干川圭吾 HOSHIKAWA Keigo

… 別表記

千川圭吾ホシカワケイゴ

研究者番号	10231573
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 信州大学, 工学部, 客員教授 1999年度 – 2007年度: 信州大学, 教育学部, 教授 1994年度 – 1997年度: 信州大学, 教育学部, 教授 1992年度: 信州大学, 教育学部, 教授 1991年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 化学工学一般 / 電子材料工学 / 人文・社会系 / 教科教育
キーワード	研究代表者石英るつぼ / 高温熱化学反応 / CZシリコン結晶成長 / 高濃度ゲルマニウム添加 / チョコラルスキー法 / Platinum crucible / Top-seeded solution growth / Polarization process / Piezoelectricity / Vertical Bridgman method … もっと見る / Potassium Niobate / 小傾角境界 / リネージ / UWB無線システム / X線トポグラフ / SAWWフィルタ / LN単結晶 / KN単結晶 / ウエハ加工 / KNウエハ加工 / 電気機械結合係数 / 相転移点制御 / 分域制御 / 垂直ブリッジマン(VB)法 / ニオブ酸カリュウム(KN)単結晶 / diffusion of B atoms / dislocation due to lattice misfit / interface between seed and crystal / dislocation behavior / heavily Ge doping / oxygen transportation / reaction at high temperature / Czochralski Si crystal Growth / その場観察 / 計算解析 / ドロップ法 / 物質移動 / シリコン融液 / 結晶成長条件 / 高濃度ボロン添加種子 / ボロン濃度分布 / ボロンの移動・拡散現象 / シリコン結晶成長 / ボロン原子拡散 / ミスフィット転位 / 種子づけ界面 / 転位挙動 / 酸素原子挙動 / dislocation-free crystal / growth interface / SiO gas / Si melt / silica crucible / phenomenon of heat and mass transfer / chemical reaction at high temperature / CZ-Silicon crystal growth / 蒸発速度係数 / マラニユニー対流 / 酸素溶解速度 / 酸素移動現象 / 熱物質移動現象 / CZ-Si結晶 / 無転位結晶 / 成長界面 / SiOガス / Si融液 / 熱・物質移動現象 / エピタキシャル用下地基板 / スリップ・そり / 同時添加 / 高濃度ボロン添加 / 高強度・耐熱応力 / シリコン結晶基板 … もっと見る研究代表者以外結晶成長 / 引き上げ法 / 単結晶 / シミュレーション / マランゴニ対流 / 熱移動 / SILICA CRUCIBLE / CRYSTAL GROWTH / CRYSTAL ENGINERRING / 電場印加 / 石英るつぼ / 結晶工学 / Convection / Electromagnetic force / Crystal growth / Silicon / 電磁場印加結晶成長 / バルク結晶成長 / 対流 / 電磁攪拌 / シリコン / Marangoni Convection / Thermo-Physical Properties of Melts / Thermal Stress / Flow Control / Melt Convection / Transport Phenomena / Numerical Analysis / Single Crystal Growth / 光・電子材料用バルク単結晶 / 気相内対流 / 結晶育成工学 / 移動現象 / バルク単結晶 / 移動現象論 / 融液物性 / 熱応力 / 対流制御 / 融液対流 / 移動現像論 / 数値解析 / 単結晶育成 / Heat Transfer / Convective Phenomena / Applied Magnetic Field / Czochralski Method / Single Crystal / 熱・物質の移動現象 / 酸化物結晶 / 半導体混晶 / 半導体結晶 / 磁界印加結晶育成 / 自然対流 / 融液内対流 / 対流現象 / 磁場印加 / 酸化ホウ素 / 高強度 / 低転位密度 / 輸送機構 / 酸素 / ゲルマニウム / 結晶評価 / 教育システム / 教材開発 / 科学者 / 理科教育 / 問の連鎖 / 新世紀型 / 作業的学習 / 体験的学習 / 江戸時代学習 / 博物館見学 / 史跡見学 / マルチメディア教材 / コンピュータ教材 / 画像教材 / LiTaO_3 / 酸素欠損 / Twisting / 内部輻射隠す

酸化ホウ素で覆われた融液からのゲルマニウム結晶成長における酸素の輸送機構の解明
- 研究代表者
  
  太子敏則
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  信州大学
不純物添加高結合ニオブ酸カリウム単結晶の育成と分域制御技術の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  干川圭吾
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  信州大学
シリコン融液/石英ガラスの界面反応制御に関する研究
- 研究代表者
  
  黄新明
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
科学者の「問いの連鎖」に学ぶWEBベース学習支援システムとコンテンツの開発
- 研究代表者
  
  東原義訓
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  人文・社会系
- 研究機関
  信州大学
高強度・耐熱応力高濃度不純物添加シリコン結晶基板の提案研究代表者
- 研究代表者
  
  干川圭吾
- 研究期間 (年度)
  2002
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  信州大学
電場・磁場を同時に用いた対流高精度制御半導体結晶成長法の創製
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学
シリコン融液/石英ガラス接触系における非平衡高温熱化学反応機構の解明に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  干川圭吾
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  信州大学
シリコン結晶成長系における高温熱反応と熱・物質移動現象研究代表者
- 研究代表者
  
  干川圭吾 (千川圭吾)
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  信州大学
光・電子材料用バルク単結晶作製プロセスの化学工学的検討および制御法の体系化
- 研究代表者
  
  今石宣之
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  化学工学一般
- 研究機関
  九州大学
史跡・博物館見学による作業的・体験的学習のための画像教材の開発
- 研究代表者
  
  土井進
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  教科教育
- 研究機関
  信州大学
CZ法単結晶作成におけるTwisting
- 研究代表者
  
  福田承生
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
CZ法単結晶作成におけるTwisting
- 研究代表者
  
  福田承生
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
磁場印加単結晶引き上げ法における熱・物質移動現象の解明の研究
- 研究代表者
  
  福田承生
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2013 2012 2010 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 雑誌名
  
  The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Sillicon Materials
  
  ページ: 71-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Czochralski -growth of germanium crystals containing high concen-trations of oxygen impurities2010
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, M. Suezawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 312 号: 19 ページ: 2783-2787
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.05.045
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Czochralski-growth of germanium crystals containing high concen-trations of oxygen impurities2010
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa, M.Suezawa, Y.Tokumoto, Y.Ohno, K.Hoshikawa, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth
  
  巻: 312 ページ: 2783-2787
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Single crystal growth of Langasite by vertical Bridmen mothod in air and Ar atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 林貴之, 深海龍夫, 干川圭吾, 米永一郎
- 雑誌名
  
  Journal of crystal growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] Oxygen defects in langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) single crystal grown by vertical Bridgman (VB) method2007
- 著者名/発表者名
  T,. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 雑誌名
  
  Physica B 401-402
  
  ページ: 437-440
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] Single-crystal growth of langasite (La_3Ga_5SiO_<14> by the vertical Bridgman (VB) method in air and in an Ar atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, T. Hayashi, T. Fukami, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  J. Cryst.Growth 304
  
  ページ: 4-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] The Characteristics of the La_3Ga_5SiO_<14> Single Crystals Grown by Vertical Bridgman Method in Ar Atomosphere2006
- 著者名/発表者名
  N. Banba, K. Kato, T. Taishi, T. Hayashi. K. Hoshikawa, T. Fukami
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 510-511
  
  ページ: 842-845
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] Segregation of Ga during growth of Si single crystal2006
- 著者名/発表者名
  T.Hoshikawa, X.Huang, S.Uda, S.Koh, T.Taishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 290
  
  ページ: 338-340
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560003
[雑誌論文] Temperature dependence of Raman scattering in Si crystals with heavy B and/or Ge doping2006
- 著者名/発表者名
  X.Huang, K.Wu, M.Chen, T.Taishi, K.Hoshikawa, S.Koh, S.Uda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 9
  
  ページ: 257-260
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560003
[雑誌論文] Temperature dependence of Raman scattering in Si crystals with heavy B and/or Ge doping2006
- 著者名/発表者名
  X.Huang, K.Wu, M.Chen, T.Taishi, Hoshikawa, S.Koh, S.Uda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 9
  
  ページ: 257-260
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560003
[雑誌論文] Reaction at the interface between Si melt and a Ba-doped silica crucible2005
- 著者名/発表者名
  X.Huang, S.Koh, K.Wu, M.Chen, T.Hoshikawa, K.Hoshikawa, S.Uda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 277
  
  ページ: 154-161
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560003
[雑誌論文] Computational study of formation mechanism of impurity distribution in a silicon crystal during solidification2004
- 著者名/発表者名
  Lijun Liu, Koichi Kakimoto, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 265
  
  ページ: 399-409
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Analysis of the reaction at the interface between Si melt and Ba-doped silica glass
- 著者名/発表者名
  X.Huang, T.Hoshikawa, S Uda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560003
[雑誌論文] Analysis of the reaction at the interface between Si melt and Ba-doped silica glass
- 著者名/発表者名
  X.Huang, T.Hoshikawa, S.Uda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560003
[学会発表] B2O3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成における酸素の偏析2013
- 著者名/発表者名
  太子敏則，米永一郎，干川圭吾
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B_2O_3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成における酸素の偏析2013
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 米永一郎, 干川圭吾
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2013-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B2O3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成におけるB、Si、Oの反応2012
- 著者名/発表者名
  太子敏則，米永一郎，干川圭吾
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Cona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  コナ・ハワイ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B_2O_3で覆われた融液からのCZ- Ge結晶育成におけるB、 Si、 Oの反応2012
- 著者名/発表者名
  太子敏則,米永一郎,干川圭吾
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Langataite (La3Ta0.5Ga5.5O14) crystal growth by the vertical Bridgman (VB) method2008
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, N. Bamba, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
- 学会等名
  4th Asian Conference on Crystal Growth(発表予定)
- 発表場所
  Crystal Technology
- 年月日
  2008-05-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Growth of langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) crystals by vertical Bridgman (VB) method in air and an Ar atmosphere for applications to pressure sensors2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Salt Lake City (USA)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Oxygen defects in langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) single crystal grown by vertical Bridgman method(Mp-14)2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  24th International Conference on Defects in Semiconductors, Albuquerque
- 発表場所
  NM (USA)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Growth of lithium niobate(LiNbO_3)crystals by vertical Bridgman(VB)method2007
- 著者名/発表者名
  K. Hoshikawa
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth,
- 発表場所
  Salt Lake City(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Growth of lithium niobate (LiNbO_3) crystals by vertical Bridgman (VB) method2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishio, T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Salt Lake City (USA)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Potassium niobate (KNbO_3) crystal growth 1 inch in diameter by the vertical Bridgman (VB) method2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, K. Kudo, Y. Saito, T. Fukami, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
- 学会等名
  4th Asian Conference on Crystal Growth(発表予定)
- 発表場所
  Crystal Technology
- 年月日
  2007-05-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007

1. 岡野泰則 (90204007)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 福田承生 (30199236)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 太子敏則 (90397307)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 18件
4. 塚田隆夫 (10171969)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 米永一郎 (20134041)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
6. 宝沢光紀 (70005338)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 今石宣之 (60034394)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 熊川征司 (30022130)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 平田彰 (00063610)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 尾添紘之 (10033242)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 大石修治 (50021027)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 柿本浩一 (90291509)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
13. 石井秀夫 (50038551)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 劉立軍 (00380535)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
15. 黄新明 (80375104)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
16. 宇田聡 (90361170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
17. 黄晋二 (50323663)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
18. CHEN Mingwei (20372310)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
19. 番場場子 (90303445)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 土井進 (30242663)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 東原義訓 (90143172)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 藤森裕治 (00313817)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 井田秀行 (70324217)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 赤羽貞幸 (40089090)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 中村浩志 (60135118)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 橋本良夫 (80180842)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 深海龍夫 (90021005)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 番場教子

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 5件
29. 深見龍夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 4件

干川 圭吾 HOSHIKAWA Keigo

千川 圭吾 ホシカワ ケイゴ

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

不純物添加高結合ニオブ酸カリウム単結晶の育成と分域制御技術の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高強度・耐熱応力高濃度不純物添加シリコン結晶基板の提案研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン融液/石英ガラス接触系における非平衡高温熱化学反応機構の解明に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン結晶成長系における高温熱反応と熱・物質移動現象研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Czochralski -growth of germanium crystals containing high concen-trations of oxygen impurities2010

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

干川圭吾 HOSHIKAWA Keigo

千川圭吾ホシカワケイゴ