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川辺 秀昭  KAWABE Hideaki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90028978
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1989年度 – 1992年度: 大阪大学, 工学部, 教授
1987年度: 大阪大学, 工学部, 教授
1986年度: 阪大, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
金属材料
研究代表者以外
金属材料
キーワード
研究代表者
Interfacial reactions of Al / Atomic structures of amorphous silicon carbide films / Ion beam sputtering device / metal multiple layered films / Ceramics / アモルファス炭化ケイ素 / 界面反応 / アモルファス薄膜界面 / 金属 / 多層薄膜 … もっと見る / イオンビームスパッター蒸着 / 非晶質炭化ケイ素多層膜の界面反応 / A1 / 非晶質炭化ケイ素薄膜の原理的構造 / イオンビームスパック装置 / 金属多層薄膜 / セラミックス / Quantum-size effect / Heterostructure energy-band diagram / Optical absorption / X-ray small angle scattering / Amorphous semiconductor superlattices / Amorphous semiconductor films / 真空紫外光電子分光 / 結晶化 / 量子サイズ効果 / ヘテロ接合界面エネルギ-バンド図 / 光学吸収 / X線小角散乱 / アモルファス半導体超格子 / アモルファス半導体薄膜 … もっと見る
研究代表者以外
photoluminescence / strained quantum well / phase locked epitaxy / semiconductor laser / 位相制御エピタキシ- / 半導体レ-ザ / フォトルミネッセンス / 歪み量子井戸 / 位相制御エピタキシー / 半導体レーザ 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発

    • 研究代表者
      芳井 熊安
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      金属材料
    • 研究機関
      大阪大学
  •  aーSi:H/aーSiC:H超格子薄膜の構造と物性に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      川辺 秀昭
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      金属材料
    • 研究機関
      大阪大学
  •  セラミックスと金属との超格子薄膜による高強度延性セラミックス材の開発研究代表者

    • 研究代表者
      川辺 秀昭
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      金属材料
    • 研究機関
      大阪大学
  • 1.  安武 潔 (80166503)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  芳井 熊安 (30029152)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  垣内 弘章 (10233660)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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