• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

杉山 正和  Sugiyama Masakazu

研究者番号 90323534
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-4303-4038
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2017年度 – 2024年度: 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授
2016年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
2016年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
2014年度 – 2015年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
2012年度 – 2015年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 … もっと見る
2008年度 – 2012年度: 東京大学, 工学系研究科, 准教授
2007年度 – 2011年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授
2006年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教授
2005年度 – 2006年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授
2002年度 – 2005年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師
2000年度 – 2001年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分27030:触媒プロセスおよび資源化学プロセス関連 / 理工系 / 反応工学・プロセスシステム / 反応・分離工学
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / エネルギー関連化学 … もっと見る / 物理化学 / 電子デバイス・機器工学 / 反応・分離工学 / 工学 / 理工系 / 理工系 / 応用光学・量子光工学 隠す
キーワード
研究代表者
半導体 / 光触媒 / 有機金属気相成長 / 光起電力 / バンドアラインメント / 化合物半導体 / 太陽電池 / 量子井戸 / GaN / 初期核発生 … もっと見る / phosphate / sulphate / high-voltage / surface / Na-ion battery / 中間バンド / フォトルミネッセンス / 量子構造 / キャリアダイナミクス / 半導体光触媒 / 太陽光水素製造 / 表面修飾 / 水素 / 水分解 / 界面準位 / 半導体物理 / 分極 / エピタキシャル成長 / フェルミエネルギー / 表面構造 / 窒化ガリウム / 光電気化学 / 結晶成長 / 再生可能エネルギー / 分極制御 / 2段階光電変換 / 窒化物半導体 / in situ観察 / 超格子 / III-V化合物半導体 / サブバンド間吸収 / 歪み補償 / 多色集積 / 発光波長制御 / 波長シフト / 発光ダイオード / 多重量子井戸 / 選択成長 / MOVPE / InGaN / 組成分布 / 微小領域選択成長 / InGaAs / 鋼薄膜 / 界面不純物 / 可視化 / 有機金属原料 / 超臨界二酸化炭素 / ULSI用配線形成 / 銅薄膜 / 紫外・可視吸収スペクトル / HAuCl_4 / 金ナノ粒子 / 粒子微細化 / 粒径制御 / 核発生 / その場観察 / 光還元 / レーザー / ナノ粒子 / 金 … もっと見る
研究代表者以外
MOVPE / 光集積回路 / MMI / SOA / optical logic gate / 光フリップフロップ / 光論理ゲート / ユニタリ変換 / モノリシック / 半導体 / デジタル光回路 / 全光処理 / GaN / 有機金属気相エピタキシー / 線形演算 / 光コンピューティング / InP / 高速 / イメージング / GaAs / InGaAsP / 光センシング / 触媒・化学プロセス / エネルギー全般 / 再生可能エネルギー / エネルギー変換 / 光電気化学 / 光触媒 / 太陽光 / 近赤外 / イオン交換樹脂 / 光電極・光触媒 / 光電極 / 近赤外光 / 太陽エネルギー / 多層構造 / 表面・界面準位 / 光触媒・光電極 / フォトルミネッセンス / 酸窒化物 / 酸化物 / カルコゲナイド / 表面修飾 / 触媒 / 人工光合成 / 水素 / optical flip-flop / all-optical processing / digital optical circuit / photonic integrated circuit / Condensation coefficient / Droplet train / Diffusion / Molecular dynamics / Mass accommodation coefficient / Uptake coefficient / Heterogeneous Atmospheric Chemistry / Liquid-Vapor Interface / HO2ラジカル / 流体解析 / エアロゾル / 凝結係数 / 液滴法 / 拡散 / 分子動力学 / 適応係数 / 取り込み係数 / 不均質大気化学 / 気液界面 / all-optical flip-flop / bistable laser diode / multimode interference coupler / passive integration / active / selective area growth / metal-organic vapor phase epitaxy / 方向性結合器 / 電界吸収光非線形性 / 双安定半導体レーザ / 多モード干渉カプラ / 受動集積 / 能動 / 選択成長 / 有機金属気相エピキタシー / Supercritical CO_2 / Vibrational relaxation / Ice surface / Au particle / Low temperature rare gas crystal / Laser material engineering / Lase application / Laser reaction engineering / 光増感反応 / エネルギー移動 / 半導体コロイド / 多ホノン過程 / 低温結晶 / レーザー光応用 / レーザー反応工学 / 超臨界二酸化炭素 / 振動緩和 / 氷表面 / 金微粒子 / 低温希ガス結晶 / レーザー材料工学 / レーザー応用 / レーザ反応工学 / アダブティブ / 偏波制御 / 光波合成 / アダプティブ / 集積フォトニクス / MOVPEデジタル光回路 / 全光フリップフロツプ / 半導体光デバイス / 非相反光デバイス / 全光フリップフロップ / 全光論理ゲート / 半導体デバイス / 半導体光集積回路 / 光回路 / 光デバイス / EELS / EDS / 化合物半導体 / 電子状態 / SrTiO3 / MOCVD / 薄膜材料 / 界面 / 走査透過型電子顕微鏡 / 透過型電子顕微鏡 / 機能性薄膜 / ナノ機能元素 / HRTEM / 構造ユニット / 陽イオン不定比 / 転位 / 機能元素 / 粒界 / 原子構造 / STEM / マンガン酸ストロンチウム / チタン酸ストロンチウム / PLD / 点欠陥 / 微細構造 / 薄膜 / AlN / AIN / 全光スイッチ / サブバンド間遷移 / 窒化アルミニウム / 窒化ガリウム 隠す
  • 研究課題

    (21件)
  • 研究成果

    (293件)
  • 共同研究者

    (23人)
  •  化合物半導体モノリシック高度ユニタリ変換光集積回路の開発と応用

    • 研究代表者
      中野 義昭
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  全固体電池の性能向上のための電荷移動制御研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      特別研究員奨励費
    • 審査区分
      小区分27030:触媒プロセスおよび資源化学プロセス関連
    • 研究機関
      東京大学
  •  多次元バンドエンジニアリングによる半導体光触媒の高効率化研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  近赤外センシング用1.0μm帯モノリシック半導体光集積回路の開発

    • 研究代表者
      中野 義昭
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  光触媒におけるバンドアラインメントの究明と半導体物理的設計指針の構築研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  近赤外光応答光触媒電極開発とタンデム型反応系の構築

    • 研究代表者
      嶺岸 耕
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      エネルギー関連化学
    • 研究機関
      東京大学
  •  分極制御による可視光応答・高耐久性窒化物半導体人工光合成デバイス研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  半導体モノリシック光波合成・任意ユニタリ変換光集積回路の創出

    • 研究代表者
      中野 義昭
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2018
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  量子井戸中間バンド太陽電池の作製と光学的評価研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      特別研究員奨励費
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  窒化物半導体歪み補償量子井戸によるマルチバンド太陽電池研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  ディジタルフォトニクス-光エレクトロニクスのパラダイムシフト

    • 研究代表者
      中野 義昭
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  気相拡散支配面積選択成長による窒化物半導体集積多波長光源研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  その場観察・コビナトリアル手法による化合物半導体/シリコン界面制御法の構築研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2007
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  ナノ機能元素制御高機能薄膜材料の創成

    • 研究代表者
      山本 剛久
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2011
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
      東京大学
  •  窒化物半導体量子構造に基づくサブバンド間遷移機能光デバイスの研究

    • 研究代表者
      中野 義昭
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  デジタル光デバイスによる全光パケット処理モノリシック集積回路の研究開発

    • 研究代表者
      中野 義昭
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  超臨界流体を用いた大規模集積回路用高機能薄膜形成プロセスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      反応工学・プロセスシステム
    • 研究機関
      東京大学
  •  大気中エアロゾル表面構造と物質移動に関する理論的研究

    • 研究代表者
      森田 明弘
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      物理化学
    • 研究機関
      大学共同利用機関法人自然科学研究機構(共通施設)
      岡崎国立共同研究機構
  •  半導体デジタル全光デバイス・集積回路の研究開発

    • 研究代表者
      中野 義昭
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  金ナノ粒子のレーザー誘起核発生過程のその場観察研究代表者

    • 研究代表者
      杉山 正和
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      反応・分離工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  レーザーを利用した反応工学の基盤構築

    • 研究代表者
      幸田 清一郎
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      反応・分離工学
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Efficient hydrogen evolution from water over a thin film photocathode composed of solid solutions with a composition gradient of ZnTe and CdTe2024

    • 著者名/発表者名
      Lionel S. Veiga, Hiromu Kumagai, Masakazu Sugiyama, Tsutomu Minegishi
    • 雑誌名

      Sustainable Energy and Fuels

      巻: -

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [雑誌論文] Solar to hydrogen efficiency of 28.2% under natural sunlight achieved by a combination of five-junction concentrator photovoltaic modules and electrolysis cells2023

    • 著者名/発表者名
      Yamaguchi Shingi、Watanabe Kentaroh、Minegishi Tsutomu、Sugiyama Masakazu
    • 雑誌名

      Sustainable Energy & Fuels

      巻: 7 号: 6 ページ: 1377-1381

    • DOI

      10.1039/d2se01754g

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [雑誌論文] Ambient Sensitive Charge Transfer from GaN to Pt during a Photocatalytic Reaction2022

    • 著者名/発表者名
      Endo Tatsuro、Minegishi Tsutomu、Shizumi Soraya、Sugiyama Masakazu
    • 雑誌名

      The Journal of Physical Chemistry Letters

      巻: 13 号: 18 ページ: 3978-3982

    • DOI

      10.1021/acs.jpclett.2c00766

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [雑誌論文] In-Situ Photoluminescence Analysis of GaN Photoanode During Water Oxidation2021

    • 著者名/発表者名
      T. Minegishi, S.; Shizumi, O. Ciftci, T. Endo, Y. Imazeki, Y. Pihosh, M. Sugiyama
    • 雑誌名

      The Journal of Physical Chemistry C

      巻: in press 号: 19 ページ: 10493-10499

    • DOI

      10.1021/acs.jpcc.1c02005

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772, KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [雑誌論文] Band Bending of nGaN under Ambient H2O Vapor Studied by Xray Photoelectron Spectroscopy2021

    • 著者名/発表者名
      Yuki Imazeki, Masahiro Sato, Takahito Takeda, Masaki Kobayashi, Susumu Yamamoto, Iwao Matsuda, Jun Yoshinobu, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      The Journal of Physical Chemistry C

      巻: - 号: 17 ページ: 9011-9019

    • DOI

      10.1021/acs.jpcc.0c11174

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14775, KAKENHI-PROJECT-18H03772, KAKENHI-PROJECT-18K13784
  • [雑誌論文] Efficient hydrogen evolution from water over thin film photocathode composed of solid solutions between ZnSe and Cu(In, Ga)Se<sub>2</sub> with composition gradient2021

    • 著者名/発表者名
      Minegishi Tsutomu、Yamaguchi Shingi、Sugiyama Masakazu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 119 号: 12 ページ: 123905-123905

    • DOI

      10.1063/5.0064658

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [雑誌論文] ZnTe-based photocathode for hydrogen evolution from water under sunlight2020

    • 著者名/発表者名
      Minegishi Tsutomu、Ohnishi Atsushi、Pihosh Yuriy、Hatagami Kentaro、Higashi Tomohiro、Katayama Masao、Domen Kazunari、Sugiyama Masakazu
    • 雑誌名

      APL Materials

      巻: 8 号: 4 ページ: 041101-041101

    • DOI

      10.1063/5.0002621

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01216
  • [雑誌論文] Atomistic-Level Description of GaN/Water Interface by a Combined Spectroscopic and First-Principles Computational Approach2020

    • 著者名/発表者名
      Sato Masahiro、Imazeki Yuki、Takeda Takahito、Kobayashi Masaki、Yamamoto Susumu、Matsuda Iwao、Yoshinobu Jun、Nakano Yoshiaki、Sugiyama Masakazu
    • 雑誌名

      The Journal of Physical Chemistry C

      巻: 124 号: 23 ページ: 12466-12475

    • DOI

      10.1021/acs.jpcc.0c02192

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K13784, KAKENHI-PROJECT-20K14775, KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [雑誌論文] Ta3N5-Nanorods enabling highly efficient water oxidation via advantageous light harvesting and charge collection2020

    • 著者名/発表者名
      Pihosh Yuriy、Minegishi Tsutomu、Nandal Vikas、Higashi Tomohiro、Katayama Masao、Yamada Taro、Sasaki Yutaka、Seki Kazuhiko、Suzuki Yohichi、Nakabayashi Mamiko、Sugiyama Masakazu、Domen Kazunari
    • 雑誌名

      Energy & Environmental Science

      巻: 13 号: 5 ページ: 1519-1530

    • DOI

      10.1039/d0ee00220h

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01216
  • [雑誌論文] First-principles modeling of GaN(0001)/water interface: Effect of surface charging2019

    • 著者名/発表者名
      M. Sato, Y. Imazeki, K. Fujii, Y. Nakano, and M. Sugiyama
    • 雑誌名

      The Journal of Chemical Physics

      巻: 150 号: 15 ページ: 154703-154703

    • DOI

      10.1063/1.5086321

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K13784, KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [雑誌論文] Photoelectrochemical Property Differences between NiO Dots and Layer on n-Type GaN for Water Splitting2017

    • 著者名/発表者名
      K. Koike, K. Yamamoto, S. Ohara, M. Sugiyama, Y. Nakano, K. Fujii
    • 雑誌名

      J. Electrochemical Soc.

      巻: 42 号: 13 ページ: 9493-9499

    • DOI

      10.1149/2.1191613jes

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [雑誌論文] Improved luminescence from InGaN/GaN MQWs by reducing initial nucleation density using sputtered AlN on sapphire substrate2017

    • 著者名/発表者名
      Wang Hongbo、Sodabanlu Hassanet、Daigo Yoshiaki、Seino Takuya、Nakagawa Takashi、Sugiyama Masakazu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 465 ページ: 12-17

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.02.034

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [雑誌論文] Low-temperature growth of AlN and GaN by metal organic vapor phase epitaxy for polarization engineered water splitting photocathode2017

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Nakamura, Michihiro Suzuki, Katsushi Fujii, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 464 ページ: 180-184

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.12.005

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238, KAKENHI-PROJECT-14J08965
  • [雑誌論文] Mechanism of stress control for GaN growth on Si using AlN interlayers2017

    • 著者名/発表者名
      Michihiro Suzuki, Akihiro Nakamura, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 464 ページ: 148-152

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.12.090

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [雑誌論文] Effects of hydrogen etching on stress control in AlN interlayer inserted GaN MOVPE on Si2017

    • 著者名/発表者名
      Liu Cai、Kumamoto Akihito、Suzuki Michihiro、Wang Hongbo、Sodabanlu Hassanet、Sugiyama Masakazu、Nakano Yoshiaki
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: 32 号: 7 ページ: 075003-075003

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aa6b86

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of Optically Determined Solar Cell Current Transport Efficiency Map2016

    • 著者名/発表者名
      A. Delamarre, L. Lombez, K. Watanabe, M. Sugiyama, Y. Nakano, and J.-F. Guillemoles
    • 雑誌名

      IEEE Journal of Photovoltaics

      巻: 6 号: 2 ページ: 528-531

    • DOI

      10.1109/jphotov.2016.2516249

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14F04724
  • [雑誌論文] A 24.4% solar to hydrogen energy conversion efficiency by combining concentrator photovoltaic modules and electrochemical cells2015

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Nakamura, Yasuyuki Ota, Kayo Koike, Yoshihide Hidaka, Kensuke Nishioka, Masakazu Sugiyama, Katsushi Fujii
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 10 ページ: 107101-107101

    • DOI

      10.7567/apex.8.107101

    • NAID

      210000137684

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238, KAKENHI-PROJECT-14J08965
  • [雑誌論文] Quantitative optical measurement of chemical potentials in intermediate band solar cells2015

    • 著者名/発表者名
      Rale, P; Delamarre, A; El-Hajje; Tamaki, R; Watanabe, K; Shoji, Y; Okada, Y; Sugiyama, M; Lombez, L; Guillemoles, JF
    • 雑誌名

      JOURNAL OF PHOTONICS FOR ENERGY

      巻: 5 号: 1 ページ: 053092-053092

    • DOI

      10.1117/1.jpe.5.053092

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14F04724
  • [雑誌論文] Near-infrared electroluminescence and photo detection in InGaAs p-i-n microdisks grown by selective area growth on silicon2014

    • 著者名/発表者名
      Jon Oyvind Kjellman, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 24 号: 12

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26000010
  • [雑誌論文] Electrical pumping Fabry-Perot lasing of a III-V layer on a highly doped silicon micro rib2014

    • 著者名/発表者名
      Linghan Li, Ryo Takigawa, Akio Higo, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, Bingyao Liu, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Laser Physics Letters

      巻: 11

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26000010
  • [雑誌論文] A quantum-well superlattice solar cell for enhanced current output and minimized drop in open-circuit voltage under sunlight concentration2013

    • 著者名/発表者名
      M. Sugiyama, Y. Wang; H. Fujii, H. Sodabanlu, K. Watanabe, Y. Nakano
    • 雑誌名

      Journal of Physics D : Applied Physics

      巻: v 46, n 2

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [雑誌論文] Growth of strain- compensated InGaN/AlN multiple quantum wells on GaN by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      K. Anazawa, H. Sodabanlu, K. Fujii, Y. Nakano, M. Sugiyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: vol. 370, No. 1 ページ: 82-86

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [雑誌論文] ductor-compatible IIInGaAsP grating couplers fabricated using complementary-metal-oxide-semiconI-V-on-insulator on Si2013

    • 著者名/発表者名
      Mitsuru Takenaka, Masafumi Yokoyama, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Shinichi Takagi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: vol. 6 号: 4 ページ: 42501-42501

    • DOI

      10.7567/apex.6.042501

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008, KAKENHI-PROJECT-22686034
  • [雑誌論文] A quantum-well superlattice solar cell for enhanced current output and minimized drop in open-circuit voltage under sunlight concentration2013

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 46 号: 2 ページ: 24001-24011

    • DOI

      10.1088/0022-3727/46/2/024001

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [雑誌論文] Photocurrent Generation by Two-Step Photon Absorption with Quantum-Well Superlattice Cell2012

    • 著者名/発表者名
      M. Sugiyama, Y. Wang, K. Watanabe, T. Morioka, Y. Okada, Y. Nakano
    • 雑誌名

      IEEE J. Photovoltaics

      巻: v 2, n 3 ページ: 298-302

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [雑誌論文] Photocurrent Generation by Two-Step Photon Absorption with Quantum-Well Superlattice Cell2012

    • 著者名/発表者名
      M.Sugiyama, Y.Wang, K.Watanabe, T.Morioka, Y.Okada, Y.Nakano
    • 雑誌名

      IEEE J.Photovoltaics

      巻: (印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [雑誌論文] Continuous wavelength modulation of semi-polar plane InGaN/GaN MQWs based on vapor-phase-diffusion-based selective-area pyramidal growth2011

    • 著者名/発表者名
      T.Fujiwara, Y.Nakano, M.Sugiyama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 208 ページ: 1203-1205

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Continuous wavelength modulation of semi-polar plane InGaN/GaN MQWs based on vapor-phase-diffusion-based selective-area pyramidal growth2011

    • 著者名/発表者名
      Tatsuki Fujiwara, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A vol.208, no.5

      ページ: 1203-1205

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Continuous wavelength modulation of semi-polar plane InGaN/GaN MQ Ws based on vapor-phase-diffusion-based selective-area pyramidal growth2011

    • 著者名/発表者名
      T.Fujiwara, Y.Nakano, M.Sugiyama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 208 ページ: 1203-1205

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Monolithically integrated InGaN-based multicolor light-emitting diodes fabricated by wide-sripe selective area metal organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Shioda, M.Sugiyama, Y.Shimogaki, Y.Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Monolithically integrated InGaN-based multicolor light-emitting diodes fabricated by wide-sripe selective area metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: vol.3, no.9

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Selectivity enhancement by hydrogen addition in selective area metal-organic vapor phase epitaxy of GaN and InGaN2010

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (A) vol.207, no.6

      ページ: 1375-1378

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] (Invited Paper) Selective area metal-organic vapor phase epitaxy of nitride semiconductors for multi-color emission2009

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Yuki Tomita, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      to be published in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (掲載確定 印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Competitive kinetics model to explain surface segregation of indium during InGaP growth by using metal organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 48

    • NAID

      40016425901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Selective Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy of Nitride Semiconductors for Multicolor Emission2009

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Yuki Tomita, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      J.Selected Topics in Quantum Electronics(Invited Paper) Vol.15, No.4

      ページ: 1053-1065

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Selective area metal-organic vapor-phase epitaxy of InN, GaN and InGaN covering whole composition range2009

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 311

      ページ: 2809-2812

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Optical and Structural Characterization of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells by Epitaxial Lateral Overgrowth2009

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama, Tomonari Shioda, Yuki Tomita, Takahisa Yamamoto, Yuichi Ikuhara, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Material Transactions Vol.50 No.5

      ページ: 1085-1090

    • NAID

      10024814790

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Role of vapor-phase diffusion in selective-area MOVPE of InGaN/GaN MQWs2009

    • 著者名/発表者名
      Yuki Tomita, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 311

      ページ: 2813-2816

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Dislocation-Free InGaAs on Si (111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      M. Deura, T. lloshii, T. Yamamoto, Y. Ikuhara, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2[1] 号: 1 ページ: 11101-11101

    • DOI

      10.1143/apex.2.011101

    • NAID

      10025083963

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19053002
  • [雑誌論文] process design of pulse injection method for low temperature metal organic vapor phase epitaxial growth of AIN at 800℃2009

    • 著者名/発表者名
      Jung-Seung Yang, Hassanet Sodabanlu, Ichitaro Waki, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 311

      ページ: 383-388

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Zn and S doping in GaAs selective area growth by metal-organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics mo. 3

    • NAID

      210000066299

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Selective area metal-organic vapor-phase epitaxy of InN, GaN and InGa N covering whole composition range2009

    • 著者名/発表者名
      T.Shioda, M.Sugiyama, Y.Shimogaki, Y.Nakano
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 311

      ページ: 2809-2812

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Optical and Structural Characterization of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells by Epitaxial Lateral Overgrowth2009

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama, 他
    • 雑誌名

      Material Transactions 50

      ページ: 1085-1090

    • NAID

      10024814790

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19053002
  • [雑誌論文] (Invited Paper) "Selective Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy of Nitride Semiconductors for Multicolor Emission"2009

    • 著者名/発表者名
      T.Shioda, Y.Tomita, M.Sugiyama, Y.Shimogaki, Y.Nakano
    • 雑誌名

      J.Selected Topics in Quantum Electronics 15

      ページ: 1053-1065

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Dislocation-Free InGaAs on Si(111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamamoto, M. Sugiyama(7人4番目)
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS EXPRESS 2[1]

      ページ: 11101-11101

    • NAID

      10025083963

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19053002
  • [雑誌論文] Role of vapor-phase diffusion in selective-area MOVPE of InGaN/GaN MQWs2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Tomita, T.Shioda, M.Sugiyama. Y.Shimogaki, Y.Nakano
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 311

      ページ: 2813-2816

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Kinetic analysis of InAsP by metalorganic vapor phase epitaxy selective area growth technique lective area growth by metal-organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Yunpeng Wang, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nkano, and Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics no. 4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Non-linear surface reaction kinetics-in GaAs selective area MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Abstracts, the 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XIV) We-P61

      ページ: 385-386

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] InP/InGaAsP integrated 1x5 optical switch using arrayed phase shifters2008

    • 著者名/発表者名
      Takuo Tanemura, Mitsuru Takenaka, Abdullah Al Amin, Koji Takeda, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEEE Photonics Technology Letters vol.20, no.12

      ページ: 1063-1065

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Kinetic analysis of InN selective area metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express vol. 1, no. 7

    • NAID

      10025081456

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si2008

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, and Msakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 310

      ページ: 4768-4771

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Nonlinear kinetic analysis of InP and InAs metal organic vapor phase epitaxy by selective area growth technique2008

    • 著者名/発表者名
      Yunpeng Wang, Hasizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 47

      ページ: 8269-8274

    • NAID

      40016346930

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] InP/InGaAsP integrated 1x5 optical switch using arrayed phase shifters2008

    • 著者名/発表者名
      Takuo Tanemura, Mitsuru Takenaka, Abdullah Al Amin, Koji Takeda, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEEE Photonics Technology Letters vol. 20, no. 12

      ページ: 1063-1065

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary materials using in situ RAS2008

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano, and Msakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 310

      ページ: 4736-4740

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Kinetic analysis of InN selective area metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express vol.1, no.7

    • NAID

      10025081456

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Kinetics of subsurface formation during metal-organic vapor phase epitaxy growth of InP and InGaP2008

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 47, no. 32

      ページ: 1473-1478

    • NAID

      40015945423

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Surface reaction kinetics of InP and InAs metalorganic vapor phase epitaxy analyzed by selective area growth technique2008

    • 著者名/発表者名
      Yunpeng Wang, Hasizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 47

      ページ: 7788-7792

    • NAID

      40016281745

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] InP/InGaAsP integrated 1x5 optical switch using arrayed phase shif ters2008

    • 著者名/発表者名
      Takuo Tanemura, Mitsuru Takenaka, Abdullah AI Amin, Koji Takeda, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEEE Photomics Technology Letters vol. 20

      ページ: 1063-1065

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Reactor-scale profile of group-V composition of InGaAsP studied by fluid dynamics simulation and in situ analysis of surface kinetics2008

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 310・no. 12

      ページ: 3042-3048

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Non-linear surface reaction kinetics in GaAs selective area MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 310

      ページ: 4731-4735

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Static optical cross phase modulation in active multimode interference couplers2008

    • 著者名/発表者名
      Salah Ibrahim, Xueliang Song, Msakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Optical and Quantum Electromics vol. 40

      ページ: 419-424

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Reactor-scale profile of group-V composition of InGaAsP studied by fluid dynamics simulation and in situ analysis of surface kinetics2008

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol.310-no.12

      ページ: 3042-3048

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Kinetic analysis of InN selective area metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Msakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express vol. 1

    • NAID

      10025081456

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Dislocation-free InGaAs on Si(111) using micro-channel selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Takuya Hoshii, Takahisa Yamamoto, Yuichi Ikuhara, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, and Msakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      Applied physics Express vol. 2

    • NAID

      10025083963

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Kinetics of subsurface formation during metal-organic vapor phase epitaxy growth of InP and InGaP2008

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol.47, no.32

      ページ: 1473-1478

    • NAID

      40015945423

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] In situ passivation of GaAs surface with aluminum oxido with MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Yuki Terada, Momoko Deura, Yukihiro Shimogaki, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 310

      ページ: 4808-4812

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [雑誌論文] Kinetic analysis of surface adsorption layer in GaAs (001) metalorganic vapor phase epitaxy by in situ reflectance anisotropy spectroscopy2007

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Takayuki Nakano, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol.46, no.10A

      ページ: 6519-6524

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Four channel ridge DFB laser array for 1. 55m CWDM systems by wide-stripe selective area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Shu-Rong Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics E90-C, no.5

      ページ: 1111-1117

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Reactor-scale uniformity of selective-area performance in InGaAsP system2007

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Tomonari Shioda, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth, vol.298

      ページ: 59-63

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Fabrication of monolithically integrated WDM channel selector using single step selective area MOVPE and its characterization2007

    • 著者名/発表者名
      Abdullah A1 Amin, Kenji Sakurai, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics E90-C, no. 5

      ページ: 1124-1128

    • NAID

      110007519683

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Fabrication of monolithically integrated WDM channel selector using single step selective area MOVPE and its characterization2007

    • 著者名/発表者名
      Abdullah Al Amin, Kenji Sakurai, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics E90-C, no. 5

      ページ: 1124-1128

    • NAID

      110007519683

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Kinetic analysis of surface adsorption layer in GaAs (001) metalorganic vapor phase epitaxy by in situ reflectance anisotropy spectroscopy2007

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Takayuki Nakano, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 46, no. 10A

      ページ: 6519-6524

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] GaN selective area metal-organic vapor phase epitaxy : prediction of growth rate enhancement by vapor phase diffusion model2007

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Yuki Tomita, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol.46, no.43

    • NAID

      210000063774

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Four channel ridge DFB laser array for 1.55 m CWDM systems by wide-stripe selective area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Shu-Rons Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics E90-C, no. 5

      ページ: 1111-1117

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] GaN selective area metal-organic vapor phase epitaxy : prediction of growth rate enhancement by vapor phase diffusion model2007

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Yuki Tomita, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 46, no. 43

    • NAID

      210000063774

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Monolithically integrated InGaN-based multicolor light-emitting diodes fabricated by wide-sripe selective area metal organic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express vol.3, no.9

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [雑誌論文] Vapor phase diffusion and surface diffusion combined model for InGaAsP selective area metal organic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth, vol.298

      ページ: 37-40

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] A1N/GaN-MQWサブバンド間遷移スイッチの吸収飽和特性改善に向けた導波路作製の検討 (Waveguide fabrication for improvement of saturation efficiency in A1N/GaN MQW ISBT switch device)2006

    • 著者名/発表者名
      清水俊匡, 飯塚紀夫, 杉山正和, 中野義昭
    • 雑誌名

      第54回応用物理学関係連合講演会 30p-SG-2

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Vapor phase diffusion and surface diffusion combined model for InGaAsP selective area metal organic vapor phase epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 298

      ページ: 37-40

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] パルスインジェクション法で成長したA1N薄膜の極性と不純物濃度 (Polarity and impurity incorporation of A1N thin films grown by pulse-injection method)2006

    • 著者名/発表者名
      梁正承, ハッサネット・ソーダバンルー, 脇一太郎, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩
    • 雑誌名

      第54回応用物理学関係連合講演会 27a-ZM-1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Four channel DFB laser array with integrated combiner for 1.55オm CWDM systems by MOVPE selective area growth2006

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Electronics Express vol. 3, no. 24

      ページ: 522-528

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Four channel DFB laser array with integrated combiner for 1.55 〓m CWDM systems by MOVPE selective area growth2006

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Electronics Express. vol.3,no.24

      ページ: 522-528

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Reactor-scale uniformity of selective-area performance in InGaAsP system2006

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Tomonari Shioda, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 298

      ページ: 59-63

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] DBR laser fabricated by wide-stripe selective area MOVPE and mass transport for monolithic integration2006

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Conference Proceedings, 18th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'06) ThA2.3

      ページ: 424-425

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Low temperature MOVPE growth of AIN by pulse injection method and improvement of crystalline quality2006

    • 著者名/発表者名
      Jung-Seung Yang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Abstract Book, the International Union of Materials Research Society (UMRS-ICA) 2-O-15

      ページ: 17-17

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Demonstration of nearly ideal active-passive junction by selective area MOVPE for large scale photonic integrated circuits2006

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Technical Digest, Eighth International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2006) Last-Minute 12

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] ISBTスイッチング実現に向けたICPエッチングによるAINベース導波路作製と吸収測定 (Fabrication of A1N-based waveguides by ICP etching and ISBT absorption measurements)2006

    • 著者名/発表者名
      清水俊匡, Chaiyasit Kumtomkittikul, 飯塚紀夫, 鈴木信夫, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 雑誌名

      第67回応用物理学会学術講演会 30a-ZX-5

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Pulse Injection法によるGaNのMOVPE成長 (MOVPE growth of GaN by pulse injection method)2006

    • 著者名/発表者名
      梁正承, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩
    • 雑誌名

      第67回応用物理学会学術講演会 31a-E-7

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Inductively coupled plasma etching of AIN-based waveguide structure for the measurement of intersubband transition by A1N/GaN multiple quantum wells2006

    • 著者名/発表者名
      Toshimasa Shimizu, Jung Seung Yang, Chaiyasit Kumtornkittikul, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 25th Electronic Materials Symposium B17

      ページ: 72-73

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Low temperature MOVPE growth of A1N by pulse injection method for improvement of crystalline quality2006

    • 著者名/発表者名
      Jung-Seung Yang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 25th Electronic Materials Symposium D7

      ページ: 122-123

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Monolithically integrated four-channel DFB laser array by MOVPE selective area growth for 1.5〓m CWDM systems2006

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2006), WZ2

      ページ: 655-656

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Surface kinetics in MOVPE of InP and InGaP analyzed by flow modulation method2005

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM '05), Glasgow, UK, May 8-12 WP-20

      ページ: 1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] All-optical OTDM demultiplexing in a high-yield manufacturable monolithic 3-bandgap SOZ-MZI switch by regrowth-free selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Xueliang Song, Foo Cheong Yit, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Technical Digest,31st European Conference on Optical Communications (ECOC 2005) We2.5.2

      ページ: 479-480

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Four-bandgap energy monolithic integration in an SOA-MZI all-optical switch with selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Haizheng Song, Zhenrui Zhang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Technical Digest, Eighth International Symposium on Contemporary Photonics Technology(CPT 2005), Tokyo, January 12-14 E-2

      ページ: 57-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] AlN high-mesa waveguides for ultrafast intersubband transition devices2005

    • 著者名/発表者名
      Chaiyasit Kumtornkittikul, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Technical Digest, the 10th Optoelectronics and Communications Conference(OECC 2005) 8E1-5

      ページ: 844-845

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Reply to Comment on Mass Accommodation Coefficient of Water : Molecular Dynamics Simulation and Revised Analysis of Droplet Train/Flow Reactor Experiment2005

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Morita, Masakazu Sugiyama, Seiichiro Koda, David R.Hanson
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem.B 109/30

      ページ: 14747-14749

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] (解説)化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術2005

    • 著者名/発表者名
      杉山正和, Abdullash Al Amin, 櫻井謙司, 宋学良, Foocheong Yit, 李寧, 脇一太郎, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 雑誌名

      真空(Journal of Vaccuum Society of Japan) vol.48,no.9

      ページ: 511-518

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Selective area MOVPE based InP WDM channel selector2005

    • 著者名/発表者名
      Abdullah Al Amin, Kenji Sakurai, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM '05), Glasgow, UK, May 8-12 MoB1-3

      ページ: 1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Prediction method for the bandgap profiles of InGaAsP multiple quantum well structures fabricated by selective area metal-organic vapor phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Conference Proceedings CD,17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '05) WP-16

      ページ: 1-4

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Dynamic switching and wavelength conversion in a monolithically integrated michealson-interferometric SOA all-optical switch by selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Haizheng Song, Zhenrui Zhang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM '05), Glasgow, UK, May 8-12 TuB1-2

      ページ: 1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Dynamic switching and wavelength conversion in a monolithically integrated michealson-interferometric SOA all-optical switch by selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Haizheng Song, Zhenrui Zhang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Conference Proceedings CD,17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '05) TuB1-2

      ページ: 1-4

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Demultiplexing operation in a monolithically integrated Michelson interferometer SOA all-optical switch by single-step selective-area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Haizheng Song, Zhenrui Zhang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Book of Abstracts, the 12th European Conference on Integrated Optics(ECIO '05), Grenoble, France, April 6-8 WeA1-4

      ページ: 41-44

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] 超臨界CO_2中におけるCu薄膜形成過程の可視化2005

    • 著者名/発表者名
      百瀬 健, 大久保智弘, 杉山正和, 霜垣幸浩
    • 雑誌名

      第51回応用物理学関係連合講演会予稿集

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15760566
  • [雑誌論文] Dry Etching Technique of Compound Semiconductors for Optical Device Applications2005

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama, Abdullah Al Amin, Kenji Sakurai, Xueliang Song, Foo Cheong Yit, Ning Li, Ichitaro Waki, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Journal of the Vacuum Society of Japan vol. 48, no. 9

      ページ: 511-518

    • NAID

      10019350045

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] All-optical OTDM DEMUX with monolithic SOA-MZI switch by regrowth-free selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Xueliang Song, Foo Cheong Yit, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Technical Digest, the Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (IQEC/CLEO PR 2005) CTuJ4-4

      ページ: 424-425

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Effect of temperature and substrate misorientation on the surface reaction kinetics of selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Haizheng Song, Xueliang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM '05), Glasgow, UK, May 8-12 WP-17

      ページ: 1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Pulse Injecion MethodによるAlNの成長と結晶性の向上2005

    • 著者名/発表者名
      梁正承, Kumtornkittikul Chaiyasit, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩
    • 雑誌名

      第66回応用物理学会学術講演会 8a-X-12

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] GaN waveguide structures with AlN cladding for novel optical devices2005

    • 著者名/発表者名
      Chaiyasit Kumtornkittikul, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      the Proceedings of ICNS 2005

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] サブバンド間遷移高速光スイッチに向けたAlNハイメサ導波路の作製2005

    • 著者名/発表者名
      チャイヤスィット カムトーンキッティクル, 杉山正和, 中野義昭
    • 雑誌名

      第66回応用物理学会学術講演会 8a-T-28

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656023
  • [雑誌論文] Prediction method for the bandgap profiles of InGaAsP multiple quantum well structures fabricated by selective area metal-organic vapor phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM '05), Glasgow, UK, May 8-12 WP-16

      ページ: 1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Reply toComment on 'Mass Accommodation Coefficient of Water : Molecular Dynamicsics Simulation and Revised Analysis of Droplet Train/Flow Reactor Experiment'2005

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Morita, Masakazu Sugiyama, Seiichiro Koda, David R. Hanson
    • 雑誌名

      J. Phys. Chem.B 109/30

      ページ: 14747-14749

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] (解説)化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術2005

    • 著者名/発表者名
      杉山正和, Abdullah Al Amin, 櫻井謙司, 宋学良, Foocheong Yit, 李寧, 脇一太郎, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 雑誌名

      真空 (Journal of Vaccuum Society of Japan) vol. 48, no. 9

      ページ: 511-518

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Reply to "Comment on 'Mass Accommodation Coefficient of Water : Molecular Dynamics Simulation and Revised Analysis of Droplet Train/Flow Reactor Experiment'"2005

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Morita, Masakazu Sugiyama, Seiichiro Koda, David R.Hanson
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem.B 109/30

      ページ: 14747-14749

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] 超臨界CO_2を用いたCu薄膜堆積:製膜過程の可視化(2)2005

    • 著者名/発表者名
      百瀬 健, 大久保智弘, 杉山正和, 霜垣幸浩
    • 雑誌名

      化学工学会第70年会予稿集

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15760566
  • [雑誌論文] In situ observation of nucleation and initial growth in chemical vapor deposition and the supercritical fluid deposition of copper2005

    • 著者名/発表者名
      百瀬 健, 杉山正和, 霜垣幸浩
    • 雑誌名

      Proceeding of Advanced Metallization Conference 2004

      ページ: 627-632

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15760566
  • [雑誌論文] Measurement of surface reaction rate constants and reactor-scale simulation of growth rate and composition in InGaAsP MOVPE2004

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      Workbook,12th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

      ページ: 29-29

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Polycrystals growth on dielectric masks during InP/GaAs selective MOVPE2004

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol.261

      ページ: 411-418

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Mass Accommodation Coefficient of Water : Molecular Dynamics Simulation and Revised Analysis of Droplet Train/Flow Reactor Experiment2004

    • 著者名/発表者名
      A.Morita, M.Sugiyama, H.Kameda, S.Koda, D.R.Hanson
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem.B 108/26

      ページ: 9111-9120

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Mass Accommodation Coefficient ofwater : Molecular Dynamics Simulation and Revised Analysisof Droplet Train/Flow Reactor Experiment2004

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Morita, Masakazu Sugiyama, Hirofumi Kameda, Seiichiro Koda, David R. Hanson
    • 雑誌名

      J.Phys. Chem. B 108/26

      ページ: 9111-9120

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Integration of semiconductor optical amplifiers with an arrayed waveguide grating demultiplexer by MOVPE selective area growth2004

    • 著者名/発表者名
      Abdullah Al Amin, Xueliang Song, Kenji Sakurai, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Integrated Photonics Research(IPR 2004), IFB4, San Francisco, California, June 30-July 2

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Simulation and design of the emission wavelength of multiple quantum well structures fabricated by selective area metal-organic vapor phase epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Takeshi Doi, Abdullah Al Amin, Xue-Liang Song, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Confenrence Synopsis, the 3rd Asian Conference on Chemical Vapor Deposition, Taipei, Taiwan, Novermber 12-14 B22

      ページ: 63-64

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Examination of sub-surface in MOVPE by time modulation growth2004

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Shizuoka, July 7-9 D8

      ページ: 79-82

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Revised Kinetics in the Droplet Train Apparatus Due to a Wall Loss2004

    • 著者名/発表者名
      David R.Hanson, Masakazu Sugiyama, Akihiro Morita
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem. A 108/17

      ページ: 3739-3744

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Revised Kinetics in the Droplet Train Apparatus Due to a Wall Loss2004

    • 著者名/発表者名
      D.R.Hanson, S.Sugiyama, A.Morita
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem.A 108/17

      ページ: 3739-3744

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Fundamental kinetics determining growth rate profiles of InP and GaAs in MOCVD with horizontal reactor2004

    • 著者名/発表者名
      Ik-Tae Im, Ho-jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol.261, no.2-3

      ページ: 214-224

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Reply toIComment on 'Gas-Phase Flow and Diffusion Analysis of the Droplet Train/Flow Reactor Technique for the Mass Accommodation Process'2004

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Morita, Masakazu Sugiyama, Seiichiro Koda
    • 雑誌名

      J.Phys. Chem. A 108/40

      ページ: 8544-8545

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Reply to "Comment on 'Gas-Phase Flow and Diffusion Analysis of the Droplet Train/Flow Reactor Technique for the Mass Accommodation Processes'"2004

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Morita, Masakazu Sugiyama, Seiichiro Koda
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem. A 108/40

      ページ: 8544-8545

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Mass Accommodation Coefficient of Water : Molecular Dynamics Simulation and Revised Analysis of Droplet Train/Flow Reactor Experiment2004

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Morita, Masakazu Sugiyama Hirofumi Kameda, Seiichiro Koda, David R.Hanson
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem. B 108/26

      ページ: 9111-9120

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Revised Kinetics in the Droplet TrainApparatus Due to AWall Loss2004

    • 著者名/発表者名
      David R.Hanson, Masakazu Sugiyama, Akihiro Morita
    • 雑誌名

      J. Phys. Chem.A 108/17

      ページ: 3739-3744

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Polycrystals growth on dielectric masks during InP/GaAs selective MOVPE2004

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama, Ho-jin Oh, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol.261, no.2-3

      ページ: 411-418

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Understanding the abnormal growth of InP-related materials in selective-area MOVPE2004

    • 著者名/発表者名
      Noriaki Waki, Takayuki Nakano, Ho-jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Shizuoka, July 7-9 D5

      ページ: 69-72

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] The effect of group V precursor on selective area MOVPE of InP/GaAs-related materials2004

    • 著者名/発表者名
      Ho-jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol.261, no.2-3

      ページ: 419-426

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] The role of the surface adsorption layer during InGaAsP MOVPE growth analyzed by the flow modulation method2004

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Workbook, 12th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy, p.9, Maui, Hawaii, May 30-June 4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Reply to Comment on 'Gas-Phase Flow and Diffusion Analysis of the Droplet Train/Flow Reactor Technique for the Mass Accommodation Processes'2004

    • 著者名/発表者名
      A.Morita, M.Sugiyama, S.Koda
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem.A 108/40

      ページ: 8544-8545

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15550012
  • [雑誌論文] Simulation of bandgap in MOVPE selective area growth of InGaAsP-based photonic integrated circuits2004

    • 著者名/発表者名
      Abdullah AI Amin, Takeshi Doi, Kenji Sakurai, Zhenrui Zhang, XueMang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Proceedings of the 4th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices(NUSOD 2004), Santa Barbara, California, August 24-26 TuC5

      ページ: 25-26

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Measurement of surface reaction rate constants and reactor-scale simulation of growth rate and composition in InGaAsP MOVPE2004

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama, Ho-Jin Oh, Ik-Tae Im, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Workbook, 12th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy, p.29, Maui, Hawaii, May 30-June 4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Surface reaction kinetics in metalorganic vapor phase epitaxy of GaAs through analyses of growth rate profile in wide-gap selective-area growth2003

    • 著者名/発表者名
      Ho-Jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol.42, part 1, no.10

      ページ: 6284-6291

    • NAID

      10012448627

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Study on the surface reaction kinetics of InGaAsP related materials MOCVD through analyses of growth rate distribution in the selective area growth2003

    • 著者名/発表者名
      Ho-Jin Oh, Ik-Tae Im, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Conference Proceedings, 15th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM '03), Santa Barbara, California, May 12-16 ThP1

      ページ: 397-400

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] Comparison of organic and hydride group V precursors in terms of surface kinetics in wide-gap selective area metalorganic vapor phase epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      Ho-Jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol.42, part 2, no.10A

    • NAID

      10011766948

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205055
  • [雑誌論文] GaN selective area metal-organic vapor phase epitaxy: prediction of growth rate enhancement by vapor phase diffusion model

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Yuki Tomita, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 46, no. 43

    • NAID

      210000063774

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Kinetics of subsurface for mation during metal-organic vapor phase epitaxy growth of InP and InGaP

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 47, no. 32

      ページ: 1473-1478

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Reactor-scale uniformity of selective-ares performance in InGaAsP system

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Tomonari Shioda, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 298

      ページ: 59-63

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Kinetic analysis of InN selective area metal-organic vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express vol. 1, no. 7

    • NAID

      10025081456

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Four channel ridge DFB laser array for 1. 55 m CWDM systems by widestripe selective area MOVPE

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Shu-Rong Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics E90-C, no. 5

      ページ: 1111-1117

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Fabrication of monolithically integrated WDM channel selector using single step selective area MOVPE and its characterization

    • 著者名/発表者名
      Abdullah Al tain, Kenji Sakurai, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics E90-C, no. 5

      ページ: 1124-1128

    • NAID

      110007519683

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [雑誌論文] Four channel DFB laser array with integrated combiner for 1.55 オm CWDM systems by MOVPE selective area growth

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 雑誌名

      IEICE Electronics Express vol. 3, no. 24

      ページ: 522-528

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [産業財産権] 発光ダイオード素子およびその製造方法2013

    • 発明者名
      杉山 正和 ,マニッシュ マシュー,中 野 義昭,ソダーバンル ハッサネット
    • 権利者名
      東京大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-099378
    • 出願年月日
      2013-05-10
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [産業財産権] 発光ダイオード素子およびその製造方法2013

    • 発明者名
      杉山正和,マニッシュマシュー,中野義昭,ソダーバンルハッサネット
    • 権利者名
      杉山正和,マニッシュマシュー,中野義昭,ソダーバンルハッサネット
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-099378
    • 出願年月日
      2013-05-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] CdTe-based particulate photocathode for hydrogen evolution reaction from water2024

    • 著者名/発表者名
      ベイガ リオネルセバスチアン、杉山 正和、嶺岸 耕
    • 学会等名
      電気化学会第91回大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [学会発表] Back contact modification on CdTe-based photocathode for efficient hydrogen evolution under simulated sunlight2023

    • 著者名/発表者名
      Veiga Lionel Sebastian、嶺岸 耕、熊谷 啓、杉山 正和
    • 学会等名
      電気化学秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [学会発表] 水素生成用(ZnSe)x(Cu(In, Ga)Se2)1-x光カソードにおける組成傾斜の効果2022

    • 著者名/発表者名
      嶺岸 耕、山口 信義、杉山 正和
    • 学会等名
      電気化学秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [学会発表] GaNモデル光触媒-Pt助触媒間におけるオーム性接触形成の効果2022

    • 著者名/発表者名
      落合 貴也、山口 信義、杉山 正和、嶺岸 耕
    • 学会等名
      電気化学秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [学会発表] Light-induced open-circuit potential to explore the quality of semiconductor photoelectrodes for solar water splitting2021

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama, Yuki Imazeki, Supawan Ngamprapawat, Masahiro Sato, Tsutomu Minegishi, Katsushi Fujii
    • 学会等名
      THERMEC 2021
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04551
  • [学会発表] Pt担持したSrTiO3(100)面の光電気化学特性2020

    • 著者名/発表者名
      沈 昊哉、今関 裕貴、佐藤 正寛、藤井 克司、嶺岸 耕、中野 義昭、杉山 正和
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] 光電気化学的水分解におけるSrTiO3の面方位依存性2020

    • 著者名/発表者名
      沈 昊哉、今関 裕貴、スパワン ナーンプラパーワット、佐藤 正寛、藤井 克司、嶺岸 耕、中野 義昭、杉山 正和
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01216
  • [学会発表] Pt櫛形電極を形成したSrTiO3モデル光触媒における水分解反応2020

    • 著者名/発表者名
      沈 昊哉、遠藤 達朗、嶺岸 耕、杉山 正和
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] 光電気化学的水分解におけるSrTiO3の面方位依存性2020

    • 著者名/発表者名
      沈昊哉、今関裕貴、スパワンナーンプラパーワット、佐藤正寛、藤 井克司、嶺岸耕、中野義昭、杉山正和
    • 学会等名
      応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] GaN薄膜光電極の水分解反応中その場フォトルミネッセンス2020

    • 著者名/発表者名
      嶺岸 耕、沈 昊哉、Ciftci Oguz、今関 裕貴、杉山 正和
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] GaN電極における光電気化学反応中のフォトルミネッセンス2020

    • 著者名/発表者名
      嶺岸耕、沈昊哉、CIFTCI Oguz、今関裕貴、杉山正和
    • 学会等名
      第126回触媒討論会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Pt櫛型電極を水素生成サイトとするGaNモデル光触媒の解析2020

    • 著者名/発表者名
      遠藤 達朗、沈 昊哉、嶺岸 耕、杉山 正和
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Efficiency enhancement of semiconductor photovoltaic structures from power generaon to solar-fuel production2019

    • 著者名/発表者名
      M. Sugiyama
    • 学会等名
      IUMRS-ICA
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Comparison of Light-Intensity-Dependent Open-Circuit Potential among TiO2, SrTiO3 and GaN Single-Crystalline Photoanodes2019

    • 著者名/発表者名
      Supawan Ngamprapawat, Yuki Imazeki, Tsutomu Minegishi, Masahiro Sato, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      MRS fall meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Effect of Dissolved O2 on Band Alignment at n-GaN/NaOH Interface2019

    • 著者名/発表者名
      Yuki Imazeki,Supawan Ngamprapawat, Masahiro Sato, Katsushi Fujii, Tsutomu Minegishi, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      MRS fall meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Material-dependent Photoresponse of quasi-Fermi Level in Single-crystalline Photoanodes2019

    • 著者名/発表者名
      Supawan Ngamprapawat, Yuki Imazeki, Tsutomu Minegishi, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] n-GaN光電極/電解液界面バンドアライメントに及ぼす溶存酸素の影響2019

    • 著者名/発表者名
      今関 裕貴、ナーンプラパーワット スパワン、佐藤 正寛、藤井 克司、嶺岸 耕、杉山 正和、中野 義昭
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01216
  • [学会発表] A Combined Spectroscopic and First-Principles Approach for the Atomistic-Level Description of Semiconductor/Electrolyte Interface2019

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Sato, Yuki Imazeki, Takahito Takeda, Masaki Kobayashi, Susumu Yamamoto, Iwao Matsuda, Jun Yoshinobu, Yoshiaki Nakano and Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      MRS fall meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Material-dependent Photoresponse of quasi-Fermi Level in Single-crystalline Photoanodes2019

    • 著者名/発表者名
      Supawan Ngamprapawat、Yuki Imazeki、Tsutomu Minegishi、Katsushi Fujii、Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01216
  • [学会発表] n-GaN光電極/電解液界面バンドアライメントに及ぼす溶存酸素の影響2019

    • 著者名/発表者名
      今関 裕貴、ナーンプラパーワット スパワン、佐藤 正寛、藤井 克司、嶺岸 耕、杉山 正和、中野 義昭
    • 学会等名
      応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Efficiency enhancement and energy-system application of semiconductor photovoltaic structures: from power generation to solar-fuel productio2019

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      The 2019 Nankai International Symposium on Solar Energy Conversion
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] The Effect of Illumination on the Geometric Structure of Water Molecules on GaN(0001) Surface2018

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Sato, Yuki Imazeki, Katsushi Fujii, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      MRS 2018 Fall Meeting, Nov. 25-30, 2018, Boston, USA, CM03.09.
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Impact of surface morphology of Al(Ga)N interlayer for polarization-engineered water splitting photocathode2018

    • 著者名/発表者名
      Hiroaki Maruyama, Katsushi Fujii, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      IWN 2018, Nov. 11-16, Kanazawa, Japan, OD13-7
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03772
  • [学会発表] Pt co-catalyst by photo-electrodeposition on tandem nitride semiconductor photocathode for zero-bias solar water splitting2017

    • 著者名/発表者名
      H. Maruyama, A. Nakamura, Y. Nakano, K. Fujii, M. Sugiyama
    • 学会等名
      Material and Device Innovations for the Practical Implementation of Solar Fuels (SolarFuel17), Sep 4-6, Barcelona, 2017, SF1.4.2-5
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Band Alignment at n-GaN/Electrolyte Interface Explored by Photo-Induced Offset of Open-Circuit Potential for Efficient Water Splitting2017

    • 著者名/発表者名
      Yuuki Imazeki, Yohei Iwai, Akihiro Nakamura, Kayo Koike, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      ECS Trans. 2017 volume 77, issue 4, 25-30, doi: 10.1149/07704.0025ecst
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Polarization engineered photocathode using InGaN/AlN heterostructure for zero-bias solar water splitting2017

    • 著者名/発表者名
      A. Nakamura, H. Maruyama, Y. Nakano, K. Fujii, M. Sugiyama
    • 学会等名
      Material and Device Innovations for the Practical Implementation of Solar Fuels (SolarFuel17), Sep 4-6, Barcelona, 2017, SF1.4.1-7
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Photo-Induced Gain of Open-Circuit-Potential (OCP) in GaN Photoelectrodes for Characterizing Defects and Photoelectrochemical Activity2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Imazeki, Y. Iwai, A. Nakamura, K. Koike, K. Watanabe, K. Fujii , M. Sugiyama and Y. Nakano
    • 学会等名
      MRS Spring Meeting, ES7.9.03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Impact of surface modification on photo-induced Open-Circuit-Potential (OCP) of GaN anode2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Iwai, A. Nakamura, K. Koike, Y. Nakano, K. Fujii, and M. Sugiyama
    • 学会等名
      21st International Conference on Photochemical Conversion and Storage of Solar Energy
    • 発表場所
      Saint Petersburg, Russia
    • 年月日
      2016-07-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Low-Temperature Growth of Al(Ga)N/GaN Tunnel Junction with Abrupt Interfaces and Low Dislocation Density for Polarization Engineered Water Splitting Photocathode2016

    • 著者名/発表者名
      A. Nakamura, M. Suzuki, K. Fujii, Y. Nakano, and M. Sugiyama
    • 学会等名
      18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2016-07-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] InGaN/AlGaN/GaN Polarization Engineered Water Splitting Photocathode under Visible Light Irradiation2016

    • 著者名/発表者名
      中村亮裕, 藤井克司, 中野義昭, 杉山正和
    • 学会等名
      第 35 回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] GaN キャップ層導入による低温成長 AlN 層の高品質化および水分解光電極の 特性向上2016

    • 著者名/発表者名
      中村亮裕, 藤井克司, 中野義昭, 杉山正和
    • 学会等名
      第 8 回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都府・京都市)
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Visible Light Responding InGaN/AlN/GaN Polarization Engineered Water Splitting Photocathode2016

    • 著者名/発表者名
      A. Nakamura, K. Fujii, Y. Nakano and M. Sugiyama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Quasi-Fermi level splitting evaluation based on electroluminescence analysis in multiple quantum-well solar cells for investigating cell performance under concentrated light2016

    • 著者名/発表者名
      T. Inoue, K. Toprasertpong, A. Delamarre, K. Watanabe, M. Paire, L. Lombez, J.-F. Guillemoles, M. Sugiyama, and Y. Nakano
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2016-02-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14F04724
  • [学会発表] InGaN/GaN/AlN/GaN可視光応答型水分解光電極2016

    • 著者名/発表者名
      中村亮裕, 杉山正和, 藤井克司, 中野義昭
    • 学会等名
      第 77 回応用物理 学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Superior Catalytic Activity of NiO Island on n-type GaN Photoanode Compared with NiO Protection Layer Structure2016

    • 著者名/発表者名
      K. Koike, A. Nakamura, K. Yamamoto, S. Ohara, M. Sugiyama, Y. Nakano, and K. Fujii
    • 学会等名
      21st International Conference on Photochemical Conversion and Storage of Solar Energy
    • 発表場所
      Saint Petersburg, Russia
    • 年月日
      2016-07-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] echanism of Stress Control for GaN Growth on Si Using AlN Interlayers2016

    • 著者名/発表者名
      M. Suzuki, A. Nakamura, Y. Nakano, and M. Sugiyama
    • 学会等名
      18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2016-07-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] GaN における Open-Circuit-Potential (OCP) の光強度依存 性と表面処理の効果2016

    • 著者名/発表者名
      岩井耀平, 中村亮裕, 小池佳代, 中野義昭, 藤井克司, 杉山正和
    • 学会等名
      第 77 回応用物理 学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Enhanced photoelectrochemical properties of u-GaN/AlN/n-GaN photocathode with improved GaN/AlN interface abruptness2015

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Nakamura, Michihiro Suzuki, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Influence of the Host Pin Diode Material in Multi-Quantum Well Solar Cells2015

    • 著者名/発表者名
      A. Delamarre, Y. Wang, Y. Nakano, J.-F. Guillemoles, M. Sugiyama
    • 学会等名
      The 30th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Hambourg, Germany
    • 発表場所
      Hambourg, Germany
    • 年月日
      2015-09-14
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14F04724
  • [学会発表] Spatial carrier collection efficiency imaging by luminescence2015

    • 著者名/発表者名
      A. Delamarre, L. Lombez, K. Watanabe, M. Sugiyama, J.-F. Guillemoles
    • 学会等名
      PVSEC-25
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 年月日
      2015-11-15
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14F04724
  • [学会発表] Numerical Investigation on a Novel +c-Plane InGaN Based Solar Cell with a Polarization Induced Tunnel Junction2015

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Nakamura, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-31
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] Mechanism of stress control for GaN growth on Si using AlN interlayers2015

    • 著者名/発表者名
      Michihiro Suzuki, Akihiro Nakamura, Masakazu Sugiyama and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02238
  • [学会発表] MOVPE-grown GaN/AlN resonant tunnelling diode : impact of interfacial non- abruptness2014

    • 著者名/発表者名
      N. Itoh, H. Sodabanlu, M. Sugiyama, and Y. Nakano
    • 学会等名
      17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Lausanne, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] MOVPE-grown GaN/AlN resonant tunnelling diode: impact of interfacial non-abruptness2014

    • 著者名/発表者名
      Naruaki Itoh, Hassanet Sodabanlu, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Lausanne, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] GaN/AlNを用いたサブバンド間遷移光吸収のシミュレーション2013

    • 著者名/発表者名
      伊藤成顕,ソダーバンルーハッサネット,杉山正和,中野義昭
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] 未開拓THz帯レーザ開発に向けたサブバンド間遷移に関する研究2013

    • 著者名/発表者名
      伊藤成顕,ソダーバンルーハッサネット,杉山正和,中野義昭
    • 学会等名
      第23回日本赤外線学会研究会
    • 発表場所
      防衛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] Simulation of intersubband transition in GaN-AlN multiple quantum wells2013

    • 著者名/発表者名
      N. Itoh, H. Sodabanlu, M. Sugiyama and Y. Nakano
    • 学会等名
      12th International Conference on Intersubband transition in quantum wells (ITQW 2013)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] Si(111)上InAsの選択ヘテロエピタキシャル成長における界面電気伝導特性2012

    • 著者名/発表者名
      渡邉翔大, 渡辺健太郎, 肥後昭男, 杉山正和, 中野義昭
    • 学会等名
      化学工学会第44回秋季大会
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Electrical conduction property at InAs/Si (111) interface by selective-area MOVPE (Si(111)上 InAs の選択有機金属気相成長による界面電気伝導特性)2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Watanabe, Kentaroh Watanabe, Akio Higo, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      the 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(静岡県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Electrical conduction property at InAs/Si (111) interface by selective-area MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Watanabe, Kentaroh Watanabe, Akio Higo, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2012)
    • 発表場所
      University of California Santa Barbara (U.S.A.)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] InGaAsP/InP MQW FP laser and silicon platform integration by direct bonding2012

    • 著者名/発表者名
      Akio Higo, Ling-Han Li, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      10th International Conferences on Optical Internet (COIN 2012)
    • 発表場所
      慶応大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] SOI platform and III-V integrated active photonic device by direct bonding for data communication2012

    • 著者名/発表者名
      Linghan Li, Akio Higo, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      2012 3rd IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
    • 発表場所
      東京大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Photoluminescence of InGaAs islands on Si (111) substrate grown using micro-channel selective-area MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      Yu Fujimoto, Akio Higo, Jon Oeyvind Kjellman, Shota Watanabe, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      International Conference on Optical MEMS and Nanophotonics (OMN 2012)
    • 発表場所
      The Banff Centre (CANADA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Growth of Strain-Compensated InGaN/AlN MQWs on GaN by MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      K. Anazawa, H. Sodabanlu, K. Fujii, Y. Nakano, and M. Sugiyama
    • 学会等名
      16^<th> International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-16)
    • 発表場所
      Busan, Korea (MoA3-5)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] Exploring the potential of quantum wells for efficiency enhancement in photovoltaic cells," Physics, Simulation, and Photonic Engineering of Photovoltaic Devices2012

    • 著者名/発表者名
      M.Sugiyama, Y.Wang, Y.Wen, K.Watanabe, Y.Nakano
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      San Francisco, USA(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] Underlayer dependence of luminescence property for InGaN grown by MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN 2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(日本)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] 微小領域選択成長MOVPEによるSi基板上InGaAsディスクのフォトルミネッセンス測定 (Photoluminescence of InGaAs islands on Si (111) substrate grown using micro-channel selective-area MOVPE)2012

    • 著者名/発表者名
      藤本悠, 肥後昭男, Jon O. Kjellman, 渡邉翔大, 杉山正和, 中野義昭
    • 学会等名
      電気学会センサ・ マイクロマシン部門大会, 第29回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
    • 発表場所
      北九州国際会議場 (福岡県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Impact of accumulated stress on the quality of InGaN/AlN MQWs on GaN grown by MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      K. Anazawa, H. Sodabanlu, K. Fujii, Y. Nakano and M. Sugiyama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN 2012)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan (TuP-GR-34)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] MOVPE法によるInGaN/AlN多重量子井戸の結晶成長および評価2011

    • 著者名/発表者名
      穴澤風彦, ソダーバンルハッサネット, 藤井克司, 野義昭, 杉山正和
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学 (31a-ZE-8)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] Optical in situ monitoring of strain evolution and relaxat ion in lattice-mismatched InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      15th U.S. Biennal Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      California, U.S.A.
    • 年月日
      2011-07-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Photocurrent Generation by Two-Step Photon Absorption with Quantum-Well Superlattice Cell2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sugiyama, Y.Wang, K.Watanabe, T.Morioka, Y.Okada, Y.Nakano
    • 学会等名
      37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    • 発表場所
      Seattle, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] Photocurrent Generation by Two-Step Photon Absorption with Quantum-Well Superlattice Cell2011

    • 著者名/発表者名
      M. Sugiyama, Y. Wang, K. Watanabe, T. Morioka, Y. Okada, Y. Nakano
    • 学会等名
      Conference Record of the 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] MOVPE法によるInGaN/AlN多重量子井戸の結晶成長および評価2011

    • 著者名/発表者名
      穴澤風彦, ソダーバンルハッサネット, 藤井克司, 中野義昭, 杉山正和
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] Continuous wavelength modulation of semi-polar plane InGaN/GaN MQWs based on vapor- phase-diffusion-based selective-area pyramidal growth2010

    • 著者名/発表者名
      Tatsuki Fujiwara, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of Nitride (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2010-07-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Hetero-integration of high doped silicon micro wire to III-V active layer for electrical pumping light emission by plasma assisted bonding2010

    • 著者名/発表者名
      Lin-Hang Li, Akio Higo, Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      International Conference on Electronics Packaging (ICEP 2010), FD4-1
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] III-V CMOS photonicsフラットフォーム実現に向けたグレーティングカプラの作製(InGaAsPgrating coupler for III-V CMOS photonics platform)2010

    • 著者名/発表者名
      竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, .高木信一
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集, p.05-064, 14p-G-17
    • 発表場所
      長崎
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Electrical pumping to III-V layer from highly doped silicon micro wire to realize light emission by plasma-assisted bonding technology2010

    • 著者名/発表者名
      Ling-Han Li, Ryo Takigawa, Akio Higo, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '10), ThAl-1
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • 年月日
      2010-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Intersubband absorption of 1.55μm in AIN/GaN multi quantum wells grown at 710℃ by metal organic vapor phase epitaxy using pulse injection method2010

    • 著者名/発表者名
      Jungseung Yang, Sodabanlu Hassanet, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 学会等名
      Final Program, the 15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XV), p.27
    • 発表場所
      Nevada, U.S.A.
    • 年月日
      2010-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Intersubband absorption saturation in AIN-based waveguide with GaN/AIN multiple quantum wells fabricated by metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Hassanet Sodabanlu, Jeong Seung Yang, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Takuo Tanemura, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Proceedings of the 15th European Conference on Integrated Optics (ECTO 2010)
    • 発表場所
      Cambridge, UK .
    • 年月日
      2010-04-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Continuous wavelength modulation from semi-polar InGaN/GaN MQWs with vapor-phase-diffusion-based selective-area pyramidal growth2010

    • 著者名/発表者名
      Tatsuki Fujiwara, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Continuous wavelength modulation of semi-polar plane InGaN/GaN MQWs based on vapor-phase-diffusion-based selective-area pyramidal growth2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujiwara, Y.Nakano, M.Sugiyama
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of Nitride (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2010-07-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] 広幅マスク選択MOVPEによるInGaN量子井戸発光波長シフトのメカニズムと長波長化2009

    • 著者名/発表者名
      杉山正和, 富田祐貴, 塩田倫也, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] マルチスケール解析によるGaN MOVPE反応メカニズムの検討2009

    • 著者名/発表者名
      杉山正和, 安河内諭, 塩田倫也, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      化学工学会第41回秋季大会研究発表講演要旨集,A121
    • 発表場所
      広島大学
    • 年月日
      2009-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] InGaNのMOVPE選択成長における水素添加の効果(Effects of hydrogen addition in selective area metal-organic vapor phase epitaxy of InGaN)2009

    • 著者名/発表者名
      塩田倫也, 富田祐貴, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,No. 1, p. 403, 31p-ZJ-3
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] InGaN/GaN選択MOVPEによる可視光発光波長シフトのメカニズム2009

    • 著者名/発表者名
      杉山正和, 塩田倫也, 富田祐貴, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      化学工学会第41回秋季大会研究発表講演要旨集,A104
    • 発表場所
      広島大学
    • 年月日
      2009-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] マルチスケール製膜速度分布を用いたGaN MOVPE反応機構の解析2009

    • 著者名/発表者名
      杉山正和, 安河内諭, 塩田倫也, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会,FRI05
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] マルチスケールの成長速度分布を用いたGaN MOVPE反応メカニズムの考察(Discussion on the reaction mechanism of GaN MOVPE using2009

    • 著者名/発表者名
      安河内諭, 塩田倫也, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,No. 1, p. 397, 31a-ZJ-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] 選択MOVPEにおけるInGaN量子井戸発光波長シフトに対する井戸厚の効果(Well thickness effect in luminescence wavelength from InGaN quantum wells in selective-area MOVPE)2009

    • 著者名/発表者名
      富田祐貴, 塩田倫也, 霜垣幸浩, 中野義昭, 杉山正和
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,No. 1, p. 403, 31p-ZJ-4
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] 広幅マスク選択MOVPEによるInGaN量子井戸発光波長シフトのメカニズムと長波長化2009

    • 著者名/発表者名
      杉山正和, 富田祐貴, 塩田倫也, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会, FRI_05
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Monolithically integrated muti-color light emitting diode fabrication by wide-stripe selective area metal-organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano:
    • 学会等名
      Abstract Book, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), ThP97, pp. 1273-1274
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Examination of intermediate species in GaN MOVPE by selective-area growth2009

    • 著者名/発表者名
      Masakazu Sugiyama, Satoshi Yasukochi, Tomonari Shioda, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Abstract Book, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), TP41, pp. 630-631
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Kinetic analysis on InN and GaN selective area metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Abstracts, the 14th International conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XIV), Tu-A2.2
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] MOVPE選択成長InGaNの気相拡散モデルによる解析(Vapor phase diffusion model analysis on InGaN grown by selective area metal-organic vapor phase epitaxy)2008

    • 著者名/発表者名
      塩田倫也, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集,No. 1, p. 330, 4p-CG-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary and ternary systems using in situ RAS2008

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Abstracts, the 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XIV), We-B1 (pp. 233-234)
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Non-linear surface reaction kinetics in GaAs selective area MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nkano, and Yukihiro Shimogaki
    • 学会等名
      Abstract, the 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XIV), We-P61
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] In-situ passivation of GaAssurface with aluminum oxide in MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Yuki Terada, Momoko Deura, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano, and Msakazu Sugiyama
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), B-10, pp. 45-46
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka
    • 年月日
      2008-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] In situ passivation of GaAs surface with aluminum oxide2008

    • 著者名/発表者名
      Yuki Terada, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Abstract, the 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XIV), We-B1.6
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Role of vapor-phase diffusion in selective-area MOVPE of InGaN MQWs2008

    • 著者名/発表者名
      Yuki Tomita, Tomonari Shinoda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Technical Digest, the Second International Symposium on Growth of III-Nitrides, Mo-18
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka
    • 年月日
      2008-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary and ternary systems using in situ RAS2008

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Abstracts, the 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XIV), We-Bl, pp. 233-234
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary and ternary systems using in situ RAS2008

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Msakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nkano
    • 学会等名
      Abstract, the 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XIV), We-B1.4
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Role of vapor-phase diffusion in selective-area MOVPE of InGaN/GaN MQWs2008

    • 著者名/発表者名
      Yuki Tomita, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of Nitride (ISGN-2)
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Saturation of intersubband absorption in GaN/A1N-based waveguid integrated with spot-size converter2008

    • 著者名/発表者名
      Norio Iizuka, Haruhiko Yoshida, Nobuto Managaki, Toshimasa Shimizu, Sodabanlu Hassanet, Msakazu sSugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2008), WV6, pp. 597-598
    • 発表場所
      California, U. S. A
    • 年月日
      2008-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Reactor scale simulation of MOVPE in InGaAsP system2008

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), B-8, pp. 41-42
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka
    • 年月日
      2008-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Reactor scale simulation of MOVPE in InGaAsP system2008

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), B-8, pp. 41-42
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2008-07-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Selective area metal-organic vapor phase epitaxy of InN,GaN, and InGaN covering whole composition range2008

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Msakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki and Yoshiaki Nkano
    • 学会等名
      Technical Digest, the Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2), Mo-13S
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka
    • 年月日
      2008-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] MOVPE選択成長におけるInN成長速度分布の解析2008

    • 著者名/発表者名
      塩田倫也, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      化学工学会第40回秋季大会,T307
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Role of Vapor-Phase Diffusion in Selective-Area MOVPE of InGaN/GaN MQWs2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yomita, T. Shioda, Y. Shimogaki, Y. Nakano, M. Sugiyama
    • 学会等名
      2nd Int. Symp. Growth of Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Syuzenji, Japan
    • 年月日
      2008-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19053002
  • [学会発表] Kinetic analysis on vapor phase diffusion effect in binary A1N, GaN, and InN selective area metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Msakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), A-1, pp. 5-6
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka
    • 年月日
      2008-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Selective area metal-organic vapor-phase epitaxy of InN, GaN and InGaN covering whole composition range2008

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of Nitride (ISGN-2)
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Cross-port cross gain modulation in active MMI2008

    • 著者名/発表者名
      Salah Ibrahim, Koji Takeda, Xueliang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings CD, International Conference on Photonics in Switching (PS 2008), D-05-1
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2008-08-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] 選択MOVPEにおけるInGaN量子井戸発光波長シフトの起源(Origin of shift in luminescence wavelength from InGaN quantum wells in selective-area MOVPE)2008

    • 著者名/発表者名
      富田祐貴, 塩田倫也, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集,No. 1, p. 330, 4p-CG-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Effect of Ga on growth mechanism in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si2008

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, and Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), B-5, pp. 33-34
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka
    • 年月日
      2008-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] 微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成2008

    • 著者名/発表者名
      出浦 桃子, 杉山 正和, 星井 拓也, 中根 了昌, 竹中 充, 菅原 聡, 高木 信一, 中野 義昭
    • 学会等名
      化学工学会第73年会
    • 発表場所
      静岡大学 浜松キャンパス
    • 年月日
      2008-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19026003
  • [学会発表] 選択成長InGaN量子井戸における気相拡散の効果2008

    • 著者名/発表者名
      富田祐貴, 塩田倫也, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭
    • 学会等名
      化学工学会第40回秋季大会,T306
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20686022
  • [学会発表] Reactor scale simulation of MOVPE in InGaAsP system2008

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), B-8 (pp. 41-42)
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2008-07-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Reactor scale simulation of MOVPE in InGaAsP system2008

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), B-8, pp. 41-42
    • 発表場所
      Shuzenji, Shizuoka
    • 年月日
      2008-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Role of vapor-phase diffusion in selecteve-area MOVPE of InGaAs MQWs2008

    • 著者名/発表者名
      Yuki Tmita, Tomonari Shioda, Yoshiaki Nkano, andMsakazu Sugiyama
    • 学会等名
      Abstracts of Iternational Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW '08), pp. 163-164
    • 発表場所
      Shonan, Japan
    • 年月日
      2008-08-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary and ternary systems using in situ RAS2008

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Abstracts, the 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE XIV), We-B1, pp. 233-234
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] A novel etching-oxidation fabrication method for 3D nano structures on silicon and its application to SOI symmetric waveguid and 3D taper spot size converter2008

    • 著者名/発表者名
      Ling-Han Li, Akio Higo, Masanori Kubota, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Technical Digest, Topical Meeting on Optical MEMS and Nanophotonics, M3.4, pp. 27-28
    • 発表場所
      Freibourg, Germany
    • 年月日
      2008-08-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20226008
  • [学会発表] Simulation of static optical XPM in active MMI couplers2007

    • 著者名/発表者名
      Salah Ibrahim, Xueliang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Proceedings of the 7th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2007), ThB2 (pp. 95-96)
    • 発表場所
      Newark, Delaware, U.S.A.
    • 年月日
      2007-09-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Design of strain and bandgap profiles of InGaAsP fabricated by selective area metal-organic vapor phase epitaxy for polarization independent oneration2007

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM ' 07), TuB2-4 (pp. 43-46)
    • 発表場所
      Matsue, Japan
    • 年月日
      2007-05-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Kinetics of surface adsorption layer on GaAs and InP studied with in-situ RAS2007

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts, 12th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, G9 (pp. 267-270)
    • 発表場所
      Bratislava, Slovakia
    • 年月日
      2007-06-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Reactor-scale profile of As/P ratio studied by fluid dynamics simulation and in-situ analysis of surface kinetics2007

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)/the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE13), 1040
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah
    • 年月日
      2007-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Design and fabrication of integrated 1x5 optical phased array switch on InP2007

    • 著者名/発表者名
      Takuo Tanemura, Mitsuru Takenaka, Abdullah Al Amin, Koji Takeda, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2007), ThM2 (pp. 780-781)
    • 発表場所
      Lake Buena Vista, Florida, U.S.A.
    • 年月日
      2007-10-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御2007

    • 著者名/発表者名
      出浦 桃子, 杉山 正和, 星井 拓也, 中根 了昌, 竹中 充, 菅原 聡, 高木 信一, 中野 義昭
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(札幌)
    • 年月日
      2007-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19026003
  • [学会発表] Polarization dependence on mask patterns of tensile strained InGaAsP grown by selective area metal-organic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, M2, pp. 291-292
    • 発表場所
      Biwako, Shiga
    • 年月日
      2007-07-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Design of strain and bandgap profiles of InGaAsP fabricated by selective area metal-organic vapor phase epitaxy for polarization independent operation2007

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '07), TuB2-4, pp. 43-46
    • 発表場所
      Matsue, Japan
    • 年月日
      2007-05-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Reactor-scale profile of As/P ratio studied by fluid dynamics simulation and in-situ analysis of surface kinetics2007

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)/the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE13), 1040
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, U.S.A.
    • 年月日
      2007-08-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Design and fabrication of integrated 1x5 optical phased array switch on InP2007

    • 著者名/発表者名
      Takuo Tanemura, Mitsuru Takenaka, Abdullah Al Amin, Koji Takeda, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2007), ThM2, pp. 780-781
    • 発表場所
      Lake Buena Vista, Florida
    • 年月日
      2007-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Reactor-scale profile of As/P ratio studied by fluid dynamics simulation and in-situ analysis of surface kinetics2007

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG 15)/the 13th Biennial Work shop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE 13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE 13), 1040
    • 発表場所
      Salt Lake City, U.S.A.
    • 年月日
      2007-08-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Surface reaction kinetics of GaAs and GaP MOVPE examined by selective area growth technique2007

    • 著者名/発表者名
      Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 学会等名
      Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)/the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE13)/the 13th International Conferenceon Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE13), 1100
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, U.S.A.
    • 年月日
      2007-08-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Polarization dependence on mask patterns of tensile strained InGaAsP grown by selective area metal-organic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, M2 (pp. 291-292)
    • 発表場所
      Biwako, Shiga
    • 年月日
      2007-07-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Design and fabrication of integrated 1x5 optical phased array switch on InP2007

    • 著者名/発表者名
      Takuo Tanemura, Mitsuru Takenaka, Abdullah Al Amin, Koji Takeda, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conrerence Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2007), ThM2, pp. 780-781
    • 発表場所
      Lake Buena Vista, Florida, U.S.A.
    • 年月日
      2007-10-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Simulation of static optical XPM in active MMI couplers2007

    • 著者名/発表者名
      Salah Ibrahim, xueliang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Proceedings of the 7th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2007), ThB2, pp. 95-96
    • 発表場所
      Newark, Delaware, U.S.A.
    • 年月日
      2007-09-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Surface reaction kinetics of GaAs and GaP MOVPE examined by selective area growth technique2007

    • 著者名/発表者名
      Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 学会等名
      Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)/the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE13), 1100
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah
    • 年月日
      2007-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Kinetics of surface adsorption layer on GaAs and InP studied with in-situ RAS2007

    • 著者名/発表者名
      Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Extended Abstracts, 12th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, G9, pp. 267-270
    • 発表場所
      Bratislava, Slovakia
    • 年月日
      2007-06-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Surface reaction kinetics of GaAs and GaP MOVPE examined by selective area growth technique2007

    • 著者名/発表者名
      Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki
    • 学会等名
      Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG 15)/the 13th Biennial Work shop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE 13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE 13), 1100
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah
    • 年月日
      2007-08-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Simulation of static optical XPM in active MMI couplers2007

    • 著者名/発表者名
      Salah Ibrahim, Xueliang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Proceedings of the 7th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2007), ThB2, pp. 95-96
    • 発表場所
      Newark, Delaware
    • 年月日
      2007-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Monolithically integrated four-channel DFB laser array by MOVPE selective area growth for 1.5μm CWDM systems2006

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2006), WZ2 (pp. 655-656)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2006-11-01
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Monolithically integrated four-channel DFB laser array by MOVPE selective area growth for 1.5オm CWDM systems2006

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Melvin J. Chan, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2006), WZ2, pp. 655-656
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2006-11-01
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Demonstration of nearly ideal active-passive junction by selective area MOVPE for large scale photonic integrated circuits2006

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Technical Digest, Eighth International symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2006), Last-Minute 12
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-01-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Demonstration of nearly ideal active-passive junction by selective are a MOVPE for large scale photonic integrated circuits2006

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Technical Digest, Eighth International Symposium on Contemporary Photonics Techndogy (CPT 2006), Last-Minute 12
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-01-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] DBR laser fabricated by wide-stripe selective area MOVPE and mass tran sport for monolithic integration2006

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, 18th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'06), ThA2.3, pp. 424-425
    • 発表場所
      New Jersey, U.S.A.
    • 年月日
      2006-05-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] DBR laser fabricated by wide-stripe selective area MOVPE and mass transport for monolithic integration2006

    • 著者名/発表者名
      Jesse Darja, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings, 18th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'06), ThA2.3 (pp. 424-425)
    • 発表場所
      New Jersey, U.S.A.
    • 年月日
      2006-05-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Prediction method for the bandgap profiles of InGaAsP multiple quantum well structures fabricated by selective area metal-organicvapor phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'05), WP-16 (pp. 1-4)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2005-05-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Prediction method for the bandgap profiles of InGaAsP multiple quantum well structures fabricated by selective area metal-organic vapor phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'05), WP-16, pp. 1-4
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2005-05-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] All-optical OTDM demultiplexing in a high-yield manufacturable monolithic 3-bandgap SOZ-MZI switch by regrowth-free selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Xueliang Song, Foo Cheong Yit, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Technical Digest, 31st European Conference on Optical Communications (ECOC 2005), We3.5.2, pp. 479-480
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2005-09-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Dynamic switching and wavelength conversion in a monolithically integrated michealson-interferometric SOA all-optical switch by selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Haizheng Song, Zhenrui Zhang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'05), TuB1-2, pp. 1-4
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2005-05-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] All-optical OTDM DEMUX with monolithic SOA-MZI switch by regrowth-free selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Xueliang Song, Foo Cheong Yit, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Technical Digest, the Pacific Rim Conference in Lasers and Electro-Optics (IQEC/CLEO PR 2005), CTuJ4-4 (pp. 424-425)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2005-07-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Dynamic switching and wavelength conversior in a monolithically integrated michealsoninterferometric SOA all-optical switch by selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Foo Cheong Yit, Xueliang Song, Haizheng Song, Zhenrui Zhang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Conference Proceedings CD, 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'05), TuBl-2 (pp. 1-4)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2005-05-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] All-optical OTDM demultiplexing in a high-yield manufacturable monolithic 3-bandgap SOZ-MZI switch by regrowth-free selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Xueliang Song, Foo Cheong Yit, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Technical Digest, 31st European Conference on Optical Communications (ECOC 2005), We3. 5. 2 (pp. 479-480)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2005-09-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] All-optical OTDM DEMUX with monolithic SOA-MZI switch by regrowth-free selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Xueliang Song, Foo Cheong Yit, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
    • 学会等名
      Technical Digest, the Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (IQEC/CLEO PR 2005), CTuJ4-4, pp. 424-425
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2005-07-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206035
  • [学会発表] Investigation of solar cells operation by luminescence: Current and voltage analysis on CIGS and multi-quantum well solar cells

    • 著者名/発表者名
      Amaury Delamarre, Laurent Lombez, Pierre Rale, Gilbert El-Hajje, Daniel Ory, Myriam Paire, Hiromasa Fujii, Warakorn Yanwachirakul, Kentaroh Watanabe, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Pierre Destruel, Jean-François Guillemoles
    • 学会等名
      IUMRS-ICA 2014 (The International Union of Materials Reseach Societies - International Conference in Asia 2014); Symposium E-1
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14F04724
  • [学会発表] MOVPE法によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオード構造の作製-窒化物量子井戸構造の解析-

    • 著者名/発表者名
      伊藤成顕,ソダーバンルーハッサネット,杉山正和,中野義昭
    • 学会等名
      電子デバイス研究会―機能ナノデバイスおよび関連技術―
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686048
  • [学会発表] Investigation of carrier collection and open-circuit voltage of multi-quantum well solar cells by luminescence

    • 著者名/発表者名
      Amaury Delamarre, Hiromasa Fujii, Kentaroh Watanabe, Laurent Lombez, Jean-François Guillemoles,Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      SPIE Photonic West; Symposium: Physics, Simulation, and Photonic Engineering of Photovoltaic Devices IV
    • 発表場所
      San Fransisco
    • 年月日
      2015-02-07 – 2015-02-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14F04724
  • 1.  中野 義昭 (50183885)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 150件
  • 2.  種村 拓夫 (90447425)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 7件
  • 3.  清水 大雅 (50345170)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 3件
  • 4.  肥後 昭男 (60451895)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 11件
  • 5.  久保田 雅則 (80447424)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 6.  嶺岸 耕 (40512992)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 14件
  • 7.  藤井 克司 (80444016)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 24件
  • 8.  DELAMARRE AMAURY
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 14件
  • 9.  山本 剛久 (20220478)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 10.  枝川 圭一 (20223654)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  瀧川 順庸 (70382231)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  大西 剛 (80345230)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  幸田 清一郎 (10011107)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  高見 昭憲 (00262030)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  大島 義人 (70213709)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  森田 明弘 (70252418)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 12件
  • 17.  小関 泰之 (60437374)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  霜垣 幸浩 (60192613)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 14件
  • 19.  アルアミン アブドラー (20418635)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  宋 学良 (00418641)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 21.  佐藤 正寛 (40805769)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 10件
  • 22.  山口 信義 (30910070)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 23.  JENKINS TRISTRAM
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi