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熊川 征司  KUMAGAWA Masasi

ORCIDORCID連携する *注記
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熊川 〓司  クマガワ セイジ

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研究者番号 30022130
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1995年度 – 2004年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授
1993年度: 靜岡大学, 電子工学研究所, 教授
1991年度 – 1992年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授
1987年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授
1986年度: 静大, 電子工学研究所, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子材料工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
化学工学一般 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
化合物半導体 / 超音波振動 / 数値解析 / ガリウムアンチモン / 結晶成長 / ガリウム アンチモン / 回転ブリッジマン法 / インディウム ガリウム アンチモン / 三元混晶半導体 / impurity striation … もっと見る / rotational vibrations / ultrasonic vibration / Czochralski method / limited element method / large single crystal growth / ternary compound semiconductor / 超音波振動導入結晶成長法 / 回転振動結晶成長法 / 大型混晶 / 三元半導体 / ブリッジマン法 / 不純物縞 / 回転振動 / チョクラルスキー法 / 有限要素法 / 大型単結晶成長 / 三元半導体混晶 / numerical simulation / drop experiment / uni-directional solidification / InGaSb / InSb / GaSb / compound semiconductor / microgravity / 重力変動 / インディウムガリウムアンチモン / 航空機実験 / 落下塔実験 / 一方向凝固法 / インディウム アンチモン / 微小重力環境 / Simulation / Orientation dependence / Solid-liquid interface / Gravitational segregation / Indium Antimonide / Gallium Antimonide / Compound semiconductor / Microgravity / インデイウムアンチモン / 微小重力実験 / 面方位依存性 / 固液界面形状 / 重力偏析 / インジウムアンチモン / 微小動実験 / Crystal Growth / Compound Semiconductor / Infrared Material / InGaAsSb / 四元化合物半導体 / 赤外光デバイス材料 / III-V semiconductor / Melt temperature fluctuation / Constitutional supercooling / Ultrasonic vibration / Crystal growth / Bulk single crystal / Ternary crystal / 融液温度変動 / 組成的過冷却融液 / バルク単結晶 / 偏析 / 回転引上げ法 / アルミニウム ガリウム アンチモン / インディウム ガリウム ヒ素 … もっと見る
研究代表者以外
マランゴニ対流 / Selective growth / Pn junction / Diffusion / Pyramidal growth / Homogenous bulk crystals / Indium Gallium Antimonide / Indium Gallium Arsenide / Thermo-Photo-Voltaic Device / ブリッジ成長 / 溝付き基板 / 組成変換 / 重力効果 / ホットウォール法 / 均一組成 / 選択成長 / pn接合 / 拡散法 / ピラミッド成長 / 均一組成バルク結晶 / インディウム ガリウム アンチモン / インディウム ガリウム ヒ素 / 熱光発電デバイス / Recoverable satellite / Optical devices / Crystal orientation / Dissolution / Marangoni convection / Compound semiconductor / Single crystal growth / Microgravity / 面方位依存性 / 回収衛星 / 光デバイス / 溶質拡散 / 面包囲依存性 / 単結晶成長 / 化合物半導体 / 微小重力 / Marangoni Convection / Thermo-Physical Properties of Melts / Thermal Stress / Flow Control / Melt Convection / Transport Phenomena / Numerical Analysis / Single Crystal Growth / 光・電子材料用バルク単結晶 / シミュレーション / 気相内対流 / 結晶育成工学 / 移動現象 / バルク単結晶 / 移動現象論 / 融液物性 / 熱応力 / 対流制御 / 融液対流 / 移動現像論 / 数値解析 / 単結晶育成 / 結晶成長観察 / 固液界面 / 結晶完全性 / 溶液成長 / 溶液構造 / 界面カイネティクス / 界面構造 / その場観察 / 環境相 / 結晶成長機構 / 超音波 / IIIーV族結晶 / LiNbO_3膜 / ゾル・ゲル法 / ラマン散乱 / STM観察 / 酸化物超伝導体結晶 / 固・液共存 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (95件)
  • 共同研究者

    (26人)
  •  熱光発電デバイス開発のための光電変換用III-V族混晶半導体セルの作製

    • 研究代表者
      早川 泰弘
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  超音波を利用した均一組成混晶半導体バルク単結晶の新しい成長法研究代表者

    • 研究代表者
      熊川 征司
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  宇宙などの微小重力環境に於けるInGaSb化合物半導体の溶解と結晶化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      熊川 征司
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  微小重力下でのInGaSb半導体の結晶成長の研究研究代表者

    • 研究代表者
      熊川 征司
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  中国回収衛星による化合物半導体の単結晶成長に関する研究

    • 研究代表者
      平田 彰
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      化学工学一般
    • 研究機関
      早稲田大学
  •  光・電子材料用バルク単結晶作製プロセスの化学工学的検討および制御法の体系化

    • 研究代表者
      今石 宣之
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      化学工学一般
    • 研究機関
      九州大学
  •  赤外光デバイス用InGaAsSb化合物半導体の結晶成長研究代表者

    • 研究代表者
      熊川 征司
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  環境相と成長機構

    • 研究代表者
      武居 文彦
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  環境相と成長機構

    • 研究代表者
      武居 文彦
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  III-V族三元混晶半導体の大型バルク単結晶成長に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      熊川 征司
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  三元半導体混晶の大型単結晶成長に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      熊川 征司
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      静岡大学

すべて 2005 2004 2003 2002

すべて 雑誌論文 図書 産業財産権

  • [図書] Crystal growth of ternary and quaternary alloy semiconductors by rotational Bridgman method, Progress in Semiconductor Science,2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, T.Ozawa, M.Haris, M.Kumagawa
    • 出版者
      Nova Science(in print)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [図書] Progress in Semiconductor Science2005

    • 著者名/発表者名
      Y.HAYAKAWA, T.OZAWA, M.KUMAGAWA
    • 出版者
      Transworld Research Network(In print)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [図書] Microgravity experiments on dissolution and crystallization of InGaSb, Studies on Crystal Growth under Microgravity2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, K.Arafune., M.Kumagawa et al.
    • 出版者
      Transworld Research Network(accepted)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [図書] Recent Research Development in Crystal Growth Research2004

    • 著者名/発表者名
      Y.HAYAKAWA, K.BALAKRISHNAN, M.KUMAGAWA
    • 出版者
      Transworld Research Network
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [図書] LPE growth of high quality InxGa1-xAs bridge layers on III-V patterned substrates, Recent Research Development in Crystal Growth Research2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, S.Iida, M.Kumagawa
    • 総ページ数
      30
    • 出版者
      Transworld Research Network
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of Te impurity on morphology of GaSb epilayer grown on GaSb(001) patterned substrate by liquid phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 97[2]

    • NAID

      120000796464

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] An experimental study for the role of natural convection in the dissolution of GaSb into InSb melt, and the growth of In_xGa_<1-x>Sb crystals2005

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, K.Arafune, T.Koyama, Y.Momose, T.Ozawa, Y.Okano, S.Dost, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Int.J.Materials and Product Technology vol.22 [1-3]

      ページ: 172-184

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth and characterization of In_xGa_<1-x>Sb pyramidal epilayer2005

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, K.Balakrishnan, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth vol.275[1-2]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical Analysis of Constitutional Supercooling in InGaSb Crystal Growth under Different Gravity Levels2005

    • 著者名/発表者名
      T.OZAWA, M.KUMAGAWA, Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth (In print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of InGaAs ternary bulk crystals by rotational Bridgman method2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, T.Ozawa, M.Kumagawa et al.
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 275[1-2]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Effect of Gravity on InGaSb Crystal Growth2005

    • 著者名/発表者名
      N.MURAKAMI, M.KUMAGAWA, Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      Microgravity Sci. and Technol XVI[1]

      ページ: 79-83

    • NAID

      110001232571

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Measurement of growth rate by thermal pulse technique and growth of homogeneous InxGa1-xSb bulk crystals2005

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 275[1-2]

      ページ: 433-439

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth and characterization of InxGa1-xSb pyramidal epilayer2005

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 275[1-2]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] An experimental study for the role of natural convection in the dissolution of GaSb into InSb melt, and the growth of InxGa1-xSb crystals2005

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      Int.J.Materials and Product Technology 22[1-3]

      ページ: 172-184

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Measurement of Growth Rate by Thermal Pulse Technique and Growth of Homogeneous In_xGa_<1-x>Sb Bulk Crystals2005

    • 著者名/発表者名
      N.MURAKAMI, M.KUMAGAWA Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth (In print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Crystal Growth of III-V Alloy Semiconductors by Rotational Bridgman Method2005

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Jpn.Assoc.for Crystal Growth vol.32 [1]

      ページ: 30-35

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of Arsenic Temperature on the Structural and Electrical Characteristics of InAsSb Layers Grown on GaAs by Hot Wall Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      S.NAKAMURA, M.KUMAGAWA Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      J.Crystail Growth 274

      ページ: 172-184

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Improvement of the Structural and Electrical Properties of InAsSb Epilayer using Sb-rich InAsSb Buffer Layer Grown by Hot Wall Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      S.NAKAMURA, M.KUMAGAWA, Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth (In print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Effect of gravity on InGaSb crystal growth2005

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      Microgravity Sci.and Technol. XVI[1]

      ページ: 79-83

    • NAID

      110001232571

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] An Experimental Study for the Role of Natural Convection in the Dissolution of GaSb into InSb Melt, and the Growth of In_xGa_<1-x>Sb Crystals2005

    • 著者名/発表者名
      N.MURAKAMI, M.KUMAGAWA, HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      Int.J.Materials and Product Technology 22[1-3]

      ページ: 172-184

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] A numerical study on the buoyancy convection occurring during the formation of InGaSb solution in a GaSb/InSb/GaSb sandwich system2005

    • 著者名/発表者名
      K.Arafune, N.Murakami, T.Kimura, T.Ozawa, Y.Okano, S.Dost, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Int.J.Materials and Product Technology vol.22 [1-3]

      ページ: 20-34

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical analysis of constitutional supercooling in InGaSb crystal growth under different gravity levels2005

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, N.Murakami, K.Arafune, Y.Okano, T.Suzuki, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth vol.275[1-2]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of Te Impurity on Morphology of GaSb Epilayer Grown on GaSb (001) Patterned Substrate by Liquid Phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      G.ZHANG, M.KUMAGAWA, Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys 97[2]

    • NAID

      120000796464

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] A numerical study on the buoyancy convection occurring during the formation of InGaSb solution in a GaSb/InSb/GaSb sandwich system2005

    • 著者名/発表者名
      K.Arafune, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      Int.J.Materials and Product Technology 22[1-3]

      ページ: 20-34

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Effect of gravity on InGaSb crystal growth2005

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, K.Arafune, T.Koyama, Y.Momose, T.Ozawa, Y.Okano, S.Dost, L.H.Dao, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Microgravity Sci.and Technol. vol.XVI [1]

      ページ: 79-83

    • NAID

      110001232571

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of In_xGa_<1-x>Sb Pyramidal Epilayer2005

    • 著者名/発表者名
      G.ZHANG, M.KUMAGAWA, Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth (In print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] 回転ブリッジマン法によるIII-V族混晶半導体結晶成長2005

    • 著者名/発表者名
      小澤哲夫, 熊川征司, 早川泰弘
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 32[1]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Measurement of growth rate by thermal pulse Technique and growth of homogeneous In_xGa_<1-x>Sb bulk crystals2005

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, K.Arafune, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth vol.275

      ページ: 433-439

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of InGaAs Ternary Bulk Crystals by Rotational Bridgman Method2005

    • 著者名/発表者名
      Y.HAYAKAWA, T.OZAWA, M.KUMAGAWA et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth (In print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of InGaAs ternary bulk crystals by rotational Bridgman method2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, T.Ozawa, T.Araki, M.Haris, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth vol.275[1-2]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical analysis of constitutional supercooling in InGaSb crystal growth under different gravity levels2005

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 275[1-2]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of Te impurity on morphology of GaSb epilayer grown on GaSb (001) patterned substrate by liquid phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, P.Jayavel, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. vol.97 [2]

    • NAID

      120000796464

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of Te impurity on GaSb epilayer grown on GaSb (001) patterned substrate by liquid phase epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Prof.of 3rd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2004" (Budapest, Hungary, 2004)

      ページ: 377-386

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Effect of Gravitational Direction on Dissolution and Growth in GaSb/InSb/GaSb Sandwich System2004

    • 著者名/発表者名
      N.MURAKAMI, M.KUMAGAWA Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 263

      ページ: 320-326

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Oscillatory Behavior in Melting of a GaSb/InSb/GaSb System2004

    • 著者名/発表者名
      Y.OKANO, Y.HAYAKAWA, M.KUMAGAWA et al.
    • 雑誌名

      Mechanics Research Communications 31

      ページ: 605-610

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of Te impurity on GaSb epilayer grown on GaSb(001) patterned substrate by liquid phase epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      Prof.of 3rd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2004"

      ページ: 377-386

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of InAs_xSb_<1-x> Layers on GaAs Substrates by Hot Wall Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      S.NAKAMURA, M.KUMAGAWA Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      Proc.of 3rd International Conference on Global Research and Education

      ページ: 387-392

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Oscillatory behavior in melting of a GaSb/InSb/GaSb system2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Okano, T.Suzumura, S.Umemura, Y.Hayakawa, M.Kumagawa, S.Dost
    • 雑誌名

      Mechanics Research Communications vol.31

      ページ: 605-610

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] InGaSb結晶成長における重力効果2004

    • 著者名/発表者名
      村上倫章, 熊川征司, 早川泰弘
    • 雑誌名

      静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 24

      ページ: 33-39

    • NAID

      110001232571

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of Te Impurity on GaSb Epilayer Grown on GaSb (001) Patterned Substrate by Liquid Phase Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      G.ZHANG, M.KUMAGAWA, Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      Proc.of 3rd International Conference on Global Research and Education

      ページ: 377-386

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Gravitational effect on growth of InGaSb ternary bulk crystals2004

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      Prof.of 3rd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2004"

      ページ: 367-376

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Gravitational Effect on Growth of InGaSb Ternary Bulk Crystals2004

    • 著者名/発表者名
      N.MURAKAMI, M.KUMAGAWA, Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      Prof.3rd International Conference on Global Research and Education

      ページ: 367-376

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] InGaSb結晶成長における重力効果2004

    • 著者名/発表者名
      村上倫章, 新船幸二, 小山忠信, 百瀬与志美, 熊川征司, 早川泰弘
    • 雑誌名

      静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 24

      ページ: 33-39

    • NAID

      110001232571

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Oscillatory behavior in melting of a GaSb/InSb/GaSb system2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Okano, Y.Hayakawa, M.Kumagawa, et al.
    • 雑誌名

      Mechanics Research Communications 31

      ページ: 605-610

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Effect of Gravity on InGaSb Crystal Growth2004

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, K.Arafune, T.Koyama, Y.Momose, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Reports of the Graduate School of Electronics Science and Technology, Shizuoka Univ. vol.24

      ページ: 33-39

    • NAID

      110001232571

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Effect of gravitational direction on dissolution and growth in GaSb/InSb/GaSb sandwich system2004

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 263

      ページ: 320-326

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] LPE growth of In_xGa_<1-x>Sb pyramidal epilayer on GaSb (001) patterned substrate2004

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, K.Balakrishnan, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Reports of the Graduate School of Electronics Science and Technology, Shizuoka Univ. vol.24

      ページ: 5-14

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] One-dimensional Analysis of In_xGa_<1-x>Sb Crystal Growth by Temperature Difference Method2004

    • 著者名/発表者名
      K.Arafune, N.Murakami, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Bulletin of Research Institute of Electronics, Shizuoka University vol.38

      ページ: 1-7

    • NAID

      110000458668

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] 温度差法によるIn_xGa_<1-x>Sb結晶成長の一次元モデル解析2004

    • 著者名/発表者名
      新船幸二, 熊川征司, 早川泰弘
    • 雑誌名

      静岡大学電子工学研究所研究報告 38

      ページ: 1-7

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Gravitational effect on growth of InGaSb ternary bulk crystals2004

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, K.Arafune, T.Koyama, Y.Momose, T.Ozawa, Y.Okano, S.Dost, L.H.Dao, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Prof.of 3rd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2004" (Budapest, Hungary, 2004)

      ページ: 367-376

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Effect of gravitational direction on dissolution and growth in GaSb/InSb/GaSb sandwich system2004

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, K.Arafune, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth vol.263

      ページ: 320-326

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] 温度差法によるInxGa1-xSb結晶成長の一次元モデル解析2004

    • 著者名/発表者名
      新船幸二, 村上倫章, 小山忠信, 熊川征司, 早川泰弘
    • 雑誌名

      静岡大学電子工学研究所研究報告 38

      ページ: 1-7

    • NAID

      110000458668

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] LPE Growth of In_xGa_<1-x>Sb Pyramidal Epilayer on GaSb(001) Patterned Substrate2004

    • 著者名/発表者名
      G.ZHANG, M.KUMAGAWA, Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 24

      ページ: 5-14

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] LPE growth of InxGa1-xSb pyramidal epilayer on GaSb(001) patterned substrate2004

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, M.Kumagawa, Y.Hayakawa et al.
    • 雑誌名

      静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 24

      ページ: 5-14

    • NAID

      110001220067

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] A Numerical Study on the Buoyancy Convection Occurring during the Formation of InGaSb Solution in a GaSb/InSb/GaSb Sandwich System2004

    • 著者名/発表者名
      T.ARAFUNE, M.KUMAGAWA Y.HAYAKAWA et al.
    • 雑誌名

      Int.J.Materials and Product Technology 24

      ページ: 20-34

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Crystal Growth of High Quality InGaAs Mixed Crystals by Rotational Bridgman Method2003

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, T.Koyama, Y.Momose, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      Bulletin of Research Institute of Electronics, Shizuoka University vol.37

      ページ: 1-7

    • NAID

      80015907968

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Facets' identification and defect filtration of hollow GaSb pyramidal epilayers grown on GaSb(100) patterned substrates2003

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, Y.Hayakawa, M.Kumagawa, et al.
    • 雑誌名

      Proc.of 2nd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2003"

      ページ: 205-210

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical analysis of the dissolution process of GaSb into InSb melt under difference gravity conditions2003

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, K.Arafune, K.Balakrishnan, T.Ozawa, Y.Okano, N.Murakami, H.Adachi, Y.Hayakawa, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth vol.247

      ページ: 291-300

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Composition conversion mechanism of InSb into InGaSb2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, H.Ohtsu, T.Koyama, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. vol.42

      ページ: 44-49

    • NAID

      10010794750

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] 回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長2003

    • 著者名/発表者名
      小澤哲夫, 早川泰弘, 小山忠信, 百瀬与志美, 熊川征司
    • 雑誌名

      静岡大学電子工学研究所研究報告 37

      ページ: 1-7

    • NAID

      80015907968

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical simulation of convection on unsteady dissolution of GaSb into InSb melt2003

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, Y.Hayakawa, M.Kumagawa et al.
    • 雑誌名

      Proc.of 2nd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2003"

      ページ: 113-128

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] 落下塔を利用した微小重力環境下におけるInGaSb三元混晶半導体の凝固実験2003

    • 著者名/発表者名
      村上倫章, 小山忠信, 熊川征司, 早川泰弘
    • 雑誌名

      静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 23

      ページ: 61-65

    • NAID

      80015886156

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Solidification of InGaSb Ternary Semiconductor Crystal under Reduced Gravity using a Drop Tower2003

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Reports of the Graduate School of Electronics Science and Technology, Shizuoka Univ. vol.23

      ページ: 61-65

    • NAID

      80015886156

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Facets' identification and defect filtration of hollow GaSb pyramidal epilayers grown on GaSb (100) patterned substrates2003

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, Y.Hayakawa, T.Koyama, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      Proc.of 2nd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2003" (Warsaw University, Poland, 2003)

      ページ: 205-210

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of InGaAs ternary bulk crystals by rotational Bridgman method2003

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, M.Kumagawa et al.
    • 雑誌名

      Proc.of 2nd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2003"

      ページ: 129-135

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical analysis of the dissolution process of GaSb into InSb melt under difference gravity conditions2003

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, Y.Hayakawa, M.Kumagawa et al.
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 247

      ページ: 291-300

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of InGaAs ternary bulk crystals by rotational Bridgman method2003

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, T.Koyama, Y.Momose, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      Proc.of 2nd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2003" (Warsaw University, Poland, 2003)

      ページ: 129-135

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Composition conversion mechanism of InSb into InGaSb2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa, et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42

      ページ: 44-49

    • NAID

      10010794750

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, K.Balakrishnan, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth vol.256

      ページ: 243-247

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] A numerical study for the role of natural convection in the melting of an GaSb/InSb/GaSb sandwich system2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Okano, J.Shimizu, Y.Hayakawa, M.Kumagawa, A.Hirata, S.Dost
    • 雑誌名

      J.Num.Heat Transfer.part 1 vol.43

      ページ: 31-46

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical simulation of convection on unsteady dissolution of GaSb into InSb melt2003

    • 著者名/発表者名
      N.Murakami, K.Arafune, T.Kimura, T.Ozawa, Y.Okano, S.Dost, L.H.Dao, Y.Hayakawa, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      Proc.of 2nd International Conference on Global Research and Education "Inter-Academia 2003" (Warsaw University, Poland, 2003)

      ページ: 113-128

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Drop experiments on crystallization of InGaSb semiconductors2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, H.Komatsu, N.Murakami, T.Nakamura, T.Koyama, T.Ozawa, Y.Okano, M.Miyazawa, S.Dost, L.H.Dao, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth. vol.237-239

      ページ: 1831-1834

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of InxGa1-xAs bulk mixed crystals by rotational Bridgman method2002

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, M.Kumagawa et al.
    • 雑誌名

      Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizunka University and Zhejiang University

      ページ: 225-228

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Drop experiments on crystallization of InGaSb semiconductors2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa et al.
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 237-238

      ページ: 1831-1834

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Microgravity experiments on melting and crystallization of InGaSb2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa, et al.
    • 雑誌名

      Acta Astronautica 51[1-9]

      ページ: 221-227

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Experimental and numerical analysis of crystallization processes of In_xGa_<1-x>Sb under different gravity conditions2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, Y.Okano, T.Ozawa, T.Kimura, H.Komatsu, N.Murakami, T.Nakamura, K.Arafune, T.Koyama, M.Miyazawa, A.Hirata, N.Imaishi, S.Dost, L.H.Dao, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      The Journal of Space Technology and Science vol.15 [1]

      ページ: 11-20

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Role of solutal Marangoni convection during a directional solidification of InSb crystal2002

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, M.Kumagawa et al.
    • 雑誌名

      Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizuoka University and Zhejiang University

      ページ: 468-471

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of In_xGa_<1-x>As bulk mixed crystals by rotational Bridgman method2002

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, T.Koyama, Y.Momose, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizuoka University and Zhejiang University (Hamamatsu, Japan, 2002)

      ページ: 225-228

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Role of solutal Marangoni convection during a directional solidification of InSb crystal2002

    • 著者名/発表者名
      K.Arafune, Y.Hayakawa, M.Kumagawa, et al.
    • 雑誌名

      Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizuoka University and Zhejiang University

      ページ: 464-467

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] A novel method to grow high quality In_xGa_<1-x>As bridge layers with high indium compositions2002

    • 著者名/発表者名
      K.Balakrishnan, S.Iida, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth. vol.237-239

      ページ: 1525-1530

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE2002

    • 著者名/発表者名
      K.Balakrishnan, S.Iida, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Semiconductor Science and Technology vol.17 [7]

      ページ: 729-734

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical simulation of effect of ampoule rotation for the growth of InGaSb by rotational Bridgeman method2002

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, M.Kumagawa et al.
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 237-238

      ページ: 1692-1696

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Role of solutal Marangoni convection during a directional solidification of InSb crystal2002

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizuoka University and Zhejiang University (Hamamatsu, Japan, 2002)

      ページ: 468-471

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] A novel method to grow high quality InxGa1-xAs bridge layers with high indium compositions2002

    • 著者名/発表者名
      K.Balakrishnan, M.Kumagawa, Y.Hayakawa, et al.
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 237-238

      ページ: 1525-1530

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Experimental and numerical analysis of crystallization processes of InxGa1-xSb under different gravity conditions,2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa, et al.
    • 雑誌名

      The Journal of Space Technology and Science 15

      ページ: 11-20

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Role of solutal Marangoni convection during a directional solidification of InSb crystal2002

    • 著者名/発表者名
      K.Arafune, K.Kodera, Y.Hayakawa, M.Kumagawa, A.Hirata
    • 雑誌名

      Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizuoka University and Zhejiang University (Hamamatsu, Japan, 2002)

      ページ: 464-467

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of indium on the morphology of LPE grown In_xGa_<1-x>As (x=0-0.06) epilayers on patterned GaAs(100) substrates2002

    • 著者名/発表者名
      K.Balakrishnan, S.Iida, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      J.Material Science Letter vol.21 [17]

      ページ: 1355-1358

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE2002

    • 著者名/発表者名
      K.Balakrishnan, M.Kumagawa, Y.Hayakawa, et al.
    • 雑誌名

      J.Semiconductor Science and Technology 17[7]

      ページ: 729-734

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Influence of indium on the morphology of LPE grown InxGa1-xAs (x=0-0.06) epilayers on patterned GaAs(100) substrates2002

    • 著者名/発表者名
      K.Balakrishnan, M.Kumagawa, Y.Hayakawa, et al.
    • 雑誌名

      J.Material Science Letter 21[17]

      ページ: 1355-1358

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Growth of double structured InGaAs layers on GaAs patterned substrates2002

    • 著者名/発表者名
      H.Nagai, K.Balakrishnan, T.Koyama, M.Kumagawa, Y.Hayakawa
    • 雑誌名

      Prof.of Joint International Conference on Advanced Science and Technology by Shizuoka University and Zhejiang University (Hamamatsu, Japan, 2002)

      ページ: 460-463

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Numerical simulation of effect of ampoule rotation for the growth of InGaSb by rotational Bridgman method2002

    • 著者名/発表者名
      T.Ozawa, Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth. vol.237-239

      ページ: 1692-1696

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [雑誌論文] Microgravity experiments on melting and crystallization of InGaSb2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, K.Balakrishnan, H.Komatsu, N.Murakami, T.Nakamura, T.Koyama, T.Ozawa, Y.Okano, M.Miyazawa, S.Dost, L.H.Dao, M.Kumagawa
    • 雑誌名

      Acta Astronautica vol.51 [1-9]

      ページ: 221-227

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [産業財産権] X線による試料の濃度分布測定方法および装置2004

    • 発明者名
      早川泰弘, 新船幸二, 熊川征司
    • 権利者名
      静岡大学学長
    • 産業財産権番号
      2004-065560
    • 出願年月日
      2004-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [産業財産権] X線による試料の濃度分布測定方法および装置2002

    • 発明者名
      早川 泰弘, 新船 幸二, 熊川 征司
    • 権利者名
      静岡大学長
    • 産業財産権番号
      2004-065560
    • 出願年月日
      2002-03-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • [産業財産権] 高品質結晶成長方法2002

    • 発明者名
      早川 泰弘, 熊川 征司
    • 権利者名
      静岡大学長
    • 出願年月日
      2002-04-28
    • 取得年月日
      2003-07-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350164
  • 1.  早川 泰弘 (00115453)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 92件
  • 2.  平田 彰 (00063610)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  山口 十六夫 (40010938)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  小川 智哉 (50080437)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  BALAKRISHNAN K. (70313939)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 23件
  • 6.  岡野 泰則 (90204007)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  小澤 哲夫 (90247578)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 29件
  • 8.  武居 文彦 (60005981)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  平野 真一 (30016828)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  小松 啓 (00108565)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  XIE Xie
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  今石 宣之 (60034394)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  干川 圭吾 (10231573)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  塚田 隆夫 (10171969)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  尾添 紘之 (10033242)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  常田 聡 (30281645)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  新船 幸二 (10318777)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 23件
  • 18.  蔡 安邦 (90225681)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  桜井 誠人
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  DAO Le H.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  DOST Sadic
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  XINGーRU Zhon
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  ZHONG Xing-Ru
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  ZHONG XingーR
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  SADIC Dost
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  ZHONG Xingru
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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