斉藤敏夫 SAITO Toshio

… 別表記

斎藤敏夫サイトウトシオ

齋藤敏夫サイトウトシオ

研究者番号	90170513
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2006年度 – 2007年度: 東京大学, 国際・産学共同研究センター, 助教 2005年度: 東京大学, 国際・産学共同研究センター, 助手 2002年度 – 2003年度: 東京大学, 国際産学共同研究センター, 助手 1996年度 – 2003年度: 東京大学, 国際・産学共同研究センター, 助手 2001年度: 国際産学共同研究センター, 助手 … もっと見る 1997年度: 国際, 産学共同研究センター, 助手 1997年度: 国際産学協同研究センター, 助手 1997年度: 東京大学, 国際産学共同研究センター, 助手 1996年度: 東京大学, 国際・産学共同センター, 助手 1996年度: 東京大学, 国際産学共同センター, 助手 1989年度 – 1995年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手 1986年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 表面界面物性 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子材料工学
キーワード	研究代表者電子構造 / 量子ドット / 強結合法 / GaN / quantum dot / InAs / 半導体レーザ / piezoelectric effect / electronic structure / 窒化ガリウム … もっと見る / ピエゾ効果 / tight-binding method / バンド不連続量 / アルミニウム砒素 / ガリウム砒素 / light polarization / semiconductor optical amplifier / semiconductor lasers / wave functions / quantum dots / semiconductor physics / VFF法 / 格子歪 / GaAs / 圧電効果 / 偏光 / 半導体光増幅器 / 波動関数 / 半導体物性 / oscillation performance / semiconductor laser / electronic structures / strain distribution / piezoelectric polarization / spontaneous polarization / 半導体レーザー / 発振特性 / 歪分布 / ピエゾ分極 / 自発分極 / wave function overlap / Stark effect / fight-binding method / lnGaN / 重なり積分 / シュタルク効果 / InGaN / quantum confinement / valence-force-field method / indium gallium nitride / gallium nitride / nitride semiconductors / 量子閉じ込め効果 / 混晶 / 窒化インジウム / 量子閉じ込め / 価電子力場法 / 窒化インジウムガリウム / 窒化物半導体 / Tight-Binding Method / Band Offset / Semiconductor Interface / Piezo-Effect / Ultra Thin Film / Aluminium Arsenide / Indium Arsenide / Gallium Arsenide / カリウム砒素 / 半導体界面 / 超薄膜 / インジウム砒素 / face orientation / photoelectron spectroscopy / silicon / band discontinuity / aluminum arsenide / gallium arsenide / hetero-junction / 面方位 / 光電子分光法 / シリコン / ヘテロ接合 … もっと見る研究代表者以外 MOSFET / SOI / 半導体ヘテロ構造 / Gallium Arsenide / GaN / MOCVD / ガリウムム素 / 遠赤外光 / ガリウムひ素 / プラズモン / ホットエレクトロン / テラヘルツ光 / Focused Ion Beam / AlGaAs / 半導体ヘテロ接合 / Alloy Semiconductor / New Functional Device / Submicron Device / Transient Anneal / Ion Source / フォトルミネッセンス法 / 混晶 / イオン源 / 超微細ドーピング / 集束イオンビーム / フォトルミネセンス / 混晶半導体 / ガリウムヒ素 / 新機能デバイス / サブミクロンデバイス / トランジェントアニール / 集束イオンビーム;イオン源 / device processes / crystal growth / surface-emitting lasers / surface-emitting LEDs / quantum dots / microcavities / 化合物半導体 / 量子井戸 / 半導体レーザ / InGaN / 窒化ガリウム / デバイスプロセス / 結晶成長 / 面発光レーザ / 面発光LED / 強化ガリウム / 量子ドット / 微小共振器 / Silicon Oxide / Interface Traps / Oxidation / Charge Pumping / Si / 拡散 / LSI / MOS / 酸化膜界面 / 酸化 / チャージポンピング / 界面準位 / VLSI devices / Stochastic Fluctuations of Dopant Atoms / Fully Depleted SOI devices / Threshold Voltage / Fluctuations / Thin Film SOI MOSFET / 薄膜SOIMOS / デバイスシミュレーション / 薄膜SOI MOS / 不純物揺らぎ / LSIデバイス / 揺らぎ / 0.1ミクロンMOSFET / SIMOX / VLSIデバイス / 不純物数の統計的揺らぎ / 完全空乏型SOI MOSFET / サブ0.1ミクロンMOSFET / しきい値電圧 / 特性ばらつき / 薄膜SOI MOSFET / femtosecond / teraherz / heterostructure / Plasma oscillation / two-dimensional electron / ダイポールアンテナ / 光伝導ダイポールアンテナ / 極短寿命光伝導体 / フェムト秒 / テラヘルツ / ヘテロ構造 / プラズマ振動 / 2次元電子 / Dipole anntena / Ultra short a lifeti photoconductor / Garium Arsenide / Hot electron / Plasmon / semiconductor heterostructure / Far-infrared lingt / Terahertz light / 遠赤外線 / 量子細線構造 / 量子ナノ構造 / delta-doping / band bending / tight-binding calculations / x-ray photoemission spectroscopy / interface dipole / band offsets / heterojunction / 界面ダイポ-ル / 強結合法 / 光電子分光法 / バンド構造の制御 / デルタドーピング / バンドベンディング / タイトバインディング / XPS / 界面ダイポール / バンド不連続量 / Electron Scattering / Interference of Electron Waves / Quantum Wire / 電子-電子散乱 / 低相緩和機構 / 弱局在効果 / Al Ga As / 電子散乱 / 砒化ガリウム / 電子波干渉効果 / 量子細線 / 集束イオンビ-ム / X線光電子分光法 / ヘテロ接合バンド不連続 / 分子線エピタキシ- 隠す

積層InAs量子ドット間の波動関数カップリングの制御と長波長帯レーザへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  斉藤敏夫 (斎藤敏夫)
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
GaN系量子ドット構造中の分極電界の制御とレーザ特性の高性能化に関する理論解析研究代表者
- 研究代表者
  
  斉藤敏夫 (斎藤敏夫)
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
次世代光記憶装置用青紫色ガリウムナイトライド微小共振器型面発光レーザの開発研究
- 研究代表者
  
  荒川泰彦
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京大学
積層型InGaN量子ドットレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析研究代表者
- 研究代表者
  
  斎藤敏夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
GaN系半導体量子ドットの電子構造と発光機構の原子レベルからの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  斎藤敏夫
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
SOI構造における酸化メカニズムの解明に関する研究
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京大学
歪み超薄膜挿入によるピエゾ効果を用いた半導体高指数界面のバンドオフセット制御研究代表者
- 研究代表者
  
  斎藤敏夫 (斉藤敏夫)
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京大学
サブ0.1ミクロン薄膜SOI CMOS LSIデバイスの揺らぎに関する研究
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京大学
テラヘルツ光分光法を用いた高電界下の半導体中電子分布の解明
- 研究代表者
  
  平川一彦
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
2次元プラズモンを用いた高効率テラヘルツ光エミッタの試作
- 研究代表者
  
  平川一彦
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
半導体界面でサイト制御された不純物挿入層の電子状態と、バンド不連続量制御への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  斎藤敏夫
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京大学
半導体ヘテロ接合におけるバンド不連続量の人工的制御
- 研究代表者
  
  生駒俊明
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
光電子分光法による半導体ヘテロ接合バンド不連続量に与える界面双極子効果の解明
- 研究代表者
  
  平川一彦
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
集束イオンビ-ムを用いた量子細線の試作と電子波干渉効果に関する研究
- 研究代表者
  
  生駒俊明
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
集束イオンビームを用いた超微細ドーピングの研究
- 研究代表者
  
  生駒俊明
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京大学

すべて 2008 2007 2006 2005

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Optical polarization in columnar InAs/GaAs quantum dots: 8-band k- p calculations2008
- 著者名/発表者名
  T. Saito
- 雑誌名
  
  Physical Review B 77
  
  ページ: 195318-195318
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[雑誌論文] Optical polarization in columnar InAs/GaAs quantum dots : 8-band k-p calculations2008
- 著者名/発表者名
  T. Saito
- 雑誌名
  
  Physical Review B 77
  
  ページ: 195318-195318
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[雑誌論文] Optical polarization in columnar InAs/GaAs quantum dots: 8-band k-p calculations2008
- 著者名/発表者名
  T. Saito
- 雑誌名
  
  Physical Review B 77・19
  
  ページ: 195318-195318
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[雑誌論文] Tuning of g-factor in self-assembled In(Ga)As quantum dots through strain engineering2005
- 著者名/発表者名
  T.Nakaoka, T.Saito, J.Tatebayashi, S.Hirose, T.Usuki, N.Yokoyama, Y.Arakawa
- 雑誌名
  
  Physical Review B 71
  
  ページ: 205301-205301
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[雑誌論文] 自己形成量子ドットにおける線幅増大係数の低減に向けた検討2005
- 著者名/発表者名
  硴塚孝明, 斎藤敏夫, 荒川泰彦
- 雑誌名
  
  第66回応用物理学会学術講演会予稿集 No.3
  
  ページ: 1227-1227
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[雑誌論文] Strain Distribution and Electronic States in Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Dot Spacing 0-6 nm2005
- 著者名/発表者名
  T. Saito
- 雑誌名
  
  Physica E 26
  
  ページ: 217-221
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[学会発表] InAs/GaAsコラム型量子ドットの偏光特性の理論解析(2)2007
- 著者名/発表者名
  斎藤敏夫
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2007-03-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[学会発表] Optical Polarization in Columnar InAs/GaAs Quantum Dots : Effect of Piezoelectricity2007
- 著者名/発表者名
  斎藤敏夫
- 学会等名
  ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス
- 発表場所
  ガーデンパレス東京
- 年月日
  2007-03-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[学会発表] Theoretical analysis of optical polarization in InAs/GaAs columnar quantum dots (2)2007
- 著者名/発表者名
  T. Saito
- 学会等名
  The 54th JSAP Spring Meeting
- 発表場所
  Aoyama Gakuin University
- 年月日
  2007-03-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[学会発表] InAs/GaAsコラム型量子ドットの偏光特性の理論解析 : 積層数依存性2006
- 著者名/発表者名
  斎藤敏夫
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  立命館大学
- 年月日
  2006-08-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[学会発表] Theoretical analysis of optical polarization in InAs/GaAs columnar quantum dots: stacking-layer-number dependence2006
- 著者名/発表者名
  T. Saito
- 学会等名
  The 67th JSAP Autumn Meeting
- 発表場所
  Ritsumeikan University
- 年月日
  2006-08-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005
[学会発表] InAs/GaAsコラム型量子ドットの偏光特性の積層数依存性2006
- 著者名/発表者名
  斎藤敏夫
- 学会等名
  ナノ光電子デバイスシンポジウム
- 発表場所
  主婦会館プラザェフ
- 年月日
  2006-05-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560005

1. 平川一彦 (10183097)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 0件
2. 生駒俊明 (80013118)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
3. 荒川泰彦 (30134638)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 2件
4. 栗原由紀子 (90013200)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 平本俊郎 (20192718)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 藤田博之 (90134642)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 黒田和男 (10107394)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. G ファーソル (10251472)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 池田隆英

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 小野村正明

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 橋本佳男

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 三上修

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

斉藤 敏夫 SAITO Toshio

斎藤 敏夫 サイトウ トシオ

齋藤 敏夫 サイトウ トシオ

研究課題

研究成果

共同研究者

積層InAs量子ドット間の波動関数カップリングの制御と長波長帯レーザへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

GaN系量子ドット構造中の分極電界の制御とレーザ特性の高性能化に関する理論解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

積層型InGaN量子ドットレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

GaN系半導体量子ドットの電子構造と発光機構の原子レベルからの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

歪み超薄膜挿入によるピエゾ効果を用いた半導体高指数界面のバンドオフセット制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体界面でサイト制御された不純物挿入層の電子状態と、バンド不連続量制御への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

斉藤敏夫 SAITO Toshio

斎藤敏夫サイトウトシオ

齋藤敏夫サイトウトシオ