梅野正隆 UMENO Masataka

研究者番号	50029071
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度 – 2010年度: 福井工業大学, 工学部, 教授 2005年度 – 2006年度: 福井工業大学, 工学部, 教授 1998年度 – 2001年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 1991年度 – 1997年度: 大阪大学, 工学部, 教授 1986年度 – 1987年度: 大阪大学, 工学部, 教授 1986年度: 阪大, 工学部, 教授 1985年度: 大阪大学, 工, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 機械要素研究代表者以外応用物性
キーワード	研究代表者シリコン / silicon / SOI / X線回折 / トンネル効果 / MBE / 界面 / SiO_2 / oxidation / CTR scattering … もっと見る / X-ray diffraction / 極微細構造 / マイクロデバイス / CTR散乱 / RTO / NF_3 / 酸化膜 / 熱酸化 / 電界イオン顕微鏡 / エキソ電子放射 / Atomic Structure / Substrate / Interface / Surface / 高電圧印加方式 / 高電圧電界イオン顕微鏡 / 原子構造 / 母材 / 表面 / Thermal Oxidation / Buried Oxide / Silicon / LSI基板 / 結晶工学 / SIMOX / SOIウエーハ / SiGe / SOI(Silicon On Insulator) / x-ray diffraction / interface / thin film / 薄膜 / 酸化 / oxygen / XPS / beam oxidation / space environment / low temperature / atomic oxygen / 低地球軌道 / 表面反応 / 低温酸化 / ビーム酸化 / デバイスプロセス技術 / 宇宙環境 / 原子状酸素 / Microstructure / Microdevice / microstructure / microdevice / X線回析 / oxide layr / thermal oxidation / 界面準位 / 真性応力 / 酸酸化 / 逆格子マッピング / 放射光 / 酸化濃縮 / 歪シリコン / トポグラフィ / 歪シリコンウエーハ / 結晶評価 / タングステン / 表面欠陥 / 画像処理 / 電子放射像 / 仕事関数 / タングステンチップ / FSEE / エキソ電子 / 電界放射 … もっと見る研究代表者以外結晶欠陥 / 半導体 / X線表面散乱 / 高分解能電顕 / 表面・界面構造 / 成長表面・界面 / 結晶成長 / Dislocations / Crystal Defects / Semiconductor / <II> - <VI> compounds / Gallium Arsenide / Germanium / Silicon / 不純物 / 転位 / II-VI化合物 / ガリウム砒素 / ゲルマニウム / シリコン / IIIーV族半導体 / IV族半導体 / 欠陥物性 / 位相シフト干渉法 / フィールド・イオン顕微鏡 / カソード・ルミネッセンス / FIM / エピタキシヤル成長 / RHEED / 半導体結晶表面 / 微斜面 / REM / 高分子板状結晶 / 多波干渉顕微鏡 / フィ-ルド・イオン顕微鏡 / カソ-ド・ルミネッセンス隠す

X線回折による歪シリコンウエハの歪量測定に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  福井工業大学
Siエピタキシャル基板への埋め込酸化膜形成に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  福井工業大学
X線回折法を用いたSiO_2/Si界面形成のその場観察による酸化機構の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
X線を用いた半導体表面の極微細構造の定量的評価法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
パルス超音速原子状酸素ビームを利用したSi常温酸化法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
電界刺激エキソ電子放射(FSEE)に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
SOIのRTOならびに低温熱酸化における界面電荷の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
X線表面散乱法を用いた極微パターン形状の定量的評価法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
電界刺激エキソ電子放射(FSEE)の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
電界刺激エキソ電子放射(FSEE)の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
原子レベルでの結晶成長機構(成長表面と界面構造)
- 研究代表者
  
  原田仁平
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
原子レベルでの結晶成長機構(成長表面と界面構造)
- 研究代表者
  
  原田仁平
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
半導体の結晶欠陥物性の制御とその応用
- 研究代表者
  
  角野浩二
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東北大学
半導体結晶欠陥の物性
- 研究代表者
  
  角野浩二
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  総合研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東北大学
機械材料の表面・界面・母材研究のための高電圧電界イオン顕微鏡の試作研究代表者
- 研究代表者
  
  梅野正隆
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  機械要素
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2010 2009 2008 2006 2005

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Thermal Stability and Electron Irradiation Damage of Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Si2010
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, D.Shimokawa, T.Inoue, T.Hosoi, H.Watanabe, O.Sakata, M.Umeno
- 雑誌名
  
  J.Electrochem.Soc. 157
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Characterization of Strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Microbeam and Topography2008
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Umeno, 他
- 雑誌名
  
  J. of Mat. Sci. : Materials in Electronics 19, Sup-plement 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Characterization of Strained Si Wafers by X-ray Diffraction Techniques2008
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, K.Kawamura, M.Asakawa, H.Watanabe, K.Yasutake, A.Ogura, K.Fukuda, O.Sakata, S.Kimura, T.Edo, S.Iida, M.Umeno
- 雑誌名
  
  J.Mat.Sci.Materials in Electronics 19 Suppl.1
  
  ページ: 189-193
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] Investigation of Structural Defects in strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Topography2008
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Umeno, 他
- 雑誌名
  
  Proc. of The 5^<th> International Symposium on Advanced Science and Technology of silicon Materials
  
  ページ: 266-270
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017
[雑誌論文] White X-ray Topography of Lattice Undulation in Bonded Silicon-On-Insulator Wafers2006
- 著者名/発表者名
  K.Fukuda, T.Yoshida, T.Shimura, K.Yasutake, M.Umeno, S.Iida
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 45(9A)
  
  ページ: 6795-6799
- NAID
  10018245181
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers2006
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, M.Shimizu, S.Horiuchi, H.Watanabe, Y.Yasutake, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Letters 89
- NAID
  120007183055
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers2006
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, M.Shimizu, S.Horiuchi, H.Watanabe, Y.Yasutake, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Letters 89
- NAID
  120007183055
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] White X-ray Topography of Lattice Undulation in Bonded Silicon-On-Insulator Wafers2006
- 著者名/発表者名
  K.Fukuda, T.Yoshida, T.Shimura, K.Yasutake, M.Umeno, S.Iida
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45-9
  
  ページ: 6795-6799
- NAID
  10018245181
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and internal-thermal-oxidation separation-by-implanted-oxygen wafers2005
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura, F.Kazunori, K.Yasutake, T.Hosoi, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films vol.476-1
  
  ページ: 125-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Reactions and diffusion of atomic and molecular oxygen in the SiO_2 network2005
- 著者名/発表者名
  T.Tatsumura, T.Shimura, E.Mishima, K.Kawamura, D.Yamasaki, H.Yamamoto, T.Watanabe, M.Umeno, I.Ohdomari
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 72-4
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, E.Mishima, H.Watanabe, K.Yasutake, M.Umeno, K.Tatsumura, T.Watanabe, I.Ohdomari, K.Yamada, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.1 No1
  
  ページ: 39-48
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, E.Mishima, H.Watanabe, K.Yasutake, M.Umeno, K.Tatsumura, T.Watanabe, I.Ohdomari, K.Yamada, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1-1
  
  ページ: 39-48
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] X-ray diffraction measurements of internal strain in Si nanowires fabricated using a self-limiting oxidation process2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, K.Yasutake, M.Umeno, M.Nagase
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Letters 86
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, E.Mishima, H.Watanabe, K.Yasutake, M.Umeno, K.Tatsumura, T.Watanabe, I.Ohdomari, K.Yamada, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1(1)
  
  ページ: 39-48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] X-ray diffraction measurements of internal strain in Si nanowires fabricated using a self-limiting oxidation process2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, K.Yasutake, M.Umeno, M.Nagase
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Letters 86
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and internal- thermal-oxidation separation-by-implanted-oxygen wafers2005
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura, F.Kazunori, K.Yasutake, T.Hosoi, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 476-1
  
  ページ: 125-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and internal-thermal-oxidation separation-by-implanted-oxygen wafers2005
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, K.Fukuda, K.Yasutake, T.Hosoi, M.Umeno
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 476-1
  
  ページ: 125-129
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[雑誌論文] Reactions and diffusion of atomic and molecular oxygen in the SiO_2 network2005
- 著者名/発表者名
  T.Tatsumura, T.Shimura, E.Mishima, K.Kawamura, D.Yamasaki, H.Yamamoto, T.Watanabe, M.Umeno, I.Ohdomari
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 72(4)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560014
[学会発表] Observation of Two-dimensional Distribution of Lattice Inclination and Strain in Strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Topography2009
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, M.Umeno, 他
- 学会等名
  The 13^<th> International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors(DRIP XIII)
- 発表場所
  Wheeling, W.V., USA
- 年月日
  2009-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560017

1. 志村考功 (90252600)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
2. 大前伸夫 (60029345)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
3. 田川雅人 (10216806)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
4. 益子洋治

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 角野浩二 (50005849)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 吉田正幸 (80038984)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 南日康夫 (10133026)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 御子柴宣夫 (70006279)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 竹内伸 (60013512)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 原田仁平 (80016071)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 塚本勝男 (60125614)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 北村雅夫 (70004489)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 佐藤清隆 (80034479)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 八木克道 (90016072)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 越川孝範 (60098085)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. YOHJI Mashiko

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 小山浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 田畑則一

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. TABATA Norikazu

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 志村孝功

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 19件

梅野 正隆 UMENO Masataka

研究課題

研究成果

共同研究者

X線回折による歪シリコンウエハの歪量測定に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Siエピタキシャル基板への埋め込酸化膜形成に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

X線回折法を用いたSiO_2/Si界面形成のその場観察による酸化機構の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

X線を用いた半導体表面の極微細構造の定量的評価法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

パルス超音速原子状酸素ビームを利用したSi常温酸化法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電界刺激エキソ電子放射(FSEE)に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

SOIのRTOならびに低温熱酸化における界面電荷の制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

X線表面散乱法を用いた極微パターン形状の定量的評価法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電界刺激エキソ電子放射(FSEE)の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

電界刺激エキソ電子放射(FSEE)の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

原子レベルでの結晶成長機構(成長表面と界面構造)

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

原子レベルでの結晶成長機構(成長表面と界面構造)

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

半導体の結晶欠陥物性の制御とその応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体結晶欠陥の物性

研究代表者

研究期間 (年度)

梅野正隆 UMENO Masataka