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片山 佐一  KATAYAMA Saichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90067398
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1989年度 – 1992年度: 関西大学, 工学部, 教授
1986年度 – 1987年度: 関西大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者以外
電子材料工学
キーワード
研究代表者以外
イオン注入 / 歪効果 / 欠陥構造 / 磁気構造 / 超伝導遷移 / 酸化物高温超伝導材 / Impurity / 電気特性 / 不純物 / 酸素効果 … もっと見る / 低温原子炉照射 / Compound Semiconductors / 微小元素分析 / 電気的特性 / 化合物半導体 / Silicon / Electrical Activity / Diffusion / Ion Implantation / 転位 / 注入不純物の電気的活性化制御 / 二次イオン質量分析 / ラザフォ-ド後方散乱 / ボロン / ひ素 / 拡散 / XPS / RBS / 半導体 / シリコン / 活性化抑制 / 拡散抑制 / 中性子照射 / 電子線照射 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  高温超伝導材料の特性・構造に及ぼす照射効果・歪効果

    • 研究代表者
      川瀬 洋一
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  ボロンイオン注入によるシリコンにイオン注入されたひ素の活性化と拡散の抑制の研究

    • 研究代表者
      横田 勝弘
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      関西大学
  •  高温超伝導材料の特性・構造に及ぼす照射効果・歪効果

    • 研究代表者
      川瀬 洋一
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  高温超伝導材料の特性・構造に及ぼす照射効果・歪効果

    • 研究代表者
      吉田 博行
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  ブリジマン法による半絶縁性カドミテルライドの大型結晶の成長に関する研究

    • 研究代表者
      横田 勝弘
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      関西大学
  • 1.  小原 孝夫 (70107986)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  那須 三郎 (00030057)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  下村 義治 (40033831)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  横田 勝弘 (50067617)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  川瀬 洋一 (60027448)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  跡部 紘三 (90027467)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  田村 進 (10067754)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  吉田 博行 (00027442)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  奥田 勉 (20033847)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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