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奥村 宏典  Okumura Hironori

研究者番号 80756750
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-5464-9169
所属 (現在) 2025年度: 筑波大学, 数理物質系, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2015年度 – 2024年度: 筑波大学, 数理物質系, 助教
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分30010:結晶工学関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
小区分30010:結晶工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 理工系
キーワード
研究代表者
窒化物半導体 / パワーデバイス / 高温デバイス / 接触抵抗 / AlN / イオン注入 / 縦型デバイス / 不純物拡散 / エッチング / 電子デバイス・機器 … もっと見る / 半導体物性 / 窒素極性面 / 高温熱処理 / 結晶成長 / 縦型素子 / 不純物ドーピング / ヘテロエピタキシャル成長 / 導電性 / MOCVD / 高品質結晶成長 / ワイドギャップ半導体 / 金属/半導体界面 / 高耐圧素子 / デバイスプロセス / 高温アニール / オーミック電極 / 点欠陥評価 / MOS構造 / トランジスタ / 熱酸化 / MESFET / Siドーピング / 表面処理 / SBD / MOSFET / エピタキシャル / 結晶工学 / 電子・電気材料 / 結晶品質 / 高温成長 / 有機金属気相成長法 / 分極効果トランジスタ / 酸化物半導体 / 有機金属気相成長 / 電界効果トランジスタ / アンモニアMBE / トンネル電流 / バックワードダイオード / 高濃度p型ドーピング / 格子欠陥 / 電気・電子材料 / アニール / 高電界効果トランジスタ / p型半導体 / 電気的特性評価 / 点欠陥 … もっと見る
研究代表者以外
イオン注入 / 陽電子消滅 / 点欠陥 / III族窒化物半導体 / II属窒化物半導体 / フォトルミネッセンス / 不純物活性化 / III属窒化物半導体 / 第一原理計算 / 電流誘起磁壁移動 / スピン移行トルク / 電流駆動磁壁移動 / 磁壁 / スピントロ二クス / 垂直磁気異方性 / 分子線エピタキシー / エピタキシャル成長 / x線磁気円二色性 / 磁化補償 / フェリ磁性体 / スピントロニクス / 結晶工学 / 結晶成長 / 格子欠陥 / 長周期InGaN/GaN超格子構造 / 捕獲 / キャリア / 欠陥 / 光熱偏光分光法 / X線回折 / 陽電子 / 0次元欠陥 / 理論計算 / 室温PL発光寿命 / 超格子構造 / キャリア捕獲 / 結晶特異構造 / 電気的特性 / 光学特性 / 結晶欠陥 / 光熱偏向分光法 / 陽電子消滅シミュレーション / 空孔型欠陥 / 結晶 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 研究成果

    (43件)
  • 共同研究者

    (16人)
  •  縦型窒化アルミニウム素子の作製技術の確立研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 宏典
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      筑波大学
  •  III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御

    • 研究代表者
      上殿 明良
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      筑波大学
  •  電流駆動超高速磁壁移動を実現する窒化物スピントロニクス材料

    • 研究代表者
      末益 崇
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2023
    • 研究種目
      国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      筑波大学
  •  超高耐圧素子実現に向けた窒化アルミニウム素子作製の技術基盤の構築研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 宏典
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      筑波大学
  •  窒素極性面AlNの接触抵抗低減と分極効果トランジスタの実現研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 宏典
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2018
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      筑波大学
  •  陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価

    • 研究代表者
      上殿 明良
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      筑波大学
  •  InAlN層におけるデバイスプロセス中に発生した欠陥評価とその電気的特性への影響研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 宏典
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      研究活動スタート支援
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      筑波大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Mg implantation in AlN layers on sapphire substrates2023

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Uedono Akira
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: 2 ページ: 020901-020901

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acb898

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02166, KAKENHI-PROJECT-23K21082
  • [雑誌論文] Temperature dependence of electrical characteristics of Si-implanted AlN layers on sapphire substrates2023

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Watanabe Yasuhiro、Shibata Tomohiko
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 16 号: 6 ページ: 064005-064005

    • DOI

      10.35848/1882-0786/acdcde

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26556
  • [雑誌論文] Impurity diffusion in ion implanted AlN layers on sapphire substrates by thermal annealing2022

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Watanabe Yasuhiro、Shibata Tomohiko、Yoshizawa Kohei、Uedono Akira、Tokunaga Hiroki、Koseki Shuuichi、Arimura Tadanobu、Suihkonen Sami、Palacios Tom?s
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: 2 ページ: 026501-026501

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac47aa

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02166, KAKENHI-PROJECT-23K21082
  • [雑誌論文] Optical and electrical properties of silicon-implanted α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>2021

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Jinno Riena、Uedono Akira、Imura Masataka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: 10 ページ: 106502-106502

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac21af

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K21082
  • [雑誌論文] Growth of double-barrier β-(AlGa)2O3/Ga2O3 structure and heavily Sn-doped Ga2O3 layers using molecular-beam epitaxy2020

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 7 ページ: 075503-075503

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab9a8b

    • NAID

      120007169672

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [雑誌論文] Dry and wet etching for β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with mesa termination2019

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Tanaka Taketoshi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 12 ページ: 120902-120902

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab4f90

    • NAID

      120007132688

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [雑誌論文] Fabrication of an AlN ridge structure using inductively coupled Cl2/BCl3 plasma and a TMAH solution2019

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 2 ページ: 026502-026502

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaf78b

    • NAID

      210000135293

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [雑誌論文] Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)2O3 (010)2019

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Kato Yuji、Oshima Takayoshi、Palacios Tomas
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SB ページ: SBBD12-SBBD12

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab002b

    • NAID

      210000135426

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [雑誌論文] Nitrogen-Polar Polarization-Doped Field-Effect Transistor Based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC With Drain Current Over 100 mA/mm2019

    • 著者名/発表者名
      Lemettinen Jori、Chowdhury Nadim、Okumura Hironori、Kim Iurii、Suihkonen Sami、Palacios Tomas
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 40 号: 8 ページ: 1245-1248

    • DOI

      10.1109/led.2019.2923902

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PROJECT-19H02166
  • [雑誌論文] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, Y. Zhang, D. Piedra, and T. Palacios
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57

    • NAID

      210000149017

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [雑誌論文] MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC2018

    • 著者名/発表者名
      J. Lemettinen、H. Okumura、I. Kim、M. Rudzinski、J. Grzonka、T. Palacios、S. Suihkonen
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 487 ページ: 50-56

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.02.020

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110, KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [雑誌論文] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura、S. Suihkonen、J. Lemettinen、A. Uedono、Y. Zhang、D. Piedra、T. Palacios
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FR11-04FR11

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fr11

    • NAID

      210000149017

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110, KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [雑誌論文] N-polar AlN buffer growth by metal organic vapor phase epitaxy for transistor applications2018

    • 著者名/発表者名
      Lemettinen Jori、Okumura Hironori、Palacios Tomas、Suihkonen Sami
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 11 号: 10 ページ: 101002-101002

    • DOI

      10.7567/apex.11.101002

    • NAID

      210000136358

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [雑誌論文] MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality2018

    • 著者名/発表者名
      J. Lemettinen、H. Okumura、I. Kim、C. Kauppinen、T. Palacios、S. Suihkonen
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 487 ページ: 12-16

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.02.013

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110, KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in Mg-doped GaN grown by ammonia-based molecular beam epitaxy probed using a monoenergetic positron beam2016

    • 著者名/発表者名
      Akira Uedono, Marco Malinverni, Denis Martin, Hironori Okumura, Shoji Ishibashi, Nicolas Grandjean
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 119 号: 24 ページ: 245702-245702

    • DOI

      10.1063/1.4954288

    • NAID

      120007129545

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H06070
  • [雑誌論文] Backward diodes using heavily Mg-doped GaN growth by ammonia molecular-beam epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Denis Martin, Marco Malinverni, Nicolas Grandjean
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 108 号: 7 ページ: 072102-072102

    • DOI

      10.1063/1.4942369

    • NAID

      120007135561

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H06070
  • [雑誌論文] Low p-type contact resistance by field-emission tunneling in highly Mg-doped GaN2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Denis Martin, Nicolas Grandjean
    • 雑誌名

      Applied Physics Letter

      巻: 109 号: 25 ページ: 252101-252101

    • DOI

      10.1063/1.4972408

    • NAID

      120007135102

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H06070
  • [産業財産権] 導電性AlNエピタキシャル膜付き基板及びその製造方法2020

    • 発明者名
      奥村 宏典 , 柴田 智彦 , 渡邊 康弘
    • 権利者名
      奥村 宏典 , 柴田 智彦 , 渡邊 康弘
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2020-196391
    • 出願年月日
      2020
    • 取得年月日
      2022
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02166
  • [学会発表] High-temperature and high-power devices using AlN2024

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Yasuhiro Watanabe, Tomohiko Shibata, Akira Uedono, Jori Lemettinen, Sami Suihkonen, and Tomas Palacios
    • 学会等名
      ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26556
  • [学会発表] 1000 K operation of SBDs and MESFETs with Si-implanted AlN channel2023

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Yasuhiro Watanabe, and Tomohiko Shibata
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26556
  • [学会発表] (AlGa)2O3/Ga2O3 resonant tunneling diodes2020

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2020
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02166
  • [学会発表] ベータ型(AlGa)2O3/Ga2O3 共鳴トンネルダイオードの作製2020

    • 著者名/発表者名
      奥村宏典
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs2019

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, Y. Kato, T. Oshima, and T. Palacios,
    • 学会等名
      2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs2019

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Yuji Kato, Takayoshi Oshima, Tomas Palacios
    • 学会等名
      2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02166
  • [学会発表] Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Jori Lemettinen, Sami Suihkonen, Tomas Palacios
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [学会発表] Demonstration of beta-(AlGa) 2 O 3 (010) metal-semiconductor field-effect transistors with high breakdown voltage over 900 V2018

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Yuji Kato,Takayoshi Oshima, Tomas Palacios
    • 学会等名
      2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [学会発表] Progress and Challenges of Crystal Growths and Devices for Wide Band-gap Semiconductors over 5 eV2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura
    • 学会等名
      Seminar, Ohio State University
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] Nitrogen-face AlN-based field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Jori Lemettinen, Sami Suihkonen, Tomas Palacios
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [学会発表] Demonstration of beta-(AlGa)2O3 (010) metal-semiconductor field-effect transistors with high breakdown voltage over 900 V2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, Y. Kato, T. Oshima, T. Palacios
    • 学会等名
      2018 Int. Conf. Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] AlN-channel metal-semiconductor field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, and T. Palacios
    • 学会等名
      MARC 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [学会発表] Nitrogen-face AlN-based field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, J. Lemettinen, S. Suihkonen, T. Palacios
    • 学会等名
      45th Int. Sym. Compound Semiconductors, 30th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, Compound Semiconductor Week 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, J. Lemettinen, S. Suihkonen, T. Palacios
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] MOVPE growth of nitrogen-polar AlN on C-face 4H-SiC with miscut2017

    • 著者名/発表者名
      J. Lemettinen, H. Okumura, T. Palacios, and S. Suihkonen
    • 学会等名
      12th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [学会発表] Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, and T. Palacios
    • 学会等名
      12th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [学会発表] Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, and T. Palacios
    • 学会等名
      12th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, T. Palacios
    • 学会等名
      2017 Material Research Society Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, and T. Palacios
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, and T. Palacios
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [学会発表] MOVPE growth of nitrogen-polar AlN on C-face 4H-SiC with miscut2017

    • 著者名/発表者名
      J. Lemettinen, H. Okumura, T. Palacios, and S. Suihkonen
    • 学会等名
      12th Int. Conf. on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06424
  • [学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, T. Palacios,
    • 学会等名
      2017 Material Research Society Fall meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14110
  • [学会発表] Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Marco Malinverni, Denis Martin, and Nicolas Grandjean
    • 学会等名
      19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2016-09-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H06070
  • [学会発表] High p-type GaN for advanced optoelectronic devices2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Denis Martin, Marco Malinverni, Nicolas Grandjean
    • 学会等名
      2016 IEEE PHOTONICS CONFERENCE, 29TH ANNUAL CONFERENCE OF THE IEEE PHOTONICS SOCIETY
    • 発表場所
      Hilton Waikoloa Village Waikoloa, Hawaii USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H06070
  • [学会発表] Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Okumura, Marco Malinverni, Denis Martin, and Nicolas Grandjean
    • 学会等名
      2016 Materials Research Societies Fall meeting,
    • 発表場所
      Boston US
    • 年月日
      2016-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H06070
  • 1.  上殿 明良 (20213374)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 9件
  • 2.  石橋 章司 (30356448)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  PALACIOS Tomas
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 11件
  • 4.  SUIHKONEN Sami
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 10件
  • 5.  末益 崇 (40282339)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  大島 永康 (00391889)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 7.  角谷 正友 (20293607)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  本多 周太 (00402553)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  中堂 博之 (30455282)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  柳原 英人 (50302386)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  秩父 重英 (80266907)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  堀田 昌宏 (50549988)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  井村 将隆 (80465971)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  大島 孝仁
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 15.  GRANDJEAN Nicolas
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 16.  Kakanakova Anelia
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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