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宮里 達郎  MIYASATO Tatsuro

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

宮本 達郎  ミヤモト タツロウ

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研究者番号 90029900
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2001年度: 九州工業大学, 情報工学部, 学長
1993年度 – 2001年度: 九州工業大学, 情報工学部, 教授
1987年度 – 1990年度: 九州工業大学, 情報工学部, 教授
1986年度: 大阪大学, 産業科学研究所, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子材料工学
研究代表者以外
応用物性 / 表面界面物性 / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 電子材料工学
キーワード
研究代表者
ヒートパルス / 水素プラズマ / 3C-SiC / bolometer / Heat-pulse / シリコン結晶 / デコンボリューション / ブレークスルー / SiGe系 / SiGe … もっと見る / HEMT / エピタキシャル成長 / 三次元量子効果 / DEFORMED CRYSTAL SILICON / MAGNETIC CONTROL / LOW TEMPERATURE DEPOSITION / COMPOUND SEMICONDUCTOR / POLY-CRYSTAL SILICON FILM / FINE PARTICLE OF CRYSTAL SILICON / HYDROGEN PLASMA SPUTTERING / 粒径25 / 光伝導性 / シリコン発光作用 / 閉じ込め効果 / 超微粒子 / 低温基板 / 反応性高周波スパッタリング / シリコン / 磁場効果 / 配向制御 / 低温半導体薄膜成長 / II-VI族化合物半導体 / 多結晶シリコン薄膜 / 超微粒子シリコン薄膜 / 歪み格子 / 磁界制御 / 低温結晶成長 / 化合物半導体膜 / 多結晶シリコン膜 / 超微粒子シリコン結晶 / 水素プラズマスパッタリング法 / interdiffusion / GeC buffer layer / stress / low-temperature growth / silicon substrate / sputtering / hydrogen plasma / silicon carbide / 成長メカニズム / 欠陥 / 初期段階 / 内部応力 / 3C-SiC薄膜 / 格子不整合 / 活性化エネルギー / 成長初期段階 / プラズマスパッタリング / 界面ストレス / Si界面 / SiC / 低温成長 / GeCバッファ層 / シリコン基板 / スパッタリング / 炭化珪素 / break-through / epitaxial-growth / tunneling-device / decomlution / GaAlAs系 / GaAs / 短いパルス / トンネル電流 / エピタキシャル薄膜 / トンネル素子 / 超伝導ボロメータ / phonon-pulse penetration / diffused-phonon / oxgen-consentration / FZ / CZ / decombolution / 真のエコーシグナル / 顆粒状アルミ薄膜 / 超伝導薄膜ボロメータ / 微細加工技術 / 超高周波パルスフォノン / 定量的測定 / 熱処理 / フォノン散乱 / 分解能 / 酸素誘起欠陥 / シリコンウェハ / 酸素分子 / シリコンウエハ / 酸素濃度 / 超伝導ポロメータ / フォノンパルス / phonon detection / phonon mode conversion / RF-sputtering / strained boundary / Al thin film bolometer / heat pulse phonon / high frequency phonon / SiGe system thin film / 多層膜 / モード変換 / Si / 格子歪 / ヒーター / 熱フォノン / Si膜 / 不規則表面 / 時間分解能 / 応答関数 / アルミ薄膜 / ボロメータ / フォノンモード変換 / 高周波スパッター / 歪みを伴う界面 / アルミボロメータ / ヒートパルス・フォノン / SiGe系薄膜 / 超高周波フォノン / epitaxial growth / luminescent device / II-VI compound semiconductor films / Raman Spectroscopy / distorted Si crystal / hydrogen plasma chemical sputtering / microcrystalline Si / 3D quantum size effect / 二次電子効果 / 粒径1nm / 新物性 / 歪結晶 / 水素プラズマスペッタリング法 / 極限微粒子 / 微粒子シリコン / 発光素子 / 水素プラズマケミカルスパッタ-法 / 発熱素子 / IIーVI族化合物半導体 / ラマン分光 / 歪みシリコン結晶 / 水素プラズマケミカルスパッター法 / 超微粒子シリコン … もっと見る
研究代表者以外
Metallization / Carbide / Silicide / <beta>-SiC / Silicon-carbide / 金属 / β-SiCのMIS / β-SiCの電子分光 / β-SiC表面構造 / シリコンカーバイト / β-BiC / LEED・AES分析 / メタライゼーション / カーバイド / シリサイド / B-SiC / シリコンカーバイド / Crystallinity / Oxygen / Impurity / Silicon substrate / Low temperature / Epitaxial growth / Hydrogen plasma / Silicon carbide / 成長メカニズム / 欠陥 / ドーピング / 不純物酸素 / スパッタリング / 3C-SiC薄膜 / 結晶性 / 酸素 / 不純物 / シリコン基板 / 低温 / エピタキシャル成長 / 水素プラズマ / 炭化珪素 / Superionic Conduction Mechanism / 超イオン伝導機構 / Band Gap / Cluster / Sputtering / Three-Dimensional Quantum Effect / Luminescence Mechanism / Room Temperature Visible Photoluminescence / Ultra-Fine Particle / Silicon / ポリシラン合金 / 水素プラズマ・スパッタ / 層状弾性表面波素子 / 赤外吸収 / 微結晶 / ラマン散乱 / バンドギャップ / クラスタ- / スパッタ / 3次元量子効果 / 発光機構 / 室温可視発光 / 超微結晶 / シリコン 隠す
  • 研究課題

    (10件)
  • 共同研究者

    (24人)
  •  シリコン基板上3C-SiC薄膜の低温成長研究代表者

    • 研究代表者
      宮里 達郎
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  3C-SiC薄膜エピ成長における不純物酸素の影響に関する研究

    • 研究代表者
      孫 勇
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  トンネル素子における散乱機構のフォノンパルスによる研究研究代表者

    • 研究代表者
      宮里 達郎
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  超高周波フォノンによるシリコン中の酸化誘起積層欠陥に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      宮里 達郎
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  回転アニオンをもつイオン結晶の超イオン伝導

    • 研究代表者
      延谷 宏治
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ヘテロ構造界面における異常歪効果のフォノン散乱による研究研究代表者

    • 研究代表者
      宮里 達郎
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  三次元量子井戸効果を示すシリコン水素合金結晶に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      宮里 達郎
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  シリコン超微結晶発光機構の研究

    • 研究代表者
      古川 昌司
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  磁界制御水素プラズマスパッタリング法による電子材料作成に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      宮里 達郎
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  単結晶B-SiC表面およびMIS構造の電子分光法と電気的特性による評価

    • 研究代表者
      溝川 悠介
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      大阪府立大学
  • 1.  孫 勇 (60274560)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  古川 昌司 (30199426)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  浅野 種正 (50126306)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  斗内 政吉 (40207593)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  西谷 龍介 (50167566)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  延谷 宏治 (70156222)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  溝川 悠介 (90094515)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  今村 恭己 (60037950)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  SAHRAOUIーTAH ターハー エム
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  JONES B.K.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  WIGMORE J.Ke
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  KRIER Anthon
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  JONES Brian
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  WIGMORE Keit
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  MEREDITH Dav
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  MEREDITH David j
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  M.SAHRAOUI T
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  J.KEITH Wigm
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  TAHAR M.Sahr
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  KRIER A.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  JONES R.K
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  WIGMORE J.K
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  小茂田 治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  KOMODA Osamu
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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