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仁田 昌二  NITTA Shoji

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90021584
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1998年度 – 2002年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
1993年度 – 1994年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
1990年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
1988年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子材料工学 / 応用物性
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 核・宇宙線・素粒子
キーワード
研究代表者
ESR / FSM-16 / TEOS / TICS / PLAS / 光ルミネッセンス / detection of heavy particles / layer-by-layer method / low dielectric constant media / photoconductor … もっと見る / oxynitride carbon / carbon nitride / amorphous semiconductors / carbon related materials / 酸素プラズマ / 薄膜 / 光感度 / 重粒子の検出 / レイヤー・バイ・レイヤー法 / 低誘電率媒体 / 光伝導体 / 酸化窒化炭素 / 窒化炭素 / アモルファス半導体 / 炭素系材料 / X-ray small angle scattering / luminescence / C_<70> / C_<60> / quantum size effect / embed / 近視場顕微鏡 / ナノ構造 / フラーレン / メゾ・ポーラス / ゼオライト / X線小角散乱 / ルミネッセンス / C70 / C60 / 量子サイズ効果 / 閉じ込め / a-SiO2 / a-Si3N4+x : H / absorption coefficient / photoluminescence / amorphous silicon a-Si : H / ITO / スパッタ金属 / シミュレーション / 光導波路 / アモルファス・シリコン / a-SiO_2 / a-Si_3N_4:H / 吸収係数 / アモルファスシリコンa-Si:H / 基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置 / 障壁層の酸化 / 高真空化 / 多重反射 / 井戸層ゆらぎ / アモルファス半導体超格子 / 原子状水素 / 界面欠陥 / aーSiO_2 / aーSi_3N_4 / aーSi:H / 低エネルギ光吸収 / PLAS法 … もっと見る
研究代表者以外
Coefficient of linear expansion / Microcrystalline silicon / Initial stress / Amorphous lattice relaxzation / Laser optical-lever bending method / Photodegradation / Hydrogenated amorphous silicon / Light-induced expansion / 格子緩和 / 可逆現象 / アモルファス構造変化 / ベンディング法 / 線膨張係数 / 微結晶シリコン / 初期応力 / アモルファス格子緩和 / レーザー光てこベンディング法 / 光劣化 / 水素化アモルファスシリコン / 光誘起膨張 / 測定器開発 / 素粒子実験 / Radiation damage / 放射線検出器 / アモルファスシリコン半導体 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  窒素ラディカル・スパッタ法によるアモルファス窒化炭素の創製と光伝導への応用研究代表者

    • 研究代表者
      仁田 昌二
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      岐阜大学
  •  ゼオライトFSM-16中への1次元半導体C_<60>,C_<70>の創生、そのナノ物性と応用研究代表者

    • 研究代表者
      仁田 昌二
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      岐阜大学
  •  水素化アモルファスシリコンの光劣化により生ずる光誘起膨張に関する研究

    • 研究代表者
      野々村 修一
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      岐阜大学
  •  PLAS法によるa-Si:H/aSi_3N_4:H界面の動的性質の解明研究代表者

    • 研究代表者
      仁田 昌二
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      岐阜大学
  •  PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究研究代表者

    • 研究代表者
      仁田 昌二
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      岐阜大学
  •  荷電粒子検出用高感度アモルファスシリコン半導体の開発

    • 研究代表者
      田坂 茂樹
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      核・宇宙線・素粒子
    • 研究機関
      岐阜大学
  •  アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良研究代表者

    • 研究代表者
      仁田 昌二
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      岐阜大学
  • 1.  野々村 修一 (80164721)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  伊藤 貴司 (00223157)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  田坂 茂樹 (60155059)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  中澤 和馬 (60198059)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  中島 一久 (80164177)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  荻原 千聡 (90233444)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  吉田 憲充 (70293545)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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