更屋拓哉 Saraya Takuya

研究者番号	90334367
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2013年度 – 2016年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手 2004年度 – 2009年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / マイクロ・ナノデバイス / 理工系
キーワード	研究代表者以外 MOSFET / 大規模集積回路 / 半導体物性 / CMOS / ナノワイヤトランジスタ / MOSトランジスタ / 特性ばらつき / 単電子トランジスタ / 電子デバイス・機器 / 低消費電力 … もっと見る / VLSI / 規模集積回路 / しきい値電圧自己調整 / ナノワイヤ / クーロンブロッケード振動 / 集積回路 / Beyond CMOS / Analog Pattern Matching Circuit / Functional Device / Coulomb Blockade / Quantum Effect Device / Single-Electron Transistor / Nanoelectronics / 室温動作 / 量子効果 / CMOS回路 / ナノテクノロジー / 量子效果デバイス / アナログパターンマッチング回路 / 新機能デバイス / クーロンブロッケード / 量子効果デバイス / ナノエレクトロニクス / 統計分布 / 単一不純物 / 離散不純物ゆらぎ / シリコンナノワイヤトランジスタ / サブスレッショルド / 超低消費電力 / 超低エネルギー / 電子デバイス・集積回路 / 不純物ゆらぎ / 基板バイアス効果 / 半導体超微細化 / 正規分布 / ランダムテレグラフノイズ / 微細化 / 不純物揺らぎ / 半導体 / SRAM / SOI / しきい値電圧隠す

しきい値電圧自己調整機構を有する超低電圧動作シリコンナノワイヤトランジスタ
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
単一不純物が微細トランジスタ特性の統計的性質に与える影響に関する基礎研究
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
サブ100mV動作を目指した超低電圧MOSトランジスタの基礎研究
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
室温動作集積単電子トランジスタと大規模ＣＭＯＳ回路との融合による新機能創出
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
ナノMOSFETの揺らぎとデバイスインテグリティ
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
完全室温動作シリコン単電子・量子・CMOS融合集積回路ナノデバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  東京大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Peak Position Control of Coulomb Blockade Oscillations in Silicon Single-Electron Transistors with Floating Gate Operating at Room Temperature2014
- 著者名/発表者名
  Yuma Tanahashi, Ryota Suzuki, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 4S ページ: 04EJ08-04EJ08
- DOI
  10.7567/jjap.53.04ej08
- NAID
  210000143664
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[雑誌論文] Integration of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 1-Bit Analog Selectors and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature2013
- 著者名/発表者名
  Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 4S ページ: 04CJ05-04CJ05
- DOI
  10.7567/jjap.52.04cj05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J07824, KAKENHI-PROJECT-23246064
[雑誌論文] Experimental Observation of Quantum Confinement Effect in (110) and (100) Silicon Nanowire Field-Effect Transistors and Single-Electron/Hole Transistors Operating at Room Temperature2013
- 著者名/発表者名
  Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 10R ページ: 104001-104001
- DOI
  10.7567/jjap.52.104001
- NAID
  40022765823
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008
- 著者名/発表者名
  Tetsu Ohtou, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices 54
  
  ページ: 40-46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohtou, T. Saraya, and T. Hiramoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices(Invited) vol. 54, no. 1
  
  ページ: 40-46
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008
- 著者名/発表者名
  T.Ohtou, T.Saraya, T.Hiramoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices vol.54, no.1
  
  ページ: 40-46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[雑誌論文] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-directed (110)-oriented pMOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  K. Shimizu, G Tsutsui, D. Januar, T. Saraya, T. Hiramoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nanotechnology Vol. 6, No. 3
  
  ページ: 358-361
- NAID
  10018234140
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[雑誌論文] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-directed (110)-oriented pMOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  K. Shimizu, G. Tsutsui, D. Januar, T. Saraya, T. Hiramoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nanotechnology Vol. 6, No. 3
  
  ページ: 358-361
- NAID
  10018234140
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] 浮遊ゲートを有する室温動作シリコン単電子トランジスタにおけるクーロンブロッケード振動のピーク位置制御2014
- 著者名/発表者名
  棚橋裕麻，鈴木龍太，更屋拓哉，平本俊郎
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] Ultra-Low Voltage (0.1V) Operation of Vth Self-Adjusting MOSFET and SRAM Cell2014
- 著者名/発表者名
  Akitsugu Ueda, Seung-Min Jung, Tomoko Mizutani, Anil Kumar, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  VLSI Symposium on Technology
- 発表場所
  Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI. USA
- 年月日
  2014-06-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630135
[学会発表] Ultra-Low Voltage (0.1V) Operation of Vth Self-Adjusting MOSFET and SRAM Cell2014
- 著者名/発表者名
  Akitsugu Ueda, Seung-Min Jung, Tomoko Mizutani, Anil Kumar, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  VLSI Symposium on Technology
- 発表場所
  Honolulu, HI. USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630135
[学会発表] Peak Position Control of Coulomb Oscillations in Silicon Single-Electron Transistors with Floating Gate Operating at Room Temperature2013
- 著者名/発表者名
  Yuma Tanahashi, Ryota Suzuki, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  Fukuoka
- 年月日
  2013-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] Integration of Room-Temperature Operating Single-Electron Transistors with CMOS Circuits2013
- 著者名/発表者名
  Toshiro Hiramoto, Ryota Suzuki, and Takuya Saraya
- 学会等名
  Sweden-Japan Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics (QNANO2013)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] 単電子トランジスタとCMOS回路の集積化に関する研究2013
- 著者名/発表者名
  鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
- 学会等名
  固体エレクトロニクス・光エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  東京大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] 室温動作シリコン単電子トランジスタとCMOSアナログセレクタ回路の集積化2013
- 著者名/発表者名
  鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] Integration of Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors and CMOS Circuits for Novel Information Processing2013
- 著者名/発表者名
  Toshiro Hiramoto, Ryota Suzuki, and Takuya Saraya
- 学会等名
  9th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC9)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2013-05-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] 室温動作単電子トランジスタとCMOS 1-bitアナログセレクタの集積化2013
- 著者名/発表者名
  鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコンデバイス・材料(SDM)研究会
- 発表場所
  北海道大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] シリコンナノワイヤチャネルを有する室温動作単電子/単正孔トランジスタにおけるドット形成メカニズム2012
- 著者名/発表者名
  鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] Reinvestigation of Dot Formation Mechanisms in Silicon Nanowire Channel Single-Electron/Hole Transistors Operating at Room Temperature2012
- 著者名/発表者名
  Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, HI. USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] Fully CMOS-Compatible Fabrication Process of Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors2012
- 著者名/発表者名
  Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  8th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC8)
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] Integration of 1-bit CMOS Address Decoders and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature2012
- 著者名/発表者名
  Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246064
[学会発表] Statistical Comparison of Random Telegraph Noise (RTN) in Bulk and Fully Depleted SOI MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishimura, T.Saraya, T.Hiramoto
- 学会等名
  Ultimate Integration of Silicon (ULIS)
- 発表場所
  Cork, Ireland
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[学会発表] Simultaneously improvement of Write and Static Noise Margins in SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique2010
- 著者名/発表者名
  M.Suzuki, T.Saraya, K.Shimizu, T.Sakurai, T.Hiramoto
- 学会等名
  Workshop "The Fruits of Variability Research in Europe", Design, Automation & Test in Europe (DATE)
- 発表場所
  International Congress Centre in Dresden, Dresden, Germany
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[学会発表] Effect of Back Bias on Variability in Intrinsic Channel SOI MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  T.Hiramoto, T.Saraya, C.Lee
- 学会等名
  International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology
- 年月日
  2010-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[学会発表] Silicon Nanowire FETs and Single-Electron/Hole Transistors under Uniaxial Strain at Room Temperature2009
- 著者名/発表者名
  Toshiro Hiramoto, Jiezhi Chen, YeonJoo Jeong, Takuya Saraya (Invited)
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (NTT2009) (p. 99)
- 発表場所
  NTT Atsugi R&C Center, Kanagawa
- 年月日
  2009-01-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Silicon Nanowire FETs and Single-Electron/Hole Transistors under Uniaxial Strain at Room Temperature2009
- 著者名/発表者名
  Toshiro Hiramoto, Jiezhi Chen, Yeon Joo Jeong, Takuya Saraya (Invited)
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and, Technology (NTT2009)
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2009-01-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Improvement of Static Noise Margin in SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique2009
- 著者名/発表者名
  M.Suzuki, T.Saraya, K.Shimizu, T.Sakurai, T.Hiramoto
- 学会等名
  International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), TP7-03
- 発表場所
  University of Maryland, MD, USA
- 年月日
  2009-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[学会発表] Post-Fabrication Self-Convergence Scheme for Suppressing Variability in SRAM Cells and Logic Transistors2009
- 著者名/発表者名
  M.Suzuki, T.Saraya, K.Shimizu, T.Sakurai, T.Hiramoto
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology, pp.148-149
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2009-06-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[学会発表] Experimental Study of Mobility in [110]- and[100]-Directed Multiple Silicon Nanowire GAA MOSFETs on (100) SOI2008
- 著者名/発表者名
  Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Kousuke Miyaji, Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology
- 発表場所
  米国ハワイ
- 年月日
  2008-06-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Experimental Investigation on the Origin of Direction Dependence of Si (110) Hole Mobility Utilizing Ultra-Thin Body pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Ken Shimizu, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  米国サンフランシスコ
- 年月日
  2008-12-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Experimental Study of Mobility in [110]- and [100]-Directed Multiple Silicon Nanowire GAA MOSFETs on (100) SOI2008
- 著者名/発表者名
  Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Kousuke Miyaji, Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology (pp. 32 - 33)
- 発表場所
  Hilton Hawaiian Village. HI. USA
- 年月日
  2008-06-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Nanowire Channel Nanocrystal Memory with P-Doped Silicon Nanocrystals2008
- 著者名/発表者名
  Toshiro Hiramoto, Yuji Takahashi, Kousuke Miyaji, Takuya Saraya
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (p. 57)
- 発表場所
  Kyoto University
- 年月日
  2008-10-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Nanowire Channel Nanocrystal Memory with P-Doped Silicon Nanocrystals2008
- 著者名/発表者名
  Toshiro Hiramoto, Yuji Takahashi, Kousuke Miyaji, Takuya Saraya
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2008-10-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Uniaxial Strain Effects on Silicon Nanowire pMOSFET and Single-Hole Transistor at Room Temperature2008
- 著者名/発表者名
  YeonJoo Jeong, Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 761 - 764)
- 発表場所
  San Francisco, CA. USA
- 年月日
  2008-12-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Electron Mobility in Multiple Silicon Nanowires GAA nMOSFETs on (110) and (100) SOI at Room and Low Temperature2008
- 著者名/発表者名
  Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 757 - 760)
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 年月日
  2008-12-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Uniaxial Strain Effects on Silicon Nanowire pMOSFET and Single-Hole Transistor at Room Temperature2008
- 著者名/発表者名
  Yeon Joo Jeong, Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  米国サンフランシスコ
- 年月日
  2008-12-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Experimental Investigation on the Origin of Direction Dependence of Si (110) Hole Mobility Utilizing Ultra-Thin Body pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Ken Shimizu, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 67 - 70)
- 発表場所
  San Francisco. CA, USA
- 年月日
  2008-12-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Electron Mobility in Multiple Silicon Nanowires GAA nMOSFETs on (110) and (100) SOI at Room and Low Temperature2008
- 著者名/発表者名
  Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  米国サンフランシスコ
- 年月日
  2008-12-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Experimental Demonstrations of Superior Characteristics of Variable Body-Factor (γ) Fully-Depleted SOI MOSFETs with Extremely Thin BOX of 10nm2006
- 著者名/発表者名
  T.Ohtou, T.Saraya, K.Shimokawa, Y.Doumae, Y.Nagatomo, J.Ida, T.Hiramoto
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp.877-880
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 年月日
  2006-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063006
[学会発表] Mobility Enhancement in (110)-Oriented Ulta-Thin-Body Single-Gate and Double-Gate SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T. Hiramoto, G. Tsutsui, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Saraya
- 学会等名
  International Workshop on Nano CMOS
- 発表場所
  静岡
- 年月日
  2006-01-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Mobility Enhancement in (110)-Oriented Ulta-Thin-Body Single-Gate and Double-Gate SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T. Hiramoto, G. Tsutsui, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Saraya
- 学会等名
  International Workshop on Nano CMOS (pp. 14-15)
- 発表場所
  Toray Sougou Kensyu Center, Mishima, Shizuoka
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-Directed (110)-Oriented pMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  K. Shimizu, G. Tsutsui, D. Januar, T. Saraya, T. Hiramoto
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  米国ホノルル
- 年月日
  2006-06-11
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-Directed (110)-Oriented pMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  K. Shimizu, G. Tsutsui, D. Januar. T. Saraya, T. Hiramoto
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (pp. 11-12)
- 発表場所
  Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Mobility Enhancement due to Volume Inversion in (110)-oriented Ultra-thin Body Double-gate nMOSFETs with Body Thickness less than 5 nm2005
- 著者名/発表者名
  Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Takuya Saraya, Toshiharu Nagumo, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  米国ワシントン
- 年月日
  2005-12-07
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029
[学会発表] Mobility Enhancement due to Volume Inversion in (110)-oriented Ultra-thin Body Double-gate nMOSFETs with Body Thickness less than 5 nm2005
- 著者名/発表者名
  Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Takuya Saraya, Toshiharu Nagumo, Toshiro Hiramoto
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting (1EDM) (pp. 747-750)
- 発表場所
  Washington D. C., USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16201029

1. 平本俊郎 (20192718)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 44件
2. 桜井貴康 (90282590)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 小林正治 (40740147)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 川口博 (00361642)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

更屋 拓哉 Saraya Takuya

研究課題

研究成果

共同研究者

しきい値電圧自己調整機構を有する超低電圧動作シリコンナノワイヤトランジスタ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単一不純物が微細トランジスタ特性の統計的性質に与える影響に関する基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

サブ100mV動作を目指した超低電圧MOSトランジスタの基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

室温動作集積単電子トランジスタと大規模ＣＭＯＳ回路との融合による新機能創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノMOSFETの揺らぎとデバイスインテグリティ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

完全室温動作シリコン単電子・量子・CMOS融合集積回路ナノデバイスに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Peak Position Control of Coulomb Blockade Oscillations in Silicon Single-Electron Transistors with Floating Gate Operating at Room Temperature2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Integration of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 1-Bit Analog Selectors and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Experimental Observation of Quantum Confinement Effect in (110) and (100) Silicon Nanowire Field-Effect Transistors and Single-Electron/Hole Transistors Operating at Room Temperature2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-directed (110)-oriented pMOSFETs2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-directed (110)-oriented pMOSFETs2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

更屋拓哉 Saraya Takuya