諏訪智之 SUWA Tomoyuki

研究者番号	70431541
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2023年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任准教授 2009年度 – 2014年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教 2007年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教 2006年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 工学 / 理工系 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者ビット不良評価 / 原子オーダ平坦化 / ストレス誘起リーク電流 / トンネル絶縁膜研究代表者以外自己整合的しきい値電圧制御 / MONOS構造トランジスタ / しきい値電圧制御 / MONOS型トランジスタ / しきい値電圧チューニング / 電荷注入 … もっと見る / MONOS / しきい値電圧ばらつき / ポリシリコン / 薄膜トランジスタ / 3次元構造 / シリサイド / ラフネス / 面方位 / プラズマプロセス / シリコン表面平坦化 / MOSトランジスタ / 半導体製造装置 / 半導体製造プロセス / LSI / MOSFET / シリコン / 光電子分光法 / シリコン窒化膜 / シリコン酸化膜 / 界面隠す

ポリイミド基板上に集積した多数TFTの自己整合的な特性ばらつき均一化技術の確立
- 研究代表者
  
  後藤哲也
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  公益財団法人国際科学振興財団
   東北大学
原子オーダ平坦な界面を有する３次元立体構造トランジスタの製造プロセスに関する研究
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2014
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  東北大学
超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
高品質・高信頼性絶縁膜の形成プロセスに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  諏訪智之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  若手研究(スタートアップ)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2023 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers2015
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Naoya Akagawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Toshiki Obara, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Yutaka Kamata, Yuki Kumagai, and Katsuhiko Shibusawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DA04-04DA04
- DOI
  10.7567/jjap.54.04da04
- NAID
  210000144951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010, KAKENHI-PROJECT-24360129, KAKENHI-PROJECT-26820121
[雑誌論文] Effect of Composition Ratio on Erbium Silicide Work Function on Different Morphology of Si(100) Surface Changed by Alkaline Etching2014
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Tanaka, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tsukasa Motoya, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 61 号: 3 ページ: 47-53
- DOI
  10.1149/06103.0047ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Flattening Technique of (551) Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma2014
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 61 号: 2 ページ: 401-407
- DOI
  10.1149/06102.0401ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010, KAKENHI-PROJECT-24360129
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on interfacial transition layer and oxidation-induced residual stress in Si (100) substrate near the interface2013
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Kohki Nagata, Atsushi Ogura, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, and Takeo Hattori
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 109 ページ: 197-199
- DOI
  10.1016/j.mee.2013.03.004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10 aA for 80 000 MOSFETs in 80 s2013
- 著者名/発表者名
  Takuya Inatsuka, Yuki Kumagai, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
  
  巻: 26 号: 3 ページ: 288-295
- DOI
  10.1109/tsm.2013.2260568
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species2013
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 3R ページ: 031302-031302
- DOI
  10.7567/jjap.52.031302
- NAID
  40019616826
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Influence of Forming Gas Annealing on SiO2/Si(100) Interface Structures Formed Utilizing Oxygen Molecules Different From That Utilizing Oxygen Radicals2012
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 45 ページ: 453-460
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Comprehensive Study on Chemical Structures of Compositional Transition Layer at SiO2/Si(100) Interface2012
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 50 ページ: 313-318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Clear Difference between the Chemical Structure of SiO_2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals versus Oxygen Molecules2011
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 35 ページ: 115-122
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals2010
- 著者名/発表者名
  T.Suwa, A.Teramoto, Y.Kumagai, K.Abe, X.Li, Y.Nakao, M.Yamamoto, Y.Kato, T.Muro, T.Kinoshita, T.Ohmi, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Letters
  
  巻: 96 ページ: 173103-173104
- NAID
  110008106358
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Atomically Flattening Technology at 850℃ for Si(100) Surface2010
- 著者名/発表者名
  X.Li, T.Suwa, A.Teramoto, R.Kuroda, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 28 ページ: 299-309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals2010
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, A. Teramoto, Y. Kumagai, K. Abe, X. Li, Y. Nakao, M. Yamamoto, Y. Kato, T. Muro, T. Kinoshita, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 96, No. 10
- NAID
  110008106358
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals2010
- 著者名/発表者名
  T.Suwa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.96
- NAID
  110008106358
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Atomically Flat Silicon Surface and Silicon /Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator-Silicon FETs2009
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, R. Hasebe, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices Vol. 56, No. 2
  
  ページ: 291-298
- NAID
  120002338863
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Complementary Metal-Oxide-Silicon Field-Effect-Transistors Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film/Silicon Interface2009
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, Y. Nakao, T. Suwa, M. Konda, R. Hasebe, X. Li, T. Isogai, H. Tanaka, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys vol. 48
- NAID
  210000066559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si_3N_4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals2008
- 著者名/発表者名
  T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Very Low Bit Error Rate in Flash Memory Using Tunnel Dielectrics Formed by Kr/O_2/NO Plasma Oxynitridation2007
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 2148-2152
- NAID
  10022545171
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860006
[雑誌論文] ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価2007
- 著者名/発表者名
  河瀬和雅, 梅田浩司, 井上真雄, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘
- 雑誌名
  
  真空 (日本真空協会) Vol. 50, No. 11
  
  ページ: 672-677
- NAID
  10020009875
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] MONOS 型低温ポリシリコン TFT におけるしきい値電圧制御2023
- 著者名/発表者名
  後藤哲也，諏訪智之，片山慶太, 西田脩, 池上浩, 須川成利
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04194
[学会発表] MONOS 型ポリシリコンTFT でのしきい値電圧制御に関する検討2023
- 著者名/発表者名
  後藤哲也，諏訪智之，須川成利
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04194
[学会発表] Threshold Voltage Control of LTPS TFTs with MONOS Structure2023
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, and Shigetoshi Sugawa
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04194
[学会発表] Characterization of MONOS-Type Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors2023
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, and Shigetoshi Sugawa
- 学会等名
  2023Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04194
[学会発表] Atomically Flattening of Si Surface of SOI and Isolation-patterned Wafers2014
- 著者名/発表者名
  T. Goto, R. Kuroda, N. Akagawa, T. Suwa, A. Teramoto, X. Li, S. Sugawa, T. Ohmi, Y. Kumagai, Y. Kamata, and K. Sibusawa
- 学会等名
  The 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, つくば
- 年月日
  2014-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] 応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演"Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species"2014
- 著者名/発表者名
  諏訪智之、寺本章伸、熊谷勇喜、阿部健一、李翔、中尾幸久、山本雅士、野平博司、室隆桂之、木下豊彦、須川成利、大見忠弘、服部健雄
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 札幌
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Flattening Technique of (551) Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma2014
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  225th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Hilton Orlando Bonnet Creek, Orlando, USA
- 年月日
  2014-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Effect of Composition Ratio on Erbium Silicide Work Function on Different Morphology of Si(100) Surface Changed by Alkaline Etching2014
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Tanaka, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tsukasa Motoya, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  225th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Hilton Orlando Bonnet Creek, Orlando, USA
- 年月日
  2014-05-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Detection of oxidation-induced compressive stress in Si (100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution2013
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, K. Nagata, H. Nohira, K. Nakajima, A. Teramoto, A. Ogura, K. Kimura, T. Muro, T. Kinoshita, S. Sugawa, T. Hattori, T. Ohmi
- 学会等名
  The 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2013-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Interfacial Transition Layer and Oxidation-Induced Residual Stress in Si (100) Substrate Near the Interface2013
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, A. Teramoto, K. Nagata, A. Ogura, T. Muro, T. Kinoshita, T. Ohmi, and T. Hattori
- 学会等名
  18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors"
- 発表場所
  Cracow, Poland
- 年月日
  2013-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Clear difference between the chemical structure of SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals and that formed using oxygen molecules2011
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 学会等名
  219th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 年月日
  2011-05-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Clear Difference between Chemical Structure of SiO_2/Si Interface Formed Using Oxygen Radicals and That Formed Using Oxygen Molecules2011
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 学会等名
  2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] High reliable SiO_2 Films on Atomically Flat Silicon Surface Formed by Low Temperature Pure Ar Annealing2011
- 著者名/発表者名
  X.Li, R.Kuroda, T.Suwa, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 学会等名
  2011 Interanational Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices : Science and Technology
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] 原子スケールで平坦なSiO_2/Si界面極近傍における歪評価2010
- 著者名/発表者名
  服部真季, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 小金澤智之, 廣沢一郎
- 学会等名
  応用物理学会、19p-P13-13
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] Study on Compositional Tran-sition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron2009
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2009)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] UV-Raman Spectroscopy Study on SiO_2/Si Interface2009
- 著者名/発表者名
  M. Hattori, T. Yoshida, D. Kosemura, A. Ogura, T. Suwa, A. Teramoto, T. Hattori, T. Ohmi
- 学会等名
  Symposium on Dielectric and Semiconductor Materials、Devices、and Processing、215th ECS Meeting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] Study on Compositional Tran- sition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron2009
- 著者名/発表者名
  T.Suwa
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Busan、Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] UVラマン分光法によるSiO_2/Si界面の評価2009
- 著者名/発表者名
  服部真季, 吉田哲也, 小瀬村大亮, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] シリコン表面の原子オーダー平坦化技術2007
- 著者名/発表者名
  諏訪智之
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2007-10-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860006
[学会発表] Dependence of chemical structures of transition layer at SiO2/Si(100) interface on oxidation temperature, annealing in forming gas, and oxidizing species
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 学会等名
  2012 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Comprehensive Study on Chemical Structures of Compositional Transition Layer at SiO2/Si(100) Interface
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 学会等名
  222th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Changes in SiO2/Si(100) Interface Structure Induced by Forming Gas Annealing
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa
- 学会等名
  221th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Seattle, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010

1. 後藤哲也 (00359556)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
2. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
3. 木村健二 (50127073)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 中嶋薫 (80293885)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
6. 寺本章伸 (80359554)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
7. 木下豊彦 (60202040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
8. 大見忠弘 (20016463)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 14件
9. 平山昌樹 (70250701)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

諏訪 智之 SUWA Tomoyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

ポリイミド基板上に集積した多数TFTの自己整合的な特性ばらつき均一化技術の確立

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

原子オーダ平坦な界面を有する３次元立体構造トランジスタの製造プロセスに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質・高信頼性絶縁膜の形成プロセスに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Effect of Composition Ratio on Erbium Silicide Work Function on Different Morphology of Si(100) Surface Changed by Alkaline Etching2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Flattening Technique of (551) Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on interfacial transition layer and oxidation-induced residual stress in Si (100) substrate near the interface2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10 aA for 80 000 MOSFETs in 80 s2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Influence of Forming Gas Annealing on SiO2/Si(100) Interface Structures Formed Utilizing Oxygen Molecules Different From That Utilizing Oxygen Radicals2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Comprehensive Study on Chemical Structures of Compositional Transition Layer at SiO2/Si(100) Interface2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Clear Difference between the Chemical Structure of SiO_2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals versus Oxygen Molecules2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Atomically Flattening Technology at 850℃ for Si(100) Surface2010

著者名/発表者名

雑誌名

諏訪智之 SUWA Tomoyuki