荒井英輔 ARAI Eisuke

研究者番号	90283473
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 2003年度 – 2004年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 1998年度 – 2004年度: 名古屋工業大学, 工学部, 教授 2002年度: 名古屋工業大学, 工学部・電気情報工学科, 教授 1999年度 – 2000年度: 名古屋工業大学, 工学部・電気情報工学科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・機器工学研究代表者以外理工系
キーワード	研究代表者 new donor / buried oxide / 埋込酸化膜 / SOI / プロセスシミュレータ / 不純物拡散 / 埋込み酸化膜 / 極薄SOI / シリコンLSI / pair diffusion model … もっと見る / process simulator / recombination velocity of point defect density / carrier density distribution / μ-PCD method / SOI substrate / アンチモン / ひ素 / ニュードナー / 耐圧 / 界面電荷密度 / キャリア分布 / 拡散モデル / P拡散 / B拡散 / 発生ライフタイム / 界面再結合速度 / 対拡散モデル / 点欠陥再結合速度 / キャリア濃度分布 / μ-PCD法 / 埋め込み酸化膜 / SOI基板 / process simulation / impurity diffusion / spreading resistance / carrier concentration / active layer / ultra thin SOI / silicon LSI / シミュレーションモデル / 低消費電力LSI / LSI / 格子間Si / シュミレーションモデル / シリコン / プロセスシミュレーション / 拡がり抵抗法 / キャリア濃度 / 活性層 … もっと見る研究代表者以外超高速光・電子デバイス / 原子精度要素プロセス / 高性能トランジスタ / 集積回路 / シリコン / 極微細構造 / シリコンゲルマニウム / 光物性 / 電子物性 / 光エレクトロニクス / 人工IV族半導体 / プロセスシミュレーション / 拡がり抵抗測定 / SOI / 不純物拡散隠す

ナノメータLSI用極薄SOI基板の結晶評価と不純物拡散モデリングの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  荒井英輔
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2004
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  武蔵工業大学
   東京大学
ナノメータLSI用離散的拡散シミュレーション技術の研究
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  名古屋工業大学
ナノメーターLSI用SOI基板中の不純物拡散モデリングの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  荒井英輔
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  名古屋工業大学

すべて 2004 2003 2002

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Conduction type change with annealing in thin silicon-on-insulator wafers2004
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 48
  
  ページ: 1249-1252
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Silicon and Silicon-on-Insulator2003
- 著者名/発表者名
  E.Arai, D.Iida, H.Asai, Y.Ieki, H.Uchida, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 1503-1510
- NAID
  80015914766
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Sb Pile-up at Oxide and Si Interface during Drive-in Process after Predeposition Using Doped Oxide Source2003
- 著者名/発表者名
  T.Ichino, H.Uchida, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 1139-1144
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusin Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Si and Silicon-on-Insulaor2003
- 著者名/発表者名
  E.Arai, D.Iida, H.Asai, Y.Ieki, H.Uchida, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 1503-1510
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Interface recombination velocity of silicon-on-insulator wafers measured by microwave reflectance photoconductivity decay method with electric field2003
- 著者名/発表者名
  T.Kuwayama, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Letters 83
  
  ページ: 928-930
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] As and Sb Diffusion in Thin Silicon-on-Insulator Wafers2003
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 4282-4283
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Changes in carrier profiles of bonded SOI wafers with thermal annealing measured by the spreading resistance method2002
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, S.Ito, E.Arai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 46
  
  ページ: 545-553
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Si and Silicon-on-Insulator2002
- 著者名/発表者名
  E.Arai, D.Iida, H.Asai, Y.Ieki, H.Uchida, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 1503-1510
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Boron Diffusion Profiles in Ultrathin Silicon-on-Insulator Structvires and Their Relation to Crystalline Quality2002
- 著者名/発表者名
  H.Uchida, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
  
  ページ: 4436-4441
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Boron Diffusion Profiles in Ultrathin Silicon-on-Insulator Structures and Their Relation to Crystalline Quality2002
- 著者名/発表者名
  H.Uchida, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
  
  ページ: 4436-4441
- NAID
  110006341535
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] As and Sb diffusion profiles in thin silicon-on-insulator2002
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 3^<rd> International Workshop on Junction Technology
  
  ページ: 89-90
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] As and Sb diffusion profiles in thin silicon-on-insulator wafers2002
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 3^<rd> International Workshop on Junction Technology
  
  ページ: 89-90
- NAID
  130004531037
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323

1. 市村正也 (30203110)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 12件
2. 内田秀雄 (10293739)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 6件
3. 邵春林 (20242828)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 吉田正幸 (80038984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 加藤正史 (80362317)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 安田幸夫 (60126951)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 坂本統徳

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 伊澤達夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

荒井 英輔 ARAI Eisuke

研究課題

研究成果

共同研究者

ナノメータLSI用極薄SOI基板の結晶評価と不純物拡散モデリングの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノメータLSI用離散的拡散シミュレーション技術の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

ナノメーターLSI用SOI基板中の不純物拡散モデリングの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Conduction type change with annealing in thin silicon-on-insulator wafers2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Silicon and Silicon-on-Insulator2003

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Sb Pile-up at Oxide and Si Interface during Drive-in Process after Predeposition Using Doped Oxide Source2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusin Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Si and Silicon-on-Insulaor2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Interface recombination velocity of silicon-on-insulator wafers measured by microwave reflectance photoconductivity decay method with electric field2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] As and Sb Diffusion in Thin Silicon-on-Insulator Wafers2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Changes in carrier profiles of bonded SOI wafers with thermal annealing measured by the spreading resistance method2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Si and Silicon-on-Insulator2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Boron Diffusion Profiles in Ultrathin Silicon-on-Insulator Structvires and Their Relation to Crystalline Quality2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Boron Diffusion Profiles in Ultrathin Silicon-on-Insulator Structures and Their Relation to Crystalline Quality2002

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] As and Sb diffusion profiles in thin silicon-on-insulator2002

著者名/発表者名

荒井英輔 ARAI Eisuke