守山実希 MORIYAMA Miki

… 別表記

守山美希モリヤマミキ

研究者番号	70303857
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2000年度 – 2003年度: 京都大学, 工学研究科, 助手 1999年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 助手 1998年度: 京都大学, 工学研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者構造・機能材料研究代表者以外構造・機能材料 / 金属物性
キーワード	研究代表者配線信頼性 / Impurity / Microvoid / Reliability / Copper Interconnect / ULSI / 水素脆性 / Si半導体デバイス / 不純物 / マイクロボイド … もっと見る / Cu配線材 / ULSIデバイス / 粒成長 / Siデバイス / 薄膜材料 / 室温粒成長 / 真性歪み / 異常粒成長 / Cu配線材料 / Si-ULSIデバイス … もっと見る研究代表者以外 CdTe / Ohmic contact / 微細構造 / InGaAs / NiInGe / GaAs / 接触抵抗 / 界面 / 電極 / オーミック・コンタクト / Interfacial microstructure / Current transport / Potentiometry / Wide-gap semiconductor / STP解析 / 炭化シリコン / ポテンショメトリー / 走査トンネル顕微鏡 / 半導体界面 / 金属 / オーム性電極材料 / 電流輸送 / STP解析法 / ワイドギャップ半導体 / オーム性電極 / contact materials / radiation detectors / ショットキー電極材 / 半導体放射線検出器 / Microstructure / Electrode / Contact resistance / Interface / FET / コンタクト抵抗 / 拡散バリア材 / 低障壁中間層 / TaTi / GaN 隠す

STP解析法を用いたワイドギャップ化合物半導体用のオーム性電極材料の開発
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  京都大学
生体医療用の高感度半導体放射線検出器の電極材料の開発
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
ULSIデバイス用Cu機能性配線材料における特異なボイド形成機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  守山実希
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
水素吸蔵金属とGaN半導体の接合界面における水素の挙動
- 研究代表者
  
  小出康夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
ULSIデバイス用Cu配線材料にみられる"異常"結晶粒成長の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  守山実希
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学
ガリウム・ヒ素化合物半導体用の超新機能電極材料の研究
- 研究代表者
  
  村上正紀
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  京都大学

すべて 2005 2004

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2005
- 著者名/発表者名
  Masanori Murakami, Y.Koide, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 475-479巻
  
  ページ: 1705-1714
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2005
- 著者名/発表者名
  Masanori Murakami, Y.Koide, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 475-479
  
  ページ: 1705-1714
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices.2005
- 著者名/発表者名
  Masanori Murakami, Y.Koide, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 475-479
  
  ページ: 1705-1714
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Correlation between the electrical properties and the interfacial microstructures of TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC.2004
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, K.Nitta, T.Sakai, M.Moriyama, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials, 33
  
  ページ: 460-466
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Ternary TiAlGe ohmic contacts for p-type 4H-SiC2004
- 著者名/発表者名
  T.Sakai, K.Nitta, S.Tsukimono, M.Moriyama, Masanori Murakami
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 95巻5号
  
  ページ: 2187-2189
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices.2004
- 著者名/発表者名
  Masanori Murakami, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan 29
  
  ページ: 45-50
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Ternary TiAlGe ohmic contacts for p-type 4H-SiC.2004
- 著者名/発表者名
  T.Sakai, K.Nitta, S.Tsukimoto, M.Moriyama, Masanori Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 95
  
  ページ: 2187-2189
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2004
- 著者名/発表者名
  M.Murakami, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Trans. the Materials Research Society of Japan 29巻
  
  ページ: 45-50
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Correlation between the electrical properties and the interfacial microstructures of TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC2004
- 著者名/発表者名
  S.Tsukimoto, K.Nitta, T.Sakai, M.Moriyama, M.Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 33巻
  
  ページ: 460-466
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069
[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2004
- 著者名/発表者名
  M.Murakami, M.Moriyama, S.Tsukimoto
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan 29巻
  
  ページ: 45-50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206069

1. 村上正紀 (70229970)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 10件
2. 小出康夫 (70195650)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 森英嗣 (60283644)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 松原英一郎 (90173864)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 酒井明 (80143543)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
6. 黒川修 (90303859)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 伊藤和博 (60303856)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 着本享 (50346087)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件

守山 実希 MORIYAMA Miki

守山 美希 モリヤマ ミキ

研究課題

研究成果

共同研究者

STP解析法を用いたワイドギャップ化合物半導体用のオーム性電極材料の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

生体医療用の高感度半導体放射線検出器の電極材料の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ULSIデバイス用Cu機能性配線材料における特異なボイド形成機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水素吸蔵金属とGaN半導体の接合界面における水素の挙動

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ULSIデバイス用Cu配線材料にみられる"異常"結晶粒成長の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ガリウム・ヒ素化合物半導体用の超新機能電極材料の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2005

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices.2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Correlation between the electrical properties and the interfacial microstructures of TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC.2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Ternary TiAlGe ohmic contacts for p-type 4H-SiC2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices.2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Ternary TiAlGe ohmic contacts for p-type 4H-SiC.2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Development of electrode materials for semiconductor devices2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

守山実希 MORIYAMA Miki

守山美希モリヤマミキ