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黒木 伸一郎  Kuroki Shin-Ichiro

研究者番号 70400281
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-0539-9941
所属 (現在) 2025年度: 広島大学, 半導体産業技術研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 広島大学, 半導体産業技術研究所, 教授
2021年度 – 2022年度: 広島大学, ナノデバイス研究所, 教授
2018年度 – 2021年度: 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 教授
2012年度 – 2017年度: 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授
2007年度 – 2011年度: 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 大区分C / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 医用生体工学・生体材料学
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
キーワード
研究代表者
CMOS集積回路 / 耐放射線 / 極限環境エレクトロニクス / MOSFET / シリコンカーバイド / 電子デバイス / シリコンカーバイド半導体 / 耐放射線デバイス / 耐高温動作 / 廃炉技術 … もっと見る / 高温動作 / ワイドバンドギャップ半導体 / 高温 / SiC / 高温動作集積回路 / 耐放射線集積回路 / 極限環境 / 電子デバイス・集積回路 / 電子デバイス・電子機器 / 耐高温デバイス / MOSFETs / シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクス / 原子力発電所廃炉 / 耐高温 / 集積回路 / 移植・再生医療 / 移植・再生医 / TFT / 人工腎臓 / マイクロアレイ / 薄膜トランジスタ / マイクロ・ナノデバイス / ナノバイオ / 人工臓器工学 … もっと見る
研究代表者以外
TFT / 結晶配向制御 / Siナノワイヤー / 量子センシング / 光物性 / スピン欠陥 / 結晶工学 / インパルス電磁波 / FACTORVIII / DCIS / IDC / 非浸潤癌 / 浸潤癌 / 画像認識 / 複素インピーダンス / CMOS回路 / マイクロ波 / 回路 / CMOS / 計測システム / 乳がん / 免疫染色 / 複素誘電率 / 血管新生 / 乳腺腫瘍 / 領域選択プロセッシング / センサーネットワーク / レーザーアニール / 半導体プロセス / 薄膜トランジスタ / チャネリング注入 / 結晶配向 / ナノワイヤー / 多結晶シリコン / チャネリング / イオン注入 / 活性化率 / ノックオン注入 / マイクロ波アニール / 極浅接合形成 / 結晶粒 / 電子デバイス 隠す
  • 研究課題

    (12件)
  • 研究成果

    (263件)
  • 共同研究者

    (14人)
  •  人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立研究代表者

    • 研究代表者
      黒木 伸一郎
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2028
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 審査区分
      大区分C
    • 研究機関
      広島大学
  •  シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成研究代表者

    • 研究代表者
      黒木 伸一郎
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      広島大学
  •  光を高度に操った炭化ケイ素半導体中スピン欠陥の量子状態制御

    • 研究代表者
      大島 武
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
  •  シリコンカーバイドによる極限環境エレクトロニクスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      黒木 伸一郎
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  ワイドバンドギャップSiC半導体による放射線耐性に優れたCMOS集積回路の研究(国際共同研究強化)研究代表者

    • 研究代表者
      黒木 伸一郎
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2017
    • 研究種目
      国際共同研究加速基金(国際共同研究強化)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  腫瘍の血管新生密度分布計測技術の研究

    • 研究代表者
      吉川 公麿
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  ワイドバンドギャップSiC半導体による放射線耐性に優れたCMOS集積回路の研究研究代表者

    • 研究代表者
      黒木 伸一郎
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  領域選択プロセスによる高性能薄膜トランジスタを用いたグリーンLSI技術

    • 研究代表者
      小谷 光司
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東北大学
  •  多重チャネリングイオン注入により配向制御した単結晶Siナノワイヤーの創出

    • 研究代表者
      伊藤 隆司
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  絶縁基板上Si薄膜の3次元結晶配向制御とTFT応用

    • 研究代表者
      伊藤 隆司
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東北大学
  •  半導体デバイスの超微細化に向けた革新的な高濃度極浅接合形成技術の創出

    • 研究代表者
      伊藤 隆司
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東北大学
  •  TFTアクティブマトリクス人工腎臓開発のための基盤研究研究代表者

    • 研究代表者
      黒木 伸一郎
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      医用生体工学・生体材料学
    • 研究機関
      東北大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor2023

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 44 号: 1 ページ: 100-103

    • DOI

      10.1109/led.2022.3226494

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [雑誌論文] Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC at elevated temperatures toward magnetic sensing under harsh environments2023

    • 著者名/発表者名
      Motoki Shu、Sato Shin-ichiro、Saiki Seiichi、Masuyama Yuta、Yamazaki Yuichi、Ohshima Takeshi、Murata Koichi、Tsuchida Hidekazu、Hijikata Yasuto
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 133 号: 15 ページ: 154402-154402

    • DOI

      10.1063/5.0139801

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00355, KAKENHI-PROJECT-22K18292, KAKENHI-PROJECT-23K22787
  • [雑誌論文] 500 °C high-temperature reliability of Ni/Nb ohmic contact on n-type 4H-SiC2022

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Tadashi Sato, Takamichi Miyazaki, Tatsuya Meguro, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: 3 ページ: 036501-036501

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac4391

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [雑誌論文] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022

    • 著者名/発表者名
      Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki, and Takeshi Ohshima
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 131 号: 24 ページ: 244503-244503

    • DOI

      10.1063/5.0095841

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [雑誌論文] Growth of vanadium doped semi-insulating 4H-SiC epilayer with ultrahigh-resistivity2022

    • 著者名/発表者名
      Kazutoshi Kojima, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 131 号: 24 ページ: 245107-245107

    • DOI

      10.1063/5.0095457

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252, KAKENHI-PROJECT-20H00355
  • [雑誌論文] Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors2022

    • 著者名/発表者名
      Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 43 号: 10 ページ: 1713-1716

    • DOI

      10.1109/led.2022.3200124

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [雑誌論文] Amplifier Based on 4H-SiC MOSFET Operation at 500 °C for Harsh Environment Applications2022

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Tatsuya Meguro, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 69 号: 8 ページ: 4194-4199

    • DOI

      10.1109/ted.2022.3184663

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [雑誌論文] Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations2021

    • 著者名/発表者名
      Yamazaki Yuichi、Chiba Yoji、Sato Shin-ichiro、Makino Takahiro、Yamada Naoto、Satoh Takahiro、Kojima Kazutoshi、Hijikata Yasuto、Tsuchida Hidekazu、Hoshino Norihiro、Lee Sang-Yun、Ohshima Takeshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 118 号: 2 ページ: 021106-021106

    • DOI

      10.1063/5.0028318

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00355, KAKENHI-PROJECT-20H02673
  • [雑誌論文] Thickness dependencies of SiO2/BaOx layers on interfacial properties of a layered gate dielectric on 4H-SiC2021

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Muraoka、Seiji Ishikawa、Hiroshi Sezaki、Maeda Tomonori、 Satoshi Yasuno、Tomoyuki Koganezawa、Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 121 ページ: 105343-105343

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2020.105343

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [雑誌論文] Influences of hydrogen ion irradiation on NcVsi formation in 4H-silicon carbide2021

    • 著者名/発表者名
      Narahara Takuma、Sato Shin-ichiro、Kojima Kazutoshi、Hijikata Yasuto、Ohshima Takeshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 2 ページ: 021004-021004

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abdc9e

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00355
  • [雑誌論文] CF4:O2 surface etching for the improvement of contact resistance and high-temperature reliability in Ni/Nb ohmic contacts on n-type 4H-SiC2020

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Takamichi Miyazaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Yasuno Satoshi, Tomoyuki Koganezawa, Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 5 ページ: 056501-056501

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab86fe

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] High-temperature reliability of integrated circuit based on 4H-SiC MOSFET with Ni/Nb ohmic contacts for harsh environment applications2020

    • 著者名/発表者名
      Van Cuong Vuong、Seiji Ishikawa、Tomonori Maeda、Hiroshi Sezaki、Tetsuya Meguro、Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 12 ページ: 126504-126504

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abc924

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [雑誌論文] Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs2019

    • 著者名/発表者名
      Tomoyasu Ishii, Shin-Ichiro Kuroki, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Mikael Ostling, Carl-Mikael Zetterling
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 963 ページ: 613-616

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.963.613

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Characterization of Ba-Introduced Thin Gate Oxide on 4H-SiC2019

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Muraoka, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 963 ページ: 451-455

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.963.451

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Influence of Ni and Nb thickness on low specific contact resistance and high-temperature reliability of ohmic contacts to 4H-SiC2019

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Yasuno Satoshi, Tomoyuki Koganezawa, Takamichi Miyazaki, Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 11 ページ: 116501-116501

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab47ac

    • NAID

      210000157183

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters2019

    • 著者名/発表者名
      Jun Inoue, Shin-Ichiro Kuroki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Mikael Ostling, Carl-Mikael Zetterling
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 963 ページ: 837-840

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.963.837

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] High-Temperature Reliability of Ni/Nb Ohmic Contacts on 4H-SiC For Harsh Environment Applications2019

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Satoshi Yasuno, Tomoyuki Koganezawa, Takamichi Miyazaki, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 669 ページ: 306-314

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2018.11.014

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Optimization of Ni/Nb Ratio for High-Temperature-Reliable Ni/Nb Silicide Ohmic Contact on 4H-SiC2019

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, Satoshi Yasuno, Tomoyuki Koganezawa, Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 963 ページ: 498-501

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.963.498

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer2019

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Muraoka, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 8 ページ: 081007-081007

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab2dab

    • NAID

      210000156569

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Direct Bonding of 4H-SiC and SOI Wafers for Radiation-Hardened Image Sensors2019

    • 著者名/発表者名
      Fumiaki Hasebe, Tatsuya Meguro, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 963 ページ: 726-729

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.963.726

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts2018

    • 著者名/発表者名
      J. Kajihara, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 924 ページ: 423-427

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.924.423

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Correlation between Field Effect Mobility and Accumulation Conductance at 4H-SiC MOS Interface with Barium2018

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Muraoka, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 924 ページ: 477-481

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.924.477

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Electrical properties of Ti-Si-C Ohmic contact on ion-implanted n-type 4H-SiC C face2018

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 924 ページ: 409-412

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.924.409

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics2018

    • 著者名/発表者名
      T. Kurose, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M.Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 924 ページ: 971-974

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.924.971

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Effects of CF4 surface etching on 4H-SiC MOS Capacitors2018

    • 著者名/発表者名
      K. Kobayakawa, K. Muraoka, H. Sezaki, S. Ishikawa, T. Maeda, and S.-I. Kuroki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 924 ページ: 465-468

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.924.465

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] High Gamma Ray Tolerance for 4H-SiC Bipolar Circuits2017

    • 著者名/発表者名
      S. S. Suvanam, S-I. Kuroki, L. Lanni, R. Hadayati, T. Ohshima, T. Makino, A. Hallen, C.-M. Zetterling
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science

      巻: 64 号: 2 ページ: 852-858

    • DOI

      10.1109/tns.2016.2642899

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [雑誌論文] Low Resistance Ti-Si-C Ohmic Contacts for 4H-SiC Power Devices Using Laser Annealing2017

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 897 ページ: 399-402

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [雑誌論文] Formation of epitaxial Ti-Si-C Ohmic contact on 4H-SiC C face using pulsed-laser annealing2017

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, Takamichi Miyazaki, Tomoyuki Koganezawa, Satoshi Yasuno, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 110 号: 25 ページ: 2521081-2521085

    • DOI

      10.1063/1.4987136

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253, KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [雑誌論文] 4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics2017

    • 著者名/発表者名
      S-I. Kuroki, T. Kurose, H. Nagatsuma, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 897 ページ: 669-672

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [雑誌論文] 4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics2017

    • 著者名/発表者名
      S-I. Kuroki, T. Kurose, H. Nagatsuma, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 897 ページ: 669-672

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Enhanced-Oxidation and Interface Modification on 4H-SiC(0001) Substrate Using Alkaline Earth Metal2017

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Muraoka, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Tadashi Sato, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 897 ページ: 348-351

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Low Resistance Ti-Si-C Ohmic Contacts for 4H-SiC Power Devices Using Laser Annealing2017

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 897 ページ: 399-402

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [雑誌論文] Enhanced-Oxidation and Interface Modification on 4H-SiC(0001) Substrate Using Alkaline Earth Metal2017

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Muraoka, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Tadashi Sato, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 897 ページ: 348-351

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [雑誌論文] Characterization of 4H-SiC nMOSFETs in Harsh Environments, High-Temperature and High Gamma-Ray Radiation2016

    • 著者名/発表者名
      S-I. Kuroki, H. Nagatsuma, M. De Silva, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 858 ページ: 864-867

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.858.864

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [雑誌論文] Characterization of Grapho-Silicidation on n+ 4H-SiC C-Face for Back Side Ohmic Contacts of Power Devices2016

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva,Tomonori Maeda, Seiji Ishikawa,Hiroshi Sezaki, Takamichi Miyazaki, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 5 ページ: 457-460

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [雑誌論文] Low resistance ohmic contact formation on 4H-SiC c-face with NbNi silicidation using nano-second laser annealing2016

    • 著者名/発表者名
      M. D. Silva, S. Ishikawa, T. Kikkawa, and S.-I. Kuroki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 858 ページ: 549-552

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.858.549

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [雑誌論文] 4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi Silicide ohmic contacts2016

    • 著者名/発表者名
      H. Nagatsuma, S-I. Kuroki, M. De Silva, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum

      巻: 858 ページ: 573-576

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.858.573

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [雑誌論文] Formation of amorphous alloys on 4H-SiC with NbNi film using pulsed-laser annealing2016

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva,Seiji Ishikawa, Takamichi Miyazaki, Takamaro Kikkawa,and Shin-Ichiro Kuroki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 109 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.4955406

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [雑誌論文] High performance Poly-Si TFTs with Highly Bi-axially Oriented Poly-Si Thin Films Using DLB Continuous-wave Laser Lateral Crystallization2014

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Yamano, Shin-Ichiro Kuroki, Tadashi Sato and Koji Kotani
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 53

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [雑誌論文] High-performance poly-Si thin film transistors with highly biaxially oriented poly-Si thin films using double line beam continuous-wave laser lateral crystallization2014

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Yamano, Shin-Ichiro Kuroki, Tadashi Sato and Koji Kotani
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.53 号: 3S1 ページ: 03CC02-03CC02

    • DOI

      10.7567/jjap.53.03cc02

    • NAID

      210000143470

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [雑誌論文] Low resistance Ohmic Contact Formation of Ni Silicide on Partially Si Ion Implanted n+ 4H-SiC2014

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Tadashi Sato, Shin-Ichiro Kuroki and Takamaro Kikkawa
    • 雑誌名

      Material Science Forum

      巻: 778-780 ページ: 689-692

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.689

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [雑誌論文] In-Plane Grain Orientation Alignment of Polycrystalline Si Films by Normal and Oblique-Angle Ion-Implantations2012

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima, Shin-Ichiro Kuroki, Shuntaro Fujii, and Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Carrier transport and its variation of laser-lateral crystallized poly-Si TFTs2011

    • 著者名/発表者名
      S.-I. Kuroki, S. Fujii, K. Kotani, andT. Ito
    • 雑誌名

      Elec. Lett.

      巻: 47, 24

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Seed-Free Fabrication of Highly Bi-Axially Oriented Poly-Si Thin Films by Continuous-Wave Laser Crystallization with Double-Line Beams2011

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 雑誌名

      J.Electrochem.Soc.

      巻: 158 号: 9 ページ: H924-H924

    • DOI

      10.1149/1.3610410

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157, KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [雑誌論文] Strain-Induced Back Channel Electron Mobility Enhancement in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Fabricated by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization2011

    • 著者名/発表者名
      Shuntaro Fujii, Shin-Ichiro Kuroki, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phy.

      巻: Vol.50

    • NAID

      210000070347

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Carrier transport and its variation of laser-lateral-crystallized poly-Si TFTs2011

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 雑誌名

      Electronics Letters

      巻: 47 号: 24 ページ: 1336-1338

    • DOI

      10.1049/el.2011.2854

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157, KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [雑誌論文] Seed-Free Fabrication of Highly Bi-Axially Oriented Poly-Si Thin Films by Continuous-Wave Laser Crystallization with Double-Line Beams2011

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Yuya Kawasaki, Shuntaro Fujii, Koji Kotani, and Takashi Ito
    • 雑誌名

      J. Electrochem. Soc.

      巻: 158, 9

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Roughness Reduction in Polycrystalline Silicon Thin Films Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization with Cap SiO2 Thin Films2010

    • 著者名/発表者名
      Shuntaro Fujii, Shin-Ichiro Kuroki, Masayuki Numata, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: Vol.48

    • NAID

      210000066640

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Ferroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate Thin Film on Glass Substrate Crystallized by Continuous-Wave Green Laser Annealing2010

    • 著者名/発表者名
      Jun Jiang, Shin-Ichiro Kuroki, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [雑誌論文] Enhancement of Current Drivability of Nanograting Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Xiaoli Zhu, Koji Kotani, and Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: Vol.49

    • NAID

      210000068329

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Enhancement of Current Drivability of Nanograting Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys

      巻: 49

    • NAID

      210000068329

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Highly Reliable and Drivability-Enhanced MOS Transistors with Rounded Nanograting Channels2010

    • 著者名/発表者名
      Takashi ITO, Xiaoli ZHU, Shin-Ichiro KUROKI, Koji KOTANI
    • 雑誌名

      IEICE TRANCE. ELECTRON.

      巻: Vol.E93-C, No.11 ページ: 1638-1644

    • NAID

      10027983872

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Enhancement of Current Drivability of Nanograting Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Xiaoli Zhu, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 49

    • NAID

      210000068329

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [雑誌論文] Roughness Reduction in Polycrystalline Silicon Thin Films Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization with Cap SiO2 Thin Films2009

    • 著者名/発表者名
      Shuntaro Fujii, Shin-Ichiro Kuroki, Masayuki Numata, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 48

    • NAID

      210000066640

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [雑誌論文] Low-Temperature Recrystallization of Ferroelectric Lead Zirconate Titanate Thin Films on Glass Substrate Using Continuous-Wave Green Laser2009

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Kiichiro Tago, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 48

    • NAID

      210000066653

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [雑誌論文] Roughness Reduction in Polycrystalline Silicon Thin Films Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization with Cap SiO2 Thin Films2009

    • 著者名/発表者名
      Vol.48Sunichiro Fujii, Shin-Ichiro Kuroki, Masaki Numata, Koji Kotani, and Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: Vol.48

    • NAID

      210000066640

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Analysis of Drivability Enhancement Factors in Nanograting Metal-Oxide-Semiconductor Field- Effect Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      Xiaoli Zhu, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 3046-3049

      ページ: 3046-3049

    • NAID

      210000064666

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [雑誌論文] Analysis of Continuous-Wave Laser Lateral Crystallized Polycrystalline Silicon Thin Films with Large Tensile Strain2008

    • 著者名/発表者名
      Shuntaro Fujii, Shin-Ichiro Kuroki, Xiaoli Zhu, Masayuki Numata, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 3046-3049

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [雑誌論文] Analysis of Continuous-Wave Laser Crystallized Polycrystalline Silicon Films with Large Tensile Strain2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 47

      ページ: 3081-3085

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [雑誌論文] Crystallinity and Internal Strain of One-Dimensionally Long Si Grains by CW Laser Lateral Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 雑誌名

      ECS Transactions 16

      ページ: 145-151

    • NAID

      120006581926

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [雑誌論文] Crystallinity and Internal Strain of One-Dimensionally Long Si Grains by CW Laser Lateral Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, X. Zhu, M. Numata, K. Kotani, T. Ito
    • 雑誌名

      ECS Trans 16(9)

      ページ: 145-145

    • NAID

      120006581926

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [雑誌論文] Advantages of Nano-Grating Si Substrates in CMOS-FET Characteristics2007

    • 著者名/発表者名
      Xiaoli Zhu, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 雑誌名

      ECS Transactions 11

      ページ: 467-472

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [雑誌論文] Enlargement of Crystal Grains in Thin Silicon Films by Continuous-Wave Laser Irradiation2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

      ページ: 2501-2504

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [雑誌論文] Characteristics of Nano-Grating N-Channel MOSFETs for Improved Current Drivability2007

    • 著者名/発表者名
      Xiaoli Zhu, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 雑誌名

      IEICE TRANS. ELECTRON E90-C

      ページ: 1830-1836

    • NAID

      110007538948

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [産業財産権] 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置2020

    • 発明者名
      黒木伸一郎, 岡田智徳, 瀬崎洋
    • 権利者名
      黒木伸一郎, 岡田智徳, 瀬崎洋
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2020-026991
    • 出願年月日
      2020
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [産業財産権] 中性子検出素子2020

    • 発明者名
      黒木 伸一郎, 谷口 学, 西垣内 健汰, 目黒 達也
    • 権利者名
      黒木 伸一郎, 谷口 学, 西垣内 健汰, 目黒 達也
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2020
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [産業財産権] 炭化珪素半導体装置及びその製造方法2016

    • 発明者名
      黒木 伸一郎、ミラン ダ シルワ、石川 誠治
    • 権利者名
      黒木 伸一郎、ミラン ダ シルワ、石川 誠治
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-008954
    • 出願年月日
      2016-01-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [産業財産権] マイクロ流路デバイス2009

    • 発明者名
      黒木伸一郎、伊藤隆司
    • 権利者名
      東北大学
    • 産業財産権番号
      2009-074999
    • 出願年月日
      2009-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [産業財産権] シリコン酸化膜の堆積方法2007

    • 発明者名
      伊藤隆司, 黒木伸一郎
    • 権利者名
      東北大学
    • 産業財産権番号
      2007-293064
    • 出願年月日
      2007-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] SiC CMOS Integrated Circuits and Image Sensors for Extreme Environment Applications2023

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Toya Kai, Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Vuong Van Cuong, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima
    • 学会等名
      7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (IEEE EDTM2023)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Parameter Extraction from Transfer Characteristics Measurement of 4H-SiC MOSFET in Extremely High Temperature Ambient2022

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Tatusya Meguro, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃高温動作2022

    • 著者名/発表者名
      堤 将之, 目黒 達也, 武山 昭憲, 大島 武, 田中 保宣, 黒木 伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会第 9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Noise Margins and BTI Characteristics of 4H-SiC CMOS Circuits in High-Temperature Environment2022

    • 著者名/発表者名
      Takuma Shima, Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits2022

    • 著者名/発表者名
      Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎, 志摩 拓真, 目黒 達也, Vuong Van Cuong, 武山 昭憲, 牧野 高紘, 大島 武, 児島 一聡, 田中 保宣
    • 学会等名
      電気学会 電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用(第2期)」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Bias temperature stress instability in 4H-SiC capacitors with different metal gate in extremely high temperature environment2022

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Kaho Koyanagi, Tatusya Meguro, Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] High-Selective Deep RIE of 4H-SiC with SiO2 Hard Mask in Cl2/HBr/O2 Plasma Chemistry2022

    • 著者名/発表者名
      Riku Takeuchi, Tadashi Sato, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] SiC Extreme-Environment Electronics: From Nuclear Power Station to New Medical Applications2022

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Workshop on Nanodevice Technologies 2022, in Memory of M. Hirose (IWNT2022)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Output Characteristics of SOI-Si/4H-SiC Hybrid Pixel Device for Radiation Hardend CMOS Image Sensors2022

    • 著者名/発表者名
      Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2022

    • 著者名/発表者名
      Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022

    • 著者名/発表者名
      黒木 伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
    • 学会等名
      2022年電子情報通信学会総合大会 シンポジウム「極限環境で動作する集積回路」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃高温動作2022

    • 著者名/発表者名
      堤 将之、目黒 達也、武山 昭憲、大島 武、田中 保宣、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2022年第83回応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] 高線量ガンマ線照射した 4H-SiC JFET のしきい値電圧安定性2022

    • 著者名/発表者名
      武山 昭憲, 牧野 高紘, 田中 保宣, 黒木 伸一郎, 大島 武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会第 9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Effects of MOS charges on roll-off characteristics of 4H-SiC short channel n/p MOSFETs2022

    • 著者名/発表者名
      Takuma Shima, Tomonori Maeda, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Operating Characteristics of 4H-SiC 3T/4T- Active Pixel Sensors2022

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohsima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] 4H-SiC CMOS SRAM のノイズマージン評価2022

    • 著者名/発表者名
      甲斐 陶弥, 児島 一聡, 大島 武, 田中 保宣, 黒木 伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会第 9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Coverage Enhancement of Si-SOI/4H-SiC Wafer Direct Bonding by SiO2 insertion2022

    • 著者名/発表者名
      Kazuya Kawamura, Tatsuya Meguro, Masayuki Tsutsumi, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] SiC MOSFET 集積回路の高温動作とSiC/金属界面信頼性2022

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎, Vuong Van Cuong,志摩 拓真,甲斐 陶弥,目黒 達也
    • 学会等名
      公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回 個別討論会「高温動作集積回路開発の現状と課題」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Impact of conductivity type of vanadium doped 4H-SiC epilayer on semi-insulating characteristics2022

    • 著者名/発表者名
      Kazutoshi Kojima Shinichiro Sato, Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] 4H-SiC 半絶縁基板を用いた Well-less MOSFET の p/n channel 動作2022

    • 著者名/発表者名
      甲斐 陶弥、児島 一聡、大島 武、田中 保宣、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2022年第83回応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発2021

    • 著者名/発表者名
      大島 武, 武山 昭憲、牧野 高紘、黒木 伸一郎、田中 保宣
    • 学会等名
      2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム 「福島第1原発廃炉と福島復興 -応用物理学会の会員として,私たちに何ができるか- 」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] エピタキシャル成長による4H-SiC CMOS Well形成2021

    • 著者名/発表者名
      甲斐 陶弥 , 児島一聡, 志摩 拓真, 大島 武, 田中 保宣, 黒木 伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第8回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎, 目黒達也,西垣内健汰,武山昭憲,牧野高紘,大島武,田中保宣
    • 学会等名
      応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第19回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] シリコンカーバイド(SiC)極限環境エレクトロニクスの研究開発:原子炉廃炉対応から医療応用まで2021

    • 著者名/発表者名
      黒木 伸一郎, 目黒 達也, Vuong Van Cuong, 武山 昭憲, 牧野 高紘, 大島 武,田中 保宣
    • 学会等名
      文部科学省 共同利用・共同研究拠点 生体医歯工学共同研究拠点 令和2年度成果報告会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021

    • 著者名/発表者名
      黒木 伸一郎, 目黒 達也, 西垣内 健汰, 武山 昭憲, 牧野 高紘, 大島 武,田中 保宣
    • 学会等名
      公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第 19 回研究会 「ワイドバンドギャップ半導体を用いた極限環境エレクトロニクス」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] エピタキシャル成長による n/p ウェル構造を用いた 4H-SiC CMOS インバータの特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      志摩拓真, 甲斐陶弥, 児島一聡, 田中保宣, 大島武, 黒木伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第8回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] SiC極限環境エレクトロニクスの研究開発:原子炉廃炉対応から宇宙・医療応用まで2021

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      第二回 電子情報通信学会支部CoEシンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] Improve High-Temperature Reliability at 500℃ of Ni/Nb/4H-SiC Ohmic Contact with CF4:O2 Surface Treatment2021

    • 著者名/発表者名
      Cuong Van Vuong, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Tetsuya Meguro, Tadashi Sato, Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素プロセス2020

    • 著者名/発表者名
      目黒 達也,武山 昭憲,大島 武,田中 保宣,黒木 伸一郎
    • 学会等名
      公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第 7回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響2020

    • 著者名/発表者名
      武山 昭憲,清水 奎吾, 牧野 高紘, 山崎 雄一, 大島 武, 黒木 伸一郎, 田中 保宣
    • 学会等名
      公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第 7回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] 4H-SiC 短チャネル n/p MOSFETs における閾値の評価2020

    • 著者名/発表者名
      志摩 拓真,前田 智徳 ,石川 誠治,瀬崎 洋,牧野 高紘, 大島 武, 黒木 伸一郎
    • 学会等名
      公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第 7回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00252
  • [学会発表] SiC 半導体による極限環境エレクトロニクス構築2020

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      (公財)科学技術交流財団 第 3 回「厳環境下 IoT 向け 3C-SiC 技術研究会」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] イオン注入角制御による 4H-SiC Trench MOSFETs のしきい値制御2019

    • 著者名/発表者名
      岡田 智徳, 井上 純, 西山 文隆, 瀬崎 洋, 黒木 伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Thickness Dependences on Interfacial Properties of SiO2/BaO2 layers on 4H-SiC (0001)2019

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Muraoka, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 耐放射線UVイメージセンサのためのフル4H-SiC画素デバイス2019

    • 著者名/発表者名
      西垣内 健汰、目黒 達也、武山 昭憲、大島 武、田中 保宣、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Pixel Array Integration with SOI-Si photodiode and 4H-SiC MOSFETs for Radiation-Hardened image sensors2019

    • 著者名/発表者名
      Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] イオン注入角制御による4H-SiC基板へのイオン注入高精度化2019

    • 著者名/発表者名
      岡田 智徳、井上 純、西山 文隆、瀬崎 洋、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Thermal Reliability of 4H-SiC Devices and Integrated Circuits Based on 4H-SiC MOSFET at 400℃2019

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Kousuke Muraoka, Tetsuya Meguro, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2019)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 耐放射線 UV イメージセンサのためのフル 4H-SiC 画素デバイス2019

    • 著者名/発表者名
      西垣内 健汰,目黒 達也,武山 昭憲,大島 武,田中 保宣,黒木 伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] SiC による耐放射線エレクトロニクス技術開発2019

    • 著者名/発表者名
      田中 保宣,清水 奎吾,小野田 忍,武山 昭憲,牧野 高紘,大島 武, 目黒 達也,黒木 伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Suppression of Ion Channeling Effects in 4H-SiC Substrate by Tilt Angle Control of Ion Implantation2019

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Okada, Jun Inoue, Fumitaka Nishiyama, Hiroshi Sezaki, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] NVESTIGATION OF CF4:O2 SURFACE ETCHING IN Ni/Nb OHMIC CONTACT ON 4H-SiC FOR HARSH ENVIRONMENT ELECTRONICS2019

    • 著者名/発表者名
      Abhinav Bhansali, Vuong Van Cuong, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第14回研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Pixel Array Integration with SOI-Si photodiode and 4H-SiC MOSFETs for Radiation-Hardened image sensors2019

    • 著者名/発表者名
      Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 4H-SiC Pixel Device with UV Photodiode and MOSFETs for Radiation-Hardened UV Image Sensors2019

    • 著者名/発表者名
      Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果2019

    • 著者名/発表者名
      武山 昭憲、清水 奎吾、牧野 高紘、山﨑 雄一、大島 武、黒木 伸一郎、田中 保宣
    • 学会等名
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 耐放射線イメージセンサのための 4H-SiC/SOI 基板貼り合わせ技術2019

    • 著者名/発表者名
      長谷部史明,目黒達也,武山昭憲,大島武,田中保宣,黒木伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 4H-SiC CMOS論理回路作製に向けたBOSCHプロセスによるSiCディープエッチング2019

    • 著者名/発表者名
      森本 剣偲郎、村岡 幸輔、児島 一聡、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 耐放射線イメージセンサに向けた SOI-Si/4H-SiC 画素集積化プロセス2019

    • 著者名/発表者名
      目黒 達也,長谷部 史明,武山 昭憲,大島 武,田中 保宣,黒木 伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素集積化プロセス2019

    • 著者名/発表者名
      目黒 達也、長谷部 史明、武山 昭憲、大島 武、田中 保宣、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Characterization of 4H-SiC MOS Capacitors with Different Metal Gates after 400°C High-Temperature Aging Tests2019

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 4H-SiC Pixel Device for UV Image Sensors2019

    • 著者名/発表者名
      Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Radiation hardness of 4H-SiC JFETs in MGy dose ranges,” The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)2019

    • 著者名/発表者名
      A. Takeyama, K. Shimizu, T. Makino, Y. Yamazaki, S. Kuroki, Y. Tanaka, T. Ohshima
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] SiC-NMOSFETs におけるガンマ線誘起移動度増加現象とその増加機構2019

    • 著者名/発表者名
      村岡幸輔,瀬崎洋,石川誠治,前田知徳,牧野高紘,大島武,黒木伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] ノーマリーオフ型 4H-SiC JFET のガンマ線耐性2019

    • 著者名/発表者名
      武山 昭憲,清水 奎吾,牧野 高紘,山﨑 雄一,大島 武,黒木 伸一郎,田中 保宣
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 短チャネル SiC nMOSFET の温度特性評価2019

    • 著者名/発表者名
      石井友康,瀬崎洋,石川誠治,前田智徳,牧野高紘,大島武, 黒木伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] High Temperature Reliability of 4H-SiC Devices and Single Stage 4H-SiC MOSFET Amplifier at 400℃2019

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Kousuke Muraoka, Tetsuya Meguro, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Suppression of Ion Channeling Effects in 4H-SiC Substrate by Tilt Angle Control of Ion Implantation2019

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Okada, Jun Inoue, Fumitaka Nishiyama, Hiroshi Sezaki, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Approach to realizing radiation-hardened devices2018

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      Fukushima Research Conference“Radiation Hardness and Smartness in Remote Technology for Nuclear Decommissioning” Organized by CLADS/JAEA
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] SiC極限環境エレクトロニクスと放射光による薄膜・界面状態分析2018

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      SPring-8次世代先端デバイス研究会(第6回)/第32回SPring-8先端利用技術ワークショップ
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Direct Bonding of 4H-SiC and SOI Wafers for Radiation-Hardened Image Sensors2018

    • 著者名/発表者名
      Fumiaki Hasebe, Tatsuya Meguro, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 4H-SiC Trench MOSFETs による短チャネル効果の抑制効果2018

    • 著者名/発表者名
      石井 友康、黒木 伸一郎、瀬崎 洋、石川 誠治、前田 智徳、牧野 高紘、大島 武、Mikael Ostling 、Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters2018

    • 著者名/発表者名
      J. Inoue, S-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T Ohshima, M. Ostling, and C-M. Zetterling
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Short-channel 4H-SiC trench MOSFETs for harsh environment electronics2018

    • 著者名/発表者名
      T. Ishii, S.-I. Kuroki, H. Sezaki, S. Ishikawa, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      Fukushima Research Conference“Radiation Hardness and Smartness in Remote Technology for Nuclear Decommissioning” Organized by CLADS/JAEA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 極限環境応用に向けた4H-Si C上Ni /Nbオーミックコンタクトの高温信頼性2018

    • 著者名/発表者名
      ヴォーン ヴァン クォン、石川 誠治、瀬崎 洋、前田 知徳、小金澤 智之、安野 聡、宮崎 孝道、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] Characterization of Ba-introduced thin gate oxide on 4H-SiC2018

    • 著者名/発表者名
      K. Muraoka, S. Ishikawa, H. Sezaki, T. Maeda, S.-I. Kuroki
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] (チュートリアル講演)パワーエレクトロニクスと ワイドバンドギャップ半導体2018

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 高周波CMOSインバータに向けた4H-Si CトレンチpMOSFETsの研究2018

    • 著者名/発表者名
      井上 純、黒木 伸一郎、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、牧野 高紘、大島 武、Mikael Ostling、Carl -Mikael Zetterling
    • 学会等名
      2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs2018

    • 著者名/発表者名
      T. Ishii, S.-I. Kuroki, H. Sezaki, S. Ishikawa, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Radiation Hardened Silicon Carbide Electronics2018

    • 著者名/発表者名
      K. Muraoka, S. Ishikawa, H. Sezaki, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, S.-I. Kuroki
    • 学会等名
      Fukushima Research Conference“Radiation Hardness and Smartness in Remote Technology for Nuclear Decommissioning” Organized by CLADS/JAEA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Effects of High Gamma-Ray Radiation on 3C-SiC nMOSFETs2018

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Kohei Nagano, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, and Yasunori Tanaka
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Optimization of Ni/Nb Ratio for High-Temperature-Reliable Ni/Nb Silicide Ohmic Contact on 4H-SiC2018

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, Satoshi Yasuno, Tomoyuki Koganezawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 4H-SiC nMOSFETs における表面CF4エッチングの効果2018

    • 著者名/発表者名
      小早川 貴一、村岡 幸輔、瀬崎 洋、石川 誠治、前田 知徳、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Research on 4H-SiC pMOSFETs with NbNi silicide2017

    • 著者名/発表者名
      Jun Kajihara, Shin-Ichiro Kuroki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki,Takamaro Kikkawa, Takahiro Makino, Takeshi Oshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      The 64th JSAP Spring Meeting
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics2017

    • 著者名/発表者名
      T. Kurose, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics2017

    • 著者名/発表者名
      T. Kurose, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC pMOSFETsの高温特性及びガンマ線曝露効果2017

    • 著者名/発表者名
      梶原純, 黒木伸一郎, 瀬崎洋, 石川誠治,前田知徳, 牧野高紘, 大島武, Mikael Ostling, and Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 極限環境エレクトロニクスのための4H-SiC nMOSFETs セルフアラインプロセス2017

    • 著者名/発表者名
      黒瀬 達也、黒木 伸一郎、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、牧野 高紘、大島 武、Mikael Ostling、Carl -Mikael Zetterling
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] Electrical properties of Ti-Si-C Ohmic contact on ion-implanted n-type 4H-SiC C face2017

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Harsh Environment Electronics (Invited)2017

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      19th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Effects of CF4 surface etching on 4H-SiC MOS Capacitors2017

    • 著者名/発表者名
      K. Kobayakawa, K. Muraoka, H. Sezaki, S. Ishikawa,T. Maeda, and S.-I. Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts2017

    • 著者名/発表者名
      J. Kajihara, S-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Harsh Environment Electronics2017

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      IEEE Sweden(IEEE米国電気電子学会スウェーデン支部)
    • 発表場所
      Kista, Sweden
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts2017

    • 著者名/発表者名
      J. Kajihara, S-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 高周波CMOSインバータに向けた4H-SiCトレンチpMOSFETsの研究2017

    • 著者名/発表者名
      井上 純、黒木 伸一郎、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、牧野 高紘、大島 武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Research on 400°C Thermal Stability of Ni/Nb Ohmic Contacts on 4H-SiC For Harsh Environment Applications2017

    • 著者名/発表者名
      Vuong Van Cuong, Milantha De Silva, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Metal/SiO2/SiCバンドアライメントのゲート電極金属依存性2017

    • 著者名/発表者名
      安野 聡、小金澤 智之、村岡 幸輔、小早川 貴一、石川 誠治、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Correlation between field effect mobility and accumulation conductance at 4H-SiC MOS interface with barium2017

    • 著者名/発表者名
      K. Muraoka, S. Ishikawa, H. Sezaki, T. Maeda, and S.-I. Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Harsh Environment Electronics2017

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      19th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] Ti-Si-C Ohmic contact formation by laser annealing on n+ 4H-SiC C face2017

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The 64th JSAP Spring Meeting
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] Improvements of 4H-SiC MOS interface with barium2017

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Muraoka, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Takamaro Kikkawa, Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The 64th JSAP Spring Meeting
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 極限環境応用に向けた4H-SiC上Ni/Nbオーミックコンタクトの高温信頼性2017

    • 著者名/発表者名
      ヴォーン ヴァン クォン、石川 誠治、瀬崎 洋、前田 知徳、小金澤 智之、安野 聡、宮崎 孝道、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 極限環境エレクトロニクスのための4H-SiC nMOSFETs セルフアラインプロセス2017

    • 著者名/発表者名
      黒瀬 達也、黒木 伸一郎、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、牧野 高紘、大島 武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Effects of surface etching with CF4 on 4H-SiC MOS Capacitors2017

    • 著者名/発表者名
      Kiichi Kobayakawa, Kousuke Muraoka, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda,Takamaro Kikkawa, Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The 64th JSAP Spring Meeting
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線照射特性2017

    • 著者名/発表者名
      永野 耕平、目黒 達也、武山 昭憲、牧野 高紘、大島 武、田中 保宣、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Correlation between field effect mobility and accumulation conductance at 4H-SiC MOS interface with barium2017

    • 著者名/発表者名
      K. Muraoka, S. Ishikawa, H. Sezaki, T. Maeda, and S.-I. Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] Ba導入nMOSFETsに対するBTS試験およびガンマ線照射2017

    • 著者名/発表者名
      村岡幸輔,瀬崎洋,石川誠治,前田知徳,牧野高紘,大島武,黒木伸一郎
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 4H-SiC pMOSFETsの高温特性及びガンマ線曝露効果2017

    • 著者名/発表者名
      梶原純, 黒木伸一郎, 瀬崎洋, 石川誠治,前田知徳, 牧野高紘, 大島武, Mi kael Ostling, and Carl -Mikael Zetterling
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] Electrical properties of Ti-Si-C Ohmic contact on ion-implanted n-type 4H-SiC C face2017

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03253
  • [学会発表] 4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics2016

    • 著者名/発表者名
      S.-I. Kuroki, H. Nagatsuma, T. Kurose, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)
    • 発表場所
      Halkidiki, Greece
    • 年月日
      2016-09-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC nMOSFETによるPseudo-CMOS論理インバータの研究2016

    • 著者名/発表者名
      長妻 宏郁、黒木 伸一郎、黒瀬 達也、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、吉川 公麿、牧野 高紘、大島 武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京都・東工大 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Radiation-Hardened Electronics2016

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Hirofumi Nagatsuma, Tatsuya Kurose, Milantha De Silva, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Takamaro Kikkawa, Takahiro Makino, Takashi Ohshima, Mikael Ostling, and Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      International Workshop on Radiation Resistant Sensors and Related Technologies for Nuclear Power Plant Decommissioning (R2SRT2016)(廃炉に向けた耐放射線性センサー及び関連研究に関する国際ワークショップ)
    • 発表場所
      福島県いわき市
    • 年月日
      2016-04-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETs for power and harsh environment electronics2016

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro. Kuroki, Hirofumi Nagatsuma, Milantha De Silva, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Takamaro Kikkawa, Takahiro Makino, Takashi Ohshima, Mikael Ostling, and Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      Annual World Congress of Smart Materials 2016-Develop New Path of Smartness
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2016-03-04
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Enhanced-oxidation and interface modification on 4H-SiC(0001) substrate using alkaline earth metal2016

    • 著者名/発表者名
      K. Muraoka, H. Sezaki, S. Ishikawa, T. Maeda, T. Sato, T. Kikkawa and S-I. Kuroki
    • 学会等名
      11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)
    • 発表場所
      Halkidiki, Greece
    • 年月日
      2016-09-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] Low resistance Ni/Ti multilayer ohmic contact formation by Laser annealing on 4H-SiC C face2016

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The77th JSAP Autumn Meeting
    • 発表場所
      新潟市朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] アルカリ土類金属によるSi及び4H-SiCの増殖酸化2016

    • 著者名/発表者名
      村岡 幸輔、瀬崎 洋、石川 誠治、前田 智徳、吉川 公麿、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京都・東工大 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 4H-SiC nMOSFETsによる論理インバータ回路の研究2016

    • 著者名/発表者名
      黒瀬 達也、黒木 伸一郎、長妻 宏郁、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、吉川 公麿、牧野 高紘、大島 武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京都・東工大 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] レーザアニールによる4H-SiC C面上のTi-Si-Cオーミックコンタクトの形成2016

    • 著者名/発表者名
      ミランタ デシルワ、川崎 輝尚、吉川 公麿、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京都・東工大 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Low resistance Ti-Si-C ohmic contacts for 4H-SiC power devices using Laser annealing2016

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Teruhisa Kawasaki, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)
    • 発表場所
      Halkidiki, Greece
    • 年月日
      2016-09-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15KK0240
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Radiation-Hardened Electronics2016

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      International Workshop on Radiation Resistant Sensors and Related Technologies for Nuclear Power Plant Decommissioning 2016 (R2SRT2016, 廃炉に向けた耐放射線センサー及び関連研究に関するワークショップ)
    • 発表場所
      福島県・いわき市
    • 年月日
      2016-04-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] レーザアニールとカーボン侵入型金属による低抵抗SiCオーミック接触の形成2015

    • 著者名/発表者名
      ミランタ デシルワ、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、吉川 公麿、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋市・名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi silicide2015

    • 著者名/発表者名
      Hirofumi Nagatsuma, Shin-Ichiro Kuroki, Milantha De Silva, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Takamaro Kikkawa, Mikael Ostling and Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      International Workshop on Nanodevice Technologies 2015
    • 発表場所
      東広島市
    • 年月日
      2015-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Characterization of 4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi Silicide Contacts After High Gamma-Ray Radiation2015

    • 著者名/発表者名
      H. Nagatsuma, S-I. Kuroki, M. De Silva, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T, Kikkawa, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications(RASEDA2015、第11回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ)
    • 発表場所
      群馬県・桐生市桐生市・市民文化会館
    • 年月日
      2015-11-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] NbNiシリサイドコンタクト4H-SiC nMOSFETsの高ガンマ線照射後及び高温時の動作特性2015

    • 著者名/発表者名
      長妻 宏郁、黒木 伸一郎、Milantha De Silva、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、吉川 公麿、牧野 高紘、大島 武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第2回講演会
    • 発表場所
      大阪市・大阪国際交流センター
    • 年月日
      2015-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 極限環境4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究2015

    • 著者名/発表者名
      赤瀬 光、Milantha de Silva、長妻 宏都、吉川 公麿、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
    • 発表場所
      徳島市・徳島大 常三島キャンパス
    • 年月日
      2015-08-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts2015

    • 著者名/発表者名
      H. Nagatsuma, S-I. Kuroki, M. De Silva, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T, Kikkawa, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015(ICSCRM2015, シリコンカーバイト及び関連材料に関する国際会議)
    • 発表場所
      Giardini Naxos, Italy
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究2015

    • 著者名/発表者名
      赤瀬 光、石川 誠治、前田 知徳、瀬崎 洋、Milantha de Silva、長妻 宏都、吉川 公麿、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋市・名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Characterization of 4H-SiC nMOSFETs in Harsh Environments; High-Temperature and High Gamma-Ray Radiation2015

    • 著者名/発表者名
      S-I. Kuroki, H. Nagatsuma, M. De Silva, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015(ICSCRM2015, シリコンカーバイト及び関連材料に関する国際会議)
    • 発表場所
      Giardini Naxos, Italy
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Low Resistance Ohmic Contact Formation for SiC Schottky Barrier Diode2015

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Shin-Ichiro Kuroki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, and Takamaro Kikkawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nanodevice Technologies 2015
    • 発表場所
      東広島市
    • 年月日
      2015-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 炭素侵入型金属とレーザアニールを用いた4H-SiCパワーデバイスのための低抵抗オーミック抵抗の形成2015

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva、石川 誠治、吉川 公麿、黒木 伸一郎
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第2回講演会
    • 発表場所
      大阪市・大阪国際交流センター
    • 年月日
      2015-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Low resistance ohmic contact formation on 4H-SiC c-face with NbNi silicidation using nano-second laser annealing2015

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva, Seiji Ishikawa, Takamaro Kikkawa, and Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015(ICSCRM2015, シリコンカーバイト及び関連材料に関する国際会議)
    • 発表場所
      Giardini Naxos, Italy
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETsによる極限環境エレクトロニクスへの展開2015

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎、長妻宏郁、Milantha De Silva, 石川誠治、前田知徳、 瀬崎洋、 吉川公麿、 牧野高紘、 大島武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会 第12回研究集会
    • 発表場所
      京都市・龍谷大学響都ホール校友会館
    • 年月日
      2015-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Characterization of Poly-Si TFTs with Highly Bi-Axially Oriented Poly-Si Thin Films Using DLB Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization2014

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Masayuki Yamano, Tadashi Sato, Nobuhiro Hata, Koji Kotani, and Takamaro Kikkawa
    • 学会等名
      2014 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] Characterization of Poly-Si TFTs with Highly Bi-Axially Oriented Poly-Si Thin Films Using DLB Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization2014

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Masayuki Yamano, Tadashi Sato, Nobuhiro Hata, Koji Kotani, and Takamaro Kikkawa
    • 学会等名
      2014 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      アメリカ・サンフランシスコ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] TFTオフリーク電流低減のためのオゾンラジカル処理の研究2014

    • 著者名/発表者名
      平田達誠,黒木伸一郎,山野真幸,佐藤旦,小谷光司,吉川公麿
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化による高性能poly-Si TFT2014

    • 著者名/発表者名
      山野真幸,黒木伸一郎,佐藤旦,小谷光司,吉川公麿
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 発表場所
      沖縄青年会館(那覇市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] ダブルラインビーム連続発振レーザ結晶化を用いたpoly-Si TFTにおけるオフリーク電流特性2014

    • 著者名/発表者名
      山野真幸,黒木伸一郎,佐藤旦,小谷光司,吉川公麿
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] Leakage Current Reduction of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Using Sacrificial Oxidation2014

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Takamaro Kikkawa
    • 学会等名
      2014 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] High performance poly-Si Thin Film Transistor with One-dimensionally Long Si Grains Using DLB Continuous-wave Laser Lateral Crystallization2013

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Yamano, Shin-Ichiro Kuroki, Tadashi Sato, and Koji Kotani
    • 学会等名
      The proceedings of The Twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD13)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2013-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] DLB-CLC poly-Si結晶化におけるレーザ照射オーバラップの効果2013

    • 著者名/発表者名
      山野 真幸,黒木 伸一郎,佐藤 旦,秦 信宏, 小谷光司, 吉川公麿
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] 部分的アモルファス化によるn+ 4H-SiC上のNiシリサイド・オーミック抵抗のTLMパターン依存性2013

    • 著者名/発表者名
      Milantha de Silva,黒木 伸一郎, 佐藤 旦, 吉川 公麿
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府京田辺市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Low Ohmic Contact Formation of Ni Silicide on Partially Si Ion Implanted n+ 4H-SiC2013

    • 著者名/発表者名
      Milantha de Silva, Tadashi Sato, Shin-Ichiro Kuroki and Takamaro Kikkawa
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
    • 発表場所
      宮崎県宮崎市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 3軸結晶配向巨大線状Si 結晶グレインを用いた高性能poly-Si 薄膜トランジスタ2013

    • 著者名/発表者名
      山野真幸, 黒木伸一郎, 佐藤旦, 小谷光司
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第10回研究集会
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] High performance poly-Si Thin Film Transistor with One-dimensionally Long Si Grains Using DLB Continuous-wave Laser Lateral Crystallization2013

    • 著者名/発表者名
      Masayuki Yamano, Shin-Ichiro Kuroki, Tadashi Sato, and Koji Kotani
    • 学会等名
      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD13)
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT2012

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      那覇市
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] Bi-Axially Orientation-Controlled Si Thin Films on Glass Substrates by Double-Line Beam CW Laser Annealing2011

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Yuya Kawasaki, Shuntaro Fujii, Koji Kotani, and Takashi Ito
    • 学会等名
      VIth Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Materials
    • 発表場所
      Spain
    • 年月日
      2011-01-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] Alignment of In-plane Crystallographic Grain Orientations in Polycrystalline Si Films by Normal and Oblique-Angle Ion-Implantations2011

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima, Shin-Ichiro Kuroki, Shuntaro Fujii, and Takashi Ito
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2011-09-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] Crystal Growth of Highly Biaxially-Oriented Poly-Si Thin Films by W-Line Beam Continuous Wave Laser Lateral Crystallization2011

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki
    • 学会等名
      The 18th International Workshop on Active Matrix Flat Panel Displays and Devices(招待講演)
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] レーザラテラル結晶化Poly-Si TFTにおける膜中歪みの効果2011

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎,川崎雄也,藤井俊太朗,小谷光司,伊藤隆司
    • 学会等名
      第8回薄膜材料デバイス研究会資料
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2011-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] レーザラテラル結晶化Poly-Si TFTにおける膜中歪みの効果2011

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会
    • 発表場所
      京都市
    • 年月日
      2011-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [学会発表] Crystal Growth of Highly Biaxially-Oriented Poly-Si Thin Films by W-Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization2011

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 学会等名
      The 18th International Workshop on Active Matrix Flat Panel Displays and Devices
    • 発表場所
      東京工業大学ディジタル多目的ホール(招待講演)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] Strain-Induced Back Channel Electron Mobility Enhancement in Poly-Si TFTs Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization2010

    • 著者名/発表者名
      Suntaro Fujii, Shin-Ichiro Kuroki, Koji Kotani, and Takashi Ito
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] One-dimensionally Long Silicon Grain Formation by Continuous-Wave Green Laser and Its Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Shuntaro Fujii, Jiang Jun, Masaki Midorikawa, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 学会等名
      International Thin-Film Transistor Conference 2010
    • 発表場所
      姫路市
    • 年月日
      2010-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Enlargement of Crystal-Grains in Thin Silicon Films Using Continuous Wave Laser Irradiation2010

    • 著者名/発表者名
      Suntaro Fujii, Shin-Ichiro Kuroki, Koji Kotani, and Takashi Ito
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] ダブルラインビームCLCによる3軸配向性の高いPoly-Si薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      第7回薄膜材料デバイス研究会
    • 発表場所
      奈良
    • 年月日
      2010-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] 高性能LTPS-TFT のためのDouble-Line-Beam CLC による高結晶配向Poly-Si 薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会SDM研究会
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2010-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] 石英基板上に作製したVth可変ラテラル結晶化poly-Si TFT2010

    • 著者名/発表者名
      藤井俊太朗,黒木伸一郎,小谷光司,伊藤隆司
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会講演会
    • 発表場所
      平塚
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] One-dimensionally Long Silicon Grain Formation by Continuous-Wave Green Laser and Its Applications2010

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 学会等名
      International Thin-Film Transistor Conference 2010
    • 発表場所
      イーグレ姫路、姫路市
    • 年月日
      2010-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] ダブルラインビームCLCによる3軸配向性の高いPoly Si薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎,川崎雄也,藤井俊太朗,小谷光司,伊藤隆司
    • 学会等名
      第7回薄膜材料デバイス研究会
    • 発表場所
      奈良
    • 年月日
      2010-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎,川崎雄也,藤井俊太朗,小谷光司,伊藤隆司
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2010-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] One-dimensionally Long Silicon Grain Formation by Continuous-Wave Green Laser and Its Applications2010

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 学会等名
      International Thin-Film Transistor Conference 2010
    • 発表場所
      イーグレ姫路、姫路市
    • 年月日
      2010-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Continuous manipulation of micro particles by Use of dielectrophoresis using asymmetric electrodes array2010

    • 著者名/発表者名
      Masaki Midorikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 学会等名
      5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2010-02-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] The Drivability Enhancement of Poly-Si TFTs by use of Nanograting Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Xiaoli Zhu, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 学会等名
      the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] The Drivability Enhancement of Poly-Si TFTs by use of Nanograting Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Xiaoli Zhu, Koji Kotani, and Takashi Ito
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2009-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] Continuous Manipulation of Micro Particles by Use of Asymmetric Electrodes Array2009

    • 著者名/発表者名
      Masaki Midorikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Daiki Obara, K. Kotani, T. Ito
    • 学会等名
      the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] CWレーザ多重回照射によるシリコン薄膜の(100)結晶は配向性向上2009

    • 著者名/発表者名
      岩田英範, 藤井俊太朗、黒木伸一郎, 小谷光司, 伊藤隆司
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] CWレーザー多重回照射によるシリコン薄膜の(100)結晶配向性向上2009

    • 著者名/発表者名
      岩田英範、黒木伸一郎、藤井俊太朗、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会講演会
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] 非対称電極を用いたマイクロビーズの連続的操作2009

    • 著者名/発表者名
      緑川真己、黒木伸一郎、小原大輝、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会講演会
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Cap SiO2薄膜によるラテラル結晶化Poly-Si薄膜のラフネス低減2009

    • 著者名/発表者名
      藤井俊太朗、黒木伸一郎、岩田英範、沼田雅之、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会講演会
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Highly-(001)-Oriented Ferroelectric PZT Thin Films on Glass by CW Green-Laser Crystallization2009

    • 著者名/発表者名
      Jun Jiang, Shin-Ichiro Kuroki, Koji Kotani, Takashi Ito
    • 学会等名
      the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] The Drivability Enhancement of Poly-Si TFTs by use of Nanograting Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 学会等名
      The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      仙台国際ホテル、仙台市
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Cap SiO2薄膜によるラテラル結晶化Poly-Si薄膜のラフネス低減2009

    • 著者名/発表者名
      藤井俊太朗、黒木伸一郎, 小谷光司, 伊藤隆司
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] CLC poly-Si TFTのキャリア輸送メカニズムの解析2009

    • 著者名/発表者名
      藤井俊太朗、黒木伸一郎, 小谷光司, 伊藤隆司
    • 学会等名
      第69回応用物理学会 学術講演会
    • 年月日
      2009-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] The Drivability Enhancement of Poly-Si TFTs by use of Nanograting Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 学会等名
      The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      仙台国際ホテル、仙台市
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] エタノール添加スラリーを用いたCWレーザ結晶化Si薄膜のCMP2008

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会
    • 発表場所
      なら100年会館、奈良市
    • 年月日
      2008-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] Carrier Transport Mechanism in Poly-Si TFTs with One-Dimensionaly Long Grains2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 年月日
      2008-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] エタノール添加CMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化2008

    • 著者名/発表者名
      雅之、黒木伸一郎、藤井俊太朗、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      第55回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      船橋市
    • 年月日
      2008-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Research on Poly-Si TFTs with One-dimensionally long grains formed by CW laser lateral crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      Xiaoli Zhu, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 学会等名
      SOIM-GCOE08
    • 年月日
      2008-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] Roughness Reduction Technique for High Performance Poly-Si TFTs by CW Laser Lateral Crystallization with Cap SiO2 Thin Films2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, M. Numata, K. Kotani, T. Ito
    • 学会等名
      the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2008-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Carrier Transport Mechanism in Poly-Si TFTs with One-Dimensionally Long Grains2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, X. Zhu, M. Numata, K. Kotani, T. Ito
    • 学会等名
      the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2008-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Crystallinity and Internal Strain of One-Dimensionally Long Si Grains by CW Laser Lateral Crystalli- zation2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, K. Kotani, andT. Ito
    • 学会等名
      214^<th>ECS Meeting
    • 年月日
      2008-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] CLC poly-Si TFTの電界効果電子移動度2008

    • 著者名/発表者名
      藤井俊太朗、黒木伸一郎、朱小莉、田主裕一朗、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会講演会
    • 発表場所
      船橋市
    • 年月日
      2008-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Research on High Performance Poly-Si TFTs with One-dimensionally long grain and reduced surface roughness2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 学会等名
      SOIM-GCOE08
    • 年月日
      2008-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] エタノール添加スラリーを用いたCWレーザ結晶化Si薄膜のCMP2008

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎, 沼田雅之, 藤井俊太朗, 小谷光司, 伊藤隆司
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会 第5回研究集会
    • 年月日
      2008-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化2008

    • 著者名/発表者名
      沼田雅之、黒木伸一郎、藤井俊太朗、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      電子情報通信学会SDM研究会
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] CLC poly-Si TFTのキャリア輸送メカニズムの解析2008

    • 著者名/発表者名
      藤井俊太朗、黒木伸一郎、朱小莉、沼田雅之、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会講演会
    • 発表場所
      春日井市
    • 年月日
      2008-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] エタノール添加スラリーを用いたCWレーザ結晶化Si薄膜のCMP2008

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎、沼田雅之、藤井俊太朗、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会
    • 発表場所
      奈良市
    • 年月日
      2008-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化2008

    • 著者名/発表者名
      沼田雅之, 藤井俊太朗、黒木伸一郎, 小谷光司, 伊藤隆司
    • 学会等名
      電子情報通信学会SDM研 究会
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] Roughness Reduction Technique for High Performance Poly-Si TFTs by CW Laser Lateral Crystallization with Cap SiO_2 Thin Films2008

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 年月日
      2008-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] 連続波グリーンレーザ再結晶化Si薄膜における結晶性と歪み2007

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎、藤井俊太朗、朱小莉、沼田雅之、小谷光司、伊藤隆司
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会
    • 発表場所
      京都市
    • 年月日
      2007-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] 連続波グリーンレーザ再結晶化Si薄膜における結晶性と歪み2007

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会
    • 発表場所
      龍谷大学
    • 年月日
      2007-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] 連続波レーザ結晶化Si薄膜のCMP研磨特性2007

    • 著者名/発表者名
      沼田雅之, 藤井俊太朗、黒木伸一郎, 小谷光司, 伊藤隆司
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 年月日
      2007-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] ラテラル結晶化Si薄膜におけるイオンチャネリング効果と固相 結晶化2007

    • 著者名/発表者名
      藤井俊太朗、黒木伸一郎, 小谷光司, 伊藤隆司
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 年月日
      2007-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] 連続波グリーンレーザ再結晶化Si薄膜における結晶性と歪み2007

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎, 藤井俊太朗, 小谷光司, 伊藤隆司
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会
    • 年月日
      2007-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] The Drivability Enhancement Mechanisms in Nano-grating MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Xiaoli Zhu, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] 連続波グリーンレーザ再結晶化Si薄膜における結晶性と歪み2007

    • 著者名/発表者名
      黒木伸一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会
    • 発表場所
      龍谷大学
    • 年月日
      2007-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] Lateral Recrystallized Si Thin Films with Large Tensile Strain for High Performance Thin Film Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] Lateral Recrystallized Si Thin Films with Large Tensile Strain for High Performance Thin Film Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      S. Fujii, S. Kuroki, Z. Xiaoli, M. Numata, K. Kotani, T. Ito
    • 学会等名
      the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19680022
  • [学会発表] Research on High-performance Nano-grating Si TFTs2007

    • 著者名/発表者名
      Xiaoli Zhu, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 学会等名
      The 1st Inter- national Symposium on Information Electronics Systems
    • 年月日
      2007-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] Advantages of Nano-Grating Si Substrates in CMOS-FET Characteristics2007

    • 著者名/発表者名
      Xiaoli Zhu, S. Kuroki, K. Kotani, and T. Ito
    • 学会等名
      212th ECS Meeting
    • 年月日
      2007-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360152
  • [学会発表] 4H-SiCドライ熱酸化膜への疎水化処理の効果

    • 著者名/発表者名
      佐藤 旦,黒木伸一郎,石川誠治, 前田知徳, 瀬崎 洋, 吉川公麿
    • 学会等名
      応用物理学会 先端パワー半導体分科会 第一回講演会
    • 発表場所
      名古屋市
    • 年月日
      2014-11-19 – 2014-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Leakage Current Reduction of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Using Sacrificial Oxidation

    • 著者名/発表者名
      Shin-Ichiro Kuroki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, and Takamaro Kikkawa
    • 学会等名
      2014 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2014-04-21 – 2014-04-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] 部分的アモルファス化によりオーミック抵抗の低減とSBD特性評価

    • 著者名/発表者名
      Milantha De Silva,黒木伸一郎,石川誠治, 前田知徳, 瀬崎 洋, 吉川公麿
    • 学会等名
      応用物理学会 先端パワー半導体分科会 第一回講演会
    • 発表場所
      名古屋市
    • 年月日
      2014-11-19 – 2014-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • [学会発表] Nb/Niシリサイドによる4H-SiCオーミックコンタクト電極の研究

    • 著者名/発表者名
      長妻宏郁,黒木伸一郎,MILANTHA DE SILVA,赤瀬光, 古林寛, 石川誠治,前田知徳, 瀬崎洋, 吉川公麿
    • 学会等名
      応用物理学会 先端パワー半導体分科会 第一回講演会
    • 発表場所
      名古屋市
    • 年月日
      2014-11-19 – 2014-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420331
  • 1.  大島 武 (50354949)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 67件
  • 2.  伊藤 隆司 (20374952)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 40件
  • 3.  小谷 光司 (20250699)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 34件
  • 4.  牧野 高紘 (80549668)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 39件
  • 5.  田中 保宣 (20357453)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 24件
  • 6.  児島 一聡 (40371041)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 10件
  • 7.  武山 昭憲 (50370424)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 18件
  • 8.  中島 安理 (70304459)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 9.  吉川 公麿 (60304458)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  小出 哲士 (30243596)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  有廣 光司 (70232064)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  波多野 睦子 (00417007)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  Zetterling Carl-Mikael
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 10件
  • 14.  Östling Mikael
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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