佐藤創志 SATO Soshi

研究者番号	80649749
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2013年度 – 2016年度: 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者信頼性物理 / キーワード / OBIRCH解析 / 発光解析 / 経時劣化絶縁破壊 / MOS構造 / 炭化ケイ素 / 破壊痕 / 絶縁破壊 / 酸化膜 / TZDB / TDDB / SiC … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る SiO2 / 絨毯爆撃状絶縁破壊痕 / 経時酸化膜絶縁破壊 / Hard Breakdown / Soft Breakdown / ＴＤＤＢ / ＭＯＳゲート絶縁膜 / 炭化ケイ素 / 断面TEM観察 / ヘテロ界面 / 発光解析 / 結晶欠陥 / GaN on Si(001) / SiC MOS / 透過型電子顕微鏡 / ヘテロエピタキシャル成長 / 結晶性 / ゲート絶縁膜 / 信頼性物理 / 表面・界面物理解析 / 絶縁破壊機構隠す

ワイドギャップ半導体ＭＩＳ構造における絨毯爆撃状絶縁破壊痕形成モデルの新構築研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤創志
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
新しいヘテロ界面形成による高性能・省エネルギートランジスタの基盤構築
- 研究代表者
  
  丹羽正昭
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2016 2015 2014 2013 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Failure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Gate Electrode2016
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Kikuo Yamabe, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 858 ページ: 485-488
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.858.485
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043, KAKENHI-PROJECT-25289082
[雑誌論文] Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor2016
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Kikuo Yamabe, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: 58 ページ: 185-191
- DOI
  10.1016/j.microrel.2015.09.016
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043
[雑誌論文] Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor2016
- 著者名/発表者名
  S. Sato, K. Yamabe, T. Endoh, M. Niwa
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: 58 ページ: 185-191
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[雑誌論文] Multiple breakdown model of carpet-bombing-like concaves formed during dielectric breakdown of silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors2014
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Yuki Hiroi, Kikuo Yamabe, Makoto Kitabatake, Tetsuo Endoh, and Masaaki Niwa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53
- NAID
  210000144325
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] SiC MOSキャパシタに見られる絨毯爆撃状破壊痕2016
- 著者名/発表者名
  佐藤創志
- 学会等名
  NWDTF in Sendai および通研プロジェクト合同委員会
- 発表場所
  東北大学　国際集積エレクトロニクス研究開発センター（仙台）
- 年月日
  2016-03-05
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] SiC MOSキャパシタに見られる絨毯爆撃状破壊痕2016
- 著者名/発表者名
  佐藤創志
- 学会等名
  NWDTF in Sendai および通研プロジェクト合同委員会
- 発表場所
  東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（宮城県仙台市）
- 年月日
  2016-03-05
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043
[学会発表] A Schottky barrier between SiC epitaxial layer and Al-C-Si alloy formed by dielectric breakdown of SiC MOS capacitor with aluminum electrode2016
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Kikuo Yamabe, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa
- 学会等名
  23rd International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
- 発表場所
  Marina Bay Sands, Singapole
- 年月日
  2016-07-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043
[学会発表] Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所2016
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、山部紀久夫、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第21回研究会）
- 発表場所
  東レ総合研修センター（静岡県三島市）
- 年月日
  2016-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043
[学会発表] Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所2016
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、山部紀久夫、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第21回研究会)
- 発表場所
  東レ研修センター　三島(静岡)
- 年月日
  2016-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] A shottky barrier between SiC epitaxial layer and Al-C-Si alloy formed by dielectric breakdown of SiC MOS capacitor with aluminum electrode2016
- 著者名/発表者名
  S. Sato, K. Yamabe, T. Endoh, M. Niwa
- 学会等名
  23 rd International Symposium on the the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
- 発表場所
  Manira Bay Sands, Singapore
- 年月日
  2016-07-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Effect of Series Resistance on Dielectric Breakdown Phenomenon of Silicon Carbide MOS Capacitor2015
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Kikuo Yamabe, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa
- 学会等名
  22nd International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits
- 発表場所
  Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043
[学会発表] Effect of series resistance on dielectric breakdown phenomenon of silicon carbide MOS capacitor2015
- 著者名/発表者名
  S. Sato, Y. Hiroi, K. Yamabe, M. Kitabatake, T. Endoh, M. Niwa
- 学会等名
  22nd International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
- 発表場所
  Lakeshore Hotel, Hsinchu (Republic of China)
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Failure Analysis of SiC MOS Capacitor with Poly‐Si Electrode2015
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Kikuo Yamabe, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043
[学会発表] Failure analysis of SiC MOS capacitor with poly-Si gate electrode2015
- 著者名/発表者名
  S. Sato, K. Yamabe, T. Endoh, M. Niwa
- 学会等名
  16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos (Italy)
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] SiC熱酸化膜MOSキャパシタの絶縁破壊痕表面における炭素の挙動2014
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  第61回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] SiC熱酸化膜MOS構造における特徴的な絶縁破壊痕の解析とモデル化2014
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会　─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会）
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] 熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価2013
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Carpet-Bombing-like Concaves on SiC MOS Capacitors Formed by Dielectric Breakdown2013
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Yuki Hiroi, Kikuo Yamabe, Makoto Kitabatake, Tetsuo Endoh, and Masaaki Niwa
- 学会等名
  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 発表場所
  University of Tsukuba, Tokyo Campus
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学　湘南キャンパス(神奈川県　平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Effect of Series Resistance on Dielectric Breakdown Phenomenon of Silicon Carbide MOS Capacitor
- 著者名/発表者名
  S. Sato, Y. Hiroi, K. Yamabe, M. Kitabatake, T. Endoh and M. Niwa
- 学会等名
  22nd International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
- 発表場所
  Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  2015-06-29 – 2015-07-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043
[学会発表] SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス (神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043

1. 丹羽正昭 (90608936)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
2. 蓮沼隆 (90372341)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 白石賢二 (20334039)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 山部紀久夫 (10272171)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件

佐藤 創志 SATO Soshi

研究課題

研究成果

共同研究者

ワイドギャップ半導体ＭＩＳ構造における絨毯爆撃状絶縁破壊痕形成モデルの新構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新しいヘテロ界面形成による高性能・省エネルギートランジスタの基盤構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Failure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Gate Electrode2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Multiple breakdown model of carpet-bombing-like concaves formed during dielectric breakdown of silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors2014

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[学会発表] SiC MOSキャパシタに見られる絨毯爆撃状破壊痕2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] SiC MOSキャパシタに見られる絨毯爆撃状破壊痕2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] A Schottky barrier between SiC epitaxial layer and Al-C-Si alloy formed by dielectric breakdown of SiC MOS capacitor with aluminum electrode2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] A shottky barrier between SiC epitaxial layer and Al-C-Si alloy formed by dielectric breakdown of SiC MOS capacitor with aluminum electrode2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Effect of Series Resistance on Dielectric Breakdown Phenomenon of Silicon Carbide MOS Capacitor2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Effect of series resistance on dielectric breakdown phenomenon of silicon carbide MOS capacitor2015

著者名/発表者名

学会等名

佐藤創志 SATO Soshi