橋詰保 HASHIZUME Tamotsu

研究者番号	80149898
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2022年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 特任教授 2015年度 – 2019年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 2014年度: 北海道大学, 学内共同利用施設等, 教授 2004年度 – 2013年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 2001年度 – 2004年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 助教授 … もっと見る 2002年度: 北海道大学, 量子エレクトロニクス研究センター, 助教授 2002年度: 北海道大学, 量子集積エレクトニクス研究センター, 助教授 1998年度 – 2000年度: 北海道大学, 量子界面エレクトロニクス研究センター, 助教授 1997年度 – 1999年度: 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教授 1997年度: 北海道大学, 大学院工学研究科, 助教授 1997年度: 北海道大学, 工学研究科, 助教授 1995年度 – 1996年度: 北海道大学, 工学部, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 理工系 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 極微細構造工学 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 理工系 / 表面界面物性
キーワード	研究代表者 GaN / フェルミ準位ピンニング / ショットキー接合 / 電気化学プロセス / 界面制御 / HEMT / AlGaN / surface control / 表面制御 / interface control … もっと見る / 窒化ガリウム / DLTS / 表面処理 / インジウムリン / Al_2O_3 / Gallium Nitride / Schottky barrier / ショットキー障壁 / 深い準位 / 自然酸化膜 / HFET / Fermi level pinning / MIS構造 / surface treatment / Schottky contact / electrochemical process / indium phosphide / 界面準位 / C-V / 電子準位 / AlInN / 電気化学酸化 / 表面準位 / パルス法 / 半導体界面 / 溶液 / 電子捕獲準位 / 周期的ナノチャネル / CV解析 / 電気化学エッチング / MOS / 異種接合 / Schottky interface / carbon diffusion / deep level / AIGaN / 漏れ電流 / 酸素不純物 / 窒素空孔欠陥 / プラズマ処理 / 炭素拡散 / heterointerface / 窒化カリウム / ヘテロ構造 / SiN_χ / MIS structure / ECRプラズマ / MIS接合 / 窒化シリコン膜 / フェルミ準位ビンニング / アルミナ膜 / 窒化シリコン酸 / natural oxide / Fermi level pinnning / ohmic contact / フェルミン準位ピンニング / オーミック接合 / ultrathin Si control layer / シリコン超薄膜制御層 / Schottky gate / single electron transistor / quantum wire transistor / split gate / in-plane gate / 2DEG / quantum structure / ショットキーゲット / ショットキーゲート / 単電子トランジスタ / 量子細線トランジスタ / スプリットゲート / インプレーンゲート / 2次元電子ガス / 量子構造 / optical communication system / micro-wave devices / optoelectronic ICs / FET / 光通信システム / マイクロ波デバイス / 光電子集積回路 / 電界効果トランジスタ / 電流コラプス / 多重台形チャネル / 窒素空孔 / ドライエッチング / ICP / ALD / へテロ接合 / MMC / トランジスタ / 絶縁膜 / 表面・界面 / バンド不連続量 / 表面フェルミ準位 / フェルミ準位安定化エネルギー / 有機金属気相成長 / 表面酸化 / 表面伝導 / ナノショットキー / 化合物半導体 … もっと見る研究代表者以外窒化物半導体 / 電気化学プロセス / フェルミ準位ピンニング / 選択成長 / ショットキー極限 / Fermi level pinning / 半導体物性 / 多孔質構造 / ウェットエッチング / 電気化学反応 / 電子デバイス / 窒化ガリウム / ショットキーゲート / 集積回路 / TiN / InP MISFET / Schottky limit / electrochemical process / パルス法 / インジウムリン / 半導体界面 / 金属 / ECRプラズマ / 再成長 / 量子ドット / 表面・界面準位 / 化合物半導体 / ナノ材料 / 電子・電気材料 / エネルギー変換 / 光電気化学 / 論理回路 / フォトニック結晶 / 有機金属気相成長 / 窒化物半導 / 絶縁膜体積技術 / 素子分離技術 / 絶縁膜堆積技術 / 電極形成 / モノリシック集積回路 / 窒化物半導体デバイス / 絶縁膜形成技術 / プロセス技術 / 集積回路技術 / 過酷環境エレクトロニクス / 窒素極性 / HEMT / トランジスタ / 低損傷エッチング / 先端機能デバイス / 格子欠陥 / 特異構造 / 結晶工学 / 新エネルギー / 光物性 / 半導体超微細化 / Quantum Transport / Power-Delay Product / Quantum Wire Network / Schottky Gate / Quantum Dots / Hexagonal BDD Quantum Circuit / Binary Decision Diagram (BDD) / Single Electron Circuit / ヘキサゴナルBDD量子回路 / 量子輸送 / 電力・遅延積 / 量子細線ネットワーク / ナノショットキーゲート / ヘキサゴナルBDD回路 / 二分決定グラフ(BDD) / 単電子回路 / selective MBE growth / Schottky gate / integrated circuit / memory / logic circuit / quantum limit / III-V compound semiconductor / quantum wire transistor / MBE選択成長 / 記憶回路 / 量子限界 / III-V族化合物半導体 / 量子細線トランジスタ / Photonic Bandgap / Photonic Crystal / Masked Substrate / Selective Area Growth / MOVPE Growth / TM偏光・TE偏光 / 3角格子 / 2次元フォトニック結晶スラブ / マスクパターン / フォトニックバンドギャップ / quantum device / conductive prove AFM / nano-metal dot array / compound semiconductor / nano-Schottky contact / 単電子インバータ / 単電子メモリ回路 / 金属仕事関数依存性 / ショットキー障壁高制御 / 金属ドット / ナノスケールショットキー接合 / 量子デバイス / 導電性プローブAFM / ナノ金属ドットアレイ / ナノショットキー接合 / integrated circuit material / thin film low temperature deposition / diffusion barrier material / low frequency plasnra CVD / low frequency plasma / thin film deposition / plasma CVD / 薄膜低温形成 / 集積回路材 / 薄膜低温生成 / 拡散バリア材 / 低周波プラズマCVD / 低周波プラズマ / 薄膜生成 / プラズマCVD / ultra high-frequency and high speed devices / unified DIGS model / ECR plasma process / insulated-gate structure / InP-based materials / ultrathin Si quantum well / 超高周波大電力デバイス / 統一DIGSモデル / 絶縁ゲート / InP系化合物半導体 / 超薄膜シリコン量子井戸 / Schottky barrier height / nano metal particle / Fermi-level pinning / metal-semiconductor interface / ショットキー障壁高 / 金属微粒子 / oxynitride film / ECR plasma / ultrathin insulator / hydrogen-terminated surface / interface state / surface state / UHV-based system / contactless C-V / 原子スケール表面制御 / トンネル絶縁膜 / 極薄絶縁膜 / 半導体自由表面 / 非接触C-V / 酸窒化膜 / 極博絶縁膜 / 水素終端シリコン表面 / 表面プロセス / 超高真空一貫システム / 非接触・C-V / Quantum wire laser / Nano Sturcture / Nano Fabication / Selective growth / Self-organized growth / Coupled Quantum Dots / Quantum Dot / Single electron devices / 表面修飾 / ドット形成過程 / 表面エネルギー / 表面吸着 / 成長モード / 量子細線レーザー / 微細加工 / ナノ構造 / 自己形成 / 結合量子ドット / 単電子デバイス / photoluminescence / silicon interface control layr / surface passivation / surface and interface states / interface control / compound semiconductors / quantum wire / quantum well / フォトルミネセンス / シリコン界面制御層 / 表面不活性化 / 界面制御 / 量子井戸 / 量子細線 / 表面・界面物性 / 高電子移動度トランジスタ / 低損傷プロセス / 化学センサ / 太陽電池 / 光吸収率 / 半導体ナノ構造 / 有機金属気相成長法 / 電界効果トランジスタ / 量子集積ハードウェア / 半導体ナノワイヤ / 近藤効果 / 単電子メモリー / 相補型単電子インバータ / カゴメ格子 / 2分岐決定ダイアグラム / 単電子トランジスタ / 量子ナノ構造隠す

過酷環境エレクトロニクスにむけた窒化物半導体集積回路プロセス技術の開発
- 研究代表者
  
  岡田浩
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  北海道大学
窒素極性GaN系MIS-HEMTのパワーデバイス応用に向けた研究
- 研究代表者
  
  末光哲也
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東北大学
自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
総括班
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
窒化物半導体混晶のバルク準位評価とナノ構造表面制御研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  北海道大学
化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
III族窒化物半導体混晶の欠陥準位・表面準位の評価と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
半導体ナノワイヤによる量子集積ハードウェアの構築
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
欠陥制御・界面制御に基づく窒化ガリウム系デバイス構造の高信頼化研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
窒化ガリウム系超高速・ハイパワートランジスタ構造の表面・界面制御研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
有機金属気相成長高密度量子ナノ構造による単電子集積エレクトロニクス
- 研究代表者
  
  福井孝志
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2005
- 研究種目
  
  学術創成研究費
- 研究機関
  北海道大学
ナノショットキーゲート制御量子ドットによるBDDアーキテクチャ単電子集積回路
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
選択成長によるフォトニック結晶の作製と応用に関する研究
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
量子限界近傍で動作するIII-V族量子細線トランジスタ論理・記憶集積回路の開発
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  北海道大学
ナノスケールショットキー接合による金属-化合物半導体界面の物性制御と応用
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
界面制御に基づいたGaNへの金属電極形成技術の開発研究研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
窒化ガリウムに対する絶縁ゲート構造の形成と界面特性評価に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  北海道大学
超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
低周波プラズマCVDによる集積回路配線の拡張バリア材としてのTiN膜低温形成
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
金属-半導体界面におけるショットキー理想極限の実現とその電子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓
- 研究代表者
  
  川辺光央
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1999
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
超高真空非接触・非破壊容量-電圧測定システムの開発
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  北海道大学
高ショットキー障壁MESFETを用いたInP系超高速集積回路の試作研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
2次元電子ガスへの直接ショットキーを接合を利用した量子構造の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  極微細構造工学
- 研究機関
  北海道大学

[図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開2006
- 著者名/発表者名
  橋詰保, 他26名
- 総ページ数
  266
- 出版者
  シーエムシー出版
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation2021
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 129 号: 12 ページ: 121102-121102
- DOI
  10.1063/5.0039564
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473, KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Interface characterization of Al2O3/m-plane GaN structure2021
- 著者名/発表者名
  Kaneki Shota、Hashizume Tamotsu
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 015301-015301
- DOI
  10.1063/5.0031232
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-18J20386
[雑誌論文] Improved DC performance and current stability of ultrathin-Al2O3/InAlN/GaN MOS-HEMTs with post-metallization-annealing process2020
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki, K. Makiyama, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Kumazaki, J. Kotani, S. Kaneki, K. Nishiguchi, N. Nakamura, N. Hara, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol.
  
  巻: 35 号: 3 ページ: 035027-035027
- DOI
  10.1088/1361-6641/ab708c
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-18J20386
[雑誌論文] Reduction of plasma-induced damage in n-type GaN by multistep-bias etching in inductively coupled plasma reactive ion etching2020
- 著者名/発表者名
  S. Yamada, M. Omori, H. Sakurai, Y. Osada, R. Kamimura, T. Hashizume, J. Suda, and T. Kachi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 13 号: 1 ページ: 016505-016505
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab5ffe
- NAID
  210000157772
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Gate controllability of HfSiOx/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor2020
- 著者名/発表者名
  Ochi Ryota、Maeda Erika、Nabatame Toshihide、Shiozaki Koji、Sato Taketomo、Hashizume Tamotsu
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 065215-065215
- DOI
  10.1063/5.0012687
- NAID
  120006869887
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] A time-dependent Verilog-A compact model for MOS capacitors with interface traps2019
- 著者名/発表者名
  K. Fukuda, H. Asai, J. Hattori, M. Shimizu, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBD06-SBBD06
- DOI
  10.7567/1347-4065/aaffbe
- NAID
  210000135419
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Improved operation stability of Al2O3/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistors grown on GaN substrates2019
- 著者名/発表者名
  Y. Ando, S. Kaneki and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 12 号: 2 ページ: 024002-024002
- DOI
  10.7567/1882-0786/aafded
- NAID
  210000135597
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures2019
- 著者名/発表者名
  M. Tapajna, J. Drobny, F. Gucmann, K. Husekova, D. Gregussova, T. Hashizume, and J. Kuzmik
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Semicond. Process.
  
  巻: 91 ページ: 356-361
- DOI
  10.1016/j.mssp.2018.12.012
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region2019
- 著者名/発表者名
  D. Gregusova, L. Toth, O. Pohorelec, S. Hasenohrl, S. Hascik, I. Cora, Z. Fogarassy, R. Stoklas, A. Seifertova, M. Blaho, A. Laurencikova, T. Oyobiki, B. Pecz, T. Hashizume, and J. Kuzmik
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCD21-SCCD21
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab06b8
- NAID
  210000156114
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Effects of post-deposition annealing in O2 on threshold voltage of Al2O3/AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistors2019
- 著者名/発表者名
  S. Nakazawa, H.-A. Shih, N. Tsurumi, Y. Anda, T. Hatsuda, T. Ueda, T. Kimoto, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: 3 ページ: 030902-030902
- DOI
  10.7567/1347-4065/aafd17
- NAID
  210000135371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, K. Nishiguch, S. Kaneki, J. Kuzmik, Z. Yatabe
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 78 ページ: 85-95
- DOI
  10.1016/j.mssp.2017.09.028
- NAID
  120006456416
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034, KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Effects of postmetallization annealing on interface properties of Al2O3/GaN structures2018
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, S. Kaneki, T. Oyobiki, Y. Ando, S. Sasaki and K. Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 11 号: 12 ページ: 124102-124102
- DOI
  10.7567/apex.11.124102
- NAID
  120006543298
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] A transient simulation approach to obtaining capacitance-voltage characteristics of GaN MOS capacitors with deep-level traps2018
- 著者名/発表者名
  K. Fukuda, H. Asai, J. Hattori, M. Shimizu and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FG04-04FG04
- DOI
  10.7567/jjap.57.04fg04
- NAID
  210000148929
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors2018
- 著者名/発表者名
  M. Matys, K. Nishiguchi, B. Adamowicz, J. Kuzmik and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 124 号: 22
- DOI
  10.1063/1.5056194
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction2017
- 著者名/発表者名
  R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, M. Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 32 号: 4 ページ: 045018-045018
- DOI
  10.1088/1361-6641/aa5fcb
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034, KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors2017
- 著者名/発表者名
  Matys M.、Kaneki S.、Nishiguchi K.、Adamowicz B.、Hashizume T.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 122 号: 22 ページ: 224504-224504
- DOI
  10.1063/1.5000497
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Effects of Air-annealing on DC Characteristics of InAlN/GaN MOS-HEMTs Using ALD-Al2O32017
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki, K, Makiyama, T, Ohki, N, Okamoto, S, Kaneki, K, Nishiguchi, N, Hara and T, Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 061001-061001
- DOI
  10.7567/apex.10.061001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Precise thickness control in recess etching of AlGaN/GaN hetero-structure using photocarrier-regulated electrochemical process2017
- 著者名/発表者名
  Kumazaki Yusuke、Uemura Keisuke、Sato Taketomo、Hashizume Tamotsu
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 121 号: 18 ページ: 184501-184501
- DOI
  10.1063/1.4983013
- NAID
  120006463556
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-17H03224, KAKENHI-PROJECT-15K13937
[雑誌論文] Current linearity and operation stability in Al2O3-gate AlGaN/GaN MOS-HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, S. Kaneki, S. Ozaki and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 56 号: 10 ページ: 101001-101001
- DOI
  10.7567/jjap.56.101001
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-15J00919
[雑誌論文] Highly-stable and low-state-density Al2O3/GaN interfaces using epitaxial n-GaN layers grown on free-standing GaN substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Kaneki, J. Ohira, S. Toiya, Z. Yatabe, J. T. Asubar and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 109 号: 16
- DOI
  10.1063/1.4965296
- NAID
  120006360059
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-15K18034
[雑誌論文] Effects of Cl_2-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al_2O_3/AlGaN/GaN Heterostructures2013
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, Y. Hori, S. Kim, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys
  
  巻: Express 6 号: 1 ページ: 16502-16502
- DOI
  10.7567/apex.6.016502
- NAID
  10031140462
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al_2O_3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement2012
- 著者名/発表者名
  M. Matys, B. Adamowicz, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 101 号: 23 ページ: 231608-231608
- DOI
  10.1063/1.4769815
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御（最近の展望）2012
- 著者名/発表者名
  橋詰　保
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 81 ページ: 479-484
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Interface state characterization of ALD-Al_2O_3/GaN and ALD-Al_2O_3/AlGaN structures2012
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C, Mizue, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Physica status solidi C
  
  巻: 9 号: 6 ページ: 1356-1360
- DOI
  10.1002/pssc.201100656
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J02074, KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Interface properties of Al2O3/n-GaN structures with inductively coupled plasma etching of GaN surfaces2012
- 著者名/発表者名
  S. Kim, Y. Hori, W.-C. Ma, D. Kikuta, T. Narita, H. Iguchi, T. Uesugi, T. Kachi, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 6R ページ: 60201-60201
- DOI
  10.1143/jjap.51.060201
- NAID
  210000140662
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Reduction of current collapse in the multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMT2012
- 著者名/発表者名
  Kota Ohi, Tamotsu Hashizume
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: Volume 9 号: 3-4 ページ: 898-902
- DOI
  10.1002/pssc.201100301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J01711, KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Non-localized trapping effects in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors subjected to on-state bias stress2012
- 著者名/発表者名
  C.-Y. Hu and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 111 号: 14 ページ: 84504-84504
- DOI
  10.1063/1.470439
- NAID
  120004146567
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Capacitance-voltage characteristics of Al_2O_3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al_2O_3/AlGaN interface2011
- 著者名/発表者名
  C.Mizue, Y.Hori, M.Miczek, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Capacitance-voltage characteristics of Al_2O_3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al_2O_3/AlGaN interface2011
- 著者名/発表者名
  C.Mizue, Y.Hori, M.Miczek, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: 60
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Formation of recessed-oxide gate for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using a selective electrochemical oxidation2011
- 著者名/発表者名
  N.Harada, Y.Hori, N.Azumaishi, K.Ohi, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Impact of Interface States and Bulk Carrier Lifetime on Photocapacitance of Metal/Insulator/GaN Structure for Ultraviolet Light Detection2011
- 著者名/発表者名
  P. Bidzinski, M. Miczek, B.Adamowicz, C. Mizue and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 4S ページ: 04DF08-04DF08
- DOI
  10.1143/jjap.50.04df08
- NAID
  210000070314
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Formation of recessed-oxide gate for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using a selective electrochemical oxidation2011
- 著者名/発表者名
  N.Harada, Y.Hori, N.Azumaishi, K.Ohi, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Al_0.44Ga_0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures2011
- 著者名/発表者名
  M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lerr.
  
  巻: 98 号: 14 ページ: 142117-142117
- DOI
  10.1063/1.3578449
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Measurement of valence-band offsets of InAlN/ GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 109 号: 1 ページ: 13703-13703
- DOI
  10.1063/1.3527058
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Impact of gate and passivation structures on current collapse of AlGaN/GaN HEMTs under off-state-bias stress2011
- 著者名/発表者名
  M. Tajima and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 6R ページ: 61001-61001
- DOI
  10.1143/jjap.50.061001
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Formation of recessed-oxide gate for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using a selective electrochemical oxidation2011
- 著者名/発表者名
  N. Harada, Y. Hori, N. Azumaishi, K. Ohi and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 4 号: 2 ページ: 21002-21002
- DOI
  10.1143/apex.4.021002
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/ insulator/GaN structure2011
- 著者名/発表者名
  M. Miczek, P. Bidzinski, B.Adamowicz, C. Mizue and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Solid State Commun
  
  巻: 151 号: 11 ページ: 830-833
- DOI
  10.1016/j.ssc.2011.03.021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Capacitance-voltage characteristics of Al_2O_3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al_2O_3/AlGaN interface2011
- 著者名/発表者名
  C. Mizue, Y. Hori, M. Miczek, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 2R ページ: 21001-21001
- DOI
  10.1143/jjap.50.021001
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Process conditions for improvement of electrical properties of Al_2O_3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y. Hori, C. Mizue, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 49 号: 8R ページ: 80201-80201
- DOI
  10.1143/jjap.49.080201
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Trap states in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures with Al2O3 prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  D. Gregusova, R. Stoklas, C. Mizue, Y. Hori, J. Novak, T. Hashizume, and P. Kordos
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 107 号: 10 ページ: 106104-106104
- DOI
  10.1063/1.3428492
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photo electrochemical Etching2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, H. Okazaki, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 25 ページ: 83-88
- NAID
  120003783345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[雑誌論文] Deep electronic levels of Al_xGa_<1-x>N with a wide range of Al composition grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Ooyama, K.Sugawara, S.Okuzaki, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Deep electronic levels of AlxGa1-xN with a wide range of Al composition grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K. Ooyama, K. Sugawara, S. Okuzaki, H. Taketomi, H. Miyake, K. Hiramatsu, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 49 号: 10R ページ: 101001-101001
- DOI
  10.1143/jjap.49.101001
- NAID
  210000069281
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Small valence-band offset of In0.17Al0.83N/GaN heterostructure grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  M.Akazawa, T.Matsuyama, T.Hashizume, M.Hiroki, S.Yamahata, N.Shigekawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Realization of an extremely low reflectance surface based on InP porous nanostructures for application to photoelectrochemical solar cells2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Thin solid films (掲載決定)
- NAID
  120002208930
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[雑誌論文] Trapping effect evaluation of gateless AlGaN/ GaN heterojunction field-effect transistors using transmission-line-model method2010
- 著者名/発表者名
  C.-Y. Hu, T. Hashizume, K. Ohi, M. Tajima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett .
  
  巻: 97 号: 22 ページ: 222103-222103
- DOI
  10.1063/1.3506583
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Process conditions for improvement of electrical properties of Al_2O_3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C.Mizue, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Realization of an extremely low reflectance surface based on InP porous nanostructures for application to photoelectrochemical solar cells2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 ページ: 4399-4402
- NAID
  120002208930
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[雑誌論文] Variation of surface potentials of Si-doped Al_xGa_1-xN (0 < x < 0.87) grown on AlN/sapphire template by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Kubo, H. Taketomi, H. Miyake, K. Hiramatsu, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 3 号: 2 ページ: 21004-21004
- DOI
  10.1143/apex.3.021004
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Trap states in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures with Al_2O_3 prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  D.Gregusova, R.Stoklas, C.Mizue, Y.Hori, J.Novak, T.Hashizume, P.Kordos
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Process conditions for improvement of electrical properties of Al_2O_3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C.Mizue, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Small valence-band offset of In0.17Al0.83N/GaN heterostructure grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  M. Akazawa, T. Matsuyama, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 96 号: 13 ページ: 132104-132104
- DOI
  10.1063/1.3368689
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Variation of surface potentials of Si-doped Al_xGa_<1-x>N(0<x<0.87)grown on AlN/sapphire template by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kubo, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 3(論文番号021004-1-3)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Small valence-band offset of In0.17A10.83N/GaN heterostructure grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  M.Akazawa, T.Matsuyama, T.Hashizume, M.Hiroki, S.Yamahata, N.Shigekawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Trap states in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures with Al_2O_3 prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  D.Gregusova, R.Stoklas, C.Mizue, Y.Hori, J.Novak, T.Hashizume, P.Kordos
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Deep electronic levels of Al_xGa_<1-x>N with a wide range of Al composition grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Ooyama, K.Sugawara, S.Okuzaki, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Variation of surface potentials of Si-doped Al_xGa_<1-x>N(0<x<0.87)grown on AlN/sapphire template by metal-organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kubo, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Near-midgap deep levels in Al_<0.26>Ga_<0.74>N grown by metal-organic chemical vapord eposition2009
- 著者名/発表者名
  K.Sugawara, J.Kotani, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Simulations of C-V-T Behavior of Metal/Insulator/AlGaN and Metal/Insulator/AlGaN/GaN Structures2009
- 著者名/発表者名
  M.Miczek, B.Adamowicz, C.Mizue, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Near-midgap deep levels in Al_0.26Ga_0.74N grown by metal-organic chemical vapor deposition2009
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara, J. Kotani and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 94 号: 15
- DOI
  10.1063/1.3119643
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] UV-induced variation of interface potential in the AlOx/n-GaN structure2009
- 著者名/発表者名
  C. Mizue, J. Kotani, M. Miczek, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- NAID
  40016464704
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Drain Current Stability and Controllability of Threshold Voltage and Subthreshold Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor2009
- 著者名/発表者名
  K.Ohi, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016704629
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Surface control of GaN alloys for photonic and electronic devices2009
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, N.Shiozaki, K.Ohi
- 雑誌名
  
  Proc.of SPIE, Gallium Nitride Materials and Devices IV 7216(論文番号7216-0U-1-8)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Surface control of GaN alloys for photonic and electronic devices2009
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, N.Shiozaki, K.Ohi
- 雑誌名
  
  Proc.of SPIE, Gallium Nitride Materials and Devices IV 7216
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Near-midgap deep levels in Al_<0.26>Ga_<0.74>N grown by metal-organic chemical vapord eposition2009
- 著者名/発表者名
  K.Sugawara, J.Kotani, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 94(論文番号152106-1-3)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Drain Current Stability and Controllability of Threshold Voltage and Subthreshold Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor2009
- 著者名/発表者名
  K.Ohi, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48(論文番号081002-1-5)
- NAID
  40016704629
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Improvements of Electronic and Optical Characteristics of n-GaN-based structures by Photoelectrochemical Oxidation in Glycol Solution2009
- 著者名/発表者名
  N. Shiozaki and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 105
- NAID
  120001152960
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Effect of carbon incorporation on electric properties of n-type GaN surfaces2009
- 著者名/発表者名
  T. Kimura and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 105
- NAID
  120001102068
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Effects of native oxide formation on AlGaN on DC characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors2009
- 著者名/発表者名
  T. Tajima, J. Kotani and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Simulations of C-V-T Behavior of Metal/Insulator/AlGaN and Metal/Insulator/AlGaN/GaN Structures2009
- 著者名/発表者名
  M.Miczek, B.Adamowicz, C.Mizue, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48(論文番号04C092-1-6)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] GaNおよびAlGaNの深い電子準位-電気的評価結果を中心として-(解説)2009
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 36(論文番号205-213)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Drain Current Stability and Controllability of Threshold Voltage and Subthreshold Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor2009
- 著者名/発表者名
  K. Ohi and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 48 号: 8 ページ: 081002-081002
- DOI
  10.1143/jjap.48.081002
- NAID
  40016704629
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[雑誌論文] Surface control of GaN alloys for photonic and electronic devices2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, N. Shiozaki and K. Ohi
- 雑誌名
  
  Proc. of SPIE, Gallium Nitride Materials and Devices IV 7216
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] GaNおよびAlGaNの深い電子準位-電気的評価結果を中心として-(解説)2009
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 36
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[雑誌論文] Deposition of aluminum oxide layer on GaN using diethyl-aluminum-ethoxide as a precursor2008
- 著者名/発表者名
  T. Uesugi, T. Kachi, M. Sugimoto, C. Mizue, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 104
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Temperature-dependent interface-state response in an Al_2O_3/n-GaN structure2008
- 著者名/発表者名
  K. Ooyama, H. Kato, M. Miczek, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 5426-5428
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors2008
- 著者名/発表者名
  M. Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, B. Adamowicz
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 103(In press)
- NAID
  120000952722
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/A1GaN/GaN heterostructure capacitors2008
- 著者名/発表者名
  M. Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, and B. Adamowicz
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Chemical and Potential-Bending Characteristics of SiN_x/AlGaN Interfaces Preparedby In Situ Metal-Organic Chemical Vapor Deposition2007
- 著者名/発表者名
  E. Ogawa, T. Hashizume, T. Ueda and T. Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution with Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  Nanako Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46(in press)
- NAID
  10018900586
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Solid-Phase Diffusion of Carbon into GaN Using SiNχ/CNχ/GaN Structure2007
- 著者名/発表者名
  T.Kimura, S.Ootomo, T.Nomura, S.Yoshida, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Electrical and deep-level characterization of GaP_<1-x>N_x grown by gas-source molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M.Kaneko, T.Hashizume, V.A.Odnoblyudov, C.W.Tu
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 101(in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution with Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  N.Shiozaki, T.Sato, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1471-1473
- NAID
  10018900586
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Electrical and deep-level characterization of GaP1-χNχ grown by gas-source molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M.Kaneko, T.Hashizume, V.A.Odnoblyudov, C.W.Tu
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 101(in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution with Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  Nanako Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1471-1473
- NAID
  10018900586
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures2007
- 著者名/発表者名
  J. Kotani, M. Tajima, S. Kasai and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution With Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  N. Shiozaki, T. Sato, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1471-1473
- NAID
  10018900586
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Electrical and deep-level characterization of GaP_<1-x>N_x grown by gas-source molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, T. Hashizume, V. A. Odnoblyudov and C. W. Tu
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Solid-Phase Diffusion of Carbon into GaN Using SiN_x/CN_x/GaN Structure2007
- 著者名/発表者名
  T.Kimura, S.Ootomo, T.Nomura, S.Yoshida, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
- NAID
  10018903165
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Large reduction of leakage currents in AlGaN Schottky diodes by a surface control process and its mechanism2006
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, M.Kaneko, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol B 24
  
  ページ: 2148-2155
- NAID
  120000960611
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Selective molecular beam epitaxy growth of size- and position-controlled GaN/AlGaN nanowires on nonplanar (0001) substrates and its growth mechanism2006
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T.Oikawa, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol B 24
  
  ページ: 2087-2092
- NAID
  120000959106
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Large reduction of leakage currents in AIGaN Schottky diodes by a surfce control process and its mechanism2006
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, M.Kaneko, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol B 24
  
  ページ: 2148-2155
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Liquid-phase sensors using open-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure2006
- 著者名/発表者名
  T.Kokawa, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 24
  
  ページ: 1972-1976
- NAID
  120000956602
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Control of leakage current in AlGaN Schottky interfaces by an ultrathin Al layer2006
- 著者名/発表者名
  M.Kaneko, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 3
  
  ページ: 1758-1761
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Surface control process of AlGaN for suppression of gate leakage currents in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors2006
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, J.Kotani, A.Basile, M.Kaneko
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 45
- NAID
  10018158791
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Control of leakage current in AlGaN Schottky interfaces by an ultrathin Al layer2006
- 著者名/発表者名
  M.Kaneko, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c), 3
  
  ページ: 1758-1761
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Gate control, surface leakage currents, and peripheral charging in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors having nanometer-scale Schottky gates2006
- 著者名/発表者名
  S.Kasai, J.Kotani, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J. Electron. Mat. 35
  
  ページ: 568-575
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Surface control process of AlGaN for suppression of gate leakage currents in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor2006
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume^*, J.Kotani, A.Basile, M.Kaneko
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 45
- NAID
  10018158791
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Selective molecular beam epitaxy growth of size-and position-controlled GaN/AlGaN nanowires on nonplanar (0001) substrates and its growth mechanism2006
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T.Oikawa, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 24
  
  ページ: 2087-2092
- NAID
  120000959106
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Liquid Phase Sensors Using Open-Gate AlGaN/GaN HEMT Structure2006
- 著者名/発表者名
  T.Kokawa, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B 26(in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Liquid-phase sensors using open-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure2006
- 著者名/発表者名
  T.Kokawa, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol B 24
  
  ページ: 1972-1976
- NAID
  120000956602
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Surface control process of AlGaN for suppression of gate leakage currents in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors2006
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, J.Kotani, A.Basile, M.Kaneko
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Letters 45
- NAID
  10018158791
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Control of leakage current in AlGaN Schottky interfaces by an ultrathin Allayer2006
- 著者名/発表者名
  M.Kaneko, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 3
  
  ページ: 1758-1761
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Large reduction of leakage currents in A1GaN Schottky diodes by a surface control process and its mechanism2006
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, M.Kaneko, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 24
  
  ページ: 2148-2155
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on A1GaN/GaN heterostructure transistors2005
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, S.Kasai, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol B 23
  
  ページ: 1799-1807
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Hydrogen Response of Pd Schottky Diodes Formed on AlGaN/GaN Heterostructure2005
- 著者名/発表者名
  K.Matsuo, T.Kimura, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3
  
  ページ: 314-318
- NAID
  130004438957
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistor2005
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, S.Kasai, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B 23
  
  ページ: 1799-1807
- NAID
  120000958033
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Pt Schottky Diode Gas Sensors Formed on GaN and AlGaN/GaN Heterostructure2005
- 著者名/発表者名
  K.Matsuo, N.Negoro, J.Kotani, Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Sci. 244
  
  ページ: 273-276
- NAID
  120000955910
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Minority carrier diffusion length in GaN : Dislocation density and doping concentration dependence2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumakura, T.Makimoto, N.Kobayashi, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett 86
- NAID
  120000957117
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Minority carrier diffusion length in GaN : Dislocation density and doping concentration dependence2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumakura, T.Makimoto, N.Kobayashi, T.Hashizume, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 86
- NAID
  120000957117
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN(0001) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Sci. 244
  
  ページ: 84-87
- NAID
  120000953792
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] GaN系ショットキー接合のリーク電流(解説論文)2005
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌(c) J88-C
  
  ページ: 621-629
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Minority carrier diffusion length in GaN : Dislocation density and doping concentration dependence2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumakura, T.Makimoto, N.Kobayashi, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett vol.86
- NAID
  120000957117
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN(000l) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Sci. 244
  
  ページ: 84-87
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Minority carrier diffusion length in GaN : Dislocation density and doping concentration dependence2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumakura, T.Makimoto, N.Kobayashi, T.Hashizume, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 86 Art No. 052105
- NAID
  120000957117
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Leakage currents in GaN-based Schottky interfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Journal of IEICE (C) J88-C
  
  ページ: 621-629
- NAID
  10016797506
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Pt Schottky Diode Gas Sensors Formed on GaN and AlGaN/GaN heterostructure2005
- 著者名/発表者名
  K.Matsuo, N.Negoro, J.Kotani, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci. 244
  
  ページ: 273-276
- NAID
  120000955910
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistors2005
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, S.Kasai, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol B 23
  
  ページ: 1799-1807
- NAID
  120000958033
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Pt Schottky Diode Gas Sensors Formed on GaN and AlGaN/GaN Heterostructure2005
- 著者名/発表者名
  K.Matsuo, N.Negoro, J.Kotani, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Sci. 244
  
  ページ: 273-276
- NAID
  120000955910
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Tunneling Injection of Electrons at Nanometer-Scale Schottky Gate Edge of AlGaN/GaN Heterostructure Transistors and Its Computer Simulation2005
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, S.Kasai, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3
  
  ページ: 433-438
- NAID
  130004438970
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Minority carrier diffusion length in GaN : Dislocation density and doping concentration dependence2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumakura, T.Makimoto, N.Kobayashi, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
- NAID
  120000957117
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Minority carrier diffusion length in GaN : Dislocation density and doping concentration dependence2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumakura, T.Makimoto, N.Kobayashi, T.Hashizume, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett 86
- NAID
  120000957117
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN(0001) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci 244
  
  ページ: 84-87
- NAID
  120000953792
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Computer Simulation of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Diodes Based on Thin Surface Barrier Model2004
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci. 237
  
  ページ: 213-218
- NAID
  120000954331
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of nitrogen deficiency on electronic properties of AlGaN surfaces subjected to thermal and plasma processes2004
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci vol.234
  
  ページ: 387-394
- NAID
  120000959078
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Analysis and Control of Excess Leakage Currents in Nitride-Based Schottky Diodes Based on Thin Surface Barrier Model2004
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B 22
  
  ページ: 2179-2189
- NAID
  120000955423
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of Surface Processing on 2DEG Current Transport at AlGaN/GaN Interface Studied by Gateless HFET Structure2004
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Anantathanasarn, N.Negoro, E.Sato
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part2 43(Express Letters)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Al_2O_3 Insulated-Gate Structure for AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Having Thin AlGaN Barrier Layers2004
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Anantathanasarn, N.Negoro, E.Sano
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part 2 (Express Letters) vol.43
- NAID
  10013161287
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Leakage mechanism in GaN and AlGaN Schottky interfaces2004
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, J.Kotani, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 84
  
  ページ: 4884-4886
- NAID
  120000954612
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Analysis and Control of Excess Leakage Currents in Nitride-Based Schottky Diodes Based on Thin Surface Barrier Model2004
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B vol 22
  
  ページ: 2179-2189
- NAID
  120000955423
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Analysis and Control of Excess Leakage Currents in Nitride-Based Schottky Diodes Based on Thin Surface Barrier Model2004
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.B 22
  
  ページ: 2179-2189
- NAID
  120000955423
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of nitrogen deficiency on electronic properties of AlGaN surfaces subjected to thermal and plasma processes2004
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci 234
  
  ページ: 387-394
- NAID
  120000959078
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Computer Simulation of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Diodes Based on Thin Surface Barrier Model2004
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci vol.237
  
  ページ: 213-218
- NAID
  120000954331
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Computer Simulation of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Diodes Based on Thin Surface Barrier Model2004
- 著者名/発表者名
  J.Kotani, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci 237
  
  ページ: 213-218
- NAID
  120000954331
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Leakage mechanism in GaN and AlGaN Schottky interfaces2004
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, J.Kotani, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. vol.84
  
  ページ: 4884-4886
- NAID
  120000954612
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of Surface Processing on 2DEG Current Transport at AlGaN/GaN Interface Studied by Gateless HFET Structure2004
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Anantathanasarn, N.Negoro, E.Sano
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part 2 (Express Letters) 43
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of nitrogen deficiency on electronic properties of AlGaN surfaces subjected to thermal and plasma processes2004
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci. 234
  
  ページ: 387-394
- NAID
  120000959078
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Al_2O_3-based surface passivation and insulated gate structure for AlGaN/GaN HFETs2003
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Ootomo, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c)
  
  ページ: 2380-2384
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Surface passivation of GaN and GaN/AlGaN heterostructures by dielectric films and its application to insulated-gate heterostructure transistors2003
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Ootomo, T.Inagaki, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B 21
  
  ページ: 1828-1838
- NAID
  120000953350
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors using ultrathin Al_2O_3 dielectric2003
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Ootomo, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters vol.83
  
  ページ: 2952-2954
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Al_2O_3-based surface passivation and insulated gate structure for AlGaN/GaN HFETs2003
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Ootomo, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) 0
  
  ページ: 2380-2384
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Mechanisms of Current Collapse and Gate Leakage Currents in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors2003
- 著者名/発表者名
  H.Hasegawa, T.Inagaki, S.Ootomo, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B vol.21
  
  ページ: 1844-1855
- NAID
  120000953747
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Gate Leakage in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors and Its Suppression by Novel Al_2O_3 Insulated Gate2003
- 著者名/発表者名
  S.Ootorno, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron. vol.E86-C
  
  ページ: 2043-2050
- NAID
  110003214505
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Gate Leakage in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors and Its Suppression by Novel Al_2O_3 Insulated Gate2003
- 著者名/発表者名
  S.Ootomo, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron. E86-C
  
  ページ: 2043-2050
- NAID
  110003214505
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Surface passivation of GaN and GaN/AlGaN heterostructures by dielectric films and its application to insulated-gate heterostructure transistors2003
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Ootomo, T.Inagaki, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B vol.21
  
  ページ: 1828-1838
- NAID
  120000953350
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of Mg accumulation on chemical and electronic properties of Mg-doped p-type GaN Surface2003
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. vol.94
  
  ページ: 431-436
- NAID
  120000959743
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of Mg accumulation on chemical and electronic properties of Mg-doped p-type GaN Surface2003
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 94
  
  ページ: 431-436
- NAID
  120000959743
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of Surface Processing on 2DEG Current Transport at AlGaN/GaN Interface Studied by Gate less HFET Structure2003
- 著者名/発表者名
  T.Inagaki, S.Ootomo, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science vol.216
  
  ページ: 519-525
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Mechanisms of Current Collapse and Gate Leakage Currents in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors2003
- 著者名/発表者名
  H.Hasegawa, T.Inagaki, S.Ootomo, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B 21
  
  ページ: 1844-1855
- NAID
  120000953747
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors using ultrathin Al_2O_3 dielectric2003
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, S.Ootomo, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 83
  
  ページ: 2952-2954
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Mechanism of Current Leakage through Metal/n-GaN Interfaces2002
- 著者名/発表者名
  S.Oyama, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science vol.190
  
  ページ: 322-325
- NAID
  120000960729
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Discrete surface state related to nitrogen-vacancy defect on plasma treated GaN surface2002
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 80
  
  ページ: 4564-4566
- NAID
  120000956979
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Surface Fermi level position and gap state distribution of InGaP surface grown by metal-organic vapor phase epitaxy2002
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 81
  
  ページ: 2382-2384
- NAID
  120000953554
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Effects of nitrogen addition on methan-based ECR plasma etching of gallium nitride2002
- 著者名/発表者名
  Z.Jin, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science vol.190
  
  ページ: 361-365
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[雑誌論文] Discrete surface state related to nitrogen-vacancy defect on plasma treated GaN surface2002
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, R.Nakasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters vol 80
  
  ページ: 4564-4566
- NAID
  120000956979
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350155
[産業財産権] エッチング方法及びエッチング装置2017
- 発明者名
  佐藤威友、熊崎祐介、橋詰保
- 権利者名
  佐藤威友、熊崎祐介、橋詰保
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-095458
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[産業財産権] エッチング方法及びエッチング装置2017
- 発明者名
  佐藤威友、熊崎祐介、橋詰保
- 権利者名
  佐藤威友、熊崎祐介、橋詰保
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] AlGaN/GaN MIS-HEMTsにおけるパラレル伝導評価2022
- 著者名/発表者名
  越智亮太，橋詰保，佐藤威友
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Effect of parallel conduction on the current linearity of AlGaN/GaN MIS-HEMTs2022
- 著者名/発表者名
  Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Taketomo Sato
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Precise control in threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs utilizing a photoelectrochemical (PEC) etching2021
- 著者名/発表者名
  T. Sato, M. Toguchi, K. Itoh, T. Hashizume
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Precise control in threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs utilizing a photoelectrochemical (PEC) etching2021
- 著者名/発表者名
  T. Sato, M. Toguchi, K. Itoh, T. Hashizume
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Interface properties of Al2O3-based MOS structures on m-plane GaN2021
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume and S. Kaneki
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] HfSiOx-gate GaN MOS-HEMTs for RF power transistor2021
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, R. Ochi, E. Maeda, T. Nabatame, K. Shiozaki and T. Sato
- 学会等名
  Society of Photographic Instrumentation Engineers (SPIE), Photonics West 2021, Gallium Nitride Materials and Devices XVI
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 無極性面に形成したGaN MOS界面の特性2021
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] HfSiOx-gate AlGaN/GaN MOS HEMTs with improved operation stability2021
- 著者名/発表者名
  R. Ochi, T. Nabatame, T. Hashizume, T. Sato
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価2021
- 著者名/発表者名
  越智亮太、前田瑛里香、生田目俊秀、塩崎宏司、橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] HfSiOxゲート AlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート制御性2020
- 著者名/発表者名
  越智亮太、前田瑛里香、生田目俊秀、塩崎宏司、橋詰保
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] GaN MOSFETの絶縁ゲート技術2019
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Improved gate controllability of Al2O3-gate AlGaN/GaN HEMTs grown on GaN substrates2019
- 著者名/発表者名
  R. Ochi, Y. Ando, S. Kaneki and T. Hashizume
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Insulated gate technologies for advanced GaN MOS transistors2019
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma-2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Improved Al2O3 gate technology for high-power and high-frequency GaN transistors2019
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Stable C-V characteristics of Al2O3/m-plane GaN structures at high temperatures2019
- 著者名/発表者名
  S. Kaneki and T. Hashizume
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] GaN自立基板上に作製したAl2O3/AlGaN/GaN HEMTの評価2019
- 著者名/発表者名
  金木奨太、安藤祐次、橋詰保
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Interface control of Al2O3-based MOS structures for advanced GaN transistors2019
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume and T. Sato
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] MOS interface control for GaN power transistor2019
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week (CSW2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] p-GaNに形成したショットキーおよびMOS接合の評価2018
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会第149回結晶工学分科会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors2018
- 著者名/発表者名
  M. Matys, K. Nishiguchi, B. Adamowicz, J. Kuzmik, and T. Hashizume
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] m面GaNに形成したAl2O3 MOS構造の評価2018
- 著者名/発表者名
  金木奨太、橋詰保
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Gate controllability in Al2O3-gate AlGaN/GaN HEMTs grown on GaN substrates2018
- 著者名/発表者名
  Y. Ando, S. Kaneki, and T. Hashizume
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] GaN基板上に作製したAl2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT のゲート制御性2018
- 著者名/発表者名
  安藤祐次、金木奨太、橋詰保
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Characterization of Al2O3 MOS structures fabricated on high-temperature annealed GaN surfaces2018
- 著者名/発表者名
  T. Oyobiki and T. Hashizume
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] GaN系トランジスタにおける界面制御2018
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第４回個別討論会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 高温アニールがAl2O3/GaN 界面特性に及ぼす影響2018
- 著者名/発表者名
  及木達矢、橋詰保
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 高温アニール後のGaN表面に形成したAl2O3 MOS構造の評価2018
- 著者名/発表者名
  及木達矢、橋詰保
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Nature of oxide/III-N defects: Disorder induced gap state continuum vs. border traps2018
- 著者名/発表者名
  M. Matys, K. Nishiguchi, B. Adamowicz and T. Hashizume
- 学会等名
  34th International Conference on the Semiconductor Physics (ICPS-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Control of Al2O3 MOS Interfaces Fabricated on m-plane GaN Surfaces2018
- 著者名/発表者名
  S. Kaneki and T. Hashizume
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Al2O3-gate AlGaN/GaN MOS HEMTの動作安定性2018
- 著者名/発表者名
  安藤祐次、金木奨太、西口賢弥、橋詰保
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] GaN MOS-HEMTの制御性および安定性の向上2017
- 著者名/発表者名
  金木将太、西口賢弥、橋詰保
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 光電気化学(PEC)反応を利用したリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製2017
- 著者名/発表者名
  植村圭佑、佐藤威友、橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Analysis of temperature dependent frequency dispersion in C-V curves of Al2O3/AlGaN/GaN structures based on the disorder-induced gap-state model2017
- 著者名/発表者名
  M. Matys, S.Kaneki, B. Adamowicz, J. Kuzmik and T. Hashizume
- 学会等名
  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 光電気化学(PEC)反応を利用したリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製2017
- 著者名/発表者名
  植村圭佑、佐藤威友、橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Transient-mode simulation of MOS C-V characteristics for GaN2017
- 著者名/発表者名
  Koichi Fukuda, Hidehiro Asai, Junichi Hattori, Mitsuaki Shimizu and Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Improved MOS gate control in Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs with reverse-bias annealing2017
- 著者名/発表者名
  Kenya Nishiguchi, Syota Kaneki, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Correlation between VTH instability and interface states in Al2O3/AlGaN/GaN Structures2017
- 著者名/発表者名
  Shota Kaneki, Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Highly-controllable etching for AlGaN/GaN recessed-gate structures utilizing low-damage electrochemical reactions2017
- 著者名/発表者名
  K. Uemura, Y. Kumazaki, T. Sato, and T. Hashizume
- 学会等名
  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] GaNキャップ層がAlGaN/GaN MOS構造のC-V特性に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  西口賢弥、橋詰保
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング2017
- 著者名/発表者名
  松本悟，佐藤威友，成田哲生，加地徹，橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Precise thickness control in recess-etching for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using a low damage photo-electrochemical reaction2017
- 著者名/発表者名
  Taketomo Sato, Keisuke Uemura, Yusuke Kumazaki, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Fast Switching Performance by 20 A/730 V AlGaN/GaN MIS-HFET Using AlON Gate Insulator2017
- 著者名/発表者名
  S. Nakazawa, H.-A. Shih, N. Tsurumi, Y. Anda, T. Hatsuda, T. Ueda, M. Nozaki, T. Yamada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, and T. Hashizume
- 学会等名
  63rd. International Electron devices Meeting (IEDM-2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Precise thickness control in recess-etching for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using a low damage photo-electrochemical reaction2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura, Y. Kumazaki, and T. Hashizume
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] GaN系トランジスタにおける界面制御2017
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Al2O3/GaN 構造の界面制御プロセス2017
- 著者名/発表者名
  金木奨太、西口賢弥、橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Improved wet-etching processes for GaN-based electron devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura and T. Hashizume
- 学会等名
  2017 Materials Research Society Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング2017
- 著者名/発表者名
  松本悟、佐藤威友、成田哲生、加地徹、橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] MOS構造によるGaN表面のICPエッチング誘起欠陥の評価2017
- 著者名/発表者名
  及木達矢、西口賢弥、山田真嗣、桜井秀樹、上村隆一郎、長田大和、加地徹、橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Improved wet-etching processes for GaN-based electron devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura, and T. Hashizume
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Improved wet-etching processes for GaN-based electron devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura, and T. Hashizume
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] GaN系半導体のMOS界面制御2017
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本学術振興会第162委員会第103回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] GaN MIS界面とトランジスタ応用～これまでのⅢ-V MIS界面と違いはあるのか～2017
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本結晶成長学会・ナノ構造・エピタキシャル成長分科会・第9回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Effects of Electronic States at Insulator/AlGaN Interfaces on Threshold Voltage Instability of Al2O3/AlGaN/GaN Structures2016
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, J.T. Asubar, Y. Nakamura, T. Hashizume
- 学会等名
  2016 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2016)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] GaN系トランジスタにおける界面制御2016
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- 発表場所
  新潟朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Al2O3/AlGaN/GaN MOSHEMT の界面制御プロセス2016
- 著者名/発表者名
  金木将太、西口賢弥、橋詰保
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Surface passivation structures for GaN power transistors2016
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2016 (ADMETA-2016)
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2016-10-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] nterface control technologies for high-power GaN transistors: Self-stopping etching of p-GaN layers utilizing electrochemical reactions2016
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, M. Edamoto, M. Akazawa and T. Hashizume
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2016
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, USA
- 年月日
  2016-02-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Influence of dry etching on Al2O3/AlGaN/GaN MOS interface properties2015
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, J. Ohira, T. Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Photoelectric energy conversion in GaN porous nanostructures formed by electrochemical process2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki and T. Hashizume
- 学会等名
  Energy, Materials and Nanotechnology: The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (EMN-3CG 2015)
- 発表場所
  Eaton Hotel, Hong Kong, China
- 年月日
  2015-12-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] High-selective etching of p-GaN layers on AlGaN/GaN heterostructures by electrochemical process2015
- 著者名/発表者名
  M. Edamoto, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, T. Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 界面・バルク電子準位がGaNトランジスタの動作特性に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  橋詰保, 西口賢弥, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第1回先進パワー半導体分科会研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの信頼性」
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2014-07-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 窒化物半導体異種接合の評価と制御2014
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 赤澤正道, 橋詰保
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川県相模原市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング2014
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] GaNパワーデバイスにおける異種接合界面の制御2013
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本表面科学会第74回表面科学研究会平成24年度中部表面科学シンポジウム
- 発表場所
  名古屋大学、名古屋
- 年月日
  2013-01-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaNパワーデバイスにおける異種接合界面の制御2013
- 著者名/発表者名
  橋詰　保
- 学会等名
  表面科学会第７４回表面科学研究会平成２４年度中部表面科学シンポジウム
- 発表場所
  名古屋大学、名古屋
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] InAlN/GaN ヘテロ構造の表面・界面の評価と制御2013
- 著者名/発表者名
  赤澤正道、橋詰　保
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会シンポジウム
- 発表場所
  神奈川工科大学、神奈川県
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] 「InAlN/GaNヘテロ構造の表面・界面の評価と制御」、応用物理学関係連合講演会シンポジウム:GaN系材料表面・界面評価の進展2013
- 著者名/発表者名
  赤澤正道、橋詰保
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学、神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Selective etching of p-GaN layers for normally-off AlGaN/GaN HEMTs by electrochemical process2013
- 著者名/発表者名
  3. Y. Kumazaki, N. Azumaishi, H. Ueda, M. Kanechika, H. Tomita, T. Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gaylord National Hotel and Convention Center Washington (Washington DC, USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] GaN-based MOS structures processed with plasma-assisted dry etching (Invited)2012
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 学会等名
  4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)
- 発表場所
  中部大学(愛知県)(招待講演)
- 年月日
  2012-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaNおよびAlGaNのバルク準位と界面準位評価2012
- 著者名/発表者名
  橋詰　保
- 学会等名
  第４回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東大生研、東京
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaN系絶縁膜界面の制御とパワートランジスター応用2012
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用電子物性分科会研究例会
- 発表場所
  金沢工業大学大学院虎ノ門キャンパス、東京。
- 年月日
  2012-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Interface characterization of Al2O3/AlGaN/GaN structure with inductively coupled plasma etching of AlGaN surface2012
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, Y. Hori, S. Kim and T. Hashizume
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto Convention Center (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaN transistors for next-generation power conversion system2012
- 著者名/発表者名
  J.T.Asubar, T.Hashizume
- 学会等名
  International Symposium on Technology for Sustainability
- 発表場所
  King Mongkuts Institute of Technology (Thailand)(招待講演)
- 年月日
  2012-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaN系ヘテロ界面構造の特徴とその評価2012
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会シンポジウム[窒化物半導体における特異構造の理解と制御]
- 発表場所
  早稲田大学(東京)(招待講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Effects of ICP Etching of AlGaN on Interface Properties of Al2O3/AlGaN/GaN Structures2012
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, Y. Hori, S. Kim and T. Hashizume
- 学会等名
  36th Workshop on Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-2012)
- 発表場所
  Village Club IGESA (France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Insulated gate technologies for high-performance GaN transistors2012
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaN系絶縁膜界面の制御とパワートランジスター応用2012
- 著者名/発表者名
  橋詰　保
- 学会等名
  応用電子物性分科会研究例会：ワイドギャップ半導体パワーデバイスの進展
- 発表場所
  金沢工業大学大学院　虎ノ門キャンパス、東京
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization and control of insulated gates for GaN power switching transistors2012
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  The Ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM-2012)
- 発表場所
  House of Scientists of Slovak Academy of Sciences, Slovakia.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Reduction of off-stress-induced current co;;apse in multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMT2012
- 著者名/発表者名
  K. Ohi and T. Hashizume
- 学会等名
  36th Workshop on Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-2012)
- 発表場所
  Village Club IGESA (France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaN-based MOS structures processed with plasma-assisted dry etching2012
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)
- 発表場所
  Chubu University, Kasugai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaN transistors for next-generation power conversion system2012
- 著者名/発表者名
  J. T. Asubar and T. Hashizume
- 学会等名
  International Symposium on Technology for Sustainability
- 発表場所
  King Mongkut's Institute of Technology, Bangkok, Thailand
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] In-grown and process-induced deep levels in AlGaN alloys2012
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  International Workshop on "Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics (NSAP)"
- 発表場所
  Hotel Springs, Chiba
- 年月日
  2012-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] In-grown and process-induced deep levels in AlGaN alloys2012
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  International Workshop on "Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics (NSAP)
- 発表場所
  Hotel Springs, Chiba
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Insulated gate technologies for high-performance GaN transistors2012
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center (Japan)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaNおよびAlGaNのバルク準位と界面準位評価2012
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東大生研、東京
- 年月日
  2012-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization and control of insulated gates for GaN power switching transistors2012
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  The Ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM-2012)
- 発表場所
  House of scientists of Slovak academy of sciences (Slovakia)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization of MOS interfaces based on GaN-related heterostructures2012
- 著者名/発表者名
  Y. Hori, Z. Yatabe and T. Hashizume
- 学会等名
  Workshop on Dielectrics in Microellectronics (WoDiM 2012)
- 発表場所
  Quality Hotel Plaza Dresden (Germany)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] A novel method for the determination of the full energetic distribution of interface state density in metal/insulator/GaN structures from capacitance–voltage and photocapacitance–light intensity measurements2012
- 著者名/発表者名
  M. Matysi, M. Miczek, B. Adamowicz, and T. Hashizume
- 学会等名
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)
- 発表場所
  ETH Zurich (Switzerland)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Electronic State Characterization of Al2O3/AlGaN/GaN Structures Prepared by Atomic Layer Deposition2011
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C.Mizue, T.Hashizume
- 学会等名
  13th International Conference on Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-13)
- 発表場所
  Academy of Science (Czech Republic)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Normally-Off AlGaN/GaN HEMT with Recessed-Oxide Gate by Selective Electrochemical Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  K.Ohi, N.Harada, N.Azumaishi, T.Hashizume
- 学会等名
  13th International Conference on Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-13)
- 発表場所
  Academy of Science (Czech Republic)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization of Off-State-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using Dual-gate Architecture2011
- 著者名/発表者名
  J.T.Asubar, M.Tajima, T.Hashizume
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Centre (UK)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Selective Electrochemical Formation of Recessed-Oxide-Gate Structures for AlGaN/GaN HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  N.Azumaishi, N.Harada, T.Hashizume
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid-state Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  愛知県産業労働センター(名古屋市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] The Role of the Gate-Source Region on the Off-state Bias-induced Current Collapse of AlGaN/GaN HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  J.T.Asubar, T.Tajima, T.Hashizume
- 学会等名
  5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS)
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル(三重県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] On-State Bias Stress Induced Trapping Effects in Access Region of AlGaN/GaN HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  C.-Y. Hu, T.Hashizume
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Centre (UK)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN HEMT with Resistance to Off-Stress-Induced Current Collapse2011
- 著者名/発表者名
  K.Ohi, T.Hashizume
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Centre (UK)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization and control of dry-etched GaN surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Z.Yatabe, S.-S.Kim, N.Azumaishi, T.Sato, T.Hashizume
- 学会等名
  6th Interbnnational Symposium on Surface Science (ISSS-6)
- 発表場所
  タワーホール船堀(東京)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Control of Electronic States at Al2O3/GaN and Al2O3/AlGaN Interfaces Prepared by Atomic Layer Deposition2011
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C.Mizue, T.Hashizume
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Centre (UK)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization and control of GaN-based MOS structures2011
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, Y. Hori, and C. Mizue
- 学会等名
  2011 Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors (MSN2011)
- 発表場所
  Meijo University, Nagoya
- 年月日
  2011-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaNヘテロ接合トランジスタの次世代インバータ展開2011
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本金属学会第3分科会シンポジウム「環境・医療・IT調和型デバイス、及び材料の最前線」
- 発表場所
  科学技術館、東京
- 年月日
  2011-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] GaNヘテロ接合トランジスタの次世代インバータ展開2011
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本金属学会第3分科会シンポジウム「環境・医療・IT調和型デバイス、及び材料の最前線」
- 発表場所
  科学技術館(東京)(招待講演)
- 年月日
  2011-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization and control of GaN-based MOS structures2011
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, Y.Hori, C.Mizue
- 学会等名
  2011 Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors (MSN 2011)
- 発表場所
  名城大学(名古屋市)(招待講演)
- 年月日
  2011-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] 窒化物半導体の表面・界面制御とパワートランジスタ展開2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本学術振興会アモルファス・ナノ材料第147委員会第108回研究会
- 発表場所
  主婦会館、東京
- 年月日
  2010-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] A recessed oxide gate structure for threshold voltage control in AlGaN/GaN HEMTs by electrochemical process2010
- 著者名/発表者名
  N.Harada, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Current controllability and stability of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs2010
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, K.Ohi
- 学会等名
  2010 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka(Invited 招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Deep level characterization of MOVPE-grown AlGaN with high Al compositions2010
- 著者名/発表者名
  S.Okuzaki, K.Sugawara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2010)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Current Controllability and Stability in Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN HEMT2010
- 著者名/発表者名
  K.Ohi, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Optical and Electrical Properties of InP Porous Structures Formed on p-n Substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, A.Mizohata, N.Yoshizawa, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International RCIQE/CREST Joint Workshop
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2010-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] Effects of plasma processing on surface properties of GaN and AlGaN2010
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma-2010)
- 発表場所
  Meijo Univ., Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Deep level characterization of MOVPE-grown AlGaN with high Al compositions2010
- 著者名/発表者名
  S.Okuzaki, K.Sugawara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2010)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Effects of Mg-doping density and high-temperature annealing on deep levels in Mg-doped GaN2010
- 著者名/発表者名
  E.Ogawa, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Effects of fabrication processes on electrical properties of Al_2O_3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Effects of plasma processing on surface properties of GaN and AlGaN(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  2^<nd> International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma-2010)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Interface control technologies of GaN-based MOS structures for high-efficiency power switching transistors2010
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, Y.Hori, C.Mizue
- 学会等名
  Workshop on Dielectrics in Microellectronics (WoDiM 2010)
- 発表場所
  Bratislava, Slovak(Invited 招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] 窒化物半導体の特徴とデバイス展開(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  第27回無機材料に関する最近の研究成果発表会-材料研究の最前線から-
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] 電気化学的手法を用いて形成したInPポーラス構造の電気的特性2010
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成22年春期応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県平塚市
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] Effects of plasma processing on surface properties of GaN and AlGaN(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 学会等名
  2^<nd> International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma-2010)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] AlGaNの深い電子準位と表面ポテンシャル(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  防用物理学会応用電子物性分科会研究会
- 発表場所
  大阪招待講演
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Interface state properties of Al_2O_3/n-GaN prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C.Mizue, T.Hashizume
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] InP-pn接合基板へのポーラス構造形成および電気的特性評価2010
- 著者名/発表者名
  吉澤直樹, 岡崎拓行, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成22第45回応用物理学会北海道支部/第6回日本光学会北海道支部合同学術講演-
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2010-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] MOVPE法によるAlGaN中の深い準位(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会シンポジウム(ワイドギャップ窒化物AlGaNの結晶評価と深紫外光デバイス応用)
- 発表場所
  長崎招待講演
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Interface control technologies of GaN-based MOS structures for high-efficiency power switching transistors (Invited)2010
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, Y.Hori, C.Mizue
- 学会等名
  Workshop on Dielectrics in Microellectronics(WoDiM 2010)
- 発表場所
  Bratislava, Slovak 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] 窒化物半導体の表面・界面制御とパワートランジスタ展開(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本学術振興会アモルファス・ナノ材料第147委員会第108回研究会
- 発表場所
  東京招待講演
- 年月日
  2010-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] 窒化物半導体の表面・界面制御とパワートランジスタ展開2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本学術振興会アモルファス・ナノ材料第147委員会第108回研究会
- 発表場所
  東京(Invited 招待講演)
- 年月日
  2010-07-09
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Current Controllability and Stability in Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN HEMT2010
- 著者名/発表者名
  K.Ohi, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Effects of fabrication processes on electrical properties of Al_2_O_3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Current controllability and stability of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs (Invited)2010
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume, K.Ohi
- 学会等名
  2010 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] MOVPE法によるAlGaN中の深い準位2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会シンポジウム(ワイドギャップ窒化物AlGaNの結晶評価と深紫外光デバイス応用)
- 発表場所
  長崎大学、長崎
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用2010
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 吉澤直樹, 岡崎拓行, 橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  北陸先端科学技術大学、能美市
- 年月日
  2010-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] Trapping Region Extension at the Gate-Drain Opening of AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors Subjected to On-State Stress2010
- 著者名/発表者名
  C.-Y.Hu, T.Hashizume, K.Ohi, M.Tajima
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Interface state properties of Al_2O_3/n-GaN prepared by atomic layer deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C.Mizue, T.Hashizume
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Effects of Mg-doping density and high-temperature annealing on deep levels in Mg-doped GaN2010
- 著者名/発表者名
  E.Ogawa, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] AlGaNの深い電子準位と表面ポテンシャル2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物
- 発表場所
  大阪大学銀杏会館、大阪
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] 窒化物半導体の特徴とデバイス展開2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  第27回無機材料に関する最近の研究成果発表会-材料研究の最前線から-
- 発表場所
  東海大学校友会館、東京
- 年月日
  2010-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Current controllability and stability of multi-mesa- channel lGaN/GaN HEMTs2010
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume and K. Ohi
- 学会等名
  2010 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Kansai Univ., Osaka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] A recessed oxide gate structure for threshold voltage control in AlGaN/GaN HEMTs by electrochemical process2010
- 著者名/発表者名
  N.Harada, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] AlGaNの深い電子準位と表面ポテンシャル2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究会
- 発表場所
  大阪(Invited 招待講演)
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] C-V characterization of ALD-Al_2O_3 insulated gates on AlGaN/GaN structure2010
- 著者名/発表者名
  C.Mizue, T.Hashizume
- 学会等名
  Workshop on Dielectrics in Microellectronics (WoDiM 2010)
- 発表場所
  Bratislava, Slovak
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] C-V characterization of ALD-Al_2O_3 insulated gates on AlGaN/GaN structure2010
- 著者名/発表者名
  C.Mizue, T.Hashizume
- 学会等名
  Workshop on Dielectrics in Microellectronics (WoDiM 2010)
- 発表場所
  Bratislava, Slovak
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Trapping Region Extension at the Gate-Drain Opening of AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors Subjected to On-State Stress2010
- 著者名/発表者名
  C.-Y.Hu, T.Hashizume, K.Ohi, M.Tajima
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2010)
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Interface control technologies of GaN-based MOS structures for high-efficiency power switching transistors2010
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, Y. Hori and C. Mizue
- 学会等名
  Workshop on Dielectrics in Microellectronics (WoDiM 2010)
- 発表場所
  Hotel SUZA, Bratislava, Slovak
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] MOVPE法によるAlGaN中の深い準位2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  応用物理学会シンポジウム(ワイドギャップ窒化物AlGaNの結晶評価と深紫外光デバイス応用)
- 発表場所
  長崎(Invited 招待講演)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] 窒化物半導体の特徴とデバイス展開(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  第27回無機材料に関する最近の研究成果発表会-材料研究の最前線から-
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-01-25
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Multi-Mesa-Channel Structure for Improvement of Gate Controllability and Current Stability in AlGaN/GaN HEMTs2009
- 著者名/発表者名
  K.Ohi, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Chemical and electronic properties of ALD-Al_2O_3/AlGaN interfaces2009
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C.Mizue, K.Ooyama, M.Miczek, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid-State Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Mg accumulation and defect formation at p-GaN surfaces caused by a high-temperature annealing2009
- 著者名/発表者名
  E.Ogawa, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] 窒化物半導体のMIS界面電子準位(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本学術振興会第154委員会・第162委員会合同研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2009-10-26
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Characterization and control of GaN and AlGaN surfaces for high-performance GaN-based transistors(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  T.Hashizume
- 学会等名
  Huang Kun Forum
- 発表場所
  Chinese Academy of Science, Beijin, China
- 年月日
  2009-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Chemical and Electronic Properties of MOVPE-grown Al_xGa_<1-x>N Surfaces(0.25<x<0.68)2009
- 著者名/発表者名
  T.Kubo, K.Sugawara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] ポーラス構造を形成したInP-pn接合基板の電気的特性2009
- 著者名/発表者名
  吉澤直樹, 岡崎拓行, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成21年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山県富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] Interface characterization of Al2O3/n-GaN structure prepared by atomic layer deposition2009
- 著者名/発表者名
  K.Ooyama, C.Mizue, Y.Hori, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2009)
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Electrochemical oxidation of GaN for surface control of GaN-based device structures2009
- 著者名/発表者名
  N.Harada, N.Shiozaki, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid-State Devices and Malerials(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Electrochemical oxidation of GaN for surface control of GaN-based device structures2009
- 著者名/発表者名
  N.Harada, N.Shiozaki, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid-State Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Chemical and electronic properties of ALD-Al_2O_3/AlGaN interfaces2009
- 著者名/発表者名
  Y.Hori, C.Mizue, K.Ooyama, M.Miczek, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid-State Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Characterization and control of GaN and AlGaN surfaces for high-performance GaN-based transistors(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  Huang Kun Forum
- 発表場所
  Chinese Academy of Science, Beijin, China
- 年月日
  2009-11-06
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Characterization and control of GaN and AlGaN surfaces for high- performance GaN-based transistors2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  Huang Kun Forum
- 発表場所
  Chinese Academy of Science, Beijin, China
- 年月日
  2009-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization of interface electronic states in ALD-Al_2O_3/AlGaN/GaN structures2009
- 著者名/発表者名
  C.Mizue, Y.Hori, M.Miczek, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Mg accumulation and defect formation at p-GaN surfaces caused by a high-temperature annealing2009
- 著者名/発表者名
  E.Ogawa, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Formation and application of InP porous structures on p-n substrates2009
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, H.Okazaki, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
- 発表場所
  Hae-un-dae Grand Hotel、釜山、韓国
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 窒化物半導体のMIS界面電子準位2009
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本学術振興会第154委員会・第162委員会合同研究会
- 発表場所
  キャンパスイノベーションセンター東京
- 年月日
  2009-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Effects of high-temperature anneal on surface properties of Mg-doped GaN2009
- 著者名/発表者名
  E.Ogawa, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai(IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Multi-Mesa-Channel Structure for Improvement of Gate Controllability and Current Stability in AlGaN/GaN HEMTs2009
- 著者名/発表者名
  K.Ohi, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Correlation between surface leakage current and operation degradation of AlGaN/GaN HEMTs2009
- 著者名/発表者名
  M.Tajima, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] (Invited) Surface control of GaN alloys for photonic and electronic devices2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  Society of Photographic Instrumentation Engineers (SPIE), Photonics West
- 発表場所
  San Hose, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] 窒化物半導体のMIS界面電子準位(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  橋詰保
- 学会等名
  日本学術振興会第154委員会・第162委員会合同研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2009-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization of Schottky interface properties and deep levels of Al_xGa_<1-x>N(0.25<x<0.68)grown by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  K.Sugawara, T.Kubo, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Interface characterization of Al2O3/n-GaN structure prepared by atomic layer deposition2009
- 著者名/発表者名
  K.Ooyama, C.Mizue, Y.Hori, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2009)
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Chemical and Electronic Properties of MOVPE-grown Al_xGa_<1-x>N Surfaces(0.25<x<0.68)2009
- 著者名/発表者名
  T.Kubo, K.Sugawara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photoelectrochemical Etching2009
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, H.Okazaki, T.Hashizume
- 学会等名
  216th Meeting of the Electrochemical Society
- 発表場所
  Austria Center Vienna、ウィーン、オーストリア
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] Correlation between surface leakage current and operation degradation of AlGaN/GaN HEMTs2009
- 著者名/発表者名
  M.Tajima, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016001
[学会発表] Characterization of interface electronic states in ALD-Al_2O_3/AlGaN/GaN structures2009
- 著者名/発表者名
  C.Mizue, Y.Hori, M.Miczek, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Characterization of Schottky interface properties and deep levels of Al_xGa_<1-x>N(0.25<x<0.68)grown by MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  K.Sugawara, T.Kubo, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] Depletion layer modulation at the Al_2O_3/n-GaN interface under UV-illumination2008
- 著者名/発表者名
  Chihoko Mizue and Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2008 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2008)
- 発表場所
  Montreux, Swizerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Variation of Mg density and conductivity at p-GaN surfaces caused by high-temperature anneal2008
- 著者名/発表者名
  Eri Ogawa and Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2008 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2008)
- 発表場所
  Montreux, Swizerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Near-midgap deep levels in MOVPE-grown AlGaN2008
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara, J. Kotani and T. Hashizume
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2008)
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Impacts of Surface of Oxidation and Oxynitridation on DC Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs2008
- 著者名/発表者名
  Masafumi Tajima and Tamostu Hashizume
- 学会等名
  2008 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2008)
- 発表場所
  Montreux, Swizerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] (Invited) Surface control structures for high-performance AIGaN/GaN HEMTs2008
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  7th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM 2008)
- 発表場所
  Smolenice, Slovakia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] (Invited) Surface control of AlGaN for the stability improvement of AlGaN/GaN HEMTs2008
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume
- 学会等名
  66th Device Research Conference(DRC-66)
- 発表場所
  Univ. California, Santa Barbara, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Control of Electronic States at n-GaN Surfaces by Photoelectrochemical Oxidation in Glycol Solution2008
- 著者名/発表者名
  Nanako Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2008 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2008)
- 発表場所
  Montreux, Swizerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Characterization of GaN surfaces after high-temperature annealing and carbon diffusion2008
- 著者名/発表者名
  T. Kimura and T. Hashizume
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2008)
- 発表場所
  Sapporo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Impurity incorporation and Ga outdiffusion at n-GaN surfaces during high-temperature annealing processes2008
- 著者名/発表者名
  Takshi Kimura and Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2008 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2008)
- 発表場所
  Montreux, Swizerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Mesa-gate AlGaN/GaN HEMTs having narrow-width channels2008
- 著者名/発表者名
  K. Ohi, T. Tamura, J. Kotani and T. Hashizume
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid-State Devices and Materials(SSDM2008)
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Characterization of thin native-oxide layer formed on GaN by photoelectrochemical process in glycol solution2007
- 著者名/発表者名
  N. Shiozaki and T. Hashizume
- 学会等名
  International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)
- 発表場所
  Stockholm International Fairs, Stockholm, Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Analysis of lateral surface leakage in the vicinity of Schottky gates in AlGaN/GaN HEMTs2007
- 著者名/発表者名
  J. Kotani, M. Tajima, S. Kasai and T. Hashizume
- 学会等名
  65th Annual Device Research Conference (DRC-65)
- 発表場所
  University of Notre Dame, South Bend, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] The effects of interface states on C-V behavior of insulated gates on AlGaN/GaN heterostructures2007
- 著者名/発表者名
  M. Miczek, C. Mizue and T. Hashizume
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM Grand Hotel, Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Interface state characterization of insulating gates on AlGaN layers and AlGaN/GaN heterostructures2007
- 著者名/発表者名
  C. Mizue, J. Kotani, M. Miczek, T. Hashizume
- 学会等名
  2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka University Nakanoshima Center, Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Correlation between chemical and electrical properties of p-GaN surfaces subjected to halogen-based plasma2007
- 著者名/発表者名
  E. Ogawa, M. Sugimoto, T. Kachi, T. Uesugi, N. Soejima, T. Hashizume
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Dynamic response of interface state charges in GaN MIS structures2007
- 著者名/発表者名
  K. Ooyama, H. Kato, M. Miczek and T. Hashizume
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2007)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] High-quality native oxide of GaN for surface passivation formed by photo-enhanced electrochemical process2007
- 著者名/発表者名
  N. Shiozaki, F. Ishikawa, A. Trampert, H. T. Grahn, T. Hashizume
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM Grand Hotel, Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] ドライエッチングがAl2O3/AlGaN/GaN MOS界面特性に与える影響
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 大平城二, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079

1. 長谷川英機 (60001781)

共同の研究課題数: 14件

共同の研究成果数: 0件
2. 本久順一 (60212263)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
3. 佐藤威友 (50343009)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 52件
4. 藤倉序章 (70271640)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 0件
5. 赤澤正道 (30212400)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 8件
6. 葛西誠也 (30312383)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 5件
7. 兼城千波 (30318993)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
8. 呉南健 (00250481)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
9. 古賀裕明 (80519413)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
10. 福井孝志 (30240641)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
11. 関昇平

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
12. 雨宮好仁 (80250489)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 金子昌充 (70374709)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件
14. 武山真弓 (80236512)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 江潮

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
16. 池辺将之 (20374613)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 久保俊晴 (10422338)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
18. 谷田部然治 (00621773)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
19. 川辺光央 (80029446)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 尾浦憲治郎 (60029288)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 八百隆文 (60230182)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 荒井滋久 (30151137)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 下妻光夫 (70041960)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 伊達広行 (10197600)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 藤岡洋 (50282570)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 末光哲也 (90447186)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 岡田浩 (30324495)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 川上養一 (30214604)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 小出康夫 (70195650)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 三好実人 (30635199)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 坂井高正

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 上田大助

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 韓哲九

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
37. 安海岩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. ASUBAR JOEL

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

橋詰 保 HASHIZUME Tamotsu

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体混晶のバルク準位評価とナノ構造表面制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III族窒化物半導体混晶の欠陥準位・表面準位の評価と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

欠陥制御・界面制御に基づく窒化ガリウム系デバイス構造の高信頼化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化ガリウム系超高速・ハイパワートランジスタ構造の表面・界面制御研究代表者

橋詰保 HASHIZUME Tamotsu