木本恒暢 Kimoto Tsunenobu

研究者番号	80225078
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 京都大学, 工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2024年度: 京都大学, 工学研究科, 教授 2012年度 – 2013年度: 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2006年度 – 2011年度: 京都大学, 工学研究科, 教授 2008年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 2004年度 – 2005年度: 京都大学, 工学研究科, 助教授 … もっと見る 1997年度 – 2002年度: 京都大学, 工学研究科, 助教授 1995年度 – 1996年度: 京都大学, 工学研究科, 助手 1994年度: 京都大学, 光学部, 助手 1991年度 – 1994年度: 京都大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 大区分C / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用光学・量子光工学研究代表者以外電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 物理系 / 応用物理学一般 / 応用物性・結晶工学 / 電力工学・電気機器工学 / エネルギー学一般・原始力学
キーワード	研究代表者 MOSFET / パワーデバイス / 炭化珪素 / シリコンカーバイド / MOS界面 / Power Device / Silicon Carbide / チャネル移動度 / 酸化膜 / 点欠陥 … もっと見る / 拡張欠陥 / 深い準位 / 絶縁破壊 / キャリア寿命 / 結晶欠陥 / イオン注入 / シリコンカーバイド(SiC) / 高温動作デバイス / 相補型素子 / 耐環境素子 / 電界効果トランジスタ / 半絶縁性基板 / RESURF Structure / Multi pn Junction / デバイスシミュレーション / 電界集中緩和 / pn接合 / Channel Mobility / Semiconductor Interface / Oxide / 半導体界面 / 接合終端 / PiNダイオード / 半導体 / 埋め込み成長 / 超接合 / ラマン散乱 / X線回折 / 化学気相堆積 / 窒化ガリウム(GaN) / 等電子トラップ / CVD成長 / フォトルミネセンス / 青色発光 … もっと見る研究代表者以外シリコンカーバイド / パワーデバイス / MOSFET / イオン注入 / 表面超構造 / pn接合ダイオード / 熱酸化 / power device / silicon carbide / ガリウムリン / 広禁制帯幅半導体 / ion implantation / photoluminescence / 不純物ド-ピング / 深い準位 / フォトルミネセンス / エピタキシャル成長 / Schottky Barrier Diode / pn Junction Diode / Thermal Oxidation / Silicon Carbide / シリコンカーバイド(SiC) / 価電子制御 / 分子線エピタキシ- / 表面反応 / 反射高速電子線回折法 / メゾスコピック構造 / 原子層エピタキシー / 原子層エピタキシ- / シリコンカ-バイド / 格子整合 / シリコン / 太陽電池 / thermal oxidation / pn diode / nano structure / photoluminescence image / piezo actuator / electronic structure / confocal microscope / low temperature / high spatial resolution / 半導体特性マッピング / ピエゾアクチュエータ / 半導体極微構造 / レーザー顕微鏡 / 極微領域電子構造 / 極低温測定 / 極微領域ホトルミネセンス像 / Ion Implantation / Power Device- / Schottkyダイオード / Saturated adsorption / GaP / RHEED / In-situ observation / Photo-induced ALE / Surface reaction / Photo-chemical reaction / MOMBE / III-V族半導体 / 反射電子線回析 / 質量分析 / 光励起プロセス / 飽和吸着 / 反射高速電子回折法 / その場観察 / 光励起原子層エピタキシ- / 光励起反応 / 有機金属分子線エピタキシ- / deep level / epitaxial growth / 結晶評価 / Growth Mechanism / Vapor Phase Epitaxy / Power Device / 不純物ドーピング / 結晶成長 / Schottky障壁ダイオード / 成長機構 / 気相エピタキシ- / step-flow growth / polytype control / low-temperature growth / breakdown field / 低温結晶成長 / ステップフロ-成長 / ポリタイプ制御 / 低温成長 / 絶縁破壊電界 / パワ-デバイス / 集積化 / 回路実装 / EMC / SiC / ヘテロエピタキシャル成長 / ガスソース分子線 / メチルラジカル / ヘテロエピタキシ- / タンデム型太陽電池 / 有機金属気相成長法 / 高効率太陽電池 / 原子層制御成長 / 反射高速電子線回折 / 光励起 / 有機金属 / ラジカル / 二次イオン質量分析法 / 有機金属分子線エピタキシャル成長法 / その場観測 / 原子層エピタキシャル成長 / レーザ誘起反応 / しきい値イオン化質量分析法 / ガスソース分子線成長法 / 高速反射電子線回析 / 有機アミン / 可視発光材料 / 超高真空 / 窒化ガリウム / 有機金属分子線成長法 / 青色発光ダイオード / ステップ制御エピタキシ- / 局在中心 / 反射電子回線折法 / 表面超格子隠す

ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  京都大学
学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学
半絶縁性SiCの物性・欠陥解明とイオン注入による相補型ロバストJFETの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学
炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
イオン注入および埋め込み再成長を利用したSiC超接合パワーMOSFETの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
SiCパワーデバイスのEMCを考慮したパワー配線回路設計および集積化
- 研究代表者
  
  引原隆士
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  京都大学
多層Pη接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体の電子物性制御とエネルギーエレクトロニクスへの展開
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1997 – 2000
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  物理系
- 研究機関
  京都大学
半導体ナノ構造電子エネルギートポグラフ解析装置
- 研究代表者
  
  更家淳司, 吉本昌広
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
   京都大学
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
レーザ励起による表面反応ダイナミクスの究明とエピタキシャル成長の原子層レベル制御
- 研究代表者
  
  冬木隆
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
広禁制帯幅半導体との複合による極限高効率シリコン太陽電池の開発
- 研究代表者
  
  冬木隆
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  エネルギー学一般・原始力学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャッブ半導体SiC/GaNヘテロ接合の作製と物性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体純正結晶の電子的挙動と新規デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  京都大学
レーザ光励起表面反応過程のミクロ解析と原子層エピタキシ-への応用
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体SiCのパワーデバイスへの応用
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
レーザ誘起原子層エピタキシーによる純正III-V族半導体結晶の製作
- 研究代表者
  
  吉本昌広
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体SiCへの新しい青色発光中心の添加と発光過程の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  京都大学
格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化
- 研究代表者
  
  冬木隆
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
表面制御原子層エピタキシー法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御
- 研究代表者
  
  冬木隆
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
有機金属分子線成長法による光素子用ワイドギヤップ材料窒化ガリウムの純正結晶の製作
- 研究代表者
  
  吉本昌広
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  京都大学
格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化
- 研究代表者
  
  冬木隆
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
表面制御原子層エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御
- 研究代表者
  
  冬木隆
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
原子ステップ制御エピタキシ-法によるSiC純正結晶製作とパワ-デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  松波弘之
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  京都大学

[図書] 酸化排除による高品質SiC MOS界面の形成（次世代パワー半導体の開発・評価と実用化）2022
- 著者名/発表者名
  小林拓真, 木本恒暢
- 総ページ数
  12
- 出版者
  エヌ・ティー・エス
- ISBN
  9784860437671
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[図書] 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化　第一章2022
- 著者名/発表者名
  小林拓真、木本恒暢
- 総ページ数
  12
- 出版者
  エヌ・ティー・エス
- ISBN
  9784860437671
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[図書] ワイドギャップ半導体　あけぼのから最前線へ2013
- 著者名/発表者名
  木本恒暢
- 出版者
  培風館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[図書] Silicon Carbide Epitaxy 42012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, G. Feng, K. Danno, T. Hiyoshi and J. Suda
- 出版者
  Research Signpost,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[図書] "4H-SiC epitaxial growth and defect characterization", Silicon Carbide Epitaxy 42012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, G. Feng, K. Danno, T. Hiyoshi and J. Suda
- 出版者
  Publisher Research Signpost
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[図書] SiCパワーデバイス最新技術2010
- 著者名/発表者名
  木本恒暢
- 出版者
  サイエンス&テクノロジー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[図書] Silicon Carbide and Related Materials 20072009
- 著者名/発表者名
  A. Suzuki, H. Okumura, T. Kimoto, T. Funaki, K. Fukuda, and S. Nishizawa
- 出版者
  Trans Tech Publications
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[図書] Wide Bandgap Semiconductors2007
- 著者名/発表者名
  K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sandhu, T. Kimoto, 他
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[図書] ワイドギャップ半導体光・電子デバイス2006
- 著者名/発表者名
  高橋清、長谷川文夫、吉川明彦、木本恒暢、他
- 出版者
  森北出版株式会社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs2024
- 著者名/発表者名
  Mikami Kyota、Tachiki Keita、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 71 号: 1 ページ: 931-934
- DOI
  10.1109/ted.2023.3333283
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KJ1387, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Origin of hole mobility anisotropy in 4H-SiC2024
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 135 号: 7 ページ: 075704-075704
- DOI
  10.1063/5.0186307
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1957, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC2024
- 著者名/発表者名
  Tanaka Hajime, Kimoto Tsunenobu, Mori Nobuya
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 173 ページ: 108126-108126
- DOI
  10.1016/j.mssp.2024.108126
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces2024
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, and Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 171 ページ: 108023-108023
- DOI
  10.1016/j.mssp.2023.108023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1709, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Fundamentals, Commercialization, and Future Challenges of SiC Power Devices2023
- 著者名/発表者名
  Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  
  巻: 23 ページ: 1-4
- DOI
  10.1109/imfedk60983.2023.10366348
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces2023
- 著者名/発表者名
  Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, and Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 3 ページ: 031005-031005
- DOI
  10.35848/1882-0786/acc30d
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1709, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  Chi Xilun、Tachiki Keita、Mikami Kyota、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 11 ページ: 110906-110906
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad0799
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Experimental and Theoretical Study on Anisotropic Electron Mobility in 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 260 号: 10 ページ: 2300275-2300275
- DOI
  10.1002/pssb.202300275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1957, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] High Hall electron mobility in the inversion layer of 4H-SiC (0001)/SiO<sub>2</sub> interfaces annealed in POCl<sub>3</sub>2023
- 著者名/発表者名
  Ito Koji、Horita Masahiro、Suda Jun、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 7 ページ: 071001-071001
- DOI
  10.35848/1882-0786/ace150
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Physical properties of sulfur double donors in 4H-SiC introduced by ion implantation2023
- 著者名/発表者名
  Matsuoka Taiga、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 1 ページ: 010908-010908
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Impact of the oxidation temperature on the density of single-photon sources formed at SiO2/SiC interface2023
- 著者名/発表者名
  Kaneko Mitsuaki、Takashima Hideaki、Shimazaki Konosuke、Takeuchi Shigeki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 11 号: 9 ページ: 091121-091121
- DOI
  10.1063/5.0162610
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KJ1190, KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-21H04444, KAKENHI-PROJECT-23K22426
[雑誌論文] Enhanced tunneling current and low contact resistivity at Mg contacts on heavily phosphorus-ion-implanted SiC2023
- 著者名/発表者名
  Hara Masahiro、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 2 ページ: 021003-021003
- DOI
  10.35848/1882-0786/acb98b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-22KJ1709
[雑誌論文] Mobility degradation under a high effective normal field in an inversion layer of 4H-SiC (0001) metal-oxide-semiconductor structures annealed in POCl32022
- 著者名/発表者名
  Ito Koji、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 12 ページ: 121006-121006
- DOI
  10.35848/1882-0786/aca377
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-20J23407
[雑誌論文] Carrier Trapping Effects on Forward Characteristics of SiC p-i-n Diodes Fabricated on High-Purity Semi-Insulating Substrates2022
- 著者名/発表者名
  Takahashi Katsuya、Tanaka Hajime、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 69 号: 4 ページ: 1989-1994
- DOI
  10.1109/ted.2022.3154673
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K2022
- 著者名/発表者名
  Kaneko M.、Nakajima M.、Jin Q.、Kimoto T.
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 43 号: 7 ページ: 997-1000
- DOI
  10.1109/led.2022.3179129
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes2022
- 著者名/発表者名
  Hara Masahiro、Tanaka Hajime、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 17 ページ: 172103-172103
- DOI
  10.1063/5.0088681
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-22KJ1709
[雑誌論文] Body doping dependence of field-effect mobility in both n- and p-channel 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nitrided gate oxides2022
- 著者名/発表者名
  K. Mikami, K. Tachiki, K. Ito, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 15 号: 3 ページ: 036503-036503
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac516b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] High-voltage SiC power devices for improved energy efficiency2022
- 著者名/発表者名
  KIMOTO Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｊａｐａｎ　Ａｃａｄｅｍｙ．　Ｓｅｒ．　Ｂ：　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｂｉｏｌｏｇｉｃａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ
  
  巻: 98 号: 4 ページ: 161-189
- DOI
  10.2183/pjab.98.011
- ISSN
  0386-2208, 1349-2896
- 年月日
  2022-04-11
- 言語
  英語
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (11-20), and (1-100) MOSFETs via an oxidation-minimizing process2022
- 著者名/発表者名
  Tachiki Keita、Mikami Kyota、Ito Koji、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 7 ページ: 071001-071001
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac7197
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Simulation analysis of high-field carrier transport in wide-bandgap semiconductors considering tunable band structures and scattering processes2022
- 著者名/発表者名
  H. Tanaka, T. Kimoto, and N. Mori
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 22 ページ: 225701-225701
- DOI
  10.1063/5.0090308
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Effective channel mobility in phosphorus-treated 4H-SiC (0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with various p-body doping concentrations2022
- 著者名/発表者名
  Ito Koji、Horita Masahiro、Suda Jun、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 9 ページ: 098001-098001
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac87e4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-20J23407
[雑誌論文] Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures2021
- 著者名/発表者名
  M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBD14-SBBD14
- DOI
  10.35848/1347-4065/abe3d8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Mobility improvement of 4H-SiC (0001) MOSFETs by a three-step process of H2 etching, SiO2 deposition, and interface nitridation2021
- 著者名/発表者名
  Tachiki Keita、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 3 ページ: 031001-031001
- DOI
  10.35848/1882-0786/abdcd9
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19J23422, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Electron mobility along <0001> and <1-100> directions in 4H-SiC over a wide range of donor concentration and temperature2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 14 号: 6 ページ: 061005-061005
- DOI
  10.35848/1882-0786/abfeb5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Short-Channel Effects in SiC MOSFETs Based on Analyses of Saturation Drain Current2021
- 著者名/発表者名
  Tachiki Keita、Ono Takahisa、Kobayashi Takuma、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 68 号: 3 ページ: 1382-1384
- DOI
  10.1109/ted.2021.3053518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19J23422, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities in 4H-SiC MOSFETs by High-Temperature N? Annealing2021
- 著者名/発表者名
  Tachiki Keita、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 68 号: 2 ページ: 638-644
- DOI
  10.1109/ted.2020.3040207
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19J23422, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Depth profiles of electron traps generated during reactive ion etching in n-type 4H-SiC characterized by using isothermal capacitance transient spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  K. Kanegae, T. Okuda, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 130 号: 10 ページ: 105703-105703
- DOI
  10.1063/5.0059588
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-19J23296
[雑誌論文] Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices2020
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 12 ページ: 120101-120101
- DOI
  10.35848/1882-0786/abc787
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] Forward thermionic field emission transport and significant image force lowering caused by high electric field at metal/heavily-doped SiC Schottky interfaces2020
- 著者名/発表者名
  M. Hara, S. Asada, T. Maeda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 4 ページ: 041001-041001
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab7bcd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779, KAKENHI-PROJECT-18J20080
[雑誌論文] Experimental Study on Short-Channel Effects in Double-Gate Silicon Carbide JFETs2020
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 67 号: 10 ページ: 4538-4540
- DOI
  10.1109/ted.2020.3017143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779, KAKENHI-PROJECT-19K23515
[雑誌論文] Tunneling Current in 4H-SiC p-n Junction Diodes2020
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, X. Chi, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 67 号: 8 ページ: 3329-3334
- DOI
  10.1109/ted.2020.3001909
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] Demonstration of conductivity modulation in SiC bipolar junction transistors with reduced base spreading resistance2019
- 著者名/発表者名
  S. Asada, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 66 号: 11 ページ: 4870-4874
- DOI
  10.1109/ted.2019.2941884
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by low-oxygen-partial-pressure annealing2019
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 3 ページ: 031001-031001
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab032b
- NAID
  210000135625
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate2019
- 著者名/発表者名
  Nakajima M.、Kaneko M.、Kimoto T.
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 40 号: 6 ページ: 866-869
- DOI
  10.1109/led.2019.2910598
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23515, KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] SiC Vertical-Channel n- and p-JFETs Fully Fabricated by Ion Implantation2019
- 著者名/発表者名
  Kaneko Mitsuaki、Grossner Ulrike、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 841-844
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.841
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23515, KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] Updated trade-off relationship between specific on-resistance and breakdown voltage in 4H-SiC{0001} unipolar devices2019
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 1 ページ: 018002-018002
- DOI
  10.7567/1347-4065/aae896
- NAID
  120006550407
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] Influence of vacuum annealing on interface properties of SiC (0001) MOS structures2019
- 著者名/発表者名
  K. Ito, T. Kobayashi, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 7 ページ: 078001-078001
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab2557
- NAID
  210000156265
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] Analytical formula for temperature dependence of resistivity in p-type 4H-SiC with wide-range doping concentrations2018
- 著者名/発表者名
  S. Asada, J. Suda and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 8 ページ: 088002-088002
- DOI
  10.7567/jjap.57.088002
- NAID
  120006552908
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779, KAKENHI-PROJECT-16J08202
[雑誌論文] High-temperature operation of n- and p-channel JFETs fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate2018
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 39 号: 5 ページ: 723-726
- DOI
  10.1109/led.2018.2822261
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] Determination of surface recombination velocity from current-voltage characteristics in SiC p-n diodes2018
- 著者名/発表者名
  S. Asada, J. Suda and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 65 号: 11 ページ: 4786-4791
- DOI
  10.1109/ted.2018.2867545
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779, KAKENHI-PROJECT-16J08202
[雑誌論文] 高耐圧SiCパワーデバイスの進展と課題2014
- 著者名/発表者名
  木本恒暢
- 雑誌名
  
  固体物理
  
  巻: 49 ページ: 35-43
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Deep Levels Generated by Thermal Oxidation in p-type 4H-SiC2013
- 著者名/発表者名
  Koutarou Kawahara, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 113 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4776240
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J05621, KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Deep levels generated by thermal oxidation in n-type 4H-SiC2013
- 著者名/発表者名
  K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto,
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 6 号: 5 ページ: 051301-051301
- DOI
  10.7567/apex.6.051301
- NAID
  10031174299
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Improvement of carrier lifetimes in highly Al-doped p-type 4H-SiC epitaxial layers by hydrogen passivation2013
- 著者名/発表者名
  T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 6
- NAID
  40019923235
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Improvement of Carrier Lifetimes in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation2013
- 著者名/発表者名
  Takafumi Okuda, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 12 ページ: 121301-121301
- DOI
  10.7567/apex.6.121301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J06044, KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Investigation on Origin of Z_<1/2> Cener in SiC by Deep Level Transient Spectroscopy and Electron Paramagnetic Resonance2013
- 著者名/発表者名
  Koutarou Kawahara, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 102 号: 11
- DOI
  10.1063/1.4796141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J05621, KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Ultrahigh-voltage SiC PiN diodes with an improved junction termination extension structure and enhanced carrier lifetime2013
- 著者名/発表者名
  N. Kaji, H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 52 号: 7R ページ: 070204-070204
- DOI
  10.7567/jjap.52.070204
- NAID
  210000142425
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Carrier recombination in n-type 4H-SiC epilayers with long carrier lifetimes2012
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys Exp.
  
  巻: 5 号: 10 ページ: 101301-101301
- DOI
  10.1143/apex.5.101301
- NAID
  10031117540
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Analytical model for reduction of deep levels in SiC by thermal oxidation2012
- 著者名/発表者名
  K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 111 号: 5
- DOI
  10.1063/1.3692766
- NAID
  120004057133
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Carrier recombination in n-type 4H-SiC epilayers with long carrier lifetimes2012
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp
  
  巻: 5
- NAID
  10031117540
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Space-modulated junction termination extension for ultrahigh-voltage p-i-n diodes in 4H-SiC2012
- 著者名/発表者名
  G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 59 号: 2 ページ: 414-418
- DOI
  10.1109/ted.2011.2175486
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Breakdown characteristics of 15-kV-class 4H-SiC PiN diodes with various junction termination structures2012
- 著者名/発表者名
  H. Niwa, G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 59 号: 10 ページ: 2748-2752
- DOI
  10.1109/ted.2012.2210044
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] 21-kV SiC BJTs with space-modulated junction termination extension2012
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett
  
  巻: 33 ページ: 1598-1600
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] 21.7 kV 4H-SiC diode with a space-modulated junction termination extension2012
- 著者名/発表者名
  H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp
  
  巻: 5 号: 6 ページ: 064001-064001
- DOI
  10.1143/apex.5.064001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] 21-kV SiC BJTs with space-modulated junction termination extension2012
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett.
  
  巻: 33 号: 11 ページ: 1598-1600
- DOI
  10.1109/led.2012.2215004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Nonradiative recombination at threading dislocations in 4H-SiC epilayers studied by micro-photoluminescence mapping2011
- 著者名/発表者名
  G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 110 号: 3
- DOI
  10.1063/1.3622336
- NAID
  120004920356
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] 高効率電力変換用SiCパワーデバイス2011
- 著者名/発表者名
  木本恒暢
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 80 ページ: 673-678
- NAID
  10029354680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Impacts of reduction of deep levels and surface passivation on carrier lifetimes in p-tyne 4H-Sic epilavers2011
- 著者名/発表者名
  T.Hayashi, T.Asano, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109 号: 11
- DOI
  10.1063/1.3583657
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Sources of epitaxial growth-induced stacking faults in 4H-SiC2010
- 著者名/発表者名
  G.Feng, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Material
  
  巻: 39 ページ: 1166-1169
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Impacts of recombination at the surface and in the substrate on carrier lifetimes of n-type 4H-SiC epilayers2010
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto, T.Hiyoshi, T.Hayashi, J.Suda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- NAID
  120002661513
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Reduction of deep levels generated by ion implantation into n- and p-type 4H-SiC2010
- 著者名/発表者名
  K.Kawahara, J.Suda, G.Pensl, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- NAID
  120003386608
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Detection and depth analyses of deep levels generated by ion implantation in n- and p-type 4H-SiC2009
- 著者名/発表者名
  K.Kawahara, G.Alfieri, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 106
- NAID
  120002086109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Characterization of major in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers2009
- 著者名/発表者名
  G.Feng, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Physica B : Condensed Matter 23-24
  
  ページ: 4745-4748
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Measuring terminal capacitance and its voltage dependency for high-voltagepower devices2009
- 著者名/発表者名
  T.Funaki, N.Phankong, T.Kimoto, and T.Hikihara
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Power Electronics (to appear)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Reduction of deep levels and improvement of carrier lifetime in n-type 4H-SiC by thermal oxidation2009
- 著者名/発表者名
  T.Hiyoshi, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10025085589
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Reduction of deep levels and improvement of carrier lifetime in n-type 4H-SiC by thermal oxidation2009
- 著者名/発表者名
  T. Hiyoshi, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp
  
  巻: 2 ページ: 041101-041101
- DOI
  10.1143/apex.2.041101
- NAID
  10025085589
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Measuring terminal capacitance and its voltagedependency for high-voltagepower devices2009
- 著者名/発表者名
  T. Funaki, N. Phankong, T. Kimoto, T. Hikihara
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Power Electronics
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Hydrogen implantation and annealing-induced exfoliation process in SiC wafers with various crystal orientations2008
- 著者名/発表者名
  K. Senga, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 5352-5354
- NAID
  210000065207
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Simulation and experimental study on the junction termination structure for high-voltage 4H-SiC PiN diodes2008
- 著者名/発表者名
  T. Hiyoshi, T. Hori, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on electron Devices 55
  
  ページ: 1841-1846
- NAID
  120001462508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] 4H-SiC MIS Capacitors and MISFETs with deposited SiNx/Si02 stack-gate structures2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on electron Devices. 55
  
  ページ: 2054-2060
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Evaluation of High Frequency Switching Capability of SiC Schottky Barrier Diode, Based on Junction Capacitance Model2008
- 著者名/発表者名
  T.Funaki, T.Kimoto, and T.Hikihara
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Power Electronics Vol.23, No.5
  
  ページ: 2602-2611
- NAID
  120001462514
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Evaluation of High Frequency Switching Capability of Sic Schottky Barrier Diode, Based on Junction Capacitance Model2008
- 著者名/発表者名
  T. Funaki, T. Kimoto, T. Hikihara
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Power Electronics Vol. 23, No. 5
  
  ページ: 2602-2611
- NAID
  120001462514
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Lifetime-killing defects in 4H-SiC epilayers and lifetime control by low-energy electron irradiation2008
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Danno, and J. Suda
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol.(b) 245
  
  ページ: 1327-1336
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Simulation and experimental study on the junction termination structure for high-voltage 4H-SiC PiN diodes2008
- 著者名/発表者名
  T. Hiyoshi, T. Hori, J Suda, T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on electron Devices. 55
  
  ページ: 1841-1846
- NAID
  120001462508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] 4H-SiC MIS Capacitors and MISFETs with deposited SiNx/SiO2 stack-gate structures2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on electron Devices 55
  
  ページ: 2054-2060
- NAID
  120001462509
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Improved Performance of 4H-SiC Double Reduced Surface Field Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Increasing RESURF Doses2008
- 著者名/発表者名
  Masato Noborio, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
  
  ページ: 101403-101403
- NAID
  10025082727
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Improved Performance of 4H-SiC Double Reduced Surface Field Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Increasing RESURF Doses2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda,, T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express No.1
  
  ページ: 101403-101403
- NAID
  10025082727
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Direct determination of burgers vector sense and magnitude of elementary dislocations by synchrotron white x-ray topography2008
- 著者名/発表者名
  D. Nakamura, S. Yamaguchi, Y. Hirose, T. Tani, K. Takatori, K. Kajiwara, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 103
  
  ページ: 0135101-7
- NAID
  120001462525
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Improved performance of 4H-SiC double reduced Surface field metal-oxide- semiconductor field-effect transistors by increasing RESURF doses2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
  
  ページ: 1014031-3
- NAID
  10025082727
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Evaluation of capacitance-voltage characteristics for high voltage SiC-JFET2007
- 著者名/発表者名
  T.Funaki, T.Kimoto, T. Hikihara
- 雑誌名
  
  IEICE Electron. Express Vol.4 No.16
  
  ページ: 517-523
- NAID
  130000088441
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Investigation of carrier lifetime in 4H- SiC epilayers and lifetime control by electron irradiation2007
- 著者名/発表者名
  K. Danno, D. Nakamura and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Deep level transient spectroscopy on as-grown and electron-irradiated p-type 4H-SiC epilayers2007
- 著者名/発表者名
  K. Danno and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 101
  
  ページ: 1037041-5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Topographic study of dislocation structure in hexagonal SiC single crystals with low dislocation density2007
- 著者名/発表者名
  D. Nakamura, S. Yamaguchi, I. Gunjishima, Y. Hirose and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 304
  
  ページ: 57-63
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Power conversion with SiC devices at extremely high ambient temperatures2007
- 著者名/発表者名
  T. Funaki, J. C. Balda, J. Junghans, A. S . Kashyap, H. A. Mantooth, F. Barlow, T. Kimoto and T. Hikihara
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Power Electronics 22
  
  ページ: 1321-1329
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] 4H-SiC lateral double RESURF MOSFETs with low on-resistance2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices 54
  
  ページ: 1216-1223
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] 4H-SiC lateral double RESURF MOSFETs with low on resistance2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices Vol.54
  
  ページ: 1216-1223
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Deep level transient spectroscopy study of defects in hydrogen implanted p-type 4H-SiC2007
- 著者名/発表者名
  G. Alfieri and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 107
  
  ページ: 1037161-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Investigation of carrier lifetime in 4H-SiC epilayers and lifetime control by electron irradiation2007
- 著者名/発表者名
  K. Danno, D. Nakamura and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 90
  
  ページ: 2021091-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Evaluation of capacitance-voltage characteristics for high voltage SiC-JFET2007
- 著者名/発表者名
  T. Funaki, T. Kimoto and T. Hikihara
- 雑誌名
  
  IEICE Electron. Express Vol.4No.16
  
  ページ: 517-523
- NAID
  130000088441
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] 4H-SiC lateral double RESURF MOSFETs with low on resistance2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices 54
  
  ページ: 1216-1223
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Improved dielectric and interface properties of 4H-SiC MOS structures processed by oxide deposition and N202006
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto 他
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 527-529
  
  ページ: 987-990
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage2006
- 著者名/発表者名
  Tsuyoshi Funaki, Shuntaro Matsuzaki, Tsunenobu Kimoto, Takashi Hikihara
- 雑誌名
  
  IEICE Electron. Express Vol. 3, No. 16
  
  ページ: 379-384
- NAID
  130000088249
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Reduction of on-resistance in 4H-SiC multi-RESURF MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum Vol.527-529
  
  ページ: 1305-1308
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics2006
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto 他
- 雑誌名
  
  Microelectron. Eng. 83
  
  ページ: 27-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Epitaxial growth of 4H-SiC{0001} and reduction of deep levels2006
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto 他
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 40
  
  ページ: 225-232
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Dose designing and fabrication of 4H-SiC double RESURF MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto 他
- 雑誌名
  
  Proc. 18th Int. Symp. On Power Semiconductor Devices
  
  ページ: 273-276
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage2006
- 著者名/発表者名
  T.Funaki, S. Matsuzaki, T. Kimoto, and T. Hikihara
- 雑誌名
  
  IEICE Electron. Express Vol.3, No.6
  
  ページ: 379-384
- NAID
  130000088249
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] SiC migration enhanced embedded epitaxial growth technology2006
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto 他
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 527-529
  
  ページ: 251-254
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Reduction of on-resistance in 4H-SiC multi-RESURF MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  M.Noborio, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 527-529
  
  ページ: 1305-1308
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[雑誌論文] Reduction of on-resistance in 4H-SiC multi-RESURF MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto 他
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 527-529
  
  ページ: 1305-1308
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Dose designing for high-voltage 4H-SiC RESURF MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Forum 483-485
  
  ページ: 809-812
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Experimental and theoretical investigations on short-channel effects in 4H-SiC MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices Vol.52
  
  ページ: 1954-1962
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Design and fabrication of RESURF MOSFETs on 4H-SiC(0001), (11-20), and 6H-SiC(0001)2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices 52
  
  ページ: 112-117
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Design and fabrication of RESURF MOSFETS on 4H-SiC(0001), (1120), and 6H-SiC(0001)2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices Vol.52
  
  ページ: 112-117
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] 1330 V,67 mΩcm^2 4H-SiC(0001) RESURF MOSFET2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. 26
  
  ページ: 649-651
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Experimental and theoretical investigations on short-channel effects in 4H-SiC MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices 52
  
  ページ: 1954-1962
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Interface properties of metal-oxide-semiconductor structures on 4H-SiC{0001} and (1120) formed by N_2O oxidation2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44
  
  ページ: 1213-1218
- NAID
  10015594453
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Carrier compensation near tail region in aluminum- or boron-implanted 4H-SiC(0001)2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC(0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky diodes2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 87
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] 1330V,67mΩcm^2 4H-SiC(0001)RESURF MOSFET2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. Vol.26
  
  ページ: 649-651
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Experimental and theoretical investigations on short-channel effects in 4H-SiC MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices 52
  
  ページ: 1954-1962
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Carrier compensation near tail region in aluminum- or boron-implanted 4H-SiC(0001)2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. Vol.98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Dose designing for high-voltage 4H-SiC RESURF MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Forum Vol.483-485
  
  ページ: 809-812
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC(0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltageSchottky diodes2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 87
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC(0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky diodes2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.87
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] 1330 V,67 mΩcm^2 4H-Sic(0001)RESURF MOSFET2005
- 著者名/発表者名
  Kimoto他
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. 26
  
  ページ: 649-651
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Interface properties of metal-oxide-semiconductor structures on 4H-SiC{0001} and (1120) formed by N_2O oxidation2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 1213-1218
- NAID
  10015594453
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Dose designing for high-voltage 4H-SiC RESURF MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Forum 483-485
  
  ページ: 809-812
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Interface properties of metal-oxide-semiconductor structureson 4H-SiC{0001} and (1120) formed by N_2O oxidation2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 1213-1218
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Carrier compensation near tail region in aluminum- or boron-implanted 4H-SiC(0001)2005
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] 600V 4H-SiC RESURF-type JFET2004
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Forum 457-460
  
  ページ: 1189-1192
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Robust 4H-SiC ph diodes fabricated using (11-20) face2004
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
  
  ページ: 471-476
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Homoepitaxy of 4H-SiC on trenched (0001) Si face substrates by chemical vapor deposition2004
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
  
  ページ: 4105-4109
- NAID
  10013316880
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Electrical activation of high-concentration aluminum implanted in 4H-SiC2004
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 96
  
  ページ: 4916-4922
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[雑誌論文] Stability of deep centers in 4H-SiC epitaxial layers during thermal annealing2004
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto他
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 1716-1718
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[産業財産権] SiC pチャネルMOSFET及びSiC相補型MOSデバイス2024
- 発明者名
  木本恒暢、三上杏太
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2024
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] SiC pチャネルMOSFET及びSiC相補型MOSデバイス2023
- 発明者名
  木本恒暢、三上杏太
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2023
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] SiC半導体素子の製造方法及びSiC MOSFET2023
- 発明者名
  木本恒暢、立木馨大
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2023
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ2022
- 発明者名
  金子光顕、松岡大雅、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] SiC相補型電界効果トランジスタ2022
- 発明者名
  金子光顕、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] SiC半導体素子の製造方法及びSiC半導体素子2021
- 発明者名
  木本恒暢、小林拓真、立木馨大
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- 取得年月日
  2024
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] SiC半導体素子の製造方法及びSiC MOSFET2021
- 発明者名
  木本恒暢、立木馨大
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] SiC相補型電界効果トランジスタ2020
- 発明者名
  金子光顕、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2020-104834
- 出願年月日
  2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[産業財産権] 半導体装置、半導体装置の製造方法および熱処理装置2013
- 発明者名
  須田淳、奥田貴史、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-143504
- 出願年月日
  2013-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[産業財産権] 半導体装置の製造方法および熱処理装置2013
- 発明者名
  須田淳、奥田貴史、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-143504
- 出願年月日
  2013-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[産業財産権] 半導体素子及び半導体素子の製造2011
- 発明者名
  木本恒暢、須田淳
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2011-059992
- 出願年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[産業財産権] 半導体素子及び半導体素子の製造方法2011
- 発明者名
  木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権番号
  2011-059992
- 出願年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[産業財産権] 半導体素子の製造方法2005
- 発明者名
  木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権番号
  2005-031093
- 出願年月日
  2005-02-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360153
[学会発表] Formation of non-alloyed ohmic contacts on heavily Al+-implanted p-type SiC2023
- 著者名/発表者名
  K. Kuwahara, T. Kitawaki, M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anisotropic Electron and Hole Mobilities in 4H-SiC Bulk Crystals2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  65th Electronic Materials Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Depth profiles of deep levels in the whole band gap generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  S. Kozakai, H. Fujii, M. Kaneko and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, K. Mikami, X. Chi, and M. Kaneko
- 学会等名
  2023 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Fundamental study on SiC p-channel MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Mini-Conference on Next Generation Materials for Ultra Performance Microwave and Power Switching Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Crystal Growth and Performance Improvement of SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  3rd Nucleation and Growth Research Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Fundamentals of SiC Complementary MOSFETs and JFETs for Advanced IC Applications2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto and M. Kaneko
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate2023
- 著者名/発表者名
  S. Toshimitsu, K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Over 600℃ operation of a bottom-gate p-JFET with double-well structure fabricated by ion implantation on an n-type SiC epilayer2023
- 著者名/発表者名
  S. Shibata, T. Matsuoka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Fundamentals, Commercialization, and Future Challenges of SiC Power Devices2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  IEEE 2023 Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Physics and Innovation in SiC Power Devices2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  2023 Ampere Workshop on SiC Power Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] 350℃ operation of SiC complementary JFET logic gates2023
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, N. Maeda, and T. Kimoto
- 学会等名
  12th IEEE CPMT Symposium Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] A Sulfur-doped n-JFET for a reduced logic threshold voltage shift in a SiC CJFET inverter2023
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, T. Matsuoka, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Density control of single-photon sources formed at a SiO2/SiC interface2023
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, H. Takashima, S. Takeuchi, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Estimation of electron drift mobility along the c-axis in 4H-SiC by using vertical Schottky barrier diodes2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Reduction of contact resistivity at non-alloyed SiC ohmic contacts based on understanding of tunneling phenomena2023
- 著者名/発表者名
  M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] SiC Semiconductor for Sustainable Development2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. Advanced Electromaterials 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress of SiC MOSFETs and JFETs beyond Power Applications2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, K. Mikami, and M. Kaneko
- 学会等名
  IME Workshop on Wide Bandgap Semiconductors 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High-Field Phenomena in SiC Material and Devices2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, H. Niwa, X. Chi, M. Hara, R. Ishikawa, H. Tanaka, and M. Kaneko
- 学会等名
  Symposium on Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High-mobility SiC p-channel MOSFETs on nonpolar faces2023
- 著者名/発表者名
  K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Carrier compensating center density in n-type layers formed by ion implantation into high-purity semi-insulating 4H-SiC substrates2023
- 著者名/発表者名
  Q. Jin, C. Koo, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Mini-Conference on Next Generation Materials for Ultra Performance Microwave and Power Switching Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Carrier transport and barrier height of S+-implanted SiC Schottky barrier diodes2023
- 著者名/発表者名
  M. Takayasu, T. Matsuoka, M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Minimum Channel Length for Suppressing Short-Channel Effects in SiC JFETs2023
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, N. Maeda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Impacts of Band Structures and Scattering Processes on High-field Carrier Transport in Wide Bandgap Semiconductors2023
- 著者名/発表者名
  H. Tanaka, T. Kimoto, and N. Mori
- 学会等名
  Int. Workshop on Computational Nanotechnology 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Innovation and Physics of SiC Power Devices for Higher Energy Efficiency2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  2023 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High-quality MOS interface on 4H-SiC (11-20) formed by the oxidation-minimizing process2022
- 著者名/発表者名
  K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Physical Understanding and Prevention of Bipolar Degradation in SiC Power Devices2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, A. Iijima, and M. Kaneko
- 学会等名
  241st Electrochemical Society Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anomalously high electron mobility in S-implanted n-type SiC2022
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress and Future Challenges in SiC MOSFETs2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, and M. Kaneko
- 学会等名
  10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Defect Electronics in SiC Power Semiconductor2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  2022 Semiconductor Physics Workshop in Erlangen
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Influence of electrons trapped at the interface states on Hall electron mobility in SiC/SiO2 inversion layers2022
- 著者名/発表者名
  K. Ito, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress and Future Challenges in SiC Power Semiconductor2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  ETH Power Electronics Colloquium 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Contribution of a split-off band to tunneling current in heavily-doped p-type SiC Schottky barrier diodes2022
- 著者名/発表者名
  T. Kitawaki, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High temperature operation of SiC complementary JFET logic gates fully fabricated by ion implantation2022
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Enhanced tunneling current at Schottky contacts formed on heavily P+-implanted SiC2022
- 著者名/発表者名
  M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress and Future Challenges of SiC Power Devices2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  IME Workshop on SiC Power Devices 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Depth profile analyses of deep levels near 4H-SiC p+-n junctions formed by Al ion implantation2022
- 著者名/発表者名
  H. Fujii, K. Kanegae, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anisotropy of hole mobility in 4H-SiC over wide ranges of acceptor concentration and temperature2022
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High-Temperature Operation of SiC JFET-Based Complementary Circuits2022
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, and T. Kimoto
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Remarkable improvement of threshold voltage controllability in ion-implantation-based SiC JFETs by adopting bottom-gate structure2022
- 著者名/発表者名
  S. Shibata, T. Matsuoka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, M. Kaneko, M. Horita, and J. Suda
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Performance Improvement and Reliability Physics in SiC MOSFETs2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, A. Iijima, and M. Kaneko
- 学会等名
  IEEE Int. Reliability Phys. Symposium 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, M. Kaneko, T. Kobayashi, H. Tanaka, K. Tachiki, A. Iijima, S. Yamashita, X. Chi, Y. Zhao, D. Stefanakis, and Y. Matsushita
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Channel mobility of NO- and N2-annealed 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs with various donor concentrations of n-body2021
- 著者名/発表者名
  K. Mikami, K. Ito, K. Tachiki, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anisotropy of electron mobility in 4H-SiC over wide ranges of donor concentration and temperature2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Reduction of C-related Defects near SiO2/SiC Interface2021
- 著者名/発表者名
  K. Tachiki and T. Kimoto
- 学会等名
  Mini-Conference on Materials, Processing and Fabrication of Advanced Wide Bandgap Power Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, T. Kobayashi, K. Tachiki, K. Ito, and M. Kaneko
- 学会等名
  5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Ideal Thermionic Field Emission and Field Emission Transport through Metal/Heavily-Doped SiC Schottky Barriers2021
- 著者名/発表者名
  M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Universal Mobility in SiC MOSFETs with Very Low Interface State Density2021
- 著者名/発表者名
  K. Ito, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, R. Ishikawa, X. Chi, D. Stefanakis, T. Kobayashi, and H. Tanaka
- 学会等名
  67th IEEE Int. Electron Devices Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Modeling of SiC MOSFET Characteristics2021
- 著者名/発表者名
  K. Ito and T. Kimoto
- 学会等名
  Mini-Conference on Materials, Processing and Fabrication of Advanced Wide Bandgap Power Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Mobility improvement in 4H-SiC MOSFETs by H2 etching before SiO2 deposition and interface nitridation2021
- 著者名/発表者名
  K. Tachiki, K. Ito, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Reduction of interface state density in the SiC MOS structures by a non-oxidation process2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, T. Kobayashi, and Y. Matsushita
- 学会等名
  2021 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] The FinFET Effect in Silicon Carbide MOSFETs2021
- 著者名/発表者名
  F. Udrea, K. Naydenov, H. Kang, T. Kato, E. Kagoshima, T. Nishiwaki, H. Fujiwara, and T. Kimoto
- 学会等名
  IEEE 33rd Int. Symp. on Power Semiconductor Devices & ICs 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, T. Kobayashi, K. Tachiki, K. Ito, and M. Kaneko
- 学会等名
  5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Lateral spreads of Al and P atoms implanted into a high-purity semi-insulating SiC substrate2020
- 著者名/発表者名
  Q. Jin, M. Nakajima, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  2020 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Accurate Determination of Barrier Heights in Heavily-Doped SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated with Various Metals2020
- 著者名/発表者名
  M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  2020 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Reverse Field Emission Current in Heavily-Doped SiC Schottky Barrier Diodes2020
- 著者名/発表者名
  M. Hara, S. Asada, T. Maeda, and T. Kimoto
- 学会等名
  International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Progress and Future Prospects of High-Voltage SiC Power Devices2020
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto and M. Kaneko
- 学会等名
  2020 Int. Symp. on VLSI Technology, Systems and Applications
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Progress and future challenges of SiC power devices for energy efficiency2020
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto and M. Kaneko
- 学会等名
  12th Int. Symp. on Advanced Plasma Sci. & Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Promise and future challenges of SiC power MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, T. Kobayashi, K. Tachiki, and K. Ito
- 学会等名
  International Conference on Insulating Films on Semiconductors 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Reduction of interface states in 4H-SiC/SiO2 near both conduction and valence band edges by high-temperature nitrogen annealing2019
- 著者名/発表者名
  K. Tachiki and T. Kimoto
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Resistivity of high-purity semi-insulating 4H-SiC substrates2019
- 著者名/発表者名
  C. Koo, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Interface state density distributions near the conduction band edge originating from the conduction band fluctuation in SiO2/SiC systems2019
- 著者名/発表者名
  K. Ito, T. Kobayashi, and T. Kimoto
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Impacts of channel length on electrical characteristics in side-gate SiC JFETs2019
- 著者名/発表者名
  M. Nakajima, Q. Jin, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Experimental study on short-channel effects in side-gate SiC JFETs2019
- 著者名/発表者名
  M. Nakajima, Q. Jin, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Forward thermionic field emission current and barrier height lowering in heavily-doped 4H-SiC Schottky barrier diodes2019
- 著者名/発表者名
  M. Hara, S. Asada, T. Maeda, and T. Kimoto
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Impacts of high-temperature annealing and thermal oxidation on electrical properties of high-purity semi-insulating 4H-SiC substrates grown by HTCVD2019
- 著者名/発表者名
  C. Koo, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Defect electronics in SiC for high-voltage power devices and future prospects2019
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  KIEEME-Silicon Carbide Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Depth profiles of deep levels generated by ICP-RIE in 4H-SiC2019
- 著者名/発表者名
  K. Kanegae, T. Okuda, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Progress and future challenges of SiC power devices2019
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  Cambridge Power Electronics Colloquium 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Breakdown characteristics of lateral PIN diodes fully fabricated by ion implantation into HTCVD-grown high-purity semi-insulating SiC substrate2019
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, A. Tsibizov, T. Kimoto, and U. Grossner
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] SiC power devices: Overview, defect electronics, and reliability2019
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  2019 IEEE Int. Reliability Physics Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Growth and defect reduction of SiC for low-loss power devices2019
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  2nd Nucreation and Growth Research Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Breakdown phenomena in high- and low-voltage SiC devices2019
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, X. Chi, Y. Zhao, H. Niwa, and M. Kaneko
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Defect electronics in SiC for high-voltage power devices2018
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, A. Iijima, S. Yamashita, and H. Niwa
- 学会等名
  4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] 400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate2018
- 著者名/発表者名
  M. Nakajima, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] SiC vertical-channel n- and p-JFETs fully fabricated by ion implantation2018
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, U. Grossner, and T. Kimoto
- 学会等名
  European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by very-low-oxygen-partial-pressure annealing2018
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, K. Tachiki, K. Ito, Y. Matsushita, T. Kimoto
- 学会等名
  European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779
[学会発表] Junction technology in SiC for high-voltage power devices2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, and J. Suda
- 学会等名
  IEEE 13th Int. Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Kyoto
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Ultrahigh-voltage SiC devices for future power infrastructure2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  Proc. of 43th Europ. Solid-State Device Research Conf
- 発表場所
  Bucharest
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Junction technology in SiC for high-voltage power devices2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, and J. Suda
- 学会等名
  Ext. Abstr. of IEEE 13th Int. Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Ultrahigh-voltage SiC devices for future power infrastructure2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  43th Europ. Solid-State Device Research Conf.,
- 発表場所
  Bucharest, Romania
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Fundamentals and frontiers of SiC power device technology2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  Short Course of 25th Int. Symp. of Power Semiconductor Devices & ICs
- 発表場所
  Kanazawa
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Temperature dependence of impact ionization coefficients in 4H-SiC2013
- 著者名/発表者名
  H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Miyazaki
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Progress and future challenges of high-voltage SiC power devices2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, H. Miyake, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and J. Suda
- 学会等名
  2013 Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Ultrahigh-voltage (> 20 kV) SiC PiN diodes with a space-modulated JTE and lifetime enhancement process via thermal oxidation2013
- 著者名/発表者名
  N. Kaji, H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Miyazaki
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Defect electronics in SiC for high-voltage power devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, J. Suda, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and S. Ichikawa
- 学会等名
  9th Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Progress and future challenges of SiC power devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto and J. Suda
- 学会等名
  8th Handai Nanoscience and Nanotechnology Int. Symp.
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Defect electronics in SiC and fabrication of ultrahigh-voltage bipolar devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, S. Ichikawa, and Y. Nishi
- 学会等名
  Electrochemical. Soc. Fall Meeting 2012
- 発表場所
  Honolulu
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] "Defect electronics in SiC and fabrication of ultrahigh-voltage bipolar devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, S. Ichikawa, and Y. Nishi
- 学会等名
  Electrochemical. Soc. Fall Meeting 2012
- 発表場所
  Honolulu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Generation and elimination of the Z1/2 center in 4H-SiC2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Kawahara, B. Zippelius and J. Suda
- 学会等名
  2012 Spring Meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Breakdown characteristics of 12-20 kV-class 4H-SiC PiN diodes with improved junction termination structures2012
- 著者名/発表者名
  H. Niwa, G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  2012 24th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices & IC's
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Fast epitaxial growth and defect control of SiC toward ultra high-voltage power devices2011
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto, J.Suda, G.Feng
- 学会等名
  Asia-Paciffic Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル,鳥羽、三重(招待講演)
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Elimination of deep levels in thick SiC epilayers by thermal oxidation and proposal of the analytical model2011
- 著者名/発表者名
  K.Kawahara, J.Suda, T.Kimoto
- 学会等名
  Int.Conf.on Silicon Carbide and Related Materials 2011
- 発表場所
  ルネッサンスクリーブランドホテル,Cleveland, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Experimental study on various junction terminat ion structures applied to 15kV 4H-SiC PiN diodes2011
- 著者名/発表者名
  H.Niwa, G.Feng, J.Suda, T.Kimoto
- 学会等名
  Int.Conf.on Silicon Carbide and Related Materials 2011
- 発表場所
  ルネッサンスクリーブランドホテル,Cleveland, USA
- 年月日
  2011-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] SiC R&D in Japan2011
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 学会等名
  Int.SiC Power Electronics Applications Workshop
- 発表場所
  Kista Science Tower, Stockholm, Sweden(招待講演)
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] High-voltage SiC power devices for energy electronics2011
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto, J.Suda
- 学会等名
  the 2011 Int.Conf.on Solid state Devices and Materials
- 発表場所
  愛知県産業労働センター,名古屋、愛知(招待講演)
- 年月日
  2011-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] SiC technologies for future energy electronics2010
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto
- 学会等名
  Tech. Digests of 2010 VLSI Technology Symp
- 発表場所
  Honolulu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] SiC technologies for future energy electronics2010
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 学会等名
  2010 VLSI Technology Symposium
- 発表場所
  Honolulu
- 年月日
  2010-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Defect control in growth and processing of 4H-SiC for power device applications2009
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, G. Feng, T. Hiyoshi, K. Kawahara, M. Noborio, and J. Suda
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2009
- 発表場所
  Nurnberg
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Point and extended defects in SiC and their impact on modern technological processes2009
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto
- 学会等名
  25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  St.Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Electrical characterization of MOS structure with deposited oxides Annealed in N_2O or NO2008
- 著者名/発表者名
  M. Grieb, M. Noborio, D. Peters, A. J. Bauer , P. Friedrichs, T. Kimoto, and H. Ryssel
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2008
- 発表場所
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] 4H-SiC double RESURF MOSFETs with a record perfomance by increasing RESURF dose2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, T. Kimoto
- 学会等名
  Proc. of 20th Int. Symposium on Power Semiconductor Devices &IC's
- 発表場所
  Orlando, Florida
- 年月日
  2008-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] H-SiC double RESURF MOSFETs with a record performance by increasing RESURF dose2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, T. Kimoto
- 学会等名
  Proc. of 20th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices & IC's
- 発表場所
  Orlando, USA
- 年月日
  2008-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[学会発表] Capacitance spectroscopy study of midgap levels in n-type SiC polytypes2008
- 著者名/発表者名
  G. Alfieri, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2008
- 発表場所
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] 4H-SiC double RESURF MOSFETs with a record performance by increasing RESURF dose2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  20th Int. Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's
- 発表場所
  Orlando
- 年月日
  2008-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] H-SiC double RESURF MOSFETs with a record performance by increasing RESURF dose2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Proc. of 20th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices, IC's, Orlando
- 発表場所
  USA
- 年月日
  2008-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[学会発表] Spatial profilling of planar defects in 4H-SiC epilayers using micro-photoluminescence mapping2008
- 著者名/発表者名
  G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2008
- 発表場所
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] First demonstration of SiC MISFETs with 4H-AIN gate dielectric2008
- 著者名/発表者名
  M. Horita, M. Noborio, T. Kimoto, and J. Suda
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2008
- 発表場所
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Deep levels generated by ion-implantation in n-and p-type 4H-SiC2008
- 著者名/発表者名
  K. Kawahara, G. Alfieri, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2008
- 発表場所
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Enhanced Channel Mobility in 4H-SiC MISFETs by Utilizing Deposited SiN/SiO2 Stack Gate Structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Bevel mesa combined with implanted junction termination structure for 10 kV SiC PiN diodes2007
- 著者名/発表者名
  T. Hiyoshi, T. Hori, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Enhanced Channel Mobility in 4H-SiC MISFETs by Utilizing Deposited SiN/SiO2 Stack Gate Structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  大津市
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[学会発表] Temperature Dependence of Electrical Properties in Al-doped 4H-SiC Epitaxial Layers Investigated by Hall-Effect Measurements2007
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Enhanced Channel Mobility in 4H-SiC MISFETs by Utilizing Deposited SiN/SiO2 Stack Gate Structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials2007
- 発表場所
  Ohtsu, Japan
- 年月日
  2007-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360137
[学会発表] Search for hydrogen related defects in p-type 6H and 4H-SiC2007
- 著者名/発表者名
  G. Alfieri and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007 Otsu
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Enhanced Channel Mobility in 4H-SiC MISFETs by Utilizing Deposited SiN/SiO_2 Stack Gate Structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu, Japan
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032

1. 松波弘之 (50026035)

共同の研究課題数: 19件

共同の研究成果数: 0件
2. 冬木隆 (10165459)

共同の研究課題数: 17件

共同の研究成果数: 0件
3. 吉本昌広 (20210776)

共同の研究課題数: 16件

共同の研究成果数: 0件
4. 須田淳 (00293887)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 52件
5. 西佑介 (10512759)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
6. 金子光顕 (60842896)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 50件
7. 引原隆士 (70198985)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
8. 和田修己 (10210973)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 舟木剛 (20263220)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
10. 薄良彦 (40402961)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 更家淳司 (90026154)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 松村信男 (60107357)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 田中一 (40853346)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
14. PENSL G.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. CHOYKE W.J.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. GERHARD Pens

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. WOLFGANG.J. チョイケ

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

木本 恒暢 Kimoto Tsunenobu

研究課題

研究成果

共同研究者

ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

半絶縁性SiCの物性・欠陥解明とイオン注入による相補型ロバストJFETの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン注入および埋め込み再成長を利用したSiC超接合パワーMOSFETの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

多層Pη接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

木本恒暢 Kimoto Tsunenobu