KRISHNAN Balakrishnan クリシュナンバラクリシュナン

… 別表記

BALAKRISHNAN K. バラクリシュナン K.

研究者番号	70313939
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 2001年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者以外インディウムガリウムアンチモン / インディウムガリウムヒ素 / Selective growth / Pn junction / Diffusion / Pyramidal growth / Homogenous bulk crystals / Indium Gallium Antimonide / Indium Gallium Arsenide / Thermo-Photo-Voltaic Device … もっと見る / ブリッジ成長 / 溝付き基板 / 組成変換 / 重力効果 / ホットウォール法 / 均一組成 / 選択成長 / pn接合 / 拡散法 / ピラミッド成長 / 均一組成バルク結晶 / 熱光発電デバイス / ガリウムアンチモン / 偏析 / 回転ブリッジマン法 / 超音波振動 / 回転引上げ法 / アルミニウムガリウムアンチモン / 三元混晶半導体隠す

熱光発電デバイス開発のための光電変換用III-V族混晶半導体セルの作製
- 研究代表者
  
  早川泰弘
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  静岡大学
超音波を利用した均一組成混晶半導体バルク単結晶の新しい成長法
- 研究代表者
  
  熊川征司
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  静岡大学

すべて 2005 2004 2003 2002

すべて雑誌論文図書

[図書] Microgravity experiments on dissolution and crystallization of InGaSb, Studies on Crystal Growth under Microgravity2005
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, K.Arafune., M.Kumagawa et al.
- 出版者
  Transworld Research Network(accepted)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[図書] Recent Research Development in Crystal Growth Research2004
- 著者名/発表者名
  Y.HAYAKAWA, K.BALAKRISHNAN, M.KUMAGAWA
- 出版者
  Transworld Research Network
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[図書] LPE growth of high quality InxGa1-xAs bridge layers on III-V patterned substrates, Recent Research Development in Crystal Growth Research2004
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, S.Iida, M.Kumagawa
- 総ページ数
  30
- 出版者
  Transworld Research Network
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Growth and characterization of In_xGa_<1-x>Sb pyramidal epilayer2005
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K.Balakrishnan, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth vol.275[1-2]
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] LPE growth of In_xGa_<1-x>Sb pyramidal epilayer on GaSb (001) patterned substrate2004
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K.Balakrishnan, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
- 雑誌名
  
  Reports of the Graduate School of Electronics Science and Technology, Shizuoka Univ. vol.24
  
  ページ: 5-14
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K.Balakrishnan, Y.Hayakawa, et al.
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 256
  
  ページ: 243-247
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K.Balakrishnan, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth vol.256
  
  ページ: 243-247
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Numerical analysis of the dissolution process of GaSb into InSb melt under difference gravity conditions2003
- 著者名/発表者名
  T.Kimura, K.Arafune, K.Balakrishnan, T.Ozawa, Y.Okano, N.Murakami, H.Adachi, Y.Hayakawa, M.Kumagawa
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth vol.247
  
  ページ: 291-300
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Composition conversion mechanism of InSb into InGaSb2003
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa, et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 44-49
- NAID
  10010794750
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Composition conversion mechanism of InSb into InGaSb2003
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, H.Ohtsu, T.Koyama, M.Kumagawa
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.42
  
  ページ: 44-49
- NAID
  10010794750
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE2002
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, S.Iida, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
- 雑誌名
  
  J.Semiconductor Science and Technology vol.17 [7]
  
  ページ: 729-734
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Drop experiments on crystallization of InGaSb semiconductors2002
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, H.Komatsu, N.Murakami, T.Nakamura, T.Koyama, T.Ozawa, Y.Okano, M.Miyazawa, S.Dost, L.H.Dao, M.Kumagawa
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth. vol.237-239
  
  ページ: 1831-1834
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Influence of indium on the morphology of LPE grown In_xGa_<1-x>As (x=0-0.06) epilayers on patterned GaAs(100) substrates2002
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, S.Iida, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
- 雑誌名
  
  J.Material Science Letter vol.21 [17]
  
  ページ: 1355-1358
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE2002
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, M.Kumagawa, Y.Hayakawa, et al.
- 雑誌名
  
  J.Semiconductor Science and Technology 17[7]
  
  ページ: 729-734
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Influence of indium on the morphology of LPE grown InxGa1-xAs (x=0-0.06) epilayers on patterned GaAs(100) substrates2002
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, M.Kumagawa, Y.Hayakawa, et al.
- 雑誌名
  
  J.Material Science Letter 21[17]
  
  ページ: 1355-1358
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] A novel method to grow high quality InxGa1-xAs bridge layers with high indium compositions2002
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, M.Kumagawa, Y.Hayakawa, et al.
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 237-238
  
  ページ: 1525-1530
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Experimental and numerical analysis of crystallization processes of In_xGa_<1-x>Sb under different gravity conditions2002
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, Y.Okano, T.Ozawa, T.Kimura, H.Komatsu, N.Murakami, T.Nakamura, K.Arafune, T.Koyama, M.Miyazawa, A.Hirata, N.Imaishi, S.Dost, L.H.Dao, M.Kumagawa
- 雑誌名
  
  The Journal of Space Technology and Science vol.15 [1]
  
  ページ: 11-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Drop experiments on crystallization of InGaSb semiconductors2002
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa et al.
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 237-238
  
  ページ: 1831-1834
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Experimental and numerical analysis of crystallization processes of InxGa1-xSb under different gravity conditions,2002
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa, et al.
- 雑誌名
  
  The Journal of Space Technology and Science 15
  
  ページ: 11-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] A novel method to grow high quality In_xGa_<1-x>As bridge layers with high indium compositions2002
- 著者名/発表者名
  K.Balakrishnan, S.Iida, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth. vol.237-239
  
  ページ: 1525-1530
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Growth of double structured InGaAs layers on GaAs patterned substrates2002
- 著者名/発表者名
  H.Nagai, K.Balakrishnan, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
- 雑誌名
  
  Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizuoka University and Zhejiang University (Hamamatsu, Japan, 2002)
  
  ページ: 460-463
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Growth of double structured InGaAs layers on GaAs patterned substrates2002
- 著者名/発表者名
  H.Nagai, K.Balakrishnan, Y.Hayakawa, et al.
- 雑誌名
  
  Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizuoka University and Zhejiang University
  
  ページ: 460-463
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Microgravity experiments on melting and crystallization of InGaSb2002
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa, et al.
- 雑誌名
  
  Acta Astronautica 51[1-9]
  
  ページ: 221-227
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Numerical simulation of effect of ampoule rotation for the growth of InGaSb by rotational Bridgman method2002
- 著者名/発表者名
  T.Ozawa, Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth. vol.237-239
  
  ページ: 1692-1696
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164
[雑誌論文] Microgravity experiments on melting and crystallization of InGaSb2002
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, H.Komatsu, N.Murakami, T.Nakamura, T.Koyama, T.Ozawa, Y.Okano, M.Miyazawa, S.Dost, L.H.Dao, M.Kumagawa
- 雑誌名
  
  Acta Astronautica vol.51 [1-9]
  
  ページ: 221-227
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350164

1. 熊川征司 (30022130)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
2. 早川泰弘 (00115453)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 25件
3. 新船幸二 (10318777)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
4. 小澤哲夫 (90247578)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件

KRISHNAN Balakrishnan クリシュナン バラクリシュナン

BALAKRISHNAN K. バラクリシュナン K.

研究課題

研究成果

共同研究者

熱光発電デバイス開発のための光電変換用III-V族混晶半導体セルの作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超音波を利用した均一組成混晶半導体バルク単結晶の新しい成長法

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Microgravity experiments on dissolution and crystallization of InGaSb, Studies on Crystal Growth under Microgravity2005

著者名/発表者名

出版者

説明

データソース

[図書] Recent Research Development in Crystal Growth Research2004

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] LPE growth of high quality InxGa1-xAs bridge layers on III-V patterned substrates, Recent Research Development in Crystal Growth Research2004

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

説明

データソース

[雑誌論文] Growth and characterization of In_xGa_<1-x>Sb pyramidal epilayer2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] LPE growth of In_xGa_<1-x>Sb pyramidal epilayer on GaSb (001) patterned substrate2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Numerical analysis of the dissolution process of GaSb into InSb melt under difference gravity conditions2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Composition conversion mechanism of InSb into InGaSb2003

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Composition conversion mechanism of InSb into InGaSb2003

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Drop experiments on crystallization of InGaSb semiconductors2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Influence of indium on the morphology of LPE grown In_xGa_<1-x>As (x=0-0.06) epilayers on patterned GaAs(100) substrates2002

KRISHNAN Balakrishnan クリシュナンバラクリシュナン