寺本章伸 Teramoto Akinobu

研究者番号	80359554
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所属 (現在)	2025年度: 広島大学, 半導体産業技術研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2007年度 – 2009年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 2006年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教授 2003年度 – 2004年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外薄膜・表面界面物性 / 工学 / 理工系
キーワード	研究代表者 SiC / epitaxial groth / low temperature process / carbon remaining / MOS structure / insulator film / microwave excited plasma / スパッタ成膜 / ラジカル酸化 / プロセス低温化 … もっと見る / エピタキシャル成長 / 低温プロセス / 残留炭素 / MOS / 絶縁膜 / シリコンカーバイト(SiC) / マイクロ波励起プラズマ … もっと見る研究代表者以外光電子分光法 / シリコン窒化膜 / シリコン酸化膜 / 界面 / 半導体製造工学 / 半導体電子工学 / 半導体製造プロセス / MOSFET / LSI 隠す

超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
超高速・超低消費電力バランスドフルCMOSシステムLSIの研究
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  東北大学
マイクロ波プラズマ高品質ゲート絶縁膜を用いた超高耐圧SiC電力用トランジスタ研究代表者
- 研究代表者
  
  寺本章伸
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2010 2009 2008 2007 2005 2004 2003

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] SPRINGER SERIES IN ADVANCED MICROELECTRONICS Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors2007
- 著者名/発表者名
  Akinobu Teramoto
- 総ページ数
  383
- 出版者
  SPRINGER
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[図書] Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors2007
- 著者名/発表者名
  A. Teramoto, T Ohmi
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals2010
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, A. Teramoto, Y. Kumagai, K. Abe, X. Li, Y. Nakao, M. Yamamoto, Y. Kato, T. Muro, T. Kinoshita, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 96, No. 10
- NAID
  110008106358
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Complementary Metal-Oxide-Silicon Field-Effect-Transistors Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film/Silicon Interface2009
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, Y. Nakao, T. Suwa, M. Konda, R. Hasebe, X. Li, T. Isogai, H. Tanaka, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys vol. 48
- NAID
  210000066559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Different mechanism to explain the 1/f noise in n-and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers2009
- 著者名/発表者名
  P. Gaubert, A. Teramoto, W. Cheng, T. Hamada, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science, Technology B Vol.27,No.1
  
  ページ: 394-401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Charac- terization for High-Performance CMOS Using In-Water Advanced Kelvin -Contact Device Structure2009
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, T. Komori, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Vol.22,No.1
  
  ページ: 126-133
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Atomically Flat Silicon Surface and Silicon /Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator-Silicon FETs2009
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, R. Hasebe, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices Vol. 56, No. 2
  
  ページ: 291-298
- NAID
  120002338863
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Atomically Flat Silicon Surface and Silicon/Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator- Silicon FETs2009
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, R. Hasebe, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES VOL.56,NO.2
  
  ページ: 291-298
- NAID
  120002338863
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Different mechanism to explain the 1/f noise in n- and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers2009
- 著者名/発表者名
  P. Gaubert, A. Teramoto, W. Cheng, T. Hamada, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.B Vol. 27, No. 1
  
  ページ: 394-401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Three-Step Room-Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical-Reaction-Based Semiconductor Manufacturing2009
- 著者名/発表者名
  R. Hasebe, A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Journal of Electrochemical Society Vol.156No.1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Performance Comparison of Ultrathin Fully Depleted Silicon-on-Insulator Inversion-, Intrinsic-, and Accumulation-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2008
- 著者名/発表者名
  R. KURODA, A. TERAMOTO, S. SUGAWA, T. OHMI
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.47,No.4
  
  ページ: 2668-2671
- NAID
  210000064562
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Accurate negative bias temperature instability lifetime prediction based on hole injection2008
- 著者名/発表者名
  Akinobu Teramoto
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability 48
  
  ページ: 1649-1654
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si3N4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals2008
- 著者名/発表者名
  T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol.104,No.11
- NAID
  120002338929
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Formation and Property of Yttrium and Yttrium Silicide Films as Low Schottcky Barrier material for n-Type Silicon2008
- 著者名/発表者名
  T. ISOGAI, H. TANAKA, T. GOTO, A. TERAMOTO, S. SUGAWA, T. OHMI
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.47,No.4
  
  ページ: 3138-3141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si_3N_4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals2008
- 著者名/発表者名
  T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Evaluation of Si_3N_4/Si Interface by UV Raman Spectrsocopy2008
- 著者名/発表者名
  A. Ogura, T. Yoshida, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol. 254
  
  ページ: 6229-6231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成2007
- 著者名/発表者名
  寺本章伸
- 雑誌名
  
  真空 50
  
  ページ: 659-664
- NAID
  10020009820
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Electric Characteristics of Si3N4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si(110) and Si(100) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  M. HIGUCHI, T. ARATANI, T. HAMADA, S. SHINAGAWA, H. NOHIRA, E. IKENAGA, A. TERAMOTO, T. HATTORI, S. SUGAWA, T. OHMI
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.46,No.4B
  
  ページ: 1895-1898
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, M. Hirayama, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering Vol.84/9-10
  
  ページ: 2105-2108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Very Hight Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si(110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  A. Teramoto, T. Hamada, M. Yamamoto, P. Gaubert, H. Akahori, K. Nii, M. Hirayama, K. Arima, K. Endo, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES VOL.54,NO.6
  
  ページ: 1438-1445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Very High Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si (110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  A. Teramoto, T. Hamada, M. Yamamoto, P. Gaubert, H. Akahori, K. Nii, M. Hirayama, K. Arima, K. Endo, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices Vol. 54, No. 6
  
  ページ: 1438-1445
- NAID
  120002338878
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Si_3N_4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si (110) and Si (100) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  M. Higuchi, T. Aratani, T. Hamada, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, A. Teramoto, T. Hattori, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 4B
  
  ページ: 1895-1898
- NAID
  10022545462
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Very High Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si (110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  Akinobu Teramoto
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 54
  
  ページ: 1438-1445
- NAID
  120002338878
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Subnitride and valence band offset at Si_3N_4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals2007
- 著者名/発表者名
  M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 90, No. 12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.6No.4
  
  ページ: 101-106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成2007
- 著者名/発表者名
  寺本章伸, 荒谷崇, 樋口正顕, 池永英司, 平山昌樹, 須川成利, 服部健雄, 大見忠弘
- 雑誌名
  
  真空 (日本真空協会) Vol. 50, No. 11
  
  ページ: 659-664
- NAID
  10020009820
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions Vol.11No.6
  
  ページ: 349-354
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] Revolutional Progress of Silicon Technologies Exhibiting Very High Speed Performance Over a 50-GHz Clock Rate2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohmi, A. Teramoto, R. Kuroda, N. Miyamoto
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES VOL.54,NO.6
  
  ページ: 1471-1477
- NAID
  120002338879
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価2007
- 著者名/発表者名
  河瀬和雅, 梅田浩司, 井上真雄, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘
- 雑誌名
  
  真空 (日本真空協会) Vol. 50, No. 11
  
  ページ: 672-677
- NAID
  10020009875
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation- Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, W. Cheng, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.6No.4
  
  ページ: 113-118
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[雑誌論文] High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) surface2005
- 著者名/発表者名
  A.Teramoto, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2005 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting (発表予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Suppression of Surface Micro-Rouhness on Si(110)2005
- 著者名/発表者名
  K.Nii, M.Yamamoto, A.Teramoto, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS (印刷中)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Quality Plasma Processing using Microwave Excited Plasma System with Xenon Gas2005
- 著者名/発表者名
  Y.Shirai, A.Teramoto, M.Hirayama, T.Ohmi, T.Satoh, M.Yamawaki
- 雑誌名
  
  Conference Proceeding of ISSM2004
  
  ページ: 432-435
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] EOT Measurement for Ultra-Thin gate Dielectrics using LC2005
- 著者名/発表者名
  A.Teramoto, M.Komura, R.Kuroda, K.Watanabe, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2005 International Conference on Microelectronics Test Structure (発表予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Control of nitrogen profile in radical nitridation of SiO_2 films2004
- 著者名/発表者名
  K.Kawase, H.Umeda, M.Inoue, S.Tsujikawa, A.Teramoto, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  the 2004 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 204-205
- NAID
  10022538215
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Performance Low Noise CMOS Fabricated on Flattened (110) oriented Si Substrate2004
- 著者名/発表者名
  T.Hamada.A.Teramoto, H.Akahori, K.Nii, M.Hirayama, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)
  
  ページ: 163-166
- NAID
  110003175607
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Quality Silicon Nitride Film Formed by Microwave-Excited Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with Dual Gas Shower Head2003
- 著者名/発表者名
  H.Tanaka, Z.Chuanjie, Y.Hayakawa, M.Hirayama, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conferences on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 736-737
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Quality Silicon Nitride Film Formed by Microwave-Excited Plasma Enhanced Chemical Vaspor Deposition with Dual Gas Shower Head2003
- 著者名/発表者名
  H.Tanaka, Z.Chuanjie, Y.Hayakawa, M.Hirayama, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 736-737
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Very High Reliability of Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric Film for Sub-100nm Generation2003
- 著者名/発表者名
  M.Komura, M.Higuchi, W.Cheng, I.Ohshima, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conferences on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 452-453
- NAID
  10011880733
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Very High Reliability of Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric Film for Sub-100nm Generation2003
- 著者名/発表者名
  M.Komura, M.Higuchi, W.Cheng, I.Ohshima, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 452-453
- NAID
  10011880733
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Reliability of silicon nitride gate dielectrics grown at 400℃ formed by microwave-excited high-density plasma2003
- 著者名/発表者名
  I.Ohshima, W.Cheng, Y.Ono, M.Higuchi, M.Hirayama, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 246-251
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Atomic Order Flattening of Hydrogen-Terminated Si(110) substrate For Next Generation ULSI Devices2003
- 著者名/発表者名
  H.Akahori, K.Nii, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conferences on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 458-459
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Atomic Order Flattening of Hydrogen-Terminated Si(110)substrate For Next Generation ULSI Devices2003
- 著者名/発表者名
  H.Akahori, K.Nii, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 458-459
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Low Noise Balanced-CMOS on Si(100) surface for Analog/Digital Mixed Signal Circuits2003
- 著者名/発表者名
  A.Teramoto, T.Hamada, H.Akahori, K.Nii, T.Suwa, K.Kotani, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 IEEE International ELECTRON DEVICES MEETING
  
  ページ: 801-803
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Performance Poly-Si Device with Thin Gate Oxide Film Grown by Plasma Oxidation Technology2003
- 著者名/発表者名
  F.Imaizumi, T.Hayashi, K.Ishii, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conferences on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 724-725
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] High Performance Poly-Si Device with Thin Gate Oxide Film Groen by Plasma Oxidation Technology2003
- 著者名/発表者名
  F.Imaizumi, T.Hayashi, K.Ishii, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
  
  ページ: 724-725
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Reliability of silicon nitride gate dielectrics grown at 400℃ formed by microwave-excited high-density plasma2003
- 著者名/発表者名
  I.Ohshima, W.Cheng, Y.Ono, M.Higuchi, M.Hirayama, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol.216
  
  ページ: 246-251
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[雑誌論文] Low Noise Balanced-CMOS on Si(100)surface for Analog/Digital Mixed Signal Circuits2003
- 著者名/発表者名
  A.Teramoto, T.Hamada, H.Akahori, K.Nii, T.Suwa, K.Kotani, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  2003 IEEE International_ELECTRON DEVICES MEETING
  
  ページ: 801-803
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360156
[産業財産権] 半三次元構造半導体装置2008
- 発明者名
  大見忠弘, 寺本章伸
- 権利者名
  国立大学法人東北大学, (財)国際科学振興財団
- 産業財産権番号
  2007-088444
- 出願年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2007
- 発明者名
  大見忠弘寺本章伸
- 権利者名
  国立大学法人東北大学東京エレクトロン(株)
- 産業財産権番号
  2007-283659
- 出願年月日
  2007-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 半導体基板および半導体装置2007
- 発明者名
  大見忠弘寺本章伸諏訪智之黒田理人工藤秀雄速水善範
- 権利者名
  国立大学法人東北大学信越半導体(株)
- 産業財産権番号
  2007-261096
- 出願年月日
  2007-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 樹脂配管2007
- 発明者名
  大見忠弘寺本章伸伏見圭太山中二朗宮下雅之西岡群晴
- 権利者名
  国立大学法人東北大学ニチアス(株) ステラケミファ(株) 宇部興産株式会社
- 産業財産権番号
  2007-338690
- 出願年月日
  2007-12-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2007
- 発明者名
  大見忠弘, 寺本章伸
- 権利者名
  国立大学法人東北大学, 東京エレクトロン(株)
- 産業財産権番号
  2007-283659
- 出願年月日
  2007-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[産業財産権] 半導体基板および半導体装置2007
- 発明者名
  見忠弘, 寺本章伸, 諏訪智之, 黒田理人, 工藤秀雄, 速水善範
- 権利者名
  国立大学法人東北大学, 信越半導体(株)
- 産業財産権番号
  2007-261096
- 出願年月日
  2007-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] 原子スケールで平坦なSiO_2/Si界面極近傍における歪評価2010
- 著者名/発表者名
  服部真季, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 小金澤智之, 廣沢一郎
- 学会等名
  応用物理学会、19p-P13-13
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] UVラマン分光法によるSiO_2/Si界面の評価2009
- 著者名/発表者名
  服部真季, 吉田哲也, 小瀬村大亮, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] Study on Compositional Tran-sition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron2009
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2009)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] UV-Raman Spectroscopy Study on SiO_2/Si Interface2009
- 著者名/発表者名
  M. Hattori, T. Yoshida, D. Kosemura, A. Ogura, T. Suwa, A. Teramoto, T. Hattori, T. Ohmi
- 学会等名
  Symposium on Dielectric and Semiconductor Materials、Devices、and Processing、215th ECS Meeting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] Atomically Flat Gate Insulator / Silicon (100) Interface Formation Technology for High Performance LSI2008
- 著者名/発表者名
  Akinobu Teramoto
- 学会等名
  WPI & IFCAM Joint Workshop
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2008-02-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Impact of Performance and Reliability Boosters in Novel FD-SOI CMOS Devices on Si(110) Surface for Analog Applications2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, C.F. Tye, S. Watabe, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2008)
- 発表場所
  Rio de Janeiro, BRAZIL
- 年月日
  2008-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Hole mobility in Si(110) p-MOS transistors2008
- 著者名/発表者名
  P. Gaubert, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE (PRiME2008)The Electrochemical Society, Meeting Abstracts
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2008-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Atomically Flat Gate Insulator/Silicon (100) Interface Formation Introducing High Mobility, Ultra-low Noise, and Small Characteristics Variation CMOSFET2008
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, R. Hasebe, X. Li, M. Konda, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2008)
- 発表場所
  Edinburgh, SCOTLAND
- 年月日
  2008-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si(110) Using Accumulation Mode Device Structure for RF Analog Circuits2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, C.F. Tye, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2008-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] CMOSFET Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film/Silicon Interface on (100) Orientation Surface2008
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, Y. Nakao, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2008-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Impact of New Approach to Improve RF Power FETs Performance on Si (110) Surface2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  213th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Phoenix, AZ, USA
- 年月日
  2008-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] A New Approach to Realize High Performance RF Power FETs on Si (110) Surface2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  39th IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference
- 発表場所
  Rhodes, GREECE
- 年月日
  2008-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Impact of Tungsten Capping Layer on Yttrium Silicide for Low Resistance Source/Drain Contacts2008
- 著者名/発表者名
  T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Improved High Temperature Characteristics in Accumulation-mode Fully Depleted SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE (PRiME2008)The Electrochemical Society, Meeting Abstracts, Abs
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Low Contract Resistance with Low Schottky Barrier for N-Type Silicon Using Yttrium Silicide2007
- 著者名/発表者名
  T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、電子帯構造2007
- 著者名/発表者名
  寺本章伸
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東広島市
- 年月日
  2007-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Evaluation of Si_3N_4/Si Interface by UV Raman Spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida, K. Yamasaki, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 学会等名
  Fifth International symposium on Control of Semiconductor Interfaces, OA2-5
- 発表場所
  Hachioji, Tokyo
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, M. Hirayama, T. Ohmi
- 学会等名
  Infos2007 Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconsuctors
- 発表場所
  Athena, GREECE
- 年月日
  2007-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造2007
- 著者名/発表者名
  寺本章伸
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
- 発表場所
  東広島市
- 年月日
  2007-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  211th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- 年月日
  2007-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Performance Comparison of Ultra-thin FD-SOI Inversion-, Intrinsic-and Accumulation- Mode MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS
- 発表場所
  Tsukuba, JAPAN
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, W. Cheng, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  211th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- 年月日
  2007-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  212th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington D.C. USA
- 年月日
  2007-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004
[学会発表] Modeling and Implementation of Subthreshold Characteristics of Accumulation-Mode MOSFETs for Various SOI Layer Thickness and Impurity Concentrations2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, C. Weitao, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  2007 IEEE International SOI Conference
- 発表場所
  Indian Wells, CA., USA
- 年月日
  2007-10-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002004

1. 大見忠弘 (20016463)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 49件
2. 白井泰雪 (70375187)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 北野真史 (60420048)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
5. 木村健二 (50127073)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 中嶋薫 (80293885)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
8. 諏訪智之 (70431541)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
9. 木下豊彦 (60202040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
10. 森本明大 (10359557)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 津守俊郎 (10375181)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

寺本 章伸 Teramoto Akinobu

研究課題

研究成果

共同研究者

超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高速・超低消費電力バランスドフルCMOSシステムLSIの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

マイクロ波プラズマ高品質ゲート絶縁膜を用いた超高耐圧SiC電力用トランジスタ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] SPRINGER SERIES IN ADVANCED MICROELECTRONICS Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors2007

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors2007

著者名/発表者名

データソース

[雑誌論文] Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Complementary Metal-Oxide-Silicon Field-Effect-Transistors Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film/Silicon Interface2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Different mechanism to explain the 1/f noise in n-and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Charac- terization for High-Performance CMOS Using In-Water Advanced Kelvin -Contact Device Structure2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Atomically Flat Silicon Surface and Silicon /Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator-Silicon FETs2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Atomically Flat Silicon Surface and Silicon/Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator- Silicon FETs2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Different mechanism to explain the 1/f noise in n- and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Three-Step Room-Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical-Reaction-Based Semiconductor Manufacturing2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Performance Comparison of Ultrathin Fully Depleted Silicon-on-Insulator Inversion-, Intrinsic-, and Accumulation-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Accurate negative bias temperature instability lifetime prediction based on hole injection2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si3N4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

寺本章伸 Teramoto Akinobu