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安田 隆  Yasuda Takashi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90182336
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 石巻専修大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度 – 2023年度: 石巻専修大学, 理工学部, 教授
2017年度 – 2020年度: 石巻専修大学, 理工学部, 教授
2008年度 – 2010年度: 石巻専修大学, 理工学部, 教授
2001年度 – 2002年度: 石巻専修大学, 理工学部, 助教授
1998年度 – 1999年度: 石巻専修大学, 理工学部, 助教授
1989年度: 東京工業大学, 工学部, 助手
1986年度: 東京工業大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
応用物性 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 結晶工学
キーワード
研究代表者
ZnO / 励起子 / フォトルミネッセンス / MgZnO / MOCVD / ゾル・ゲル / 酸化亜鉛 / X線 / 化学気相法 / 有機金属 … もっと見る / 亜鉛アセチルアトナート / 磁性 / 亜鉛アセチルアセトナート / Oxide / Ultla-Violet Laser / Exciton / Photoluminescence / Quantum Well / 酸化物 / 紫外レーザー / 量子井戸 / 電荷補償 / アクセプター / ドナー / 電気伝導 / 水素 / ゲル法 / ゾル / 変調ドーピング / 量子構造 / 伝導度制御 / 希薄磁性半導体 / II-VI族 … もっと見る
研究代表者以外
pn接合ダイオード / 酸化ニッケル / 酸化ガリウム / 高耐圧 / 電子デバイス / 電子・電気材料 / 結晶工学 / ヘテロ構造 / スイッチング / ヘテロ接合ダイオード / 結晶配向性 / 結晶配向 / Photoluminescence / delta-Doping / Metalorganic Chemical Vapor Deposition / Metalorganic Molecular Beam Deposition / Thulium / Zinc Sulfide / Electroluminescence / 有機金属気相成長 / フォトルミネッセンス / 原子層ド-ピング / 有機金属気相法 / 有機金属分子線法 / ツリウム / 硫化亜鉛 / エレクトロルミネッセンス / プラズマCVD / 超薄膜 / 量子サイズ効果 / アモルファス半導体 隠す
  • 研究課題

    (8件)
  • 研究成果

    (12件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合ダイオードの特性改善

    • 研究代表者
      中込 真二
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      石巻専修大学
  •  全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合作製のための基盤技術開発

    • 研究代表者
      中込 真二
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      石巻専修大学
  •  水素共添加によるp型ZnOドーピング技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      安田 隆
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      石巻専修大学
  •  透明光磁気デバイスをめざした酸化亜鉛の有機金属気相成長研究代表者

    • 研究代表者
      安田 隆
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      石巻専修大学
  •  II-VI族希薄磁性半導体量子構造におけるキャリアと磁性スピンの相互作用とその応用研究代表者

    • 研究代表者
      安田 隆
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      石巻専修大学
  •  酸化亜鉛半導体の低次元量子構造の作製とその励起子物性の研究研究代表者

    • 研究代表者
      安田 隆
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      石巻専修大学
  •  純青色高輝度EL素子の開発

    • 研究代表者
      柊元 宏
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  アモルファス半導体の量子サイズ効果に関する研究

    • 研究代表者
      柊元 宏
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学

すべて 2023 2019 2018 2017 2010 2009

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β-Ga2O3 Substrates2019

    • 著者名/発表者名
      Shinji Nakagomi, Takashi Yasuda, Yoshihiro Kokubun
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: Early view Online 号: 5

    • DOI

      10.1002/pssb.201900669

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] 加熱β-Ga2O3基板上に電子ビーム蒸着によって形成したNiO薄膜2023

    • 著者名/発表者名
      中込真二,安田隆
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会、講演要旨集 16p-E102-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04190
  • [学会発表] (001) β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性2019

    • 著者名/発表者名
      中込真二,安田隆,國分義弘
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会, 9p-S011-5
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] ゾル・ゲルディップ法によるNiO薄膜の作成2018

    • 著者名/発表者名
      安田隆,後藤宗久,中込真二
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB8-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性2018

    • 著者名/発表者名
      中込真二,安田隆,國分義弘
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会 、講演要旨集20a-E201-8, 「早稲田大学 西早稲田キャンパス」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] (111) MgO基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向性2017

    • 著者名/発表者名
      中込真二,安田隆,國分義弘
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会、講演要旨集7p-C17-7, 「福岡国際会議場」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] Hydrogen Incorporation Effects into ZnO Thin Films Synthesized by Sol-Gel Method2010

    • 著者名/発表者名
      安田隆, 内海武佐志, 鈴木裕真
    • 学会等名
      2010 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560014
  • [学会発表] Hydrogen Incorporation Effects into ZnO Thin Films Synthesized by Sol-Gel Method2010

    • 著者名/発表者名
      Takashi Yasuda
    • 学会等名
      Materials Research Society
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2010-11-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560014
  • [学会発表] ゾル・ゲル法で作成したZnO薄膜の水素処理効果2009

    • 著者名/発表者名
      内海武佐志, 鈴木裕真, 安田隆
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560014
  • [学会発表] ゾル・ゲル法で作成したZnO薄膜の水素処理効果2009

    • 著者名/発表者名
      安田 隆
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-04-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560014
  • [学会発表] 亜鉛アセチルアセトナートを用いたMOCVD法ZnOの結晶性VI/II比依存性2009

    • 著者名/発表者名
      高橋勇樹, 金野文彰, 安田隆
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      富山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560014
  • [学会発表] 亜鉛アセチルアセトナートを用いたMOCVD法ZnOの結晶性 -VI/II比依存性-2009

    • 著者名/発表者名
      安田隆
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560014
  • 1.  柊元 宏 (50013488)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  中込 真二 (60172285)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 6件
  • 3.  矢野 浩司 (90252014)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  原 和彦 (80202266)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  吉野 淳二 (90158486)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  瀬川 勇三郎 (30087473)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  山本 喜一 (20342868)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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