河村貴宏 Kawamura Takahiro

研究者番号	80581511
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 三重大学, 工学研究科, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2024年度: 三重大学, 工学研究科, 助教 2015年度: 三重大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学研究代表者以外中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 小区分30010:結晶工学関連 / 理工系
キーワード	研究代表者不純物 / OVPE成長 / 第一原理計算 / 結晶成長 / 窒化ガリウム / Naフラックス成長研究代表者以外低転位 / 気相成長 / 低抵抗 / GaN … もっと見る / OVPE / 結晶成長 / マルチフィジクスシミュレーション / シミュレーション / SiC / 機械学習 / 格子定数 / 欠陥評価 / PNダイオード / 超格子 / 転位 / 偏析 / 窒化物混晶半導体 / 特異構造場 / 結晶工学 / 計算物理 / 量子ドット / 自然超格子 / 組成変調 / 極性反転 / ボンドエンジニアリング / ナノ構造 / 窒化物半導体 / 特異構造 / 計算科学隠す

潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術
- 研究代表者
  
  森勇介
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発
- 研究代表者
  
  今西正幸
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  大阪大学
高品質バルクGaN成長に適した気相成長条件および結晶成長プロセスの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  河村貴宏
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  三重大学
計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計
- 研究代表者
  
  伊藤智徳
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  三重大学
大型バルクGaN単結晶の開発に向けた結晶成長機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  河村貴宏
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  三重大学

すべて 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN2022
- 著者名/発表者名
  Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Tomoaki Sumi, and Junichi Takino
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 ページ: 061004-061004
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[雑誌論文] Computational discovery of stable phases of graphene and h-BN van der Waals heterostructures composed of group III-V binary compounds2021
- 著者名/発表者名
  Akiyama Toru、Kawamura Takahiro、Ito Tomonori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 2 ページ: 023101-023101
- DOI
  10.1063/5.0032452
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05324, KAKENHI-PLANNED-16H06418
[雑誌論文] Activation free energies for formation and dissociation of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt2021
- 著者名/発表者名
  Kawamura Takahiro、Imanishi Masayuki、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada
- 雑誌名
  
  Computational Materials Science
  
  巻: 194 ページ: 110366-110366
- DOI
  10.1016/j.commatsci.2021.110366
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-18K04957, KAKENHI-PROJECT-20H02639
[雑誌論文] Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces2020
- 著者名/発表者名
  Kawamura Takahiro、Akiyama Toru、Kitamoto Akira、Imanishi Masayuki、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 549 ページ: 125868-125868
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2020.125868
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05268, KAKENHI-PROJECT-20K05324, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-18K04957
[雑誌論文] First‐Principles Calculation of Bandgaps of Al1- xInxN Alloys and Short‐Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices2020
- 著者名/発表者名
  Kawamura Takahiro、Fujita Yuma、Hamaji Yuya、Akiyama Toru、Kangawa Yoshihiro、Gorczyca Izabela、Suski Tadeusz、Wierzbowska Maigorzata, Krukowski Stanisiaw
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 257 号: 4 ページ: 1900530-1900530
- DOI
  10.1002/pssb.201900530
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05324, KAKENHI-PLANNED-16H06418
[雑誌論文] First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth2018
- 著者名/発表者名
  Kawamura Takahiro、Kitamoto Akira、Imade Mamoru、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi、Akiyama Toru
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 11 ページ: 115504-115504
- DOI
  10.7567/jjap.57.115504
- NAID
  210000149765
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04957, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105010, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
[雑誌論文] First-principles study of the surface phase diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017
- 著者名/発表者名
  T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 印刷中号: 8 ページ: 1600706-1600706
- DOI
  10.1002/pssb.201600706
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-15K13351, KAKENHI-PROJECT-15K17459, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105010
[雑誌論文] Mechanism for enhanced single-crystal GaN growth in the C-assisted Na-flux method2016
- 著者名/発表者名
  T. Kawamura, H. Imabayashi, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, and Y. Morikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 015601-015601
- DOI
  10.7567/apex.9.015601
- NAID
  210000137759
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26410014, KAKENHI-PROJECT-15K17459, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105010
[学会発表] Influence of Point and Complex Defects on Electronic Structure of GaN2022
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, and Yusuke Mori
- 学会等名
  9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications　(LEDIA2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] GaNの熱伝導率に対する点欠陥の影響2022
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，西山稜悟，秋山亨，宇佐美茂佳，今西正幸，吉村政志，森勇介
- 学会等名
  第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Effect of point and complex defects on optical properties of GaN2022
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，大畑智嗣，場崎航平，宇佐美茂佳，今西正幸，吉村政志，森勇介
- 学会等名
  光・量子ビーム科学合同シンポジウム2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] GaN中の点欠陥が光学特性に与える影響の解明2021
- 著者名/発表者名
  大畑智嗣, 河村貴宏, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Change of the effective bandgaps of InN/AlN superlattices due to lattice distortion2021
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akito Korei, Kouhei Basaki, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Magorzata Wierzbowska, and Stanisaw Krukowski
- 学会等名
  International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] 第一原理計算によるIII-V族化合物-グラフェン超格子の構造および電子状態解析2021
- 著者名/発表者名
  秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] Bandgaps of InN/AlN superlattices and AlInN alloys: Influence of composition and strain2021
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akito Korei, Kouhei Basaki, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela　Gorczyca,　Tadeusz　Suski,　Malgorzata　Wierzbowska,　and　Stanislaw Krukowski
- 学会等名
  Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-Principles Calculation of Electronic Structure of GaN with Point and Complex Defects2021
- 著者名/発表者名
  Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, and Yusuke Mori
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] Influence of Lattice Distortion on the Effective Bandgaps of Polar InN/AlN Superlattices2021
- 著者名/発表者名
  Kouhei Basaki, Akito Korei, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] NaフラックスGaN成長における融液中のNとC原子に関する結合状態の第一原理計算2019
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，村田拓郎，今西正幸，吉村政志，森勇介，森川良忠
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] Relationship between the band gap of InN/AlN SLs and lattice distortion2019
- 著者名/発表者名
  Yuya Hamaji, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] 酸素不純物を考慮したGaN表面エネルギーの面方位依存性2019
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今西正幸，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] 第一原理計算によるNa―Ga 融液中のN―N，C―C およびC―H 結合状態の解析2019
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，今西正幸，吉村政志，森勇介，森川良忠
- 学会等名
  2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析2019
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，竹田浩基，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  2019 年第66 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] Band gaps in short period superlattices consisted of different compositional AlInN alloys2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析2019
- 著者名/発表者名
  河村貴宏、竹田浩基、北本啓、今西正幸、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04957
[学会発表] First-Principles Calculation of Band Gaps of Al1-xInxN Alloys and Short Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela　Gorczyca,　Tadeusz　Suski,　Magorzata　Wierzbowska,　and　Stanisaw Krukowski
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] 酸素不純物を考慮したGaN表面エネルギーの面方位依存性2019
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今西正幸，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04957
[学会発表] InN/AlN超格子構造におけるバンドギャップに対する格子不整合の影響2019
- 著者名/発表者名
  浜地祐矢，河村貴宏，秋山亨，寒川義裕
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-principles calculation of absolute surface energies of GaN during oxide vapor phase epitaxy growth2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04957
[学会発表] First-principles calculation of absolute surface energies of GaN during oxide vapor phase epitaxy growth2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] InN/AlN超格子構造のバンドギャップと格子歪みとの関係2019
- 著者名/発表者名
  浜地祐矢，河村貴宏，秋山亨，寒川義裕
- 学会等名
  2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN表面構造およびO不純物の脱離エネルギーの解析2018
- 著者名/発表者名
  河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] First-Principles Calculations of GaN Surface Structures under OVPE Growth Conditions and Desorption Energies of Oxygen Impurities2018
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04957
[学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN表面構造およびO不純物の脱離エネルギーの解析2018
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-Principles Calculations of GaN Surface Structures under OVPE Growth Conditions and Desorption Energies of Oxygen Impurities2018
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-Principles Investigation of Compositional Dependence of Band Gaps in AlN/InN and InN/GaN Superlattices2018
- 著者名/発表者名
  Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Malgorzata Wierzbowska, Stanislaw Krukowski
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] 第一原理計算によるGaN結晶成長に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  河村貴宏
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] III族窒化物半導体超格子におけるバンドギャップの組成依存性2018
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，藤田裕真，浜地祐矢，秋山亨，寒川義裕
- 学会等名
  2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface2018
- 著者名/発表者名
  Hiroki Takeda, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] 第一原理計算によるGaN結晶成長に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  河村貴宏
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04957
[学会発表] First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface2018
- 著者名/発表者名
  Hiroki Takeda, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04957
[学会発表] Compositional Dependence of Band Gaps in III-Nitride Semiconductor Superlattices2018
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
- 学会等名
  The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] AlInN超格子構造におけるバンドギャップの組成依存性2018
- 著者名/発表者名
  藤田裕真，河村貴宏，鈴木泰之，秋山亨，寒川義裕
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] 第一原理計算によるAlN/InN超格子のバンドギャップ解析2018
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，藤田裕真，浜地祐矢，秋山亨，寒川義裕
- 学会等名
  日本学術振興会　ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN(0001)面のkink表面構造の解析2018
- 著者名/発表者名
  竹田浩基、河村貴宏、鈴木泰之、北本啓、今西正幸、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04957
[学会発表] OVPE法によるGaN成長における極性および非極性GaN表面構造の解析2017
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-Principles Study of Non-Polar GaN Surfaces under the OVPE Growth Conditions2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  he 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] OVPE法によるGaN成長における極性および非極性GaN表面構造の解析2017
- 著者名/発表者名
  河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] First-principles study of semipolar GaN (10-11) surfaces under oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  The E-MRS 2017 Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] 第一原理計算を用いたOVPE成長中の半極性GaN表面構造の解析2017
- 著者名/発表者名
  河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] 分子動力学法によるAlNバッファ層のひずみ緩和シミュレーション2017
- 著者名/発表者名
  森本由成，河村貴宏，鈴木泰之，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] 第一原理計算を用いたOVPE成長中の半極性GaN表面構造の解析2017
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN非極性表面構造の第一原理計算2017
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN非極性表面構造の第一原理計算2017
- 著者名/発表者名
  河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-principles study of semipolar GaN (10-11) surfaces under oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  E-MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-Principles Study of Non-Polar GaN Surfaces under the OVPE Growth Conditions2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] Molecular dynamics simulation of strain relaxation of AlN buffer layer2017
- 著者名/発表者名
  Yusei Morimoto, Takahiro Kawamura, Yasuyuki Suzuki, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] OVPE法によるGaN成長におけるGaN(0001) 表面構造の検討2016
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] 第一原理計算によるOVPE成長条件下におけるGaN(000-1)表面構造の解析2016
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] Activation free energies for formation and dissociation of N-N bond in a Na-Ga melt2016
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Hiroki Imabayashi, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa
- 学会等名
  第35回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県・守山市）
- 年月日
  2016-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] 第一原理計算によるOVPE成長条件下におけるGaN(000-1)表面構造の解析2016
- 著者名/発表者名
  河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] First-Principles Study of Surface Phase Diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth Conditions2016
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
- 発表場所
  Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] First-Principles Study of Surface Phase Diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth Conditions2016
- 著者名/発表者名
  T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
- 発表場所
  Orlando（USA）
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN(0001)表面状態の解析2016
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学（京都府・京都市）
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] Stable Structure of GaN(0001) under the OVPE Growth Conditions2016
- 著者名/発表者名
  T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418
[学会発表] Stable Structure of GaN(0001) under the OVPE Growth Conditions2016
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] Change of C-N Bonding State in Carbon-Added Na-Flux Growth of GaN2015
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Hiroki Imabayashi, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  アクトシティ浜松（静岡県・浜松市）
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] Na-Ga融液中のCNイオンの状態密度解析2015
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，今林弘毅，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
- 学会等名
  第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学（宮城県・仙台市）
- 年月日
  2015-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] 第一原理計算によるGaN(0001)表面へのGa2Oの吸着に関する研究2015
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459
[学会発表] GaN(0001)および(000-1)表面へのGa2O分子の吸着に関する第一原理計算2015
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- 年月日
  2015-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17459

1. 森勇介 (90252618)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 16件
2. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 40件
3. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 津坂佳幸 (20270473)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 伊藤智徳 (80314136)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
6. 今西正幸 (00795487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
7. 秋山亨 (40362363)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
8. 正直花奈子 (60779734)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 平松和政 (50165205)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 宇治原徹 (60312641)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 原田俊太 (30612460)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 烏山昌幸 (40628640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 岡野泰則 (90204007)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 沓掛健太朗 (00463795)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 森川良忠

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
17. 吉村政志

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
18. 今出完

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
19. 柿本浩一

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件

河村 貴宏 Kawamura Takahiro

研究課題

研究成果

共同研究者

潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高品質バルクGaN成長に適した気相成長条件および結晶成長プロセスの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

大型バルクGaN単結晶の開発に向けた結晶成長機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Computational discovery of stable phases of graphene and h-BN van der Waals heterostructures composed of group III-V binary compounds2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Activation free energies for formation and dissociation of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] First‐Principles Calculation of Bandgaps of Al1- xInxN Alloys and Short‐Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] First-principles study of the surface phase diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Mechanism for enhanced single-crystal GaN growth in the C-assisted Na-flux method2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

河村貴宏 Kawamura Takahiro