前元利彦 MAEMOTO TOSHIHIKO

研究者番号	80280072
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-6047-832X
所属 (現在)	2025年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2023年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授 2016年度 – 2018年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授 2010年度 – 2013年度: 大阪工業大学, 工学部, 准教授 2007年度 – 2008年度: 大阪工業大学, 工学部, 准教授 2005年度 – 2006年度: 大阪工業大学, 工学部, 助教授 2001年度: 大阪工業大学短期大学部, 電気工学科, 助教授 1998年度 – 2000年度: 大阪工業大学短期大学部, その他部局等, 講師
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連研究代表者以外計測工学 / 電子デバイス・電子機器 / マイクロ・ナノデバイス
キーワード	研究代表者 InAs / 磁気抵抗 / InAsヘテロ構造 / 酸化亜鉛 / エナジーハーベスティング / レクテナ / 酸化物半導体 / セルフスイッチングダイオード / 整流特性 / トランジスタ … もっと見る / High-k / 相互コンダクタンス / 量子細線 / AlGaSb / ワイドバンドギャップ酸化物半導体 / ワイドバンドギャップ / フレキシブルデバイス / RF-DC変換 / フレキシブルダイオード / 整流回路 / エナジーハーベスティングデバイス / 自己整流型ダイオード / 環境発電 / 薄膜トランジスタ / セルフスイッチングダイオード / フレキシブル / RFID / 透明ダイオード / High-kゲート絶縁膜 / 高速・低消費電力 / High-kゲート / III-V MOSFET / ヘテロ接合トランジスタ / 高速・低消費電力素子 / 高誘電率ゲート / インジウムヒ素 / 半導体ヘテロ構造 / MOSFET / 化合物半導体 / 量子ポイントコンタクト / 量子ナノ構造 / テラヘルツ波 / AIGaSbヘテロ構造 / 回路応用 / 3分岐構造 / 整流効果 / AlGaSb ヘテロ構造 / 整流デバイス / バリスティック / AlSbヘテロ構造 / バリスティック整流素子 / ゲートリーク電流 / 高誘電率ゲート薄膜 / 高速トランジスタ / AlSb系ヘテロ構造 / 量子カオス / 電子波干渉効果 / 量子ドット / 電子移動度 / 選択ウエットエッチング / 表面超格子 / 電子波干渉 / 量子効果デバイス / 量子細線トランジスタ … もっと見る研究代表者以外 AlGaSb / InAs / ballistic / curvature / negative resistance / heterostructure / diode / sub-terahertz / terahertz / 二乗検波 / lnAs / 量子井戸構造 / AlSb / バリスティック / 検出感度 / 負性抵抗 / AIGaSb / ヘテロ構造 / ダイオード / サブテラヘルツ / テラヘルツ / ギガヘルツ / 遮断周波数 / マイクロ波 / 酸化亜鉛 / 自己スイッチングダイオード / ３分岐接合 / ゲート制御 / 非線形 / ナノデバイス / 3分岐接合 / 半導体ナノワイヤ隠す

酸化物半導体による人体に安全なフレキシブルダイオードの開発とレクテナ回路応用研究代表者
- 研究代表者
  
  前元利彦
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  大阪工業大学
酸化物半導体を用いた透明ダイオードの開発とエナジーハーベスティング回路への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  前元利彦
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  大阪工業大学
Ｓｉ基板上III－V族半導体／Ｈｉｇｈ－ｋゲートを用いた新構造トランジスタの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  前元利彦
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  大阪工業大学
半導体ナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形メカニズムの解明と制御
- 研究代表者
  
  葛西誠也
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  北海道大学
ギガヘルツ動作を可能にする酸化亜鉛トランジスタの開発
- 研究代表者
  
  佐々誠彦
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  大阪工業大学
半導体量子ナノ構造を用いた超高感度テラヘルツ波計測技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  前元利彦
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  大阪工業大学
極薄超格子構造中のサブバンド間遷移を利用した小型波長可変テラヘルツ波検出器の開発
- 研究代表者
  
  井上正崇
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  計測工学
- 研究機関
  大阪工業大学
高誘電率(High-k)ゲートを用いたInAs/AISb系高速トランジスタの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  前元利彦
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  大阪工業大学
高移動度InAs系ヘテロ構造を用いた極微構造の作製と新機能デバイス探索研究代表者
- 研究代表者
  
  前元利彦
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  大阪工業大学短期大学部
InAsヘテロ構造を用いた量子効果トランジスタの開発と高温動作研究代表者
- 研究代表者
  
  前元利彦
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  大阪工業大学短期大学部

[雑誌論文] Low-Temperature Fabrication Process of In2O3 Thin-Film Transistors using Aqueous Precursor Solution and Excimer Light2023
- 著者名/発表者名
  Takeaki Komai, Ryosuke Kasahara, Hideo Wada, Masatoshi Koyama, Akihiko Fujii, Toshihiko Maemoto, Akihiro Shimizu, Noritaka Takezoe, Hiroyasu Ito
- 雑誌名
  
  Proceedings of 2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[雑誌論文] フレキシブル基板上に室温成膜した酸化亜鉛薄膜の繰返し曲げ耐久試験2023
- 著者名/発表者名
  前元利彦，大浦紀頼，和田英男，小山政俊，佐々誠彦，藤井彰彦
- 雑誌名
  
  IEICE Technical Report
  
  巻: ED2023-1 ページ: 1-6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[雑誌論文] Repeated bending durability evaluation of ZnO and Al-doped ZnO thin films grown on cyclo-olefin polymer for flexible oxide device applications2022
- 著者名/発表者名
  Kazuyori Oura, Toshihiro Kumatani, Hideo Wada, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 10 ページ: 101001-101001
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac9024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04506, KAKENHI-PROJECT-21K04203, KAKENHI-PROJECT-21K04204
[雑誌論文] 溶液プロセスを用いた酸化インジウム薄膜のエキシマ光による低温形成と薄膜トランジスタの特性評価2022
- 著者名/発表者名
  OURA Kazuyori、WADA Hideo、KOYAMA Masatoshi、MAEMOTO Toshihiko、SASA Shigehiko、TAKEZOE Noritaka、SHIMIZU Akihiro、ITO Hiroyasu
- 雑誌名
  
  表面と真空
  
  巻: 65 号: 3 ページ: 139-144
- DOI
  10.1380/vss.65.139
- ISSN
  2433-5835, 2433-5843
- 年月日
  2022-03-10
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04506, KAKENHI-PROJECT-21K04203, KAKENHI-PROJECT-21K04204
[雑誌論文] Improved electrical performance of solution-processed zinc oxide-based thin-film transistors with bilayer structures2021
- 著者名/発表者名
  Oura Kazuyori、Wada Hideo、Koyama Masatoshi、Maemoto Toshihiko、Sasa Shigehiko
- 雑誌名
  
  Journal of Information Display
  
  巻: 23 号: 1 ページ: 105-113
- DOI
  10.1080/15980316.2021.2011443
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04506, KAKENHI-PROJECT-21K04203, KAKENHI-PROJECT-21K04204
[雑誌論文] フレキシブル基板上に形成した酸化亜鉛薄膜トランジスタの曲げ耐性評価2018
- 著者名/発表者名
  永山幸希，松田宗平，カルトシュタインオリバー，大浦紀頼，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 雑誌名
  
  表面と真空
  
  巻: 61 号: 5 ページ: 274-279
- DOI
  10.1380/vss.61.274
- NAID
  130006733712
- ISSN
  2433-5835, 2433-5843
- 年月日
  2018-05-10
- 言語
  日本語
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06472, KAKENHI-PROJECT-16K06327
[雑誌論文] Effects of He plasma treatment on zinc oxide thin film transistors2017
- 著者名/発表者名
  Shotaro Shinya, Toyokazu Kaneko, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa
- 雑誌名
  
  IEEE Xplore
  
  巻: - ページ: 66-67
- DOI
  10.1109/imfedk.2017.7998045
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327, KAKENHI-PROJECT-17K06472
[雑誌論文] 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング2017
- 著者名/発表者名
  木村史哉，アブドゥラハナキ，孫屹，佐々木祥太，永山幸希，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会信学技報
  
  巻: ED2016-132, SDM2016-149 ページ: 13-16
- 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[雑誌論文] Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures2017
- 著者名/発表者名
  S. Sasa, Y. Kinoshita, M. Tatsumi, M. Koyama, T. Maemoto, S. Hamauchi, I. Kawayama, and M. Tonouchi
- 雑誌名
  
  IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series
  
  巻: 906 ページ: 012015-012015
- DOI
  10.1088/1742-6596/906/1/012015
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06326, KAKENHI-PROJECT-16K06327
[雑誌論文] A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films2012
- 著者名/発表者名
  K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, and M. Tonouchi
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices
  
  巻: 1 ページ: 116-117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり2012
- 著者名/発表者名
  佐々誠彦，矢野満明，前元利彦，小池一歩，尾形健一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会誌
  
  巻: 95-4 ページ: 289-293
- NAID
  110009437460
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製2012
- 著者名/発表者名
  木村祐太，日垣友宏，前元利彦，佐々誠彦
- 雑誌名
  
  材料
  
  巻: 61-9 ページ: 760-765
- NAID
  130002084924
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices
  
  巻: 1 ページ: 114-115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製2012
- 著者名/発表者名
  木村祐太, 日垣友宏, 前元利彦, 佐々誠彦
- 雑誌名
  
  材料
  
  巻: 61巻9号ページ: 760-765
- NAID
  130002084924
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり2012
- 著者名/発表者名
  佐々誠彦, 矢野満明, 前元利彦, 小池一歩, 尾形健一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会誌
  
  巻: 95巻4号ページ: 289-293
- NAID
  110009437460
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano -diodes2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai
  
  巻: 1巻ページ: 114-115
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films2012
- 著者名/発表者名
  K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, M. Tonouchi
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  
  巻: 1巻ページ: 116-117
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり2012
- 著者名/発表者名
  佐々誠彦,矢野満明,前元利彦,小池一歩,尾形健一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会誌
  
  巻: Vol.95-4 ページ: 289-293
- NAID
  110009437460
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[雑誌論文] Effects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics2012
- 著者名/発表者名
  R. Morita, T. Maemoto, and S. Sasa
- 雑誌名
  
  2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices Kansai (IMFEDK)
  
  ページ: 118-119
- DOI
  10.1109/imfedk.2012.6218610
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系 FET と酸化物デバイス応用の広がり2012
- 著者名/発表者名
  佐々誠彦，矢野満明，前元利彦，小池一歩，尾形健一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会誌
  
  巻: 95 ページ: 289-293
- NAID
  110009437460
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[雑誌論文] 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用2011
- 著者名/発表者名
  矢野満明, 小池一歩, 佐々誠彦, 前元利彦, 井上正崇
- 雑誌名
  
  材料
  
  巻: 60 ページ: 447-456
- NAID
  130000861066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[雑誌論文] 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用2011
- 著者名/発表者名
  矢野満明, 小池一歩, 佐々誠彦, 前元利彦, 井上正崇
- 雑誌名
  
  材料
  
  巻: 60 号: 5 ページ: 447-456
- DOI
  10.2472/jsms.60.447
- NAID
  130000861066
- ISSN
  0514-5163, 1880-7488
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084, KAKENHI-PROJECT-22560353, KAKENHI-PROJECT-22760306
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators2011
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, H. Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
  
  巻: 1 ページ: 88-89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] Flexible Zinc Oxide Thin-Film Transistors using Oxide buffer layers on Polyethylene Napthalate Substrates2011
- 著者名/発表者名
  T.Higaki, T.Tachibana, Y.Kimura, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
  
  ページ: 92-93
- DOI
  10.1109/imfedk.2011.5944860
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084, KAKENHI-PROJECT-22560353
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators2011
- 著者名/発表者名
  T.Kiso, H.Yoshikawa, Y.Ishibashi, K.Nishisaka, K.Ogata, T.Maemoto
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
  
  ページ: 88-89
- DOI
  10.1109/imfedk.2011.5944863
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulator2011
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, H.Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  
  巻: 1巻ページ: 88-89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[雑誌論文] Flexible zinc oxide thin-film transistors using oxide buffer layers on polyethylene napthalate Substrates2011
- 著者名/発表者名
  T.Higaki, T.Tachibana, Y.Kimura, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proc.of International Meeting for Future of Electron Devices
  
  ページ: 92-93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[雑誌論文] Ballistic three-terminal devices based on T-branch junctions in InAs/AlGaSb heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  H.Nishioka, Y.Ishibashi, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2010 International Meeting for Future of Electron Devices
  
  ページ: 136-137
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[雑誌論文] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2009
- 著者名/発表者名
  M. Kovama, K. Fujiwara, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] Nonlinear electron transport properties in InAs/AIGaSb three-terminal ballistic junctions2008
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, K. Fujiwara, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Technical report of IEICE. Vol.107, No.473-474
  
  ページ: 29-32
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
- 雑誌名
  
  J. of Physics: Conf. Ser. 109 012023
  
  ページ: 1-3
- NAID
  110006613703
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] Nonlinear Electron "Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AlGaSb Ballistic Devices"2008
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto,S. Sasa, and M. Inoue
- 雑誌名
  
  phys. Stat. sol. c 5
  
  ページ: 107-110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_2 Gate Insulators2008
- 著者名/発表者名
  K. Fuiiwara, N, Amano, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Proc. of the 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  
  ページ: 73-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] Nonlinear electron transport in InAs/AlGaSb three-terminal ballistic junctions2008
- 著者名/発表者名
  M Koyama, T Inoue, N Amano, T Maemoto, S Sasa and M.Inoue
- 雑誌名
  
  Journal of Phys 109
  
  ページ: 120231-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AIGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
- 雑誌名
  
  J.of Physics:Conf.Ser. 109
  
  ページ: 12023-12026
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  J. of Physics : Conf. Ser. 109
  
  ページ: 12023-12023
- NAID
  110006613703
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in lnAsIAlGaSb Ballistic Devices2008
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol.(c) 5
  
  ページ: 107-110
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AIGaSb Ballistic Devices2008
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.(c) 5
  
  ページ: 107-110
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_<2 >Gate Insulators2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, N, Amano, M. Koyama, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
- 雑誌名
  
  Proc. Of the 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai c
  
  ページ: 73-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in lnAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  J. of Physics: Conf. Ser. 109
  
  ページ: 12023-12026
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AIGaSb Ballistic Devices2008
- 著者名/発表者名
  M. Kovama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 5
  
  ページ: 107-110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] Field characteristjcs of eiectron mobility and velocity in lnAs/AlGaSb HFETs with high-kgate insulators2007
- 著者名/発表者名
  T.Maemoto, M.Koyama, H.Takahashi, S.Sasa, and M.Inoue
- 雑誌名
  
  American Inst.of Phys.Conf.Proc 893
  
  ページ: 1391-1392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] Ballistic rectification effects in lnAs/AlGaSb nanostructures2007
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  AlP conference proceeding 893
  
  ページ: 577-578
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Investigation of Sb-Based Diode Structures for Detecting Subterahertz Waves2007
- 著者名/発表者名
  T. lnoue, N. Amano, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Memoirs of the Osaka Inst. of Tech, Ser, A 52
  
  ページ: 25-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Field characteristics of electron mobility and veloclty in InAs/AlGaSb HFETs with high-kgate insulators2007
- 著者名/発表者名
  T.Maemoto, M.Koyama, H.Takahashi, S.Sasa, and M.Inoue
- 雑誌名
  
  American Inst.of Phys.Conf.Proc 893
  
  ページ: 1391-1392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Ballistic rectification effects in InAs/AlGaSb nanostructures2007
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
- 雑誌名
  
  American Inst.of Phys.Conf.Proc 893
  
  ページ: 577-578
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[雑誌論文] Ballistic rectification effects in InAs/AIGaSb nanostructures2007
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
- 雑誌名
  
  American Inst.of Phys.Conf.Proc 893
  
  ページ: 577-578
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AIGaSb HFETs with high-k gate insulators2007
- 著者名/発表者名
  T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  AlP conference proceeding 893
  
  ページ: 1391-1392
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2007
- 著者名/発表者名
  H. Takahashi, T. lnoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Memoirs of the Osaka Inst. of Tech, Ser. A 51
  
  ページ: 15-19
- NAID
  110006162463
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Ballistic transport and rectification effects in lnAs/AlGaSb mesoscopic stricture2007
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Technical report of IEICE. Vol.106, No.520-521
  
  ページ: 67-71
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertzwaves2007
- 著者名/発表者名
  H.Takahashi, T.Inoue, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proc. of the 2007 International Meeting for Future of Electron Devices 5
  
  ページ: 81-82
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2006
- 著者名/発表者名
  H.Takahashi, T.Inoue, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Memories of the Osaka Institute of Technology,Series A Vol.51
  
  ページ: 15-19
- NAID
  110006162463
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Nonlinear electron transport properties in InAs/AIGaSb ballistic rectifiers2006
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Proc. of Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2006
  
  ページ: 85-86
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2006
- 著者名/発表者名
  H.Takahashi, T.Inoue, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Memories of the Osaka Institute of Technology, Series A Vol. 51
  
  ページ: 15-19
- NAID
  110006162463
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Nonlinear electron Transport properties in InAs/AlGaSb Ballistic Rectifiers2006
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proc. of the 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  
  ページ: 85-86
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Electron transport in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers2006
- 著者名/発表者名
  T.Maemoto, M.Koyama, M.Furukawa, H.Takahashi, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Journal of Physics Conference Series Vol. 38
  
  ページ: 112-115
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of InAs Mesoscopic Devices2006
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, M.Furukawa, H.Ishii, M.Nakai, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Springer Proceedings in Physics Vol.110
  
  ページ: 7-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Electron transport in InAs/AlGaSb ballistic rectifier2006
- 著者名/発表者名
  T.Maemoto, M.Koyama, A.Nakashima, M.Nakai, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Journal of Physics (To be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of InAs Mesoscopic Devices2006
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, M.Furukawa, H.Ishii, M.Nakai, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Springer Proceedings in Physics Vol. 110
  
  ページ: 7-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Electron transport in InAs field effect and mesoscopic devices2006
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, M.Furukawa, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proc. of 12th Int. Conf. on Narrow Gap Semicond., Inst. Phys. Conf. Ser. Vol. 187
  
  ページ: 445-449
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Electron transport in InAs field effect and mesoscopic devices2006
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, M.Furukawa, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proc.of 12th Int.Conf.on Narrow Gap Semicond.,Inst.Phys.Conf.Ser. Vol.187
  
  ページ: 445-449
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Fabrication and characterization of InAs mesoscopic devices2006
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, M.Furukawa, H.Ishii, M.Nakai, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Institute of Physics (IOP) Conference Series (Springer Proceedings in Physics Series) (To be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Structural and optical properties of ZnMgO thin films grown by pulsed laser deposition using ZnO-MgO multiple targets2006
- 著者名/発表者名
  T.Maemoto, N.Ichiba, H.Ishii, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Journal of Physics (To be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Electron transport in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers2006
- 著者名/発表者名
  T.Maemoto, M.Koyama, M.Furukawa, H.Takahashi, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Journal of Physics Conference Series Vol.38
  
  ページ: 112-115
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Nonlinear electron Transport properties in InAs/AlGaSb Ballistic Rectifiers2006
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proc. of the 2006 International Meeting for Future of Electron Devices,Kansai
  
  ページ: 85-86
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2006
- 著者名/発表者名
  H. Takahashi, T. lnoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 雑誌名
  
  Technical report of IEICE. Vol.106, No.403
  
  ページ: 19-22
- NAID
  110006162463
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[雑誌論文] Propagation of electron waves in InAs/AlGaSb2005
- 著者名/発表者名
  T.Maemoto, M.Koyama, A.Nakashima, M.Nakai, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings 772
  
  ページ: 817-818
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Growth of ZnO/Zn_<1-x>Mg_xO films by pulsed laser ablation2005
- 著者名/発表者名
  T.Maemoto, N.Ichiba, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 486
  
  ページ: 174-177
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Electron transport in InAs field effect and mesoscopic device2005
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, M.Furukawa, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Proceedings of 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors
  
  ページ: 434-437
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760284
[雑誌論文] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
- 雑誌名
  
  phys. Stat. sol.c 印刷中
  
  ページ: 0-0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] 水系前駆体溶液とエキシマ光を用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製と特性評価2024
- 著者名/発表者名
  笠原綾祐，駒井伯成，和田英男，小山政俊，藤井彰彦，清水昭宏，竹添法隆，山口紫苑，伊藤寛泰，前元利彦
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] フレキシブル基板上に室温成膜した酸化亜鉛薄膜の繰返し曲げ耐久試験2023
- 著者名/発表者名
  前元利彦，大浦紀頼，和田英男，小山政俊，佐々誠彦，藤井彰彦
- 学会等名
  電子情報通信学会　電子デバイス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] 水系前駆体溶液および深紫外エキシマランプによる光アシストプロセスを用いたIn2O3薄膜の形成および薄膜トランジスタの特性評価2023
- 著者名/発表者名
  駒井伯成，笠原綾祐，落合秀哉，和田英男，小山政俊，藤井彰彦，前元利彦，清水昭宏，竹添法隆，伊藤寛泰
- 学会等名
  第339回電気材料技術懇談会若手研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] Bending durability evaluation of ZnO thin-films grown on cyclo-olefin polymer substrate toward flexible oxide device applications2023
- 著者名/発表者名
  Toshihiko Maemoto
- 学会等名
  Advanced Materials Research Grand Meeting, MRM2023/IUMRS-ICA2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] 深紫外エキシマ光アシストプロセスを用いたIn2O3薄膜の低温成膜および薄膜トランジスタの特性評価2023
- 著者名/発表者名
  駒井伯成，笠原綾祐，落合秀哉，和田英男，小山政俊，藤井彰彦，前元利彦，清水昭宏，竹添法隆，伊藤寛泰
- 学会等名
  応用物理学会関西支部 2023年度第2回講演会「SDGsと応用物理」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] Low-Temperature Fabrication Process of In2O3 Thin-Film Transistors using Aqueous Precursor Solution and Excimer Light2023
- 著者名/発表者名
  Takeaki Komai, Ryosuke Kasahara, Hideo Wada, Masatoshi Koyama, Akihiko Fujii, Toshihiko Maemoto, Akihiro Shimizu, Noritaka Takezoe, Hiroyasu Ito
- 学会等名
  2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] 水系前駆体溶液とエキシマ光を用いた酸化インジウム薄膜の低温形成と薄膜トランジスタの特性評価2022
- 著者名/発表者名
  駒井伯成, 大浦紀頼, 和田英男, 小山政俊, 佐々誠彦, 前元利彦, 竹添法隆, 清水昭宏, 伊藤寛
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] Durability Evaluation of Multilayer Oxide Thin-Films Formed on Cyclo-Olefin Polymer Substrate by Repeated Bending Tests2022
- 著者名/発表者名
  Kazuyori Oura, Hideo Wada, Masatoshi Koyama, Yoshiyuki Harada, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] COP基板上に形成した酸化亜鉛系薄膜の繰り返し曲げ耐久性評価2021
- 著者名/発表者名
  大浦紀頼, 和田英男, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦
- 学会等名
  電気学会，電子・情報・システム部門電子材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04203
[学会発表] ミストCVD法による 3C -SiC(111)テンプレート基板上へのε-Ga2O3薄膜の成長2019
- 著者名/発表者名
  藤原壮大，金子豊和，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] ミストCVD法による3C-SiC(111)テンプレート基板へのGa2O3ヘテロエピタキシャル成長2018
- 著者名/発表者名
  金子豊和，藤原壮大，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 溶液プロセスによる酸化物薄膜トランジスタの作製とバッファ層挿入による高性能化2018
- 著者名/発表者名
  大浦紀頼，高野圭祐，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  電気関係学会関西連合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] ミストCVD法によって成長した (111) 3C-SiC テンプレート基板上ε-Ga2O3 薄膜の熱的安定性2018
- 著者名/発表者名
  金子豊和，藤原壮大，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  電気関係学会関西連合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on (111) 3C-SiC templates by mist chemical vapor deposition2018
- 著者名/発表者名
  T. Kaneko, S. Fujiwara, M. Koyama, T. Maemoto, and S. Sasa
- 学会等名
  Int. Symp. on Transparent Conductive Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 溶液法により形成したAl添加ZnO-TFTの特性評価と基板依存性2018
- 著者名/発表者名
  大浦紀頼，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 酸化物半導体を用いたフレキシブル薄膜トランジスタの室温形成と曲げ耐性評価2018
- 著者名/発表者名
  熊谷敏宏，大浦紀頼，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  電気関係学会関西連合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] フレキシブル基板上に形成した酸化物薄膜の曲げ耐性評価2017
- 著者名/発表者名
  永山幸希，松田宗平，カルトシュタイン　オリバー，小山政俊, 前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  2017年真空・表面科学合同講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures2017
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, Y. Kinoshita, M. Tatsumi, T. Maemoto, S. Sasa, S. Hamauchi, I. Kawayama and M. Tonouchi
- 学会等名
  The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング2017
- 著者名/発表者名
  木村史哉, アブドゥラハナキ, 孫　屹, 佐々木祥太, 永山幸希, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会機能ナノデバイスおよび関連技術
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2017-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 溶液法により形成したAl添加ZnO薄膜トランジスタの焼結雰囲気による影響とAl添加量依存性2017
- 著者名/発表者名
  大浦紀頼，木村史哉，小山政俊, 前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 真空および非真空プロセスにより成長した酸化亜鉛系薄膜へのエキシマ光照射効果2017
- 著者名/発表者名
  松田宗平，永山幸希，カルトシュタイン　オリバー，木村史哉，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] Effects of He plasma treatment on zinc oxide thin film transistors2017
- 著者名/発表者名
  Shotaro Shinya, Toyokazu Kaneko, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa
- 学会等名
  The 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 酸化亜鉛を用いたMIS型セルフスイッチングダイオードの作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  松田宗平，永山幸希，孫屹，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦，葛西誠也
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] プリンテッド&フレキシブルエレクトロニクスに向けた酸化物半導体のデバイス・プロセス開発2017
- 著者名/発表者名
  前元利彦
- 学会等名
  次世代プリンテッドエレクトロニクスコンソーシアム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] ending Experiment and Resistance Evaluation of Zinc Oxide Thin Films Grown on Cyclo Olefin Substrates2017
- 著者名/発表者名
  Oliver Kaltstein, Koki Nagayama, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa
- 学会等名
  The 2017 International Conference on Flexible and Printed Electronics (ICFPE2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] シクロオレフィンポリマー上に室温形成した酸化亜鉛薄膜トランジスタの曲げ劣化に関する一考察2017
- 著者名/発表者名
  永山幸希，松田宗平，カルトシュタイン　オリバー，木村史哉，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] ZnO TFTに対するHeプラズマ処理の影響2017
- 著者名/発表者名
  新屋翔太郎, 金子豊和, 小山政俊, 前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] フレキシブル基板上に形成した酸化亜鉛薄膜の曲げ耐性評価2016
- 著者名/発表者名
  芦田浩平，永山幸希，孫屹，カルトシュタインオリバー，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  電気関係学会関西連合大会
- 発表場所
  大阪府立大学なかもずキャンパス
- 年月日
  2016-11-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 溶液法により形成した高抵抗AZO薄膜をバッファ層に用いたAZO積層薄膜トランジスタの作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  木村史哉，佐々木祥太，孫屹，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 溶液プロセス及びインクジェットプロセスによる酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  佐々木祥太，木村史哉，大浦紀頼，孫屹，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  電気関係学会関西連合大会
- 発表場所
  大阪府立大学なかもずキャンパス
- 年月日
  2016-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] IZO薄膜トランジスタのヒステリシス特性改善の検討2016
- 著者名/発表者名
  大溝悠樹，新屋翔太郎，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] ナノインプリント法によるシクロオレフィンポリマーを用いた酸化亜鉛系薄膜のダイレクトパターンニング2016
- 著者名/発表者名
  ハナキアブドゥラ，木村史哉，永山幸希，芦田浩平，孫屹，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] 塗布プロセスによる酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製と評価 -プリンテッドエレクトロニクス応用を目指して-2016
- 著者名/発表者名
  佐々木祥太，木村史哉，大浦紀頼，孫屹，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  日本材料学会第２回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会
- 発表場所
  大阪府立大学なかもずキャンパス
- 年月日
  2016-07-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] Fabrication and characterization of AZO multi-layer thin film transistors using AZO thin film buffers by soution method2016
- 著者名/発表者名
  F. Kimura, S. Sasaki, K. Oura, Y. Sun, M. Koyama, T. Maemoto and S. Sasa
- 学会等名
  International Workshop on ZnO and Related Materials
- 発表場所
  National Taiwan University, Taiwan
- 年月日
  2016-11-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] Fabrication and characterization of zinc oxide based self-switching nano-diode2016
- 著者名/発表者名
  S. Matsuda, K. Nagayama, K. Ashida, Y. Sun, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa and S. Kasai
- 学会等名
  International Workshop on ZnO and Related Materials
- 発表場所
  National Taiwan University, Taiwan
- 年月日
  2016-11-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06327
[学会発表] InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作2013
- 著者名/発表者名
  森口航平，西坂和一，前元利彦，尾形健一，佐々誠彦
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学，神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Rectification effects in ZnO-based self-switching nanodiodes toward transparent flexible electronics2013
- 著者名/発表者名
  T. Maemoto, Y. Kimura, Y.Sun, S., S. Sasa
- 学会等名
  18^<th> International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
- 発表場所
  Matsue, Shimane, Japan
- 年月日
  2013-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作2013
- 著者名/発表者名
  森口航平, 西坂和一, 前元利彦, 尾形健一, 佐々誠彦
- 学会等名
  2013年春期第60回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Crystal growth of InAs/AlGaSb heterostructures by molecular beam epitaxy and fabrication of InAs HFETs using Ni/Au alloy ohmic metal2013
- 著者名/発表者名
  K. Moriguchi, T.Maemoto, K. Ogata, S.Sasa
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2013-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Pulsed laser deposition of low resistivity transparent conducting Al-doped ZnO films at room temperature and its transparent thin-film transistor applications2013
- 著者名/発表者名
  Y. Sun, Y. Kimura, T. Maemoto, S. Sasa
- 学会等名
  12^<th> International Conference on Laser Ablation
- 発表場所
  Ischia, Italy
- 年月日
  2013-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] 高誘電率ゲート材料を用いたInAs/AlGaSbヘテロ構造トランジスタの作製と半導体/ゲート界面の改善2013
- 著者名/発表者名
  森口航平, 前元利彦, 尾形健一, 佐々誠彦
- 学会等名
  平成25年電気関係学会関西連合大会
- 発表場所
  大阪府寝屋川市
- 年月日
  2013-11-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] High transconductance zinc oxide thin-film transistors on flexible plastic substrates2012
- 著者名/発表者名
  Y.Kimura, T.Higaki, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 学会等名
  APS March Meeting 2012
- 発表場所
  ボストンコンベンションセンター(アメリカ)
- 年月日
  2012-02-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Electron transport properties in self switching nano-diodes2012
- 著者名/発表者名
  T.Kiso, K.Nishisaka, T.Maemoto, S.Sasa, S.Kasai, M.Inoue
- 学会等名
  APS March Meeting 2012
- 発表場所
  ボストンコンベンションセンター(アメリカ)
- 年月日
  2012-02-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits2012
- 著者名/発表者名
  S. Kasai, S. F. A. Rahman, M. Sato, X. Yin, and T. Maemoto
- 学会等名
  2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
- 発表場所
  Okinawa Seinen-kaikan, Naha, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Electron transport properties in self switching nano-diodes2012
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
- 学会等名
  APS March meeting 2012
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA
- 年月日
  2012-02-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Effects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics2012
- 著者名/発表者名
  R. Morita, T. Maemoto, and S. Sasa
- 学会等名
  2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka
- 年月日
  2012-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[学会発表] Electron transport properties in self switching nano-diodes2012
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
- 学会等名
  APS March Meeting 2012
- 発表場所
  ボストンコンベンションセンター（アメリカ）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] 分子線エピタキシー法によるInAs/AlGaSbヘテロ構造の結晶成長と高誘電率ゲート材料を用いた電界効果トランジスタの作製2012
- 著者名/発表者名
  森口航平, 西坂和一, 前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
- 学会等名
  平成24年電気関係学会関西連合大会
- 発表場所
  大阪府吹田市
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
- 学会等名
  2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Kansai University Centenary Memorial Hall, Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] 分子線エピタキシー法によるInAs/AlGaSbヘテロ構造の結晶成長と高誘電率ゲート材料を用いた電界効果トランジスタの作製2012
- 著者名/発表者名
  森口航平，西坂和一，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
- 学会等名
  平成24年電気関係学会関西連合大会
- 発表場所
  関西大学100周年記念会館，大阪
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] フレキシブル酸化亜鉛透明薄膜トランジスタの開発2012
- 著者名/発表者名
  孫屹,木村祐太,前元利彦,佐々誠彦
- 学会等名
  電気材料技術懇談会
- 発表場所
  大阪
- 年月日
  2012-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[学会発表] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Suita, Osaka, Japan
- 年月日
  2012-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Rectification Effects of ZnO-based Transparent Nano-diodes on Glass and Flexible Plastic Substrates2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kimura, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa , S. Kasai and M. Inoue
- 学会等名
  25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films2012
- 著者名/発表者名
  K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, and M. Tonouchi
- 学会等名
  2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Kansai University Centenary Memorial Hall, Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films2012
- 著者名/発表者名
  K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, M. Tonouchi
- 学会等名
  2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Suita, Osaka, Japan
- 年月日
  2012-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Rectification Effects of ZnO-based Transparent Nano-diodes on Glass and Flexible Plastic Substrates2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kimura, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
- 学会等名
  25^<th> International Microprocess and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Kobe, Hyogo, Japan
- 年月日
  2012-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes2011
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
- 学会等名
  24th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  ANAホテル京都（京都府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Room temperature growth of zinc oxide thin films by pulsed laser deposition and its flexible thin-film transistor application2011
- 著者名/発表者名
  Y.Kimura, T.Higaki, Y.Sun, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 学会等名
  11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON LASER ABLATION (COLA2011)
- 発表場所
  Hotel IBEROSTAR (Mexico)
- 年月日
  2011-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes2011
- 著者名/発表者名
  T.Kiso, K.Nishisaka, T.Maemoto, S.Sasa, S.Kasai, M.Inoue
- 学会等名
  24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  京都全日空ホテル(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Zinc Oxide Thin-Film Transistors on Flexible Plastic Substrates and Glass Substrates Fabricated at Room Temperature2011
- 著者名/発表者名
  T.Higaki, Y.Kimura, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  愛知県産業労働センター(名古屋市)
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Transport Properties in InAs based Ballistic Rectifiers and Self-Switching Diodes2011
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, T. Maemoto, K. Nishisaka, S. Sasa, S. Kasai, and M. Inoue
- 学会等名
  17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nano structures (EDISON 17)
- 発表場所
  University of CaliforniaSanta Barbara, Santa Barbara, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes2011
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
- 学会等名
  24^<th> Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2011-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators2011
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, H. Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
- 発表場所
  関西大学（大阪府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Transport Properties in InAs based Ballistic Rectifiers and Self-Switching Diodes2011
- 著者名/発表者名
  T.Kiso, T.Maemoto, K.Nishisaka, S.Sasa, S.Kasai, M.Inoue
- 学会等名
  17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 17)
- 発表場所
  カリフォルニア大学,サンタバーバラ校(アメリカ)
- 年月日
  2011-08-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulator2011
- 著者名/発表者名
  T. Kiso, H.Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Suita, Osaka, Japan
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Transport Properties of InAs-based Three-terminal Ballistic Junctions2010
- 著者名/発表者名
  H.Nishioka, Y.Ishibashi, T.Kiso, T.Maemoto, S.Sasa, S.Kasai, M.Inoue
- 学会等名
  23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  リーガロイヤルホテル小倉(小倉)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] Ballistic three-terminal devices based on T-branch junctions in InAs/AlGaSb heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  H.Nishioka, Y.Ishibashi, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
- 学会等名
  IEEE The 2010 International Meeting for Future of Electron Devices
- 発表場所
  関西大学・百周年記念会館(大阪府吹田市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310084
[学会発表] 高誘電率材料を用いたInAs/AlGaSb HEMT の作製と評価2008
- 著者名/発表者名
  藤原健司,塩路真広,天野直樹,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇
- 学会等名
  2008 年秋季第70 回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] Fabrication and characterization of InAs/AlGaSb HEMTs with high-k gate insulators2008
- 著者名/発表者名
  T. Maemoto, K. Fujiwara, T. Inoue, N. Amano, M. Koyama, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  APS March Meeting 2008
- 発表場所
  New Orleans, USA
- 年月日
  2008-03-12
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2008
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Lnoue
- 学会等名
  34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Rust, Germany
- 年月日
  2008-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] 高誘電率材料を用いたInAs/AIGaSb HEMTの作製と評価2008
- 著者名/発表者名
  藤原健司, 塩路真広, 天野直樹, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
- 学会等名
  2008年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_2 Gate Insulators2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, N, Amano, M. Koyama, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
- 学会等名
  2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  大阪大学中ノ島センター
- 年月日
  2008-05-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2008
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
- 学会等名
  34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Rust,Germany
- 年月日
  2008-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] Nonlinear Electron Transport properties in lnAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2007
- 著者名/発表者名
  M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology 2007
- 発表場所
  Waikaloa,Hawaii,USA
- 年月日
  2007-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2007
- 著者名/発表者名
  H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2007
- 発表場所
  Osaka Univ., Japan
- 年月日
  2007-04-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Ballistic rectification in four-terminal InAs/AlGaSb nanostructures2007
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  APS March Meeting 2007
- 発表場所
  Denver, USA
- 年月日
  2007-03-07
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AlGaSb Ballistic Devices2007
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  15th Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
- 発表場所
  Tokyo Univ., Japan
- 年月日
  2007-07-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] InAs/AlGaSb量子細線を有するT字型3分岐構造における電子輸送特性2007
- 著者名/発表者名
  小山政俊, 中島貴史, 井上達也, 天野直樹, 前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
- 学会等名
  2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学,北海道
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] Fabrication and Characrerization of Sb-Based Diode structures for Detecting Subterahertz Waves2007
- 著者名/発表者名
  T.Inoue, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
- 学会等名
  2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka,Japan
- 年月日
  2007-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560361
[学会発表] Fabrication and Characterization of Sb-Based Diode structures for Detecting Subterahertz Waves2007
- 著者名/発表者名
  T.Inoue, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
- 学会等名
  2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka,Japan
- 年月日
  2007-04-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2007
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2007-12-06
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves(2)2007
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
- 学会等名
  JSAP Annual meeting
- 発表場所
  Kanagawa, Japan
- 年月日
  2007-03-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AlGaSb HFETs with high-k gate insulators2006
- 著者名/発表者名
  T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  Int. Conf. on Phys. of Semicond.
- 発表場所
  Wien, Austria
- 年月日
  2006-07-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Ballistic Rectification effects in InAs/AlGaSb Nano-structures2006
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  Int. Conf. on Phys. of Semicond.
- 発表場所
  Wien, Austria
- 年月日
  2006-07-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Fabricatior and characterization of Sb-based diode structures for detectinc, subterahertz waves2006
- 著者名/発表者名
  H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  IEICE Technical meetings
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2006-12-08
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] Nonlinear electron transport properties in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers2006
- 著者名/発表者名
  M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
- 学会等名
  Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2006
- 発表場所
  Kyoto Univ., Japan
- 年月日
  2006-04-21
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560421
[学会発表] 高誘電率ゲート材料を用いたInAs/AlGaSbヘテロ構造トランジスタの作製と半導体/ゲート界面の改善
- 著者名/発表者名
  森口航平，前元利彦，尾形健一，佐々誠彦
- 学会等名
  平成25年電気関係学会関西連合大会
- 発表場所
  大阪電気通信大学寝屋川キャンパス，大阪府寝屋川市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Pulsed laser deposition of low resistivity transparent conducting Al-doped ZnO films at room temperature and its transparent thin-film transistor applications
- 著者名/発表者名
  Y. Sun, Y. Kimura, T. Maemoto and S. Sasa
- 学会等名
  12th International Conference on Laser Ablation
- 発表場所
  Hotel Continental, Ischia, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Crystal growth of InAs/AlGaSb heterostructures by molecular beam epitaxy and fabrication of InAs HFETs using Ni/Au alloy ohmic metal
- 著者名/発表者名
  K. Moriguchi, T. Maemoto, K. Ogata and S. Sasa
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422
[学会発表] Effects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics
- 著者名/発表者名
  R. Morita, T. Maemoto, and S. Sasa
- 学会等名
  2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  関西大学100周年記念会館（大阪）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[学会発表] フレキシブル酸化亜鉛透明薄膜トランジスタの開発
- 著者名/発表者名
  孫屹，木村祐太，前元利彦，佐々誠彦
- 学会等名
  電気材料技術懇談会
- 発表場所
  大阪市中央電気倶楽部（大阪）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560353
[学会発表] Rectification effects in ZnO-based self-switching nanodiodes toward transparent flexible electronics
- 著者名/発表者名
  T. Maemoto, Y. Kimura, Y. Sun, S. Kasai, and S. Sasa
- 学会等名
  18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
- 発表場所
  Shimane Prefectural Convention Center "Kunibiki Messe", Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560422

1. 佐々誠彦 (50278561)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 94件
2. 井上正崇 (20029325)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 63件
3. 葛西誠也 (30312383)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
4. 吉村勉 (00460767)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 和田英男 (90846320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
6. 小山政俊

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

前元 利彦 MAEMOTO TOSHIHIKO

研究課題

研究成果

共同研究者

酸化物半導体による人体に安全なフレキシブルダイオードの開発とレクテナ回路応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸化物半導体を用いた透明ダイオードの開発とエナジーハーベスティング回路への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ｓｉ基板上III－V族半導体／Ｈｉｇｈ－ｋゲートを用いた新構造トランジスタの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体ナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形メカニズムの解明と制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ギガヘルツ動作を可能にする酸化亜鉛トランジスタの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体量子ナノ構造を用いた超高感度テラヘルツ波計測技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極薄超格子構造中のサブバンド間遷移を利用した小型波長可変テラヘルツ波検出器の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高誘電率(High-k)ゲートを用いたInAs/AISb系高速トランジスタの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高移動度InAs系ヘテロ構造を用いた極微構造の作製と新機能デバイス探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InAsヘテロ構造を用いた量子効果トランジスタの開発と高温動作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Low-Temperature Fabrication Process of In2O3 Thin-Film Transistors using Aqueous Precursor Solution and Excimer Light2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] フレキシブル基板上に室温成膜した酸化亜鉛薄膜の繰返し曲げ耐久試験2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Repeated bending durability evaluation of ZnO and Al-doped ZnO thin films grown on cyclo-olefin polymer for flexible oxide device applications2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 溶液プロセスを用いた酸化インジウム薄膜のエキシマ光による低温形成と薄膜トランジスタの特性評価2022

著者名/発表者名

雑誌名

前元利彦 MAEMOTO TOSHIHIKO