HYUNSEOK Na

… 別表記

NA Hyunseok

研究者番号	80411239
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度: 立命館大学, COE推進機構, ポストドクトラルフェロー 2008年度: 立命館大学, COE推進機構, 研究員 2006年度: 立命館大学, COE推進機構, ポストドクトラルフェロー 2006年度: 立命館大学, COE推進機構, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード	研究代表者以外 p形ドーピング / p型ドーピング / 分子線エピタキシー法 / 窒化インジウム / RF-MBE / InN / 結晶性 / キャリア濃度 / 窒素ラジカル / MIS構造 … もっと見る / InGaN / オーミックコンタクト / インターミキシング / ヘテロ界面 / 分子線エピタキシー / エピタキシャル成長 / 無極性 / ナノコラム / 多重量子井戸 / 光反射率 / ラジカルビーム / RHEED / その場観察 / 分子線エビタキシー法 / DERI法 / Seebeck係数 / サーモパワー / 窒化インジウムガリウム / ナノ構造 / 窒化物半導体隠す

RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  立命館大学
InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  立命館大学

すべて 2011 2010 2009 2008 2007

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] Chapter 1-Molecular-beam epitaxy of InN, Editors : T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff, CRC Press/Taylor and Francis(in press)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Araki and T. Yamaguchi
- 出版者
  Indium Nitride and Related Alloys
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[図書] Chapter : 1-Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys (Editors : T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
- 総ページ数
  50
- 出版者
  CRC
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[図書] Chapter: 1 - Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Araki and T. Yamaguchi (Editors: T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[図書] "Indium Nitride and Related Alloys" Chapter I Molecular-Beam Epitaxy of InN(edited by T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
- 出版者
  CRC
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000070345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2011
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 50巻
- NAID
  210000138257
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical -Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 50巻
- NAID
  210000070345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011
- 著者名/発表者名
  K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011
- 著者名/発表者名
  K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 98巻
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE photonic West 2011
  
  巻: 7939 ページ: 793904-793904
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Electronic Structure of Wurtzite and Rocksalt InN Investigated by Optical Absorption under Hydrostatic Pressure2010
- 著者名/発表者名
  J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2010
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(a) 207巻
  
  ページ: 19-23
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(a)
  
  巻: 207 ページ: 1356-1360
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010
- 著者名/発表者名
  T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
  
  ページ: 92-95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(a) (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Hydrogen in InN : a Ubiquitous Phenomenon in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, B.Monemar, M.Schubert, N.Franco, C.L Hsiao, L.C.Chen, J.Schaff, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Structural Anisotropy of Nonpolar and Semipolar InN Epitaxial Layers2010
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, M.-Y.Xie, N.Franco, F.Giuliani, B.Nunes, E.Alues, C.L.Hsiao, L.C.Chen, T.Yamaguchi, Y.Takagi, K.Kawashima, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2010
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000138257
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T.Araki, D.Fukuoka, H.Tamiya, S.Harui, T.Yamaguchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and high-quality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2 051001
  
  ページ: 1-3
- NAID
  10025085943
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate, phys2009
- 著者名/発表者名
  Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol (c)6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE, J2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Cryst. Growth 311
  
  ページ: 2780-2782
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE, phys2009
- 著者名/発表者名
  H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol (c)6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Photoexcited Carriers and Surface Recombination Velocity in InN Epilayers : A Raman Scattering Study2009
- 著者名/発表者名
  R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B. 80
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Raman-Scattering Study of the Long-Wavelength Longitudinal-Optical-Phonon-Plasmon Coupled Modes in High-Mobility InN Layers2009
- 著者名/発表者名
  R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Electron Accumulation at Nonpolar and Semipolar Surfaces of Wurtzite InN from Generalized Infrared Ellipsometry2009
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, B.Monemar, Ching-Lien Hsiao, Ting-Wei Liu, Li-Chyong Chen, W.J.Schaff, Y.Takagi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2巻
- NAID
  10025085943
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE2009
- 著者名/発表者名
  H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 6(In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3 (0001) templates, phys2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol (c)6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE2009
- 著者名/発表者名
  H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 6(In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216 72160N
  
  ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3(0001) templates2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 6(In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 6(In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and highquality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2 (100) Substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 6(In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Appl. Phys2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Express 2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Proc. of SPIE 7216 72160N
  
  ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Photoreflectance of InN and InN : Mg layers : An evidence for Fermi level shift to wards the valence band upon Mg doping in InN2008
- 著者名/発表者名
  R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, D. Muto, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns, Jpn2008
- 著者名/発表者名
  S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 5330-5332
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008
- 著者名/発表者名
  S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 5330-5332
- NAID
  40016161747
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 37
  
  ページ: 603-606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008
- 著者名/発表者名
  S.Harui, H.Tamiya, T.Akagi, HMiyake, Ii.Hiramatsu, T.Arakiand, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Jpn. J.Appl. Phys.
- NAID
  40016161747
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008
- 著者名/発表者名
  S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 5330-5332
- NAID
  40016161747
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Photoreflectance of InN and InN : Mg layers : An evidence for Fermi level shift to wards the valence band upon Mg doping in InN2008
- 著者名/発表者名
  R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, D. Muto, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoiuminescence2008
- 著者名/発表者名
  T.Akagi, K.Kosaka, S.Harui, D.Muto, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 37
  
  ページ: 603-606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 37
  
  ページ: 603-606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008
- 著者名/発表者名
  S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 330-5332
- NAID
  40016161747
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  J. Electronic Materials 37
  
  ページ: 603-606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Microstructure of a-plane InN grown on r-plane Sapphire by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  S.Watanabe, Y.Kumagai, A.Tsuyuguchi, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (in press)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth of In-rich InA1N films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007
- 著者名/発表者名
  H. Naoi, K. Fujishima, S. Takado, M. Kurouchi, D, Muto, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 1313-1319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Effect of low temperature InGaN interlayers on structural and optical properties of In-rich InGaN, J2007
- 著者名/発表者名
  H. Na, S. Takado, S. Sawada, M. Kurouchi, T. Akagi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Cryst. Growth 300
  
  ページ: 177-181
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of In-rich InAIN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007
- 著者名/発表者名
  H.Naoi, K.Fuiishima, S.Takado, M.Kurouchi, D.Muto, T.Araki, H.Na, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 1313-1319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) 4
  
  ページ: 2556-2559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] M.Noda, Y.Kumagai, S.Takado, D.Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi2007
- 著者名/発表者名
  M.Noda, Y.Itumagai, S.Takado, D.Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phvs.stat.sol.(c) 4
  
  ページ: 2560-2563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  H.Naoi, D.Muto, T.Hioka, Y.Hayakana, A.Suzuki, T.Araki, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phvs.stat.sol.(b) 224
  
  ページ: 1834-1838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE, Mater2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Res. Soc. Symp. Proc 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi2007
- 著者名/発表者名
  M. Nods, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) 4
  
  ページ: 2560-2563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE, phys2007
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol (c)4
  
  ページ: 2556-2559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Role of localized donor states in transport and photoluminescence of InN revealed by hydrostatic pressure studies2007
- 著者名/発表者名
  T.Susuki, A.Kaminska, G.Franssen, H.Teisseyre, L.H.Dmowski, J.A.PlesieNicz, H.L.Lu, W.J.Schaff, M.Iiurouchi, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phvs.stat.sol.(b) 224
  
  ページ: 1825-1828
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE, Mater. Res2007
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Soc. Symp. Proc 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of InN nanocolumns by RF-MBE, J2007
- 著者名/発表者名
  S. Nishikawa, Y. Nakao, H. Naoi, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Cryst. Growth 301-302
  
  ページ: 490-495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, T.Araki, H.Naoi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings 955
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth of In-rich InAlN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007
- 著者名/発表者名
  H. Naoi, K. Fujishima, S. Takado, M. Kurouchi, D, Muto, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 1313-1319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces, phys2007
- 著者名/発表者名
  H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol 244
  
  ページ: 1834-1838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D.Muto, H.Naoi, S.Takado, H.Na, T.Araki, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Mater.Res.Soc.Symp.Proc 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  S.Watanabe,Y.Kumagai,A.Tsuyuguchi,H.Naoi,T.Araki,Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phvs.stat.sol.(c) 4
  
  ページ: 2556-2559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Effect of low-temperature InGaN interlayers on structural and optical properties of In-rich InGaN2007
- 著者名/発表者名
  H.Na, S.Takado, S.Sawada, M.Kurouchi, T.Akagi, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 177-181
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D.Muto, H.Naoi, S.Takado, H.Na, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings 955
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(b) 244
  
  ページ: 1834-1838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, H.Naoi, T.Araki, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Mater.Res.Soc.Sump.Proc 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of a-plane (11-20) In-rich InGaN on r-plane (10-12) sapphire by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  M.Noda, Y.Kumagai, S.Takado, D, Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (in press)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth of A-plane(11-20) In-rich InGaN on r-plane(10-12) sapphire by RF-MBE, phys2007
- 著者名/発表者名
  M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol (c)4
  
  ページ: 2560-2563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of InN nanocolumns by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  S.Nishikawa, Y.Nakao, H.Naoi, T.Araki, H.Na, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 301-302
  
  ページ: 490-495
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Role of localized donor states in transport and photoluminescence of InN revealed by hydrostatic pressure studies2007
- 著者名/発表者名
  T. Susuki, A. Kaminska, G. Franssen, H, Teisseyre, L.H. Dmowski, J.A. Plesiewicz, H.L. Lu, W.J. Schaff, M. Kurouchi, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(b) 244
  
  ページ: 1825-1828
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
- 発表場所
  Granada Spain
- 年月日
  2011-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  SPIE Photonic West 2011
- 発表場所
  San Francisco, CA USA
- 年月日
  2011-01-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method2011
- 著者名/発表者名
  T.Araki, T.Sakamoto, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
- 学会等名
  3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
- 発表場所
  Nagoya institute of technology, Aichi Japan
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, T.Fujishima, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
- 学会等名
  3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
- 発表場所
  Nagoya institute of technology, Aichi Japan
- 年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  SPIE Photonic West 2011
- 発表場所
  サンフランシスコ(アメリカ)(招待講演)
- 年月日
  2011-01-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
- 発表場所
  グラナダ(スペイン)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] In Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
- 学会等名
  ISPlasma2010
- 発表場所
  名古屋(日本)
- 年月日
  2010-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Dry etching of In-and N-polar InN using inductively-coupled plasma2010
- 著者名/発表者名
  T.Fujishima, S.Takahashi, K.Morimoto, R.Iwamoto, N.Uematsu, M.Yutani, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Mg doped InN and search for holes2010
- 著者名/発表者名
  K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J W Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films grown by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  K.Morimoto, S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Evidence of Free Holes in Mg Doped InN2010
- 著者名/発表者名
  K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
- 発表場所
  Montpellier France
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Free Hole Concentration and Mobility in InN : Mg2010
- 著者名/発表者名
  N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Japan-Korea Joint Symposium2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi
- 学会等名
  Japan-Korea Joint Symposium
- 発表場所
  Daejeon Korea
- 年月日
  2010-04-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  F.J.Manjon, J.Ibanez, A.Segura, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG)
- 発表場所
  Uppsala Sweden
- 年月日
  2010-07-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-Beam Irradiation2010
- 著者名/発表者名
  H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
- 学会等名
  ISPlasma2010
- 発表場所
  名古屋(日本)
- 年月日
  2010-03-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Evidence of Rectification in InN pn Junctions2010
- 著者名/発表者名
  N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Undoped and Mg-doped InN Grown Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, K.Wang, R.Iwamoto, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
- 発表場所
  Beijing China
- 年月日
  2010-05-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  T.Araki, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)
- 発表場所
  Beijing China
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  2010 E-MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg France
- 年月日
  2010-06-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Unintentional incorporation of hydrogen in InN : diffusion kinetics and effect of surface orientation2010
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, L.Artus, D.Rogala, H.-W.Becker, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Free-Charge Carrier Properties and Doping Mechanisms of Thin Films of InN and Related Alloys2010
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, M.Schubert, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, T.Hofmann, B.Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
- 発表場所
  Albany, New York USA
- 年月日
  2010-05-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN2010
- 著者名/発表者名
  N.Domenech-Amador, L.Artus, R.Cusco, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Hydrogen in InN : Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  CIMTEC2010 (5th Forum on New Materials)
- 発表場所
  Montecatini Terme, Tuscany Italy
- 年月日
  2010-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010
- 著者名/発表者名
  T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
- 学会等名
  22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
- 発表場所
  Takamatsu symbol tower, Kagawa Japan
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
- 発表場所
  Montpellier France
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] InGaN Growth Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
- 発表場所
  Berlin Germany
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Recent Research Activities in Japan toward Nitride Semiconductor Opto-electronics Frontier2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi
- 学会等名
  Korea Optoelectronic Engineering Society
- 発表場所
  Seoul Korea
- 年月日
  2010-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ(アメリカ)(基調講演)
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth and Characterization of InN-Related Materials2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi
- 学会等名
  Rainbow Second Training Workshop
- 発表場所
  Madrid Spain
- 年月日
  2010-08-31
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Wet Etching Process for InN Device Fabrication2010
- 著者名/発表者名
  A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Optical Hall Effect in InN : Bulk Doping Mechanism and Surface Electron Accumulation Properties2010
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  PLCN10
- 発表場所
  Cuernavaca Mexico
- 年月日
  2010-04-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  2010 International Coference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo Univ, Japan
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication2010
- 著者名/発表者名
  A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Nano-Photonics2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi
- 学会等名
  3rd GIST Information and Mechatronics Week 2010
- 発表場所
  Seoul Korea
- 年月日
  2010-12-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth, Monitoring and InN/InGaN MQW Structure Fabrication by DERI Method2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Yamaguchi
- 学会等名
  IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth
- 発表場所
  Gdansk-Sobieszewo Poland
- 年月日
  2010-05-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth, Monitoring, P-type doping and MQW Structure Fabrication by DERI Method2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi
- 学会等名
  The international worskshop on modern and advanced phenomena in wurtzite semiconductors
- 発表場所
  Montpellier France
- 年月日
  2010-07-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Yamaguchi, E.Yoon
- 学会等名
  The second LED domestic conference
- 発表場所
  Seoul Korea
- 年月日
  2010-08-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)2010
- 著者名/発表者名
  K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, W.Walukiewicz
- 学会等名
  Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)
- 発表場所
  Notre Dame, Indiana, USA
- 年月日
  2010-06-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Forty years research toward compound semiconductor frontiers-Tributary road from GaAs to InN through GaN-2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Raman Scattering by LO-Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN Epilayers : Dependence on the Excitation Laser Intensity and Wavelength2009
- 著者名/発表者名
  R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon-Llado, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
- 学会等名
  2009 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  ボストン(アメリカ)
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI2009
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, R.Iwamoto, N.Maeda, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(守山市)
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth and Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Araki
- 学会等名
  PDI Topical workshop on MBE-grown Nitride Nanowires
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2009-03-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 学会等名
  SPIE International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2009
- 発表場所
  San Jose Convention Center (San Jose, USA)
- 年月日
  2009-01-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] RF-MBE Growth and Characterization of M-Plane InN on LiAlO2 with C-Plane Phase Inclusion2009
- 著者名/発表者名
  T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, T.Sakamoto, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
- 発表場所
  チェジュ(韓国)
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Polarized Photoluminescence from Nonpolar InN Films2009
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, K.Kawashima, Y.Takagi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
- 発表場所
  チェジュ(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Hydorogen in InN2009
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, K.Lorenz, N. P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, Y. Nanishi
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009)
- 発表場所
  チェジュ(韓国)
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Yamaguchi
- 学会等名
  First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009)
- 発表場所
  Nagoya University
- 年月日
  2009-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Observation of Surface Potential on Polar and Nonpolar InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009
- 著者名/発表者名
  M.Kaneko, Y.Takagi, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
- 発表場所
  チェジュ(韓国)
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Raman Scattering and Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN : a Free-Electron Density Study2009
- 著者名/発表者名
  R.Cusco, E., Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
- 学会等名
  E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
- 発表場所
  ストラスブルグ(フランス)
- 年月日
  2009-06-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Present Status and New Challenges of Nitride Semiconductors for Advanced Electronic Devices2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Yamaguchi
- 学会等名
  2009 E-MRS Fall Meeting
- 発表場所
  ワルシャワ(ポーランド)(招待講演)
- 年月日
  2009-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Influence of Defects, Dopants and Surface Orientation on Free Carrier Properties of InN2009
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, M.Schubert, E.Alves, K.Lorenz, M.-Y.Xie, T.Hofmann, W.J.Schaff, L.C.Chen, L.W.Tu, Y.Nanishi
- 学会等名
  2009 E-MRS Fall Meeting
- 発表場所
  ワルシャワ(ポーランド)
- 年月日
  2009-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Proposal of Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for Reproducible Growth of High-quality InN and InGaN2009
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, A.Uedono, T.Suski, Y.Nanishi
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
- 発表場所
  チェジュ(韓国)
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Potential and Challenges of InN and Related Alloys for Advanced Electronic Devices2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, N.Maeda, T.Yamaguchi, M.Kaneko
- 学会等名
  67th Device Research Conference
- 発表場所
  ペンシルバニア(アメリカ)
- 年月日
  2009-06-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth and Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Araki
- 学会等名
  PDI Topical workshop on MBE-grown Nitride Nanowires
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2009-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
- 発表場所
  張家界(中国)
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Structural Anisotropy and Free Electron Properties of a-Plane InN2009
- 著者名/発表者名
  V.Darakchieva, N.Franco, M.Schubert, B.Monemar, C.-L.Hsiao, T.-W Liu, L.-C.Chen, D.Muto, Y.Nanishi
- 学会等名
  E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
- 発表場所
  ストラスブルグ(フランス)
- 年月日
  2009-06-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi and T. Yamaguchi
- 学会等名
  First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009)
- 発表場所
  Nagoya University
- 年月日
  2009-03-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009
- 著者名/発表者名
  K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
- 発表場所
  東京農工大学(小金井市)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 学会等名
  SPIE International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2009
- 発表場所
  San Jose Convention Center(San Jose, USA)
- 年月日
  2009-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Structural Characterization of M-Plane InN Grown on LiAlO2 Substrate with C-Plane Phase Inclusion2009
- 著者名/発表者名
  T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(守山市)
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Photoexcited Carriers in InN Layers Observed by Raman Scattering2009
- 著者名/発表者名
  R.Cusco, E.Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
- 発表場所
  チェジュ(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Fabrication and Electrical Characterization of InN MES and MIS Diode Structures2008
- 著者名/発表者名
  S. Kikuchi, T. Sato, A. Hinoki, D. Muto, N. Maeda, T. Araki Y. Nanishi
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications2008
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi, D.Muto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  モントルー(スイス)(招待講演)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Photoreflectance and contactless electroreflectancc investigations of the energy gap and band bending for un-doped and Mg-doped InN layers2008
- 著者名/発表者名
  R. Kudrawiec, J. Misiewicz, T. Suski, D. Muto, Y. Nanishi
- 学会等名
  XXXVII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2008"
- 発表場所
  Gwarek Hotel (Poland)
- 年月日
  2008-06-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD2008
- 著者名/発表者名
  D. Muto, T. Yamaeuchi, S. Sawada, T. Araki, Y. Nanishi
- 学会等名
  2008Electronic Materials Conference
- 発表場所
  University of California (Santa Barbara, USA)
- 年月日
  2008-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE2008
- 著者名/発表者名
  H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzeland)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Photoreflectance and contactless electroreflectance investigations of the energy gap and band bending for un-doped and Mg-doped InN layers2008
- 著者名/発表者名
  R. Kudrawiec, J. Misiewicz, T. Suski, D. Muto, and Y. Nanishi
- 学会等名
  XXXVII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2008"
- 発表場所
  Gwarek Hotel (Poland)
- 年月日
  2008-06-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
- 学会等名
  International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
- 発表場所
  Edmonton, Canada
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] New insight into the free carrier properties of InN2008
- 著者名/発表者名
  V. Darakchieva, T. Hofmann, M. Schubert, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, C. -L. Y. Hsiao, T. -W. Liu, L. -C. Chen, D. Muto, Y. Nanishi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzeland)
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] RF-MBE Growthand Properties of Mg-doped Polar and Non-PoIar InN and In-rich InGaN2008
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi
- 学会等名
  Topical Workshop on achieving p-type InN
- 発表場所
  The Prince HakoneJ(Hakoneapan)
- 年月日
  2008-03-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2008
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, Y. Nanishi
- 学会等名
  The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji (Japan)
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2008
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 学会等名
  The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji(静岡県)
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzeland)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2008
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 学会等名
  The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji (Japan)
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited), International Conference on Optical2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
- 学会等名
  Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
- 発表場所
  Edmonton, Canada
- 年月日
  2008-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] RF-MBE Growth and Properties of Mg-doped Polar and Non-polar InN and In-rich InGaN2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi
- 学会等名
  Topical Workshop on achieving p-type InN
- 発表場所
  The Prince Hakone (Hakone, Japan)
- 年月日
  2008-03-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] RF-MBE Growth and Properties of Mg-doped Polar and Non-polar InN and In-rich InGaN2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi
- 学会等名
  Topical Workshop on achieving p-type InN
- 発表場所
  The Prince Hakone (Hakone, Japan)
- 年月日
  2008-03-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzerland)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
- 学会等名
  International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA 08)
- 発表場所
  University of ALBERTA (EDMONTON, CANADA)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth and structura investigation of high-In-com Position InGaN/GaN Nanostructure2008
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, A.Pretorius, A.Rosenauer, D.Hommel, T.Araki, and Y.Nanishi
- 学会等名
  Workshop on Frontie Photonic and Electronic Materials and Devices-2008 JaPanese-German-SPanishpoint Workshop-
- 発表場所
  日本大学理工学部船橋キャンパス
- 年月日
  2008-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2 (100) Substrate2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzeland)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Recent Progress of InN and In GaN Growth for Device Applications (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Fabrication and Electrical Characterization of InN MES and MIS Diode Structures2008
- 著者名/発表者名
  S. Kikuchi, T. Sato, A. Hinoki, D. Muto, N. Maeda, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE2008
- 著者名/発表者名
  H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzerland)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al2O3(0001) templates2008
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzerland)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] RF-MBE Growth and Properties of Mg-doped Polar and Non-polar InN and In-rich InGaN (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi
- 学会等名
  Topical Workshop on achieving p-type InN
- 発表場所
  Hakone, Japan
- 年月日
  2008-03-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Patterned GaN Template2008
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Pattemed GaN Template2008
- 著者名/発表者名
  T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] New insight into the free carrier properties of InN2008
- 著者名/発表者名
  V. Darakchieva, T. Hofmann, M. Schubert, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, C.-L.Y. Hsiao, T.-W. Liu, L.-C. Chen, D. Muto, Y. Nanishi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzerland)
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2008
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji(静岡県)
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth and structural investigation of high-In-composition InGaN/GaN Nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, A. Pretorius, A. Rosenauer, D. Hommel, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2008 Japanese-German-Spanish joint Workshop-
- 発表場所
  The Prince Hakone (Hakone, Japan)
- 年月日
  2008-03-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
- 学会等名
  International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
- 発表場所
  University of ALBERTA (EDMONTON, CANADA)
- 年月日
  2008-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD2008
- 著者名/発表者名
  D. Muto, T. Yamaguchi, S. Sawada, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  2008Electronic Materials Conference
- 発表場所
  University of California (Santa Barbara, USA)
- 年月日
  2008-06-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux Convention Center (Switzerland)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Study on ECR-MBE Growth and Properties of A-plane InN on R-plane Sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T.Araki, Y.Iiumagai, S.Watanabe, T.Akagi, H.Naoi, Y.Nanishi
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
- 発表場所
  Grand America and Little America hotels(SaltLake City,USA)
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Study on surface electron accumulation on A-plane InN by electrolyte-based capacitance-voltage measurements2007
- 著者名/発表者名
  M. Nods, S. Fukumoto, D. Muto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi and W. Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Study on surface electron accumulation on A-plane InN by electrolyte-basedcapacitance-voltage measurements2007
- 著者名/発表者名
  M.Noda, S.Fukumoto, D.Muto, k.M.Yu, N.Miller, R.E.Jones, J.W.AltermI, E.E.Haller, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi and W.Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Growth of InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D. Fukuoka, T. Yamaguchi, S. Harui, T. Akagi, K. Hiramatsu, H. Miyake, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
- 発表場所
  Grand America and Little America hotels(Salt Lake City, USA)
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Study on ECR-MBE Growth and Properties of A-plane InN on R-plane Sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T. Araki, Y. Kumagai, S. Watanabe, T. Akagi. H. Naoi, Y. Nanishi
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
- 発表場所
  Grand America and Little America hotels(Salt Lake City, USA)
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Polar and Non-polar Growth of InN and InGaN2007
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, Y. Kumagai, M. Noda, and T. Araki
- 学会等名
  The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS 2007)
- 発表場所
  Jeonju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Infrared Cathodoluminescence measurements of InN films2007
- 著者名/発表者名
  T.Akagi, k.kosaka, S.Harui, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  TMS 2007 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE
- 発表場所
  University of Notre Dame(Indiana,USA)
- 年月日
  2007-06-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Fabrication of patterned InN nano-columns by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  T. Araki, T. Yamaguchi, S. Harui, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growthof InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D.Fukuoka, T.Yamaguchi, S.Harui, T.Akagi, K.Hiramatsu, H.Miyake, H.Naoi, T.Araki, and Y.Nanishi
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
- 発表場所
  Grand America and Little America hotels(SaltLake City,USA)
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Infrared Cathodoluminescence measurements of InN films2007
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, H. Naoi, T. Araki. Y. Nanishi
- 学会等名
  TMS 2007 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE
- 発表場所
  University of Notre Dame(Indiana, USA)
- 年月日
  2007-06-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D.Muto, H.Naoi, S.Fukumoto, K.M.Yu, N.Miller, R.E.Jones, J.W.AltermI, E.E.Haller, T.Araki, Y.Nanishi, and W.Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] TEM Characterization of position-controlled InN nanocolumns2007
- 著者名/発表者名
  S. Harui, H. Tamiya, T. Araki, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki, Y. Nanishi
- 学会等名
  2007 MRS Fall MEETING
- 発表場所
  Hypes Convention Center & Sheraton Boston Hotel (Boston, MA, USA)
- 年月日
  2007-11-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M.Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Study on Growth of Mg-doped InN by RF-MBE and its Electrical Properties2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Takado, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  The 19th Indium Phosphide and Related Materials Conference(IPRM2007)
- 発表場所
  Kunibiki Messe(Matsue, Japan)
- 年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] TEM Characterization of position-controlled InN nanocolumns2007
- 著者名/発表者名
  S.Harui, H.Tamiya, T.Araki, H.Mivake, K.Hiramatsu, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  2007 MRS Fall MEETING
- 発表場所
  Hynes Convention Center&Sheraton Boston Hotel(Boston,MA,USA)
- 年月日
  2007-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Study on Growth of Mg-doped InN by RF-MBE and its Electrical Properties2007
- 著者名/発表者名
  D.Muto, H.Naoi, S.Takado, T.Araki, and Y.Nanishi
- 学会等名
  The 19th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2007)
- 発表場所
  kunibiki Messe(Matsue,Japan)
- 年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Fabrication of patterned InN nano-columns by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  T.Araki, T.Yamaguchi, S.Harui, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003

1. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 124件
2. 名西やす之 (40268157)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 196件
3. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 141件
4. 直井弘之 (10373101)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 44件
5. 金子昌充 (70374709)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 7件
6. WANG Ke (60532223)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
7. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

HYUNSEOK Na

NA Hyunseok

研究課題

研究成果

共同研究者

RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Chapter 1-Molecular-beam epitaxy of InN, Editors : T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff, CRC Press/Taylor and Francis(in press)2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Chapter : 1-Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys (Editors : T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)2009

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Chapter: 1 - Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys2009

著者名/発表者名

データソース

[図書] "Indium Nitride and Related Alloys" Chapter I Molecular-Beam Epitaxy of InN(edited by T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical -Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Electronic Structure of Wurtzite and Rocksalt InN Investigated by Optical Absorption under Hydrostatic Pressure2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース