大見忠弘 OHMI Tadahiro

研究者番号	20016463
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度 – 2014年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 名誉教授 2010年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 2006年度 – 2008年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 1998年度 – 2004年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 2002年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 客員教授 … もっと見る 2000年度: 未来科学技術共同研究センター, 教授 1997年度: 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 1987年度 – 1997年度: 東北大学, 工学部, 教授 1986年度: 東北大, 工学部, 教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 理工系 / 工学 / 理工系 / 電子デバイス・機器工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 複合集積システム / 理工系
キーワード	研究代表者 LSI / SOI / 超高速LSI / 銅配線 / 知的電子システム / 低エネルギイオン照射 / プラズマプロセス / MOSFET / スパッタリング / 1 … もっと見る / BED / CVD / システムオンチップ / 陽極化成 / 気体分離配線 / microwave plasma / マイクロ波プラズマ / プロセス / 半導体プロセス / シリコン集積回路 / GSI / CMOS / 金属基板 / 超高密度LSI / 半導体製造プロセス / シリコン / 酸化 / 半導体 / 半導体製造装置 / 超LSI / 低温プロセス / Ultralarge scale integration / Aluminum interconnect / Copper interconnect / Low energy ion bombardment / Silicon epitaxy / Low temperature processing / Sputtering / 薄膜形成 / 二周波励起 / RFバイアス / 静電チャック / エピタキシャルシリコン / 低温エピタキシャル成長 / Al配線 / Cu配線 / シリコンエピタキシャル成長 / SPUTTERING / COPPER METALLIZATION / ALUMINUM METALLIZATION / INTERCONNECTS / ULTRA HIGH SPEED LSI / ショットキダイオード / スパッタ成膜 / 金属薄膜のエピタキシャル成長 / エピタキシャル成長 / アルミニウム配線 / LSI用配線技術 / Copper / Aluminum / Very large scale Integration / Interconnect / 銅薄膜 / アルミニウム薄膜 / バイアススパッタ / 純金属配線 / Microwave-excited high-density plasma / Channel mobility / System LSI / Room Temperature 5 step Cleaning / f noise / Balanced-CMOS / Si_3N_4 gate insulator / Si(110)surface / Si(110) / マイクロ波励起高密度プラズマ / チャネル移動度 / システムLSI / 室温5工程洗浄 / fノイズ / Balanced-CMOS集積回路 / Si_3N_4ゲート絶縁膜 / Si(110)面 / back pump / gas distribution system / plasma process / step-by-step investment / profitable mini-line / エッチング / 半導体生産 / クラスターツール / シャワープレート / RLSA / バックポンプ / ガス供給システム / 段階投資 / 小規模生産ライン / low frequency noise / trap level / interface / mutual conductance / gas-isolated-interconnects / Ta metal gate / 無水HF / BPSG / 低周波ノイズ / トラップ準位 / 界面 / FD-SOI MOSFET / 相互コンダクタンス / Ta メタルゲート / LSI Design / Real-Time Processing / Face Recognition / Image Compression / Codebook Spectrum / Vector Quantization / チャネル多重 / 話者認識 / 顔認識 / パケットSS-CDMA方式 / 近似同期CDMA方式 / フレキシブルワイヤレスネットワーク / 高精細静止画像圧縮 / 高精度トランジスタモデリング / SS-CDMAフレキシブルワイヤレスネットワーク / 高速情報処理 / LSI設計 / 実時間処理 / 顔画像認識 / 画像圧縮 / コードブック空間情報処理 / ベクトル量子化 / System on a Chip / Real-Time Processing System / Intelligent Electronic System / Image Information Processing / システムオンチッ / 電子デバイス・機器 / 超高速情報処理 / 知的情報処理 / 瞬時処理システム / 画像情報処理 / metal-substrate SOI / high-permittivity gate insulator / metal gate / gas isolated interconnect / エピタキシャル / 多孔質シリコン / シリサイド反応 / Xeプラズマ / ウルトラクリーンプロセス / 金属基板SOI / radial line slot antenna / nitridation / oxidation / electronic system / magnetron plasma / ultra clean / semiconductor processing / 高品質薄膜形成 / コンタミネーションフリー / 平行平板プラズマ / ラジアルラインスロットアンテナ / 窒化 / 電子システム / マグネトロンプラズマ / ウルトラクリーン / Tantalum / Amorphous silicon / Interconnection / Antifuse / High speed programming / Current-Drive Silicidation / 超高速書き込み / タンタル / アモルファスシリコン / 配線接続 / アンチヒューズ / 超高速書込み / 電流駆動シリサイド化反応 / Ultimate Material and Process / Intelligent Information Processing / Silicon Integrated Circuits / Intelligent electronic systems / 材料 / デバイス / 回路 / 集積回路 / シリコンテクノロジー / システム / マイクロエレクトロニクス / アーキテクチャ / 極限材料・プロセス / 知能情報処理 / NEURON-MOS / LOW POWER / INTELLIGENT ELECTRONIC SYSTEM / FOUR-TERMINAL DEVICE / 重心検出 / 動きベクトル検出 / ニューロンMOS / 低消費電力 / 四端子デバイス / threshold voltage / SOI MOSFET / copper interconnect / contact resistance / metal-substrate / high-permittivity gate-insulator / metal-gate / イオンビームミキシング / コンタクト / 高誘電体膜 / メタルゲートMOS / タンタルゲート / 低抵抗コンタクト / 高誘電率絶縁膜 / メタルゲート / SOIデバイス / 閾値 / SOIMOSEFT / コンタクト抵抗 / 高誘電率ゲート絶縁膜 / メタルゲート電極 / Self-Aligne Metal-Gate Mosfet / Ion Implantation / H_2-Plasma Cleaning / Low-Energy Ion Bombardment / Ultra Clean Technology / Metal-Silicon Contact / Low Temperature Processing / Ultra-High Speed Integrated Circuit / アウトガスフリ-レジストプロセス / 低エネルギイオンエッチング / 金属・半導体接合 / 自己整合金属ゲ-トMOSFET / ウルトラクリ-ンイオン注入 / NON ALLOYING CONTACT / 低エネルギイオン照射プロセス / エレクトロマイグレ-ション / 超高速配線 / Cu配線技術 / イオン注入層低温アニ-ル / メタルゲ-ト自己整合MOSFET / 3次元構造 / シリサイド / ラフネス / 面方位 / シリコン表面平坦化 / MOSトランジスタ / 半導体製造工学 / 半導体電子工学 / 集積化 / 知能エレクトロニクス / 水素ラジカル / 半導体プロセス装置 / ウルトラクリーンシステム / DRAMメモリセル / 超高真空技術 / プロセス装置技術 / 二周波励起プラズマ / 完全自動化ライン / ゲート酸化 / 静電気障害 / イオン注入 / ドライプロセス … もっと見る研究代表者以外ニューロンMOSトランジスタ / スパッタ成膜 / SiC / STNO / SOI / microwave plasma / ラジアルラインスロットアンテナ / シリコン窒化膜 / 強誘電体 / マイクロ波プラズマ / Neuron-MOS / 4端子デバイス / アナログ集積回路 / ニューロンMOS / イメージセンサ / EEPROM / プラズマCVD / 連想メモリ / ECR Plasma / ECRプラズマ / Neuron MOS Transistor / A / ゲート絶縁膜 / エッチング / 半導体プロセス / hillock-free / pure aluminum metalization / low temperature epitaxy / thin film formation / bias-sputtering / アルミ薄膜 / エピタキシャルシリコン / 低温エピタキシャル成長 / ヒロックフリー / Al薄膜 / 低エネルギイオン照射 / バイアススパッタ / epitaxial groth / low temperature process / carbon remaining / MOS structure / insulator film / microwave excited plasma / ラジカル酸化 / プロセス低温化 / エピタキシャル成長 / 低温プロセス / 残留炭素 / MOS / 絶縁膜 / シリコンカーバイト(SiC) / マイクロ波励起プラズマ / Semiconductor Manufacturing / Resist-residue Removal / Photo-Resist Stripping / プラズマアッシング / 気液混合 / フォトレジスト剥離 / レジスト残渣除去 / レジスト剥離 / Object Extraction / Image Compression / plasma CVD / Image Sensor / 高感度撮像素子 / 画像データ圧縮 / 並列画像処理 / 固体撮像システム / オブジェクト抽出 / 画像圧縮 / radial line slot antenna / direct oxidation / direct nitridation / silicon nitride / non volatile memory / high-k film / パリア膜 / 酸素ラジカル / バリア膜 / 有機金属ガス / LSI / 直接酸化 / 直接窒化 / 不揮発性メモリ / 強誘電体膜 / Speaker Recognition / Facial Expression Recognition / Codebook Space Information / Vector Quantization / Codebook / Face Recognition / コードブックスペクトル / 話者認識 / 表情認識 / コードブック空間情報処理 / ベクトル量子化 / コードブック / 顔画像認識 / Metal-gate MOS transistor / Bonded SOI wafer / Gas-isolated interconnect / Operational amplifier / Kink effect / Analog integrated circuit / Metal substrate / 金属ゲート電極 / 金属ゲートMOSトランジスタ / 張り合わせSOIウェハ / 気体絶縁配線構造 / オペアンプ / キンク効果 / 金属基板 / silicon nitride film / buffer layer / plasma oxidation / ferroelectric / high-density plasma / プロセス / 半導体 / プラズマ / 高誘電率膜 / 低誘電率層間絶縁膜 / O_2 / Kr / 低温プラズマ酸化 / マイクロ波 / バッファ層 / プラズマ酸化 / 高密度プラズマ / SS-CDMA cellular system / wireless multimedia / optical waveguide / parallel optical wiring / flexware system / super-parallel image processing / dielectric breakdown / thin gate oxide / SAW機能素子 / スペクトラム拡散通信 / パターン認識 / 光インターコネクション / Flexware / デバイスシミュレーション / SAM相関器 / グレーティングカプラ / 光導波路 / 右脳的情報処理 / ホットキャリア効果 / キャリア輸送 / SAW相関器 / CDMA / SS / コホ-ネンネット / プロセッサ・メモリ融合ユニット / ホットエレクトロン / 近似同期CDMA符号 / パケットSS-CDMAシステム / 超並列画像処理システム / 特徴量プリプロセス / 上位桁先行演算 / DSP / セル化SS-CDMAシステム / 光配線 / 超並列画像処理 / 酸化膜絶縁破壊 / high-precision processing / high-speed multipler / low power / flexware / プロセッサ・メモリ融合 / プロセス精度 / センスアンプニューロンMOS / 高精度プロセス / 高速乗算器 / 低消費電力 / フレックスウェア / Integrated circuit / neuron MOS transistor / center-of-mass / motion vector detection / real-time image recognition / two-dimensional image sensor / Image processing / ウィナー・テ-ク・オール / CMOSプロセス / 差分絶対値回路 / focal plane processing / MPEG / 実時間事象認識 / 重心検出 / 動きベクトル検出 / 実時間処理 / 画像処理 / GENERALIZATION / BACK PROPAGATION / SYNAPSE / NEURON MOS TRANSISTOR / HARDWARE LEARNING / SELF LEARNING / NEURAL NETWORK / ハードウェア学習アルゴリズム / フローティングゲート / アナログニューラルネットワーク / 自己学習 / ヘブルール / 学習アルゴリズム / 汎化能力 / 超LSI / 自己学習機能 / バックプロパゲーション / シナプス / ニューラルネットワーク / Ion Irradiation / Radical / Adsorption & Reaction / Epitaxy / Etching / Plasma CVD / Selectivity / イオン照射 / ラジカル / 吸着・反応 / エピタキシ / 選択性 / Thin Film Growth / Oxidation / Semiconductor Surface / 半導体薄膜成長 / 薄膜成長 / 酸化 / 半導体表面 / CMOS / Search Engine / Multi-Valued Memory / Data Matching / Multi-Valued Logic / Soft Hardware / Functional Device / MOSLSI / コンピュータアーキテクチャ / 加算器 / ソフトハードウェアロジック / 論理LSI / CMOS LSI / データマッチング / 多値メモリ / 多値情報処理 / ソフト・ハードウェア / 機能デバイス / Nitrogen Addition / Ultraclean / Selective Epitaxy / Anisotropy / Perfect Selectivity / Etching Delay Time / Langmuir's Adsorption / 窒素添加効果 / 超高清浄化 / 選択エピタキシ / 異方性 / 完全選択性 / エッチング遅れ時間 / ラングミュア吸着 / Full adder / Floating gate / D converter / Soft Hard ware Logic / Binary Logic Circuits / Neuron / Neural Network / ニュ-ラルネットワ-ク / Aコンバ-タ / D / 可変閾値素子 / MOSFET / 可変閾値トランジスタ / フラッシュA / フロ-ティングゲ-ト / 信号空間加算 / 全加算器 / Dコンバ-タ / ニュ-ロンMOSトランジスタ / ニュ-ロン / ソフトハ-ドウェア論理回路 / プラズマ加工 / マイクロ・ナノデバイス / 半導体超微細化 / システムオンチップ / 電子デバイス・機器 / シリコン面方位 / 低電子温度プラズマ隠す

原子オーダ平坦な界面を有する３次元立体構造トランジスタの製造プロセスに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2014
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  東北大学
超高速・超低消費電力バランスドフルCMOSシステムLSIの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  東北大学
マイクロ波プラズマ高品質ゲート絶縁膜を用いた超高耐圧SiC電力用トランジスタ
- 研究代表者
  
  寺本章伸
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
Si(110)面金属基板SOI・Balanced-CMOS超高速高精度集積回路研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東北大学
微細化世代に依存しないダメージフリー新規コンタクト/ビア形成技術の研究
- 研究代表者
  
  須川成利
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
瞬時画像処理並列プロセッサ内蔵高感度高精細増幅型固体撮像システムの研究
- 研究代表者
  
  須川成利
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東北大学
高収益超短時間半導体製造を実現する気液混合型フォトレジスト剥離技術
- 研究代表者
  
  須川成利
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
超高速瞬時処理回路・アルゴリズム研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
気体分離配線構造を有するTaゲート金属基板SOI超高速超微細LSIの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
段階投資型半導体生産ラインを実現するプロセスガス解離完全制御プラズマプロセス技術研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
不揮発性メモリー用高品質STNO強誘電体膜の低温形成に関する研究
- 研究代表者
  
  平山昌樹
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  複合集積システム
- 研究機関
  東北大学
極限集積化シリコン知能エレクトロニクス研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  東北大学
知的瞬時処理複合化集積システム研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
金属基板SOIを用いた超高精度超高速アナログ集積回路の研究
- 研究代表者
  
  小谷光司
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
コードブック空間情報処理による人物顔認識システムの研究
- 研究代表者
  
  小谷光司
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東北大学
知的電子システムのための科学的LSI製造技術の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
動作周波数10GHzを実現する極限超高速高集積金属基板SOI集積回路研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
マイクロ波励起プラズマによる低誘電率/高誘電率薄膜形成プロセスの研究
- 研究代表者
  
  平山昌樹
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
超高集積化システムのための高性能デバイスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東北大学
時間情報俊瞬時処理システム
- 研究代表者
  
  坪内和夫
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1998
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
電流駆動シリサイド化反応を用いた超高速超微細フィールドプログラマブル集積回路研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
極限集積化シリコン知能エレクトロニクス研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
4端子デバイス・記憶型イメージセンサ融合アーキテクチャによる知的画像処理プロセサ
- 研究代表者
  
  柴田直
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
プロセッサ・メモリ融合ユニット高密度分散配置型新アーキテクチャ・マイクロプロセッサ
- 研究代表者
  
  小谷光司
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
ウルトラクリーン・プラズマプロセスシステムの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東北大学
超清浄金属表面の触媒作用による高効率水素ラジカル発生プロセスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
金属基板SOI・メタルゲート高誘電率絶縁膜CMOS超高速集積回路の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
オンチップ学習回路装備・完全電圧モード動作ニューラルネットワークLSIの試作研究
- 研究代表者
  
  柴田道 (柴田直)
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  試験研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
超LSIの完全ドライ・トータル低温製造ラインシステムの試作研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  試験研究(A)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
やわらかいハードウェアを有する新しい論理LSI
- 研究代表者
  
  柴田直
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
表面キャリア伝導モジュレーションによる半導体表面反応の精密分析・制御の研究
- 研究代表者
  
  森田瑞穂
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
選択性逆転の可能なプラズマ低温プロセスに関する研究
- 研究代表者
  
  松浦孝
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
ラングミュア吸着層を利用した完全選択性を有する異方性エッチング技術の開発
- 研究代表者
  
  松浦孝
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
半導体内部に金属領域を有する超高速集積回路の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
単一素子でニュ-ロン機能を実現する新しいMOS型デバイスの研究
- 研究代表者
  
  柴田直
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
二周波数励起低運動エネルギイオン照射プロセス成膜装置の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
超高速LSI対応配線構造の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
RF-DC結合バイアススパッタ装置
- 研究代表者
  
  柴田直
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学
超LSI用純金属単結晶薄膜配線の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors2007
- 著者名/発表者名
  A. Teramoto, T Ohmi
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers2015
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Naoya Akagawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Toshiki Obara, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Yutaka Kamata, Yuki Kumagai, and Katsuhiko Shibusawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DA04-04DA04
- DOI
  10.7567/jjap.54.04da04
- NAID
  210000144951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010, KAKENHI-PROJECT-24360129, KAKENHI-PROJECT-26820121
[雑誌論文] Effect of Composition Ratio on Erbium Silicide Work Function on Different Morphology of Si(100) Surface Changed by Alkaline Etching2014
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Tanaka, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tsukasa Motoya, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 61 号: 3 ページ: 47-53
- DOI
  10.1149/06103.0047ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Flattening Technique of (551) Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma2014
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 61 号: 2 ページ: 401-407
- DOI
  10.1149/06102.0401ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010, KAKENHI-PROJECT-24360129
[雑誌論文] Carrier Mobility Characteristics of (100), (110), and (551) Oriented Atomically Flattened Si Surfaces for Fin Structure Design of Multi-gate Metal-Insulator-Silicon Field-Effect Transistors2014
- 著者名/発表者名
  Rihito Kuroda, Yukihisa Nakao, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 4S ページ: 04EC04-04EC04
- DOI
  10.7567/jjap.53.04ec04
- NAID
  210000143558
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Effect of Composition Rate on Erbium Silicide Work Function on Different Silicon Surface Orientation2013
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Tsukasa Motoya, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 53 号: 1 ページ: 343-350
- DOI
  10.1149/05301.0343ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] l/f noise of accumulation mode p-and n-MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Proceedings of 22nd International Conference on Noise and Fluctuations
  
  巻: 1 ページ: 26-29
- DOI
  10.1109/icnf.2013.6578879
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on interfacial transition layer and oxidation-induced residual stress in Si (100) substrate near the interface2013
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Kohki Nagata, Atsushi Ogura, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, and Takeo Hattori
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 109 ページ: 197-199
- DOI
  10.1016/j.mee.2013.03.004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10 aA for 80 000 MOSFETs in 80 s2013
- 著者名/発表者名
  Takuya Inatsuka, Yuki Kumagai, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
  
  巻: 26 号: 3 ページ: 288-295
- DOI
  10.1109/tsm.2013.2260568
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Schottky Barrier Height Between Erbium Silicide and Various Morphology of Si (100) Surface Changed by Alkaline Etching2013
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 58 号: 7 ページ: 349-354
- DOI
  10.1149/05807.0349ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Pr_3Si_6N_<11>/Si_3N_4 Stacked High-k Gate Dielectrics with High Quality Ultrathin Si_3N_4 Interfacial Layers2011
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 35 ページ: 275-284
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Science-based New Silicon Technologies Exhibiting Super High Performance due to Radical-reaction-based Semiconductor Manufacturing2011
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Journal of the Korean Physical Society
  
  巻: 59 ページ: 391-401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Low Contact Resistivity with Low Silicide/p^+-Silicon Schottky Barrier for High-Performance p-Channel Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Tanaka, Tatsunori Isogai, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  210000068161
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals2010
- 著者名/発表者名
  T.Suwa, A.Teramoto, Y.Kumagai, K.Abe, X.Li, Y.Nakao, M.Yamamoto, Y.Kato, T.Muro, T.Kinoshita, T.Ohmi, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Letters
  
  巻: 96 ページ: 173103-173104
- NAID
  110008106358
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Relation Between the Mobility, 1/f Noise, and Channel Direction in MOSFETs Fabricated on (100) and (110) Silicon-Oriented Wafers2010
- 著者名/発表者名
  Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Weitao Cheng, Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 57 ページ: 1597-1607
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Atomically Flattening Technology at 850℃ for Si(100) Surface2010
- 著者名/発表者名
  X.Li, T.Suwa, A.Teramoto, R.Kuroda, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 28 ページ: 299-309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Impact of Work Function Optimized S/D Silicide Contact for High Current Drivability CMOS2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakao, R.Kuroda, H.Tanaka, T.Isogai, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 28 ページ: 315-324
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[雑誌論文] Different mechanism to explain the 1/f noise in n-and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers2009
- 著者名/発表者名
  P. Gaubert, A. Teramoto, W. Cheng, T. Hamada, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science, Technology B Vol.27,No.1
  
  ページ: 394-401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Charac- terization for High-Performance CMOS Using In-Water Advanced Kelvin -Contact Device Structure2009
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, T. Komori, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Vol.22,No.1
  
  ページ: 126-133
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Atomically Flat Silicon Surface and Silicon/Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator- Silicon FETs2009
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, R. Hasebe, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES VOL.56,NO.2
  
  ページ: 291-298
- NAID
  120002338863
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Three-Step Room-Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical-Reaction-Based Semiconductor Manufacturing2009
- 著者名/発表者名
  R. Hasebe, A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Journal of Electrochemical Society Vol.156No.1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Performance Comparison of Ultrathin Fully Depleted Silicon-on-Insulator Inversion-, Intrinsic-, and Accumulation-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2008
- 著者名/発表者名
  R. KURODA, A. TERAMOTO, S. SUGAWA, T. OHMI
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.47,No.4
  
  ページ: 2668-2671
- NAID
  210000064562
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si3N4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals2008
- 著者名/発表者名
  T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol.104,No.11
- NAID
  120002338929
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Formation and Property of Yttrium and Yttrium Silicide Films as Low Schottcky Barrier material for n-Type Silicon2008
- 著者名/発表者名
  T. ISOGAI, H. TANAKA, T. GOTO, A. TERAMOTO, S. SUGAWA, T. OHMI
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.47,No.4
  
  ページ: 3138-3141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Electric Characteristics of Si3N4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si(110) and Si(100) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  M. HIGUCHI, T. ARATANI, T. HAMADA, S. SHINAGAWA, H. NOHIRA, E. IKENAGA, A. TERAMOTO, T. HATTORI, S. SUGAWA, T. OHMI
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.46,No.4B
  
  ページ: 1895-1898
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, M. Hirayama, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering Vol.84/9-10
  
  ページ: 2105-2108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Very Hight Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si(110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  A. Teramoto, T. Hamada, M. Yamamoto, P. Gaubert, H. Akahori, K. Nii, M. Hirayama, K. Arima, K. Endo, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES VOL.54,NO.6
  
  ページ: 1438-1445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.6No.4
  
  ページ: 101-106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions Vol.11No.6
  
  ページ: 349-354
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Revolutional Progress of Silicon Technologies Exhibiting Very High Speed Performance Over a 50-GHz Clock Rate2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohmi, A. Teramoto, R. Kuroda, N. Miyamoto
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES VOL.54,NO.6
  
  ページ: 1471-1477
- NAID
  120002338879
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Revolutional Progress of Silicon Technologies Exhibiting Very High Speed Performance Over a 50-GHz Clock Rate2007
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 54
  
  ページ: 1471-1477
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation- Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, W. Cheng, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.6No.4
  
  ページ: 113-118
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] New era of silicon technologies due to radical reation based semiconductor manufacturing2006
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D : Applied Physics 39
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) surface2005
- 著者名/発表者名
  A.Teramoto, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2005 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting (発表予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Suppression of Surface Micro-Rouhness on Si(110)2005
- 著者名/発表者名
  K.Nii, M.Yamamoto, A.Teramoto, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS (印刷中)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Quality Plasma Processing using Microwave Excited Plasma System with Xenon Gas2005
- 著者名/発表者名
  Y.Shirai, A.Teramoto, M.Hirayama, T.Ohmi, T.Satoh, M.Yamawaki
- 雑誌名
  
  Conference Proceeding of ISSM2004
  
  ページ: 432-435
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] EOT Measurement for Ultra-Thin gate Dielectrics using LC2005
- 著者名/発表者名
  A.Teramoto, M.Komura, R.Kuroda, K.Watanabe, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2005 International Conference on Microelectronics Test Structure (発表予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Control of nitrogen profile in radical nitridation of SiO_2 films2004
- 著者名/発表者名
  K.Kawase, H.Umeda, M.Inoue, S.Tsujikawa, A.Teramoto, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  the 2004 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 204-205
- NAID
  10022538215
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Performance Low Noise CMOS Fabricated on Flattened (110) oriented Si Substrate2004
- 著者名/発表者名
  T.Hamada.A.Teramoto, H.Akahori, K.Nii, M.Hirayama, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)
  
  ページ: 163-166
- NAID
  110003175607
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Quality Silicon Nitride Film Formed by Microwave-Excited Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with Dual Gas Shower Head2003
- 著者名/発表者名
  H.Tanaka, Z.Chuanjie, Y.Hayakawa, M.Hirayama, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conferences on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 736-737
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Quality Silicon Nitride Film Formed by Microwave-Excited Plasma Enhanced Chemical Vaspor Deposition with Dual Gas Shower Head2003
- 著者名/発表者名
  H.Tanaka, Z.Chuanjie, Y.Hayakawa, M.Hirayama, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 736-737
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Very High Reliability of Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric Film for Sub-100nm Generation2003
- 著者名/発表者名
  M.Komura, M.Higuchi, W.Cheng, I.Ohshima, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conferences on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 452-453
- NAID
  10011880733
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Very High Reliability of Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric Film for Sub-100nm Generation2003
- 著者名/発表者名
  M.Komura, M.Higuchi, W.Cheng, I.Ohshima, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 452-453
- NAID
  10011880733
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Reliability of silicon nitride gate dielectrics grown at 400℃ formed by microwave-excited high-density plasma2003
- 著者名/発表者名
  I.Ohshima, W.Cheng, Y.Ono, M.Higuchi, M.Hirayama, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 246-251
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Atomic Order Flattening of Hydrogen-Terminated Si(110) substrate For Next Generation ULSI Devices2003
- 著者名/発表者名
  H.Akahori, K.Nii, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conferences on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 458-459
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Atomic Order Flattening of Hydrogen-Terminated Si(110)substrate For Next Generation ULSI Devices2003
- 著者名/発表者名
  H.Akahori, K.Nii, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 458-459
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Low Noise Balanced-CMOS on Si(100) surface for Analog/Digital Mixed Signal Circuits2003
- 著者名/発表者名
  A.Teramoto, T.Hamada, H.Akahori, K.Nii, T.Suwa, K.Kotani, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 IEEE International ELECTRON DEVICES MEETING
  
  ページ: 801-803
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Performance Poly-Si Device with Thin Gate Oxide Film Grown by Plasma Oxidation Technology2003
- 著者名/発表者名
  F.Imaizumi, T.Hayashi, K.Ishii, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conferences on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 724-725
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Performance Poly-Si Device with Thin Gate Oxide Film Groen by Plasma Oxidation Technology2003
- 著者名/発表者名
  F.Imaizumi, T.Hayashi, K.Ishii, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 724-725
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Reliability of silicon nitride gate dielectrics grown at 400℃ formed by microwave-excited high-density plasma2003
- 著者名/発表者名
  I.Ohshima, W.Cheng, Y.Ono, M.Higuchi, M.Hirayama, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol.216
  
  ページ: 246-251
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Low Noise Balanced-CMOS on Si(100)surface for Analog/Digital Mixed Signal Circuits2003
- 著者名/発表者名
  A.Teramoto, T.Hamada, H.Akahori, K.Nii, T.Suwa, K.Kotani, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 IEEE International_ELECTRON DEVICES MEETING
  
  ページ: 801-803
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[産業財産権] 半三次元構造半導体装置2008
- 発明者名
  大見忠弘, 寺本章伸
- 権利者名
  国立大学法人東北大学, (財)国際科学振興財団
- 産業財産権番号
  2007-088444
- 出願年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置2008
- 発明者名
  大見忠弘
- 権利者名
  国立大学法人東北大学, (財)国際科学振興財団
- 産業財産権番号
  2008-129692
- 出願年月日
  2008-05-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2007
- 発明者名
  大見忠弘寺本章伸
- 権利者名
  国立大学法人東北大学東京エレクトロン(株)
- 産業財産権番号
  2007-283659
- 出願年月日
  2007-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 半導体基板および半導体装置2007
- 発明者名
  大見忠弘寺本章伸諏訪智之黒田理人工藤秀雄速水善範
- 権利者名
  国立大学法人東北大学信越半導体(株)
- 産業財産権番号
  2007-261096
- 出願年月日
  2007-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 樹脂配管2007
- 発明者名
  大見忠弘寺本章伸伏見圭太山中二朗宮下雅之西岡群晴
- 権利者名
  国立大学法人東北大学ニチアス(株) ステラケミファ(株) 宇部興産株式会社
- 産業財産権番号
  2007-338690
- 出願年月日
  2007-12-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2007
- 発明者名
  大見忠弘, 寺本章伸
- 権利者名
  国立大学法人東北大学, 東京エレクトロン(株)
- 産業財産権番号
  2007-283659
- 出願年月日
  2007-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Atomically Flattening of Si Surface of SOI and Isolation-patterned Wafers2014
- 著者名/発表者名
  T. Goto, R. Kuroda, N. Akagawa, T. Suwa, A. Teramoto, X. Li, S. Sugawa, T. Ohmi, Y. Kumagai, Y. Kamata, and K. Sibusawa
- 学会等名
  The 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, つくば
- 年月日
  2014-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Flattening Technique of (551) Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma2014
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  225th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Hilton Orlando Bonnet Creek, Orlando, USA
- 年月日
  2014-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] 応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演"Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species"2014
- 著者名/発表者名
  諏訪智之、寺本章伸、熊谷勇喜、阿部健一、李翔、中尾幸久、山本雅士、野平博司、室隆桂之、木下豊彦、須川成利、大見忠弘、服部健雄
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 札幌
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Effect of Composition Ratio on Erbium Silicide Work Function on Different Morphology of Si(100) Surface Changed by Alkaline Etching2014
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Tanaka, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tsukasa Motoya, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  225th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Hilton Orlando Bonnet Creek, Orlando, USA
- 年月日
  2014-05-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Effect of composition rate on erbium silicide work function on different silicon surface orientation2013
- 著者名/発表者名
  H. Tanaka, A. Teramoto, T. Motoya, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  223rd Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Toronto, Canada
- 年月日
  2013-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] 1/f noise of accumulation mode p- and n-MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  22nd International Conference on Noise and Fluctuations
- 発表場所
  Montpellier, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Detection of oxidation-induced compressive stress in Si (100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution2013
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, K. Nagata, H. Nohira, K. Nakajima, A. Teramoto, A. Ogura, K. Kimura, T. Muro, T. Kinoshita, S. Sugawa, T. Hattori, T. Ohmi
- 学会等名
  The 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2013-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Carrier Mobility on (100), (110), and (551) Oriented Atomically Flattened Si Surfaces for Multi-gate MOSFETs Device Design2013
- 著者名/発表者名
  Rihito Kuroda, Yukihisa Nakao, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa and Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  The 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2013-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Interfacial Transition Layer and Oxidation-Induced Residual Stress in Si (100) Substrate Near the Interface2013
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, A. Teramoto, K. Nagata, A. Ogura, T. Muro, T. Kinoshita, T. Ohmi, and T. Hattori
- 学会等名
  18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors"
- 発表場所
  Cracow, Poland
- 年月日
  2013-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Schottky barrier height between erbium silicide and various morphology of Si (100) surface changed by alkaline etching2013
- 著者名/発表者名
  H. Tanaka, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  224th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2013-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Radical Oxidation and Radical Nitridation for High Integrity Gate Insulator Films on Any Crystal Orientation Silicon Surface for Super High Performance 3D MOS Transistors2012
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  2012 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES
- 発表場所
  Shanghai, China(招待講演)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Pr_3Si_6N_<11>/Si_3N_4 Stacked High-k Gate Dielectrics with High Quality Ultrathin Si_3N_4 Interfacial Layers2011
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  219th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Science Based New Silicon Technologies Exhibiting Super High Speed Performance Over 100GHz Clock Rate2011
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  30^<th> Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Shiga(招待講演)
- 年月日
  2011-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Science Based New Silicon Technologies Exhibiting Super High Performance due to Radical Reaction Based Semiconductor Manufacturing2011
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  The 18^<th> Korean Conference on Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, KOREA
- 年月日
  2011-02-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] High reliable SiO_2 Films on Atomically Flat Silicon Surface Formed by Low Temperature Pure Ar Annealing2011
- 著者名/発表者名
  X.Li, R.Kuroda, T.Suwa, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 学会等名
  2011 Interanational Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices : Science and Technology
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Ultra-low Series Resistance W/ErSi_2/n^+-Si and W/Pd_2Si/p^+-Si S/D Electrodes for Advanced CMOS Platform2010
- 著者名/発表者名
  Rihito Kuroda, Hiroaki Tanaka, Yukihisa Nakao, Akinobu Teramoto, Naoto Miyamoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  IEEE International ELECTRON DEVICES meeting (IEDM) 2010
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 年月日
  2010-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Impact of Channel Direction Dependent Low Field Hole Mobility on Si(100)2010
- 著者名/発表者名
  Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  the 2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Science Based New Silicon Devices Exhibiting Super High Performance by Very New Plasma Equipment Completely Free From Damages2010
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  Final Program of World Automation Congress 2010
- 発表場所
  神戸
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000010
[学会発表] Impact of Performance and Reliability Boosters in Novel FD-SOI CMOS Devices on Si(110) Surface for Analog Applications2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, C.F. Tye, S. Watabe, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2008)
- 発表場所
  Rio de Janeiro, BRAZIL
- 年月日
  2008-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Hole mobility in Si(110) p-MOS transistors2008
- 著者名/発表者名
  P. Gaubert, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE (PRiME2008)The Electrochemical Society, Meeting Abstracts
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2008-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Atomically Flat Gate Insulator/Silicon (100) Interface Formation Introducing High Mobility, Ultra-low Noise, and Small Characteristics Variation CMOSFET2008
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, R. Hasebe, X. Li, M. Konda, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2008)
- 発表場所
  Edinburgh, SCOTLAND
- 年月日
  2008-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Revolutional Progress of Silicon Device due to Radical Reaction Based Semiconductor Manufacturing Technologies2008
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  WPI & IFCAM Joint Workshop
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2008-02-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si(110) Using Accumulation Mode Device Structure for RF Analog Circuits2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, C.F. Tye, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2008-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] CMOSFET Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film/Silicon Interface on (100) Orientation Surface2008
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, Y. Nakao, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2008-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Impact of New Approach to Improve RF Power FETs Performance on Si (110) Surface2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  213th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Phoenix, AZ, USA
- 年月日
  2008-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Characterization of MOSFETs Intrinsic Performance using In-Wafer Advanced Kelvin-Contact Device Structure for High Performance CMOS LSIs2008
- 著者名/発表者名
  Cheng, S. Watabe, C.F. Tye, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  2008 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
- 発表場所
  Edinburgh, SCOTLAND
- 年月日
  2008-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] A New Approach to Realize High Performance RF Power FETs on Si (110) Surface2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  39th IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference
- 発表場所
  Rhodes, GREECE
- 年月日
  2008-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Impact of Tungsten Capping Layer on Yttrium Silicide for Low Resistance Source/Drain Contacts2008
- 著者名/発表者名
  T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Improved High Temperature Characteristics in Accumulation-mode Fully Depleted SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE (PRiME2008)The Electrochemical Society, Meeting Abstracts, Abs
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Low Contract Resistance with Low Schottky Barrier for N-Type Silicon Using Yttrium Silicide2007
- 著者名/発表者名
  T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, M. Hirayama, T. Ohmi
- 学会等名
  Infos2007 Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconsuctors
- 発表場所
  Athena, GREECE
- 年月日
  2007-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Revolutional Progress of Silicon Technologies Revolutional Progress of Device Perfoemance and Manufacturing Technologies2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohmi
- 学会等名
  The 7th Japan-Taiwan Microelectronics International Symposium
- 発表場所
  Tokyo, JAPAN
- 年月日
  2007-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  211th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- 年月日
  2007-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Performance Comparison of Ultra-thin FD-SOI Inversion-, Intrinsic-and Accumulation- Mode MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Radical induced very high integrity gate insulator films for 3D transistors on any crystal orientation Si surface2007
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  Stanford & Tohoku University Joint Open Workshop on 3D Transistor and its Applications
- 発表場所
  Palo Alto
- 年月日
  2007-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Revolutional Progress of Silicon Technologies Revolutional Progress of Device Perfoemance and Manufacturing Technologies2007
- 著者名/発表者名
  Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  The 7th Japan-Taiwan Microelectronics International Symposium
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2007-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, W. Cheng, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  211th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- 年月日
  2007-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  212th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington D.C. USA
- 年月日
  2007-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Modeling and Implementation of Subthreshold Characteristics of Accumulation-Mode MOSFETs for Various SOI Layer Thickness and Impurity Concentrations2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, C. Weitao, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  2007 IEEE International SOI Conference
- 発表場所
  Indian Wells, CA., USA
- 年月日
  2007-10-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004

1. 柴田直 (00187402)

共同の研究課題数: 15件

共同の研究成果数: 0件
2. 森田瑞穂 (50157905)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
3. 小谷光司 (20250699)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 0件
4. 平山昌樹 (70250701)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
5. 須川成利 (70321974)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
6. 坪内和夫 (30006283)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
7. 浅田邦博 (70142239)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
8. 石原宏 (60016657)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 堀池靖浩 (20209274)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 亀山充隆 (70124568)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 寺本章伸 (80359554)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 49件
12. 松浦孝 (60181690)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 小野昭一 (00005232)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 伊野和英

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
16. 白井泰雪 (70375187)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 北野真史 (60420048)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 後藤哲也 (00359556)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
19. 諏訪智之 (70431541)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 14件
20. 廣瀬全孝 (10034406)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 谷口研二 (20192180)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 岩田穆 (30263734)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 山川烈 (00005547)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 安浦寛人 (80135540)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 南谷崇 (80143684)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 三浦道子 (70291482)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 森本明大 (10359557)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 津守俊郎 (10375181)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 白川功 (10029100)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. MEINDL James

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. JOHN F. O'Ha

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. BLEWER Rober

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

大見 忠弘 OHMI Tadahiro

研究課題

研究成果

共同研究者

原子オーダ平坦な界面を有する３次元立体構造トランジスタの製造プロセスに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

超高速・超低消費電力バランスドフルCMOSシステムLSIの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si(110)面金属基板SOI・Balanced-CMOS超高速高精度集積回路研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高速瞬時処理回路・アルゴリズム研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

気体分離配線構造を有するTaゲート金属基板SOI超高速超微細LSIの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

段階投資型半導体生産ラインを実現するプロセスガス解離完全制御プラズマプロセス技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極限集積化シリコン知能エレクトロニクス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

知的瞬時処理複合化集積システム研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

大見忠弘 OHMI Tadahiro