出来真斗 DEKI Manato

研究者番号	80757386
所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, ディープテック・シリアルイノベーションセンター, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度: 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 2015年度 – 2020年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 工学 / 理工系
キーワード	研究代表者表面・界面物性 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 絶縁膜 / 電子工学 / SBD / GaN / Deep Levels / Power Device / GaN-MIS … もっと見る / GaN SBD / 界面準位 / MOSFET / SSPC / DLOS / DLTS / 深い準位 / 窒化ガリウム … もっと見る研究代表者以外発光ダイオード / ランタノイド / 窒化ガリウム半導体 / 量子センシング / 量子技術 / 量子ビーム科学 / 材料科学 / 半導体工学 / 電子線励起電流 / 電子線励起深紫外レーザ / ソーラーブラインド紫外線検出器 / バルクAlN / ナノカーボン電極 / 分極半導体 / グラフェン / カーボンナノチューブ / 低加速電圧SEM / 分極電荷エンジニアリング / 電子線ホログラフィ / バルクAlN基板 / 深紫外発光素子 / ナノワイヤ / 深紫外 / 分極ドーピング / 熱処理 / ナノカーボン / 結晶成長その場観察 / AlGaN / AlN / 電気・電子材料隠す

量子センサーの電気的制御を室温で実現するランタノイド注入GaNダイオード
- 研究代表者
  
  佐藤真一郎
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
光容量法を用いたⅢ-V族系半導体結晶における深い欠陥準位の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  出来真斗
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  名古屋大学

すべて 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride2020
- 著者名/発表者名
  Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Tomoaki Nishimura, Barnt C. Gibson, Andrew D. Greentree, Hiroshi Amano, and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Optical Materials Express
  
  巻: 10 号: 10 ページ: 2614-2623
- DOI
  10.1364/ome.401765
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483, KAKENHI-PROJECT-17KK0137
[雑誌論文] Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures2020
- 著者名/発表者名
  Sato Shin-ichiro、Deki Manato、Nishimura Tomoaki、Okada Hiroshi、Watanabe Hirotaka、Nitta Shugo、Honda Yoshio、Amano Hiroshi、Ohshima Takeshi
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
  
  巻: 479 ページ: 7-12
- DOI
  10.1016/j.nimb.2020.06.007
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579, KAKENHI-PROJECT-18H01483
[雑誌論文] Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride2019
- 著者名/発表者名
  Sato Shin-ichiro、Deki Manato、Nakamura Tohru、Nishimura Tomoaki、Stavrevski Daniel、Greentree Andrew D.、Gibson Brant C.、Ohshima Takeshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 5 ページ: 051011-051011
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab142b
- NAID
  210000155663
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[雑誌論文] Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Tadashi Mitsunari, Akira Tamura, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146522
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with AlN seed layer by pulsed-mode metalorganic vapor2016
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae , B. O. Jung , K. Lekhal , S. Y. Kim , J. Y. Lee , D. S. Lee , M. Deki , Y. Honda and H. Amano
- 雑誌名
  
  CrysEngComm
  
  巻: 18 号: 9 ページ: 1505-1514
- DOI
  10.1039/c5ce02056e
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum2015
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae, B. O. Jung, K. Lekhal, D. S. Lee, M. Deki, Y. Honda and H. Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146528
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[産業財産権] 温度検出装置、温度センサ、温度検出方法、および温度検出プログラム2022
- 発明者名
  佐藤真一郎、出来真斗、西村智朗
- 権利者名
  量子科学技術研究開発機構
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[産業財産権] 温度センサ、温度検出装置、温度検出方法、温度検出プログラム、および温度センサの製造方法2022
- 発明者名
  佐藤真一郎、出来真斗、西村智朗
- 権利者名
  量子科学技術研究開発機構
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[産業財産権] 温度検出装置、温度センサ、温度検出方法、および温度検出プログラム2021
- 発明者名
  佐藤真一郎、出来真斗、西村智朗
- 権利者名
  量研、名古屋大学、法政大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-032894
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[産業財産権] 温度センサ、温度検出装置、温度検出方法、温度検出プログラム、および温度センサの製造方法2021
- 発明者名
  佐藤真一郎、出来真斗、西村智朗
- 権利者名
  量研、名古屋大学、法政大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-032895
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] Quantum Sensing Using Lanthanoid Doped Gallium Nitride2021
- 著者名/発表者名
  Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Shuo Li, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson, Hiroshi Amano, and Takeshi Ohshima
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] 窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利用したナノスケール領域温度計測2021
- 著者名/発表者名
  佐藤　真一郎、出来　真斗、西村　智朗、渡邉　浩崇、新田　州吾、本田　善央、天野　浩、Andrew D. Greentree、Brant C. Gibson、大島　武
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] Photon Emission Enhancement of Praseodymium Ions Implanted with GaN Nanopillars2020
- 著者名/発表者名
  Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Shuo Li, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson, Tomoaki Nishimura, Takeshi Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] Enhanced Photon Extraction from Praseodymium Ions Implanted with Gallium Nitride NanopillarsARS2020
- 著者名/発表者名
  Shin-ichiro Sato, Shuo Li, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, Hiroshi Amano, and Takeshi Ohshima
- 学会等名
  4th QST International Symposium
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] 窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅2020
- 著者名/発表者名
  佐藤真一郎、出来真斗、Shuo Li、渡邉浩崇、新田州吾、本田善央、西村智朗、Brant C. Gibson、Andrew D. Greentree、天野浩、大島武
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] Photoluminescence Properties of Implanted Praseodymium into Gallium Nitride at Elevated Temperature2019
- 著者名/発表者名
  Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Hiroshi Okada, Takeshi Ohshima
- 学会等名
  23rd International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions (IISC-23)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] Luminescence Properties of Implanted Nd Ions into Submicron Regions of GaN Semiconductor2019
- 著者名/発表者名
  Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, Takeshi Ohshima
- 学会等名
  29th Annual Meeting of MRS-J
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] Crystal plane dependence of interface states density in c- and m-plane GaN MOS capacitors2018
- 著者名/発表者名
  Manato Deki, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda1, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  第79回応用物理学会　秋季学術講演回
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18077
[学会発表] Improvement of Electrical Stability of ALD-Al203/GaN Interface by UV/03 Oxidation and Postdeposition Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Manato Deki、Kazushi Sone、Kenta Watanabe, Fumiya Watanabe, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18077
[学会発表] オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価2018
- 著者名/発表者名
  出来真斗，安藤悠人，渡邉浩崇，田中敦之，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18077
[学会発表] Photoluminescence Properties of Praseodymium Ions Implanted into Micro-Regions in Gallium Nitride2018
- 著者名/発表者名
  Sato Shin-ichiro、Deki Manato、Nakamura Tohru、Nishimura Tomoaki、Stavrevski Daniel、Gibson Brant、Ohshima Takeshi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] 窒化ガリウムの微小領域にイオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測2018
- 著者名/発表者名
  佐藤真一郎、出来真斗、中村徹、西村智朗、大島武
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01483
[学会発表] GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響2018
- 著者名/発表者名
  出来真斗,曾根和詩,永松謙太郎,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18077
[学会発表] Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors2017
- 著者名/発表者名
  M. Deki, K.Sone, J. Matsushita, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18077
[学会発表] Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors2017
- 著者名/発表者名
  M. Deki, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18077
[学会発表] Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes2017
- 著者名/発表者名
  M. Deki, Y. Ando, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano
- 学会等名
  10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18077
[学会発表] Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors2017
- 著者名/発表者名
  Manato Deki, Kazushi Sone, Junya Matsushita, Kentarou Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  France
- 年月日
  2017-07-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18077
[学会発表] Reduction of Residual Carbon on Un-doped GaN Grown using Metal Organic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Zheng Ye, Zheng Sun, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOHVPE法により成長したGaN膜中の光容量測定2015
- 著者名/発表者名
  出来真斗、叶正、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Compatibility of hydride vapor phase epitaxy process with synthesis of horizontal and vertical GaN nanowires2015
- 著者名/発表者名
  Kaddour Lekhall, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Zheng Sun, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Structural and optical study of core-shell InGaN layers of GaN nanorods on Si substrates via pulsed-mode MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal Dong-Seon Lee, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011

1. 天野浩 (60202694)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
2. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
3. 大野雄高 (10324451)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 成塚重弥 (80282680)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 竹内哲也 (10583817)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 岩谷素顕 (40367735)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 福山博之 (40252259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 佐藤真一郎 (40446414)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
10. 田中成泰 (70217032)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 西村智朗 (80388149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
12. 岡田浩

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
13. BAE Si-Young

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

出来 真斗 DEKI Manato

研究課題

研究成果

共同研究者

量子センサーの電気的制御を室温で実現するランタノイド注入GaNダイオード

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光容量法を用いたⅢ-V族系半導体結晶における深い欠陥準位の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with AlN seed layer by pulsed-mode metalorganic vapor2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum2015

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[産業財産権] 温度検出装置、温度センサ、温度検出方法、および温度検出プログラム2022

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] 温度センサ、温度検出装置、温度検出方法、温度検出プログラム、および温度センサの製造方法2022

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] 温度検出装置、温度センサ、温度検出方法、および温度検出プログラム2021

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 温度センサ、温度検出装置、温度検出方法、温度検出プログラム、および温度センサの製造方法2021

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] Quantum Sensing Using Lanthanoid Doped Gallium Nitride2021

出来真斗 DEKI Manato