中嶋一雄 NAKAJIMA Kazuo

研究者番号	80311554
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 京都大学, エネルギー科学研究科, 教授 2010年度: 京都大学, エネルギー科学研究科, 客員教授 2008年度 – 2009年度: 東北大学, 金属材料研究所, 教授 1999年度 – 2006年度: 東北大学, 金属材料研究所, 教授 2002年度: 東北大, 金属材料研究所, 教授 2000年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用光学・量子光工学研究代表者以外理工系 / 電子・電気材料工学 / 金属物性 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
キーワード	研究代表者 SiGe / 太陽電池 / InGaAsN / 結晶欠陥 / シリコン / resonant tunneling / strained Si / floating zone growth / multicomponent zone-melting method / multicomponent bulk crystal … もっと見る / ヘテロ構造 / 歪み / 優先成長方位 / フローティングゾーン成長法 / 分子線エピタキシー / 逆格子空間マッピング / 共鳴トンネル / 歪みシリコン / フローティングゾーン成長 / 溶質元素補給成長法 / バルク結晶 / シリコンゲルマニウム / in-situ monitoring / alloy semiconductor / multicomponet zone-melting method / 基板 / 単結晶 / 成長界面 / In-Ga-As / 均一組成 / 多元系バルク結晶 / その場観察 / 多元系半導体バルク結晶 / 溶質元素補給ゾーン成長法 / ファセット成長 / デンドライト結晶 / せん断応力 / ランダム粒界 / 亜粒界 / Siバルク多結晶 / 浮遊キャスト法 / 浮遊キャスト成長 / 多結晶 / 結晶成長 / X線回折 / 塑性変形 / 結晶レンズ / X線用レンズ / 半導体結晶 / 高温加圧加工 / 結晶粒径 / 成長速度 / 潜熱 / 過冷度 / 融液成長 … もっと見る研究代表者以外シリコンゲルマニウム / 結晶成長 / Two-dimensional hole gas / Modulation doping / Strain-controlled thin film / Multicomponent Zone-melting Method / Molecular Beam Epitaxy / Silicon Germanium / 二次元正孔ガス / 変調ドーピング構造 / 歪み制御薄膜 / 溶質元素補給ゾーン成長法 / 分子線エピタキシー法 / image data processing / Maximum entropy method / X-ray diffraction / Mapping of X-ray fluorescence / X-ray micronanalyzer / Bent graphite monochoromator / マキシマムエンドロピー法 / 蛍光X線 / グラファイト集光素子 / 画像処理 / マキシマムエントロピー法 / X線回折 / 蛍光X線マッピング / X線マイクロアナライザ / 湾曲グラファイト / indirect semiconductor / electron localization / charged exciton / modulation doping / semiconductor quantum well / semiconductor quantum dot / microscopic photoluminescence / 励起子分子 / 局在励起子 / フォトルミネッセンス / 間接遷移型半導体 / 電子局在 / 帯電励起子 / 変調ドーピング / 半導体量子井戸 / 半導体量子ドット / 顕微フォトルミネッセンス / 炭素不純物 / 多結晶 / シリコン / バルク / 結晶欠陥 / 太陽電池 / 不純物 / 多結晶シリコン / フィードバック制御 / その場観察 / 溶質元素補給ゾーン成長 / カーボンナノチューブ / フラーレン / X線回折法 / 硫化物 / 亜鉛酸化物 / 半導体 / 光触媒物質 / 蛍光X線ホログラム / X線異常散乱 / XANES / 元素選択性 / 局在量子構造 / 局所格子歪み / 部分硫化 / 光触媒 / 局所構造評価 / 薄膜 / 放射光 / 蛍光X線ホログラフィー / 光触媒材料 / チタン酸化物 / 構造解析 / 核形成 / 凝集 / リゾチーム / 吸着 / 電気化学原子間力顕微鏡 / 等電点 / タンパク質隠す

バルク多結晶Siの結晶成長過程における炭素不純物の挙動とその影響の解明
- 研究代表者
  
  沓掛健太朗
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
融液中に浮遊させたSi結晶の成長メカニズムの研究と高品質Si多結晶の成長技術開発研究代表者
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
ゲルマニウム結晶ウェハーの高温加圧加工によるX線用モノクロメーター結晶の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  東北大学
高温加圧法によるシリコン結晶ウェハーの変形加工と形状制御限界の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2005
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
SiGe基板単結晶の低欠陥化と歪みを制御した機能性ヘテロ構造の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
シリコン系混晶半導体のグローバル成長制御
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
過冷炉度を制御した融液成長法による太陽電池用Si多結晶の大粒径化と高効率化研究代表者
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
SiGe混晶基板を利用した歪み制御Si系高機能電子デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
回折および分光手法による酸化物表面での局在量子構造解析
- 研究代表者
  
  松原英一郎 (松原一郎)
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2004
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
円筒状湾曲グラファイトを使ったハモス型X線マイクロアナライザーの試作
- 研究代表者
  
  松原英一郎
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  東北大学
タンパク質分子の等電点の新測定法と電極界面凝集化過程のその場観察
- 研究代表者
  
  宮下哲
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  東北大学
溶質元素補給ゾーン成長法による均一組成を持った多元系バルク単結晶の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
極微プローブ光を用いた半導体微細構造の空間および時間分解分光に関する研究
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
   東京大学

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 太陽電池の物理2010
- 著者名/発表者名
  ペーターヴュルフェル著, 宇佐美徳隆、石原照也、中嶋一雄監訳
- 出版者
  丸善(5月出版予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[図書] 太陽電池の物理2010
- 著者名/発表者名
  ペーターヴュルフェル著, 宇佐美徳隆、石原照也、中嶋一雄監訳
- 出版者
  丸善
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[図書] Fundamental understanding of subgrain boundaries(Advances in Materials Research 14)(Crystal Growth of Si for Solar Cells, edited by K.Nakajima, and N.Usami)(chap.6)2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[図書] Mechanism of Dendrite Crystal(Advances in Materials Research 14)(Crystal Growth of Si for Solar Cells, edited by K.Nakajima, and N.Usami)(chap.5)2009
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, K.Nakajima
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during2012
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kutsukake, Hideaki Ise, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Kazuo Nakajima, and Ichiro Yonenaga
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 352 号: 1 ページ: 173-176
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.02.004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760004
[雑誌論文] Impact of type of crystal defects in multicrystalline Si on electrical properties and interaction with impurities2011
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, H.Mizuseki, Y.Kawazoe, G.Stokkan, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells2011
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells2011
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Impact of type of crystal defects in multicrystalline Si on electrical prope and interaction with impurities2011
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, H.Mizuseki, Y.Kawazoe, G.Stokkan, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Pattern formation mechanism of a periodically faceted interface during crystallization of Si2010
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, K.Fujiwara, K.Kutsukake, H.Kodama, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 3670-3674
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed2010
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, K.Kutsukake, G.Stokkan, K.Morishita, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 312
  
  ページ: 897-901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] A computational investigation of relationship between shear stress and multicrystalline structure in silicon2010
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, 宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, K.Morishita, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. (未定, 印刷中)
- NAID
  210000068399
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Growth mechanism of the Si <110> faceted dendrite2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, H.Fukuda, N.Usami, K.Nakajima, S.Uda
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 81
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Pattern formation mechanism of a periodically faceted interface during crystallization of Si2010
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, K.Fujiwara, K.Kutsukake, H.Kodama, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth
  
  巻: 312 ページ: 3670-3674
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] A computational investigation of relationship between shear stress and multicrystalline structure in silicon2010
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, K.Kutsukake, K.Morishita, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- NAID
  210000068399
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, R.Yokoyama, I.Takahashi, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 107
  
  ページ: 13511-13511
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Growth mechanism of the Si <110> faceted dendrite2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, H.Fukuda, N.Usami, K.Nakajima, S.Uda
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 81
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, R.Yokoyama, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed2010
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, 宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, G.Stokkan, K.Morishita, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 897-901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Microstructures of Si multicrystals and their impact on minority carrier diffusion length2009
- 著者名/発表者名
  H.Y.Wang, N.Usami, K.Fujiwara, K.Kutsukake, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 57
  
  ページ: 3268-3276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nose, I.Takahashi, W.Pan, N.Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 311
  
  ページ: 228-231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Growth behavior of faceted Si crystals at grain boundary formation2009
- 著者名/発表者名
  藤原航三, S.Tsumura, M.Tokairin, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, S.Uda, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 19-23
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, T.Ohtaniuchi, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Formation mechanism of the faceted interface: in-situ observation of the Si (100) crystal-melt interface during crystallization2009
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, K.Fujiwara, K.Kutsukake, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B. 80
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Cap.6 Fundamental understanding of subgrain boundaries, in"Crystal Growth of Si for Solar Cells"(edited by K. Nakajima, and N. Usami)(Springer)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, T. Ohtaniuchi, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 105
  
  ページ: 44909-44909
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] 太陽電池用多結晶シリコン中の亜粒界についての基礎研究2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗、宇佐美徳隆、藤原航三、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 36
  
  ページ: 13-20
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  藤原航三, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Cap.5 Mechanism of Dendrite Crystals, in"Crystal Growth of Si for Solar Cells"(edited by K. Nakajima, and N. Usami)(Springer)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] 太陽電池用高品質シリコンバルク多結晶の製造技術2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  電子材料 48
  
  ページ: 10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Microstructures of Si multicrystals and their impact on minority carrier diffusion length2009
- 著者名/発表者名
  H.Y.Wang, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 沓掛健太朗, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 57
  
  ページ: 3268-3276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Growth Behavior of Faceted Si Crystals at Grain Boundary Formation2009
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, S.Tsumura, M.Tokairin, K.Kutsukake, N.Usami, S.Uda, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 19-23
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Formation mechanism of the faceted interface : in-situ observation of the Si(100)crystal-melt interface during crystallization2009
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, 藤原航三, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 80
  
  ページ: 174108-174108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Impact of detect density in Si bulk multicrystals on gettering effect of impurities2008
- 著者名/発表者名
  I. Takahashi, N. Usami, R. Yokoyama, Y. Nose, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 8790-8792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals2008
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, K.Fujiwara, I.Yonenaga, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 1
- NAID
  10025081680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Growth mechanism of Si-faceted dendrites2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Lett 101
  
  ページ: 55503-55503
- NAID
  40019490875
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Impact of defect density in Si bulk multicrystals on gettering effect of impurities2008
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, R.Yokoyama, Y.Nose, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 47
  
  ページ: 8790-8792
- NAID
  40016389603
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, I. Yonenaga, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
  
  ページ: 75001-75001
- NAID
  10025081680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化2008
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 108
  
  ページ: 73-76
- NAID
  110006792719
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, K.Nakajima, S.Amtabilian et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- NAID
  120002337940
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of structural imperfection of Σ5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities2007
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 101
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, M.Tayanagi, K.Ohdaira, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Solar Energy Mat.and Solar Cells 91
  
  ページ: 123-128
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Application of Czochralski-grown Si-rich SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent strain-controlled quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, R.Nihei, I.Yonenaga, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of structural imperfection of Σ5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities2007
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 101
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Structure and its influence on electrical activity of a near {310} Σ5 grain boundary in bulk silicon2007
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Materials Transaction. 48
  
  ページ: 143-147
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Application of Czochralski-grown Si-rich SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, R.Nihei, I.Yonenaga, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution2007
- 著者名/発表者名
  M.Tayanagi, N.Usami, W.Pan, K.Ohdaira, K.Fujiwara, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 101
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, K.Nakajima, S.Amtabilian, A.Fave, M.Lemiti
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 90
- NAID
  120002337940
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Application of Czochralski-grown Si-rich SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, R.Nihei, I.Yonenaga, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Realization of Bulk Multicrystalline Silicon with Controlled Grain Boundaries by Utilizing Spontaneous Modification of Grain Boundary Configuration2006
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, T.Sugawara, K.Fujiwara, W.Pan, Y.Nose, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 45
  
  ページ: 1734-1737
- NAID
  40007177936
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of Structure-Controlled Polycrystalline Silicon Ingot for Solar Cells by Casting2006
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, K.Sawada, M.Tokairin, Y.Nose, A.Nomura, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 54
  
  ページ: 3191-3197
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Suppression of structural imperfection in strained Si by utilizing SiGe bulk substrate2006
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Nose, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 88
- NAID
  120001858007
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Si wafers having one-and two- dimensionally curved (111) planes examined by X-ray diffraction2006
- 著者名/発表者名
  H.Okuda, K.Nakajima, K.Fujiwara, S.Ochiai
- 雑誌名
  
  J. Appl. Cryst 39
  
  ページ: 443-445
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656017
[雑誌論文] Suppression of structural imperfection in strained Si by utilizing SiGe bulk substrate2006
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Nose, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 88
- NAID
  120001858007
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Directional growth method to obtain high quality polycrystalline silicon from its melt2006
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, K.Sawada, M.Tokairin, N.Usami, Y.Nose, A.Nomura, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 292
  
  ページ: 282-285
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Intermixing of Ge and Si during exposure of GeH_4 on Si2006
- 著者名/発表者名
  G.Watari, N.Usami, Y.Nose, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 163-165
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of Stacked Ge islands on the Dark Current-Voltage Characteristics and Conversion Efficiency of the Solar Cells2006
- 著者名/発表者名
  A.Alguno, N.Usami, K.Ohdaira, W.Pan, M.Tayanagi, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 402-405
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Solar cell system using a polished concave Si-crystal mirror2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells Vol.88
  
  ページ: 323-329
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656002
[雑誌論文] Influence of growth temperature on minority carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent2005
- 著者名/発表者名
  Y.Satoh, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 275
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Analysis of the Dark-current Density in Solar Cells Based on Multicrystalline SiGe2005
- 著者名/発表者名
  K.Ohdaira, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 8019-8022
- NAID
  10016871374
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, Y.Azuma, N.Usami, G.Sazaki, T.Ujihara, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS ＆ PRODUCT TECHNOLOGY 22
  
  ページ: 185-212
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, Y.Azuma, N.Usami, G.Sazaki, T.Ujihara, K.Fujiwara, T.Shishido, Y.Nishijima, T.Kusunoki
- 雑誌名
  
  INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS ＆ PRODUCT TECHNOLOGY 22
  
  ページ: 185-212
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of improved conversion efficiency of solar cells based on SiGe with compositional distribution2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, W.Pan, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 857-860
- NAID
  10014418496
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, K.Sawada, A.Nomura, T.Ujihara, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 275
  
  ページ: 467-473
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS & PRODUCT TECHNOLOGY 22
  
  ページ: 185-212
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] A modified zone growth method for an InGaAs single crystal2005
- 著者名/発表者名
  Y.Nishijima, H.Tezuka, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 280
  
  ページ: 364-371
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystalline of SiGe bulk crystal2005
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihrara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 276
  
  ページ: 393-400
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Liquid phase eptiaxial growth of Si layer on thin Si substrates from Si pure melts under near-equilibrium conditions2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, Y.Nose, N.Usami
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 5092-5095
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] A modified zone growth method for an InGaAs single crystal2005
- 著者名/発表者名
  Y.Nishijima, H.Tezuka, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 280
  
  ページ: 364-371
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Floating zone growth of Si-rich SiGe bulk crystal using pre-synthesized SiGe feed rod with uniform composition2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, M.Kitamura, K.Obara, Y.Nose, G.Sazaki, K.Fujiwara, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 284
  
  ページ: 57-64
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Analysis of the Dark-current Density in Solar Cells Based on Multicrystalline SiGe2005
- 著者名/発表者名
  K.Ohdaira, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 8019-8022
- NAID
  10016871374
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12130201
[雑誌論文] A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystalline of SiGe bulk crystal2005
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihrara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 276
  
  ページ: 393-400
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of growth temperature on minority carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent2005
- 著者名/発表者名
  Y.Satoh, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Floating zone growth of Si bicrystals using seed crystals with artificially designed grain boundary configuration2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, M.Kitamura, T.Sugawara, K.Kutsukake, K.Ohdaira, Y.Nose, K.Fujiwara, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
- NAID
  10016590610
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of multicrystalline Si with controlled grain boundary configuration by the floating zone technique2005
- 著者名/発表者名
  M.Kitamura, N.Usami, T.Sugawara, K.Kutsukake, K.Fujiwara, Y.Nose, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 280
  
  ページ: 419-424
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained Si layer2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, B.Zhang, T.Yokoyama, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Hemisphere-Shaped Silicon Crystal Wafers Obtained by Plastic Deformation and Preparation of Their Solar Cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  Journal of ELECTRONIC MATERIALS Vol.34・No7
  
  ページ: 1047-1052
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656002
[雑誌論文] On the origin of improved conversion efficiency of solar cells based on SiGe with compositional distribution2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, W.Pan, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 857-860
- NAID
  10014418496
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Liquid phase eptiaxial growth of Si layer on thin Si substrates from Si pure melts under near-equilibrium conditions2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, Y.Nose, N.Usami
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 5092-5095
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 260
  
  ページ: 372-383
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositiona distribution2004
- 著者名/発表者名
  W.Pan, K.Fujiwara, N.Usami, T.Ujihara, K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 96
  
  ページ: 1238-1241
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 266
  
  ページ: 441-448
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Successful growth of an In_xGa_<1-x>As (x>0.18) single bulk crystal directly on a GaAs seed crystal with preferential orientation2004
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, Y.Nishijima, K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
- NAID
  10013276997
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 260
  
  ページ: 372-383
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Successful growth of an In_xGa_<1-x>As(x>0.18) single bulk crystal directly on a GaAs seed crystal with preferential orientation2004
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, Y.Nishijima, K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihrara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  10013276997
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer2004
- 著者名/発表者名
  Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima, K.Sawano, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 84
  
  ページ: 2802-2804
- NAID
  120002337903
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
- NAID
  10012039322
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 262
  
  ページ: 124-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 266
  
  ページ: 441-448
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 262
  
  ページ: 124-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, K.Sawano, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, Y.Shiraki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Thin Sold Films 451/452
  
  ページ: 604-607
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution2004
- 著者名/発表者名
  W.Pan, K.Fujiwara, N.Usami, T.Ujihara, K.Nakajima, R.Shimokawa
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 96
  
  ページ: 1238-1241
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima, B.P.Zhang, Y.Segawa
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 224
  
  ページ: 95-98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 1335-1337
- NAID
  120002337905
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  10012039322
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate by liquid phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 266
  
  ページ: 467-474
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Stacked Ge islands for photovoltaic applications2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima, K.Sawano, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Sci.Tech.Adv.Mat. 4
  
  ページ: 367-370
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] High-quality crystalline silicon layer grown by liquid phase epitaxy method at low growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
- NAID
  10010781885
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in Si matrix2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Ichitsubo, T.Ujihara, T.Takahashi, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 94
  
  ページ: 916-920
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate2003
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, B.P.Zhang, Y.Segawa, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure2003
- 著者名/発表者名
  A.Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, Y.Shiraki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 83
  
  ページ: 1258-1260
- NAID
  120002337899
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 250
  
  ページ: 298-304
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] 3D atomic imaging of SiGe system by X-ray fluorescence holography2003
- 著者名/発表者名
  K.Hayashi, Y.Takahashi, E.Matsubara, K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  J. Materials Science : Materials in Electronics 14
  
  ページ: 459-462
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] 3D atomic imaging of SiGe system by X-ray fluorescence holography2003
- 著者名/発表者名
  K.Hayashi, Y.Takahashi, E.Matsubara, K.Nakajima, N.Usami
- 雑誌名
  
  J.Materials Science : Materials in Electronics 14
  
  ページ: 459-462
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells 72
  
  ページ: 93-100
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Non-cryst. Solids 312
  
  ページ: 196-202
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of the Marangoni convection of a NaC1 aqueous solution under microgravity2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, S.Miyashita, M.Nokura, T.Ujihara, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 234
  
  ページ: 516-522
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 242
  
  ページ: 313-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of the Marangoni convection of a NaCl aqueous solution under microgravity2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, S.Miyashita, M.Nokura, T.Ujihara, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 234
  
  ページ: 516-522
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In situ observation of crystal growth behavior of silicon melt2002
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Ke.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, H.Hasegawa, S.Mizoguchi, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 243
  
  ページ: 275-282
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 92
  
  ページ: 7098-7101
- NAID
  120002338155
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials ＆ Solar Cell 73
  
  ページ: 305-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 242
  
  ページ: 313-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
  
  ページ: 4462-4465
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 241
  
  ページ: 387-394
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Azuma, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Eng.B 89
  
  ページ: 364-367
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials ＆ Solar Cell 73
  
  ページ: 305-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 241
  
  ページ: 387-394
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Non-cryst.Solids 312
  
  ページ: 196-202
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells 72
  
  ページ: 93-100
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Control of Macroscopic Absorption Coefficient of Multicrystalline SiGe by Microscopic Compositional Distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, H.Yaguchi, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
- NAID
  110006344347
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Kusunoki, Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 240
  
  ページ: 373-381
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, Y.Azuma, S.Miyashita, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 236
  
  ページ: 125-131
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In situ observation of crystal growth behavior of silicon melt2002
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Ke.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 243
  
  ページ: 275-282
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Kusunoki, Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 240
  
  ページ: 373-381
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[産業財産権] Siバルク多結晶インゴットの製造方法2010
- 発明者名
  宇佐美徳隆、中嶋一雄、高橋勲
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2008-108887
- 取得年月日
  2010-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Siバルク多結晶インゴットの製造方法2010
- 発明者名
  宇佐美徳隆、中嶋一雄、高橋勲
- 権利者名
  東北大学
- 取得年月日
  2010-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] 半導体バルク多結晶の製造方法2009
- 発明者名
  宇佐美徳隆、中嶋一雄、沓掛健太朗
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2009-120594
- 出願年月日
  2009-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] 半導体バルク結晶の作製方法2009
- 発明者名
  中嶋一雄、藩伍根、野瀬嘉太郎
- 権利者名
  東北大学
- 取得年月日
  2009-04-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Si多結晶インゴット、Si多結晶インゴットの製造方法およびSi多結晶ウェノハ2009
- 発明者名
  中嶋一雄、藤原航三、宇佐美徳隆
- 権利者名
  東北大学
- 公開番号
  2009-084145
- 出願年月日
  2009-04-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Si結晶インゴットの製造方法2009
- 発明者名
  中嶋一雄、宇佐美徳隆
- 権利者名
  東北大学
- 公開番号
  2009-173518
- 出願年月日
  2009-08-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Siバルク多結晶インゴットの製造方法2008
- 発明者名
  宇佐美徳隆、中嶋一雄、高橋勲
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2008-108887
- 出願年月日
  2008-04-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] 曲率分布結晶レンズの製造方法および偏光制御装置2006
- 発明者名
  奥田浩司, 中嶋一雄, 落合庄次郎
- 権利者名
  京都大学, 東北大学
- 産業財産権番号
  2006-015686
- 出願年月日
  2006-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656002
[産業財産権] X線反射率測定装置およびX線反射率測定方法2005
- 発明者名
  奥田浩司, 中嶋一雄, 落合庄次郎
- 権利者名
  京都大学, 東北大学
- 産業財産権番号
  2005-368305
- 出願年月日
  2005-12-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656002
[産業財産権] 太陽電池およびその製造2005
- 発明者名
  宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 藤原航三
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2005-044025
- 出願年月日
  2005-02-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12130201
[産業財産権] 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク于備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法2003
- 発明者名
  中嶋一雄他
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2003-355443
- 出願年月日
  2003-10-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[産業財産権] Ge系結晶の成長方法、Ge系結晶、Ge系結晶基板及び太陽電池2003
- 発明者名
  中嶋一雄他
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2003-198417
- 出願年月日
  2003-07-17
- 取得年月日
  2006-09-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[産業財産権] Si結晶インゴットの製造方法
- 発明者名
  中嶋一雄、宇佐美徳隆
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2008-180842
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] A now mono-cast Si technique using functional grainth boundaies2012
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohono, Yuki Tokumoto, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima and Ichiro Yonenaga
- 学会等名
  The 6^<th> International workshop on Crystallline Silicon for Solar Cells (CSSC6)
- 発表場所
  Axi-les-Bans, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760004
[学会発表] A new mono-cast Si technique using functional grain boundaries2012
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohono, Yuki Tokumoto, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima and Ichiro Yonenaga
- 学会等名
  The 6th International workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC6)
- 発表場所
  Monterey, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760004
[学会発表] Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during one-directional growth2011
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kutsukake, Hideaki Ise, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Kazuo Nakajima, Ichiro Yonenaga
- 学会等名
  The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCG-18)
- 発表場所
  Monterey, Calfornia, USA
- 年月日
  2011-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760004
[学会発表] 多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布の解析2011
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗、伊勢秀彰、大野裕、徳本有紀、森下浩平、中嶋一雄、米永一郎
- 学会等名
  日本応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760004
[学会発表] Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during one-directional growth2011
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kutsukake, Hideaki Ise, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Kazuo Nakajima, Ichiro Yonenaga
- 学会等名
  The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCG-18)
- 発表場所
  Monterey, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760004
[学会発表] Study of incorporation of oxygen and carbon into multicrystalline silicon during ingot growth2011
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kutsukake, Hideaki Ise, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Kazuo Nakajima, Ichiro Yonenaga
- 学会等名
  21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2011-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760004
[学会発表] Modeling of incorporation of oxygen into multi-crystalline silicon during crystal growth2011
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kutsukake, Hideaki Ise, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Kazuo Nakajima, Ichiro Yonenaga
- 学会等名
  26th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-26)
- 発表場所
  Nelson, New Zealand
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760004
[学会発表] シリコンバルク多結晶の結晶成長過程における欠陥発生機構の解明2010
- 著者名/発表者名
  阿部匠朗, 沓掛健太朗, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Formation mechanism of twin boundaries in silicon multicrystals during crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, T.Abe, N.Usami, K.Fujiwara, K.Morishita, K.Nakajima
- 学会等名
  The 35^<th> IEEE Photovoltaic Specialists Conference
- 発表場所
  ハワイコンベンションセンター(ホノルル)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth mechanism of Si faceted dendrites and its application to the casting method for growing structure-controlled polycrystalline Si ingots2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, K.Nakajima, K.Kutsukake, N.Usami, S.Uda
- 学会等名
  16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  北京(中国)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth of high quality Si multicrystals by controlling their arrangement of dendrite crystals along the bottom of ingots and reducing the density of random grain boundaries2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima
- 学会等名
  The Future of Photovoltaics
- 発表場所
  東京ファッションタウンホール(東京)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Suppression of generation of dislocations in Si multicrystals by controlling coherency of grain boundaries at the initial stage of crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, R.Yokoyama, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in The 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC), The 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-5), Feria Valencia
- 発表場所
  Valencia, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Impact of coherency of grain boundaries in Si multicrystals on materials properties to affect solar cell performance2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Nakajima
- 学会等名
  in the CSSC-4 Workshop(Invited Speaker)
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Formation mechanism of twin boundaries in silicon multicrystals during crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, T.Abe, N.Usami, K.Fujiwara, K.Morishita, K.Nakajima
- 学会等名
  in The 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Hawaii Convention Center, Honolulu, In Proceedings of The 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference(pp.810-811)(2010).
- 発表場所
  Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 複合種結晶を用いた多結晶Siの成長と転位発生メカニズムの解明2010
- 著者名/発表者名
  高橋勲、宇佐美徳隆、沓掛健太朗、Gaute Stokkan、森下浩平、中嶋一雄
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Suppression of generation of dislocations in Si multicrystals by controlling coherency of grain boundaries at the initial stage of crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, R.Yokoyama, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  The 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC) The 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-5)
- 発表場所
  バレンシア(スペイン)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] High efficiency solar cells obtained from small size ingots with 30cmφ by controlling the distribution and orientation of dendrite crystals grown along the bottom of the ingots2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Kutsukake, K.Fujiwara, N.Usami, S.Ono, I.Yamasaki
- 学会等名
  in The 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC) The 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-5) Feria Valencia
- 発表場所
  Valencia, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth mechanism of Si faceted dendrites and its application to the casting method for growing structure-controlled polycrystalline Si ingots2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, K.Nakajima, K.Kutsukake, N.Usami, S.Uda
- 学会等名
  in the 16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Beijin, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] High efficiency solar cells obtained from small size ingots with 30cmφ by controlling the distribution and orientation of dendrite crystals using the dendritic casting method2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Morishita, K.Kutsukake, K.Fujiwara, N.Usami, S.Ono, I.Yamasaki
- 学会等名
  in the CSSC-4 Workshop(Invited Speaker)
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] High efficiency solar cells obtained from small size ingots with 30 cmφ by controlling the distribution and orientation of dendrite crystals using the dendritic casting method2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Morishita, K.Kutsukake, K.Fujiwara, N.Usami, S.Ono, I.Yamasaki
- 学会等名
  CSSC-4 Workshop
- 発表場所
  台北(台湾)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] デンドライト利用キャスト成長法によるSi多結晶インゴットの組織と欠陥制御による高品質化2010
- 著者名/発表者名
  中嶋一雄、沓掛健太朗、宇佐美徳隆、藤原航三
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 材料科学からの結晶シリコン太陽電池の高効率化へのアプローチ2010
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗、宇佐美徳隆、藤原航三、森下浩平、中嶋一雄
- 学会等名
  日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部学術討論会
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋)
- 年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Impact of coherency of grain boundaries in Si multicrystals on materials properties to affect solar cell performance2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Nakajima
- 学会等名
  CSSC-4 Workshop
- 発表場所
  台北(台湾)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] High efficiency solar cells obtained from small size ingots with 30 cmφ by controlling the distribution and orientation of dendrite crystals grown along the bottom of the ingots2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Kutsukake, K.Fujiwara, N.Usami, S.Ono, I.Yamasaki
- 学会等名
  The 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC) The 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-5)
- 発表場所
  バレンシア(スペイン)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth of high quality Si multicrystals by controlling their arrangement of dendrite crystals along the bottom of ingots and reducing the density of random grain boundaries2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima
- 学会等名
  in Nature Photonics Technology Conference "The Future of Photovoltaics", TFT hall(Invited Speaker)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] A computational investigation of relationship betwenn shear stress and multicrystal structure in Si2009
- 著者名/発表者名
  高橋勲, 宇佐美徳隆, R.Yokoyama, 沓掛健太朗, 藤原航三, 森下浩平, 中嶋一雄
- 学会等名
  CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  トロンハイム(ノルウェー)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] シリコンのファセットデンドライトの成長機構2009
- 著者名/発表者名
  藤原航三、前田健作、宇佐美徳隆、宇田聡、中嶋一雄
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] How can we decrease defect density in Si multicrystals to realize high-efficiency solar cells?2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 高橋勲, R.Yokoyama, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  ハンブルグ(ドイツ)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Control of microstructures and crystal defects in Si multicrystals grown by the casting method -how to improve the quality of multicrystals to the level of single crystals-2009
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, K.Kutsukake
- 学会等名
  in 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, CCH- Congress Center and International Fair Hamburg
- 発表場所
  Hamburg, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] A computational investigation of relationship between shear stress and multicrystal structure in Si2009
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, K.Kutsukake, K.Morishita, K.Nakajima
- 学会等名
  in 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] A computational investigation of relationship betwenn shear stress and multicrystal structure in Si2009
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, R.Yokoyama, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Morishita, K.Nakajima
- 学会等名
  in the CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶成長過程におけるシリコン多結晶の亜粒界発生メカニズム2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  東北大学(仙台)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Role of crystal growth in challenges to high-efficiency solar cells2009
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, K.Kutsukake, K.Nakajima
- 学会等名
  in GCOE Singapore workshop (NTU-Tohoku U)
- 発表場所
  Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] In-situ observation of Si (100) crystal-melt interface2009
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, K.Fujiwara, K.Kutsukake, N.Usami, K.Nakajima
- 学会等名
  in GCOE Singapore workshop (NTU-Tohoku U)
- 発表場所
  Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Improvement in quantitative analysis of defects and microstructures in Si multicrystals using X-ray diffraction2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶成長過程における多結晶組織形成メカニズムとその制御2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Improvement in quantitative analysis of defects and microstructures in Si multicrystals using X-ray diffraction2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals using dendritic casting method and mechanism to obtain high-quality crystals with low defects2009
- 著者名/発表者名
  中嶋一雄, 藤原航三, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  トロンハイム(ノルウェー)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals using dendritic casting method and mechanism to obtain high-quality crystals with low defects2009
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, K.Kutsukake, N.Usami
- 学会等名
  in the CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive study of defects in Si Multicrystals Toward High-Efficiency Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N, Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  18^<th> International photovoltaic science and engineering conference and exhibition
- 発表場所
  Kolkota(India)
- 年月日
  2009-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] How can we decrease defect density in Si multicrystals to realize high-efficiency solar cells?2009
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, I.Takahashi, R.Yokoyama, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, CCH- Congress Center and International Fair
- 発表場所
  Hamburg,Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Control of microstructures and crystal defects in Si multicrystals grown by the casting method -how to improve the quality of multicrystals to the level of single crystals-2009
- 著者名/発表者名
  中嶋一雄, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 沓掛健太朗
- 学会等名
  24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  ハンブルグ(ドイツ)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶シリコン太陽電池の高効率化に対する結晶成長からのアプローチ2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  広域産学官交流ネットワーク
- 発表場所
  メルパルク長野(長野)
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive study of defects in Si Multicrystals Toward High-Efficiency Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N, Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in PVSEC18
- 発表場所
  Kolkata, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] A computational investigation of relationship between shear stress and multicrystal structure in Si2009
- 著者名/発表者名
  高橋勲, 宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 森下浩平, 中嶋一雄
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶成長過程におけるシリコン多結晶の欠陥発生メカニズム2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  結晶加工と評価技術第145委員会第118回研究会
- 発表場所
  九州大学(福岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Quantitative Analysis of Defects and Microstructures in Si Multicrystals Using X-ray Diffraction2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition(PVSEC19)
- 発表場所
  済州(韓国)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 太陽電池用バルク多結晶シリコンの結晶成長過程における欠陥発生2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗、高橋勲、宇佐美徳隆、藤原航三、中嶋一雄
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Analysis of microstructures in Si multicrystals and their impact on electrical properties2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, H.Y.Wang, 藤原航三, 沓掛健太朗, 中嶋一雄
- 学会等名
  CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  トロンハイム(ノルウェー)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Quantitative Analysis of Defects and Microstructures in Si Multicrystals Using X-ray Diffraction2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in 19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (PVSEC19)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Analysis of microstructures in Si multicrystals and their impact on electrical properties2009
- 著者名/発表者名
  N.Usami, H.Y.Wang, K.Fujiwara, K.Kutsukake, K, Nakajima
- 学会等名
  in the CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive study of sub-grain boundaries in Si multicrystals toward defect engineering for high-efficiency solar cell2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona(USA)
- 年月日
  2008-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Challenges toward high-efficiency solar cells2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, and K. Nakajima
- 学会等名
  Tech Horizon 2008
- 発表場所
  Riverside(USA)
- 年月日
  2008-05-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶Si太陽電池の高効率化へ向けたSiバルク多結晶中亜粒界の総合研究2008
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 大谷内毅, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第5回次世代の太陽光発電シンポジウム
- 発表場所
  宮崎県宮崎市
- 年月日
  2008-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive research of sub-grain boundaries in Si bulk multicrystal for solar cells2008
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, T. Ohtaniuchi, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals using dendritic casting method and mechanism to obtain high-quality crystals with low defects2008
- 著者名/発表者名
  K. Nakajima, K. Fujiwara, K. Kutsukake, N. Usami, and S. Okamoto
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Valencia(Spain)
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化2008
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
- 学会等名
  電子情報通信学会・シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  沖縄県那覇市
- 年月日
  2008-04-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] シリコンバルク多結晶におけるせん断応力と多結晶組織との関係2008
- 著者名/発表者名
  高橋勲, 宇佐美徳隆, 横山竜介, 沓掛健太朗, 森下浩平, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第5回次世代の太陽光発電シンポジウム
- 発表場所
  宮崎県宮崎市
- 年月日
  2008-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] On the generation mechanism of sub-grain boundaries during directional growth of Si bulk multicrystal2008
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Velencia(Spain)
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive study of sub-grain boundaries in Si multicrystals toward defect engineering for high-efficiency solar cell2008
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals with same grain orientation and large grains using dendritic casting method and formation mechanism of dendrite crystals with parallel twins2008
- 著者名/発表者名
  K. Nakajima, K. Fujiwara, N. Usami, and S. Okamoto
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Reduction of shunt resistance in solar cells based on Si multicrystals by accumulated imuurities at suberain boundaries2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K.Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technoloev(CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001

1. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 169件
2. 宇治原徹 (60312641)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 47件
3. 佐ざき元 (60261509)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
4. 藤原航三 (70332517)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 78件
5. 桜井雅樹 (80235225)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 宮下哲 (00219776)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 松原英一郎 (90173864)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 沓掛健太朗 (00463795)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 86件
9. 森下浩平 (00511875)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 16件
10. 篠田弘造 (10311549)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 米永一郎 (20134041)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
12. 大野裕 (80243129)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
13. 徳本有紀 (20546866)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
14. 村井良太 (10624752)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 黄晋二 (50323663)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 宍戸統悦 (50125580)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
19. 宇田聡 (90361170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. ダービン・ステファンデュエン (10301045)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 村松淳司 (40210059)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 佐藤修彰 (70154078)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 林好一 (20283632)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 北原邦紀 (60304250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 大平圭介 (40396510)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 長田俊人 (00192526)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 石川浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

中嶋 一雄 NAKAJIMA Kazuo

研究課題

研究成果

共同研究者

バルク多結晶Siの結晶成長過程における炭素不純物の挙動とその影響の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

融液中に浮遊させたSi結晶の成長メカニズムの研究と高品質Si多結晶の成長技術開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ゲルマニウム結晶ウェハーの高温加圧加工によるX線用モノクロメーター結晶の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高温加圧法によるシリコン結晶ウェハーの変形加工と形状制御限界の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiGe基板単結晶の低欠陥化と歪みを制御した機能性ヘテロ構造の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン系混晶半導体のグローバル成長制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

過冷炉度を制御した融液成長法による太陽電池用Si多結晶の大粒径化と高効率化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiGe混晶基板を利用した歪み制御Si系高機能電子デバイスに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

回折および分光手法による酸化物表面での局在量子構造解析

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

円筒状湾曲グラファイトを使ったハモス型X線マイクロアナライザーの試作

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

タンパク質分子の等電点の新測定法と電極界面凝集化過程のその場観察

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

溶質元素補給ゾーン成長法による均一組成を持った多元系バルク単結晶の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極微プローブ光を用いた半導体微細構造の空間および時間分解分光に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

中嶋一雄 NAKAJIMA Kazuo