol.719

      ページ: 3-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Fabrication of Low Threading Dislocation Density AlGaN Buffer on SiC using Highly Si-doped AlGaN Superlattices2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, M.Ainoya, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. vol.80, no.12

      ページ: 2057-2059

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] High Doped 'p-Type GaN Grown by Alternative Co-Doping Technique2002

    • 著者名/発表者名
      S.Iwai, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceeding Vol.719

      ページ: 3-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Room-Temperature Intense 320nm-Band UV Emission from Quaternary InAlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 80

      ページ: 1589-1591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Marked enhancement of 320-360nm UV emission in quaternary In_xAl_yGa_<1-x-y> N with In-segregation effect2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 80

      ページ: 207-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Efficient 230-280nm Emission from high-Al-Content AlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Enomoto, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. vol.80, no.1

      ページ: 37-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Room-Temperature Intense 320nm-Band UV Emission from Quaternary InAlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Enomoto, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. vol.80, no.9

      ページ: 1589-1591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Marked enhancement of 320-360 nm UV emission in quaternary In_xAl_yGa_<1-x-y>N with In-segregation effect2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 80

      ページ: 207-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Development of 300 nm Band High-Intensity Ultraviolet (UV) LEDs using Quaternary InAlGaN2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, A.Kinoshita, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Oyobuturi Vol.71, No.2

      ページ: 204-208

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] 330nm-Band High-Efficiency UV LEDs using Quaternary InAlGaN2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Crystal Growth vol.29, no.3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Fabrication of Low Threating Dislocation Density AlGaN Buffer on SiC using Highly Si-doped AlGaN Superlattices2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 80

      ページ: 2057-2059

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Room-Temperature Intense 320nm-Band UV Emission from Quaternary InAlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 80

      ページ: 1589-1591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Marked enhancement of 320-360 nm UV emission in quaternary InxAlyGal-x-yN with In-segregation effect2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Yamabi, A.Kinoshita, Y.Enomoto, A.Hirata, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. vol.80, no.2

      ページ: 207-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Fabrication of Low Threading Dislocation Density AlGaN Buffer on SiC using Highly Si-doped AlGaN Superlattices2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, M.Ainoya, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol.80, no.12

      ページ: 2057-2059

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Efficient 230-280nm Emission from high-Al-Content AlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 80

      ページ: 37-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Effect of thermal annealing on the Pd/Au contact to p-type A10.15Ga0.85N2002

    • 著者名/発表者名
      B.H.Jun, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Jan. J. Appl. Phys. Vol.41 part 1, no.2A

      ページ: 581-582

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Room-Temperature Intense 320nm-Band UV Emission from Quaternary InAlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Enomoto, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol.80, no.9

      ページ: 1589-1591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Development of 300 nm Band High-Intensity Ultraviolet(UV) LEDs using Quaternary InAlGaN2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, A.Kinoshita, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Oyobuturi Vol.71, No.2

      ページ: 204-208

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Investigation of the optimum growth conditions of wide bandgap InAlGaN quaternary for UV-LEDs2002

    • 著者名/発表者名
      T.Yamabi, A.Kinoshita, H.Hirayama, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      GaN and Related Alloys-2001, Mater. Res. Soc. 693

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Growth of (In)AlGaN Compound Semiconductors and their Application to 300-nm-Band High-Intensity UV-LEDs2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      The Review of Laser Engineering Vol.30, No.6

      ページ: 308-314

    • NAID

      130004465336

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Growth of AlN-SiC Solid Solutions by Sequential Supply Epitaxy2002

    • 著者名/発表者名
      A.Avramescu, H.Hirayama, Y.Aoyagi, S.Tanaka
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth vol.234

      ページ: 435-439

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Fabrication of p-n junction with Mg-doped wide bandgap InAlGaN for application to UV emitters2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Yamanaka, A.Kinoshita, H.Hiraoka, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      GaN and Related Alloys-2001, Mater. Res. Soc 693

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] 330nm-Band High-Efficiency UV-LEDs using Quaternary InAlGaN2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Crystal Growth vol.29, no.3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Small Built-in Electric Fields in Quaternary InAlGaN Heterostructures2002

    • 著者名/発表者名
      H.Teisseyre, T.Suski, S.P.Lepkowski, S.Anceau, P.Perlin, P.Lefebvre, L.Konczewicz, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(b) vol.243, no.3

      ページ: 764-768

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Marked enhancement of 320-360 nm UV emission in quaternary InxAlyGal-x-yN with In-segregation effect2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Yamabi, A.Kinoshita, Y.Enomoto, A.Hirata, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol.80, no.2

      ページ: 207-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED2002

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 29

      ページ: 18-26

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [雑誌論文] Growth of (In)AlGaN Compound Semiconductors and their Application to 300-nm-Band High-Intensity UV-LEDs2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      The Review of Laser Engineering Vol.30, No.6

      ページ: 308-314

    • NAID

      130004465336

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Efficient 230-280nm Emission from high-Al-Content AlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Enomoto, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol.80 no.2

      ページ: 37-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED2002

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 29

      ページ: 18-26

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] 340nm-band bright UV-LEDs using Quaternary InAlGaN active region2001

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, A.Kinoshita, M.Ainoya, T.Yamanaka, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Institute of Physics (IOP) Conference Series No.170: Chapter 2

      ページ: 195-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用2001

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      レーザー研究 30

      ページ: 308-314

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた300nm帯高輝度紫外LED2001

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      月刊ディスプレー(テクノタイムズ社) 13年8月号

      ページ: 7-12

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] 短波長光デバイス「紫外LED」2001

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      光産業技術振興協会 13年度版

      ページ: 19-23

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] 340nm-band bright UV-LEDs using Quaternary InAlGaN active region2001

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 雑誌名

      Institute of Physics (IOP) Conference Series 170

      ページ: 195-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED2001

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術報告 ED2001-134

      ページ: 49-54

    • NAID

      110003199708

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] pontaneous emission from GaN/AlGaN terahertz quantum cascade laser grown on GaN substrate

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi.

      巻: (掲載確定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [雑誌論文] 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価

    • 著者名/発表者名
      五十嵐航平, 石岡亮, 塚田悠介, 福田武司, 本多善太郎, 平山秀樹, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会EID2010-31

      ページ: 41-44

    • NAID

      10027800136

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, N. Noguchi, S. Fujikawa, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki and N. Kamata
    • 雑誌名

      physica Status Solidi (a) in press

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 量子カスケードレーザー素子2020

    • 発明者名
      平山秀樹,王利
    • 権利者名
      理化学研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2020
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] Quantum cascade laser element2020

    • 発明者名
      王利,林宗澤,王科,平山秀樹
    • 権利者名
      RIKEN
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2020
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] 深紫外LED装置及びその製造方法2019

    • 発明者名
      平山秀樹,前田哲利,鹿嶋行雄(他
    • 権利者名
      理化学研究所,丸文(他
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] 深紫外LED装置及びその製造方法2019

    • 発明者名
      平山秀樹,前田哲利,鹿嶋行雄(他
    • 権利者名
      理化学研究所,丸文(他
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] AlNバッファー層を備えるテンプレート基板および窒化物半導体素子ならびにそれらの製造方法2019

    • 発明者名
      平山秀樹,定昌史,前田哲利,大澤篤史,前岡淳史
    • 権利者名
      理化学研究所,株式会社SCREENホールディングス
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] 深紫外LED装置及びその製造方法2019

    • 発明者名
      平山秀樹,前田哲利,鹿嶋行雄(他
    • 権利者名
      理化学研究所,丸文(他
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] 低転位AlNの製造方法及びそれに用いる種基板2019

    • 発明者名
      平山秀樹,岡田成仁,只友一行
    • 権利者名
      理化学研究所,山口大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] 深紫外LED装置及びその製造方法2019

    • 発明者名
      平山秀樹,前田哲利,鹿嶋行雄(他
    • 権利者名
      理化学研究所,丸文(他
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] 量子カスケードレーザー素子2018

    • 発明者名
      王利,林宗澤,平山秀樹
    • 権利者名
      王利,林宗澤,平山秀樹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2018
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [産業財産権] 量子カスケードレーザー素子2018

    • 発明者名
      王利,林宗澤,平山秀樹
    • 権利者名
      王利,林宗澤,平山秀樹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2018
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [産業財産権] 窒化物半導体量子カスケードレーザー2015

    • 発明者名
      平山秀樹,寺嶋亘
    • 権利者名
      平山秀樹,寺嶋亘
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2015-08-11
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [産業財産権] 窒化物半導体量子カスケードレーザー2015

    • 発明者名
      平山秀樹,寺嶋亘
    • 権利者名
      平山秀樹,寺嶋亘
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2015-08-11
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [産業財産権] 窒化物半導体量子カスケードレーザー2015

    • 発明者名
      平山秀樹,寺嶋亘
    • 権利者名
      平山秀樹,寺嶋亘
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2015-07-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [産業財産権] 半導体発光素子及び製造方法2013

    • 発明者名
      平山秀樹
    • 権利者名
      平山秀樹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2013-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [産業財産権] 結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外発光素子2012

    • 発明者名
      平山秀樹
    • 権利者名
      平山秀樹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2012-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [産業財産権] 窒化物半導体多重量子構造を有する発光素子及びその製造方法2010

    • 発明者名
      平山秀樹
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所
    • 出願年月日
      2010-02-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 光半導体素子及びその製造方法2010

    • 発明者名
      平山秀樹, 大橋智明, 鎌田憲彦
    • 権利者名
      平山秀樹, 大橋智明, 鎌田憲彦
    • 取得年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [産業財産権] 光半導体発光素子及びその製造方法2010

    • 発明者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所
    • 取得年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 窒化物半導体多重量子障壁を有する発光素子及びその製造法2010

    • 発明者名
      平山秀樹
    • 権利者名
      理研
    • 産業財産権番号
      2010-038912
    • 出願年月日
      2010-02-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 窒化物半導体層の製造方法、窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子2009

    • 発明者名
      平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治, 高野隆好
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所, パナソニック電工(株)
    • 産業財産権番号
      2009-104408
    • 出願年月日
      2009-04-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 光半導体素子及びその製造方法2009

    • 発明者名
      平山秀樹, 柴田智彦
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所, DOWAエレクトロニクス(株)
    • 出願年月日
      2009-08-28
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子2009

    • 発明者名
      平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治, 高野隆好
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所, パナソニック電工(株)
    • 産業財産権番号
      2009-104407
    • 出願年月日
      2009-04-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 発光素子形成用複合基板及びその製造方法2008

    • 発明者名
      平山秀樹、古内史人
    • 権利者名
      理化学研究所、宇部興産株式会社
    • 出願年月日
      2008-09-03
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 発光素子形成用複合基板及びその製造方法2008

    • 発明者名
      平山秀樹、古内史人
    • 権利者名
      理化学研究所、宇部興産株式会社
    • 出願年月日
      2008-09-04
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 1.「光半導体素子及びその製造方法」2007

    • 発明者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 権利者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 産業財産権番号
      2007-219890
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 2.「半導体発光素子及びその製造方法」2007

    • 発明者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 権利者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 産業財産権番号
      2007-219910
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [産業財産権] 半導体発光素子2004

    • 発明者名
      平山秀樹
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所
    • 産業財産権番号
      2004-007325
    • 出願年月日
      2004-01-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [産業財産権] 半導体発光素子2004

    • 発明者名
      平山秀樹, 京野孝史
    • 権利者名
      理研, 住友電工
    • 産業財産権番号
      2004-193809
    • 出願年月日
      2004-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [産業財産権] 半導体発光素子2004

    • 発明者名
      平山 秀樹
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所
    • 産業財産権番号
      2004-007325
    • 出願年月日
      2004-01-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [産業財産権] 発光素子及びその製造方法2003

    • 発明者名
      平山秀樹
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所
    • 産業財産権番号
      2003-296474
    • 出願年月日
      2003-08-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [産業財産権] p型半導体を用いた紫外発光素子2003

    • 発明者名
      平山 秀樹
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所
    • 産業財産権番号
      2003-017397
    • 出願年月日
      2003-01-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [産業財産権] p型半導体を用いた紫発光素子2003

    • 発明者名
      平山秀樹
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所
    • 産業財産権番号
      2003-017397
    • 出願年月日
      2003-01-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [産業財産権] 発光素子及びその製造方法2003

    • 発明者名
      平山 秀樹
    • 権利者名
      独立行政法人理化学研究所
    • 産業財産権番号
      2003-296474
    • 出願年月日
      2003-08-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205006
  • [学会発表] GaAs及びGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザの進展2021

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、林宗澤、王利、王科、陳明曦
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] High-power AlGaN UVC LEDs using PhC reflector p-contact layers2021

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Kashima, E. Matsuura, N. Maeda, M. Jo, Y. Iwaisako, T. Iwai, M. Kokubo, T. Tashiro, H. Furuta, R. Kamimura, Y. Osada, H. Takagi, Y. Kurashima and T. Nagano
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress on GaN and GaAs-based terahertz quantum-cascade lasers2021

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Lin, L. Wang, M. Chen and K. Wang
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Material Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Pure AlGaN UVB LEDs on AlN template: Achieving 9.6% Efficiency at 304nm Emission by Exceeding the Limit of Hole Injection and Light Reflectance2021

    • 著者名/発表者名
      M. Ajmal Khan, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada, and H. Hirayama
    • 学会等名
      2021 IUVA ASIA WORKSHOP
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress on GaAs and GaN-based terahertz quantum-cascade lasers2021

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Lin, L. Wang, M. Chen and K. Wang
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外LEDとTHz-QCLの最近の進展2021

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第4回固体レーザーの高速探索と機能開発に向けたレーザー材料研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Enhancing the Current Density of AlGaN-Based UVB Laser Diode by Introducing an Al-graded Mg-doped p-AlGaN Hole Source Layer2021

    • 著者名/発表者名
      M. Ajmal Khan, N. Maeda, M. Jo, and H. Hirayama
    • 学会等名
      ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design and MBE growth of GaN quantum cascade lasers for THz (25-60μm) and IR (1-3μm) spectrum range2021

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. Lin, K. Wang, M. Chen and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高出力・未踏波長テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展と展望2021

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、林宗澤、王利、王科、陳明曦
    • 学会等名
      理研シンポジウム第8 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Progress on high-power UVC LEDs by increasing light-extraction efficiency2021

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Kashima, E. Matsuura, N. Maeda and M. Jo
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Progress of AlGaN UVC LEDs by improving light extraction efficiency2020

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, N, Maeda and H. Hirayama
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 殺菌用深紫外LEDの進展と展望2020

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      UV光源応用実証研究会、第3回会員限定研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] GaAs系およびGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展2020

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、林宗澤、王科、王利
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第40回年次大会講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN 系 UV-A 多重量子井戸構造における内部量子効率と励起子の輻射再結合ダイナミクスの励起強度依存性2020

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰、三好博之、武田椋平、中尾拓希、倉井聡、M. Ajmal Khan、前田哲利、定昌史、平山秀樹、山田陽一
    • 学会等名
      第81回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] The Influence of Al-Graded undoped-AlGaN Cladding Layer’s Thickness on the Operating Voltages as well as on Injection Current of Ultraviolet-B Laser Diode2020

    • 著者名/発表者名
      M. Ajmal Khan, N. Maeda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      Optics Virtual 2020
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] High performances of AlGaN-based UVC and UVB LEDs with relaxed buffer layer as well as using p-type graded multi-quantum barrier electron blocking layer2020

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, Y. Kashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子の輻射・非輻射再結合レートの励起強度依存性2020

    • 著者名/発表者名
      三好博之,武田椋平,中生拓希,倉井聡,室谷英彰,M. A. Khan,前田哲利,定昌史,平山秀樹,山田陽一
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] ELO-AlNテンプレートの作製とMQWの評価2020

    • 著者名/発表者名
      斉藤貴大,金輝俊,岡田成仁,前田哲利,定昌史,平山秀樹,只友一行
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress in GaAs THz-QCLs and towards realizing GAN based QCLs2020

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの進展と展望2020

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会、結晶成長の科学と技術第161委員会、第114回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Highly Efficient AlGaN UVB LEDs using Al-Graded Mg-doped p-type Multi-Quantum-Barrier Electron Blocking Layer (Grad p-MQB-EBL)2020

    • 著者名/発表者名
      M. Ajmal Khan, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada, and H. Hirayama
    • 学会等名
      LEDIA 2020
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] GaAs系およびGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展2020

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、林宗澤、王科、王利
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第40回年次大会講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 産業化を目指した深紫外LED高効率化の検討2020

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      応用電子物性分科会研究例会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率Droop現象の解析2020

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰,三好博之,武田椋平,中生拓希,倉井聡,M. A. Khan,前田哲利,定昌史,平山秀樹,山田陽一
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と応用展開2020

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      表面・真空学会若手研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress in GaAs THz-QCLs and towards realizing GAN based QCLs2020

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] The improving resolution for dislocation analysis in GaN by three-photon microscopy2020

    • 著者名/発表者名
      E. Hase, T. Yasui, H. Hirayama and K. Nagamatsu
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN UVB LEDs at 310nm emission with high efficiency and light power using partially relaxed n-AlGaN buffer layer2020

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, E. Matsuura, Y. Kashima, Y. Yamada, H. Hirayama
    • 学会等名
      ISPlasma2020/IC-PLANTS2020
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 電流注入と光励起を用いた UV-LED 内の欠陥準位の検出2020

    • 著者名/発表者名
      白井 草汰、千代田 夏樹、鎌田 憲彦、糸数 雄吏、山初 駿太、平山 秀樹
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会、14p-PB2-6、(2020.3.14)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 電流注入と光励起を用いたUV-LED内の欠陥準位の検出2020

    • 著者名/発表者名
      白井草汰,千代田夏樹,鎌田憲彦,糸数雄吏,山初駿太,平山秀樹
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] LEE Enhancement in AlGaN UVC LED using Photonic Crystal Reflector Fabricated on p-GaN Contact Layer2020

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Kashima, Y. Watanabe, T. Shibata, N. Maeda, M. Jo, E. Matsuura, T. Iwai, M. Kokubo, T. Tashiro, H. Furuta, R. Kamimura, Y. Osada, H. Takagi, Y. Kurashima, Y. Iwaisako and T. Nagano
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Assisted-scattering two-wall teraherz quantum cascade lasers2020

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, M. Chen and H. Hirayama
    • 学会等名
      テラヘルツ科学の最先端VII
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] DCスパッタAlNテンプレート上UVC AlGaN LEDの作製と評価2019

    • 著者名/発表者名
      最上耀介,大澤篤史,尾崎一人,谷岡千丈,前岡淳史,糸数雄吏,桑葉俊輔,定昌史,前田哲利,矢口裕之,平山秀樹
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの最近の進展と今後の展望2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      日本金属学会2019年春季(164回)講演大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of high output power THz QCLs by reducing parasitic leakage current2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, L. Wang, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] DCスパッタAlNを用いたAlGaN層格子緩和の促進2019

    • 著者名/発表者名
      最上耀介,大澤篤史,尾崎一人,谷岡千丈,前岡淳史,糸数雄吏,桑葉俊輔,定昌史,前田哲利,矢口裕之,平山秀樹
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design and analysis of DUV-LEDs and QCLs by utilizing HOKUSAI2019

    • 著者名/発表者名
      Joosun Yun and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      the ALL-RIKEN workshop
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04251
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの最近の進展2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      徳島大学ポストLEDフォトニクス研究所 開所記念式典
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 殺菌用紫外LEDの開発と今後の展望2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      OPIE’19紫外線応用技術セミナー
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN歪制御に向けたAlGaN/AlN界面構造とアニール効果の検討2019

    • 著者名/発表者名
      糸数雄吏,桑葉俊輔,定昌史,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] LEE enhancement in AlGaN UVC LED using photonic crystal reflector fabricated on p-GaN contact layer2019

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Kashima, Y. Watanabe, T. Shibata, N. Maeda, M. Jo, E. Matsuura, T. Iwai, M. Kokubo, T. Tashiro, H. Furuta, R. Kamimura, Y. Osada, H. Takagi, Y. Kurashima, Y. Iwaisako and T. Nagano
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Detection of Nonradiative Recombination Levels in UV-LEDs by Irradiating Below-Gap Excitation Light2019

    • 著者名/発表者名
      Norihiko Kamata, Ken Matsuda, Sota Shirai, Zentaro Honda, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week (CSW) 2019, TuP-D-11 (Poster), Nara, May 21, 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Current challenges and future direction for AlGaN based UV-B LEDs grown by LP-MOVPE2019

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada and H. Hirayama
    • 学会等名
      European Materials Research Society Spring Meeting 2019 (E-MRS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Level broadening by dipole scattering in AlGaN/ AlGaN superlattice structures2019

    • 著者名/発表者名
      J. Yun and H. Hirayama
    • 学会等名
      Infrared Terahertz Quantum Workshop (ITQW 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progression in strained GaN/AlGaN THz-QCLs, growth and fabrication2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      東北大学&理研第1回連携ワークショップ
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Influence of Dipole Scattering to Level Broadening and Carrier Transport in AlGaN-based Superlattice Structures2019

    • 著者名/発表者名
      Joosun Yun and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04251
  • [学会発表] Optimization of THz QCLs by suppressing A leakage current via high energy states2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Fabrication of UVC AlGaN LEDs on DC-sputtered AlN templates with high-temperature annealing2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Mogami, A. Osawa, K. Osaki, Y. Tanioka, A. Maeoka, Y. Itokazu, S. Kuwaba, M. Jo, N. Maeda, H. Yaguchi, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] DCスパッタAlNテンプレートを用いたAlGaN深紫外LEDの作製2019

    • 著者名/発表者名
      最上耀介,茂手木省吾,大澤篤史,尾崎一人,谷岡千丈,前岡淳史,定昌史,前田哲利,矢口裕之,平山秀樹
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progression in strained GaN/AlGaN THz-QCLs, growth and fabrication2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      東北大学&理研第1回連携ワークショップ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 微傾斜サファイア基板上AlNの選択横方向成長2019

    • 著者名/発表者名
      斉藤貴大,中村亮太,藤川紗千恵,金輝俊,前田哲利,岡田成仁,平山秀樹,只友一行
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Progress on high output power THz QCLs developed by reducing horizontal parasitic current leakage2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Progress on high output power THz QCLs developed by reducing horizontal parasitic current leakage2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] GaN/AlGaN based THz-QCL taking into account an interface roughness scattering2019

    • 著者名/発表者名
      J. Yun and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Influence of dipole scattering to level broadening and carrier transport in AlGaN-based superlattice structures2019

    • 著者名/発表者名
      J. Yun and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of high-efficiency AlGaN deep-UV LEDs2019

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, N. Maeda and M. Jo
    • 学会等名
      SPIE Optics + Photonics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Problems and latest achievements in AlGaN-based deep-UV LEDs2019

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD4)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Centers in UVB AIGaN Quantum Well and Their Temperature Dependence Revealed by Below-Gap Excitation Light2019

    • 著者名/発表者名
      M. Ismail Hossain, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Norihiko Kamata, Noritoshi Maeda and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), MoP-CH-12(Poster), Okinawa, Nov.11, 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Challenge and opportunity for mass production of UVC LED by MOVPE on high temperature annealed AlN template2019

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, Y. Tomita, A. Mishima, Y. Yamaoka, S. Koseki, Y. Yano, H. Miyake and H. Hirayama
    • 学会等名
      Material Research Meeting 2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Enhanced strain relaxation in AlGaN layers grown on sputter-based AlN templates2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Mogami, S. Motegi, A. Osawa, K. Osaki, Y. Tomioka, A. Maeoka, Y. Itokazu, S. Kuwaba, M. Jo, N. Maeda, H. Yagichi and H. Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 特異構造の特性を生かした新機能発光デバイスの研究2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      新学術領域研究第4回領域全体会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Simulation and growth of GaN/AlGaN based terahertz quantum cascade structures2019

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, L. Wang, T. T. Lin, K. Fukuda, R. Zhang, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Experimental and theoretical study of piezoelectric polarization in GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang, T. Grange and H. Hirayama
    • 学会等名
      Infrared Terahertz Quantum Workshop (ITQW 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Progress on high-efficiency AlGaN-based UVB-LEDs for both medical and agricultural applications2019

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Optimizing AlGaN-based UVB LEDs using experimental device data in the Nextnano software2019

    • 著者名/発表者名
      M. C. D. Figueira, A. Trellakis, S. Birner, M. A. Khan and H, Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Optimization of THz QCLs by suppressing A leakage current via high energy states2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Ln, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] GaN/AlGaN based THz-QCL taking into account an interface roughness scattering2019

    • 著者名/発表者名
      Joosun Yun and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      the 7th RAP symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04251
  • [学会発表] AlGaN UVC LEDs directly grown on DC-sputtered and high temperature annealed AlN templates2019

    • 著者名/発表者名
      S. Kuwaba, Y. Itokazu, S. Motegi, Y. Mogami, A. Osawa, K. Osaki, Y. Tamioka, A. Maeoka, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative recombination centers in UVB AlGaN quantum well and their temperature dependence revealed by below-gap excitation light2019

    • 著者名/発表者名
      M. I. Hossain, Y. Itokazu, S. Kuwaba, N. Kamata, N. Maeda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 0.45watt power GaAs-based THz QCL developed by reducing horizontal current leakage utilizing variable Al1-xGaxAs barriers-wells height structure2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      東北大学&理研第1回連携ワークショップ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Near- and far-infrared quantum cascasde lasers based on GaAs and GaN materials: devices design and MBE growth2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN 系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析2019

    • 著者名/発表者名
      三好博之,武田椋平,中生拓希,倉井聡,室谷英彰,M. A. Khan,前田哲利,定昌史,平山秀樹,山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 0.45watt power GaAs-based THz QCL developed by reducing horizontal current leakage utilizing variable Al1-xGaxAs barriers-wells height structure2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      東北大学&理研第1回連携ワークショップ
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Level broadening by dipole scattering in AlGaN/ AlGaN superlattice structures2019

    • 著者名/発表者名
      J. Yun and H. Hirayama
    • 学会等名
      Infrared Terahertz Quantum Workshop (ITQW 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善2019

    • 著者名/発表者名
      中村励志,藤川紗千恵,前田哲利,遠藤聡,藤代博記,平山秀樹
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Current status and future directions of high power AlGaN-based UVB LEDs with emission of 280nm-320nm2019

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan and H. Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Simulation and growth of GaN/AlGaN based terahertz quantum cascade structures2019

    • 著者名/発表者名
      2.K. Wang, L. Wang, T. T. Lin, K. Fukuda, R. Zhang, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] The influence of both Mg-concentration and excimer laser annealing (ELA) on p-AlGaN cladding layer for the application of AlGaN-based UVB Laser Diodes2019

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, J. P. Bermudo, Y. Ishikawa, H. Ikenoue, S. Fujikawa, N. Maeda, M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Improved simulation of MOCVD growth of AlN by using data assimilation2019

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, Y. Itokazu, S. Kuwaba and H. Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVCLEDの進展2019

    • 著者名/発表者名
      最上耀介,大澤篤史,尾崎一人,谷岡千丈,前岡淳史,糸数雄吏,定昌史,前田哲利,矢口裕之,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザ・エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外LEDの国内外の最新技術と今後の展望2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      特許庁技術研修セミナー
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Level broadening by dipole scattering in AlGaN/AlGaN superlattice structures2019

    • 著者名/発表者名
      Joosun Yun and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      Infrared Terahertz Quantum Workshop (ITQW 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04251
  • [学会発表] データ同化を用いたAlN成長シミュレーションの高精度化2019

    • 著者名/発表者名
      定昌史,糸数雄吏,桑葉俊輔,平山秀樹
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Influence of dipole scattering to level broadening and carrier transport in AlGaN-based superlattice structures2019

    • 著者名/発表者名
      J. Yun and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent progress and future of GaN and GaAs-based THz-QCL2019

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, L. Wang, T. T. Lin, K. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Experimental and theoretical study of piezoelectric polarization in GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang, T. Grange and H. Hirayama
    • 学会等名
      Infrared Terahertz Quantum Workshop (ITQW 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析(2)2019

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰,三好博之,武田椋平,中生拓希,倉井聡,M. A. Khan,前田哲利,定昌史,平山秀樹,山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Effect of 4μm-thick buffer as well as 50% relaxed n-AlGaN electron Injection layer on the performance of 308nm UV-B LED2019

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada, H. Hirayama
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN deep-UV LEDs2019

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      48th International School & Conference on the Physics of Semiconductors (Jaszowiec 2019)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] MBE grown p-type AlGaN and deep ultraviolet light emitting diodes2019

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, N. Maeda, M. A. Khan, Z. Li, Y. Wu, T. Tao, B. Liu, R. Zhang and H. Hirayama
    • 学会等名
      4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD4)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 深紫外LEDの開発最前線2019

    • 著者名/発表者名
      定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      モノづくりフェア2019
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Al系窒化物結晶ヘテロ成長技術とそれを用いた深紫外線LEDの開発2019

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Optimization of p-cladding layer for improvement of deep ultraviolet light emitting diode performance2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Tomita, A. Mishima, Y. Yamaoka, T. Arimura, S. Koseki, Y. Yano, K. Matsumoto, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] pクラッド層の最適化によるAlGaN系深紫外LEDの性能向上2019

    • 著者名/発表者名
      富田優志,三嶋晃,山岡優哉,有村忠信,小関修一,矢野良樹,松本功,平山秀樹
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Radiative and nonradiative recombination rates of excitons and their effects on internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-B MQWs2019

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Investigation of AlGaN/AlN interface structure and annealing effect for control of strain re- laxation2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Itokazu, S. Kuwaba, M. Jo, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Role of exciton recombination processes on internal quantum efficiency in AlGaN-based UV-B multiple quantum wells2019

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama and Y. Yamada
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Epitaxial lateral overgrowth of AlN with partially non-dislocation-region on vicinal AlN template2019

    • 著者名/発表者名
      N. Okada, F. Kim, T. Saito, S. Fujikawa, N. Maeda, H. Hirayama and K. Tadatomo
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Improved current injection in AlGaN-based 310 nm-UVB LED for real world applications2019

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada and H. Hirayama
    • 学会等名
      ISPlasma2019/IC-PLANTS2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] LEE enhancement in AlGaN UVC LED using photonic crystal reflector2019

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Kashima, Y. Watanabe, T. Shibata, N. Maeda, M. Jo, E. Matsuura, T. Iwai, M. Kokubo, T. Tashiro, K. Furuta, R. Kamimura, Y. Osada, H. Takagi, Y. Kurashima, Y. Iwaisako and T. Nagano
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造における深紫外誘導放出の温度依存性2019

    • 著者名/発表者名
      田邉凌平,久永桂典,濱田晟,別府寛太,倉井聡,室谷英彰,前田哲利,定昌史,平山秀樹,山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] GaN/AlGaN based THz-QCL taking into account an interface roughness scattering2019

    • 著者名/発表者名
      J. Yun and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Optically pumped stimulated emission from AlGaN-based UV-C multiple quantum wells with high internal quantum efficiency of 16 % at 750 K2019

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Hisanaga, R. Tanabe, A. Hamada, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama and Y. Yamada
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Experimental and theoretical study of piezoelectric polarization in GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, K. Wang, T. T. Lin and H. Hirayama,
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Gain predicted by NEGF method in terahertz quantum cascade lasers based on different semiconductors2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of high output power THz QCLs by reducing parasitic leakage current2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, L. Wang, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Near- and far-infrared quantum cascasde lasers based on GaAs and GaN materials: devices design and MBE growth2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent progress and future of GaN and GaAs-based THz-QCL2019

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, L. Wang, T. T. Lin, K. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Gain predicted by NEGF method in terahertz quantum cascade lasers based on different semiconductors2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Experimental and theoretical study of piezoelectric polarization in GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2019

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, K. Wang, T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第7 回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] MBE grown p-type AlGaN and deep ultraviolet light emitting diodes2019

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, N. Maeda, M. A. Khan, Z. Li, Y. Wu, T. Tao, B. Liu, R. Zhang and H. Hirayama
    • 学会等名
      4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD4)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Simultaneous improvements in EQE and WPE of AlGaN UV-C LEDs with Ni:AlN/Al Ohmic reflectors2019

    • 著者名/発表者名
      T. G. Kim, T. H. Lee, H. Hirayama, T. H. Park, K. R. Son
    • 学会等名
      SPIE Optics + Photonics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 0.44 watt power GaAs/AlGaAs THz QCL developed by reducing horizontal current leakage2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Realization of high light output power in AlGaN-based UVB LED at 310±2nm emission using highly relaxed (50%) n-AlGaN electron injection layer2019

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, S. Fujikawa, E. Matsuura, Y. Kashima, Y. Yamada and H. Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 0.44 watt power GaAs/AlGaAs THz QCL developed by reducing horizontal current leakage2019

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Achievement of internal quantum efficiency up to 53% at 326nm-UVA emission from AlGaN QWs with engineering of highly relaxed buffer layer2019

    • 著者名/発表者名
      M.A. Khan, R. Takeda, H. Miyoshi, Y. Yamada, S. Fujikawa, N. Maeda, M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD4)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 42mW light power from AlGaN-based 302nm-band UVB LEDs: a way forward for UVB LDs2019

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, S. Fujikawa, Y. Yamada, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Influence of the strain relaxation on the optical property of AlGaN quantum wells2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Itokazu, Y. Mogami, S. Kuwaba, S. Motegi, A. Osawa, K. Osaki, Y. Tamioka, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Highly reflective ruthenium (Ru) p-type electrode for AlGaN deep-UV LED2018

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Evolution of morphology and crystalline quality of sputtered AlN films with high-temperature annealing2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Mogami, S. Motegi, A. Osawa, K. Ozaki, C. Tanioka, C. Tanioka, A. Maeoka, M. Jo, N. Maeda, H. Yagichi and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Characterization of AIGaN based lower bound (280-300nm) UVB LED device grown by MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, Y. Itokazu, T. Matsumoto, S. Minami, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外LEDの進展と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第105回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオード特性のp-AlGaN膜厚依存性2018

    • 著者名/発表者名
      桑葉 俊輔、糸数 雄吏、定 昌史、鎌田 憲彦、平山 秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Theoretical and experimental approaches for GaN/AlGaN Hz quantum cascade lasers2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, L. Wang, T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Efficient emission by current injection from 280 nm AlGaN deep-UV LD structures2018

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, M. Jo, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外LEDの最近の進展と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      平成30年度第1回ITEC FORUM
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] GaN系QCL実現に向けたSi基板上GaN/AlGaN超格子構造の作製2018

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵,石黒稔也,王科,藤代博記,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第6回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Optimization of terahertz quantum cascade lasers by suppressing a carrier leakage channel via a high energy state2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Photonics Research (ICPR2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 紫外線LEDの開発と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      赤外・紫外特別セミナー
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Controlled crystal orientations of semipolar AlN grown on m-plane sapphire by MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, Y. Itokazu, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Development of 240 nm-band high output power AlGaN UVC LED2018

    • 著者名/発表者名
      T. Ishiguro, R. Nakamura, S. Fujikawa, N. Maeda, R. Machida, H. Fujishiro, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] p型ドット電極とリフレクターによるAlGaN深紫外LEDの高効率動作2018

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,J. Yun,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Approach toward GaN-based terahertz quantum-cascade laser2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, L. Wang, K. Fukuda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第6回「光量子工学研究」-サブ波長フォトニクス研究と新たな光量子工学の展開-
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Design of asymmetric two-wells indirect pumping terahertz quantum cascade lasers for high-temperature operation2018

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang, and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第6回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外LEDの基礎・課題と将来展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第110回研究会特別公開シンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of high power THz QCLs2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      Nanotech Malaysia 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 殺菌用に実用化した深紫外LED2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      理化学研究所一般公開2018サイエンスレクチャー
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Milliwatt Power UVA LEDs Developed by Using AlGaN Superlattice (SL) Buffer Layers Fabricated on AlN/Sapphire Templates2018

    • 著者名/発表者名
      Muhammad Ajmal Khan, Takuma Matsumoto, Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The 19th Int. Conf. on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ICMOVPE
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Design of asymmetric two-wells indirect pumping terahertz quantum cascade lasers for high-temperature operation2018

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang, and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第6回「光量子工学研究」-サブ波長フォトニクス研究と新たな光量子工学の展開-
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 高温アニール処理DCスパッタAlNテンプレートの評価2018

    • 著者名/発表者名
      最上耀介,茂手木省吾,大澤篤史,尾崎一人,谷岡千丈,前岡淳史,定昌史,前田哲利,矢口裕之,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 280nm帯AlGaN深紫外LD構造の作製とその電流注入発光特性2018

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの最近の進展2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第150回記念微小光学研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高温アニール処理AlN上に作製したUVC-LEDの高効率動作2018

    • 著者名/発表者名
      糸数雄吏,桑葉俊輔,定昌史,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] PhCリフレクターを用いたUVC-LEDの高効率化の進展2018

    • 著者名/発表者名
      鹿嶋行雄,渡邊康弘,柴田智彦,前田哲利,松浦恵里子,岩井武,小久保光典,田代貴晴,古田寛治,上村隆一郎,長田大和,高木秀樹,倉島優一,祝迫恭,長野丞益,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Evaluation of GaN-based THz-QCL structure on Si substrate grown by MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T. Ishiguro, K. Wang, W. Terashima, H. Fujishiro and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Reflectance of reflective photonic crystal on p-contact layer of AlGaN deep-UV LED2018

    • 著者名/発表者名
      J. Yun,鹿島行雄,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 特異構造の特性を生かした新機能発光デバイスの研究2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      新学術領域研究平成30年度領域全体会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of high-power THz-QCLs2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang, and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第6回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオード特性のp-AlGaN膜厚依存性2018

    • 著者名/発表者名
      桑葉俊輔,糸数雄吏,定昌史,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] ノーベル賞受賞中村先生のご紹介、青色発光半導体開発のインパクト2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      サイエンスシンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの進展と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第18回高機能膜フォーラム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 230-240nm短波長UVC-LEDの高出力化の検討2018

    • 著者名/発表者名
      石黒稔也,中村励志,藤川紗千恵,前田哲利,藤代博記,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 半極性AIN/サファイアの結晶成長とUVC-LED実現へのアプローチ2018

    • 著者名/発表者名
      定昌史, 糸数雄吏, 桑葉俊輔, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 学会等名
      独立行政法人日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会, 第110回研究会・特別公開シンポジウム「紫外発光デバイスの最前線と将来展望」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 325nm emission from highly transparent AlGaN UVA LEDs grown on AlN template in the LP-MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, T. Matsumoto, Y. Itokazu, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Development of high-power THz-QCL by supressing regidual leakage current2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang, and H. Hirayama
    • 学会等名
      19th East Asia Sub-millimeter-wave Receiver Technology Workshop and 5th RIKEN-NICT Joint Workshop on Terahertz Technology
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの進展と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      LED総合フォーラム2018 in 徳島
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Progress of 310 nm-band high-efficiency UVB-LED for medical applications2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada and H. Hirayama
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Hybrid growth of AlGaN deep ultraviolet ligh emitting diodes by MBE and MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, N. Meda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Resent progress of THz-QCLs2018

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Efficient carrier injection in UVC AlGaN LEDs with thick p-AlGaN layers2018

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Kuwaba, Yuri Itokazu, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Optimization of terahertz quantum cascade lasers by suppressing a carrier leakage channel via a high energy state2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Photonics Research (ICPR 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Broadening mechanisms and simulation for GaN based THz QCLs by non-equilibrium Green’s function method2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Grange, T. T. Lin, L. Wang, S. Birner, J. Yun, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      8th International Quantum Cascade Laser School and Workshop (IQCLSW 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] DCスパッタ法AlNの高温アニール処理とUVC-LEDへのアプローチ2018

    • 著者名/発表者名
      茂手木省吾,最上耀介,大澤篤史,尾崎一人,谷岡千丈,前岡淳史,前田哲利,矢口裕之,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 殺菌用・深紫外LEDの開発2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      JST新技術説明会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Approach toward GaN-based terahertz quantum-cascade laser2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, L. Wang, K. Fukuda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第6回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Narrow band milliwatts power operation of AlGaN based UVB LED for medical applications2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on UV LED Technologies & Applications (ICULTA-2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Theoretical and experimental approaches for GaN/AlGaN Hz quantum cascade lasers2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, L. Wang, T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Evaluation of GaN-based THz-QCL structure on Si substrate grown by MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T. Ishiguro, K. Wang, W. Terashima, H. Fujishiro and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Simulation of optical gain for GAN terahertz quantum cascade lasers by using non-equilibrium green's function method2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, L. Wang, J. Yun and H. Hirayama
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 高温アニール・再成長により作製したAlNの結晶性に及ぼす核形成条件の影響2018

    • 著者名/発表者名
      糸数 雄吏、桑葉 俊輔、定 昌史、鎌田 憲彦、平山 秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Hybrid growth of AlGaN deep ultraviolet ligh emitting diodes by MBE and MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, N. Meda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 半極性AlN/サファイアの結晶成長とUVC-LED実現へのアプローチ2018

    • 著者名/発表者名
      定昌史,糸数雄吏,桑葉俊輔,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高温アニール・再成長により作製したAlNの結晶性に及ぼす核形成条件の影響2018

    • 著者名/発表者名
      糸数雄吏,桑葉俊輔,定昌史,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlNの選択横方向成長におけるストライプ方位依存性2018

    • 著者名/発表者名
      金輝俊,斉藤貴大,藤川紗千恵,前田哲利,岡田成仁,平山秀樹,只友一行
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] New design of GaAs based THz-QCL for obtaining high optical gain by indirect-injecting asymmetric-wells superlattice structure2018

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 325nm Emission From Highly Transparent AlGaN UVA LEDs Grown on AlN Template in the LP-MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      Muhammad Ajmal Khan, Takuma Matsumoto, Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The 19th Int. Conf. on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Development of 304-310nm-band UVB LEDs both for medical and agricultural applications2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, Y. Yamada, and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第6回「光量子工学研究」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDのp型高反射Ru電極の検討2018

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Increased output power of THz-QCLs by reducing leakage current via upper levels2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] THz-QCLs toward high output power near liquid nitrogen temperature operation2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      CIMTEC 2018-8th Forum on New Materials
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent Progress of high-efficiency AlGaN Deep-UV LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda, and N. Kamata
    • 学会等名
      16th Symposium on the Science and Technology of Lighting (LS-16)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama and M. Jo
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2018 (IWUMD2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of high output power THz quantum cascade lasers2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Improving the optical gain at high temperatue in THz-QCLs by using asymmetric two-wells scheme2018

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      8th International Quantum Cascade Laser School and Workshop (IQCLSW2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Broadening mechanisms and simulation for GaN based THz QCLs by non-equilibrium Green’s function method2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Grange, T. T. Lin, L. Wang, S. Birner, J. Yun, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      8th International Quantum Cascade Laser School and Workshop (IQCLSW2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] m面サファイア上に成長した(11-12)面AlGaN量子井戸の発光特性2018

    • 著者名/発表者名
      定昌史,糸数雄吏,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Optical Characterization of Defect Levels in AlGaN Multiple Quantum Wells by Using Below-Gap Excitation Light2018

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, Y. Itokazu, Md H. Ismail, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 2018 Int. Symp. for Advanced Materials Research (ISAMR 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 殺菌用・深紫外LEDの進展2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第32回JFCAテクノフェスタ
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Over 20 mW operation of 303 nm AlGaN UVB LED with p-AlGaN transparent contact layer2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan,前田哲利,定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Influence of the nucleation condetions on the quality of AlN layers with high-temperature annealing and regrowth processes2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Itokazu, S. Kuwaba, M. Jo, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress towards realizing GaN/AlGaN quantum cascade lasers2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, L. Wang, T. T. Lin, and H. Hirayama
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Increased output power of THz-QCLs by reducing leakage current via upper levels2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Broadening mechanisms and self-consistent gain calculations for GaN quantum cascade laser structures2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, L. Wang, J. Yun, W. Terashima, H. Hirayama, T. Grange, Z. Jehn, and S. Birnner
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN deep-UV LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama and M. Jo
    • 学会等名
      The International Conference and Exhibition on UV LED Technologies & Applications (ICULTA)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LDの実現に向けた最近の進展2018

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,山田陽一,定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Investigation of crystallinity and current injection issue in 310 nm AlGaN UVB LED grown on AlN template in LP-MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Increasing light-extraction efficiency of AlGaN UVLED with remained low voltage by using PhC reflector on p-GaN contact layer2018

    • 著者名/発表者名
      H, Hirayama, Y. Kashima, T. Shibata, N. Maeda, M. Jo, E. Matsuura, T. Iwai, M. Kokubo, T. Tashiro, H. Furuta, R. Kamimura, Y. Osada, H. Takagi, Y. Kuwashima, Y. Iwaisako, T. Nagano
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress towards realizing GaN/AlGaN quantum cascade lasers2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, L. Wang, T. T. Lin, and H. Hirayama
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent Progress of AlGaN UVC LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 殺菌用紫外LEDの開発と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      光とレーザーの科学技術フェア2018紫外線セミナー
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Centers in AlGaN Deep UV-LEDs Detected by Below Gap Excitation Light2018

    • 著者名/発表者名
      M. Ismail Hossain, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Norihiko Kamata, Noritoshi Maeda, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Improvement in EQE of 294 - 303 nm AlGaN UVB LED by increasing the emission efficiency from multiple quantum well (MQW)2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, N. Maeda, Y. Yamada, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの光取り出し効率の向上2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Highly-reflective photonic crystal (HR-PhC) design for increasing light- extraction efficiency (LEE) of AlGaN deep-UV LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      J. Yun, Y. Kashima, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Current leakage suppression in two-well structural THz-QCLs by using asymmetric design2018

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] [Tutrial] Resent progress of THz-QCLs2018

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Broadening mechanisms and self-consistent gain calculations for GaN quantum cascade laser structures2018

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, L. Wang, J. Yun, W. Terashima, H. Hirayama, T. Grange, Z. Jehn, and S. Birnner
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Highly reflective Ni doped AlN/Al ohmic reflectors and its application to AlGaN-based flip-chip deep-UV LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      T. H. Lee, T. H. Park, K. R. Son, H. J. Lee, S. K. Kang, H. Hirayama, and T. G. Kim
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative recombination centers in AlGaN deep UV-LEDs detected by below-gap excitation light2018

    • 著者名/発表者名
      M. I. Hossain, Y. Itokazu, S. Kuwaba, N. Kamata, N. Maeda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs by increasing light-extraction efficiency2018

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama and M. Jo
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの高効率化技術2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      サイエンス&テクノロジー社セミナー
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Milliwatt power UVA LEDs developed by using AlGaN superlattice (SL) buffer layers fabricated on AlN/sapphire templates2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, T. Matsumoto, Y. Itokazu, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Efficient carrier injection in UVC AlGaN LEDs with thick p-AlGaN layers2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kuwaba, Y. Itokazu, M. Jo, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Broadening mechanisms and self-consistent gain calculations for GaN quantum cascade laser structures2018

    • 著者名/発表者名
      Ke Wang, Tsung-Tse Lin, Li Wang, Joosun Yun, Wataru Terashima, Hideki Hirayama, Thomas Grange, Zoltan Jehn, and Stefan Birner
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04251
  • [学会発表] Improved crystal quality of semipolar AlN by employing thermal annealing technique with MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, S. Minami and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] UVCレーザダイオード実現へのアプローチ2018

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,定昌史,松本卓磨,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Improving the optical gain at high temperatue in THz-QCLs by using asymmetric two-wells scheme2018

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      8th International Quantum Cascade Laser School and Workshop (IQCLSW 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 深紫外LEDの進展と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      UV LED Forum in Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Evaluation of DC sputtered AlN template by wet KOH etching2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Mogami, S. Motegi, A. Osawa, K. Osaki, Y. Tanioka, A. Maeoka, M. Jo, N. Maeda, H. Yaguchi, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高効率・深紫外線LEDの普及に向けて2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      先端的低炭素化技術開発(ALCA)、新技術説明会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 240nm帯AlGaN UVC-LEDの高出力化の検討2018

    • 著者名/発表者名
      石黒稔也,中村励志,藤川紗千恵,前田哲利,町田龍人,藤代博記,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] GaN系QCL実現に向けたSi基板上GaN/AlGaN超格子構造の作製2018

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵,石黒稔也,王科,藤代博記,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第6回「光量子工学研究」-サブ波長フォトニクス研究と新たな光量子工学の展開-
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの進展と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      パワー光源及び応用システム研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Optical characterization of defect levels in AlGaN multiple quantum wells by using below-gap excitation light2018

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, Y. Itokazu, Md H. Ismail, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 2018 Int. Symp. for Advanced Materials Research (ISAMR 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] DCスパッタAlN膜の高温アニールによる表面状態の変化2018

    • 著者名/発表者名
      茂手木省吾,最上耀介,大澤篤史,尾崎一人,谷岡千丈,前岡淳史,定昌史,前田哲利,矢口裕之,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] UVC emission from (11-22) AlGaN quantum wells grown by metal-organic chemical vapor deposition2018

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, Y. Itokazu and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Development of high-power THz-QCL by supressing regidual leakage current2018

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang, and H. Hirayama
    • 学会等名
      19th East Asia Sub-millimeter-wave Receiver Technology Workshop and 5th RIKEN-NICT Joint Workshop on Terahertz Technology
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Influence of the nucleation conditions on the quality of AlN layers with high temperature annealing and regrowth processes2018

    • 著者名/発表者名
      Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] AlGaN 深紫外LED の高効率化の現状と展望2018

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高出力THz-QCLの進展2017

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      第3回理研-NICT合同テラヘルツワークショップ/第17回ミリ波サブミリ波受信機ワークショップ
    • 発表場所
      情報通信研究機構
    • 年月日
      2017-02-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design of indirect injection scheme THz QCLs with high operation temperature2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価2017

    • 著者名/発表者名
      石黒稔也,藤川紗千恵,王科,前田哲利,町田龍人,藤代博記,平山秀樹
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LED高反射フォトニック結晶のダメージレス精密加工2017

    • 著者名/発表者名
      鹿嶋行雄,田代貴晴,小久保光典,上村隆一郎,長田大和,岩井武,森田敏郎,松浦恵里子,前田哲利,定昌史,高木秀樹,平山秀樹
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高出力THz-QCLの進展2017

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      第3回理研-NICT合同テラヘルツワークショップ/第17回ミリ波サブミリ波受信機ワークショップ
    • 発表場所
      情報通信研究機構(東京都小金井市)
    • 年月日
      2017-02-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaN高効率深紫外LEDの進展2017

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,定昌史,鹿嶋行雄,松浦恵里子,高木秀樹,岩井武,森田敏郎,小久保光典,田代貴晴,上村隆一郎,長田大和,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第5回「光量子工学」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes2017

    • 著者名/発表者名
      M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      8th International conference and Exhibition on LASERS, OPTICS & PHOTONICS
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Exceeding 30% IQE of AlGaN quantum well 304 nm UVB emission and single peak operation of 326nm UV LED2017

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, Y. Itokazu, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama and N. Kamata
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Waveguide design for GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高反射Ni/Au電極のNi膜厚最適化によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率9%動作2017

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,定昌史,鹿嶋行雄,松浦恵里子,高木秀樹,岩井武,森田敏郎,小久保光典,田代貴晴,上村隆一郎,長田大和,平山秀樹
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高反射フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作2017

    • 著者名/発表者名
      鹿嶋行雄,前田哲利,松浦恵里子,定昌史,岩井武,森田敏郎,小久保光典,田代貴晴,上村隆一郎,長田大和,高木秀樹,平山秀樹
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design of THz QCLs toward high output power by variable height active structure near liquid nitrogen temperature operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 7th Annual World Congress of Nano Science and Technology-2017 (Nano S&T-2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Efficiency improvement of AlGaN UVC-LEDs using highly-reflective Ni/Al p-type electrode2017

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Effects of Ga supply on the growth of (11-22) AlN on m-plane (1-100) Sapphire substrates2017

    • 著者名/発表者名
      M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Waveguide design for GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Improving EQE (10%) of AlGaN deep-UV LED using highly-reflective photonic ceystal (HR-PhC) on p-contact layer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kashima, N. Maeda, E. Matsuura, M. Jo, T. Iwai, T. Morita, M. Kokubo, T. Tashiro, R. Kamimura, Y. Osada, H. Takagi and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers toward high output power near liquid nitrogen temperature operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      14th International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells (ITQW2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Variable height active structure design THz QCLs operating at 3.7 THz with the maximum operation temperature 145 K2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Current status and next challenges for GaN-based QCLs2017

    • 著者名/発表者名
      Ke Wang, W. Terashima, T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      第3回理研-NICT合同テラヘルツワークショップ/第17回ミリ波サブミリ波受信機ワークショップ
    • 発表場所
      情報通信研究機構(東京都小金井市)
    • 年月日
      2017-02-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と展望2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、寺嶋亘、林宗澤
    • 学会等名
      レーザー学会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島県徳島市)
    • 年月日
      2017-01-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 透明コンタクト層とレンズを用いたAlGaN深紫外LEDのWPE9.6%動作2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹,鹿嶋行雄,松浦恵里子,高木秀樹,前田哲利,定昌史,岩井武,森田敏郎,小久保光典,田代貴晴,上村隆一郎,長田大和
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外線LEDの開発2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第4回皮膚光線治療推進の会セミナー
    • 発表場所
      御茶ノ水ソラシティカンファレンスセンター(東京都千代田区)
    • 年月日
      2017-03-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers toward high output power near liquid nitrogen temperature operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers toward high output power near liquid nitrogen temperature operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Over 10 % EQE AlGaN Deep-UV LED developed by using Transparent p-AlGaN Contact Layer2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Takano, Jun. Sakai, T. Mino, K. Tsubaki, N. Maeda, M. Jo, I. Ohshima, T. Matsumoto and N. Kamata
    • 学会等名
      SPIE Photonic West, Gallium Nitride Materials and Devices XII (OE107)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent Progress of AlGaN-based Deep-UV LEDs2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama (Plenary Talk)
    • 学会等名
      8th Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors (APWS 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Achievement of high-EQE (9.5%) AlGaN deep-UV LED using highly-reflective photonic crystal (HR-PhC) on p-contact layer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kashima, N. Maeda, E. Matsuura, M. Jo, T. Iwai, T. Morita, M. Kokubo, T. Tashiro, R. Kamimura, Y. Osada, H. Takagi and H. Hirayama
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Variable height active structure design THz QCLs operating at 3.7 THz with the maximum operation temperature 145 K2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of high-efficiency AlGaN deep-UV LEDs2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      International Foulum on Widegap Semiconductors 2017 (IFWS2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of high-power THz-QCLs2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, K. Wang, L. Wang, K. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第5回「光量子工学」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 深紫外LEDの高効率光取り出し技術2017

    • 著者名/発表者名
      鹿嶋行雄、平山秀樹
    • 学会等名
      光とレーザーの科学技術フェア2017
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress and future prospect of AlGaN deep-UV LEDs2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama (Tutrial Talk)
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価2017

    • 著者名/発表者名
      石黒稔也,藤川紗千恵,王科,前田哲利,町田龍人,藤代博記,平山秀樹
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と展望2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      レーザー学会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島県徳島市)
    • 年月日
      2017-01-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Over 10% EQE AlGaN Deep-UV LED developed by using Transparent p-AlGaN contact layer2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      2017 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices (GJS 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN-based deep-UV LEDs2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama (Plenary Talk)
    • 学会等名
      The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design of THz QCLs toward high output power by variable height active structure near liquid nitrogen temperature operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 7th Annual World Congress of Nano Science and Technology-2017 (Nano S&T-2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers toward high output power near liquid nitrogen temperature operation with Dewar condenser2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LED、LD開発の最近の動向、-国際会議報告などから2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会、第102回研究会
    • 発表場所
      上智大学(東京都千代田区)
    • 年月日
      2017-03-02
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] フォトニック結晶深紫外LEDの実現~p型コンタクト層における高反射フォトニクス結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作~2017

    • 著者名/発表者名
      鹿嶋行雄,前田哲利,松浦恵理子,定昌史,岩井武,森田敏郎,小久保光典,田代貴晴,上村隆一郎,長田大和,倉島優一,高木秀樹,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Waveguide design for GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      14th International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells (ITQW2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] THz-QCL designs for high-temperature operation far acrossing the KT limitation2017

    • 著者名/発表者名
      L. Wang, T. T. Lin, K. Wang and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第5回「光量子工学」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent Progress of High-Efficiency AlGaN Deep-UV LED2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Kashima, E. Matsuura, H. Takagi, N. Maeda, M. Jo, T. Iwai, M. Kokubo, T. Tashiro, R. Kamimura and Y. Osada
    • 学会等名
      Europien Material Research Society (E-MRS) Fall Meeting 2017
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design THz quantum cascade lasers toward high output power near liquid nitrogen temperature operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Development of UVB LED for medical applications2017

    • 著者名/発表者名
      M. Ajmal Khan, Y. Itokazu, T. Matsumoto, S. Minami, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第5回「光量子工学」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Calculation of optical gain and design of low waveguide loss for GaN terahertz quantum cascade lasers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, L. Wang, J. Yun, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第5回「光量子工学」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Current status and future of III-nitride ultraviolet and THz emitters2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Jo, W. Terashima, N. Maeda, T. T. Lin, and K. Wang
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers toward high output power near liquid nitrogen temperature operation with Dewar condenser2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの最近の進展と展望2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第3回JLEDSセミナー
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 紫外線LEDの開発と今後の展望2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      オプトロニクス社 赤外・紫外特別セミナー
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの最近の進展と展望2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      ナノ茶論
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Achievement of extremely high WPE (9.6%) of AlGaN deep-UV LED by using transparent contact layer, reflective electrode and lens2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Shibata, Y. Kashima, E. Matsuura, H. Takagi, N. Maeda, M. Jo, T. Iwai, T. Morita, M. Kokubo, T. Tashiro, R. Kamimura and Y. Osada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Current status and next challenges for GaN-based QCLs2017

    • 著者名/発表者名
      Ke Wang, W. Terashima, T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      第3回理研-NICT合同テラヘルツワークショップ/第17回ミリ波サブミリ波受信機ワークショップ
    • 発表場所
      情報通信研究機構(東京都小金井市)
    • 年月日
      2017-02-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] aveguide design for GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 250 mW output power operation of GaAs-based THz quantum cascade lasers2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Waveguide design for GaN/AlGaN terahertz quantum cascade lasers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      14th International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells (ITQW2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design THz quantum cascade lasers toward high output power near liquid nitrogen temperature operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 殺菌・医療を目指した紫外線LEDの開発2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第39回日本光医学・光生物学会研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers toward high output power near liquid nitrogen temperature operation2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      14th International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells (ITQW2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] EQE enhancement dependency on reflective p-type electrode of Ni/Mg and Rh in AlGaN UVC LED with transparent p-AlGaN contact layer2017

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, J. Yun, M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design of indirect injection scheme THz QCLs with high operation temperature2017

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 深紫外LED高効率化の進展と展望2017

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      光とレーザーの科学技術フェア2017
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] m面サファイア上半極性のアニールによる高品質化2017

    • 著者名/発表者名
      定昌史,南聡史,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Current status and future of III-nitride ultraviolet and THz emitters2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Jo, W. Terashima, N. Maeda, T. T. Lin, and K. Wang
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Improvement of light-extraction efficiency of AlGaN UVC-LEDs by using superlattice hole spreading layer and Al reflector2017

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] m面サファイア基板上半極性AlNの面方位制御とX線回折評価2017

    • 著者名/発表者名
      定昌史,南聡史,平山秀樹
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Current Status and Future of III-Nitride Ultraviolet and THz Emittres2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitiride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Modulation active structure design indirect injection sheme THz QCLs2016

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      EMN Meeting on Terahertz 2016
    • 発表場所
      San Sebastian, Spain.
    • 年月日
      2016-05-16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 高出力THz QCLの最近の進展2016

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      第13回エクストリームフォトニクス研究会
    • 発表場所
      ホテル竹島(愛知県蒲郡市)
    • 年月日
      2016-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] m面サファイア基板上半導性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザエレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス(京都府京都市)
    • 年月日
      2016-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent Progress of AlGaN Deep-UV LEDs2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda and N. Kamata
    • 学会等名
      IS-Plasma 2016 / IC-PLANTS2016
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパス(名古屋市千種区)
    • 年月日
      2016-03-08
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent progress of GaN-based terahertz quantum cascade lasers2016

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima, T. T. Lin and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      5th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies (RJUSE TeraTech-2016)
    • 発表場所
      東北大学(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2016-11-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 光取出し効率改善による高効率(>10%)深紫外LEDの実現2016

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,定昌史,高野隆好,阪井淳,美濃卓哉,椿健治,大島一晟,松本卓磨,鎌田憲彦,鹿島行雄,松浦恵理子,平山秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究 - 若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開 -」
    • 発表場所
      理化学研究所(埼玉県和光市
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 310nm帯紫外LED用Ga2O3 (-201)基板上AlGaN (0001)エピタキシャル膜の成長2016

    • 著者名/発表者名
      森島嘉克,平山秀樹,飯塚和幸,山崎進一,西村良男,山腰茂伸
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Progress of high-power (250 mW) quantum cascade lasers2016

    • 著者名/発表者名
      Tsung-Tse Lin, Wataru Terashima and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      RAPAC2016
    • 発表場所
      ヒルトン東京(東京都新宿区)
    • 年月日
      2016-08-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] THz quantum cascade laser toward high output power near liquid nitrogen temperature operation with dewar condenser2016

    • 著者名/発表者名
      T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 41th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz2016)
    • 発表場所
      Copenhargen, Denmark.
    • 年月日
      2016-09-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 半導体光デバイスの基礎と今後-青色LEDから深紫外LED、LD、QCLへ-2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春期学術講演会チュートリアル講演
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 化合物半導体を用いた未開拓波長光デバイス,深紫外LED及びTHz-QCLの開発2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      産総研シンポジウム
    • 発表場所
      秋葉原UDXカンファレンス(東京都千代田区)
    • 年月日
      2016-02-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Future of III-Nitrides-Efficient UVC Emitter and Terahertz QCLs2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      Phtonics Conferense 2016
    • 発表場所
      Phoenix Park, Korea.
    • 年月日
      2016-11-30
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 半導体発光デバイス未踏領域の進展と展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      理研・分子研合同研究会 第13回エクストリーム・フォトニクス
    • 発表場所
      ホテル竹島(愛知県蒲郡市)
    • 年月日
      2016-11-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Effect of patterned-Si substrate on crystalline quality of AlN template2016

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, D, Inoue and T. Kikitsu
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Structural and electrical properties of semipolar (11-22) AlGaN grown on m-plane (1-100) sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      I. Oshima, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Structural and electrical properties of semipolar (11-22) AlGaN grown on m-plane (1-100) sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      I. Oshima, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Improvement of AlN crystal quality on Si substrate for deep UV-LED Applications2016

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, D. Inoue and T. Kikitsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 光取出し効率の向上による高出力UVCLEDの実現2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      光とレーザーの科学技術フェア2016、紫外線セミナー
    • 発表場所
      科学技術館( 東京都千代田区)
    • 年月日
      2016-11-16
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] THz量子カスケードレーザの進展と展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第140回微小光学研究会
    • 発表場所
      日本女子大学(東京都文京区)
    • 年月日
      2016-07-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] THz量子カスケードレーザの進展と展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第140回微小光学研究会
    • 発表場所
      日本女子大学(東京都文京区)
    • 年月日
      2016-07-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、寺嶋亘、林宗澤
    • 学会等名
      応用物理学会・テラヘルツ電磁波技術究例会
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-06-16
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、高野隆好、阪井淳、美濃卓哉、椿健治、定昌史、前田哲利、大島一晟、松本卓磨、鎌田憲彦、鹿嶋行雄、松浦恵里子
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      北海道大学( 北海道札幌市)
    • 年月日
      2016-09-20
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Progress of high-power (250 mW) quantum cascade lasers2016

    • 著者名/発表者名
      Tsung-Tse Lin, Wataru Terashima and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      RAPAC2016
    • 発表場所
      ヒルトン東京(東京都新宿区)
    • 年月日
      2016-08-02
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系深紫外レーザーダイオード(LD)実現への進展2016

    • 著者名/発表者名
      松本卓磨, 大島一晟, 前田哲利, 定昌史, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究 - 若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開 -」
    • 発表場所
      理研和光地区
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高出力(250mW)THz量子カスケードレーザーの進展2016

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,平山 秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究-若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開-」
    • 発表場所
      理化学研究所(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers toward high output power operation2016

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Progress of THz Quantum Cascade Laser using Nitride Semiconductor2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      74th Device Research Conference (DRC 2016)
    • 発表場所
      Newark, USA.
    • 年月日
      2016-06-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth of deep-UV (11-22) AlGaN quantum wells on m-plane (1-100) sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      T. Matsumoto, I. Oshima, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Realization of Unexplored Frequancy Terahertz Quantum Cascade Lasers by using III Nitride Semiconductors2016

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
    • 発表場所
      神戸マリンパークオリエンタルホテル(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2016-09-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Improvement of AlN crystal quality on Si substrate for deep UV-LED Applications2016

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, D. Inoue and T. Kikitsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Approaches towards realizing Deep-UV Laser Diodes (LDs) by controlling p-AlGaN Layers2016

    • 著者名/発表者名
      T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      RAPAC2016
    • 発表場所
      ヒルトン東京(東京都新宿区)
    • 年月日
      2016-08-02
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Current Status and Future of III-Nitride Ultraviolet and THz Emittres2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitiride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Progress of GaN/AlGaN THz-quantum cascade lasers2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama and W. Terashima
    • 学会等名
      2016 SPIE Photonic West
    • 発表場所
      San Francisco, U.S.A.
    • 年月日
      2016-02-17
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Future of III-Nitrides-Efficient UVC Emitter and Terahertz QCLs2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      Phtonics Conferense 2016
    • 発表場所
      Phoenix Park, Korea.
    • 年月日
      2016-11-30
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] p型AlGaNコンタクト層を用いた深紫外LEDの注入効率に関する検討2016

    • 著者名/発表者名
      定昌史、平山秀樹
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] THz quantum cascade laser toward high output power near liquid nitrogen temperature operation with dewar condenser2016

    • 著者名/発表者名
      T. Lin, W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 41th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz2016)
    • 発表場所
      Copenhargen, Denmark.
    • 年月日
      2016-09-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Effect of patterned-Si substrate on crystalline quality of AlN template2016

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, D, Inoue and T. Kikitsu
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LD実現へ向けた試み2016

    • 著者名/発表者名
      松本卓磨, 大島一晟, 前田哲利, 定昌史, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 学会等名
      第5回結晶工学未来塾
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都府中市)
    • 年月日
      2016-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Realization of Unexplored Frequancy Terahertz Quantum Cascade Lasers by using III Nitride Semiconductors2016

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
    • 発表場所
      神戸マリンパークオリエンタルホテル(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2016-09-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] UVC-LDエピ構造への高密度電流注入の試み2016

    • 著者名/発表者名
      松本卓磨、大島一晟、前田哲利、定昌史、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Realization of Over 10 % EQE AlGaN Deep-UV LED by using Transparent p-AlGaN Contact Layer2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Takano, J. Sakai, T. Mino, K. Tsubaki, N. Maeda, M. Jo, Y. Kanazawa, I. Ohshima, T. Matsumoto, and N. Kamata
    • 学会等名
      The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
    • 発表場所
      神戸マリンパークオリエンタルホテル(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2016-09-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlN層の結晶成長とドーピング及び量子井戸発光特性2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] m面サファイア基板上半導性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザエレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス(京都府京都市)
    • 年月日
      2016-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Design of p-AlGaN layers for efficient carrier injection in DUV LEDs2016

    • 著者名/発表者名
      M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Fabrication of a-plane AlGaN quantum wells on r-plane sapphire2016

    • 著者名/発表者名
      M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2016 (CSW2016)
    • 発表場所
      とやま国際センター(富山県富山市)
    • 年月日
      2016-06-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 高出力THz QCLの最近の進展2016

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      理研・分子研合同研究会 第13回エクストリーム・フォトニクス
    • 発表場所
      ホテル竹島(愛知県蒲郡市)
    • 年月日
      2016-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹,寺嶋亘,林宗澤
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春期学術講演会シンポジウム
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-21
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 高出力(250mW)THz量子カスケードレーザーの進展2016

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,平山 秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究 - 若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開 -」
    • 発表場所
      理化学研究所(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 半極性結晶を用いたUVC-LEDへの進展2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第5回結晶工学未来塾
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都府中市)
    • 年月日
      2016-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent progress of GaN-based terahertz quantum cascade lasers2016

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima, T. T. Lin and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      5th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies (RJUSE TeraTech-2016)
    • 発表場所
      東北大学(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2016-11-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発2016

    • 著者名/発表者名
      美濃卓哉,平山秀樹,高野隆好,後藤浩嗣,植田充彦,椿健治
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザエレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス(京都府京都市)
    • 年月日
      2016-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      太陽紫外線防御研究委員会第26回シンポジウム
    • 発表場所
      グランフロント大阪(大阪市北区)
    • 年月日
      2016-03-04
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 半極性AlN基板を用いた高効率LEDの開発2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究 - 若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開 -」
    • 発表場所
      理研和光地区
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 半極性AlN基板を用いた高効率LEDの開発2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究-若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開-」
    • 発表場所
      理化学研究所(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] n-AlGaNバッファー層の2段化によるAlGaN 系DUV LEDの高効率化2016

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、Tran Tinh、定昌史、平山秀樹
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth of deep-UV (11-22) AlGaN quantum wells on m-plane (1-100) sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      T. Matsumoto, I. Oshima, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 半導体発光デバイス未踏領域の進展と展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      理研・分子研合同研究会 第13回エクストリーム・フォトニクス
    • 発表場所
      ホテル竹島(愛知県蒲郡市)
    • 年月日
      2016-11-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの最近の進展2016

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、林宗澤、平山秀樹
    • 学会等名
      レーザーカオス研究会
    • 発表場所
      おくとろ温泉やまのやど(和歌山県東牟婁郡)
    • 年月日
      2016-05-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 無極性a面AlNの高温成長と深紫外LEDへの応用2015

    • 著者名/発表者名
      定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] p型AlGaN透明コンタクト層を用いた深紫外LEDの注入機構最適設計2015

    • 著者名/発表者名
      定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Development of unexplored frequency semiconductor light sources; deep-UV LEDs and THz-QCLs2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      WPI-AIMR
    • 発表場所
      東北大学(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-10-30
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Precise growth control for AlGaN/GaN Superlattices by MBE and MOCVD for developing GaN-based THz quantum cascade lasers2015

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      EMN 3CG
    • 発表場所
      Hong Kong, China
    • 年月日
      2015-12-15
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth of AlN template and AlGaN MQWs on micro-circle patterned Si substrate2015

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda and M. Jo
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaN窒化物半導体の結晶品質向上とデバイス化技術,深紫外LEDの応用展開2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      サイエンス&テクノロジー社セミナー
    • 発表場所
      大井町きゅりあん(東京都品川区)
    • 年月日
      2015-08-27
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 接注入機構を用いたTHz QCL高温動作の進展2015

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 未踏波長半導体デバイス-深紫外LEDとTHz-QCLの進展-2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      電気学会パワー光源産業技術調査専門委員会研究会
    • 発表場所
      自動車会館(東京都千代田区)
    • 年月日
      2015-10-16
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Development of high-quality AlN crystals on patterned Si substrates for deep-UV LEDs2015

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, N. Maeda and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Modulation barrier design AlxGa1-xAs/GaAs terahertz quantum cascade lasers2015

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      ITQW2015
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 年月日
      2015-09-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの最近の進展2015

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,寺嶋亘,平山 秀樹
    • 学会等名
      平成27年電気学会電子・情報・システム部門大会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県長崎市)
    • 年月日
      2015-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 「未来の光」深紫外線,テラヘルツ光の魅力2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      三鷹ネットワーク大学講座
    • 発表場所
      三鷹ネットワーク大学(東京都三鷹市)
    • 年月日
      2015-06-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] サファイア加工基板上AlNの結晶成長とそれを用いた深紫外LEDの実現2015

    • 著者名/発表者名
      金沢裕也,松本卓磨,鎌田憲彦,前田哲利,定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent progress AlGaN deep-UV LEDs by improving light-extraction efficiency2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      2015 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series
    • 発表場所
      Nassau, Bahamas
    • 年月日
      2015-07-13
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent progress of THz-QCLs using nitride-based semiconductors2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama and W. Terashima
    • 学会等名
      SPIE Optics + Photonics 2015
    • 発表場所
      San Diego, U.S.A.
    • 年月日
      2015-08-09
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Indirect injection scheme THz QCLs with high operation temperature2015

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      EMN meeting on Vacuum Electronics
    • 発表場所
      Las Vegas, U.S.A.
    • 年月日
      2015-11-22
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] GaN/AlGaN系量子カスケードレーザの5.76THz,40Kにおける動作2015

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 無極性m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と深紫外発行特性2015

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Progress of THz quantum cascade laser using nitride semiconductors2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama and W. Terashima
    • 学会等名
      ICNS-11
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-09-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      量子現象利用デバイス技術分科会
    • 発表場所
      電子情報技術産業協会会議室(東京都千代田区)
    • 年月日
      2015-12-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Ga2O3 (-201)基板上AlGaN (0001)エピタキシャル膜の成長2015

    • 著者名/発表者名
      森島嘉克、平山秀樹、山下佳弘、飯塚和幸、倉又朗人、山腰茂伸
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、東京都渋谷区
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] High-quality AlN template for deep-UV LEDs grown on facet controlled patterned sapphire substrate (FC-PSS)2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kanazawa, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata, Y. Kashima, E. Matsuura, S. Shimatani, M. Kokubo, T. Tashiro, T. Ohkawa, R. Kamimura and Y. Osada
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Direct growth of thick AlN template on micro-circle patterned-Si substrate2015

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, and S. Toyoda
    • 学会等名
      CLEO Pacific Rim 2015
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 年月日
      2015-08-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth and optical properties of semi-polar AlN/AlGaN layers grown on m-plane sapphire substrates2015

    • 著者名/発表者名
      I. Ohshima, M. Jo, N. Maeda, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 未踏の光テラヘルツの地形を拓く-テラヘルツ量子カスケードレーザの開発-2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      平成27年度「理研と親しむ会」第23回講演会
    • 発表場所
      理化学研究所仙台地区(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-07-27
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] m 面サファイア基板上半極性AlN/AlGaN 層の結晶成長と光学特性2015

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] GaN系未開拓波長QCLの進展2015

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      東北大学(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-12-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers with modulation Al composition barriers design lasing at 3.7 THz, 145 K2015

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      FTT2015
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-09-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth of non-polar a-plane AlN on r-plane sapphire2015

    • 著者名/発表者名
      M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] GaN系THz-QCLの最近の進展2015

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学(大阪府大阪市)
    • 年月日
      2015-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性2015

    • 著者名/発表者名
      定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学(大阪府大阪市)
    • 年月日
      2015-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] ファセット表面加工基板上に成長した深紫外LED 用高品質AlN テンプレート2015

    • 著者名/発表者名
      金沢裕也,平山秀樹,前田哲利,定昌史,鎌田憲彦,鹿嶋行雄,松浦恵里子,嶋谷聡,小久保光典,田代貴晴,大川貴史,上村隆一郎,長田大和
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] r面サファイアを用いたa面AlNの高温成長2015

    • 著者名/発表者名
      定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN deep-UV LEDs2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      ISOM’15
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • 年月日
      2015-10-05
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] ウェットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製2015

    • 著者名/発表者名
      金沢裕也、豊田史朗、大島一晟、鎌田憲彦、鹿島行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、平山秀樹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、東京都渋谷区
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 殺菌用深紫外LEDの進展と今後の展望2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      光とレーザーの科学技術フェア
    • 発表場所
      科学技術館(東京都千代田区)
    • 年月日
      2015-11-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性2015

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学(大阪府大阪市)
    • 年月日
      2015-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 窒化物を用いた未開拓領域光デバイスの展望2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第34回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
    • 年月日
      2015-07-15
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] モジュレーションバリア構造を用いた3.7THz 145K量子カスケードレーザ2015

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,平山秀樹
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Up to 40 K lasing operation of 5.7 THz GaN/AlGaN quantum cascade laser2015

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Direct growth and controlled coalescence of thick AlN template on circle patterned-Si substrate2015

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, S. Toyoda and N. Maeda
    • 学会等名
      SPIE Optics + Photonics 2015
    • 発表場所
      San Diego, U.S.A.
    • 年月日
      2015-08-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers using nitride semiconductors2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      VI Workshop on Physics and Technologies of Semiconductor Lasers
    • 発表場所
      Krakow, Poland
    • 年月日
      2015-10-12
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 「未来の光」深紫外線、テラヘルツ光の魅力2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      理研仙台一般公開セミナー
    • 発表場所
      理化学研究所仙台地区(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-08-01
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth and Optical Properties of AlN/AlGaN Heterostructures on Patterned Si Substrate2015

    • 著者名/発表者名
      T. Tran,前田哲利,定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 踏波長光デバイスを目指して-深紫外LEDとテラヘルツQCLの開発-2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第38回光通信研究会
    • 発表場所
      人材開発センター富士Calm(山梨県富士吉田市)
    • 年月日
      2015-08-08
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Fabrication of a 260-nm light-emitting diode with a transparent p-AlGaN layer2015

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, N. Maeda and H. Hirayama
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Characterization of thick AlN templates grown on micro-circle patterned-Si substrates2015

    • 著者名/発表者名
      Tinh Tran、前田哲利、豊田史朗、平山秀樹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、東京都渋谷区
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外LEDにおける超格子p型AlGaN透明コンタクト層のホール拡散効果2015

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、定昌史、平山秀樹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、東京都渋谷区
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LED高効率化の進展と展望2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹,前田哲利,定昌史,鎌田憲彦
    • 学会等名
      第143回結晶工学分科会研究会
    • 発表場所
      東京都市大学(東京都世田谷区)
    • 年月日
      2015-06-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 特異構造結晶の導入による高効率深紫外デバイスとTHz-QCLの開発2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、前田哲利、定昌史、寺嶋亘、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、東京都渋谷区
    • 年月日
      2015-03-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] GaN系THz-QCLの最近の進展2015

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] The improvement of output power characteristics of THz QCLs in 77 K Dewar condenser2015

    • 著者名/発表者名
      林宗澤,寺嶋亘,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      東北大学(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-12-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Terahertz quantum-cascade laser based on III-nitride semiconductors2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama and W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 深紫外LEDの開発と今後の展望2014

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      OPTICS & PHOTONICS International Congress 2014 (OPIC2014)
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
    • 年月日
      2014-04-24
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] ワイドギャップ窒化物半導体を用いた深紫外線LED技術2014

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      2014最先端実装技術シンポジウム
    • 発表場所
      東京ビッグサイト、東京都江東区
    • 年月日
      2014-06-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] MOCVDを用いたGaN系QCLの結晶成長と評価2014

    • 著者名/発表者名
      豊田史郎、寺嶋亘、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] MOCVDを用いたGaN系QCLの結晶成長と評価2014

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗,寺嶋亘,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDとレーザーの可能性2014

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      2014年度第1回 光材料・応用技術研究会
    • 発表場所
      機械振興会館、東京都港区
    • 年月日
      2014-06-27
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Development of Highly-Uniform 270 nm Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      T. Mino, H. Hirayama, N. Noguchi, T. Takano and K. Tsubaki
    • 学会等名
      The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, The 18th OptoElectronics and Communications Conference / Photonics in Switching 2013 (CLRO-PR & OECC/PS 2013)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Improvement of Light-Extraction Efficiency of Deep-UV LEDs using Transparent p-AlGaN Contact Layer2013

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda and H. Hirayama,
    • 学会等名
      he 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, The 18th OptoElectronics and Communications Conference / Photonics in Switching 2013 (CLRO-PR & OECC/PS 2013)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] AlN結合ピラーバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討2013

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      第1回光量子工学研究
    • 発表場所
      埼玉 和光
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 270nm帯深紫外LEDの大面積形成2013

    • 著者名/発表者名
      美濃卓哉、平山秀樹、野口憲路、高野隆好、椿健治
    • 学会等名
      情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] p-AlGaN透明コンタクト層の組成短波長化とDUV-LEDの高効率化2013

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、平山秀樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 二波長励起PL 法を用いたInAlGaNの非発光再結合準位評価2013

    • 著者名/発表者名
      村越尚樹,イスラム トウヒドル,福田武司,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Growth of Connected Pillar AlN Buffer for AlGaN Deep-UV LEDs2013

    • 著者名/発表者名
      S. Toyoda, H. Hirayama, Y. Tomita and N. Kamata
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington, DC
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Optical Detection of Nonradiative Recombination Centers in AlGaN Quantum Wells for Deep UV Region2013

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama and N. Kamata
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Wsshington.DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] AlGaN Deep-UV LEDs using High-Al-Content (42-55%) p-AlGaN Contact Layer2013

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington, DC
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討2013

    • 著者名/発表者名
      富田優志、豊田史朗、藤川紗千恵、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      厚木、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外LEDバッファー用結合ピラーAlNの結晶成長2013

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗、富田優志、藤川紗千恵、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      厚木、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] AlGaN-based Deep-UV LEDs Fabricated on Connected-Pillar AlN Buffer2013

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tomita, S. Toyoda, S. Fujikawa and N. Kamata
    • 学会等名
      The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, The 18th OptoElectronics and Communications Conference / Photonics in Switching 2013 (CLRO-PR & OECC/PS 2013)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] p-AlGaN透明コンタクト層を用いた深紫外LEDの高効率化の実現2013

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、藤川紗千恵、平山秀樹
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      厚木、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Realization of High-Efficiency Deep-UV LEDs using Transparent p-AlGaN Contact Layer2013

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外LED用結合ピラーAINバッファーの改善2013

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗,水澤克哉,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの実現2013

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、平山秀樹
    • 学会等名
      第1回光量子工学研究
    • 発表場所
      埼玉 和光
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外LED用結合ピラーバッファーの改善2013

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗、水澤克哉、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外LEDバッファー用結合ピラーAINの結晶成長技術の開拓2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、富田優志、藤川紗千恵、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Development of High-Efficiency and Highly-Uniform AlGaN-Based Deep-UV Light-Emitting Diodes by 2-inch×3 Metalorganic Vapor Phase Epitaxy System2012

    • 著者名/発表者名
      T. Mino, H. Hirayama, N. Noguchi, T. Takano, A. Murai, M. Yasuda and K. Tsubaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      東札幌、札幌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Development of AlGaN Deep-UV LEDs for Greentechnology Applications2012

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      BIT’s 1st Annual World Congress of Greentech
    • 発表場所
      Guangzhou, China
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] AlGaN 系深紫外LEDの高効率化への取り組み2012

    • 著者名/発表者名
      富田優志、平山秀樹、藤川紗千恵、水澤克哉、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Progress of Deep-UV LEDs using AlGaN-based semiconductors2012

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 2nd RIKEN-McGill University Scientific Workshop
    • 発表場所
      和光、埼玉
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] フォトニック結晶を用いたAlGaN系深紫外LEDの高効率化2012

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵、 平山秀樹、 鹿嶋 行、西原 浩巳、田代 貴晴、大川 貴史、尹成圓、高木秀樹
    • 学会等名
      第73回応用物理;学会学術講演会
    • 発表場所
      松山、愛媛
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] High-Efficiency AlGaN-based Deep-UV LEDs Realized by Improving Injection and Light-Extraction Efficiency2012

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Akiba, Y. Tomita, S. Fujikawa and N. Kamata
    • 学会等名
      The 13^<th> Int. Symp. on Science and Technology of Lighting (LS-13),
    • 発表場所
      Troy, NY, USA(招待講演)
    • 年月日
      2012-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 結合ピラーAINバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、富田優志、藤川紗千恵、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] High-Efficiency AlGaN-based Deep -V LEDs Realized by Improving Injection and Light-Extraction Efficiency2012

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Akiba, Y. Tomita, S. Fujikawa and N. Kamata
    • 学会等名
      13th International Symposium on the Science and Technology of Lighting (LS13)
    • 発表場所
      Troy, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency of AlGaN Deep-UV LED using 2-Dimensional Photonic Crystal (2D-PhC)2012

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, H. Hirayama, Y. Kashima, H. Nishihara, T. Tashiro, T. Ohkawa, S. W. Youn and H. Takagi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      東札幌、札幌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency of AlGaN Deep-UV LED using 2-Dimensional Photonic Crystal (2D-PhC)2012

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, H. Hirayama, Y. Kashima, H. Nishihara, T. Tashiro, T. Ohkawa, S. W. Youn and H. Takagi
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 多重量子障壁を用いた230nm帯短波長・高効率深紫外LEDの実現2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗千恵、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 220-350mm帯AlGaN系深紫外LEDのこれまでの進展2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗千恵、前田哲利、富田優志、水澤克哉、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Optical Characterization of Non-Radiative Centers and Improvement in Light Extraction Efficiency of Deep UV-LEDs2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. Touhidul Islam, M. Akiba, K. Igarashi, N. Murakoshi, T. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. 5th Lighting Conf. of China, Japan and Korea
    • 発表場所
      東海大学高輪キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2012-08-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Recent Progress and Future Prospects of AlGaN-based Deep-UV LEDs2012

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Recent Progress and Future Prospects of AlGaN-based Deep-UV LEDs2012

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      LED 50th Anniversary Symposium
    • 発表場所
      Illinois, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Au/Al-Metal Bonding Conditions for Double Metal Waveguide on GaN based Terahertz Quantum Cascade Laser Structure2011

    • 著者名/発表者名
      S.Matsumoto, W.Terashima, T.Yasuda, H.Hirayama
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2011
    • 発表場所
      Houston, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Reduction of Macro-Step Geometry and Abnormal Nuclei on AlN/Sapphire for use as Deep-UV LED Templates2011

    • 著者名/発表者名
      N.Maeda, H.Hirayama, M.Akiba, N.Kamata
    • 学会等名
      9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), PA1.18
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望2011

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      電気学会パワー半導体レーザパワーLED応用技術調査専門委員会研究会
    • 発表場所
      市ヶ谷/東京千代田区
    • 年月日
      2011-02-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Temperature dependence of threshold current density of GaAs/Al_xGa_(1-x)As terahertz quantum cascade lasers with different Al composition2011

    • 著者名/発表者名
      T.T.Lin, H.Hirayama
    • 学会等名
      ITQW2011
    • 発表場所
      Badesi, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Recent progress of THz quantum cascade lasers(invited)2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      The 4th Japan-Korea Joint Workshop on Terahertz Technology
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Growth of Flat p-GaN Contact Layer by Pulse-Flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs with Al Electrode2011

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, Y. Tomita, Y. Tsukada, H. Hirayama, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      Toba, Mie, Japan
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Terahertz intersubband electroluminescence from GaN/AlGaN quantum cascade laser structure on AlGaN template2011

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, H.Hirayama
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2011
    • 発表場所
      Houston, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望2011

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      同志社大学界面現象研究センター研究会
    • 発表場所
      同志社大学/京都市京田辺市
    • 年月日
      2011-01-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] A軸方向傾斜c面サファイア上に作製した高効率紫外LED2011

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 平山秀樹, 前田哲利
    • 学会等名
      2011春応用物理学会(第58回)
    • 発表場所
      神奈川工科大学/神奈川県厚木市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と今後の展望2011

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア」-材料洗剤能力の極限発現-公開シンポジウム
    • 発表場所
      修善寺/静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] High-Efficiency Short-Wavelength AlGaN DUV LEDs Realized by Improving Injection Efficiency with MQB2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, M. Akiba, Y. Tomita, S. Fujikawa, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      Toba, Mie, Japan
    • 年月日
      2011-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上深紫外LED2011

    • 著者名/発表者名
      美濃卓哉, 高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 杉山正和
    • 学会等名
      2011春応用物理学会(第58回)
    • 発表場所
      神奈川工科大学/神奈川県厚木市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Reduction of Macro-Step Geometry and Abnormal Nuclei on AlN/Sapphire for use as Deep-UV LED Templates2011

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, H. Hirayama, M. Akiba, N. Kamata
    • 学会等名
      9th Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Terahertz electroluminescence from intersubband levels in quantum cascade laser based on III-Nitride semiconductors2011

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      ITQW 2011
    • 発表場所
      Badesi, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Significant reduction of threshold current density of GaAs/AlGaAs terahertz quantum cascade lasers by using high-Al-content AlGaAs barrier2011

    • 著者名/発表者名
      T.T.Lin, L.Y.Ying, H.Hirayama
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2011
    • 発表場所
      Houston, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Growth of Flat and Thin p-GaN Contact Layer by NH3 Pulse-flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      M.Akiba,Y.Tomita, H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), F5.2
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Temperature dependence of threshold current density of GaAs/AlxGa(1-x) As terahertz quantum cascade lasers with different Al composition2011

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin and H. Hirayama
    • 学会等名
      ITQW 2011
    • 発表場所
      Badesi, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Marked Increase of Injection Efficiency in AlGaN Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, M. Akiba, Y. Tomita, S. Fujikawa, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Marked Increase of Injection Efficiency in AlGaN Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, M.Akiba, Y.Tomita, S.Fujikawa, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), F4.1
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Recent progress of THz quantum cascade lasers2011

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 学会等名
      The 4th Japan-Korea Joint Workshop on Terahertz Technology
    • 発表場所
      Nagoya, Japan(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Au/Al-Metal Bonding Conditions for Double Metal Waveguide on GaN based Terahertz Quantum Cascade Laser Structure2011

    • 著者名/発表者名
      S. Matsumoto, W. Terashima, T. Yasuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2011
    • 発表場所
      Houston, U. S. A
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Properties of GaAs/AlxGal-xAs terahertz quantum cascade lasers with different barrier composition2011

    • 著者名/発表者名
      Tsung-Tse Lin, Leiying Ying, Hideki Hirayama
    • 学会等名
      2011春応用物理学会(第58回)
    • 発表場所
      神奈川工科大学/神奈川県厚木市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Terahertz electroluminescence from intersubband levels in quantum caseade laser based on III-Nitride semiconductors2011

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, H.Hirayama
    • 学会等名
      ITQW2011
    • 発表場所
      Badesi, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Growth of Flat p-GaN Contact Layer by Pulse-Flow Method for Hig Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs with Al Electrode2011

    • 著者名/発表者名
      M.Akiba, Y.Tomita, Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      Toba, Mie, Japan
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN based deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 学会等名
      German-Japanese-Spanish Workshop on Frontier Photonic and electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Granada Spain
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 2.67-2.82 THz intersubband emission from GaN/AlGaN quantum cascade structure2011

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      ICNS-9
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価2011

    • 著者名/発表者名
      五十嵐航平、石岡亮、塚田悠介、福田武司、本多善太郎、平山秀樹、鎌田憲彦
    • 学会等名
      発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会
    • 発表場所
      高知工科大学
    • 年月日
      2011-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] MQBを用いた230nm帯短波長深紫外LEDの効率改善2011

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 秋葉雅弘, 富田優志, 前田哲利, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      2011春応用物理学会(第58回)
    • 発表場所
      神奈川工科大学/神奈川県厚木市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Growth of Flat and Thin p-GaN Contact Layer by NH3 Pulse-flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, Y. Tomita, H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Significant reduction of threshold current density of GaAs/AlGaAs terahertz quantum cascade lasers by using high-Al-content AlGaAs barrier2011

    • 著者名/発表者名
      T. T. Lin, L. Y. Ying and H. Hirayama
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2011
    • 発表場所
      Houston, U. S. A
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Terahertz intersubband electroluminescence from GaN/AlGaN quantum cascade laser structure on AlGaN template2011

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2011
    • 発表場所
      Houston, U. S. A
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会・応用電子物性分科会研究例会「紫外光デバイスの進展:材料物性と応用」
    • 発表場所
      大阪大学銀杏会館/大阪府吹田市
    • 年月日
      2010-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Progress of AlGaN-based Deep-UV LEDs using High-Quality AlN on Sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Kamata
    • 学会等名
      22th Int. Semiconductor Laser Conf.(ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] MQBを用いた高効率250nm帯AlGaN系深紫外LED2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 塚田悠介, 前田哲利, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学/三重県津市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] InAlGaN4元混晶を用いた280nm帯殺菌用途深紫外LEDの進展2010

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 平山秀樹
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の新展開 第3回シンポジウム
    • 発表場所
      日本科学未来館/東京都江東区
    • 年月日
      2010-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] AlGaN Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      The 8th Int. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] First achievement of deep-UV LEDs on Si wafer2010

    • 著者名/発表者名
      S.Fujikawa, H.Hirayama
    • 学会等名
      22th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] First Observation of Spontaneous Emission on Injection Current from GaN/AlGaN Terahertz-Quantum Cascade Laser2010

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, H.Hirayama
    • 学会等名
      IWN2010
    • 発表場所
      Florida, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] High-Power Short-Wavelength AlGaN Deep-UV LEDs Realized by Improving Injection Efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, M. Akiba, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semicond.(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] First Observation of Spontaneous Emission on Injection Current from GaN/AlGaN Terahertz-Quantum Cascade Laser2010

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      IWN2010
    • 発表場所
      Florida, U. S. A
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Efficiency enhancement in 250nm-band AlGaN deep-UV LEDs using Multiquantum-barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] High-Power Short-Wavelength AlGaN Deep-UV LEDs Realized by Improving Injection Efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, M.Akiba, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Ni/Al高反射p型電極を用いたAlGaN深紫外LEDの高効率化2010

    • 著者名/発表者名
      秋葉雅弘, 平山秀樹, 塚田悠介, 前田哲利, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      2010秋応用物理学会(第71回)
    • 発表場所
      長崎大学/長崎県長崎市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Progress of AlGaN-based Deep-UV LEDs using high-quality ALN on sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Kamata
    • 学会等名
      22th International Semiconductor Laser Conference(ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      SPIE-Photonics West, Materials, Devices and Applications for Solid State Lighting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      JEITA(電子情報技術産業協会)ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術分科会研究会
    • 発表場所
      JEITA/東京都千代田区
    • 年月日
      2010-11-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 窒化物半導体を用いた未踏周波数領域テラヘルツ帯量子カスケードレーザの開発研究2010

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、平山秀樹
    • 学会等名
      財団法人光科学技術振興財団平成19年度研究助成成果報告講演会(招待講演)
    • 発表場所
      浜松
    • 年月日
      2010-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Efficiency Enhance-ment in 250 nm-band AlGaN Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      The 3rd Int. Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 247-262nm AlGaN deep-UV LEDs using multiquantum-barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      The 8^<th> International Symposium on Semiconductors Light Emitting Devices(ISSLED2010)
    • 発表場所
      E3, Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Efficiency enhancementin AlGaN deep-UV LEDs using high-reflectivity Al-based p-type electrode2010

    • 著者名/発表者名
      M.Akiba, H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Efficiency Enhancement in AlGaN Deep-UV LEDs using High-Reflectivity Al-based p-type Electrode(IWN2010ベストポスター賞)2010

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] RF-MBE Growth of Terahertz Quantum Cascade Structure on GaN Substrate using Droplets Elimination by Thermal Annealing Technique2010

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima, S. Matsumoto and H. Hirayama
    • 学会等名
      ISGN3
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Spontaneous Emission from GaN/AlGaN based Terahertz Quantum Cascade Laser Structure grown on GaN Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima and H. Hirayama
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2010
    • 発表場所
      Rome, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] 窒化物半導体を用いた未踏周波数領域テラヘルツ帯量子カスケードレーザの開発研究2010

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、平山秀樹
    • 学会等名
      財団法人光科学技術振興財団平成19年度研究助成成果報告講演会
    • 発表場所
      浜松
    • 年月日
      2010-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Short-wavelength high-efficiency deep-UV LEDs realized by improving injection efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors2010(IWM201)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 247-262 nm A1GaN Deep-UVLEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      The 8^<th> International Symposium on Semiconduc tors Light Emitting Devices (ISSLED2010), E3
    • 発表場所
      Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 近未来の光、テラヘルツ光・深紫外光の魅力-くらしを変える新しい光と応用の広がり-2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      仙台市市民講座(講座仙台学2010)「仙台とくらし」
    • 発表場所
      仙台国際センター/宮城県仙台市
    • 年月日
      2010-07-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 230-350nm帯InAlGaN系紫外高効率発光デバイスの研究2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、光・光量子科学技術の新展開、第三回公開シンポジウム
    • 発表場所
      日本科学未来館/東京都江東区
    • 年月日
      2010-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      月刊OPTRONICS主催グリーンフォトニクス特別セミナー
    • 発表場所
      東京都立産業貿易センター/東京都港区
    • 年月日
      2010-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Si基板上290nm帯InAlGaN深紫外LEDの実現2010

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 平山秀樹
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学/三重県津市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 光取り出し効率改善によるAlGaN系深紫外LEDの高効率化2010

    • 著者名/発表者名
      秋葉雅弘, 平山秀樹, 塚田悠介, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の新展開 第3回シンポジウム.
    • 発表場所
      日本科学未来館/東京都江東区
    • 年月日
      2010-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Efficiency Enhancement in AlGaN Deep-UV LEDs using High-Refle ctivity Al-based p-type Electrode (IWN2010ベストポスター賞受賞)2010

    • 著者名/発表者名
      M.Akiba, H.Hirayama, Y.Tsukada N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Efficiency Enhancement in 250 nm-band AlGaN Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの高効率化2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会ソサイエティ大会シンポジウムレーザー量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪府立大学/大阪府堺市
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Realization of InAlGaN QW deep-UV LEDs on Si(111) Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      S.Fujikawa, H.Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Design of multiquantum-barrier electron-blocking layer for 230-280nm-band AlGaN deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      The 8^<th> International Symposium on Semiconductors Light Emitting Devices(ISSLED2010)
    • 発表場所
      I5, Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] GaN/AlGaN Thz-QCLからの電力注入による事前放出光の観測2010

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘, 平山秀樹
    • 学会等名
      2010秋応用物理学会(第71回)
    • 発表場所
      長崎大学/長崎県長崎市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LED2010

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 平山秀樹
    • 学会等名
      2010秋応用物理学会(第71回)
    • 発表場所
      長崎大学/長崎県長崎市.
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Advances of AlGaN-based High-Efficiency deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      H.hirayama
    • 学会等名
      Asia Communications and Photonics(ACP2010)
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 多重量子障壁電子ブロック層を用いた250nm帯深紫外LEDの高効率化2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 塚田悠介, 前田哲利, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第57回2010春応用物理学会
    • 発表場所
      東海大学/神奈川県厚木市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] GaN系THz-QCLからの電流注入による自然放出光の観測2010

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、平山秀樹
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第69回研究会(招待講演)
    • 発表場所
      キャンパスイノベーションセンター東京
    • 年月日
      2010-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] RF-MBE growth of terahertz quantum cascade laser structure on GaN Substrate using droplets elimination by thermal annealing techique2010

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, S.Matsumoto, H.Hirayama
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Design of Multiquantum-barrier Electron-Blocking Layer for 230-280 nm-band AlGaN Deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      The 8^<th> International Symposium on Semiconduc tors Light Emitting Devices (ISSLED2010),I5
    • 発表場所
      Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 低貫通転位密度ALNの結晶成長法開拓と220-280nm帯深紫外LEDの進展2010

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 秋葉雅弘, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の新展開 第3回シンポジウム
    • 発表場所
      日本科学未来館/東京都江東区
    • 年月日
      2010-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 多重量子障壁(MQB)を用いた短波長深紫外LEDの飛躍的高出力化2010

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 秋葉雅弘, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の新展開 第3回シンポジウム
    • 発表場所
      日本科学未来館/東京都江東区
    • 年月日
      2010-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Marked Efficiency Enhancement of AlGaN-based Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Tsukada, H. Hirayama, N. Kamata
    • 学会等名
      22th Int. Semiconductor Laser Conf.(ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 多重量子障壁(MQB)を用いた高出力AlGaN系深紫外LED2010

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 秋葉雅弘、前田哲利, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      2010秋応用物理学会(第71回)
    • 発表場所
      長崎大学/長崎県長崎市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] GaN系THz-QCLからの電流注入による自然放出光の観測2010

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、平山秀樹
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第69回研究会
    • 発表場所
      キャンパスイノベーションセンター東京
    • 年月日
      2010-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 学会等名
      7^<th> China International Exhibition and Forum on Solid State Lighting(CHINASSL2010)
    • 発表場所
      Shinzhen, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Optimization of Multiquantum-barrier (MQB) Structure of AlGaN Deep-UV LEDs for Realizing High Injection Efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Design of Multiquantum-barrier Electron-Blocking Layer for 230-280 nm-band AlGaN Deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Tsukada, H. Hirayama, N. Kamata
    • 学会等名
      The 8th Int. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 学会等名
      LG Innotek Forum
    • 発表場所
      LG Innotek Co., Ltd., Seoul Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Marked efficiency enhancement of AlGaN-based deep-UV LEDs using Multiquantum-barrier2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      22th International Semiconductor Laser Conference(ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 220-280nm AlGaN系紫外LEDの進展2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会シンポジウム「ワイドギャップ窒化物AlGaNの結晶評価と深紫外光デバイス応用」結晶工学分科会企画
    • 発表場所
      長崎大学/長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      サムコ株式会社セミナー
    • 発表場所
      サムコ株式会社/京都府伏見区
    • 年月日
      2010-10-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] High-power short-wavelength AlGaN deep-UV LEDs realized by improving injection efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, M.Akiba, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 280nm-band InAlGaN deep-UV LED on Silicon(111) substrate2010

    • 著者名/発表者名
      S.Fujikawa, H.Hirayama
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高効率発光デバイスの研究-220nm帯LEDの放射特性とMQBを用いた紫外LED高効率化-2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「窒化物半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-、H21年度報告会
    • 発表場所
      滋賀県
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] InAlGaN深紫外発光ダイオードと将来展開2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      JST戦略的イノベーション創出推進シンポジウム「無機発光素子を用いた高機能照明・次世代レーザ技術の開発」
    • 発表場所
      JST東京本部/東京都千代田区
    • 年月日
      2010-04-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 学会等名
      Seoul Optodevice Forum
    • 発表場所
      Seoul Semicondutor/Optodevice Co, Ltd, Seoul, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Progress of AIGaN-based Deep-UV LEDs using High-Quality AIN on Sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Kamata
    • 学会等名
      22th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Marked Efficiency Enhancement of AlGaN-based Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      22th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] GaN/AlGaN THz-QCLからの電流注入による自然放出光の観察2010

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、平山秀樹
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] AlGaN系材料界面制御技術と深紫外LEDの進展2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      アモルファス・ナノ材料 日本学術振興会第147委員会(第108回研究会)
    • 発表場所
      主婦会館/東京都新宿区
    • 年月日
      2010-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] First observation of spontaneous emission on injection current from GaN/AlGaN Terahertz quantum cascade laser2010

    • 著者名/発表者名
      W.Terashima, H.Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Optimization of Multiquantum-barrier(MQB) structure of AlGaN deep-UV LEDs for realizing high injection efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] AlGaN深紫外LEDの電子注入効率改善のためのMQB設計2010

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学/三重県津市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film in trench-patterned AlN template2010

    • 著者名/発表者名
      K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, J.Norimatsu, H.Hirayama
    • 学会等名
      The 8^<th> International Symposium on Semiconductors Light Emitting Devices(ISSLED2010)
    • 発表場所
      J4, Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] High efficiency 280nm InAlGaN quantum well LEDs fabricated using quite low growth rate epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 平山秀樹, 高野隆好, 椿健治
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] GaN/AlGaN系THz帯量子カスケードレーザの作製と電流注入2009

    • 著者名/発表者名
      寺島亘, 應磊瑩, 平山秀樹
    • 学会等名
      第70回2009秋応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学/富山県
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 250nm-band high-efficiency. AlGaN LEDs using In-doped quantum well and p-type layers2009

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 野口憲路, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semicond uctors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 220-250nm帯AlGaN量子井戸紫外LEDからの垂直放射の確認2009

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 野口憲路, 乗松潤, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
    • 発表場所
      東京農工大学/東京都府中市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 280nm帯紫外LEDにおけるInAlGaNの極低速成長の重要性2009

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 平山秀樹, 高野隆好, 椿健治
    • 学会等名
      第70回2009秋応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学/富山県
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Progresses of 220-280nm-band deep-UV-LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      Taiwan Display & Solid State Lighting Conference & Exhibition(TSSL2009)
    • 発表場所
      Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Agを用いた両面金属導波路を有するTHz量子カスケードレーザの作製2009

    • 著者名/発表者名
      應磊瑩、堀内典明、寺嶋亘、平山秀樹
    • 学会等名
      エクストリームフォトニクスシンポジウム
    • 発表場所
      和光本所
    • 年月日
      2009-05-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Siドーピングによる250nm帯InドープAlGaN量子井戸LED高効率化の検討2009

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 藤川紗千恵, 平山秀樹, 乗松潤, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回2009秋応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学/富山県
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Agを用いた両面金属導波路を有するTHz量子カスケードレーザの作製2009

    • 著者名/発表者名
      應磊瑩、堀内典明、寺嶋亘、平山秀樹
    • 学会等名
      エクストリームフォトニクスシンポジウム
    • 発表場所
      理化学研究所(和光本所)
    • 年月日
      2009-05-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Surface emitting property of 220-250nm-band AlGaN-based deep-UV LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 塚田悠介, 野口憲路, 乗松潤, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 240nm AlGaN-LEDのCW1.2mW出力動作2009

    • 著者名/発表者名
      乗松潤、平山秀樹、塚田悠介、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会、11p-X-3
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 大周期ストライプを用いた深紫外LED用ELO-AlNテンプレートの貫通転位の低減2009

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 乗松潤, 平山秀樹, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
    • 発表場所
      東京農工大学/東京都府中市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 220-280nm帯深紫外LEDの最新動向2009

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      国際ナノテクノロジー総合展・技術会議
    • 発表場所
      東京ビッグサイト
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 周期溝構造AIN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第70回2009秋応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学/富山県
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Progresses of 220-280nm-band AlGaN and InAlGaN based deep-UV-LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] GaN/AlGaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作成と評価2009

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、應磊瑩、平山秀樹
    • 学会等名
      H21年度共同プロジェクト研究会「量子カスケードレーザの高性能化と応用に関する研究」(招待講演)
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2009-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] 低貫通転位密度AlNバッファーの開拓と220-280nm帯AlNの実現と紫外LEDへの応用2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 乗松潤, 塚田悠介, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、第二回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」
    • 発表場所
      日本科学未来館/東京都江東区
    • 年月日
      2009-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] InAlGaN4元混晶半導体を用いた深紫外発光量子ドットの作製2009

    • 著者名/発表者名
      高野隆好, 藤川紗千恵, 平山秀樹, 杉山正和
    • 学会等名
      第56回2009春応用物理学会
    • 発表場所
      筑波大学/茨城県つくば市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 紫外LED用ELO-AlNテンプレートの作製(横成長領域の拡大)2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 乗松潤, 野口憲路, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第56回2009春応用物理学会
    • 発表場所
      筑波大学/茨城県つくば市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Fabrication of device structure for GaN/AlGaN terahertz quantum cascade laser2009

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima, L. Ying and H. Hirayama
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlNテンプレート上へのAlN厚膜成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥浦一輝, 片桐佑介, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第56回2009春応用物理学会
    • 発表場所
      筑波大学/茨城県つくば市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 230nm帯AlGaN量子井戸紫外LEDの放射特性2009

    • 著者名/発表者名
      野口憲路, 平山秀樹, 乗松潤, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第56回2009春応用物理学会
    • 発表場所
      筑波大学/茨城県つくば市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 最短波長領域・高効率深紫外LEDの開発2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      (社)日本オプトメカトロニクス協会、光センシング技術部会研究会
    • 発表場所
      機械振興会館/東京都港区
    • 年月日
      2009-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] In混入AlGaN の発光及びp型特性と高効率深紫外LEDへの応用2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会、「紫外発光素子の進展」、特定領域研究企画「窒化物半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-
    • 発表場所
      富山大学/富山県
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] GaN/AlGaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作成と評価2009

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、應磊瑩、平山秀樹
    • 学会等名
      H21年度共同プロジェクト研究会「量子カスケードレーザの高性能化と応用に関する研究」
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2009-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] Siドーピングによる250nm帯InドープAlGaN量子井戸LED高効率化の検討2009

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介、藤川紗千恵、平山秀樹、乗松潤、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会、11p-X-2
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 高Al組成InAlGaN4元混晶を用いた深紫外発光量子ドットの結晶成長と発光特性2009

    • 著者名/発表者名
      高野隆好, 平山秀樹, 杉山正和
    • 学会等名
      第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
    • 発表場所
      東京農工大学/東京都府中市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN template2009

    • 著者名/発表者名
      (Invited) H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      Semiconductor Lasers and LEDs, Gallium Nitride Materials and Devices IV
    • 発表場所
      San Jose, USA.
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] ELO法を用いた低貫通転位密度AlNの実現と深紫外UEDへの応用2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 乗松潤, 藤川紗千恵, 塚田悠介, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、第二回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」
    • 発表場所
      日本科学未来館/東京都江東区
    • 年月日
      2009-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Recent progresses of AlGaN and InAlGaN based deep-UV-LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      (Invited) H. Hirayama
    • 学会等名
      Display & Solid State Lighting Conference & Exhibition (DSSL2009)
    • 発表場所
      Seoul, Korea.
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Ag-metal bonding conditions for low-loss double-metal waveguide for terahertz quantum cascade laser2009

    • 著者名/発表者名
      L. Ying, N. Ikeda and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 34^<th> International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 2009
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 年月日
      2009-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] InAlGaN4元混晶を用いた280nm殺菌用途波長高効率LEDの実現2009

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 平山秀樹, 高野隆好, 椿健治
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、第二回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」
    • 発表場所
      日本科学未来館/東京都江東区
    • 年月日
      2009-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Deep-UV bright emission from high-Al-content InAlGaN quantum dots-growth and optical properties2009

    • 著者名/発表者名
      高野隆好, 平山秀樹, 杉山正和
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 窒化物紫外LEDの進展と今後の展望2009

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      光技術動向調査委員会研究会
    • 発表場所
      幕張
    • 年月日
      2009-01-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 240nmAlGaN-LEDのCW1.2mW出力動作2009

    • 著者名/発表者名
      乗松潤, 平山秀樹, 塚田悠介, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回2009秋応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学/富山県
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 高Al組成InAlGaN4元混晶の結晶成長と250nm帯深紫外高効率LEDの実現2009

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 野口憲路, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
    • 発表場所
      東京農工大学/東京都府中市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Low threading dislocation density 4-inch area uniform AlN on sapphire fabricated by controlling AlN unclei2009

    • 著者名/発表者名
      高野隆好, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「アンモニアパルス供給多段成長法」の最適化による2インチ3枚対応高品質AlNテンプレートの作製と紫外LEDの作製2009

    • 著者名/発表者名
      高野隆好, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治
    • 学会等名
      第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
    • 発表場所
      東京農工大学/東京都府中市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 2"×3MOCVDを用いた核形成層制御によるサファイア基板上AlNの高品質化2009

    • 著者名/発表者名
      高野隆好, 藤川紗千恵, 平山秀樹, 椿健治
    • 学会等名
      第70回2009秋応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学/富山県
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] AlGaN系半導体を用いた深紫外LEDの進展2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      エクストリームフォトニクスシンポジウム
    • 発表場所
      理化学研究所/埼玉県和光市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 窒化物半導体を用いたTHzカスケードレーザの構造設計と素子作製2009

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、應磊瑩、平山秀樹
    • 学会等名
      エクストリームフォトニクスシンポジウム
    • 発表場所
      理化学研究所(和光本所)
    • 年月日
      2009-05-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] 窒化物半導体を用いたTHzカスケードレーザの構造設計と素子作製2009

    • 著者名/発表者名
      寺嶋亘、應磊瑩、平山秀樹
    • 学会等名
      エクストリームフォトニクスシンポジウム
    • 発表場所
      和光本所
    • 年月日
      2009-05-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246005
  • [学会発表] 250nm帯InAlGaN量子井戸紫外LEDのサブミリワット出力動作2009

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 野口憲路, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第56回2009春応用物理学会
    • 発表場所
      筑波大学/茨城県つくば市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 低速成長による高Al組成InAlGaN4元混晶の高品質結晶成長・評価と280nm帯深紫外高出力LEDの実現2009

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵, 平山秀樹, 高野隆好, 椿健治
    • 学会等名
      第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
    • 発表場所
      東京農工大学/東京都府中市
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 230-350nm帯InAlGaN系深紫外高効率発光デバイスの研究2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、 H21年度報告会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2009-04-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Recent progresses of AlGaN and InAlGaN based deep-UV-LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics(CLEO)2009
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Low threading dislocation density ELO-AlN for deep-UV LEDs fabricated using large period(>20μm)AlN stripes2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 乗松潤, 藤川紗千恵, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Low threading dislocation density AlN on sapphire for DUV-LEDs realized by using multi-AlN-nucleus layers growth by NH3 pulsed-flow epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      高野隆好, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 280nm-band quaternary InAlGaN quantum well deep-UV LEDs with p-InAlGaN layers2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      International Symposium on Semiconductor Light emitting devices (ISSLED2008)
    • 発表場所
      Phoenix, USA.
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 230-350nm紫外LEDの進展と今後の展望2008

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      伯東セミナー
    • 発表場所
      新宿伯東講堂
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 220-280nm帯AlGaN、InAlGaN系紫外LEDの進展2008

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      フイドギャップ半導体光・電子デバイス、日本学術振興会第162委員会
    • 発表場所
      伊東
    • 年月日
      2008-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Growth of high-Al-content AlGaN QWs used for 220-250nm-band high-brightness UV-LEDs2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Izu
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Extremely high efficiency PL emission from 280nm-band InAlGaN QWs realized by Si-doped layer control2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Izu
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 222nm single-peaked operation of deep-UV AlGaN MQW LED2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      27^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-27)
    • 発表場所
      Izu
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN2008

    • 著者名/発表者名
      (Invited) H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Milliwatt power 270nm-band AlGaN deep-UV LED fabricated on ELO-AlN template2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Extremely high efficiency 280 nm-band emission from quaternary InAlGaN quantum wells realized by controlling Si-doped layers2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 220-280nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望2008

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      電気学会パワー半導体レーザ応用システム調査専門委員会
    • 発表場所
      市ヶ谷
    • 年月日
      2008-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「アンモニアパルス供給多層成長法を用いた深紫外LED用AINバッファーの進展」2008

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、谷田部透、野口憲路、乗松潤、鎌田憲彦
    • 学会等名
      2008春応用物理学会(第65回)
    • 発表場所
      日本大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN-LEDのCWミリワット出力動作2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他6名
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「248nmAIGaN深紫外LEDの室温CWミリワット出力動作」2008

    • 著者名/発表者名
      谷田部透、平山秀樹、野口憲路、乗松潤、鎌田憲彦
    • 学会等名
      2008春応用物理学会(第65回)
    • 発表場所
      日本大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 222-273nm AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AlN buffer on sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      (Invited) H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      International Symposium on Semiconductor Light emitting devices (ISSLED2008)
    • 発表場所
      Phoenix, USA.
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「窒化物半導体による深紫外およびテラヘルツ発光素子開発の現状と展望」2008

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス、日本学術振興会第162委員会、特別講演会(第56回研究会)
    • 発表場所
      主婦会館プラザエフ
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] High-quality AlN buffer fabricated by NH_3 pulse-flow multilayer growth method used for 220-270 nm-band UV-LEDs2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Izu
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他3名
    • 学会等名
      電子情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] High-efficiency 280nm-band InAlGaN quantum well deep-UV LEDs with Si-doped barrier layers2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      27^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-27)
    • 発表場所
      Izu
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Fabrication of low threading dislocation density ELO-AlN template for the application to deep-UV LEDs2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] AlN電子ブロック層を用いた230nm帯AlGaN-LEDのCW動作2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他3名
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "222-273 nm AIGaN deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AIN buffer on sapphire"2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi and N. Kamata
    • 学会等名
      International Symposium on Semiconductor Light emitting devices(ISSLED2008)
    • 発表場所
      Phoenix, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 264nm紫外AlGaN量子井戸LEDのCW11W出力動作2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他3名
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 窒化物半導体紫外発光デバイスの進展とMEMSへの融合の可能性2008

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      第25回「センサー・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 窒化物を用いた殺菌用途高出力紫外LEDの開発と今後の展望2008

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      電子ジャーアナル講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2008-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯紫外LED2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他5名
    • 学会等名
      電子情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 222nm single-peaked deep-UV LED with thin AlGaN quantum well layers2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「量産対応型MOCVDによる270nm帯高出力深紫外LEDの検討」2008

    • 著者名/発表者名
      高野隆好、藤川紗千恵、椿健治、平山秀樹
    • 学会等名
      2008春応用物理学会(第65回)
    • 発表場所
      日本大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Realization of 270nm-band AlGaN based UV-LEDs on large area AlN template with high crystalline quality2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] SiモジュレーションドープInAlGaN発光層を用いた280nm帯紫外LEDの10mW出力動作2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他3名
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「InAIGaN4元混晶を用いた280nm帯深紫外LED」2008

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵、平山秀樹、高野隆好、椿健治
    • 学会等名
      2008春応用物理学会(第65回)
    • 発表場所
      日本大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 280nm帯InAlGaN高出力LED2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他3名
    • 学会等名
      電子情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「窒化物半導体による深紫外およびテラヘルツ発光素子開発の現状と展望」2008

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス、日本学術振興会第162委員会、特別講演会(第56回研究会)
    • 発表場所
      主婦会館プラザエフ
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 270nm-band AlGaN deep-UV-LEDs fabricated on ELO-AlN buffer2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      27^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-27)
    • 発表場所
      Izu
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「222nmAIGaN深紫外LEDのシングルピーク発光動作」2008

    • 著者名/発表者名
      野口憲路、平山秀樹、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      2008春応用物理学会(第65回)
    • 発表場所
      日本大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Investigation of quantum cascade lasers based on III-nitride semiconductors in the terahertz frequency range2008

    • 著者名/発表者名
      Terashima W., Hirayama H.
    • 学会等名
      33^<rd> International Conference on Infrared and Millimeter Waves, 16^<th> International Conference on Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2008)
    • 発表場所
      Pasadena California
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [学会発表] Design and fabrication of terahertz quantum cascade laser structure based on III-nitride semiconductors2008

    • 著者名/発表者名
      W. Terashima, H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWM2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [学会発表] 窒化物紫外LEDの進展と実用化へ向けた課題2008

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      技術情報協会セミナー
    • 発表場所
      東京テレコムセンター
    • 年月日
      2008-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 220-350nm窒化物半導体紫外発光素子の進展と今後の展望2008

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会、光エレクトロニクス第130委員会
    • 発表場所
      森戸記念館
    • 年月日
      2008-05-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Over 1mW output power 247-254nm AlGaN deep-UV-LEDs realized by reducing threading dislocation density of AlN buffer2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, et al,
    • 学会等名
      27^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-27)
    • 発表場所
      Izu
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 220-280nm帯AlGaN、InAlGaN系紫外LEDの進展2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹
    • 学会等名
      文部科学省特定領域研究公開シンポジウム
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 紫外LED用低貫通転位密度ELO-AlNテンプレートの作製2008

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他5名
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 220-280nm帯深紫外LEDの最新動向2008

    • 著者名/発表者名
      (招待講演) 平山秀樹
    • 学会等名
      全日本科学機器展
    • 発表場所
      東京ビッグサイト
    • 年月日
      2008-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "280 nm-band quaternary InAIGaN quantum well deep-UV LEDs with p-lnAIGaN layers"2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T, Takano, K. Tsubaki and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Symposium on Semiconductor Light emitting devices(ISSLED2008)
    • 発表場所
      Phoenix, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Realization of 340 nm-band high-power InAlGaN-based UV-LED by the suppression of electron overflow"2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo ahd H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "340 nm-band high-power (>7mW) InAlGaN quantum well UV-LED using p-type InAlGaN layers"2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Development of Deep-UV and Terahertz Semiconductor Emitting Devices and their Applications"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      The 13Th International Micromachine/Nanotech Symposium, -MEMS Frontier: Innovative Devices by Micro and Nano-Bio Fusion Create New Lifestyles-,
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] 表面プラズモン導波路を用いたテラヘルツ半導体レーザ2007

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 他
    • 学会等名
      応用物理学会・応用電子物性分科会研究会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [学会発表] 「深紫外発光InAIGaN4元混晶量子ドットの形成と電流注入発光」2007

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵、平山秀樹
    • 学会等名
      2007秋応用物理学会(第68回)
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Control of polarity and reduction of threading dislocation density (TDD) of AIN/AIGaN template by using TMAl pulse supply growth"2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Ohashi N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「p-InAIGaNと高品質AINを用いた340nm帯高出力LED」2007

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵、高野隆好、近藤行廣、平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)「窒化物半導体光・電子デバイス・材料、及び関連技術」
    • 発表場所
      福井大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "245-250 nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AlN buffer on sapphire"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N. Kamata
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「261nmAIGaN量子井戸深紫外LEDのCWミリワット動作」2007

    • 著者名/発表者名
      谷田部透、野口憲路、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      2007秋応用物理学会(第68回)
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「p-InAIGaNと高品質AINを用いた340nm帯紫外高出力LED」2007

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵、高野隆好、椿健治、平山秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会・結晶工学分科会研究会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2007-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Remarkable enhancement of 254-280 nm deep UV emission from AlGaN quantum wells by using high-quality AlN buffer on sapphire"2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「230-350nm帯InAlGaN系深紫外高効率発光デバイスの研究」2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」領域、平成19年度新規採択課題キックオフミーデイング
    • 発表場所
      日本科学未来館
    • 年月日
      2007-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "227-261 nm AIGaN-based ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AIN buffer on sapphire"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi and N. Kamata
    • 学会等名
      International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (White LEDs-07)
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Quaternary InA1GaN quantum-dot UV-LED emitting at 335 nm fabricated by an anti-surfactant method"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama,
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] "High-quality AlN buffer fabricated on sapphire by NH3 pulse-flow multi-layer growth method for application to deep UV LEDs"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発」2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      電気学会、光・量子デバイス研究会
    • 発表場所
      九州大学
    • 年月日
      2007-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "High-quality AIN buffer fabricated on sapphire by ammonia pulse-flow multi-layer growth method for application to deep UV LEDs"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Remarkable enhancement of 254-288 nm deep UV emission from AIGaN quantum wells by using high-quality AlN buffer on sapphire"2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi and N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (White LEDs-07)
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "245-250nm AIGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AIN buffer on sapphire"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N. Kamata
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "High-quality AIN buffer fabricated on sapphire by NH3 pulsed-flow multi-layer growth method for application to deep-UV LEDs"2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Yatabe, T. Ohashi, N. Kamata and H. hirayama
    • 学会等名
      International Conference on White LEDs and Solid State lighting (White LEDs-07)
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Realization of 340 nm band high-power UV-LED using p-type InAlGaN"2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (White LEDs-07)
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発」2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      電気学会、光・量子デバイス研究会
    • 発表場所
      九州大学
    • 年月日
      2007-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] "230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望"2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、谷田部 透, 野口憲路, 藤川紗千恵, 高野隆好, 鎌田憲彦, 近藤行廣
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演回、「窒化物の新展開」特定領域研究企画「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現一
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Development of Deep-UV and Terahertz Semiconductor Emitting Devices and their Applications"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      The 13Th International Micromachine/Nanotech Symposium, -MEMS Frontier: Innovative Devices by Micro and Nano-Bio Fusion Create New Lifestyles-,
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "231-261 nm AlGaN quantum well deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AlN buffer on sapphire"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外LEDの高出力化」2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      文部省科研費、特定領域研究、「窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-」、平成18年度研究成果報告会
    • 発表場所
      熱海後楽園ホテル(静岡)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "340 nm band high-power (>7mW) InAlGaN quantum well UV-LED using p-type InAlGaN layers"2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] Development of Deep-UV and terahertz semiconductor emitting devices and their applications (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      Hirayama H.
    • 学会等名
      13th International Micromachine/Nanotech Symposium
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [学会発表] Development of Deep-UV and Terahertz Semiconductor Emitting devices and their Applications2007

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama
    • 学会等名
      The 13^<th> International Micromachine/Nanotech Symposium, -MEMS Frontier-
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [学会発表] "Remarkable improvement of output power for InAlGaN based ultraviolet LED by improving the crystal quality of AlN/AlGaN templates"2007

    • 著者名/発表者名
      T.Takano, S. Fujikawa, Y. Kondo and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Remarkable enhancement of 254-280 nm deep UV emission from AIGaN quantum wells by using high-quality AIN buffer on sapphire"2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 「231nmAIGaN量子井戸深紫外LEDのシングルピーク発光動作」2007

    • 著者名/発表者名
      野口憲路、谷田部透、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      2007秋応用物理学会(第68回)
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Realization of 340 nm-band high-power (>7mW) InAlGaN quantum well UV-LED with p-type InAlGaN"2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)
    • 発表場所
      Tsukuba
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Realization of 340 nm-band high-power UV-LED using p-type InAlGaN"2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
    • 発表場所
      Laforet Biwako Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Control of polarity and reduction of threading dislocation density (TDD) of AlN/AlGaN buffer on sapphire by using TMAl pulsed supply method"2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Ohashi N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] "Quaternary InAlGaN quantum-dot UV-LED emitting at 335 nmfabricated by an anti-surfactant method"2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, S. Fujikawa
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発2007

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹
    • 学会等名
      電気学会・光・量子デバイス研究会
    • 発表場所
      九州大学
    • 年月日
      2007-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [学会発表] "Remarkable improvement of output power for InAIGaN based UV LED by improving crystal quality of AIN/AIGaN template"2007

    • 著者名/発表者名
      T. Takano, S. Fujikawa, Y. Kondo and H. Hirayama
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069014
  • [学会発表] 窒化物半導体による深紫外及びテラヘルツ発光素子開発の現状と展望2007

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス、日本学術振興会第162委員会、特別講演会
    • 発表場所
      四ツ谷
    • 年月日
      2007-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206004
  • [学会発表] Recent progress of AlGaN UVC LED by improving light-extraction efficiency

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      Conference on LED and its Industrial Application (LEDIA’14)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-04-24
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外LEDの現状と展望

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      電子ジャーナルテクニカルセミナー
    • 発表場所
      千代田、東京
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Development of 260 nm band deep-UV light-emitting diodes on Si substrates

    • 著者名/発表者名
      T. Mino and H. Hirayama
    • 学会等名
      Gallium Nitride Materials and Devices VIII in OPTO SPIE Photonic West
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN deep-UV LEDs

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE2014)
    • 発表場所
      Taoyuan, Taiwan
    • 年月日
      2014-05-07 – 2014-05-10
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Enhanced Strain Relaxation using Thin AlGaN Interlayers and its Effect to UVC Quantum Well Emission Properties

    • 著者名/発表者名
      M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] ウェットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製

    • 著者名/発表者名
      金沢裕也、豊田史朗、大島一晟、鎌田憲彦、鹿島行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学、大阪府吹田市
    • 年月日
      2014-11-27 – 2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Process in AlGaN Quantum Well and Its Excitation Density Dependence

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Fukuda, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      レーザー学会、東京支部セミナー
    • 発表場所
      横浜、神奈川
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの開拓

    • 著者名/発表者名
      富田優志、藤川紗千恵、豊田史朗、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      先端光科学領域シンポジウム2012
    • 発表場所
      和光、埼玉
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 267 nm AlGaN UVC LED using p-AlGaN superlattice transparent hole-spreading contact layer

    • 著者名/発表者名
      Y. Kanazawa, J. Yun, S. Toyoda, N. Maeda, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Symposium on the Science and Technology of Light (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Extraction of SRH and auger recombination coefficients by utilizing theoretical radiative recombination coefficient and rate equation in LEDs

    • 著者名/発表者名
      J. Yun, H. Hirayama and J. Shim
    • 学会等名
      第75回応用物&#63972;学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、北海道札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN-based deep-UV LEDs

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama
    • 学会等名
      Light, Energy and the Environment Congress 2014
    • 発表場所
      Canberra, Australia
    • 年月日
      2014-12-02 – 2014-12-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Optical Characterization of Non-Radiative Centers and Improvement in Light Extraction Efficiency of Deep UV-LEDs

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. Touhidul Islam, M. Akiba, K. Igarashi, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama
    • 発表場所
      Jpn-China-Korea Conf.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] MOCVD Growth and Characterization of THz Quantum Cascade Structure

    • 著者名/発表者名
      S. Toyoda, W. Terashima, N. Kamata, H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-27 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Extraction of principle parameters of light-emitting diodes by utilizing rate equation and relative ηEQE vs current curve

    • 著者名/発表者名
      J. Yun, H. Hirayama and J. Shim
    • 学会等名
      The 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 新しい光りデバイスを目指して

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      東芝機械㈱セミナー
    • 発表場所
      沼津、静岡
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 透明コンタクト層を用いた高効率・深紫外LEDの実現

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、定昌史、平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第2回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      AER、宮城県仙台市
    • 年月日
      2014-11-25 – 2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Nonradiative Centers in Deep-UV AlGaN-Based Quantum Wells Revealed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. T. Islam, M. Julkarnain, N. Murakoshi, T. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 267 nm AlGaN UVC LED using p-AlGaN superlattice transparent hole-spreading contact layer

    • 著者名/発表者名
      Y. Kanazawa, J. Yun、S. Toyoda, N. Maeda, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 高Al組成p-AlGaNコンタクト層を用いた深紫外発光ダイオード

    • 著者名/発表者名
      定昌史、前田哲利、平山秀樹
    • 学会等名
      第75回応用物&#63972;学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、北海道札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 光取出し改善による高効率AlGaN深紫外の実現

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵、平山秀樹
    • 学会等名
      第3回先端フォトニクスシンポジウム
    • 発表場所
      日本学術会議講堂
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外・テラヘルツ半導体発光デバイス

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      理化学研究所 チュートリアルサイエンス道場
    • 発表場所
      和光、埼玉
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] InAlGaN4元混晶を用いた高効率深紫外発光デバイスの研究

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、光・光量子科学技術の進展開、第5回シンポジウム
    • 発表場所
      千代田、東京
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] p-AlGaN透明コンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの検討

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、藤川紗千恵、水澤克哉、平山秀樹
    • 学会等名
      先端光科学領域シンポジウム2012
    • 発表場所
      和光、埼玉
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] フォトニックナノ構造を用いた深紫外LEDの高効率化

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵、平山秀樹
    • 学会等名
      先端光科学領域シンポジウム2012
    • 発表場所
      和光、埼玉
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] ピラー構造バッファーを用いた高効率・深紫外LEDの検討

    • 著者名/発表者名
      金澤裕也、豊田史朗、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第2回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      AER、宮城県仙台市
    • 年月日
      2014-11-25 – 2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外LEDの進展と今後の展望

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      電気学会、光・量子デバイス研究会
    • 発表場所
      大岡山、東京
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] High-quality AlN template for deep-UV LED grown on patterned sapphire substrate formed by using nano-imprinting and wet-chemical etching

    • 著者名/発表者名
      Y. Kanazawa, S. Toyoda, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata, Y. Kashima, E. Matsuura, S. Shimatani, M. Kokubo, T. Tashiro, T. Ohkawa, R. Kamimura, Y. Osada and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 10th International Symposium on Semiconductors Light Emitting Devices (ISSLED2014)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 深紫外LEDの開発と今後の展望

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      OPTICS & PHOTONICS International 2012
    • 発表場所
      横浜、神奈川
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED

    • 著者名/発表者名
      定昌史、前田哲利、平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学、大阪府吹田市
    • 年月日
      2014-11-27 – 2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザと深紫外LEDの進展と展望

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      古河電工㈱セミナー
    • 発表場所
      横浜、神奈川
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術

    • 著者名/発表者名
      鹿嶋行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学、大阪府吹田市
    • 年月日
      2014-11-27 – 2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] Nonradiative centers in deep-UV AlGaN-based quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. T. Islam, M. Julkarnain, N. Murakoshi, T. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] AlGaN系UVC LEDへの透明p-AlGaN超格子ホール横拡散層の導入

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、定昌史、平山秀樹
    • 学会等名
      第75回応用物&#63972;学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、北海道札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 280nm AlGaN UVC LED using p-AlGaN SL transparent hole-spreading contact layer

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, M. Jo and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 未踏波長半導体光源の開発とその応用

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      H24年度理研連携促進セミナー
    • 発表場所
      和光、埼玉
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの進展

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹
    • 学会等名
      理研先端光領域研究シンポジウム
    • 発表場所
      和光、埼玉
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • [学会発表] 超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作

    • 著者名/発表者名
      前田哲利、定昌史、平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学、大阪府吹田市
    • 年月日
      2014-11-27 – 2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246010
  • 1.  鎌田 憲彦 (50211173)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 140件
  • 2.  寺嶋 亘 (30450406)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 86件
  • 3.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 21件
  • 4.  川崎 宏治 (10234056)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  岩井 荘八 (40087474)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 2件
  • 6.  藤川 紗知恵 (90550327)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 21件
  • 7.  池田 典明 (90267477)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 5件
  • 8.  福田 武司 (40509121)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 13件
  • 9.  瀬川 勇三郎 (30087473)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  筒井 一生 (60188589)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  野村 晋太郎 (90271527)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  吉田 博 (30133929)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  武内 道一 (60284585)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  井上 振一郎 (20391865)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  松本 祐司 (60302981)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  鯉沼 秀臣 (70011187)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  Yun Joosun (30817359)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 18.  田中 悟 (80281640)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  前田 瑞夫 (10165657)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  荒川 泰彦 (30134638)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  矢口 裕之 (50239737)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  林 宗澤 (40585155)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 23.  王 利 (50804035)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  新谷 紀雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  田 昭治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  室谷 英彰
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 27.  山田 陽一
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 28.  WANG Ke
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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