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藤倉 序章  FUJIKURA Hajime

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70271640
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度: 北海道大学, 工学研究科, 助教授
1998年度 – 2000年度: 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教授
1998年度: 北海道大学, 工学研究科, 助教授
1997年度: 北海道, 大学院・工学研究科, 助手
1997年度: 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助手 … もっと見る
1997年度: 北海道大学, 大学院工学研究科, 助手
1997年度: 北海道大学, 工学研究科, 助手
1996年度: 北海道大学, 工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
InAlAs / InP系InGaAs / 量子細線 / 単電子デバイス / 分子線エピタキシー選択成長法 / 量子ドット / 分子線エピタキシ-選択成長法 / 量子デバイス / 自己組織的形成 / 多重結合ナノ構造 … もっと見る / 量子ネットワーク / 計算機シミュレーション / 表面・界面準位 / 表面パッシベーション / シリコン超薄膜界面制御層 / ホトルミネセンス … もっと見る
研究代表者以外
フェルミ準位ピンニング / 電気化学プロセス / インジウムリン / Fermi level pinning / パルス法 / 半導体界面 / electrochemical process / ショットキー極限 / ECRプラズマ / ショットキー接合 / 選択成長 / InP MISFET / interface control / HEMT / 界面制御 / Schottky limit / 金属 / 再成長 / 自然酸化膜 / 表面処理 / 化合物半導体 / 溶液 / 結合量子ドット / 有機金属気相成長 / Photonic Bandgap / Photonic Crystal / Masked Substrate / Selective Area Growth / MOVPE Growth / TM偏光・TE偏光 / 3角格子 / 2次元フォトニック結晶スラブ / マスクパターン / フォトニックバンドギャップ / フォトニック結晶 / Al_2O_3 / SiN_χ / surface treatment / MIS structure / surface control / Gallium Nitride / MIS接合 / GaN / 窒化シリコン膜 / フェルミ準位ビンニング / アルミナ膜 / 窒化シリコン酸 / MIS構造 / 表面制御 / 窒化ガリウム / quantum device / conductive prove AFM / nano-metal dot array / compound semiconductor / nano-Schottky contact / 単電子インバータ / 単電子メモリ回路 / 金属仕事関数依存性 / ショットキー障壁高制御 / 金属ドット / ナノスケールショットキー接合 / 量子デバイス / 導電性プローブAFM / ナノ金属ドットアレイ / ナノショットキー接合 / ultra high-frequency and high speed devices / unified DIGS model / ECR plasma process / insulated-gate structure / InP-based materials / ultrathin Si quantum well / 超高周波大電力デバイス / 統一DIGSモデル / 絶縁ゲート / InP系化合物半導体 / 超薄膜シリコン量子井戸 / ultrathin Si control layer / Schottky barrier / indium phosphide / シリコン超薄膜制御層 / ショットキー障壁 / Schottky barrier height / nano metal particle / Fermi-level pinning / metal-semiconductor interface / ショットキー障壁高 / 金属微粒子 / oxynitride film / ECR plasma / ultrathin insulator / hydrogen-terminated surface / interface state / surface state / UHV-based system / contactless C-V / 原子スケール表面制御 / トンネル絶縁膜 / 極薄絶縁膜 / 半導体自由表面 / 非接触C-V / 酸窒化膜 / 極博絶縁膜 / 水素終端シリコン表面 / 表面プロセス / 表面・界面準位 / 超高真空一貫システム / 非接触・C-V / Quantum wire laser / Nano Sturcture / Nano Fabication / Selective growth / Self-organized growth / Coupled Quantum Dots / Quantum Dot / Single electron devices / 表面修飾 / ドット形成過程 / 表面エネルギー / 表面吸着 / 成長モード / 量子細線レーザー / 微細加工 / ナノ構造 / 自己形成 / 量子ドット / 単電子デバイス / ナノショットキー / 表面超格子 / 原子ステップ / スーパーアトム / 人工原子 / 半導体 隠す
  • 研究課題

    (15件)
  • 共同研究者

    (22人)
  •  選択成長によるフォトニック結晶の作製と応用に関する研究

    • 研究代表者
      本久 順一
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1999
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      北海道大学
  •  多重結合ナノ構造の自己組織的形成とその高集積・高温動作量子デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      藤倉 序章
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  ナノスケールショットキー接合による金属-化合物半導体界面の物性制御と応用

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  窒化ガリウムに対する絶縁ゲート構造の形成と界面特性評価に関する研究

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      北海道大学
  •  超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  分子線エピタキシー選択成長による量子ネットワークの自己組織的形成に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      藤倉 序章
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  金属-半導体界面におけるショットキー理想極限の実現とその電子デバイスへの応用

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  絶縁体障壁を有する室温動作量子デバイスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      藤倉 序章
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  人工原子″スーパーアトム″の作製と評価

    • 研究代表者
      齊藤 俊也, 本久 順一
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓

    • 研究代表者
      川辺 光央
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1999
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  超高真空非接触・非破壊容量-電圧測定システムの開発

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  • 1.  橋詰 保 (80149898)
    共同の研究課題数: 11件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  長谷川 英機 (60001781)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  本久 順一 (60212263)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  兼城 千波 (30318993)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  呉 南健 (00250481)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  葛西 誠也 (30312383)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  齊藤 俊也 (70241396)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  福井 孝志 (30240641)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  尾浦 憲治郎 (60029288)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  荒井 滋久 (30151137)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  赤澤 正道 (30212400)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  武山 真弓 (80236512)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  佐藤 威友 (50343009)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  坂井 高正
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  関 昇平
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  上田 大助
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  江 潮
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  韓 哲九
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  安 海岩
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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