志村考功 Shimura Takayoshi

… 別表記

志村孝功シムラタカヨシ

研究者番号	90252600
その他のID
外部サイト
所属 (現在)	2024年度: 早稲田大学, 理工学術院(情報生産システム研究科・センター), 教授(任期付)
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 早稲田大学, 理工学術院(情報生産システム研究科・センター), 教授(任期付) 2022年度 – 2023年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 2016年度 – 2019年度: 大阪大学, 工学研究科, 准教授 2016年度 – 2017年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 2013年度 – 2015年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 … もっと見る 2014年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 2014年度: 大阪大学, 工学研究科, 准教授 2009年度 – 2012年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 准教授 2008年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学部, 准教授 2006年度 – 2007年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2006年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教授 2004年度 – 2005年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 1998年度 – 2001年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 2000年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 講師 1995年度 – 1997年度: 大阪大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分15:素粒子、原子核、宇宙物理学およびその関連分野 / 中区分14:プラズマ学およびその関連分野 / 理工系 / 量子ビーム科学 / 応用物性・結晶工学 / 表面界面物性研究代表者以外表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 … もっと見る / 設計工学・機械要素・トライボロジー / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 薄膜・表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性 / 生産工学・加工学 / 航空宇宙工学 / 電子デバイス・電子機器 / 理工系隠す
キーワード	研究代表者 X線 / ゲルマニウム / イメージング / 半導体 / 作成・評価技術 / 位相イメージング / シリコンフォトニクス / 量子ビーム / 光源技術 / Ｘ線 … もっと見る / エピタキシャル成長 / 電気・電子材料 / 結晶成長 / 電子デバイス / X線回折 / CTR散乱 / 薄膜 / SiO_2 / ゾーンメルト / スズ / レーザー / ゲルマニウムスズ / Γ線 / フーリエイメージング / 放射線 / ガンマ線 / 非破壊検査 / 元素識別 / 微細加工プロジェクト / 微細加工プロセス / 干渉計 / 放射線検出器 / 結晶工学 / 電子・電気材料 / 画像回復計算 / 超解像 / 格子歪み / バックゲートトランジスタ / 選択成長 / シリコンゲルマニウム / 急速昇温加熱 / 液相エピタキシャル成長 / Ge on insulator / シリコン / 界面 / 酸化 / Si界面 … もっと見る研究代表者以外シリコン / silicon / SOI / X線回折 / 低地球軌道 / 二硫化モリブデン / 宇宙環境 / トライボロジー / 原子状酸素 / MBE / SiO_2 / 酸化 / C_<60> / oxidation / 表面反応 / low earth orbit / atomic oxygen / CTR scattering / X-ray diffraction / 極微細構造 / マイクロデバイス / CTR散乱 / RTO / NF_3 / 酸化膜 / 熱酸化 / パワーエレクトロニクス / 電子・電気材料 / ゲルマニウム / パワーデバイス / 表面・界面物性 / 光電子融合デバイス / Ⅳ族混晶半導体 / 界面反応 / 界面物性 / Thermal Oxidation / Buried Oxide / Silicon / LSI基板 / 結晶工学 / SIMOX / SOIウエーハ / SiGe / SOI(Silicon On Insulator) / nano-imprint / solid phase crystallization / Ge nano-crystal / crystal nucleus / large-grain / glass substrate / Si thin film / polycrystalline Si / 固相結晶化 / 自己組織化 / 核形成 / 結晶核 / Ge微結晶 / ガラス基板 / 大粒径 / 多結晶Si薄膜 / x-ray diffraction / interface / thin film / 界面 / 薄膜 / Space environmenrt / Atomic oxygen / Molybdenum disulfide / Smallsatellite / Tribology / 摩擦 / ダイヤモンドライクカーボン / 地上試験 / 固体潤滑剤 / マイクロサテライト / Mass spectroscopy / Extreme vacuum / Three dimensional surface structure / Angular resolution / Reflection high energy electron diffraction / 電子衝撃脱離 / 吸着 / 表面工学 / 角度分解 / RHEED / 質量分析 / 超高真空 / 固体表面の三次元構造 / 角度分解化 / 反射高速電子線回析 / oxygen / XPS / beam oxidation / space environment / low temperature / 低温酸化 / ビーム酸化 / デバイスプロセス技術 / Microstructure / Microdevice / MoS_2 / UV / synergy / tribology / space environmental effect / 紫外線 / シナジ- / microstructure / microdevice / X線回析 / oxide layr / thermal oxidation / 界面準位 / 真性応力 / 酸酸化 / MOSトランジスタ / MOSFET / ショットキー接合 / ゲート絶縁膜 / SiC / 微小共振器 / 光源技術 / 光物性 / 半導体物性 / MBE、エピタキシャル / 発光 / シリコンフォトニクス / 逆格子マッピング / 放射光 / 酸化濃縮 / 歪シリコン / トポグラフィ / 歪シリコンウエーハ / 結晶評価 / MOS構造 / 電子デバイス / 材料加工・処理 / 計算物理 / 表面・界面 / 超薄膜 / 先端機能デバイス隠す

屈折・回折・干渉を用いないエックス（ガンマ）線フーリエイメージング法の実証研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分15:素粒子、原子核、宇宙物理学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
局所液相成長によるGeSn細線の形成とレーザーダイオードの動作実証研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  早稲田大学
   大阪大学
構造化X線光源による高感度・高分解能透過型X線撮像法の実証研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分14:プラズマ学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
SOIピクセル検出器による自己像直接検出型タルボ・ロー干渉計の高度化研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
埋め込みX線ターゲットを用いた超解像X線撮像法の実証研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  量子ビーム科学
- 研究機関
  大阪大学
局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ビーム励起界面反応によるSiC-MOS界面欠陥の崩壊と選択修復
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ビーム励起界面反応によるSiCパワーデバイスへテロ界面改質技術
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
チャネルラストプロセスによる歪み制御縦型Ｇｅトランジスタの作製と電気特性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ショットキー接合型ＳｉＣプラズモニックトランジスタの創製
- 研究代表者
  
  細井卓治
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
局所選択液相エピタキシャル成長によるGOI構造の作製と電気特性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
シリコン上ゲルマニウムエピタキシャル層を用いた1. 5ミクロン帯発光素子の開拓
- 研究代表者
  
  石川靖彦
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
X線回折による歪シリコンウエハの歪量測定に関する研究
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  福井工業大学
原子制御プロセスによる超薄MOS構造の作製とその伝導特性および界面物性の解析
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
高性能SiCパワーエレクトロニクス実現に向けた理想MOS構造作製プロセスの創成
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
Siエピタキシャル基板への埋め込酸化膜形成に関する研究
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  福井工業大学
ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
- 研究代表者
  
  安武潔
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  大阪大学
X線回折法を用いたSiO_2/Si界面形成のその場観察による酸化機構の研究
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
シリコン熱酸化膜の長距離秩序構造の解析による酸化機構の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
マイクロサテライトにおけるトライボロジー技術と宇宙環境からの影響評価に関する研究
- 研究代表者
  
  田川雅人
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  航空宇宙工学
- 研究機関
  神戸大学
   大阪大学
X線を用いた半導体表面の極微細構造の定量的評価法の開発
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
パルス超音速原子状酸素ビームを利用したSi常温酸化法の開発
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
角度分解反射高速電子線回析と衝撃脱離質量分析の開発と極表面構造の三次元解析
- 研究代表者
  
  大前伸夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  設計工学・機械要素・トライボロジー
- 研究機関
  神戸大学
   大阪大学
低地球軌道におけるスペーストライボロジーのシナ-ジェシズム
- 研究代表者
  
  大前伸夫
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  設計工学・機械要素・トライボロジー
- 研究機関
  大阪大学
X線CTR散乱法によるシリコン熱酸化膜中の結晶相の面方位依存性研究代表者
- 研究代表者
  
  志村孝功
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
SOIのRTOならびに低温熱酸化における界面電荷の制御
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
X線表面散乱法を用いた極微パターン形状の定量的評価法の開発
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学

[雑誌論文] Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films2023
- 著者名/発表者名
  Shimura Takayoshi、Tanaka Shogo、Hosoi Takuji、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: －号: 8 ページ: 5053-5058
- DOI
  10.1007/s11664-023-10309-w
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620, KAKENHI-PROJECT-23K22798
[雑誌論文] Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates2023
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, R. Yamaguchi, N. Tabuchi, M. Kondoh, M. Kuniyoshi, T. Hosoi, T. Kobayashi and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1083-SC1083
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb9a2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880, KAKENHI-PROJECT-20H02620, KAKENHI-PROJECT-23K22798
[雑誌論文] Lightly doped n-type tensile-strained single-crystalline GeSn-on-insulator structures formed by lateral liquid-phase crystallization2018
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Tomita, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 011304-011304
- DOI
  10.7567/apex.11.011304
- NAID
  210000136058
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975, KAKENHI-PROJECT-16J00819
[雑誌論文] Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn on transparent substrate by nucleation-controlled liquid-phase crystallization2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Amamoto, M. Koyama, Y. Imai, S. Kimura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 3 ページ: 032104-032104
- DOI
  10.1063/1.4974473
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975, KAKENHI-PROJECT-16J00819
[雑誌論文] Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing2016
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 858 ページ: 445-448
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.858.445
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-15K13951
[雑誌論文] Insights into thermal diffusion of germanium and oxygen atoms in HfO2/GeO2/Ge gate stacks and their suppressed reaction with atomically thin AlOx interlayers2015
- 著者名/発表者名
  S. Ogawa, R. Asahara, Y. Minoura, H. Sako, N. Kawasaki, I. Yamada, T. Miyamoto, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 118 号: 23 ページ: 23704-23704
- DOI
  10.1063/1.4937573
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69 号: 5 ページ: 305-311
- DOI
  10.1149/06905.0305ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[雑誌論文] Cathodoluminescence study of radiative interface defects in thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) structures2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fukushima, A. Chanthaphan, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 26 ページ: 261604-261604
- DOI
  10.1063/1.4923470
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13951, KAKENHI-PROJECT-14F04359
[雑誌論文] Schottky source/drain germanium-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with self-aligned NiGe/Ge junction and aggressively scaled high-k gate stack2015
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Minoura, R. Asahara, H. Oka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 25 ページ: 252104-252104
- DOI
  10.1063/1.4938397
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Enhancement of photoluminescence from n-type tensile-strained GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimura, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 22 ページ: 221109-221109
- DOI
  10.1063/1.4936992
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975
[雑誌論文] Comprehensive Study and Design of Scaled Metal/High-k/Ge Gate Stacks with Ultrathin Aluminum Oxide Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  Ryohei Asahara, Iori Hideshima, Hiroshi Oka, Yuya Minoura, Shingo Ogawa, Akitaka, Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 23 ページ: 233503-233503
- DOI
  10.1063/1.4922447
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420289, KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Strain-induced direct band gap shrinkage in local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 104 号: 3 ページ: 31106-31106
- DOI
  10.1063/1.4862890
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22681012, KAKENHI-PROJECT-24360120, KAKENHI-PROJECT-25246021, KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-25600014
[雑誌論文] Degradation of SiO2/SiC Interface Properties due to Mobile Ions Intrinsically Generated by High-Temperature Hydrogen Annealing2014
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 541-541
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.541
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties2014
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 109 ページ: 137-141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Understanding and engineering of NiGe/Ge junction formed by phosphorous ion implantation after germanidation2014
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 6 ページ: 062107-062107
- DOI
  10.1063/1.4893152
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Mobility characterization of Ge-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with striped Ge channels fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 105 号: 17 ページ: 173502-173502
- DOI
  10.1063/1.4900442
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120, KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Retarded oxide growth on 4H-SiC(0001) substrates due to sacrificial oxidation2014
- 著者名/発表者名
  細井　卓治、上西　悠介、中野　佑紀、中村　孝、志村　考功、渡部　平司
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 562-565
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.562
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Improved bias-temperature instability characteristics in SiC metal-oxide-semiconductor devices with aluminum oxynitride dielectrics2014
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 12 ページ: 122105-122105
- DOI
  10.1063/1.4870047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Insights into ultraviolet-induced electrical degradation of thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) interface2014
- 著者名/発表者名
  D. Ikeguchi, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 1 ページ: 12107-12107
- DOI
  10.1063/1.4860987
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[雑誌論文] Design and control of Ge-based metal-oxide-semiconductor interfaces for high-mobility field-effect transistors with ultrathin oxynitride gate dielectrics2013
- 著者名/発表者名
  Y. Minoura, A. Kasuya, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 3 ページ: 33502-33502
- DOI
  10.1063/1.4813829
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Novel Approach for Improving Interface Quality of 4H-SiC MOS Devices with UV Irradiation and Subsequent Thermal Annealing2013
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 741-744
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.741
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008, KAKENHI-PROJECT-25630124
[雑誌論文] Thermal Stability and Electron Irradiation Damage of Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Si2010
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, D.Shimokawa, T.Inoue, T.Hosoi, H.Watanabe, O.Sakata, M.Umeno
- 雑誌名
  
  J.Electrochem.Soc. 157
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Interface Reaction and Rate Enhancement of SiGe Thermal Oxidation SiGe Thermal Oxidation2010
- 著者名/発表者名
  T.shimura
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 33 ページ: 893-899
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Thermal Stability and Electron Irradiation Damage of Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Si2010
- 著者名/発表者名
  T.shimura
- 雑誌名
  
  J.Electrochem.Soc.
  
  巻: 157
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Residual Order in the Thermal Oxide of a Fully-strained SiGe Alloy on Si2010
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, Y.Okamoto, T.Inoue, T.Hosoi, H.Watanabe
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 81
- NAID
  120007183047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Fabrication of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth2010
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, S. Ogiwara, C. Yoshimoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 3 ページ: 066502-066502
- DOI
  10.1143/apex.2.066502
- NAID
  10027441491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2010
- 著者名/発表者名
  Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura
- 雑誌名
  
  The Proceedings of International workshop on Active-matrix flatpanel displays and devices
  
  ページ: 53-56
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Residual Order in the Thermal Oxide of a Fully-strained SiGe Alloy on Si2010
- 著者名/発表者名
  T.shimura
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B
  
  巻: 81
- NAID
  120007183047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Fabrication of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth2010
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027441491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy : Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 2 号: 10 ページ: 105501-105501
- DOI
  10.1143/apex.3.105501
- NAID
  10025086916
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Synchrotron X-ray Diffraction Studies of Thermal Oxidation of Si and SiGe2009
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, Y.Okamoto, S.Daisuke, T.Inoue, T.Hosoi, H.Watanabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19
  
  ページ: 479-493
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Investigation of Structural Defects in strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Topography2008
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Umeno, 他
- 雑誌名
  
  Proc. of The 5^<th> International Symposium on Advanced Science and Technology of silicon Materials
  
  ページ: 266-270
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Characterization of Strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Microbeam and Topography2008
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Umeno, 他
- 雑誌名
  
  J. of Mat. Sci. : Materials in Electronics 19, Sup-plement 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Observation of Crystalline Imperfections in Supercritical Thickness Strained Silicon on Insulator Wafers by Synchrotron X-ray Topography2008
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, T.Inoue, Y.Okamoto, T.Hosoi, H.Edo, S.Iida, A.Ogura, H.Watanabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16
  
  ページ: 539-543
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Characterization of Strained Si Wafers by X-ray Diffraction Techniques2008
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, K.Kawamura, M.Asakawa, H.Watanabe, K.Yasutake, A.Ogura, K.Fukuda, O.Sakata, S.Kimura, T.Edo, S.Iida, M.Umeno
- 雑誌名
  
  J.Mat.Sci.Materials in Electronics 19 Suppl.1
  
  ページ: 189-193
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands as Nuclei2006
- 著者名/発表者名
  K.Minami, C.Yoshimoto, H.Ohmi, T.Shimura, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yasutake
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. of Int.21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 19-29
  
  ページ: 65-66
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] White X-ray Topography of Lattice Undulation in Bonded Silicon-On-Insulator Wafers2006
- 著者名/発表者名
  K.Fukuda, T.Yoshida, T.Shimura, K.Yasutake, M.Umeno, S.Iida
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 45(9A)
  
  ページ: 6795-6799
- NAID
  10018245181
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers2006
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, M.Shimizu, S.Horiuchi, H.Watanabe, Y.Yasutake, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Letters 89
- NAID
  120007183055
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers2006
- 著者名/発表者名
  T.Shimura
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Letters 89
- NAID
  120007183055
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers2006
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, M.Shimizu, S.Horiuchi, H.Watanabe, Y.Yasutake, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Letters 89
- NAID
  120007183055
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] White X-ray Topography of Lattice Undulation in Bonded Silicon-On-Insulator Wafers2006
- 著者名/発表者名
  K.Fukuda, T.Yoshida, T.Shimura, K.Yasutake, M.Umeno, S.Iida
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45-9
  
  ページ: 6795-6799
- NAID
  10018245181
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and internal-thermal-oxidation separation-by-implanted-oxygen wafers2005
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura, F.Kazunori, K.Yasutake, T.Hosoi, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films vol.476-1
  
  ページ: 125-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, E.Mishima, H.Watanabe, K.Yasutake, M.Umeno, K.Tatsumura, T.Watanabe, I.Ohdomari, K.Yamada, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1-1
  
  ページ: 39-48
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] X-ray diffraction measurements of internal strain in Si nanowires fabricated using a self-limiting oxidation process2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, K.Yasutake, M.Umeno, M.Nagase
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Letters 86
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and internal- thermal-oxidation separation-by-implanted-oxygen wafers2005
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura, F.Kazunori, K.Yasutake, T.Hosoi, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 476-1
  
  ページ: 125-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Reactions and diffusion of atomic and molecular oxygen in the SiO_2 network2005
- 著者名/発表者名
  T.Tatsumura, T.Shimura, E.Mishima, K.Kawamura, D.Yamasaki, H.Yamamoto, T.Watanabe, M.Umeno, I.Ohdomari
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 72-4
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, E.Mishima, H.Watanabe, K.Yasutake, M.Umeno, K.Tatsumura, T.Watanabe, I.Ohdomari, K.Yamada, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.1 No1
  
  ページ: 39-48
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, E.Mishima, H.Watanabe, K.Yasutake, M.Umeno, K.Tatsumura, T.Watanabe, I.Ohdomari, K.Yamada, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1(1)
  
  ページ: 39-48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] X-ray diffraction measurements of internal strain in Si nanowires fabricated using a self-limiting oxidation process2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, K.Yasutake, M.Umeno, M.Nagase
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Letters 86
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and internal-thermal-oxidation separation-by-implanted-oxygen wafers2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, K.Fukuda, K.Yasutake, T.Hosoi, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 476-1
  
  ページ: 125-129
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Reactions and diffusion of atomic and molecular oxygen in the SiO_2 network2005
- 著者名/発表者名
  T.Tatsumura, T.Shimura, E.Mishima, K.Kawamura, D.Yamasaki, H.Yamamoto, T.Watanabe, M.Umeno, I.Ohdomari
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 72(4)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[産業財産権] 単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板2012
- 発明者名
  志村考功、渡部平司、細井卓治
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権番号
  2012-042746
- 出願年月日
  2012-02-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価2023
- 著者名/発表者名
  近藤優聖, 田淵直人, 國吉望月, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22798
[学会発表] Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価2022
- 著者名/発表者名
  田中信敬, 安部和弥, 星原雅生, 國吉望月, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22798
[学会発表] スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長2022
- 著者名/発表者名
  國吉望月, 安部和弥, 田中信敬, 星原雅生, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22798
[学会発表] Controllability of Luminescence Wavelength from GeSn Wires Fabricated by Laser Zone Melting on Quartz Substrates2022
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, R. Yamaguchi, N. Tabuchi, M. Kondo, M. Kuniyoshi, T. Hosoi, T. Kobayashi, and H. Watanabe
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22798
[学会発表] 高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージング2022
- 著者名/発表者名
  志村考功，梶原堅太郎，辻成希，小林拓真，渡部平司
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18714
[学会発表] マルチラインLa埋め込みX線源を用いたX線位相イメージング2019
- 著者名/発表者名
  福田椋南子，塚本大裕，細井卓治，渡部平司，志村考功
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18752
[学会発表] X-ray phase-contrast imaging using Talbot-Lau interferometer with lanthanum targets embedded in diamond substrates2019
- 著者名/発表者名
  Rinako Fukuda, Amane Yamazaki, Daisuke Tsukamoto, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, and Takayoshi Shimura
- 学会等名
  X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18752
[学会発表] Multi-energy x-ray phase contrast imaging using subpixel analysis and multilayer x-ray target in optical system of microfocus x-ray source and SOI pixel detector, SOPHIAS2019
- 著者名/発表者名
  R. Hosono, K. Hayashida, T. Kudo, K. Ozaki, N. Teranishi, T. Hatsui, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura
- 学会等名
  X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18752
[学会発表] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Grating-based X-ray Phase Contrast Imaging with a Microfocus X-ray Source by a SOI Pixel Detector, SOPHIAS2018
- 著者名/発表者名
  R. Hosono, T. Kawabata, K. Hayashida, T. Kudo,　K. Ozaki, T. Hatsui, N. Teranishi, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura
- 学会等名
  The 1st Workshop on Quantum Beam Imaging
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18752
[学会発表] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 井上慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  映像情報メディア学会情報センシング研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成2018
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 井上慶太郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第23回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing ucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic2018
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  関西コロキアム電子デバイスワークショップ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用2018
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 岡博史, 井上慶太郎, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成2018
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 井上慶太郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用2018
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 岡博史, 井上慶太郎, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第23回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Improvements of Grating-based X-ray Phase Contrast Imaging with a Microfocus X-ray Source by a SOI Pixel Detector, SOPHIAS2017
- 著者名/発表者名
  R. Hosono, D. Tsukamoto, T. Kawabata, K. Hayashida, T. Kudo, K. Ozaki, T. Hatsui, N. Teranishi, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura
- 学会等名
  11th International "Hiroshima" Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors (HSTD11) in conjunction with 2nd Workshop on SOI Pixel Detectors (SOIPIX2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00948
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長による高濃度Sbドープ単結晶Ge細線の作製と光学特性評価2017
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2017-01-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT2017
- 著者名/発表者名
  岡博史, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長によって作製した引張歪み高濃度n 型Ge 細線の光学特性評価2017
- 著者名/発表者名
  冨田崇史，岡博史，小山真広，田中章吾，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2017年春季第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] X-ray Phase Contrast Imaging using a Microfocus X-ray source in Conjunction with Amplitude Grating and SOI Pixel Detector2017
- 著者名/発表者名
  R. Hosono, I. Sano, T. Kawabata, K. Hayashida, T. Kudo, K. Ozaki, T. Hatsui, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura
- 学会等名
  The 4th International conference on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00948
[学会発表] 横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT2017
- 著者名/発表者名
  岡博史, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  2017年春季第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  岡　博史、井上慶太、冨田崇史、和田裕希、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いた多波長X線位相イメージング-SOI ピクセル検出器による高度化2017
- 著者名/発表者名
  細野　凌、塚本大裕、川端智樹、林田　清、工藤統吾、尾崎恭介、初井宇記、寺西信一、細井卓治、渡部平司、志村考功
- 学会等名
  精密工学会2017年度秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00948
[学会発表] シードレス液相成長による単結晶GeSn超薄膜形成と電気特性評価2017
- 著者名/発表者名
  小山真広, 岡博史, 田中章吾, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2017-01-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  岡博史、井上慶太、冨田崇史、和田裕希、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 多層膜X線ターゲットとピクセル検出器を用いた元素識別X線イメージング2017
- 著者名/発表者名
  細野凌、塚本大裕、川端智樹、林田清、工藤統吾、尾崎恭介、初井宇記、寺西信一、細井卓治、渡部平司、志村考功
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00948
[学会発表] Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  63rd IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Enhancement-mode n-channel TFT and room-temperature near-infrared emission based on n+/p junction in single-crystalline GeSn on transparent substrate2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] マイクロフォーカスＸ線源と振幅格子を用いたＸ線位相イメージング-振幅格子の投影像の短周期化の検討2017
- 著者名/発表者名
  細野凌, 佐野壱成, 川端智樹, 林田清, 工藤統吾, 尾崎恭介, 初井宇記, 細井卓治, 渡部平司, 志村考功
- 学会等名
  2017年春季第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00948
[学会発表] Back-side illuminated GeSn photodiode array on quartz substrate fabricated by laser-induced liquid-phase crystallization for monolithically-integrated NIR imager chip2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 学会等名
  2017 Symposium on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 振幅格子とピクセル検出器を用いたエネルギー分解X 線位相イメージングの検討2016
- 著者名/発表者名
  細野凌, 佐野壱成, 川端智樹, 林田清, 土岐貴弘, 細井卓治, 渡部平司, 志村考功
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00948
[学会発表] High-mobility GeSn p-MOSFETs on Transparent Substrate Utilizing Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization2016
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Amamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いたX線位相イメージングの検討2016
- 著者名/発表者名
  細野凌, 森本直樹, 伊藤康浩, 山崎周, 佐野壱成, 土岐貴弘, 佐野哲, 細井卓治, 渡部平司, 志村考功
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13408
[学会発表] High-mobility TFT and Enhanced Luminescence Utilizing Nucleation-controlled GeSn Growth on Transparent substrate for Monolithic Optoelectronic Integration2016
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2016-12-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimuira, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, HI, USA
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] SbドープアモルファスGeの局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn型Ge細線の作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第77回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimuira, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] SbドープアモルファスGeの局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn型Ge細線の作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing2015
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13951
[学会発表] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Schottky barrier height modulation at NiGe/Ge interface by phosphorous ion implantation and its application to Ge-based CMOS devices2015
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, H. Oka, Y. Minoura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 15th International Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Kyoto University Kihada Hall (Uji Campus), Kyoto
- 年月日
  2015-06-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology2015
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  第15回関西コロキアム電子デバイスワークショップ
- 発表場所
  大阪府大阪市
- 年月日
  2015-12-15
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長法による石英基板上単結晶GeSn細線の作製と光学特性評価2015
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第76回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価2014
- 著者名/発表者名
  4.冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計2014
- 著者名/発表者名
  淺原亮平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長法により作製したn型Ge-on-insulator層の直接遷移発光の増強2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法によりY2O3層上に形成した局所GOI層の電気特性評価2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製した局所GeSn-on-insulator層の優先結晶方位2014
- 著者名/発表者名
  3.冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長によって作製したGeワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調評価2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子, 松江将博, 安武裕輔, 深津晋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１９回研究会）
- 発表場所
  静岡県熱海市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] High-k/Ge Gate Stack with an EOT of 0.56 nm by Controlling Interface Reaction Using Ultrathin AlOx Interlayer2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Effective Hole Mobility of GOI MOSFET Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxiay2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, H. Nishikawa, M. Matsue, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Phosphorous Ion Implantation into NiGe Layer for Ohmic Contact Formation on n-Ge2013
- 著者名/発表者名
  Y. Minoura, T. Hosoi, J. Matsugaki, S. Kuroki, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Effective Hole Mobility of GOI MOSFET Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxiay2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, H. Nishikawa, M. Matsue, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2013),
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Enhanced direct bandgap photoluminescence from local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy - Material and strain engineering toward CMOS compatible group-IV photonics -2013
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Enhanced direct bandgap photoluminescence from local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy -Material and strain engineering toward CMOS compatible group-IV photonics-2013
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 18th Conference of Insulating Films on Semiconductors
- 発表場所
  Cracow, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長によって作製したGOI構造のフォトルミネッセンス測定2013
- 著者名/発表者名
  松江将博，安武裕輔，深津晋，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  京都府田辺市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作成した単結晶GOI構造の電気特性評価2012
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 原伸平, 井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第17回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  三島市、静岡
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Rapid Melt Growth of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Substrates2012
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012
- 発表場所
  Yokohama, Kanagawa
- 年月日
  2012-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価2012
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)
- 発表場所
  静岡県三島市
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of Ge-on-i nsu1ator structure by lateral liquid-phase epitaxy and its electrical characterization using back-gate transistors2012
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kailua-Kona, USA
- 年月日
  2012-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 急速加熱処理によるGe1-xSnx層の低温エピタキシャル成長2012
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 片岡伸文, 鈴木雄一朗, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱処理によるGe_<1-x>Sn_x層の低温エピタキシャル成長2012
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 片岡伸文, 鈴木雄一朗, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京都新宿区
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of High-quality SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Structures by Rapid Melt Growth2012
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura
- 学会等名
  The International Symposium on Visualization in Joining & Welding Science through Advanced Measurements and Simulation
- 発表場所
  Suita, Osaka(招待講演)
- 年月日
  2012-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 鈴木雄一朗, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第16回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y. Suzuki, S. Ogiwara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conf.
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- 年月日
  2011-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Suzuki, S.Ogiwara, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2011-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した局所GOI構造の電気特性評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第72回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  山形県山形市
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-quality Single-crystal SiGe Layers on Insulator Formed by Rapid Melt Growth2011
- 著者名/発表者名
  S. Ogiwara, Y. Suzuki, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai Osaka. Japan
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-Quality Single-Crystalline Ge-on-Insulator P-Channel MOSFETs Formed by Lateral Liquid-Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  T.Suzuki, S.Ogiwara, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、志村考功
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第16回研究会)
- 発表場所
  東京都目黒区大岡山、東京工業大学
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した局所GOI構造の電気特性評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第72回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  山形市
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-quality Single-crystal SiGe Layers on Insulator Formed by Rapid Melt Growth2011
- 著者名/発表者名
  S.Ogiwara, Y.Suzuki, C.Yoshimoto, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of High-quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, C.Yoshimoto, T.Hashimoto, S.Ogiwara, Y.Suzuki, T.Hosoi, T.Shimura
- 学会等名
  Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, C. Yoshimoto, T. Hashimoto, S. Ogiwara, T. Hosoi, and T. Shimura
- 学会等名
  The 19th Int. Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Device
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2011-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 発表場所
  長崎市、長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、志村考功
- 学会等名
  第71回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  長崎県長崎市長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2010
- 著者名/発表者名
  Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura
- 学会等名
  The 7th International workshop on Active-matrix Flatpanel Displays and Devices
- 発表場所
  東京都目黒区大岡山、東京工業大学(招待講演)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、志村考功
- 学会等名
  第71回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  長崎県長崎市長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabricatrion of High-quality SiGe-on-insulator Structures by Rapid Melt Growth2010
- 著者名/発表者名
  Shinpei Ogiwara, Takayoshi Shimura
- 学会等名
  Third International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  大阪市大阪大学中ノ島センター
- 年月日
  2010-11-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 発表場所
  長崎市、長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 放射光X線トポグラフィによるSGOIウエーハの歪み及び格子面傾斜揺らぎの2次元分布測定2009
- 著者名/発表者名
  志村考功
- 学会等名
  第70回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[学会発表] Observation of Two-Dimensional Distribution of Lattice Inclination and Strain in Strained Si Wafers by Synchrotron X-Ray Topography2009
- 著者名/発表者名
  志村考功
- 学会等名
  13th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
- 発表場所
  Wheeling, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[学会発表] Observation of Two-dimensional Distribution of Lattice Inclination and Strain in Strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Topography2009
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, M.Umeno, 他
- 学会等名
  The 13^<th> International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors(DRIP XIII)
- 発表場所
  Wheeling, W.V., USA
- 年月日
  2009-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[学会発表] 放射光X線トポグラフィによる歪みSiウエーハの歪み及び格子面傾斜揺らぎの2次元分布測定2009
- 著者名/発表者名
  志村考功
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[学会発表] Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  MRS fall meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 放射光X線マイクロビームによるSiGe酸化濃縮時における歪み緩和過程の局所領域評価2008
- 著者名/発表者名
  志村考功
- 学会等名
  第69回応用物理学関係連合講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[学会発表] Investigation of Structural Defects in Strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Topography2008
- 著者名/発表者名
  志村考功
- 学会等名
  The 5^<th> International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[学会発表] Observation of Crystalline Imperfections in Supercritical Thickness Strained Silicon on Insulator Wafers by Synchrotron X-ray Topography2008
- 著者名/発表者名
  志村考功
- 学会等名
  214th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[学会発表] Fabrication of GeSn-on-insulator Structure by Utilizing Lateral Liquid-Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Fabrication of GeSn-on-insulator Structure by Utilizing Lateral Liquid-Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出
- 著者名/発表者名
  福島悠太、アランフルカン、樋口直樹、チャンタパンアタウット、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センターウインクあいち（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性
- 著者名/発表者名
  勝義仁, 細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長によって作製した絶縁体上GeSnワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調技術
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 松江将博, 細井卓治, 志村孝功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 急速加熱処理により作製したGeSn-on-quartz構造のフォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
- 著者名/発表者名
  チャンタパンアタウット, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第２０回研究会)
- 発表場所
  東レ研修センター、三島市
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出
- 著者名/発表者名
  福島悠太, チャンタパンアタウット, 永井大介, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] Synchrotron radiation photoemission spectroscopy study of SiO2/4H-SiC(0001) interfaces with NO annealing
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 吉越章隆, 寺岡有殿, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014)
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Schottky Barrier Height Reduction of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation for Metal Source/Drain Ge CMOS Devices
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
- 年月日
  2014-06-19 – 2014-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係
- 著者名/発表者名
  永井大介, 福島悠太, 勝義仁, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センター、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Diffusivity of Mobile Ions Inherent to Thermal SiO2/SiC Structures in Deposited SiO2 Gate Dielectrics
- 著者名/発表者名
  チャンタパン　アタウット、中野佑紀、中村孝、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  第74回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性
- 著者名/発表者名
  冨永幸平，梶村恵子，天本隆史，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 急速加熱処理により作製したGeSn-on-quartz構造のフォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性
- 著者名/発表者名
  冨永幸平，梶村恵子，天本隆史，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Sub-1-nm EOT Schottky Source/Drain Germanium CMOS Technology with Low-temperature Self-aligned NiGe/Ge Junctions
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Minoura, R. Asahara, H. Oka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割
- 著者名/発表者名
  永井大介, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Electrical and physical properties of SiO2 gate dielectrics grown on 4H-SiC
- 著者名/発表者名
  細井　卓治、上西　悠介、チャンタパン　アタウット、池口　大輔、中野　佑紀、中村　孝、志村　考功、渡部　平司
- 学会等名
  The 8th international conference on advanced materials upon the proven concept and continues the tradition of its seven predecessors (THERMEC2013)
- 発表場所
  Las Vegas, NV, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO2 /SiC 構造の評価
- 著者名/発表者名
  福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] AlON/SiO2積層ゲート絶縁膜によるSiC MOSデバイスのBTI特性改善
- 著者名/発表者名
  チャンタパン　アタウット、中野佑紀、中村孝、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028

1. 渡部平司 (90379115)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 111件
2. 細井卓司 (90452466)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 103件
3. 梅野正隆 (50029071)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 19件
4. 田川雅人 (10216806)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
5. 大前伸夫 (60029345)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
6. 益子洋治

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
7. 石川靖彦 (60303541)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 和田一実 (30376511)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 近藤高志 (60205557)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 安武潔 (80166503)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. 大参宏昌 (00335382)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 太田斉

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. YOHJI Mashiko

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 小山浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 柳沢雅弘

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 安武裕輔

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
17. CHANTHAPHAN Atthawut

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 9件
18. 國吉望月

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
19. 吉越章隆

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
20. 寺岡有殿

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

志村 考功 Shimura Takayoshi

志村 孝功 シムラ タカヨシ

研究課題

研究成果

共同研究者

屈折・回折・干渉を用いないエックス（ガンマ）線フーリエイメージング法の実証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

局所液相成長によるGeSn細線の形成とレーザーダイオードの動作実証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

構造化X線光源による高感度・高分解能透過型X線撮像法の実証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

SOIピクセル検出器による自己像直接検出型タルボ・ロー干渉計の高度化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

埋め込みX線ターゲットを用いた超解像X線撮像法の実証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

チャネルラストプロセスによる歪み制御縦型Ｇｅトランジスタの作製と電気特性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

局所選択液相エピタキシャル成長によるGOI構造の作製と電気特性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

志村考功 Shimura Takayoshi

志村孝功シムラタカヨシ