新田紀子 NITTA Noriko

研究者番号	80412443
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 高知工科大学, 理工学群, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 高知工科大学, 理工学群, 准教授 2012年度 – 2014年度: 高知工科大学, 公私立大学の部局等, 講師 2012年度: 高知工科大学, ナノ, 講師 2011年度: 高知工科大学, ナノテクノロジー研究所, 講師 2007年度: 高知工科大, 工学部, 助手 2006年度: 高知工科大学, 工学部, 助手 2005年度 – 2006年度: 高知工科大学, 総合研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者金属物性研究代表者以外金属物性 / 小区分36020:エネルギー関連化学
キーワード	研究代表者イオン照射 / 半導体 / 集束イオンビーム / 電子顕微鏡 / バリアント / ナノ構造 / ナノ結晶 / 電子照射 / SEM / TEM … もっと見る / 自己組織化 / 点欠陥 / Ge / InSb / GaSb … もっと見る研究代表者以外自己組織化 / イオン照射 / ボイド / GaSb / ナノセル / 不純物ドープ / 酸素欠損 / 酸化物系負極材料 / 酸化物系固体電池 / 拡散経路 / 粒子サイズ / ナトリウムイオン電池 / リチウムイオン電池 / ルチル型複合酸化物 / InSb / FIB / 電子顕微鏡 / 半導体超微細化 / ナノ構造 / 格子間原子 / 原子空孔 / 半導体 / 格子欠陥 / 量子物性 / 光学特性 / 電子構造 / ナノ粒子 / ナノ物性 / 点欠陥 / イオンビーム / ナノファブリケイション隠す

ルチル型複合酸化物から始まる次世代蓄電池負極材料の創製と応用
- 研究代表者
  
  薄井洋行
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分36020:エネルギー関連化学
- 研究機関
  鳥取大学
低エネルギー電子照射による半導体ナノ結晶の形成研究代表者
- 研究代表者
  
  新田紀子
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
点欠陥自己組織化現象を利用した半導体表面ナノセル形成法の確立
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
金属・半導体低次元ナノ構造体の創製と自己組織化により発現する量子物性の探索
- 研究代表者
  
  保田英洋
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  大阪大学
   神戸大学
イオン照射による半導体表面微細セル構造の自己組織化的形成研究代表者
- 研究代表者
  
  新田紀子
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  若手研究(スタートアップ)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
超微細セル状表面構造を高機能デバイスに利用するための基礎的研究
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学

すべて 2023 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Nickel-Doped Titanium Oxide with Layered Rock-Salt Structure for Advanced Li-Storage Materials2023
- 著者名/発表者名
  H. Usui, Y. Domi, Y. Yamamoto, T. Hoshi, T. Tanaka, N. Oishi, N. Nitta, and H. Sakaguchi
- 雑誌名
  
  ACS Appl. Electron. Mater.
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 6292-6304
- DOI
  10.1021/acsaelm.3c01162
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17957, KAKENHI-PROJECT-23K26758
[雑誌論文] Na-Storage Reactions of Rutile TiNbO42023
- 著者名/発表者名
  H. Usui, Y. Domi, T. Tanaka, M. Takemoto, N. Oishi, N. Nitta, and H. Sakaguchi
- 雑誌名
  
  Electrochem. Commun.
  
  巻: 155 ページ: 107579-107579
- DOI
  10.1016/j.elecom.2023.107579
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26758
[雑誌論文] 集束イオンビームによるゲルマニウム表面ナノセル構造の作製2013
- 著者名/発表者名
  森田憲治, 新田紀子, 谷脇雅文
- 雑誌名
  
  日本金属学会誌
  
  巻: 77 ページ: 64-69
- NAID
  10031155985
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Beam flux dependence of ion-irradiation-induced porous structures in III-V compound semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, K. Sato, Q. Xu, T. Yoshiie, M. Taniwaki, and A. Hatta
- 雑誌名
  
  Radiation Effects and Defects in Solids
  
  巻: 168 号: 4 ページ: 247-252
- DOI
  10.1080/10420150.2012.737329
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268, KAKENHI-PROJECT-24760539
[雑誌論文] イオン照射による半導体表面ナノ構造形成2013
- 著者名/発表者名
  新田紀子
- 雑誌名
  
  まてりあ
  
  巻: 52 ページ: 166-172
- NAID
  10031162842
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Beam flux dependence of ion-irradiation-induced porous structures in III -V compound semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, K. Sato, Q. Xu, T. Yoshiie, M. Taniwaki, and A. Hatta
- 雑誌名
  
  Radiation Effects and Defects in Solids
  
  巻: 168 ページ: 247-252
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] イオン照射による半導体表面ナノ構造の形成2013
- 著者名/発表者名
  新田紀子
- 雑誌名
  
  まてりあ
  
  巻: 52 ページ: 166-172
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nanocell fabrication on GaSb at room temperature and cryogenic temperature2012
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, K. Yokoyama, and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: (accepted)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nanocell fabrication on GaSb at room temperature and cryogenic temperature2012
- 著者名/発表者名
  Noriko Nitta, Kazuhiro Yokoyama and Masafumi Taniwaki
- 雑誌名
  
  AIP Conf. Proc.
  
  巻: 1496 ページ: 280-283
- DOI
  10.1063/1.4766543
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nanocell fabrication on GaSb at room temperature and cryogenic temperatur2012
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, K. Yokoyama and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  AIP Conf. Proc.
  
  巻: 1496 ページ: 280-283
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Secondary defects induced by ion and electron irradiation of GaSb2011
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, E.Taguchi, H.Yasuda, H.Mori, Y.Hayashi, T.Yoshiie, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine Letters
  
  巻: 91 ページ: 223-228
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Structural changes induced by low-energy electron irradiation in GaSb2011
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, Y. Aizawa, T. Hasegawa, and H. Yasuda
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine Letter
  
  巻: 91 ページ: 10676-681
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb2011
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, Y. Hayashi, T. Yoshiie and M. Taniwaki, and H. Mori
- 雑誌名
  
  Mater. Trans.
  
  巻: 51 ページ: 1059-1063
- NAID
  10027018029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nano-Cell Fabrication on InSb Utilizing Point Defects Behavior Induced by Focused Ion Beam2011
- 著者名/発表者名
  Sayo Morita, Noriko Nitta, Masafumi Taniwaki a
- 雑誌名
  
  Surface & Coatings Technology
  
  巻: (掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Fabrication of Tetragonal and Close-Packed Nano-cell Two-Dimensional Lattices by Ga+ beam on InSb Surface2011
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, O.Ishikawa, K.Yokoyama, M.Taniwaki, N.Nitta
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings 1321, Ion Implantation Technology 2010, edited by J.Matsuo, M.Kase, T.Aoki, and T.Seki
  
  ページ: 282-285
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Photoluminescence, morphology, and structure of hydrothermal ZnO implanted at room temperature with 60keV Sn ions2011
- 著者名/発表者名
  G.T.Dang, T.Kawaharamura, N.Nitta, T.Hirao, T.Yoshiie, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109 号: 12
- DOI
  10.1063/1.3598068
- NAID
  120004920368
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Characteristics of ZnO Wafers Implanted with 60 keV Sn+ Ions at Room Temperature and at 110 K2011
- 著者名/発表者名
  G.T.Dang, T.Kaharamura, T.Hirao, N.Nitta, M.Taniwakia
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings 1321, Ion Implantation Technology 2010, edited by J.Matsuo, M.Kase, T.Aoki, and T.Seki
  
  ページ: 270-273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Formation of Defect Structure on Ge Surface by Ion Irradiation at Controlled Substrate Temperature2011
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, T.Hasegawa, H.Yasuda, Y.Hayashi, T.Yoshiie, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Materials Transactions
  
  巻: 52 ページ: 127-129
- NAID
  10027837397
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Characteristics of ZnO wafers implanted with 60 keV Sn+ ions at room temperature and at 110 K2011
- 著者名/発表者名
  K, G. T. Dang, T. Kawaharamura, T. Hirao, N. Nitta and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1321 ページ: 270-273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Secondary defects induced by ion and electron irradiation of GaSb2011
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, E. Taguchi, H. Yasuda, H. Mori, Y. Hayashi, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Phil. Mag. Lett.
  
  巻: 91 ページ: 223-228
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Structural changes induced by low energy electron irradiation in GaSb2011
- 著者名/発表者名
  Noriko Nitta, Yohta Aizawa, Tokiya Hasegawa and Hidehiro Yasuda
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine Letters
  
  巻: 91 号: 10 ページ: 676-681
- DOI
  10.1080/09500839.2011.608528
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[雑誌論文] Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb2011
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, T.Hasegawa, H.Yasuda, Y.Hayashi, T.Yoshiie, M.Taniwaki, H.Mori
- 雑誌名
  
  Materials Transactions
  
  巻: 51 ページ: 1059-1063
- NAID
  10027018029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Formation of defect dtructure on Ge surface by ion irradiation at controlled Substrate Temperature2011
- 著者名/発表者名
  Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, Y. Hayashi, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Materials Transactions
  
  巻: 52 ページ: 127-129
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Thickness-dependent structural transition in GaAs nanocrystals grown on Si(111) surface2011
- 著者名/発表者名
  H. Yasuda, K. Matsumoto, T. Furukawa, M. Imamura, N. Nitta and H. Mori
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: H314 号: 1 ページ: 365-369
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.12.010
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[雑誌論文] Secondary defects induced by ion and electron irradiation of GaSb2011
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, E. Taguchi, H. Yasuda, H. Mori, Y. Hayashi, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine Letters
  
  巻: 91 号: 3 ページ: 223-228
- DOI
  10.1080/09500839.2011.552445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[雑誌論文] Photoluminescence, morphology, and structure of hydrothermal ZnO implanted at room temperature with 60 keV Sn ions2011
- 著者名/発表者名
  G. T. Dang, T. Kawaharamura, N. Nitta, T. Hirao, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  TJ. Appl. Phys
  
  巻: 109 ページ: 123516-123516
- NAID
  120004920368
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nano-cell fabrication on InSb utilizing point defects behavior induced by focused ion beam2011
- 著者名/発表者名
  S. Morita, N. Nitta and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Ssurface and Cotings Technology
  
  巻: 206 ページ: 792-796
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Fabrication of tetragonal and close-packed nano-cell two-dimensional lattices by Ga+ beam on InSb Surface2010
- 著者名/発表者名
  K. Takahashi, O. Ishikawa, K. Yokoyama, M. Taniwaki, and N. Nitta
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1321 ページ: 282-285
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Void Formation and Structure Change Induced by Heavy Ion Irradiation in GaSb and InSb2010
- 著者名/発表者名
  Noriko Nitta, Tokiya Hasegawa, Hidehiro Yasuda, Yoshihiko Hayashi, Toshimasa Yoshiie, Masafumi Taniwaki and Hirotaro Mori
- 雑誌名
  
  MATERIALS TRANSACTIONS
  
  巻: 51 号: 6 ページ: 1059-1063
- DOI
  10.2320/matertrans.M2010037
- NAID
  10027018029
- ISSN
  1345-9678, 1347-5320
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[雑誌論文] Structural Stabilities in GaAs Nanocrystals Grown on Si(111) Surface2010
- 著者名/発表者名
  H.Yasuda, K.Matsumoto, T.Furukawa, M.Imamura, N.Nitta, H.Mori
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 51 ページ: 1059-1063
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[雑誌論文] Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb2010
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, Y. Hayashi, T. Yoshiie, M. Taniwaki, and H. Mori
- 雑誌名
  
  Mater. Trans.
  
  巻: 51 ページ: 1059-1063
- NAID
  10027018029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] 透過電子顕微鏡法(TEM)の基本原理とその場観察法によるナノ粒子の特異物性解析2009
- 著者名/発表者名
  保田英洋、今村真幸、新田紀子、森博太郎
- 雑誌名
  
  ナノ学会会報
  
  巻: 8 ページ: 1-8
- NAID
  40016914360
- URL
  http://www.ac-square.co.jp/nano/index.html
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[雑誌論文] Kinetic Monte Carlo simulation of void swelling in GaSb irradiated with Sn at low temperature2007
- 著者名/発表者名
  T.Yoshiie, N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. Methods B 255
  
  ページ: 120-123
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Nano-fabrication utilizing point defects induced by ion-implantation2007
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Surface and Coatings Technology
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Development of Nano-fabrication Technique Utilizing Self-organizational Behavior of Point Defects Induced by Ion Irradiation2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 872-876
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Formation of Cellular Structure on GaSb Surface by Ion-Implantation2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, Y.Hayashi, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  The 16th International Microscopy Congress Proceedings 3
  
  ページ: 1976-1976
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Cellular Structure Formed by Ion-Implantation Induced Point Defect2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, Y.Hayashi, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 881-885
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Development of Nano-fabrication Technique Utilizing Self-Organizational Behavior of Point Defects Induced by Ion Irradiation2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 872-876
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Formation of Cellular Structure on GaSb Surface by Ion-Implantation2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta
- 雑誌名
  
  The 16th International Microscopy Congress (IMC16) Proceedings Vol.2
  
  ページ: 1976-1976
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860082
[学会発表] ルチル型TiNbO4を用いたナトリウムイオン電池負極の創製2023
- 著者名/発表者名
  田中智之，薄井洋行，道見康弘，竹本匡孝，大石脩人，新田紀子，坂口裕樹
- 学会等名
  2023年度第3回関西電気化学研究会，P99
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26758
[学会発表] 高アスペクト比InSb規則構造の作製2015
- 著者名/発表者名
  石川修, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2015-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] Miniaturization of ion beam irradiation induced periodic nanostructures on germanium surface2014
- 著者名/発表者名
  K. Morita, K. Shigematsu, A. Matsumoto, N. Nitta, M. Taniwaki
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2014-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] イオンビーム照射によるゲルマニウム表面周期構造の微細化の検討2014
- 著者名/発表者名
  森田憲治, 重松晃次, 松本亜里紗, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] Fabrication of Josephson-Junction utilizing nanocell on compound semiconductor GaSb2013
- 著者名/発表者名
  K. Shigematsu, K. Becchaku, K. Morita, K. Yokoyama, N. Nitta, and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials
- 発表場所
  Hilton Sorrento Palace Hotel, Sorremto, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of nano-cell structure on InSb surface filled with heterogeneous material2013
- 著者名/発表者名
  K. Betchaku, K. Nakauchi, O. Ishikawa, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nnomaterials
- 発表場所
  ソレント（イタリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Optical property and crystallographical structure of metal doped TiO2 thin films fabricated by pulsed laser deposition2013
- 著者名/発表者名
  T . Nishiuchi, A. Sakamoto, N. Kawadu, M. Ikeuchi, K. Hayashi, H. Tomozawa, S. Kusuno, N. Nishimura, R. Kodama, N. Nitta, and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials
- 発表場所
  Hilton Sorrento Palace Hotel, Sorremto, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of Josephson junction utilizing nanocell on compound semiconductor GaSb2013
- 著者名/発表者名
  K. Shigematsu, K. Betchaku, K. Morita, K. Yokoyama , N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nnomaterials
- 発表場所
  ソレント（イタリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] イオン照射誘起化合物半導体ポーラス構造の加速電圧依存性2013
- 著者名/発表者名
  新田紀子, 西内大貴, 谷脇雅文, 八田章光
- 学会等名
  日本金属学会第148回春期大会
- 発表場所
  東京理科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Optical property and crystallographical structure of metal doped TiO22013
- 著者名/発表者名
  T. Nishiuchi, S. Ayumi, N. Kawadu, M. Ikeuchi, K. Hayashi, H. Tomozawa, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nnomaterials
- 発表場所
  ソレント（イタリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication and characterization of environmentally conscionable semiconductor b-FeSi22013
- 著者名/発表者名
  N. Nishioka, M. Okamoto, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nnomaterials
- 発表場所
  ソレント（イタリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication and characterization of environmentally conscionable semiconductor β-FeSi22013
- 著者名/発表者名
  N. Nishioka, M. Okamoto, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials
- 発表場所
  Hilton Sorrento Palace Hotel, Sorremto, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] イオン照射誘起化合物半導体ポーラス構造の加速電圧依存性2013
- 著者名/発表者名
  新田紀子, 西内大貴, 谷脇雅文, 八田章光
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  東京理科大（東京神楽坂）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of nano-cell structure on InSb surface filled with heterogeneous material2013
- 著者名/発表者名
  K. Becchaku, N. Nitta, and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials
- 発表場所
  Hilton Sorrento Palace Hotel, Sorremto, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 電子デバイスを目指した充填ナノセルの形成2012
- 著者名/発表者名
  別役和秀, 中内和也, 西岡誠剛, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 電子デバイスを目指した充填ナノセルの形成2012
- 著者名/発表者名
  別役和秀　中内和也　西岡誠剛　新田紀子　谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] ジョセフソン接合のバリア層を指向したFIB によるGaSb 表面ナノセル構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  重松晃次, 別役和秀, 森田憲治, 横山和弘, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of nanocell lattice on semiconductor utilizing point defects movement induced by ion irradiation2012
- 著者名/発表者名
  M. Taniwaki and N. Nitta
- 学会等名
  XI International Conference on Nanostructure Materials (Nano2012)
- 発表場所
  Rodos Palace International Convention Center, Rodos, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Nano-cell fabrication on GaSb and InSb compound semiconductors by focused ion beam at room temperature2012
- 著者名/発表者名
  M. Taniwaki, O. Ishikawa, K. Yokoyama and N. Nitta
- 学会等名
  19 th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2012)
- 発表場所
  Congress Center , Valladolid, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of nanocell lattice on semiconductor utilizing point defects movement induced by ion irradiation2012
- 著者名/発表者名
  M. Taniwaki and N. Nitta
- 学会等名
  XI International Conference on Nanostructure Materials (Nano2012)
- 発表場所
  XI International Conference on Nanostructure Materials (Nano2012)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] ジョセフソン接合のバリア層を指向したFIBによるGaSb表面ナノセル構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  重松晃次　別役和秀　森田憲治　横山和弘　新田紀子　谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 環境半導体β-FeSi2薄膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  西岡誠剛　新田紀子　谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるGe表面ナノセル構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  森田憲治　新田紀子　谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるGe 表面ナノセル構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  森田憲治, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 低エネルギー電子照射によるナノ結晶形成の照射温度依存性2012
- 著者名/発表者名
  新田紀子　西内大貴　谷脇雅文　八田章光　保田英洋
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 環境半導体β-FeSi2 薄膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  西岡誠剛, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of ordered nano-cell structure on Ge surface by FIB2012
- 著者名/発表者名
  K. Morita, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS25)
- 発表場所
  Kyoto University, Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Characterization of hydrothermal bulk ZnO implanted at room temperature with 60 keV Sn^+ ions2011
- 著者名/発表者名
  Giang T.Dang, T.Kawaharamura, N.Nitta, T.Hirao, T. Yoshiie, M.Taniwaki
- 学会等名
  11th International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition (PBII&D 2011)
- 発表場所
  Harbin (China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Characterization of hydrothermal bulk ZnO implanted at room temperature with 60 keV Sn+ ions2011
- 著者名/発表者名
  Giang T. Dang, T. Kawaharamura, N. Nitta, T. Hirao, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 学会等名
  11th International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition (PBII&D 2011)
- 発表場所
  Harbin (China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるGaSbナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  政本泰佑, 石川修, 森田憲治, 横山和弘, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビームによる化合物半導体GaSbセル構造の制御2011
- 著者名/発表者名
  横山和弘, 高橋和之, 森田憲治, 石川修, 政本泰佑, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるGaSb ナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  政本泰佑, 石川修, 森田憲治, 横山和弘,新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Evaluation of nano-cell lattice on semiconductor surface fabricated by FIB2011
- 著者名/発表者名
  M.Taniwaki, O. Ishikawa, K. Yokoyama, K. Takahashi and N.Nitta
- 学会等名
  The 17th international conference on surface modification of materials by ion beams
- 発表場所
  Harbin (China)
- 年月日
  2011-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] FIB によるInSb 表面ナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  石川修, 横山和弘, 高橋和之, 森田憲治,政本泰祐,新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] レーザーアブレーション法によるFe-Si系半導体薄膜の作製と分析2011
- 著者名/発表者名
  横田正博,山本知起新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] レーザーアブレーション法によるFe-Si系半導体薄膜の作製と分析2011
- 著者名/発表者名
  横田正博, 山本知起, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] FIBによるInSb表面ナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  石川修, 横山和弘, 高橋和之, 森田憲治, 政本泰祐, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビームによる化合物半導体GaSb セル構造の制御2011
- 著者名/発表者名
  横山和弘, 高橋和之, 森田憲治石川修,政本泰佑, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 電子励起によるC60ナノ粒子の形態・構造変化2011
- 著者名/発表者名
  保田英洋、新田紀子、森博太郎
- 学会等名
  ナノ学会第9回大会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2011-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] 低エネルギー電子照射によるInSbの構造変化2011
- 著者名/発表者名
  新田紀子、阪井茂樹、相澤洋太、吉田清和、保田英洋
- 学会等名
  日本金属学会2011年春期大会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] Structural Stabilities in GaAs Nanocrystals Grown on Si(111) Surface2010
- 著者名/発表者名
  H.Yasuda, K.Matsumoto, T.Furukawa, M.Imamura, N.Nitta, H.Mori
- 学会等名
  PRICM7(The 7th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing)
- 発表場所
  Cairns Convention Center (Cairns)
- 年月日
  2010-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] Photoluminescence of ZnO wafers implanted with 60 keV Sn^+ ions to doses from 2×10^<14> to 1.5×10^<15> cm^<-3> at 112K and room temperature2010
- 著者名/発表者名
  G.T.Dang, T.Kawaharamura, T.Hirao, N.Nitta, M.Taniwaki
- 学会等名
  18th Int.Conf.on Ion Implantation Technology
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2010-06-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] アモルファスGe薄膜の電子照射誘起結晶化2010
- 著者名/発表者名
  保田英洋、新田紀子、今村真幸、森博太郎
- 学会等名
  日本金属学会2010年春期大会
- 発表場所
  茨城
- 年月日
  2010-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] SiC多形結晶の電子照射誘起構造変化に及ぼす電子励起効果と弾き出し効果2010
- 著者名/発表者名
  保田英洋、新田紀子、今村真幸、森博太郎
- 学会等名
  日本物理学会第65回年次大会
- 発表場所
  岡山
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] 6H-SiCにおける電子照射誘起不規則化2010
- 著者名/発表者名
  保田英洋、新田紀子、今村真幸、森博太郎
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第66回学術講演会
- 発表場所
  愛知
- 年月日
  2010-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] III-V族化合物半導体GaSbの電子励起効果による構造変化2010
- 著者名/発表者名
  新田紀子、相澤洋太、保田英洋
- 学会等名
  日本金属学会2010年春期大会
- 発表場所
  茨城
- 年月日
  2010-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] Pb合金ナノ粒子における格子軟化とその溶質濃度および粒径依存性2010
- 著者名/発表者名
  保田英洋、今村真幸、新田紀子、森博太郎
- 学会等名
  ナノ学会第8回大会
- 発表場所
  愛知
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] イオン照射によりGaSb及びInSbに形成される構造のフラックス依存性2010
- 著者名/発表者名
  長谷川季也, 新田紀子, 保田英洋, 佐藤紘一, 徐〓, 義家敏正, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2010-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] InSb薄膜における重イオン照射効果2010
- 著者名/発表者名
  長谷川季也、新田紀子、保田英洋、林禎彦、義家敏正
- 学会等名
  日本金属学会2010年春期大会
- 発表場所
  茨城
- 年月日
  2010-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] Structural Stabilities in GaAs Nanocrystals Grown on Si(111) Surface2010
- 著者名/発表者名
  H. Yasuda, K. Matsumoto, T. Furukawa, M. Imamura, N. Nitta and H. Mori
- 学会等名
  The 7th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing
- 発表場所
  Cairns, Australia
- 年月日
  2010-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] イオン照射によりGaSb及びInSbに形成される構造のフラックス依存性2010
- 著者名/発表者名
  長谷川季也、新田紀子、保田英洋、佐藤紘一, 徐〓、義家敏正、谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会2010年秋期大会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2010-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] Fabrication of Tetragonal and Close-Packed Nano-cell Structureon Compound Semiconductor Surface2010
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, O.Ishikawa, K.Yokoyama, M.Taniwaki, N.Nitta
- 学会等名
  18th Int.Conf.on Ion Implantation Technology
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Photoluminescence of ZnO wafers implanted with 60keV Sn^+ ions to doses from 2×10^<14> to 1.5×10^<15> cm^<-3> at 112K and room temperature2010
- 著者名/発表者名
  G.T.Dang, T.Kawaharamura, T.Hirao, N.Nitta, M.Taniwaki
- 学会等名
  18^<th> Int.Conf.on Ion Implantation Technology
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2010-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Pb固溶体ナノ粒子の格子軟化に及ぼす溶質濃度とサイズの影響2010
- 著者名/発表者名
  保田英洋、今村真幸、新田紀子、森博太郎
- 学会等名
  日本金属学会2010年春期大会
- 発表場所
  茨城
- 年月日
  2010-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] GaSbおよびInSbの電子照射による構造変化2010
- 著者名/発表者名
  新田紀子、阪井茂樹、相澤洋太、保田英洋
- 学会等名
  日本金属学会2010年秋期大会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2010-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] フラーレンナノ粒子における電子励起効果2009
- 著者名/発表者名
  保田英洋、新田紀子、今村真幸、森博太郎
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第65回学術講演会
- 発表場所
  宮城
- 年月日
  2009-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] 電子照射効果によるSiC多形結晶の構造変化2009
- 著者名/発表者名
  保田英洋、坂根良平、新田紀子、今村真幸、森博太郎
- 学会等名
  日本金属学会2009年秋期大会
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2009-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] In-situ TEM observation of electronic-excitation-induced structural changes in III-V compound nanoparticles2009
- 著者名/発表者名
  H. Yasuda, M. Imamura, N. Nitta, H. Mori
- 学会等名
  11th International Conference on Advanced Materials 2009 at Rio de Janeiro
- 発表場所
  Brazil
- 年月日
  2009-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] 重イオン照射によるInSbの構造変化2009
- 著者名/発表者名
  新田紀子、長谷川季也、保田英洋、林禎彦、義家敏正
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第65回学術講演会
- 発表場所
  宮城
- 年月日
  2009-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360310
[学会発表] Effect of low-energy electron irradiation in InSb compound semiconductor
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, S. Sakai, T. Nishiuchi, M. Taniwaki, A. Hatta, K. Yoshida, and H. Yasuda
- 学会等名
  Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] イオンビーム照射による半導体多孔質構造のサイズ制御
- 著者名/発表者名
  新田紀子, 重松晃次, 谷脇雅文, 八田章光
- 学会等名
  日本金属学会第149回秋期大会
- 発表場所
  金沢大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] Temperature dependence of low-energy electron irradiation induced nanocrystal in GaSb
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Nishiuchi, M. Taniwaki, A. Hatta, and H. Yasuda
- 学会等名
  25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS25)
- 発表場所
  京都大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] 合物半導体のイオンビーム照射効果の解明とその応用
- 著者名/発表者名
  新田紀子, 重松晃次, 谷脇雅文, 八田章光, 保田英洋
- 学会等名
  第33回ナノテスティングシンポジウム
- 発表場所
  千里ライフサイエンスセンター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] III-V族化合物半導体の電子照射による構造変化
- 著者名/発表者名
  西内大貴, 新田紀子, 谷脇雅文, 八田章光, 保田英洋
- 学会等名
  日本金属学会2012年秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] Structural changes induced by low-energy electron irradiation in III-V compound semiconductors
- 著者名/発表者名
  T. Nishiuchi, N. Nitta, M. Taniwaki, A. Hatta, and H. Yasuda
- 学会等名
  25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS25)
- 発表場所
  京都大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539
[学会発表] 低エネルギー電子照射によるナノ結晶形成の照射温度依存性
- 著者名/発表者名
  新田紀子, 西内大貴, 谷脇雅文, 八田章光, 保田英洋
- 学会等名
  日本金属学会2012年秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760539

1. 前町敏彦 (50399169)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 谷脇雅文 (20133712)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 65件
3. 神戸宏 (10299373)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 義家敏正 (20124844)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
5. 保田英洋 (60210259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 22件
6. 今村真幸 (40554358)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
7. 徐ぎゅう (90273531)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 薄井洋行 (60423240)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
9. 坂口裕樹 (00202086)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
10. 道見康弘 (50576717)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 田中俊行 (30713771)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 徐ぎょう

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

新田 紀子 NITTA Noriko

研究課題

研究成果

共同研究者

ルチル型複合酸化物から始まる次世代蓄電池負極材料の創製と応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

低エネルギー電子照射による半導体ナノ結晶の形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

点欠陥自己組織化現象を利用した半導体表面ナノセル形成法の確立

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属・半導体低次元ナノ構造体の創製と自己組織化により発現する量子物性の探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン照射による半導体表面微細セル構造の自己組織化的形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超微細セル状表面構造を高機能デバイスに利用するための基礎的研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Nickel-Doped Titanium Oxide with Layered Rock-Salt Structure for Advanced Li-Storage Materials2023

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[雑誌論文] Na-Storage Reactions of Rutile TiNbO42023

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[雑誌論文] 集束イオンビームによるゲルマニウム表面ナノセル構造の作製2013

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[雑誌論文] Beam flux dependence of ion-irradiation-induced porous structures in III-V compound semiconductors2013

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[雑誌論文] イオン照射による半導体表面ナノ構造形成2013

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[雑誌論文] Beam flux dependence of ion-irradiation-induced porous structures in III -V compound semiconductors2013

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[雑誌論文] イオン照射による半導体表面ナノ構造の形成2013

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[雑誌論文] Nanocell fabrication on GaSb at room temperature and cryogenic temperature2012

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[雑誌論文] Nanocell fabrication on GaSb at room temperature and cryogenic temperature2012

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新田紀子 NITTA Noriko