牧野高紘 Makino Takahiro

研究者番号	80549668
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度 – 2025年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員 2022年度 – 2023年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員 2021年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員 2017年度 – 2020年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主任研究員(定常) 2015年度: 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究員 … もっと見る 2015年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究員 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究員 2011年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究職 2010年度 – 2011年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 博士研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物理学一般 / 小区分29030:応用物理一般関連 / 応用物理学一般研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 中区分14:プラズマ学およびその関連分野 / 大区分C / 小区分31010:原子力工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子デバイス・電子機器 / 素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
キーワード	研究代表者パワーデバイス / シングルイベント / SiC / 耐放射線性 / MOSFET / Single Event Burnout / ショットキーバリアダイオード / 放射線 / 炭化ケイ素 / ソフトエラー … もっと見る / SOI / イオン照射 / 論理LSI / SETパルス … もっと見る研究代表者以外耐放射線 / CMOS集積回路 / 量子ビーム産業応用 / 放射線 / 機器・人間の信頼性 / 品質管理 / 極限環境 / 電子デバイス・集積回路 / 電子デバイス / 極限環境エレクトロニクス / シリコンカーバイド半導体 / 半導体検出器 / 低酸素社会 / 疑似直接検出 / 窒化ガリウム / イメージングセンサー / III族窒化物 / III族窒化物半導体 / BGaN / イメージセンサー / 中性子検出 / ワイドバンドギャップ半導体 / 高温 / SiC / 金属酸化物 / 原子スイッチ / 極限半導体デバイス / リスク評価 / 低炭素社会 / 高温動作集積回路 / 耐放射線集積回路 / 耐放射線デバイス / 高温動作 / 電子デバイス・電子機器 / 廃炉技術 / 耐高温動作 / MOSFET / シリコンカーバイド / 低質量ダークマター / ダークマター / 低雑音集積回路 / ワイドギャップ半導体 / 軽い暗黒物質 / 暗黒物質隠す

放射線誘起電流によるSiC半導体の偶発破壊素過程の実験的解明研究代表者
- 研究代表者
  
  牧野高紘
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29030:応用物理一般関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
原子スイッチによる極限環境用デジタル回路の実現
- 研究代表者
  
  武山昭憲
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分31010:原子力工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  広島大学
BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発
- 研究代表者
  
  中野貴之
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分14:プラズマ学およびその関連分野
- 研究機関
  静岡大学
放射線を当てずに放射線ソフトエラー信頼性を評価する技術
- 研究代表者
  
  小林大輔
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  広島大学
高信頼性LSIの開発コスト削減に向けたソフトエラー耐性スクリーニングの実現
- 研究代表者
  
  小林大輔
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
炭化ケイ素MOSFETにおけるイオン誘起微小電荷の二次元的収集過程の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  牧野高紘
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
シリコンカーバイドによる極限環境エレクトロニクスの研究
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  広島大学
イオン誘起微小電荷による炭化ケイ素半導体デバイスの破壊機構解明研究代表者
- 研究代表者
  
  牧野高紘
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
低質量暗黒物質探査用低物質量半導体ピクセル検出器の開発
- 研究代表者
  
  田中真伸
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
- 研究機関
  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
論理素子を構成するトランジスタにおけるシングルイベント過渡電圧パルスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  牧野高紘
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022
- 著者名/発表者名
  Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki, and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 24 ページ: 244503-244503
- DOI
  10.1063/5.0095841
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] An SRAM SEU cross section curve physics model2022
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, K. Hirose, K. Sakamoto, Y. Tsuchiya, S. Okamoto, S. Baba, H. Shindou, O. Kawasaki, T. Makino, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science
  
  巻: 69 号: 3 ページ: 232-240
- DOI
  10.1109/tns.2021.3129185
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[雑誌論文] Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer2019
- 著者名/発表者名
  Kosuke Muraoka, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 8 ページ: 081007-081007
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab2dab
- NAID
  210000156569
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Ishii, Shin-Ichiro Kuroki, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Mikael Ostling, Carl-Mikael Zetterling
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 613-616
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.613
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Direct Bonding of 4H-SiC and SOI Wafers for Radiation-Hardened Image Sensors2019
- 著者名/発表者名
  Fumiaki Hasebe, Tatsuya Meguro, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 726-729
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.726
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters2019
- 著者名/発表者名
  Jun Inoue, Shin-Ichiro Kuroki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Mikael Ostling, Carl-Mikael Zetterling
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 837-840
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.837
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics2018
- 著者名/発表者名
  T. Kurose, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M.Ostling, and C.-M. Zetterling
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 971-974
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.971
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts2018
- 著者名/発表者名
  J. Kajihara, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 423-427
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.423
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] 4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics2017
- 著者名/発表者名
  S-I. Kuroki, T. Kurose, H. Nagatsuma, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Forum
  
  巻: 897 ページ: 669-672
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Epitaxial layer thickness dependence on heavy ion induced charge collection in 4H‐SiC Schottky Barrier Diodes2016
- 著者名/発表者名
  T. Makino, S. Onoda, N. Hoshino, H. Tsuchida, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790076
[雑誌論文] Ion-Induced Anomalous Charge Collection Mechanisms in SiC Schottky Barrier Diodes2015
- 著者名/発表者名
  Takahiro Makino, Manato Deki, Shinobu Onoda, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Material Science Forum
  
  巻: 821-823 ページ: 575-578
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790076
[雑誌論文] Ion-Induced Anomalous Charge Collection Mechanisms in SiC Schottky Barrier Diodes2015
- 著者名/発表者名
  T. Makino, M. Deki, S. Onoda, N. Hoshino, H. Tsuchida, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 821-823 ページ: 575-578
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790076
[雑誌論文] Heavy-Ion Induced Anomalous Charge Collection From 4H-SiC Schottky Barrier Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Makino, Manato Deki, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, Toshio Hirao, and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
  
  巻: 60 ページ: 2647-2650
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790076
[雑誌論文] Estimation of Digital Single Event Transient Pulse-Widths in Logic Cells from High-Energy Heavy-Ion-Induced Transient Current in a Single MOSFET2011
- 著者名/発表者名
  T.Makino, et al.
- 雑誌名
  
  Proceedings of The 9th International Workshop on Radiation Effects on □Semiconductor Devices for Space Applications
  
  ページ: 169-172
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760055
[学会発表] 耐環境性向上を目指した低 B 組成 BGaN 中性子検出器の作製と評価2024
- 著者名/発表者名
  工藤涼兵、櫻井辰大、小久保瑛斗、川崎晟也、都木克之、西澤潤一、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] 過酷環境下での動作を目指した BGaN ダイオードの作製と諸特性評価2023
- 著者名/発表者名
  工藤涼兵、櫻井辰大、川崎晟也、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] 高ドーズ中性子照射場における BGaN 検出器の放射線検出特性評価2023
- 著者名/発表者名
  櫻井辰大、工藤涼兵、川崎晟也、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] Development of BGaN diodes with high radiation tolerance for nuclear instrumentation system2023
- 著者名/発表者名
  Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] Fabrication and characterization of BGaN diodes for nuclear instrumentation system2023
- 著者名/発表者名
  Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  he 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] SiC CMOS Integrated Circuits and Image Sensors for Extreme Environment Applications2023
- 著者名/発表者名
  Shin-Ichiro Kuroki, Toya Kai, Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Vuong Van Cuong, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima
- 学会等名
  7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (IEEE EDTM2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Fabrication and characterization of BGaN diodes for nuclear instrumentation system2023
- 著者名/発表者名
  Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  Inter-Academia 2023 (iA2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  2022年電子情報通信学会総合大会シンポジウム「極限環境で動作する集積回路」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 高線量ガンマ線照射した 4H-SiC JFET のしきい値電圧安定性2022
- 著者名/発表者名
  武山昭憲, 牧野高紘, 田中保宣, 黒木伸一郎, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也, 西垣内健汰, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 19 回研究会　「ワイドバンドギャップ半導体を用いた極限環境エレクトロニクス」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] An SRAM SEU cross section curve physics model2021
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, K. Hirose, K. Sakamoto, Y Tsuchiya, S. Okamoto, S. Baba, H. Shindou, O. Kawasaki, T. Makino, and T. Ohshima
- 学会等名
  IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[学会発表] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発2021
- 著者名/発表者名
  大島武, 武山昭憲、牧野高紘、黒木伸一郎、田中保宣
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「福島第1原発廃炉と福島復興　－応用物理学会の会員として，私たちに何ができるか－」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也，西垣内健汰，武山昭憲，牧野高紘，大島武，田中保宣
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第19回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド（SiC）極限環境エレクトロニクスの研究開発：原子炉廃炉対応から医療応用まで2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- 学会等名
  文部科学省共同利用・共同研究拠点生体医歯工学共同研究拠点　令和2年度成果報告会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響2020
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，清水奎吾, 牧野高紘, 山崎雄一, 大島武, 黒木伸一郎, 田中保宣
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC 短チャネル n/p MOSFETs における閾値の評価2020
- 著者名/発表者名
  志摩拓真，前田智徳，石川誠治，瀬崎洋，牧野高紘, 大島武, 黒木伸一郎
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Radiation hardness of 4H-SiC JFETs in MGy dose ranges,” The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)2019
- 著者名/発表者名
  A. Takeyama, K. Shimizu, T. Makino, Y. Yamazaki, S. Kuroki, Y. Tanaka, T. Ohshima
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiC-NMOSFETs におけるガンマ線誘起移動度増加現象とその増加機構2019
- 著者名/発表者名
  村岡幸輔，瀬崎洋，石川誠治，前田知徳，牧野高紘，大島武，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] ノーマリーオフ型 4H-SiC JFET のガンマ線耐性2019
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，清水奎吾，牧野高紘，山﨑雄一，大島武，黒木伸一郎，田中保宣
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 短チャネル SiC nMOSFET の温度特性評価2019
- 著者名/発表者名
  石井友康，瀬崎洋，石川誠治，前田智徳，牧野高紘，大島武, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果2019
- 著者名/発表者名
  武山昭憲、清水奎吾、牧野高紘、山﨑雄一、大島武、黒木伸一郎、田中保宣
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiC による耐放射線エレクトロニクス技術開発2019
- 著者名/発表者名
  田中保宣，清水奎吾，小野田忍，武山昭憲，牧野高紘，大島武，目黒達也，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価2019
- 著者名/発表者名
  牧野　高紘
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05111
[学会発表] Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  T. Ishii, S.-I. Kuroki, H. Sezaki, S. Ishikawa, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Radiation Hardened Silicon Carbide Electronics2018
- 著者名/発表者名
  K. Muraoka, S. Ishikawa, H. Sezaki, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, S.-I. Kuroki
- 学会等名
  Fukushima Research Conference“Radiation Hardness and Smartness in Remote Technology for Nuclear Decommissioning” Organized by CLADS/JAEA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Short-channel 4H-SiC trench MOSFETs for harsh environment electronics2018
- 著者名/発表者名
  T. Ishii, S.-I. Kuroki, H. Sezaki, S. Ishikawa, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 学会等名
  Fukushima Research Conference“Radiation Hardness and Smartness in Remote Technology for Nuclear Decommissioning” Organized by CLADS/JAEA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  Takahiro Makino, Shuhei Takano, Shinsuke Harada, Yasuto Hijikata, and Takeshi Ohshima
- 学会等名
  IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05111
[学会発表] Effects of High Gamma-Ray Radiation on 3C-SiC nMOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  Shin-Ichiro Kuroki, Kohei Nagano, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, and Yasunori Tanaka
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Direct Bonding of 4H-SiC and SOI Wafers for Radiation-Hardened Image Sensors2018
- 著者名/発表者名
  Fumiaki Hasebe, Tatsuya Meguro, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 4H-SiC Trench MOSFETs による短チャネル効果の抑制効果2018
- 著者名/発表者名
  石井友康、黒木伸一郎、瀬崎洋、石川誠治、前田智徳、牧野高紘、大島武、Mikael Ostling 、Carl-Mikael Zetterling
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters2018
- 著者名/発表者名
  J. Inoue, S-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T Ohshima, M. Ostling, and C-M. Zetterling
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts2017
- 著者名/発表者名
  J. Kajihara, S-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 高周波CMOSインバータに向けた4H-SiCトレンチpMOSFETsの研究2017
- 著者名/発表者名
  井上純、黒木伸一郎、石川誠治、前田知徳、瀬崎洋、牧野高紘、大島武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Research on 400°C Thermal Stability of Ni/Nb Ohmic Contacts on 4H-SiC For Harsh Environment Applications2017
- 著者名/発表者名
  Vuong Van Cuong, Milantha De Silva, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Ba導入nMOSFETsに対するBTS試験およびガンマ線照射2017
- 著者名/発表者名
  村岡幸輔，瀬崎洋，石川誠治，前田知徳，牧野高紘，大島武，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics2017
- 著者名/発表者名
  T. Kurose, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 極限環境エレクトロニクスのための4H-SiC nMOSFETs セルフアラインプロセス2017
- 著者名/発表者名
  黒瀬達也、黒木伸一郎、石川誠治、前田知徳、瀬崎洋、牧野高紘、大島武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 4H-SiC pMOSFETsの高温特性及びガンマ線曝露効果2017
- 著者名/発表者名
  梶原純, 黒木伸一郎, 瀬崎洋, 石川誠治，前田知徳, 牧野高紘, 大島武, Mikael Ostling, and Carl-Mikael Zetterling
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiCパワーMOSFETにおける重イオン誘起電荷収集のデバイス構造依存性2017
- 著者名/発表者名
  高野修平、牧野高紘、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
- 学会等名
  第78回　応用物理学会　秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05111
[学会発表] NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線照射特性2017
- 著者名/発表者名
  永野耕平、目黒達也、武山昭憲、牧野高紘、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価2017
- 著者名/発表者名
  高野修平, 牧野高紘, 原田信介, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会　第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05111
[学会発表] Epitaxial layer thickness dependence on heavy ion induced charge collection in 4H‐SiC Schottky Barrier Diodes2015
- 著者名/発表者名
  T. Makino, S. Onoda, N. Hoshino, H. Tsuchida, T. Ohshima
- 学会等名
  16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015)
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790076
[学会発表] Estimation of Digital Single Event Transient Pulse-Widths in Logic Cells from High-Energy Heavy-Ion-Induced Transient Current in a Single MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  T. Makino, S. Onoda, T. Hirao, T. Ohshima, D. Kobayashi, H. Ikeda and K. Hirose
- 学会等名
  The 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications(RASEDA)
- 発表場所
  Takasaki
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760055
[学会発表] Digital Single Event Transient Pulse-Widths estimation in Logic Cells from Heavy-Ion-Induced Transient Currents in a Single MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  T. Makino, S. Onoda, T. Hirao, T. Ohshima, D. Kobayashi, H. Ikeda, and K. Hirose
- 学会等名
  IEEE Nuclear and space radiation effects conference
- 発表場所
  Denver
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760055
[学会発表] Estimation of Digital Single Event Transient Pulse-Widths in Logic Cells from High-Energy Heavy-Ion-Induced Transient Current in a Single MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  T.Makino, et al.
- 学会等名
  The 9th International Workshop on Radiation Effects on □Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-9)
- 発表場所
  高崎市高崎シティギャラリー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760055
[学会発表] Ion-Induced Anomalous Charge Collection Mechanisms in SiC Schottky Barrier Diodes
- 著者名/発表者名
  Takahiro Makino, Manato Deki, Shinobu Onoda, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, and Takeshi Ohshima
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide & Related Materials
- 発表場所
  World Trade Center, Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790076

1. 大島武 (50354949)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 39件
2. 黒木伸一郎 (70400281)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 39件
3. 武山昭憲 (50370424)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 10件
4. 小林大輔 (90415894)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
5. 田中保宣 (20357453)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
6. 児島一聡 (40371041)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
7. 田中真伸 (00222117)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 金子純一 (90333624)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 嶋岡毅紘 (80650241)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 身内賢太朗 (80362440)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 竹内浩造 (00870255)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 坂本敬太 (60867985)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 坂口将尊 (70626796)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 中野貴之 (00435827)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
15. 青木徹 (10283350)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
16. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
17. 若林源一郎 (90311852)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

牧野 高紘 Makino Takahiro

研究課題

研究成果

共同研究者

放射線誘起電流によるSiC半導体の偶発破壊素過程の実験的解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化ケイ素MOSFETにおけるイオン誘起微小電荷の二次元的収集過程の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン誘起微小電荷による炭化ケイ素半導体デバイスの破壊機構解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

論理素子を構成するトランジスタにおけるシングルイベント過渡電圧パルスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] An SRAM SEU cross section curve physics model2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer2019

著者名/発表者名

牧野高紘 Makino Takahiro